JP6839938B2

JP6839938B2 - 半導体装置、磁気検出装置、半導体装置の製造方法および電子コンパス

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Publication number: JP6839938B2
Application number: JP2016145719A
Authority: JP
Inventors: 祐子石原; 和彦瀬良
Original assignee: Asahi Kasei EMD Corp
Current assignee: Asahi Kasei EMD Corp
Priority date: 2016-07-25
Filing date: 2016-07-25
Publication date: 2021-03-10
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Description

本発明は、半導体装置、磁気検出装置、半導体装置の製造方法および電子コンパスに関する。

従来、磁性体を内蔵した半導体装置において、上面視で、ランドと磁性体とが重ならないように配置されたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１特開２０１０−１０１６４８号公報

しかしながら、従来の半導体装置は、磁性体を備えたチップスケールパッケージにおいて、十分に小型化することができなかった。

本発明の第１の態様においては、基板と、基板上に配置されたパッドと、基板上に配置された磁性体と、磁性体上に配置された第１絶縁層と、第１絶縁層上に配置されたランドと、パッドとランドとを接続する再配線層とを備え、上面視で、磁性体の少なくとも一部が、ランドと重なる半導体装置を提供する。

本発明の第２の態様においては、基板と、基板に配置された磁気センサと、基板上に配置された磁気収束板と、磁気収束板上に配置された第１絶縁層と、第１絶縁層上に配置されたランドと、基板上に配置されたパッドと、パッドとランドとを接続する再配線層と、ランド上に配置された外部端子部とを備え、上面視で、磁気収束板の少なくとも一部が、ランドと重なる磁気検出装置を提供する。

本発明の第３の態様においては、上面にパッドを有する基板の上方に、磁性体を形成するステップと、磁性体上に、第１絶縁層を形成するステップと、第１絶縁層上であって磁性体の少なくとも一部の上方に重なるランド、および、パッドからランドまで再配線層を形成するステップと、ランド上に、外部端子部を形成するステップとを備える半導体装置の製造方法を提供する。

本発明の第４の態様においては、集積回路が形成された半導体基板と、半導体基板に配置されたホール素子と、半導体基板の上方に配置された磁気収束板と、磁気収束板上に配置された第１絶縁層と、第１絶縁層上に配置されたランドと、半導体基板上に配置されたパッドと、パッドとランドとを接続する再配線層と、ランド上に配置されたハンダボールと、を備え、上面視で、磁気収束板の少なくとも一部が、ランドと重なる電子コンパスを提供する。

なお、上記の発明の概要は、本発明の特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。

実施例１に係る半導体装置１００の構成の一例を示す。実施例１に係る半導体装置１００の製造方法を示すフローチャートである。比較例１に係る半導体装置５００の構成の一例を示す。実施例２に係る半導体装置１００の構成の一例を示す。実施例３に係る半導体装置１００の構成の一例を示す。実施例４に係る半導体装置１００の構成の一例を示す。実施例５に係る半導体装置１００の構成の一例を示す。実施例６に係る半導体装置１００の構成の一例を示す。実施例７に係る半導体装置１００の構成の一例を示す。

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。

［実施例１］
図１は、実施例１に係る半導体装置１００の構成の一例を示す。本例の半導体装置１００は、基板１０、磁性体２０、下地通電層２５、再配線層４０、下地通電層４５、外部端子部５０、絶縁層６１，６２，６３，６４、パッド７０および裏面コート８０を備える。

基板１０は、シリコンや化合物半導体で形成された半導体基板である。基板１０内には、集積回路、磁気センサ等が形成される。本例の基板１０は、磁気センサ２１を有する。基板１０の裏面は、裏面コート８０により保護されてよい。ウエハ状態の基板１０上には、複数の半導体装置１００が形成される。半導体装置１００は、予め定められたダイシングラインに沿ってウエハ状態の基板１０をダイシングすることにより得られる。本例の基板１０は、上面視で、四角形状を有するがこれに限られない。本明細書において上面視とは、基板１０の表面がＸＹ平面上に形成される場合に、ＸＹ平面に垂直なＺ軸方向の視点を指す。

パッド７０は、外部との電気接合を形成するために基板１０上に配置される。例えば、パッド７０は、Ａｌ系又はＣｕ系の材料で形成される。パッド７０は、基板１０内の集積回路および磁気センサ２１等に接続される。

絶縁層６２は、基板１０上に形成される。絶縁層６２は、パッド７０に対応した開口を有する。パッド７０に対応した開口とは、例えば、絶縁層６２の上方に形成された再配線層４０がパッド７０と電気的に接続可能に開口されることを指す。絶縁層６２は、第２絶縁層の一例である。第２絶縁層は、絶縁層６２および絶縁層６３の２層構造であってもよい。絶縁層６２および絶縁層６３は、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ベンゾシクロブテンおよびエポキシのいずれか又はこれらの組み合わせの絶縁材料で形成される。絶縁層６２および絶縁層６３の膜厚は、０．１〜３０μｍであってよい。

磁性体２０は、基板１０の上方であって、絶縁層６３上に形成される。絶縁層６３が形成されない一層構造の場合、磁性体２０は、絶縁層６２上に形成されてよい。一例において、磁性体２０は、磁気増幅用の磁気収束体等である。磁気収束体は、プレート状に形成されてもよく、ブロック状に形成されてもよい。磁性体２０は、上面視で、円形状、多角形状等の形状を有してよい。磁性体２０は、複数の磁性体２０を有してもよい。本例の磁性体２０の下面には、下地通電層２５が形成されている。磁性体２０は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏの少なくとも２種類以上を含む軟磁性体である。例えば、磁性体２０は、Ｆｅ−ＮｉやＦｅ−Ｃｏ系等の２元系材料や、Ｆｅ−ＮｉやＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系等の３元系合金材料で形成される。磁性体２０の膜厚は、１〜５０μｍであってよい。

下地通電層２５は、Ｔｉ、ＴｉＷなどのＴｉ系材料およびＣｕ系材料の少なくとも一方を用いて形成される。一例において、下地通電層２５は、真空蒸着法、スパッタリング法、電解めっき法、無電解めっき法等を用いて形成される。例えば、下地通電層２５のＴｉ系材料は拡散バリア層として機能する。下地通電層２５の膜厚は、０．１μｍ以上であることが好ましい。

また、下地通電層２５は、第１の積層金属膜および第２の積層金属膜の２層構造を有してよい。一例において、第１の積層金属膜は、ＴｉもしくはＴｉＷと、Ｃｕとの積層金属膜である。また、第１の積層金属膜は、ＴｉとＡｌとＴｉの積層金属膜であってよい。一例において、第２の積層金属膜は、ＴｉもしくはＴｉＷと、Ｃｕとの積層金属膜である。第１の積層金属膜の膜厚は、ＴｉもしくはＴｉＷと、Ｃｕとの積層金属膜の場合、それぞれ０．１〜２．０μｍ、０．１〜２．０μｍであってよい。第１の積層金属膜の膜厚は、ＴｉとＡｌとＴｉの積層金属膜の場合、それぞれ０．１〜２．０μｍ、０．１〜３μｍ、０．１〜２．０μｍであってよい。また、第２の積層金属膜の膜厚は、ＴｉもしくはＴｉＷと、Ｃｕとの積層金属膜の場合、それぞれ０．１〜２．０μｍ、０．１〜１０μｍであってよい。

磁気センサ２１は、基板１０内に設けられる。また、磁気センサ２１は、下地通電層２５に覆われるように配置される。一例において、磁気センサ２１は、ホール素子であり、例えば、シリコン基板内に不純物拡散層で形成されたシリコンホール素子である。本例の磁気センサ２１は、磁性体２０の周囲に配置される。例えば、磁性体２０の周囲とは、磁性体２０が磁気収束板である場合、磁性体２０により増幅された磁気が与えられるような領域を指す。磁性体２０の周囲とは、上面視で、磁性体２０と重なる領域であっても、重ならない領域であってもよい。

絶縁層６１は、絶縁層６３上および磁性体２０上に形成される。絶縁層６３が形成されない一層構造の場合、絶縁層６１は、絶縁層６２上および磁性体２０上に形成される。絶縁層６１は、パッド７０に対応した開口を有する。本例の絶縁層６１は、第１絶縁層の一例である。一例において、絶縁層６１は、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ベンゾシクロブテンおよびエポキシのいずれか又はこれらの組み合わせの絶縁材料で形成されてよい。例えば、絶縁層６１は、スピンコート法や印刷法などによって成膜される。絶縁層６１の膜厚は、０．１〜３０μｍであってよい。

ランド３０は、絶縁層６１上に形成される導電性材料である。ランド３０は、ハンダボールを設けるのに十分な面積を有する。ランド３０の形状は、上面視で、円形状、多角形状等であってよい。一例において、複数のランド３０が絶縁層６１上に形成される。

再配線層４０は、パッド７０とランド３０とを電気的に接続する。本例の再配線層４０は、パッド７０からランド３０まで、絶縁層６１上を延出して配置される。また、再配線層４０は、パッド７０から絶縁層６１の斜面に沿って延出し、絶縁層６１上でランド３０と接続する。再配線層４０は、ランド３０に比べて幅が狭い配線である。ランド３０と再配線層４０は、同じ材料で形成されてもよい。

下地通電層４５は、Ｔｉ、ＴｉＷなどのＴｉ系材料およびＣｕ系材料の少なくとも一方を用いて形成される。一例において、下地通電層４５は、真空蒸着法、スパッタリング法、電解めっき法、無電解めっき法等を用いて形成される。下地通電層４５の膜厚は、０．１μｍ以上であることが好ましい。

また、下地通電層４５は、第１の積層金属膜および第２の積層金属膜の２層構造を有してよい。一例において、第１の積層金属膜は、ＴｉもしくはＴｉＷと、Ｃｕとの積層金属膜である。また、第１の積層金属膜は、ＴｉとＡｌとＴｉの積層金属膜であってよい。一例において、第２の積層金属膜は、ＴｉもしくはＴｉＷと、Ｃｕとの積層金属膜である。第１の積層金属膜の膜厚は、ＴｉもしくはＴｉＷと、Ｃｕとの積層金属膜の場合、それぞれ０．１〜２．０μｍ、０．１〜２．０μｍであってよい。第１の積層金属膜の膜厚は、ＴｉとＡｌとＴｉの積層金属膜の場合、それぞれ０．１〜２．０μｍ、０．１〜３μｍ、０．１〜２．０μｍであってよい。また、第２の積層金属膜の膜厚は、ＴｉもしくはＴｉＷと、Ｃｕとの積層金属膜の場合、それぞれ０．１〜２．０μｍ、０．１〜１０μｍであってよい。

外部端子部５０は、ランド３０上に配置される。一例において、外部端子部５０は、半導体装置１００の外部と電気的に接続するためのハンダボールである。外部端子部５０は、ランド３０上にポストを有し、ポスト上にハンダボールが形成されてもよい。

絶縁層６４は、再配線層４０上および絶縁層６１上に設けられる。絶縁層６４は、ランド３０の一部を覆う。絶縁層６４は、ランド３０と外部端子部５０が接合する接合領域Ａ_ｊを除いて、ランド３０上に形成される。即ち、絶縁層６４には、外部端子部５０とランド３０とを接続するための開口が形成されている。絶縁層６４は、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ベンゾシクロブテンおよびエポキシのいずれか又はこれらの組み合わせの絶縁材料で形成される。

本例の磁性体２０の少なくとも一部は、上面視で、ランド３０と重なる位置に配置される。上面視で、ランド３０が形成される領域と、磁性体が形成される領域とが、少なくとも一部重なるように、磁性体２０およびランド３０が配置される。断面視で、ランド３０が形成される領域の下方に、磁性体２０の少なくとも一部が形成される。

磁性体２０は、上面視で、複数のランド３０と重なる位置に配置されてもよい。磁性体２０が形成される領域内に、ランド３０が形成される領域が含まれる配置でもよい。また、ランド３０と外部端子部５０が接合する接合領域Ａ_ｊと、磁性体２０が形成される領域とが、少なくとも一部重なるように、磁性体２０とランド３０が配置されてもよい。なお、接合領域Ａ_ｊは、ランド３０よりも内側に形成される。

本例の半導体装置１００は、基板１０上に磁気増幅用の磁性体２０を内蔵し、高密度実装対応の磁気検出装置として動作する。本例の半導体装置１００は、上面視で、磁性体２０がランド３０と重なるように配置されているので、より小型な磁気検出装置を実現できる。また、磁性体２０がランド３０と重なるように配置されることで、磁性体２０が剥がれ難い信頼性が高い磁気検出装置を実現できる。磁気検出装置としては、電子コンパス、磁気スイッチ、回転角検出装置、電流検出装置などが挙げられる。

図２は、実施例１に係る半導体装置１００の製造方法を示すフローチャートである。ステップＳ１００において、上面にパッド７０を有する基板１０の上方に、磁性体２０を形成する。ステップＳ１１０において、磁性体２０上に絶縁層６１を形成する。ステップＳ１２０において、絶縁層６１上であって、磁性体２０の少なくとも一部の上方に重なるランド３０、および、パッド７０とランド３０とを電気的に接続する再配線層４０を形成する。即ち、本例の半導体装置１００は、ランド３０および再配線層４０を同一のプロセスで形成している。この場合、ランド３０および再配線層４０は、同一の材料で形成される。ステップＳ１３０において、ランド３０上に、外部端子部５０を形成する。本例の半導体装置１００の製造方法は一例であり、他のプロセスを用いても形成し得る。

また、半導体装置１００は、基板１０上に絶縁層６２を形成するステップを更に有してよい。また、絶縁層６２上に、絶縁層６２と異なる絶縁層６３を形成するステップを有してよい。絶縁層６２および絶縁層６３を開口して、パッド７０上に再配線層４０を形成するステップを有してよい。

半導体装置１００は、外部端子部５０をボールマウンタで搭載し、窒素リフロした後に、基板１０をダイシング処理することで、個片化されてよい。これにより、例えば、縦２．５ｍｍ、横２．５ｍｍ、膜厚０．７５ｍｍのウエハレベルチップサイズパッケージが得られる。

［比較例１］
図３は、比較例１に係る半導体装置５００の構成の一例を示す。本例では、実施例１に係る半導体装置１００と相違する点について特に説明する。

半導体装置５００は、上面視で、ランド３０と磁性体２０とが重ならないように配置されている。また、本例の磁性体２０は、上面視で、磁性体２０とランド３０と外部端子部５０とが接合する接合領域Ａ_ｊが重ならないように配置されている。そのため、半導体装置５００は、磁性体２０を設ける領域と、ランド３０を設ける領域とを別々に設ける必要があり、小型化が困難である。また、半導体装置５００は、上面視で、磁性体２０とランド３０とが重ならないので設計の自由度が低くなる。また、半導体装置５００は、実施例に比べて、磁性体２０が剥がれやすく、信頼性が低い。

［実施例２］
図４は、実施例２に係る半導体装置１００の構成の一例を示す。本例の磁性体２０は、上面視で、一部がランド３０と重なっている。

磁性体２０は、上面視で、少なくとも一部がランド３０と重なるように配置されている。また、磁性体２０は、上面視で、少なくとも一部が接合領域Ａ_ｊと重なるように配置されている。そのため、本例の半導体装置１００は、比較例１の半導体装置５００と比べて小型化できる。

特に、本例の磁性体２０は、ランド３０よりも面積の大きな磁性体２０を有する。そのため、磁性体２０は、上面視で、ランド３０が形成された領域からはみ出して形成されている。このように、磁性体２０の少なくとも一部が、上面視で、ランド３０と重なるように配置されていれば、ランド３０よりも面積の大きな磁性体２０を有する場合であっても、半導体装置１００を小型化しやすくなる。また、磁性体２０がランド３０と重なるように配置されることで、磁性体２０が剥がれ難い信頼性が高い磁気検出装置を実現できる。

［実施例３］
図５は、実施例３に係る半導体装置１００の構成の一例を示す。本例の半導体装置１００は、ポスト９０を更に備える。

ポスト９０は、外部端子部５０とランド３０とを電気的に接続する。一例において、ポスト９０は、ランド３０又は再配線層４０と同一の導電性材料で形成される。ポスト９０は、ランド３０および再配線層４０と異なる導電性材料で形成されてもよい。ポスト９０は、外部端子部５０の下方の絶縁層６４に設けられた開口内に形成される。本例の接合領域Ａ_ｊは、外部端子部５０とポスト９０とが接合する領域を指す。但し、ポスト９０とランド３０とが接合する領域を接合領域Ａ_ｊと定義してもよい。

ランド３０は、ポスト９０の下端と電気的に接続されている。本例のランド３０は、ポスト９０の下方の全面に形成されている。但し、ランド３０は、ポスト９０の下端の少なくとも一部と電気的に接続されていればよい。また、本例のランド３０は、絶縁層６３および絶縁層６４の段差構造の上に形成されているが、平面構造の上に形成されてもよい。本例では、ランド３０を段差上に形成することにより、磁性体２０をランド３０の下に設けるスペースを形成している。これにより、磁性体２０は、上面視で、ポスト９０の少なくとも一部と重なるように配置できる。

［実施例４］
図６は、実施例４に係る半導体装置１００の構成の一例を示す。同図は、半導体装置１００の上面図を示す。本例の半導体装置１００は、１つの磁性体２０と、４つのランド３０を備える。

磁性体２０は、上面視で、少なくとも２つのランド３０と重なる。本例の磁性体２０は、４つのランド３０の内、２つのランド３０に重なるように配置されている。磁性体２０は、上面視で、ランド３０の面積よりも磁性体２０の面積の方が大きい。なお、本例の磁性体２０は、上面視で円形状を有するが、多角形等の他の形状を有してもよい。

半導体装置１００は、上面視で、四角形状を有する。基板１０も、上面視で四角形状を有する。一例において、複数のランド３０は、基板１０の中心から均等になるように配置される。例えば、４つのランド３０は、基板１０の四隅にそれぞれ配置されている。本例の４つのランド３０は、それぞれ同一の大きさで構成されているが、異なる大きさで構成されてもよい。

［実施例５］
図７は、実施例５に係る半導体装置１００の構成の一例を示す。同図は、半導体装置１００の上面図を示す。本例の半導体装置１００は、磁性体２０が４つのランド３０の全てに重なるように配置されている点で実施例４に係る半導体装置１００と異なる。

本例の磁性体２０は、上面視で、４つのランド３０と均等に重なるように配置されているが、磁性体２０とランド３０とが重なる領域の面積は均等でなくてもよい。また、磁性体２０は、上面視で、基板１０の略中心部に配置されているが、これに限られない。このように、本例の半導体装置１００は、上面視で、磁性体２０の形成する位置と、ランド３０を形成する位置を自由に選択できるので、設計の自由度が高い。

［実施例６］
図８は、実施例６に係る半導体装置１００の構成の一例を示す。同図は、半導体装置１００の上面図を示す。本例の半導体装置１００は、磁性体２０が４つのランド３０の内、１つのランド３０にのみ重なるように配置されている点で実施例４および５に係る半導体装置１００と異なる。

磁性体２０およびランド３０は、上面視で、いずれも円形状を有する。磁性体２０が１つのランド３０にのみ重なる場合であっても、磁性体２０の中心位置とランド３０の中心位置とが異なっていてもよい。但し、磁性体２０の中心位置とランド３０の中心位置とが重なっていてもよい。

［実施例７］
図９は、実施例７に係る半導体装置１００の構成の一例を示す。同図は、半導体装置１００の上面図を示す。本例の半導体装置１００は、磁性体２０が４つのランド３０の内、１つのランド３０にのみ重なる点で実施例６に係る半導体装置１００と共通する。但し、本例の磁性体２０は、上面視で、円形ではなく、並列に配列された３本の矩形形状を有する点で実施例６に係る半導体装置１００と異なる。

磁性体２０は、矩形形状の３本の磁気収束板からなる。但し、磁性体２０の形状は、磁気センサ２１に予め定められた割合の磁気を増幅できるものであれば、特に本例に限られない。例えば、磁性体２０は、上面視で、Ｕ字型等の異なる形状を有してよい。

以上の通り、本明細書に係る半導体装置１００は、上面視で、磁性体２０の少なくとも一部が、ランド３０と重なる位置に配置されるので、装置の小型化を実現できる。また、本明細書に係る半導体装置１００は、上面視で、磁性体２０の形成する位置と、ランド３０を形成する位置を自由に選択できるので、設計の自由度が高い。また、本明細書に係る半導体装置１００は、磁性体２０の少なくとも一部が、ランド３０と重なる位置に配置されるので、磁性体２０が剥がれ難い信頼性が高い装置を実現できる。

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。

特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。

１０・・・基板、２０・・・磁性体、２１・・・磁気センサ、２５・・・下地通電層、３０・・・ランド、４０・・・再配線層、４５・・・下地通電層、５０・・・外部端子部、６１・・・絶縁層、６２・・・絶縁層、６３・・・絶縁層、６４・・・絶縁層、７０・・・パッド、８０・・・裏面コート、９０・・・ポスト、１００・・・半導体装置、５００・・・半導体装置

Claims

基板と、
前記基板上に配置されたパッドと、
前記基板の上方に配置された磁性体と、
前記磁性体上に配置された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に配置されたランドと、
前記パッドと前記ランドとを接続する再配線層と、
前記ランド上に配置された外部端子部と、
を備え、
上面視で、前記磁性体の少なくとも一部が、前記ランドと前記外部端子部が接合する接合領域と重なる
半導体装置。
前記第１絶縁層上に配置された複数の前記ランドを備え、
上面視で、前記磁性体が、少なくとも２つの前記ランドと重なる
請求項１に記載の半導体装置。
前記基板は、四角形状であり、
複数の前記ランドは、前記第１絶縁層上であって、前記基板の四隅にそれぞれ配置され、
上面視で、前記磁性体の少なくとも一部が、複数の前記ランドのそれぞれと重なる
請求項１又は２に記載の半導体装置。
前記基板上に、前記パッドに対応する開口を有する第２絶縁層をさらに備え、
前記磁性体は、前記第２絶縁層上に配置され、
前記第１絶縁層は、前記第２絶縁層上及び前記磁性体上に配置され、
前記再配線層は、前記パッドから前記ランドまで、前記第１絶縁層上を延出して配置される
請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体装置。
基板と、
前記基板上に配置されたパッドと、
前記基板の上方に配置された磁性体と、
前記磁性体上に配置された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に配置されたランドと、
前記パッドと前記ランドとを接続する再配線層と、
前記基板上に、前記パッドに対応する開口を有する第２絶縁層と、
を備え、
前記磁性体は、前記第２絶縁層上に配置され、
前記第１絶縁層は、前記第２絶縁層上及び前記磁性体上に配置され、
前記再配線層は、前記パッドから前記ランドまで、前記第１絶縁層上を延出して配置され、
上面視で、前記磁性体の少なくとも一部が、前記ランドと重なる
半導体装置。
前記磁性体は、磁気収束板であり、
上面視で、前記磁気収束板の周囲に配置された磁気センサを備える
請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記ランドは、上面視で円形状である
請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記第１絶縁層上に配置された複数の前記ランドを備え、
上面視で、前記磁性体の少なくとも一部は、複数の前記ランドのうちの１つのみと重なる請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体装置。
基板と、
前記基板に配置された磁気センサと、
前記基板の上方に配置された磁気収束板と、
前記磁気収束板上に配置された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に配置されたランドと、
前記基板上に配置されたパッドと、
前記パッドと前記ランドとを接続する再配線層と、
前記ランド上に配置された外部端子部と
を備え、
上面視で、前記磁気収束板の少なくとも一部が、前記ランドと前記外部端子部が接合する接合領域と重なる
磁気検出装置。
前記磁気センサは、上面視で、前記磁気収束板の周囲に位置する
請求項９に記載の磁気検出装置。
前記基板上に、前記パッドに対応する開口を有する第２絶縁層をさらに備え、
前記磁気収束板は、前記第２絶縁層上に配置され、
前記第１絶縁層は、前記第２絶縁層上及び前記磁気収束板上に配置され、
前記再配線層は、前記パッドから前記ランドまで、前記第１絶縁層上を延出して配置される
請求項９又は１０に記載の磁気検出装置。
基板と、
前記基板に配置された磁気センサと、
前記基板の上方に配置された磁気収束板と、
前記磁気収束板上に配置された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に配置されたランドと、
前記基板上に配置されたパッドと、
前記パッドと前記ランドとを接続する再配線層と、
前記ランド上に配置された外部端子部と
前記基板上に、前記パッドに対応する開口を有する第２絶縁層と、
を備え、
前記磁気収束板は、前記第２絶縁層上に配置され、
前記第１絶縁層は、前記第２絶縁層上及び前記磁気収束板上に配置され、
前記再配線層は、前記パッドから前記ランドまで、前記第１絶縁層上を延出して配置され、
上面視で、前記磁気収束板の少なくとも一部が、前記ランドと重なる
磁気検出装置。
上面視で、前記ランドの面積よりも前記磁気収束板の面積の方が大きい
請求項９から１２のいずれか一項に記載の磁気検出装置。
前記第１絶縁層上に配置された複数の前記ランドを備え、
上面視で、前記磁気収束板の少なくとも一部は、複数の前記ランドのうちの１つのみと重なる請求項９から１３のいずれか一項に記載の磁気検出装置。
上面にパッドを有する基板の上方に、磁性体を形成するステップと、
前記磁性体上に、第１絶縁層を形成するステップと、
前記第１絶縁層上であって、前記磁性体の少なくとも一部の上方に重なるランド、および、前記パッドから前記ランドまで再配線層を形成するステップと、
前記ランド上に、外部端子部を形成するステップと
を備え、
上面視で、前記磁性体の少なくとも一部が、前記ランドと前記外部端子部が接合する接合領域と重なる
半導体装置の製造方法。
前記基板上に第２絶縁層を形成するステップと、
前記第２絶縁層上に、前記第２絶縁層と異なる第３絶縁層を形成するステップと、
前記第２絶縁層および前記第３絶縁層を開口して、前記パッド上に前記再配線層を形成するステップと
を更に備える請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
上面にパッドを有する基板の上方に、磁性体を形成するステップと、
前記磁性体上に、第１絶縁層を形成するステップと、
前記第１絶縁層上であって、前記磁性体の少なくとも一部の上方に重なるランド、および、前記パッドから前記ランドまで再配線層を形成するステップと、
前記ランド上に、外部端子部を形成するステップと、
前記基板上に第２絶縁層を形成するステップと、
前記第２絶縁層上に、前記第２絶縁層と異なる第３絶縁層を形成するステップと、
前記第２絶縁層および前記第３絶縁層を開口して、前記パッド上に前記再配線層を形成するステップと、
を備える、
半導体装置の製造方法。
前記第１絶縁層上に複数の前記ランドを配置するステップを備え、
上面視で、前記磁性体の少なくとも一部は、複数の前記ランドのうちの１つのみと重なる請求項１５から１７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
集積回路が形成された半導体基板と、
前記半導体基板に配置されたホール素子と、
前記半導体基板の上方に配置された磁気収束板と、
前記磁気収束板上に配置された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に配置されたランドと、
前記半導体基板上に配置されたパッドと、
前記パッドと前記ランドとを接続する再配線層と、
前記ランド上に配置されたハンダボールと、を備え、
上面視で、前記磁気収束板の少なくとも一部が、前記ランドと前記ハンダボールが接合する接合領域と重なり、
上面視で、前記磁気収束板の周囲に、前記ホール素子が配置される
電子コンパス。
前記第１絶縁層上に配置された複数の前記ランドを備え、
上面視で、前記磁気収束板の少なくとも一部は、複数の前記ランドのうちの１つのみと重なる請求項１９に記載の電子コンパス。