JP6816685B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
A−1.半導体装置の構成
図1は、第1実施形態における半導体装置100の構成を模式的に示す断面図である。半導体装置100は、窒化ガリウム(GaN)を用いて形成されたGaN系の半導体装置である。
図2は、第1実施形態における半導体装置100の製造方法を示す工程図である。まず、製造者は、基板110の上に半導体層120を形成する(工程P110)。本実施形態では、製造者は、有機金属気相成長(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)によって、基板110における+Z軸方向側の表面に半導体層120を形成する。
以上説明した第1実施形態の半導体装置100では、図1に示すように、半導体層120と絶縁膜130との積層方向に沿った断面における絶縁膜130と電極140との境界線は、変曲点のない曲線形状となっている。このため、絶縁膜130の上に形成された電極140が切れてしまったり、剥離してしまったりすることを抑制することができる。また、第1実施形態の半導体装置100では、開口部135の端部における絶縁膜130の表面Dは、半導体層120の表面Sに対して角度θが20°以下に傾斜しているため、電界集中を緩和できる。以下、これらの効果について説明する。
上述の実施形態において、基板及び半導体層の材料は、窒化ガリウム(GaN)に限らず、例えば、ケイ素(Si)、炭化ケイ素(SiC)、酸化ガリウム(Ga2O3)、ガリウム砒素(GaAs)および炭化ケイ素(SiC)、ダイヤモンド(C)などの他の半導体であってもよい。
110…基板
120…半導体層
130…絶縁膜
135…開口部
140…電極
150…カソード電極
160…電極
170…レジストパターン
D…表面
Q…位置
S…表面
T1…変曲点
T2…変曲点
Claims (3)
- 半導体装置の製造方法であって、
半導体層の上に形成されており、ケイ素を含む絶縁膜に、開口部を設ける開口部形成工程と、
前記開口部形成工程の後、前記開口部から前記絶縁膜の上にわたって電極を形成する工程と、を備え、
前記開口部形成工程は、
前記絶縁膜の表面に疎水化処理を行う工程と、
前記疎水化処理の後、フォトリソグラフィにより、前記絶縁膜の上にレジストパターンを形成する工程と、
前記絶縁膜にウェットエッチングを行う工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、を備え、
前記開口部形成工程により、前記開口部の端部における前記絶縁膜の表面を、前記半導体層の表面に対して角度が20°以下の傾斜とし、前記半導体層と前記絶縁膜との積層方向に沿った断面における前記絶縁膜と前記電極との間の境界線を、変曲点のない曲線形状とし、
前記疎水化処理は、処理室にHMDS蒸気を供給する工程と、HMDS蒸気により所定の温度で前記絶縁膜を疎水化する工程と、を備え、
前記処理室にHMDS蒸気を供給する時間は5秒以下である、半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記電極を形成する工程は、リフトオフ法により行われる、半導体装置の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の製造方法であって、
前記所定の温度で前記絶縁膜を疎水化する時間は90秒以下である、半導体装置の製造方法。
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