JP2010073771A - 半導体装置の実装構造 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 回路基板1の上面側に形成された凹部2内には第1の半導体構成体11aがフェースアップ方式で埋設され、第1の半導体構成体11aおよび回路基板1の上方には第2、第3の半導体構成体11b、11cがフェースダウン方式で搭載されている。これにより、第1の半導体構成体11aと第2および第3の半導体構成体11b、11cとに互いに重なり合う部分が生じ、実装面積を小さくすることができる。また、回路基板1の凹部2内に第1の半導体構成体11aを埋設しているので、全体としての厚さを薄くすることができる。
【選択図】 図2
Description
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記第1の半導体構成体の上方において前記第2の半導体構成体の搭載領域以外の領域に、半導体基板および該半導体基板下に設けられた複数の外部接続用電極を有する第3の半導体構成体がフェースダウン方式で搭載され、前記第3の半導体構成体の外部接続用電極は前記第1の半導体構成体の外部接続用電極に導電接合部材を介して接合されていることを特徴とするものである。
請求項3に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記第2の半導体構成体の平面サイズは前記第1の半導体構成体の平面サイズよりも大きくなっていることを特徴とするものである。
請求項4に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記回路基板の上面側に前記第1の半導体構成体が複数個フェースアップ方式で埋設されていることを特徴とするものである。
請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の発明において、前記第2の半導体構成体の平面サイズは前記第1の半導体構成体の平面サイズよりも大きくなっており、前記第2の半導体構成体の一部の外部接続用電極は全ての前記第1の半導体構成体の外部接続用電極に導電接合部材を介して接合されていることを特徴とするものである。
請求項6に記載の発明は、請求項1〜5のいずれかに記載の発明において、前記第1の半導体構成体および前記回路基板の上面は実質的に一面を形成していることを特徴とするものである。
請求項7に記載の発明は、請求項6に記載の発明において、前記第1の半導体構成体は前記回路基板の上面側に形成された凹部内に配置されていることを特徴とするものである。
請求項8に記載の発明は、請求項7に記載の発明において、前記第1の半導体構成体は前記回路基板の凹部内の底面に接着層を介して接着されていることを特徴とするものである。
請求項9に記載の発明は、請求項6に記載の発明において、前記第1の半導体構成体は前記回路基板の上面側に埋め込まれていることを特徴とするものである。
請求項10に記載の発明は、請求項6に記載の発明において、前記各導電接合部材は同一の大きさの半田ボールからなることを特徴とするものである。
請求項11に記載の発明は、請求項10に記載の発明において、前記各半導体構成体は、前記外部接続用電極としての柱状電極を有し、且つ、前記柱状電極間に設けられた封止膜を有することを特徴とするものである。
請求項12に記載の発明は、請求項10に記載の発明において、前記各半導体構成体は、前記外部接続用電極としての接続パッド部を有する配線を有し、且つ、前記配線の接続パッド部以外を覆うオーバーコート膜を有することを特徴とするものである。
図1はこの発明の第1実施形態としての半導体装置の実装構造の要部の平面図を示し、図2は図1のII−II線に沿う断面図を示す。この半導体装置の実装構造では、簡単に説明すると、回路基板1の上面側に形成された凹部2内に第1の半導体構成体11aがフェースアップ方式で埋設され、第1の半導体構成体11aの4辺部の各中央部およびその各外側における回路基板1の上方に4つの第2の半導体構成体11bがフェースダウン方式で搭載され、第1の半導体構成体11aの上面中央部に第3の半導体構成体11cがフェースダウン方式で搭載されている。
図3はこの発明の第2実施形態としての半導体装置の実装構造の図2同様の断面図を示す。この半導体装置の実装構造において、図2に示す半導体装置の実装構造と大きく異なる点は、第2の半導体構成体11bの平面サイズを第1の半導体構成体11aの平面サイズよりも大きくし、第1の半導体構成体11aおよびその周囲における回路基板1の上方に第2の半導体構成体11bをフェースダウン方式で搭載した点である。
図4はこの発明の第3実施形態としての半導体装置の実装構造の図3同様の断面図を示す。この半導体装置の実装構造において、図3に示す半導体装置の実装構造と大きく異なる点は、1つの第2の半導体構成体11bの下方における回路基板1の上面側に複数例えば2つまたは4つの凹部3を形成し、各凹部2内に第1の半導体構成体11aをフェースアップ方式で埋設した点である。この場合、凹部2間における回路基板1の上面には複数の接続端子3が設けられている。
図5はこの発明の第4実施形態としての半導体装置の実装構造の図2同様の断面図を示す。この半導体装置の実装構造において、図2に示す半導体装置の実装構造と大きく異なる点は、回路基板1の上面側に第1の半導体構成体11aを、接着層を介さずにフェースアップ方式で埋め込んだ点である。この場合も、第1の半導体構成体11aおよび回路基板1の上面は実質的に一面を形成している。
図6はこの発明の第5実施形態としての半導体装置の実装構造の図2同様の断面図を示す。この半導体装置の実装構造において、図2に示す半導体装置の実装構造と大きく異なる点は、第1〜第3の半導体構成体11a、11b、11cが柱状電極20a、20b、20cおよび封止膜21a、21b、21cを備えていない点である。
2 凹部
3 接続端子
4 接着層
11a 第1の半導体構成体
11b 第2の半導体構成体
11c 第3の半導体構成体
12a、12b、12c シリコン基板
17a、17b、17c 配線
20a、20b、20c 柱状電極
21a、21b、21c 封止膜
22b、22c 半田ボール
31a、31b、31c オーバーコート膜
Claims (12)
- 上面において第1の半導体構成体埋設領域の周囲に複数の接続端子が設けられた回路基板と、前記回路基板の上面側の第1の半導体構成体埋設領域にフェースアップ方式で埋設され、半導体基板および該半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極を有する第1の半導体構成体と、前記第1の半導体構成体および前記回路基板の上方にフェースダウン方式で搭載され、半導体基板および該半導体基板下に設けられた複数の外部接続用電極を有する第2の半導体構成体とを備え、前記第2の半導体構成体の一部の外部接続用電極は前記第1の半導体構成体の外部接続用電極に導電接合部材を介して接合され、前記第2の半導体構成体の残りの外部接続用電極は前記回路基板の接続端子に導電接合部材を介して接合されていることを特徴とする半導体装置の実装構造。
- 請求項1に記載の発明において、前記第1の半導体構成体の上方において前記第2の半導体構成体の搭載領域以外の領域に、半導体基板および該半導体基板下に設けられた複数の外部接続用電極を有する第3の半導体構成体がフェースダウン方式で搭載され、前記第3の半導体構成体の外部接続用電極は前記第1の半導体構成体の外部接続用電極に導電接合部材を介して接合されていることを特徴とする半導体装置の実装構造。
- 請求項1に記載の発明において、前記第2の半導体構成体の平面サイズは前記第1の半導体構成体の平面サイズよりも大きくなっていることを特徴とする半導体装置の実装構造。
- 請求項1に記載の発明において、前記回路基板の上面側に前記第1の半導体構成体が複数個フェースアップ方式で埋設されていることを特徴とする半導体装置の実装構造。
- 請求項4に記載の発明において、前記第2の半導体構成体の平面サイズは前記第1の半導体構成体の平面サイズよりも大きくなっており、前記第2の半導体構成体の一部の外部接続用電極は全ての前記第1の半導体構成体の外部接続用電極に導電接合部材を介して接合されていることを特徴とする半導体装置の実装構造。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の発明において、前記第1の半導体構成体および前記回路基板の上面は実質的に一面を形成していることを特徴とする半導体装置の実装構造。
- 請求項6に記載の発明において、前記第1の半導体構成体は前記回路基板の上面側に形成された凹部内に配置されていることを特徴とする半導体装置の実装構造。
- 請求項7に記載の発明において、前記第1の半導体構成体は前記回路基板の凹部内の底面に接着層を介して接着されていることを特徴とする半導体装置の実装構造。
- 請求項6に記載の発明において、前記第1の半導体構成体は前記回路基板の上面側に埋め込まれていることを特徴とする半導体装置の実装構造。
- 請求項6に記載の発明において、前記各導電接合部材は同一の大きさの半田ボールからなることを特徴とする半導体装置の実装構造。
- 請求項10に記載の発明において、前記各半導体構成体は、前記外部接続用電極としての柱状電極を有し、且つ、前記柱状電極間に設けられた封止膜を有することを特徴とする半導体装置の実装構造。
- 請求項10に記載の発明において、前記各半導体構成体は、前記外部接続用電極としての接続パッド部を有する配線を有し、且つ、前記配線の接続パッド部以外を覆うオーバーコート膜を有することを特徴とする半導体装置の実装構造。
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- 2008-09-17 JP JP2008237515A patent/JP2010073771A/ja active Pending
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