JP6821677B2 - パルスのオーバーシュートを排除することができるパルス電流源 - Google Patents

パルスのオーバーシュートを排除することができるパルス電流源 Download PDF

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Description

<関連出願の相互参照>
本願は、2015年11月10日出願の米国特許出願第14/937,297号の一部継続出願であり、その全体が参照によって本明細書に組み込まれる。
本発明は、一般に、電気構成要素および回路をテストするための電気回路に関し、特に、半導体集積回路および構成要素のエレクトロマイグレーションテストに用いる電流パルス回路に関する。
半導体信頼性テストは、通常は、特定のテストパラメータ(例えば、ホットキャリア、エレクトロマイグレーションなど)に基づいて−50℃〜+350℃の範囲に制御された温度で、電気刺激を連続的に印加することを必要とする。特に、エレクトロマイグレーションテストについては、DC電流を用いたテストが、その単純さ、固有の保守性、および、比較的低いコストゆえに、常に、好ましいアプローチであり続けてきた。しかしながら、処理の微細化が進んだことで、DCテストでは不十分になり、したがって、パルス条件下での同様のテストが必要になっている。
したがって、電流パルスが、しばしば、電気構成要素および回路のテストで用いられている。理想的なパルス刺激は、パルス繰り返し率、ディーティサイクル、極性、および、強度(振幅)の柔軟な制御を可能にすることが好ましい。これらのパラメータは、図1Aおよび図1Bに図示されており、ここで、Tは期間であり、周波数(f)はパルス繰り返し率(Hz)であり、デューティサイクルは2tp/T;正の振幅はAであり、負の振幅はA(ボルト、アンペア)である。例えば、パルスエレクトロマイグレーションテストで、高い繰り返し率の電流パルスが求められる場合、所望のパルスは、通例、長方形である。したがって、電流レベル間の遷移は、各レベルで意図した電流駆動を効果的に提供するために、最小限のオーバーシュートで急でなければならない。図1Aおよび図1Bは、それぞれ、両極性電流パルスおよび単極性電流パルスについて電流レベル間の遷移を示している。理想的には、「DCレベル」(しばしば「GND」)から、求められている電流(「A」または「A」もしくは一般的に簡単のために「A」)への遷移は、図1Aおよび図1Bに示すように、急である。
しかしながら、実際には、かかる遷移は、時間が掛かり、求められる最大電流レベルAに到達するには遅すぎる場合がある。電流パルスに実現するのに有効な技術は、Krieger等による米国特許第6,249,137号「CIRCUIT AND METHOD FOR PULSED RELIABILITY TESTING」およびCuevas等による米国特許第7,049,713号「PULSED CURRENT GENERATOR CIRCUIT WITH CHARGE BOOSTER」に記載されるように、2つの定電流(DC)源および電荷ブースタ回路を用いて実施される。しかしながら、この技術を利用することは、個別かつ潜在的に旧式のトランジスタへの依存により、困難になった。さらに、急激な半導体のスケーリングが、パルス電流レベルを押し下げており、パルスのオーバーシュートを排除することを困難にしている。回路内の比較的多数の個別構成要素が、複雑な較正および調整と相まって、製造およびメンテナンスのコストを増大させる。したがって、所望の電流パルスを実現すると共に上述の制限を克服することができる高品質のパルス電流源を提供することが望ましい。
一実施形態によると、被試験デバイス(DUT)に電流パルスを印加するためのテスト回路が提供されている。テスト回路は、マルチプレクサ、少なくとも1つの演算増幅器、および、抵抗器を備える。マルチプレクサは、アナログ電圧パルスを出力し、両極性電圧パルスおよび単極性電圧パルスの両方を生成できる。少なくとも1つの演算増幅器および抵抗器は、マルチプレクサから電圧パルスを受信して、電圧パルスを電流パルスに変換する。1つの演算増幅器が電流パルスを出力し、電流パルスは、演算増幅器および抵抗器が、両極性電圧パルスを受信したかまたは単極性電圧パルスを受信したかに応じて、両極性電流パルスまたは単極性電流パルスになる。
別の実施形態によると、被試験デバイス(DUT)にパルス電流を供給するための方法が提供されている。複数の異なる電圧レベルが、第1マルチプレクサの複数の入力端子に供給される。マルチプレクサの入力選択ラインの入力選択組み合わせを用いて、マルチプレクサのどの入力端子がマルチプレクサの出力に接続されるのかを決定することにより、電圧パルスが、選択された電圧レベルから生成される。マルチプレクサの入力選択組み合わせは、任意の遷移アドレス値がマルチプレクサの出力の単調変化につながるようにマルチプレクサの入力選択ラインにアドレス値を割り当てることによって実行され、マルチプレクサの出力は、電圧パルスを含む。電圧パルスは、複数の抵抗器、演算増幅器、および、キャパシタを用いて、電流パルスに変換される。
さらに別の実施形態によると、単極性電流パルスおよび両極性電流パルスの両方を供給できる単一の回路が提供されている。その回路は、マルチプレクサ、少なくとも1つの演算増幅器、および、抵抗器を備える。マルチプレクサは、少なくとも1つの正電圧信号および少なくとも1つの負電圧信号を受信し、受信した電圧信号から両極性電圧パルスおよび単極正電圧パルスの両方を生成できる。演算増幅器および抵抗器は、マルチプレクサから電圧パルスを受信して、電圧パルスを電流パルスに変換する。少なくとも1つの演算増幅器および抵抗器が、両極性電圧パルスを受信したかまたは単極性電圧パルスを受信したかに応じて、1つの演算増幅器が、両極性電流パルスまたは単極性電流パルスを出力する。
別の実施形態によると、被試験デバイス(DUT)に電流パルスを印加するためのテスト回路が提供されている。テスト回路は、マルチプレクサと、少なくとも1つの演算増幅器および抵抗器と、電流レベル間の遷移中にオーバーシュートおよびアンダーシュートを最小化するための電荷ブースタ回路とを備える。マルチプレクサは、アナログ電圧パルスを出力し、両極性電圧パルスおよび単極性電圧パルスの両方を生成できる。演算増幅器および抵抗器は、マルチプレクサから電圧パルスを受信して、電圧パルスを電流パルスに変換する。演算増幅器は、少なくとも1つの演算増幅器および抵抗器が両極性電圧パルスを受信したかまたは単極性電圧パルスを受信したかに応じて両極性電流パルスまたは単極性電流パルスである電流パルスを出力する。電荷ブースタ回路は、少なくとも1つの演算増幅器、複数の抵抗器、および、キャパシタを備える。
本発明、ならびに、そのさらなる目的および利点は、添付の図面に関連して行う以下の説明を参照することによって最も良く理解できる。
電子構成要素のテストに有用な両極性パルスを示す図。 電子構成要素のテストに有用な単極性パルスを示す図。
一実施形態に従って、パルス電流回路を示す概念図。
一実施形態に従って、電荷ブースタ回路を示す概念図。
一実施形態に従って、パルス電流回路および電荷ブースタ回路を示す概念図。
被試験デバイス(DUT)にパルス電流を供給する方法のフローチャート。
本発明は、一般に、電気構成要素および回路をテストすることに関する。本明細書の実施形態は、半導体集積回路および構成要素のエレクトロマイグレーションテストのためのパルス電流回路を記載する。
図2〜図5を参照して、パルス電流テスト回路の実施形態について説明する。図2は、一実施形態に従って、パルス電流テスト回路100を示す概念図である。図の実施形態において、パルス電流テスト回路100は、高速のアナログマルチプレクサ110を備える。マルチプレクサの一例は、ADV3221/ADV3222アナログマルチプレクサであり、これは、マサチューセッツ州ノーウッドのAnalog Devices社が市販している。マルチプレクサ110は、10MHzに達する繰り返し率の単極性または両極性のいずれかの電圧パルス(40nSパルス)を生成しうる。回路100の残り部分は、これらの繰り返し率で適切に機能する高速演算増幅器を用いて、適切にこれらの電圧パルス(Vin)を電流パルス(IDUT)に変換する。
回路100の共通モードエラーへの感度は、接地と電流源の出力との間に被試験デバイス(DUT)を配置することによって最小化される。別の利点が、一般に高リーク電流に関連する差動増幅器を利用しないことで達成される。
DAC120およびDAC130は、デジタル電圧信号をアナログ電圧信号に変換するデジタルアナログ変換器である。DAC120およびDAC130は、必要な別個のアナログ電圧レベルVおよびVを、それぞれアナログマルチプレクサM110の第2入力端子および第3入力端子に供給する。すなわち、VおよびVは、RDUTを通して所望の電流を駆動するのに十分であることが好ましい。マルチプレクサM110の第1入力端子は、電流パルスに追加される所望のDC成分を制御するために、接地電圧GNDまたはさらなるデジタルアナログ変換器(DAC)に接続される。3つの電圧レベルの以下の例1では、この例において両極性パルスに必要な電圧レベルが3つだけであっても、マルチプレクサM110の第4入力が用いられ、出力の単調変化を達成するために第1入力に接続される。
一般に、マルチプレクサM110は、以下の例に示すように、電圧レベルよりも1つ少ない入力選択ラインを有する。例1において、2つの入力選択ラインAおよびAは、マルチプレクサM110のどの入力がマルチプレクサM110の出力(Vin)に接続されるのかを決定する。本明細書で説明するように、個々の接続性は、任意ではなく意図的であり、第2入力は最も高い最大電圧(この例ではV)に接続され、第1および第4入力は中間の電圧(該当する場合、GNDまたはDAC)に接続され、第3入力は最も低い電圧(V)に接続される。
アドレス値を入力選択ラインAおよびAに割り当てることによるマルチプレクサM110の入力選択組み合わせは、任意の遷移アドレス値が常に、出力の単調ひいてはシームレスな変化(例えば、高い=>低い=>より低い;低い=>高い=>より高い)につながるように実行され、以下の例でこれを詳細に示す:
Figure 0006821677
上記の例に示すように、VからVへおよびVからVへの遷移中に変化するアドレスラインは1つだけである。しかしながら、VからVへの遷移が起こった場合、入力選択A=1およびA=1をVの遷移アドレスとして割り当てることにより、どのアドレスラインが最初に状態を変えても、MUX M110の出力電圧が単調に所望の電圧遷移に従うことが保証される。別の実施形態において、上述の3電圧レベルのケースは、以下の例に示すように、それぞれ3および4つの入力選択ラインでの同様のアドレッシングアプローチを用いて、単調な遷移を保証しつつ、4および5電圧レベルのパルスに拡張されうることがわかる。
Figure 0006821677
上記の例2において、VからVへの遷移では、状態を変える2つの入力選択ラインがある:Aが1から0へ、Aが0から1へ変化する。AがAの前に遷移する場合、結果として得られる遷移パターンは000であり、これがVに割り当てられる。一方、AがAの前に遷移する場合、結果として得られる遷移パターンは101であり、これがVに割り当てられる。したがって、結果として得られる電圧変化は単調であるが、アドレスパターンが変化している。
Figure 0006821677
したがって、上に示したように、単一のアドレスラインの変化ごとに、次の電圧が選択される。例えば、VからVへ遷移すると、電圧V、V、および、Vは、常に、その順番(すなわち、単調変化)で選択され、ギャップも電圧選択の重複もない。
寄生容量Cpar160およびキャパシタC170が、非常に小さい(R*Cが、TまたはTの1パーセント未満であり;Rnet*Cparが、TまたはTの1パーセント未満である)と仮定すると、それらの充電および放電に掛かる時間は、tおよびtよりもはるかに短い(図1)。RDUT180を流れる電流IDUTが、Rnet190を流れる電流と同じであると仮定すると、以下の関係が成り立つ:
Figure 0006821677
ここで、Voff およびVoff は、それぞれ、演算増幅器OPA140およびOPA150のオフセット電圧である。入力バイアス電流は、回路100へ有意な影響を持つには小さすぎるため、無視されることがわかる。
上記の式(1)の項を組み合わせて変形すると:
Figure 0006821677
R1=KR2およびR3=KR4と設定することにより(Kは変更される定数)、VDUTを有する項が相殺されて、式(2)は、以下の式(3)のように単純化されうる:
Figure 0006821677
および
Figure 0006821677
ここで、Vin=Vは、パルスの「ハイ」部分のためのものであり、Vin=Vはパルスの「ロウ」部分のためのものである
および
Figure 0006821677
オフセット電圧によって導入されるエラーは別として、必要とされる電流パルスは、DACおよびDACをそれぞれV=InetおよびV=Inetと設定することによって達成される。電流源の精度を評価するために、最悪の場合のエラーδmaxが以下のように定義される:
Figure 0006821677
ここで、Voff(max)は、全動作範囲(主に温度)での(Voff ,Voff ,)の可能な最大オフセット値である。最大エラーと所望の電流との間の比は、パルス電流源に対する保存的な精度の基準を提供する:
Figure 0006821677
この相対的なエラーは、低い電流にとって制限になりうる。しかしながら、測定は、通例、制御された環境内で実行され、ここで、周囲温度は、設定室温に対して数度分だけ変化する。これにより、較正、テスト前オフセット測定、および、一般的な補正アルゴリズムを用いて、エラーをほぼ完全に排除することが可能になる。
回路は、キャパシタCおよびCparが非常に低い値に制限されている限りは、完全ではない。高周波振動を抑制するために接続されたCについては、数ナノ秒だけパルス立ち上がり時間および立ち下がり時間を増加させることによって効果的に機能するので、実際の制限にはならない。
一方、Cparは、その全体の値が50pF以上に到達しうるので、実際の課題をもたらす(パッケージングされたDUT、プリント回路基板静電容量、および、レイアウトの組み合わせ)。例えば、RDUT=1kΩおよびCpar=50pFでは、結果として得られる時定数RDUTparは、50ns(5×10-8秒)であり、250nSより短い低電流パルスを実際的に不可能にする。
解決法は、別個の電荷ブースタを含む。個別の(そして、潜在的に旧式の)トランジスタおよび比較的複雑な回路を用いた米国特許第6,249,137号と異なり、一実施形態によれば、電荷ブースタ回路200が、図3に示すように提供される。このアプロウチは、「平衡減衰器」の概念に基づいており、これは、パルスの立ち上がりおよび立ち下がりなど、急激な変化中のオーバーシュートおよびアンダーシュートを排除することを目的とする。以下で詳述するように、電荷ブースタ回路200は、入力電圧信号VbpおよびVbnを有しており、これらの信号は、2つのDAC(DACbp220およびDACbn230)によってデジタル信号からアナログ信号に変換され、電荷ブースタ回路200は、その出力信号をRDUTの上部(図2に「VDUT」で示す)に返す。OPA140およびOPA150(図2)と同様に、電荷ブースタ回路200の演算増幅器OPA260は、必要なパルス繰り返し率で適切に機能するのに十分に高速である。
図3に示すように、電荷ブースタ回路200は、図2に示した概念的な電流源と同様の2つのDAC(DACbp220およびDACbn230)および4入力アナログマルチプレクサ(M)210の組み合わせによって駆動される。同じ入力選択ラインが、M110およびM210の両方に用いられるが、DACの2つのペア(120、130および220、230)は独立しており、これは、OPA140の反転入力(Vin)への入力信号およびOPA260の非反転入力(Vinb)への入力信号が同期されているが、それらの電圧レベルが独立していることを意味する。電荷ブースタ回路200の出力電圧(すなわち、OPA260の出力)は、図4に示すように、キャパシタC270を介してDUT(VDUT)に接続される。
パルスの立ち上がりまたは立ち下がり(遷移)の直後の時間t=0を示し、OPA150およびOPA260のオフセット電圧および入力電流を無視すると、遷移直後のキャパシタC270およびCpar160を通る電流は、以下の関係性を満たす:
Figure 0006821677
遷移が完了(t>0)すると、電流は、上記の式(4)に従って、抵抗器を通してのみ流れる。オフセットを無視し、式(6)に従うDUT電圧の変化と、式(4)に従う2つの「定常な」DUTレベル間の差との間を等式で結ぶと、式(7a)は、ロウ(n)からハイ(p)への遷移を表し、式(7b)は、ハイ(p)からロウ(n)への転移を表す:
Figure 0006821677
Figure 0006821677
式(7a)および(7b)は、基本的な(パッシブ)平衡減衰器条件と同様であり、ここで、遷移は、容量結合による電荷分布に支配されるが、「定常状態」は、電流源からRDUTを通して流れる電流によって決定される。K、R、R、および、Cの値は、最大速度、最小ノイズ、および、最良安定性の点で最良の回路性能に向けて最適化される。複合回路300(電流源100およびブースタ200)の一実施形態を図4に示す。
図5は、被試験デバイス(DUT)にパルス電流を供給する方法500のフロウチャートである。工程510で、複数の異なる電圧レベルが、DACによってパルス電流テスト回路内のマルチプレクサの複数の入力端子に提供される。工程520で、マルチプレクサの入力選択ラインの入力選択組み合わせを用いて、マルチプレクサのどの入力端子がマルチプレクサの出力に接続されるのかを決定することにより、電圧パルスが、選択された電圧レベルから生成される。マルチプレクサの入力選択組み合わせは、マルチプレクサの任意の遷移アドレス値がマルチプレクサの出力の単調変化につながるように実行され、電圧パルスがマルチプレクサの出力になる。次いで、電圧パルスは、工程530において、複数の抵抗器、演算増幅器、および、キャパシタを用いて、電流パルスに変換される。方法500は、さらに、工程540および550を備えうる。工程540で、パルス電流テスト回路に接続された電荷ブースタ回路が、電流レベル間の遷移中のオーバーシュートおよびアンダーシュートを最小化するために用いられる。電荷ブースタ回路は、2つのDACの組み合わせによって駆動され、それらのDACは、電荷ブースタ回路内のマルチプレクサの複数の入力端子に複数の異なる電圧レベルを提供し、電荷ブースタ回路は、さらに、演算増幅器、複数の抵抗器、および、キャパシタを備える。パルス電流テスト回路の演算増幅器の反転入力への信号および電荷ブースタ回路内の演算増幅器の非反転入力への入力信号は同期されるが、両方のマルチプレクサが同じ入力選択ラインから供給されるが、2つのペアのDAC(一方のペアはパルス電流テスト回路内にあり、もう一方は電荷ブースタ回路内にある)が独立しているため、それらの電圧レベルは独立している。工程550で、キャパシタに蓄積された電荷は、電流が抵抗器のみに流れるように安定することを許容される。
本明細書に記載の回路を制御するために、リアルタイムコンピュータを利用できる。一実施形態によると、第1工程では、DACをVに、そして、DACをVに設定して、それに従ってアナログマルチプレクサMおよびMの入力選択端子を固定することによって、電流源をDCレベルIおよびIに設定し、その間中、ブースタスイッチは開いている(すなわち、ブースタをDUTから切り離す)。次いで、結果として得られたDC電圧レベル(VおよびVによって駆動されたVDUT)は、それぞれのピーク検出器から取得され、参照のために格納される(以降、「Vpdc」および「Vndc」とする)。次に、DACbpは、必要とされるよりも十分に低いレベルに設定され、DACbnは、必要とされるよりも十分に高いレベルに設定され、オーバーシュートよりもアンダーシュートになるようにする。次いで、Sが係合され、MおよびMの入力選択端子は、必要な波形で作動される。その後、ピーク検出器の読み取り値が、それぞれ取得され(Vpp,Vnn)、VpdcおよびVndcと比較される。|Vpp<|Vpdc|かつ|Vnn<|Vndc|という起こりうるケースでは、より多くのブーストが必要とされる。ブースト動作の増加は、結果として得られるピーク検出器読み取り値が、それぞれ、VpdcおよびVndcをちょうど超えるまでVbpおよびVbnを変化させることによって達成される。この時点で、ブースト動作は、逓減され、処理は、任意のさらなる変化の影響が無視できるほどになる時点まで収束的に繰り返される。十分に長いパルスに対して、VDUTは、ブーストなしでも適切なレベルVpdcおよびVndcに徐々に「収束」するが、関連する時定数が短いパルス(通例、パルス幅<500nS)よりも長いので、かかる「収束」は、ほとんど助けにならず、したがって、効率的なブーストが必要である。上記の繰り返し(すなわち、ブースト動作の増減)に用いられる実際のアルゴリズムは、効率的な収束に関するものであるため、本発明には関係していないことに注意されたい。実際に、(適用可能な場合)バイナリ検索などの様々なアルゴリズムが有効であるが、本発明は、1つの特定のアルゴリズムにも別のアルゴリズムにも限定されない。
いくつかの実施形態だけを詳細に説明したが、本発明は、本発明の範囲から逸脱することなしに多くの他の形態で実施されうることを理解されたい。上記に鑑みて、本実施形態は例示であり、限定的ではなく、本発明は、本明細書に記載の詳細事項に限定されず、添付の特許請求の範囲および等価物の範囲内で変形されてよいことが明らかである。

Claims (19)

  1. 被試験デバイス(DUT)に電流パルスを印加するためのテスト回路であって、
    アナログ電圧パルスを出力する第1マルチプレクサであって、両極性電圧パルスおよび単極性電圧パルスの両方を生成できる第1マルチプレクサと、
    前記第1マルチプレクサから前記電圧パルスを受信し、前記電圧パルスを電流パルスに変換する少なくとも1つの演算増幅器および抵抗器と
    を備え、
    1つの演算増幅器が、電流パルスを出力し、前記電流パルスは、前記少なくとも1つの演算増幅器および抵抗器が両極性電圧パルスを受信したかまたは単極性電圧パルスを受信したかに応じて、両極性電流パルスまたは単極性電流パルスとされるテスト回路。
  2. 請求項1に記載のテスト回路であって、さらに、電流レベル間の遷移中にオーバーシュートおよびアンダーシュートを最小化するための電荷ブースタ回路を備え、前記電荷ブースタ回路は、少なくとも1つの演算増幅器と、複数の抵抗器とを備えるテスト回路。
  3. 請求項2に記載のテスト回路であって、前記電荷ブースタ回路は、第2マルチプレクサから電圧パルスを受信し、前記第2マルチプレクサからの前記電圧パルスは、前記第1マルチプレクサから受信された前記電圧パルスと同期されるが独立しており、前記電荷ブースタ回路は、その出力を前記DUTに供給し、前記DUTは、接地と、前記電流パルスの前記出力との間に配置されるテスト回路。
  4. 請求項3に記載のテスト回路であって、前記第1および第2マルチプレクサは、同じ入力選択ラインを有するテスト回路。
  5. 請求項1に記載のテスト回路であって、前記第1マルチプレクサは、その入力端子に供給される電圧レベルの数よりも1つ少ない数の入力選択ラインを有するテスト回路。
  6. 請求項5に記載のテスト回路であって、前記第1マルチプレクサは、4つの入力端子に供給される3つの電圧レベルを有するテスト回路。
  7. 請求項6に記載のテスト回路であって、中間の電圧レベルが、前記第1マルチプレクサの入力選択組み合わせのための遷移アドレスと共に選択され、前記入力選択組み合わせは、前記入力選択ラインに割り当てられたアドレス値を含むテスト回路。
  8. 請求項5に記載のテスト回路であって、最大電圧から中間電圧への遷移または最小電圧から中間電圧への遷移中に、1つの入力選択アドレスラインのみが変化するテスト回路。
  9. 請求項1に記載のテスト回路であって、前記第1マルチプレクサは、離散的な電圧からアナログ信号を生成するテスト回路。
  10. 請求項1に記載のテスト回路であって、少なくとも2つの演算増幅器および5つの抵抗器が、前記第1マルチプレクサから前記電圧パルスを受信して、前記電圧パルスを電流パルスに変換するテスト回路。
  11. 被試験デバイス(DUT)にパルス電流を供給する方法であって、
    複数の異なる電圧レベルを第1マルチプレクサの複数の入力端子に供給する工程と、
    前記第1マルチプレクサの入力選択ラインの入力選択組み合わせを用いて、前記第1マルチプレクサの前記入力端子の内のどれが前記第1マルチプレクサの出力に接続されるのかを決定することにより、選択された電圧レベルから電圧パルスを生成する工程であって、前記第1マルチプレクサの入力選択組み合わせは、任意の遷移アドレス値が前記第1マルチプレクサの前記出力の単調変化につながるように前記第1マルチプレクサの入力選択ラインにアドレス値を割り当てることによって実行され、前記第1マルチプレクサの前記出力は、電圧パルスを含む工程と、
    複数の抵抗器、演算増幅器、および、キャパシタを用いて、前記電圧パルスを電流パルスに変換する工程と
    を備える方法。
  12. 請求項11に記載の方法であって、前記変換する工程は、さらに、
    電荷ブースタ回路を用いて、オーバーシュートおよびアンダーシュート最小化する工程を含み、前記電荷ブースタ回路は、演算増幅器、複数の抵抗器、および、キャパシタを備える方法。
  13. 請求項12に記載の方法であって、前記電荷ブースタ回路を用いる工程は、前記第1マルチプレクサに供給される前記電圧レベルから独立した複数の電圧レベルを受信する第2マルチプレクサを提供する工程を含む方法。
  14. 請求項13に記載の方法であって、前記電荷ブースタ回路を用いる工程は、さらに、電流が抵抗器のみに流れるように、前記キャパシタに蓄積された電荷が安定することを許容する工程を含む方法。
  15. 単極性電流パルスおよび両極性電流パルスの両方を供給できる単一の回路であって、
    少なくとも1つの正電圧信号および少なくとも1つの負電圧信号を受信するマルチプレクサであって、受信した前記電圧信号から両極性電圧パルスおよび単極正電圧パルスの両方を生成できるマルチプレクサと、
    前記マルチプレクサから前記電圧パルスを受信し、前記電圧パルスを電流パルスに変換する少なくとも1つの演算増幅器および抵抗器と
    を備え、
    前記少なくとも1つの演算増幅器および抵抗器が両極性電圧パルスを受信したかまたは単極性電圧パルスを受信したかに応じて、1つの演算増幅器が、両極性電流パルスまたは単極性電流パルスを出力する回路。
  16. 請求項15に記載の回路であって、少なくとも2つの演算増幅器および5つの抵抗器が、前記マルチプレクサから前記電圧パルスを受信して、前記電圧パルスを電流パルスに変換する回路。
  17. 被試験デバイス(DUT)に電流パルスを印加するためのテスト回路であって、
    アナログ電圧パルスを出力する第1マルチプレクサであって、両極性電圧パルスおよび単極性電圧パルスの両方を生成できる第1マルチプレクサと、
    前記第1マルチプレクサから前記電圧パルスを受信し、前記電圧パルスを電流パルスに変換する少なくとも1つの演算増幅器および抵抗器であって、1つの演算増幅器が、電流パルスを出力し、前記電流パルスは、前記少なくとも1つの演算増幅器および抵抗器が両極性電圧パルスを受信したかまたは単極性電圧パルスを受信したかに応じて、両極性電流パルスまたは単極性電流パルスになる少なくとも1つの演算増幅器および抵抗器と、
    電流レベル間の遷移中にオーバーシュートおよびアンダーシュートを最小化するための電荷ブースタ回路であって、少なくとも1つの演算増幅器、複数の抵抗器、および、キャパシタを備える電荷ブースタ回路と
    を備えるテスト回路。
  18. 請求項17に記載のテスト回路であって、前記電荷ブースタ回路は、さらに、電圧信号を受信して、電圧パルスを出力する第2マルチプレクサを備え、前記第1および第2マルチプレクサは、同じ入力選択ラインを有するテスト回路。
  19. 請求項17に記載のテスト回路であって、前記電荷ブースタ回路の出力は、前記DUTに供給されるテスト回路。
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