JPS636504A - 熱制御フイルム - Google Patents
熱制御フイルムInfo
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- JPS636504A JPS636504A JP14827486A JP14827486A JPS636504A JP S636504 A JPS636504 A JP S636504A JP 14827486 A JP14827486 A JP 14827486A JP 14827486 A JP14827486 A JP 14827486A JP S636504 A JPS636504 A JP S636504A
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Landscapes
- Optical Filters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は熱制御性能に優れた熱制御フィルムに関し、さ
らに詳しくは人工衛星用として耐宇宙環境性に優れ良熱
制御フィルムに関するものである。
らに詳しくは人工衛星用として耐宇宙環境性に優れ良熱
制御フィルムに関するものである。
人工衛屋において衛星内部の機器を正常に動作させるた
めKは衛星内部温度を機器の動作温度範囲内に維持する
ことが必要である。このためkは熱入力となる太陽光エ
ネルギーの吸収を低く抑えしかも衛星内部で発生する熱
を宇宙空間に放射する必要がある。これらの機能を有す
るものとして熱制御素子が用いられている。
めKは衛星内部温度を機器の動作温度範囲内に維持する
ことが必要である。このためkは熱入力となる太陽光エ
ネルギーの吸収を低く抑えしかも衛星内部で発生する熱
を宇宙空間に放射する必要がある。これらの機能を有す
るものとして熱制御素子が用いられている。
熱制御素子は太陽光を吸収する度合を示す太陽光吸収率
(α3)と衛星内部の熱を放射する度合を示す熱放射率
(1)によって特性が決定されることが知られている。
(α3)と衛星内部の熱を放射する度合を示す熱放射率
(1)によって特性が決定されることが知られている。
すなわち衛星内部の温度を機器の動作温度範囲内に保つ
ためにはαS/εが小さい熱制御素子が必要である。
ためにはαS/εが小さい熱制御素子が必要である。
現在熱放射層として樹脂フィルムをベースとしたフレキ
シブルタイプのものがあシ、これらは四フッ化エチレン
と六フッ化プロピレンの共重合フィルムなどく太陽光反
射層として銀あるいはアルばニウムなどを蒸着した熱制
御フィルムが知られている。しかしこの熱制御フィルム
は宇宙の放射線によシ樹脂フィルムが劣化し、太陽光吸
収率が増加するために長寿命の衛星への適用は困難でお
り九〇 一方上記の欠点を改良したものとして アメリカン イ
ンスティトゥート オプ エアロノーティックス アン
ド アストロノーティックス(American In
5titute of Aeronautlcs an
dAstronauticm )第20回熱物理報告−
衛星通信関連一において報告された熱制御フィルムがあ
る。
シブルタイプのものがあシ、これらは四フッ化エチレン
と六フッ化プロピレンの共重合フィルムなどく太陽光反
射層として銀あるいはアルばニウムなどを蒸着した熱制
御フィルムが知られている。しかしこの熱制御フィルム
は宇宙の放射線によシ樹脂フィルムが劣化し、太陽光吸
収率が増加するために長寿命の衛星への適用は困難でお
り九〇 一方上記の欠点を改良したものとして アメリカン イ
ンスティトゥート オプ エアロノーティックス アン
ド アストロノーティックス(American In
5titute of Aeronautlcs an
dAstronauticm )第20回熱物理報告−
衛星通信関連一において報告された熱制御フィルムがあ
る。
これは熱放射層として耐放射m特性に優れた。11エー
テルイミドを用い、さらに熱放射層に入射する紫外線を
カットするために紫外線カット層として熱放射層の上層
に醸化第二セリウム層を設けたものである。しかし紫外
線を十分にカットするために酸化第二セリウム層は10
00Å以上の膜厚が必要である。
テルイミドを用い、さらに熱放射層に入射する紫外線を
カットするために紫外線カット層として熱放射層の上層
に醸化第二セリウム層を設けたものである。しかし紫外
線を十分にカットするために酸化第二セリウム層は10
00Å以上の膜厚が必要である。
一般Kl化第二セリウムは内部応力が生じやすく1ミク
ロン以下の薄膜領域でもフィルム上に成膜する場合には
カールが起こシやすい。又成膜スピードが遅く非能率的
で°ある。
ロン以下の薄膜領域でもフィルム上に成膜する場合には
カールが起こシやすい。又成膜スピードが遅く非能率的
で°ある。
本発明は熱制御特性幹よび耐宇宙環境性に優れさらに加
工性および生産性を得んとして研究を重ねた結果、紫外
線カット層として第1層目に酸化亜鉛層、第2層目に酸
化第二セリウム層を設けることKよシ酸化第二セリウム
層厚が薄くても耐紫外線性に優れ、且つ加工性及び生産
性がよく工業的メリットの大きい熱制御フィルムを提供
することKある。
工性および生産性を得んとして研究を重ねた結果、紫外
線カット層として第1層目に酸化亜鉛層、第2層目に酸
化第二セリウム層を設けることKよシ酸化第二セリウム
層厚が薄くても耐紫外線性に優れ、且つ加工性及び生産
性がよく工業的メリットの大きい熱制御フィルムを提供
することKある。
本発明は熱放射層と太陽光反射層からなる、熱制御フィ
ルムにおいて前記熱放射層上に紫外線カット層として第
1層目に酸化亜鉛層、第2層目に、酸化第二セリウム層
を設けたことを特徴とするものである。
ルムにおいて前記熱放射層上に紫外線カット層として第
1層目に酸化亜鉛層、第2層目に、酸化第二セリウム層
を設けたことを特徴とするものである。
本発明による熱制御フィルムは熱制御特性に優れさらに
耐紫外線性にも良好であることから人工衛星用として使
用した場合長期間にわたりて衛星内の温度を制御でき、
衛星の長寿命化を図ることができる。
耐紫外線性にも良好であることから人工衛星用として使
用した場合長期間にわたりて衛星内の温度を制御でき、
衛星の長寿命化を図ることができる。
本発明を図によって説明すれば
第1図は本発明による熱制御フィルムの断面図であシ、
図中、(1)は太陽光反射層、(2)は熱放射層、(3
)は酸化亜鉛層、(4)は酸化第二セリウム層である。
図中、(1)は太陽光反射層、(2)は熱放射層、(3
)は酸化亜鉛層、(4)は酸化第二セリウム層である。
この第1図よう明らかなように、本発明による熱制御フ
ィルムは太陽光反射層(1)上に熱放射層(2)が形成
されておシ、さらにその上に酸化亜鉛層(3)および酸
化第二セリウム層(4)が積層されている。
ィルムは太陽光反射層(1)上に熱放射層(2)が形成
されておシ、さらにその上に酸化亜鉛層(3)および酸
化第二セリウム層(4)が積層されている。
このような構成において太陽光はまず醇化第二セリウム
層(4)、酸化亜鉛M (3) K入シ、400nm以
下の紫外領域の光は酸化第二セリウム層(4)および酸
化亜鉛層(3)で吸収され、残シの400nm以上の光
は酸化第二セリウム層(4)および酸化亜鉛層(3)お
よび熱放射層(2)を透過し、太陽光反射層(1)で反
射される。熱放射層(2)K劣化を生じさせる光は40
0nm以下の紫外線であるがこの波長範囲の光は酸化第
二セリウム層(4)および酸化亜鉛層(3)Kよシ吸収
、カットされるため熱放射層(2)には400nm以下
の紫外線は入射しない。したがって熱放射層(2)の紫
外線劣化を防ぐことができる。衛星内部で発生する熱は
太陽光反射層(1)から熱放射層(2)に伝わシ赤外線
として宇宙空間に放射される。
層(4)、酸化亜鉛M (3) K入シ、400nm以
下の紫外領域の光は酸化第二セリウム層(4)および酸
化亜鉛層(3)で吸収され、残シの400nm以上の光
は酸化第二セリウム層(4)および酸化亜鉛層(3)お
よび熱放射層(2)を透過し、太陽光反射層(1)で反
射される。熱放射層(2)K劣化を生じさせる光は40
0nm以下の紫外線であるがこの波長範囲の光は酸化第
二セリウム層(4)および酸化亜鉛層(3)Kよシ吸収
、カットされるため熱放射層(2)には400nm以下
の紫外線は入射しない。したがって熱放射層(2)の紫
外線劣化を防ぐことができる。衛星内部で発生する熱は
太陽光反射層(1)から熱放射層(2)に伝わシ赤外線
として宇宙空間に放射される。
本発明において用いられる太陽光反射層(1)としては
太陽光に対する反射率が大きい物質であれば基本的にい
かなるものでもよい。このような太陽光に対する反射率
の大きなものとして、たとえば銀、金、アルミニウムな
どを挙げることができる。
太陽光に対する反射率が大きい物質であれば基本的にい
かなるものでもよい。このような太陽光に対する反射率
の大きなものとして、たとえば銀、金、アルミニウムな
どを挙げることができる。
この太陽光反射層(1)の厚さは特に限定されるもので
はない。太陽光を反射することが可能な厚さであればよ
い。通常の厚さは1500人〜3000人である。
はない。太陽光を反射することが可能な厚さであればよ
い。通常の厚さは1500人〜3000人である。
前記太陽光反射層(1)の保!!層として裏面に耐蝕性
のある無機化合物または、金属層例えばインコネル、ス
テンレス、スチール、石英ガラスなどを設けてもよい。
のある無機化合物または、金属層例えばインコネル、ス
テンレス、スチール、石英ガラスなどを設けてもよい。
熱放射層(2)としては透明で耐放射線性に優れている
樹脂フィルムであれば基本的にいかなるものでもよい。
樹脂フィルムであれば基本的にいかなるものでもよい。
例としてポリエーテルイミド、ゴリエーテルエーテルケ
トンなどを挙げることができる。
トンなどを挙げることができる。
このような熱放射層(2)の厚さは太陽光吸収率と熱放
射率の値から決定される。厚さが増すにしたがって太陽
光吸収率、熱放射率ともに増大するが性能としては太陽
光吸収率は小さく熱放射率は大きいほうがよい。熱放射
層伐)の好ましい厚みは熱放射層(2)の種類によりて
も異なるが通常10〜300μmが望ましい。
射率の値から決定される。厚さが増すにしたがって太陽
光吸収率、熱放射率ともに増大するが性能としては太陽
光吸収率は小さく熱放射率は大きいほうがよい。熱放射
層伐)の好ましい厚みは熱放射層(2)の種類によりて
も異なるが通常10〜300μmが望ましい。
この熱放射層(2)上に積層される酸化第二セリウム(
4)、酸化亜鉛層(3)の形成方法は本発明において特
に限定されるものではない。
4)、酸化亜鉛層(3)の形成方法は本発明において特
に限定されるものではない。
たとえば真空蒸着、スフζツタリング法などで形成する
ことができる。
ことができる。
なお紫外線カット層として酸化第二セリウム層のみ用い
た場合は紫外線カット性能より見て、その厚さを100
0λ以上としなければならない。
た場合は紫外線カット性能より見て、その厚さを100
0λ以上としなければならない。
酸化第二セリウム膜は一般に内部応力が大きいため熱制
御フィルム全体としてカールを生じ易い。
御フィルム全体としてカールを生じ易い。
さらにスノぐツタレートが低いため、作業性の面よシ、
酸化第二セリウム層(4)の膜厚をよ)薄くすることが
好ましいが、薄くすれば当然紫外線カット性が悪くなっ
てしまう。
酸化第二セリウム層(4)の膜厚をよ)薄くすることが
好ましいが、薄くすれば当然紫外線カット性が悪くなっ
てしまう。
本発明はこれらの欠点を補うべく紫外線カット層を酸化
第二セリウム層(4)、酸化亜鉛層(3)の2層構造と
することによ#)酸化第二セリウム層(4)の膜厚を抑
えかつ紫外線カット層としての機能を同等にすることが
できた。これは酸化第二セリウム層に加え酸化亜鉛層が
自身の紫外線カット性を有するためである。
第二セリウム層(4)、酸化亜鉛層(3)の2層構造と
することによ#)酸化第二セリウム層(4)の膜厚を抑
えかつ紫外線カット層としての機能を同等にすることが
できた。これは酸化第二セリウム層に加え酸化亜鉛層が
自身の紫外線カット性を有するためである。
酸化亜鉛は比較的内部応力が小さく酸化第二セリウムと
併せて用いることにより諸物性が一段と向上し実用に適
したものとなる。
併せて用いることにより諸物性が一段と向上し実用に適
したものとなる。
さらに工業的見地から以下3点のメリットを有する。
(1)酸化亜鉛層(3)の成膜時に使用する亜鉛ターゲ
ットは酸化第二セリウム層(4)の成膜時に使用するセ
リウムターゲットの価格の一以下で69材料価格面で大
幅なコストダウンになる。
ットは酸化第二セリウム層(4)の成膜時に使用するセ
リウムターゲットの価格の一以下で69材料価格面で大
幅なコストダウンになる。
(2)酸化亜鉛層(3)と酸化第二セリウム層(4)の
成膜スピードは同条件の■−スノ2ツタレートがそれぞ
れ86X/minと28人/ min テ前者は後者の
3倍程であシ生産スピードの向上が計れる。
成膜スピードは同条件の■−スノ2ツタレートがそれぞ
れ86X/minと28人/ min テ前者は後者の
3倍程であシ生産スピードの向上が計れる。
(3) ElI化第二セリウム層(4)の厚さを薄くす
ることができるので生産性が向上し、更に酸化亜鉛は扱
い易い金属酸化物であるので生産歩留シが向上でき、物
理特性の優れたものが容易に得られる。
ることができるので生産性が向上し、更に酸化亜鉛は扱
い易い金属酸化物であるので生産歩留シが向上でき、物
理特性の優れたものが容易に得られる。
参考例として以下の実検を行った。
200μmの石英ガラスにDCプレーナマグネトロンス
ノζツタ機にてアルゴンと酸素ガスを封入し、亜鉛およ
びセリウムターゲットの反応性スフζツタリングによシ
酸化亜鉛層を500人、さらに上層に酸化第二セリウム
層を500人(参考例1)設けた。
ノζツタ機にてアルゴンと酸素ガスを封入し、亜鉛およ
びセリウムターゲットの反応性スフζツタリングによシ
酸化亜鉛層を500人、さらに上層に酸化第二セリウム
層を500人(参考例1)設けた。
一方200μmの石英ガラスに同様にして酸化第二セリ
ウムのみを500人(参考例2)および1500人(参
考例3)を設けた。参考例1.2.3について分光透過
率を測定した。この結果を第2図に示す。
ウムのみを500人(参考例2)および1500人(参
考例3)を設けた。参考例1.2.3について分光透過
率を測定した。この結果を第2図に示す。
図中(5) (6) (7)はそれぞれ参考例1.2.
30分光透過率を示したグラフである。
30分光透過率を示したグラフである。
酸化第二セリウム1500人のみを設けた参考例2では
400nm以下の光のカットは不十分であるが酸化亜鉛
層500人と酸化第二セリウム層5ooAの二層とした
参考例1は400nm以下の光を十分カットしている。
400nm以下の光のカットは不十分であるが酸化亜鉛
層500人と酸化第二セリウム層5ooAの二層とした
参考例1は400nm以下の光を十分カットしている。
さらには該二層からなる参考例1は、醸化第二セリウム
層1500人のみの比較例3よシも紫外線カット性が優
れていることが判る。
層1500人のみの比較例3よシも紫外線カット性が優
れていることが判る。
すなわち酸化亜鉛層と酸化第二セリウム層の2層構造と
することKよシ、酸化第二セリウム暦の膜厚を抑えなが
ら十分紫外線をカットすることができる。また酸化第二
セリウム層によるカールは参考例3において顕著である
が参考例Iにおいてほとんど存在せず改良されている。
することKよシ、酸化第二セリウム暦の膜厚を抑えなが
ら十分紫外線をカットすることができる。また酸化第二
セリウム層によるカールは参考例3において顕著である
が参考例Iにおいてほとんど存在せず改良されている。
本発明による紫外線カット層が酸化亜鉛層及び厳化第二
セリウム層の二層からなる熱制御フィルムは耐紫外線性
に優れ、且つ物理特性に優れたものがよシ、安価に得ら
れるフィルムであシ、熱制御特性及び耐宇宙環境性に優
れた長寿命の熱制御フィルムである。
セリウム層の二層からなる熱制御フィルムは耐紫外線性
に優れ、且つ物理特性に優れたものがよシ、安価に得ら
れるフィルムであシ、熱制御特性及び耐宇宙環境性に優
れた長寿命の熱制御フィルムである。
実施例1
75μmのはリエーテルイミドフィルムに太陽光反射層
としてDC−プレーナマグネトロンスノぐツタ機にてア
ルゴンガスを封入し、銀ターゲットのスフζツタリング
によシ銀層を20001設け、さらにこの銀層面に銀層
と同様にしてインコネルを1000人設けた。さらKy
t?リエーテルイミドフイルムの太陽光反射層の反対面
に参考例1と同様にして酸化亜鉛層を500λ、酸化第
二セリウムを500人設は熱制御フィルムを得た。
としてDC−プレーナマグネトロンスノぐツタ機にてア
ルゴンガスを封入し、銀ターゲットのスフζツタリング
によシ銀層を20001設け、さらにこの銀層面に銀層
と同様にしてインコネルを1000人設けた。さらKy
t?リエーテルイミドフイルムの太陽光反射層の反対面
に参考例1と同様にして酸化亜鉛層を500λ、酸化第
二セリウムを500人設は熱制御フィルムを得た。
実施例2
75μmのポリエーテルイミドフィルムに実施例1と同
様にして銀層を2000人、インコネル層を1000X
設けさらにポリエーテルイミドフィルムの太陽光反射層
の反対面VC酸化亜鉛層を1150人、醇化第二セリク
ムを5ooJ設け、熱制御フィルムを得た。
様にして銀層を2000人、インコネル層を1000X
設けさらにポリエーテルイミドフィルムの太陽光反射層
の反対面VC酸化亜鉛層を1150人、醇化第二セリク
ムを5ooJ設け、熱制御フィルムを得た。
比較例1.2
75μmのポリエーテルイミドフィルムに実施例1.2
と同様にして銀層2000人、インコネル1000人を
設けたものを比較例1、さらKyl−’リエーテルイミ
ドフイルムの太陽光反射層の反対面に慶化第二セリウム
層xsooA設けたものを比較例2とする。
と同様にして銀層2000人、インコネル1000人を
設けたものを比較例1、さらKyl−’リエーテルイミ
ドフイルムの太陽光反射層の反対面に慶化第二セリウム
層xsooA設けたものを比較例2とする。
実施例1.2と比較例1.2の太陽光吸収率(αs)と
熱放射率(e)′およびαa/lを第1表K。
熱放射率(e)′およびαa/lを第1表K。
さらに宇宙環境2年分にあたる紫外線照射後の太陽光吸
収率(αs)と熱放射率0>およびαs / gとその
初期値との変化分Δ(αs / t )を第2表に示す
。
収率(αs)と熱放射率0>およびαs / gとその
初期値との変化分Δ(αs / t )を第2表に示す
。
第1表
M2表
紫外線カット層に酸化亜鉛と酸化第二セリウムの2層を
用いた実施例1.2は、第1表で、熱制御特性が同等で
ある仁とが判る。また第2表において、比較例2よシ若
干劣るものの十分な耐紫外線性を示している。
用いた実施例1.2は、第1表で、熱制御特性が同等で
ある仁とが判る。また第2表において、比較例2よシ若
干劣るものの十分な耐紫外線性を示している。
以上説明したように本発明による熱制御フィルムは、良
好な熱制御特性および耐宇宙環境性を示しかつ加工性お
よび生産性には格段に優れた熱制御フィルムである。
好な熱制御特性および耐宇宙環境性を示しかつ加工性お
よび生産性には格段に優れた熱制御フィルムである。
第1図は本発明による熱制御フィルムの断面図、第2図
は参考例1.2.3の分光透過率を示したグラフである
。 、(1):太陽光反射層 (2):熱放射層(3) :
酸化亜鉛層 (4) : #化第二セリウム層(5
)参考例10分光透過率曲線 (6)参考例20分光透過率曲線 (7)参考例30分光透過率曲線 住友ベークライト株式会社
は参考例1.2.3の分光透過率を示したグラフである
。 、(1):太陽光反射層 (2):熱放射層(3) :
酸化亜鉛層 (4) : #化第二セリウム層(5
)参考例10分光透過率曲線 (6)参考例20分光透過率曲線 (7)参考例30分光透過率曲線 住友ベークライト株式会社
Claims (2)
- (1)熱放射層と太陽光反射層からなる熱制御フィルム
において、熱放射層上に紫外線カット層として酸化亜鉛
層および酸化第二セリウム層を設けたことを特徴とする
熱制御フィルム。 - (2)熱放射層が一般式(1)で示されるポリエーテル
イミドであることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の熱制御フィルム。 ▲数式、化学式、表等があります▼ (nは1〜10,000の整数)…………(1)(3)
紫外線カット層において酸化亜鉛層と酸化第二セリウム
層の厚さの比(酸化亜鉛層厚/酸化第二セリウム層厚)
が1/5〜5である特許請求の範囲第1項記載の熱制御
フィルム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61148274A JPH0668561B2 (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 熱制御フイルム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61148274A JPH0668561B2 (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 熱制御フイルム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS636504A true JPS636504A (ja) | 1988-01-12 |
JPH0668561B2 JPH0668561B2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=15449101
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61148274A Expired - Fee Related JPH0668561B2 (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 熱制御フイルム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0668561B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0365498A (ja) * | 1989-08-02 | 1991-03-20 | Toshiba Corp | 熱制御材料及びその製造方法 |
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US6675669B2 (en) | 2000-08-23 | 2004-01-13 | Nsk Ltd. | Ball screw apparatus |
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JPS5911323A (ja) * | 1982-07-09 | 1984-01-20 | Toyobo Co Ltd | 紫外線カツト材料 |
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-
1986
- 1986-06-26 JP JP61148274A patent/JPH0668561B2/ja not_active Expired - Fee Related
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CN110462464B (zh) * | 2017-03-28 | 2022-08-23 | 大阪瓦斯株式会社 | 辐射冷却装置和辐射冷却方法 |
US11598592B2 (en) | 2017-03-28 | 2023-03-07 | Osaka Gas Co., Ltd. | Radiative cooling device and radiative cooling method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0668561B2 (ja) | 1994-08-31 |
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