JP6826885B2 - 新規なビス(ヒドロキシアルコキシフェニル)ジフェニルメタン類 - Google Patents

新規なビス(ヒドロキシアルコキシフェニル)ジフェニルメタン類 Download PDF

Info

Publication number
JP6826885B2
JP6826885B2 JP2016531304A JP2016531304A JP6826885B2 JP 6826885 B2 JP6826885 B2 JP 6826885B2 JP 2016531304 A JP2016531304 A JP 2016531304A JP 2016531304 A JP2016531304 A JP 2016531304A JP 6826885 B2 JP6826885 B2 JP 6826885B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
bis
diphenylmethane
reaction
general formula
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016531304A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2016002607A1 (ja
Inventor
祐樹 橋本
祐樹 橋本
緒旺 路
緒旺 路
耕司 村垣
耕司 村垣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Honshu Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Honshu Chemical Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Honshu Chemical Industry Co Ltd filed Critical Honshu Chemical Industry Co Ltd
Publication of JPWO2016002607A1 publication Critical patent/JPWO2016002607A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6826885B2 publication Critical patent/JP6826885B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C43/00Ethers; Compounds having groups, groups or groups
    • C07C43/02Ethers
    • C07C43/20Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C07C43/23Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring containing hydroxy or O-metal groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C41/00Preparation of ethers; Preparation of compounds having groups, groups or groups
    • C07C41/01Preparation of ethers
    • C07C41/16Preparation of ethers by reaction of esters of mineral or organic acids with hydroxy or O-metal groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C41/00Preparation of ethers; Preparation of compounds having groups, groups or groups
    • C07C41/01Preparation of ethers
    • C07C41/34Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives
    • C07C41/46Use of additives, e.g. for stabilisation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Description

本発明は、新規なビス(ヒドロキシアルコキシフェニル)ジフェニルメタン類に関し、詳しくは、ジフェニルメタン骨格を有するジヒドロキシ化合物に関する。
このような芳香族ジヒドロキシ化合物は芳香族ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂の原料、高屈折樹脂原料のアクリル誘導体の原料等各種化学品の原料として有用である。
近年、芳香族ジヒドロキシ化合物等の多核芳香族多価ヒドロキシ化合物は、耐熱性樹脂等の高機能樹脂原料として用いられてきている。このような多核芳香族多価ヒドロキシ化合物のうち、1,1−ビス[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]−1,1−ジフェニルメタン等のジフェニルメタン骨格の芳香族ジヒドロキシアルコキシ化合物は、ポリエステル樹脂のモノマーや高屈折樹脂原料のアクリル誘導体の原料として用いられている(特許文献1、特許文献2、特許文献3)。
しかしながら、1,1−ビス[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]−1,1−ジフェニルメタンは高融点で溶剤への溶解性が低く、操作性や加工性が悪く、例えば、工業的に多量に使用すれば、溶解や溶融に長時間要するか、より多くの溶剤やより高温が必要となる等の問題がある。
また、1,1−ビス[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]−1−フェニルエタンのような化合物は、低融点で溶剤溶解性が高いものの、得られる樹脂の屈折率やガラス転移温度が低いものであった(特許文献4)。
そこで、溶解度が高く、低融点で操作性のよい、さらに光学特性や耐熱性等の特性についても向上しうる芳香族ジヒドロキシアルコキシ化合物が求められている。
米国特許第3796688号公報 特開平02−111742号公報 特開平06−145320号公報 特開平08−100053号公報
従って、本発明は、溶解度が高く、低融点で操作性がよく、さらに光学特性や耐熱性等の特性についても向上しうる新たな芳香族ジヒドロキシアルコキシ化合物を提供することを目的とする。
本発明者らは、1,1−ビス[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]−1,1−ジフェニルメタンなどのテトラフェニル骨格を有する芳香族ジヒドロキシアルコキシ化合物の上記したような問題点を鋭意検討した結果、1,1−ビス[4−(2−ヒドロキシアルコキシ)フェニル]−1,1−ジフェニルメタンにおいてヒドロキシアルコキシ基を有するフェニル基に更にフェニル基を置換させた多核芳香族ジヒドロキシアルコキシ化合物が低融点で有機溶剤への溶解性が優れ、また、屈折率やガラス転移温度も同等若しくは優れていることを見出し本発明を完成した。
即ち、本発明は、
下記一般式(1)で表されるビス(ヒドロキシアルコキシフェニル)ジフェニルメタン類である。
(式中、Rは炭素原子数2又は3のアルキレン基を表す。
本発明のビス(ヒドロキシアルコキシフェニル)ジフェニルメタン類は、ジフェニルメタン骨格を有しており、更に、ヒドロキシアルコキシ基が置換したフェニル基にもフェニル基が置換した構造を有する多核芳香族炭化水素の芳香族ジアルコールである。
そのような構造でありながら、本発明の上記芳香族ジアルコールは、従来の例えばビス{4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル}ジフェニルメタンに比して、低融点であり、溶解性がすぐれているので、反応や精製における操作性が改善できる。例えば、工業的に多量に使用する場合には、溶融若しくは溶解時間を短縮することができる。また、より低温であっても同程度の溶解時間を得ることができるか、あるいは、使用溶剤が同じであれば、その溶剤の使用量を少なくすることができる。
更に、従来の例えば1,1−ビス[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]−1−フェニルエタンのような化合物は、低融点で溶剤溶解性が高く、かつ得られる樹脂の屈折率やガラス転移温度が低いのに対し、本発明の化合物は、低融点でありながら屈折率やガラス転移温度は変わらず、むしろ向上するので得られる樹脂の屈折率や耐熱性も向上することが期待される。
本発明のビス(ヒドロキシアルコキシフェニル)ジフェニルメタン類は、上記一般式(1)で表される。
上記一般式(1)において、式中、ヒドロキシアルコキシ基が置換したフェニル基に置換したフェニル基であるR1の置換位置は、ヒドロキシアルコキシ基のオルソ位が好ましい。また、ヒドロキシアルコキシ基が置換したフェニル基に置換した該フェニル基は、本願発明の効果を阻害しない範囲で炭素原子数1〜3程度のアルキル基又はアルコキシル基により1〜2程度置換されていてもよいが、耐熱性や屈折率の観点から置換されていないほうが好ましい。またaは1〜3の整数を示し、好ましくは1又は2であり、より好ましくは1である。
式中、R2は各々独立して炭素原子数1〜6のアルキル基、炭素原子数1〜6のアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。
炭素原子数1〜6のアルキル基としては、好ましくは炭素原子数1〜4の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基、炭素原子数5〜6の環状アルキル基であり、具体的には例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
炭素原子数1〜6のアルコキシ基としては、好ましくは炭素原子数1〜4の直鎖状又は分岐鎖状アルコキシ基、炭素原子数5〜6の環状アルコキシ基であり、具体的には例えば、エトキシ基、プロポキシ基、t−ブトキシ基、シクロヘキシルオキシ等が挙げられる。
また、ハロゲン原子としては、具体的には例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
このようなR2としては、アルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
2の置換位置は、置換数bが1の場合、ヒドロキシアルコキシ基のオルソ位が好ましい。
また、bは0、又は1〜3の整数を示し、0、1又は2が好ましく、耐熱性や屈折率の観点から0又は1がより好ましい。bが2以上の場合、R2は同一でも異なっていてもよく、また、1≦a+b≦4の範囲である。
上記一般式(1)において、式中、Rは炭素原子数2〜6のアルキレン基を表す。
該アルキレン基としては、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、好ましくは炭素原子数2〜4のアルキレン基であり、炭素原子数2又は3のアルキレン基が特に好ましい。従ってRとしては具体的には例えば、1,2−エチレンジイル基、1,2−プロパンジイル基、1,3−プロパンジイル基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基等が挙げられる。
また、式中、−O−R−OHで表されるヒドロキシアルコキシ基において、アルキレン基Rに結合したヒドロキシ基の結合位置は、エーテル基と直接結合したアルキレン基Rを構成する炭素原子(1位炭素原子と称呼する。)には結合しない。即ち、アルキレン基Rの2位−6位の炭素原子に結合する。
Rの炭素原子数が3以上の場合、アルキレン基Rの2位または3位に結合することが好ましく、2位がより好ましい。従って、好ましいヒドロキシアルコキシ基としては、具体的には例えば、2−ヒドロキシエトキシ基、2−ヒドロキシプロポキシ基、2−ヒドロキシ−1−メチルエトキシ基、3−ヒドロキシプロポキシ基等が挙げられる。
従って、上記一般式(1)で表される本発明のビス(ヒドロキシアルコキシフェニル)ジフェニルメタン類において、好ましいビス(ヒドロキシアルコキシフェニル)ジフェニルメタン類は、ビス(ヒドロキシエトキシフェニル)ジフェニルメタン類であり、下記一般式(2)で表される。
一般式(2)
(式中、R1、R2、a及びbは一般式(1)のそれと同じであり、R3は各々独立して水素原子又は炭素原子数1〜4のアルキル基を表し、ただし、各々のヒドロキシエトキシ基に置換するR3の炭素原子数の合計は4以下である。)
上記一般式(2)において、R3のアルキル基は、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、イソブチル基等が挙げられる。中でもR3としては、水素原子又はメチル基が好ましい。
また、各々のヒドロキシエトキシ基に置換するR3の好ましい組合せとしては、同一炭素原子に2つのR3が結合した場合において、その2つのR3の内、少なくとも一つが水素原子であることが好ましく、R3がすべて水素原子であることがより好ましい。
従って、好ましいビス(ヒドロキシアルコキシフェニル)ジフェニルメタン類としては、具体的には例えば、1,1−ビス[4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3−フェニルフェニル]−1,1−ジフェニルメタン、
1,1−ビス[4−(2−ヒドロキシプロポキシ)−3−フェニルフェニル]−1,1−ジフェニルメタン、1,1−ビス[4−(2−ヒドロキシ−1−メチルエトキシ)−3−フェニルフェニル]−1,1−ジフェニルメタン、1,1−ビス[4−(3−ヒドロキシプロポキシ)−3−フェニルフェニル]−1,1−ジフェニルメタン、1,1−ビス[4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3,5−ジフェニルフェニル]−1,1−ジフェニルメタン、1,1−ビス[4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3−メチル−5−フェニルフェニル]−1,1−ジフェニルメタン、1,1−ビス[4−(2−ヒドロキシエトキシ)−2−メチル−5−フェニルフェニル]−1,1−ジフェニルメタン等が挙げられる。
本発明の前記一般式(1)で表されるビス(ヒドロキシアルコキシフェニル)ジフェニルメタン類、好ましくはビス(ヒドロキシエトキシフェニル)ジフェニルメタン類の製造方法は特に制限されず、公知の方法を用いて製造することができる。
例えば、本発明の前記一般式(1)で表されるビス(ヒドロキシアルコキシフェニル)ジフェニルメタン類に対応する、下記一般式(3)のビスフェノール類と下記一般式(4)のアルキレンカーボネート類又は下記一般式(5)のアルキレンオキサイド類を用いて製造する方法、或いは前記のビスフェノール類と下記一般式(6)のハロゲン化アルコール類とを用いて、炭酸カリウム等のアルカリ存在下、ジメチルホルムアミド等の極性溶媒中で反応させて製造する方法等が挙げられる。
これらの製造方法のうち、アルキレンカーボネート類又はアルキレンオキサイド類を用いる方法は、主として経済性の観点から、特に、本発明の好ましい態様である上記一般式(2)のビス(ヒドロキシエトキシフェニル)ジフェニルメタン類の製造方法として好ましい。
一般式(3)
(式中、R1、R2、a又はbは一般式(1)のそれと同じである。)
一般式(4)
(式中、R3は一般式(2)のそれと同じである)
一般式(5)
(式中、R3は一般式(2)のそれと同じである。)
一般式(6)
(式中、Rは一般式(1)のそれと同じであり、Xはハロゲン原子を示し、但しXは水酸基が置換した炭素原子に置換しない。)
本発明のビス(ヒドロキシアルコキシフェニル)ジフェニルメタン類の製造方法について、一例として、前記したアルキレンカーボネート類を用いる方法について、さらに詳しく述べる。
上記反応を反応式で示すと、例えば、1,1−ビス(4−ヒドロキシ−3−フェニルフェニル)−1,1−ジフェニルメタンとエチレンカーボネートとの反応は下記反応式(1)で表される。
反応式(1)
この方法において、上記一般式(3)で表される原料ビスフェノール類としては、好ましくは、例えば、1,1−ビス(4−ヒドロキシ−3−フェニルフェニル)−1,1−ジフェニルメタン、1,1−ビス(5−メチル−4−ヒドロキシ−3−フェニルフェニル)−1,1−ジフェニルメタン、1,1−ビス(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−フェニルフェニル)−1,1−ジフェニルメタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジフェニルフェニル)−1,1−ジフェニルメタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ−2−フェニルフェニル)−1,1−ジフェニルメタン等があげられる。
また、上記一般式(4)で表されるアルキレンカーボネートとしては、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、1,2−ブチレンカーボネート等が例示できる。
また、アルキレンカーボネートの使用量は、ビスフェノール類1モルに対して、通常2〜10モル程度の範囲、好ましくは3〜5モル程度の範囲である。
反応は、通常、塩基触媒の存在下で行う。
塩基触媒としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ触媒、テトラブチルアンモニウムブロマイド、テトラエチルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムクロライド等の4級アンモニウムハライド等が例示できる。
触媒の量は、ビスフェノール類1モルに対して通常、0.005〜0.5モルの範囲、好ましくは0.01〜0.3の範囲である。
反応温度は、通常、100〜150℃の範囲、好ましくは120〜130℃の範囲である。
反応には、通常、溶媒が用いられる。溶媒としては、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒、アセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、1,2−ジエトキシエタン等のエーテル系溶媒、1−ブタノール、2−ブタノール、エチレングリコール等の脂肪族アルコール溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン極性溶媒が例示できる。溶媒の量は、例えばビスフェノール類100重量部に対して50〜300重量部が好ましく、100〜200重量部がより好ましい。
反応は、例えば、反応原料、触媒、溶媒等を一括で反応容器に仕込んで、反応温度まで昇温してもよく、また、ビスフェノール類、溶媒、触媒の混合液を所定の温度に昇温し、そこにアルキレンカーボネート類を滴下してもよい。
反応終了後、反応終了混合物からは、公知の精製方法により粗製品、又は高純度品として目的物を取り出すことができる。
例えば、反応終了後、反応終了混合物に水を加えて過剰のアルキレンカーボネートを分解する。アルカリ触媒を用いた場合には、酸を加えて中和してもよい。次に必要に応じて水と分離する溶媒を加えた後、油層を水洗し、触媒若しくは中和塩を除去する。
その後、油層を冷却するか、または、油層を濃縮した後、溶媒を加えて溶解してから冷却して晶析、濾過することによって目的物を得ることができる。再結晶すれば、さらに高純度の目的物を得ることができる。
また、上記一般式(3)で表される原料のビスフェノール類は、公知の方法を用いて製造することができる。例えば前記ビスフェノール類に対応した、一般式(7)で表されるフェニルフェノール類と一般式(8)で表されるジクロロジフェニルメタン類を加温下で反応させる方法により得ることができる。上記反応を反応式で示すと、例えば、2−フェニルフェノール類とジクロロジフェニルメタンとの反応により1,1−ビス(4−ヒドロキシ−3−フェニルフェニル)−1,1−ジフェニルメタンを得る反応は下記反応式(2)で表される。
反応式(2)
一般式(7)
(式中、R1、R2、a及びbは一般式(1)のそれと同じである。ただし、R1は水酸基のパラ位に置換せず、bが1以上の場合、R2は水酸基のパラ位に置換しない。)
一般式(8)
上記反応に際し、ジクロロジフェニルメタン類とフェニルフェノール類のモル比は、通常、ジクロロジフェニルメタン類1モルに対してフェニル置換フェノール類は、2〜10モルの範囲、好ましくは2.5〜5モルの範囲である。
触媒は、通常、用いなくてもよい。
通常、例えば、温度20〜80℃の範囲、好ましくは40〜70℃の範囲で反応し、次いで100℃〜150℃の範囲、好ましくは120〜130℃の範囲に昇温して反応させる方法が好ましい。
溶媒は原料が液状で混合できれば特に必要でないが、原料が反応温度で固体の場合等の理由で混合できなければ使用することが好ましい。用いられる溶媒は反応を阻害しないものであれば特に制限はないが、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒、n−ヘプタン、シクロヘキサン等の飽和炭化水素溶媒、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒等が挙げられる。
反応は、例えば、反応原料を一括して仕込み、反応させてもよく、あるいは、フェニルフェノール類を仕込んだ後、ジクロロジフェニルメタン類を低温下で滴下して反応させ、その後、昇温して更に反応させてもよい。
反応終了後、反応終了混合物からは、公知の精製方法により粗製品、又は精製品として目的物を得る事が出来る。
次に、本発明について、実施例を示し、さらに具体的に説明する。
(参考例1)(原料ビスフェノールの合成)
撹拌装置を備えた1リッターの四つ口フラスコに純度99.0%の2−フェニルフェノール306.2g、キシレン183.6gを仕込み、60℃に昇温して溶解した。その溶液に撹拌下60℃でジクロロジフェニルメタン141.6gを4.5時間かけて滴下した。滴下終了後、反応液を120℃に昇温し、120℃から135℃で30時間撹拌した。
反応終了後、30℃に冷却し、反応混合物に16%水酸化ナトリウム水溶液を加え中和した後、析出した結晶を濾別した。得られた結晶を減圧下60℃で乾燥して、純度74.7%(高速液体クロマトグラフィー分析による)の黄色粉末状結晶97.5gを得た。
得られた結晶97.5gの内47.5gにメチルイソブチルケトン190.0gを加え、110℃においてスラリー状態で4時間撹拌した後、室温まで冷却し、結晶を濾別、乾燥させた。その結晶にメチルイソブチルケトン160.0gを加えて同様の操作をして、高速液体クロマトグラフィー分析による純度が96.7%の結晶35.8gを得た。
更に、得られた結晶35.8gの内16.0gにメチルエチルケトン769.8gを加えて81℃に昇温して溶解した。その溶液に蒸留水を加えて撹拌し、水層を分離除去する水洗操作を4回実施した。水洗した油層を78.9gまで濃縮した後、冷却して晶析を行った。
室温まで冷却後、析出している結晶を濾別、乾燥して、高速液体クロマトグラフィー分析による純度が99.0%の1,1−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)−1,1−ジフェニルメタン12.9gを得た。
融点:290.8℃(示差走査熱量測定法)
分子量:503(M−H)-(液体クロマトグラフィー質量分析法)
1H−NMR測定結果
(400MHz、溶媒;DMSO-d6、内部標準:テトラメチルシラン)
(実施例1)
撹拌装置を備えた200mlの四つ口フラスコを窒素置換し、そこに純度96.7%の1,1−ビス(4−ヒドロキシ−3−フェニルフェニル)ジフェニルメタン14.5g、炭酸エチレン7.6g、水酸化カリウム0.3g、テトラブチルアンモニウムブロミド0.3g、n−ブタノール72.5gを仕込み、115℃に昇温し、その後115℃から120℃の温度で44時間撹拌した。
途中、炭酸エチレンを33時間後に0.7g、38時間後に0.7g、40時間後に1.4g追加した。この反応液に蒸留水36.2gを加え95℃で6時間撹拌した後、70℃で酢酸を加え中和した。水層を分離してから、油層に蒸留水36.2gを加えて撹拌して水洗し、さらに同様の操作でもう一度油層を水洗し、油層から減圧下で85℃まで昇温し、溶剤を留去した。
蒸留残渣である17.6gの白色固体を26.4gメチルイソブチルケトンで再溶解し、その溶液に53.0gメタノールを添加して晶析した。
その後、冷却、濾過して、得られた結晶をメタノールで洗浄し、65℃で減圧乾燥して、純度が97.8%(高速液体クロマトグラフィー分析による)である白色粉末状の1,1−ビス[4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3−フェニルフェニル]−1,1−ジフェニルメタン13.8gを得た。原料の1,1−ビス(4−ヒドロキシ−3−フェニルフェニル)−1,1−ジフェニルメタン対する収率は81.2モル%であった。
更にメチルイソブチルケトンに溶解しメタノールを添加して、再結晶、濾過する同様の精製操作を2回行い、125℃で減圧乾燥することによって、純度99.1%(高速液体クロマトグラフィー分析による)白色結晶の1,1−ビス[4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3−フェニルフェニル]−1,1−ジフェニルメタン10.7gを得た。原料の1,1−ビス(4−ヒドロキシ−3−フェニルフェニル)−1,1−ジフェニルメタンに対する収率は62.9モル%であった。
融点 :160℃(示差走査熱量測定法による)
分子量:593(M+H)+(液体クロマトグラフィー質量分析法)
1H−NMR測定結果(400MHz、溶媒;DMSO-d6、内部標準:テトラ
メチルシラン)
(物性測定比較)
以下の例におけるガラス転移温度及び飽和溶液中の化合物濃度は次の方法により測定した。
<ガラス転移温度測定方法>
示差走査熱量計において、各化合物を融解した後冷却し、再度加熱することによってガラス転移点を測定した。この際、測定開始温度は30℃、昇温速度は10℃/分とした。
<飽和溶液中の化合物濃度測定方法>
試験管に溶剤を3g入れ、測定温度において測定する化合物を添加して飽和溶液を作成した。この飽和溶液の上澄み液の濃度を液体クロマトグラフィーによる検量線で測定した。
(実施例1化合物物性測定)
実施例1の1,1−ビス[4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3−フェニルフェニル]−1,1−ジフェニルメタンのガラス転移温度、融点、屈折率を測定し、表3にまとめた。
さらに、飽和溶液中の化合物濃度を測定し、表4にまとめた。
(比較例1)
純度98.9%の1,1−ビス[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]−1,1−ジフェニルメタン(BisPDP−2EO)のガラス転移温度、融点、屈折率を測定し、表3にまとめた。
さらに、飽和溶液中の化合物濃度を測定し、表4にまとめた。
(比較例2)
純度98.9%の1,1−ビス[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]−1−フェニルエタン(BisPAP−2EO)のガラス転移温度、融点、屈折率を測定し、表3にまとめた。
さらに、飽和溶液中の化合物濃度を測定し、表4にまとめた。
純度:高速液体クロマトグラフィーによる検出ピークを面積百分率で算出
融点:示唆走査熱量測定法
屈折率:外挿法
純度:高速液体クロマトグラフィーによる検出ピークを面積百分率で算出
MIBK:メチルイソブチルケトン
上記の実施例及び比較例の結果によると、ヒドロキシエトキシ基が結合するフェニル基にさらにフェニル基が結合する本発明の化合物によれば、さらにフェニル基が結合しないBisPDP−2EOよりも融点が低く、かつ溶媒への溶解度が高いことが理解できる。
この結果を考慮すると、ヒドロキシエトキシ基が結合するフェニル基にさらにフェニル基と共にアルキル基、アルコキシ基やハロゲン原子が結合したり、ヒドロキシエトキシ基のヒドロキシ基が結合するエチレン基に代えて炭素原子数3〜6のアルキレン基を採用しても、低融点や溶媒への溶解性に関して同程度の性質を備えることもわかる。
また、ビス(ヒドロキシエトキシフェニル)フェニルエタン骨格を持つBisPAP−2EOは、低融点で溶剤溶解性に優れているが、本発明の化合物の方が、ガラス転移温度や屈折率が著しく優れている。

Claims (1)

  1. 下記一般式(1)で表されるビス(ヒドロキシアルコキシフェニル)ジフェニルメタン類。
    (式中、Rは炭素原子数2又は3のアルキレン基を表す。
JP2016531304A 2014-06-30 2015-06-25 新規なビス(ヒドロキシアルコキシフェニル)ジフェニルメタン類 Active JP6826885B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014134785 2014-06-30
JP2014134785 2014-06-30
PCT/JP2015/068286 WO2016002607A1 (ja) 2014-06-30 2015-06-25 新規なビス(ヒドロキシアルコキシフェニル)ジフェニルメタン類

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2016002607A1 JPWO2016002607A1 (ja) 2017-04-27
JP6826885B2 true JP6826885B2 (ja) 2021-02-10

Family

ID=55019149

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016531304A Active JP6826885B2 (ja) 2014-06-30 2015-06-25 新規なビス(ヒドロキシアルコキシフェニル)ジフェニルメタン類

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6826885B2 (ja)
KR (1) KR102357570B1 (ja)
CN (1) CN106458817B (ja)
TW (1) TWI655183B (ja)
WO (1) WO2016002607A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017038979A1 (ja) * 2015-09-03 2017-03-09 三菱瓦斯化学株式会社 化合物及びその製造方法、並びに、組成物、光学部品形成用組成物、リソグラフィー用膜形成組成物、レジスト組成物、レジストパターンの形成方法、感放射線性組成物、アモルファス膜の製造方法、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜の製造方法、レジストパターン形成方法、回路パターン形成方法、及び、精製方法
KR20190033536A (ko) * 2016-07-21 2019-03-29 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 화합물, 수지, 조성물 그리고 레지스트패턴 형성방법 및 회로패턴 형성방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1377556A (en) 1971-04-21 1974-12-18 Ciba Geigy Ag Heat-stable thermoplastic saturated polyesters
JPH02111742A (ja) * 1988-10-19 1990-04-24 Idemitsu Kosan Co Ltd アクリル酸誘導体
JPH02111743A (ja) * 1988-10-19 1990-04-24 Idemitsu Kosan Co Ltd アクリル酸誘導体
JPH06145320A (ja) 1992-11-10 1994-05-24 Kanebo Ltd ポリエステル共重合体及びその製造方法
JP2840211B2 (ja) 1994-08-05 1998-12-24 鐘紡株式会社 ポリエステル重合体及びその成形体
JP2001122828A (ja) * 1999-10-27 2001-05-08 Shinnakamura Kagaku Kogyo Kk 2官能(メタ)アクリル酸エステル組成物とそのための2価アルコール
JP2012062407A (ja) * 2010-09-16 2012-03-29 Dic Corp 光学用ポリエステルポリオール組成物

Also Published As

Publication number Publication date
CN106458817B (zh) 2021-03-16
TW201609622A (zh) 2016-03-16
KR102357570B1 (ko) 2022-01-28
JPWO2016002607A1 (ja) 2017-04-27
WO2016002607A1 (ja) 2016-01-07
KR20170026341A (ko) 2017-03-08
CN106458817A (zh) 2017-02-22
TWI655183B (zh) 2019-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6426226B2 (ja) 9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル)フルオレンの結晶体
KR20130140006A (ko) 2-브로모-4,5-디알콕시 벤조산의 제조방법
JP2014201545A (ja) 2−ヒドロキシメチル−2,3−ジヒドロ−チエノ[3,4−b][1,4]ジオキシン−5,7−ジカルボン酸ジアルキルエステルの製造方法
JP6826885B2 (ja) 新規なビス(ヒドロキシアルコキシフェニル)ジフェニルメタン類
JP2015003875A (ja) リン系化合物及びその製造方法
JP5090107B2 (ja) テトラキス(アリルオキシフェニル)炭化水素化合物の製造方法
KR20050057033A (ko) 스피로플루오레놀의 제조 방법
JP6234367B2 (ja) 9,9−ビス(ヒドロキシアルコキシフェニル)フルオレン類の製造方法
KR20150055895A (ko) 크산텐 염료 화합물 및 이의 제조방법
JP6250453B2 (ja) トリスフェノール化合物
US9102696B2 (en) Phosphorus-based (meth)acrylate compound and method of preparing the same
JP2011046623A (ja) 新規なエポキシ化合物
WO2017170094A1 (ja) 新規なジヒドロキシ化合物
JP2018016546A (ja) トリオキセタンエーテル化合物
JP7303076B2 (ja) ビナフタレン骨格を有する化合物の製造方法
WO2006123648A1 (ja) 3-置換チオフェンの製法
KR101953575B1 (ko) 스타틴계 고지혈증 치료제 합성을 위한 새로운 중간체 합성 및 이를 이용한 로수바스타틴 합성 공정 개발
JP4323874B2 (ja) 新規なアルキルビニルエーテル置換3核体ポリフェノール
TW202348592A (zh) 新穎1,3-雙(1-甲基-1-苯基乙基)苯化合物
JP4388839B2 (ja) 4,4’’’−ジアルコキシ−p−クォーターフェニル類及びその製造方法
JP5525206B2 (ja) 新規なビスシクロヘキセニルアルカン類
JP4534192B2 (ja) ビフェノール誘導体の製造方法
JP2013035854A (ja) テトラヒドロピラン化合物の製造方法
JPH06157421A (ja) トリスフェノール類のt−ブトキシカーボネートの混合物からなる組成物
JP4259743B2 (ja) ケタール化合物の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180612

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190625

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20190805

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200128

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20200213

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20200518

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200707

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200820

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20200820

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210112

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210118

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6826885

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250