JP6810824B1 - 貴金属スパッタリングターゲット材 - Google Patents
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Abstract
鋳造インゴットからなるスパッタリングターゲット材であって、水素含有量が５ｗｔｐｐｍ未満であることを特徴とする貴金属スパッタリングターゲット材。本発明は、スパッタリングターゲットの製造時において、加工特性が改善された貴金属スパッタリングターゲット材を提供することを課題とする。スパッタリングターゲット材とは鋳造や圧延などの塑性加工によってスパッタリングターゲット形状にする前の鋳造インゴットの状態を意味する。【選択図】なし
Description
本発明は、半導体分野における薄膜の形成に最適な貴金属スパッタリングターゲット材に関する。
スパッタリングは、半導体分野における微細配線、ＭＥＭＳ、光デバイス、ＬＥＤ、有機ＥＬ、高周波デバイス、水晶などにおける薄膜を形成するのに用いられている。スパッタリングとは、真空中で不活性ガス（主にアルゴンガス）を導入し、ターゲット（プレート状の成膜材料）にマイナスの電圧を印加してグロー放電を発生させ、不活性ガス原子をイオン化し、高速でターゲット表面にガスイオンを衝突させて激しく叩き、ターゲットを構成する成膜材料の粒子（原子・分子）を激しく弾き出し、勢いよく、基材や基板の表面に付着、堆積させ薄膜を形成する技術である。
スパッタリングでは、高融点金属や合金など真空蒸着が困難な材料でも成膜が可能であり、広範囲な成膜材料に対応することができるという特長を有する。通常、スパッタリングターゲットは、溶解鋳造法を用いてインゴットを形成した後、鍛造、圧延により、スパッタリングターゲット形状に加工し、その後、熱処理し、さらに表面を切削して、作製される。
貴金属スパッタリングターゲットも同様に、鋳造インゴットを鍛造、圧延等を行って製造されるが、鋳造インゴットを鍛造や圧延を行った際に、微細な亀裂（マイクロクラック）が生じる問題がある。マイクロクラックはスパッタリングの際に異常放電の原因となることから、これを極力低減することが求められる。なお、貴金属スパッタリングターゲットに関する先行技術として以下のものが知られている。
本発明は、スパッタリングターゲットの製造時において、加工特性が改善された貴金属スパッタリングターゲット材を提供することを課題とする。本願の明細書において、スパッタリングターゲット材とは、鋳造や圧延等の塑性加工によって、スパッタリングターゲット形状にする前の鋳造インゴットの状態を意味する。
上記の課題を解決することができる本発明の一態様は、水素含有量が５ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする貴金属スパッタリングターゲット材である。
本発明によれば、スパッタリングターゲットの製造時における加工特性を改善することができるという優れた効果を有する。
本発明の実施形態は、貴金属鋳造インゴットからなるスパッタリングターゲット材において、水素含有量が５ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする。水素不純物は貴金属の硬度を増加させ、加工特性を悪化させる。水素含有量を５ｗｔｐｐｍ以下とすることで、加工特性が向上し、スパッタリングターゲットの製造時におけるマイクロクラックの発生を防止できる。好ましくは１ｗｔｐｐｍ以下とする。また、スパッタリングターゲット材の水素含有量を低減することで、スパッタリングの際の真空度の低下を抑制し、さらには、スパッタ膜中の水素不純物を低減することができるという副次的な効果も得られる。
本実施形態の貴金属鋳造インゴットからなるスパッタリングターゲット材は、貴金属の種類によって、以下のビッカース硬度の範囲とすることが好ましい。
金ターゲット材：ビッカース硬度２５Ｈｖ以上４５Ｈｖ以下
白金ターゲット材：ビッカース硬度３７Ｈｖ以上５５Ｈｖ以下
パラジウムターゲット材：ビッカース硬度４５Ｈｖ以上１４０Ｈｖ以下
銀ターゲット材：ビッカース硬度２５Ｈｖ以上５５Ｈｖ以下
ビッカース硬度が低いと、貴金属が軟らか過ぎて、加工時の水平性を保てず、加工特性が悪化する。一方、ビッカース硬度が高いと、貴金属スパッタリングターゲット中に割れ（クラック）の発生やボンデイング面からの剥がれが生じる。貴金属スパッタリングターゲット材の硬度は、スパッタリングターゲット材中の水素、燐、硫黄等の不純物含有量によっても変化する。
金ターゲット材：ビッカース硬度２５Ｈｖ以上４５Ｈｖ以下
白金ターゲット材：ビッカース硬度３７Ｈｖ以上５５Ｈｖ以下
パラジウムターゲット材：ビッカース硬度４５Ｈｖ以上１４０Ｈｖ以下
銀ターゲット材：ビッカース硬度２５Ｈｖ以上５５Ｈｖ以下
ビッカース硬度が低いと、貴金属が軟らか過ぎて、加工時の水平性を保てず、加工特性が悪化する。一方、ビッカース硬度が高いと、貴金属スパッタリングターゲット中に割れ（クラック）の発生やボンデイング面からの剥がれが生じる。貴金属スパッタリングターゲット材の硬度は、スパッタリングターゲット材中の水素、燐、硫黄等の不純物含有量によっても変化する。
本願明細書において、貴金属スパッタリングターゲット材は、金、白金、パラジウム、銀のいずれか単一の金属からなるスパッタリングターゲット材を意味し、銀合金などの貴金属を一部に含むような合金スパッタリングターゲット材を意味しない。単一の金属からなる場合、スパッタリングターゲットの材質が合金の場合と異なり、加工特性に最適な硬度が変化するため、合金の場合に最適な表面状態をそのまま適用することが難しい。なお、本願明細書において、単一の金属とは、不純物として他の金属成分を微量に含むものまで除くことを意味せず、具体的には金属不純物を合計で１０００ｗｔｐｐｍ以下含有してもよい。金属不純物は、グロー放電質量分析（ＧＤ−ＭＳ）を用いて分析することができる。また、各金属不純物の含有量が、分析下限値未満の場合には、分析下限値をその含有量として算出する。
本発明の実施形態に係る貴金属スパッタリングターゲット材は、さらに、燐含有量が１ｗｔｐｐｍ以下、硫黄含有量が１ｗｔｐｐｍ以下であることが好ましい。これらの不純物は結晶粒界に析出して、加工硬化し、加工特性が悪化することがある。燐、硫黄のいずれの含有量も１ｗｔｐｐｍ以下とすることで、そのような析出を阻害し、加工特性を向上させることができる。
以下、本願の明細書に記載される貴金属スパッタリングターゲット材の各物性評価は、以下の方法を用いて行った。測定に供するサンプルは、スパッタリングターゲット材の２箇所から端材を切り出す。切り出したサンプルについてアセトン洗浄のみ行った後、乾燥させた。洗浄後、２つのサンプルについて測定を行い、その平均値を求めた。なお、スパッタリングターゲット材の極端な場所（例えば、外周端など）からの端材の切り出しは避けた。
（ビッカース硬度の測定）
ビッカース硬度の測定に使用した装置を以下に示す。
測定装置：微小硬さ試験機（株式会社 ミツトヨ）
型式：ＨＭ−２２１
押付荷重：２００ｋｇｆ
（ビッカース硬度の測定）
ビッカース硬度の測定に使用した装置を以下に示す。
測定装置：微小硬さ試験機（株式会社 ミツトヨ）
型式：ＨＭ−２２１
押付荷重：２００ｋｇｆ
（水素含有量の測定）
測定装置：堀場製作所製水素分析装置（非分散赤外線吸収法）
（燐含有量の測定、硫黄含有量の測定）
測定装置：グロー放電質量分析（ＧＤ−ＭＳ）
測定装置：堀場製作所製水素分析装置（非分散赤外線吸収法）
（燐含有量の測定、硫黄含有量の測定）
測定装置：グロー放電質量分析（ＧＤ−ＭＳ）
次に、本発明の実施例等について説明する。なお、以下の実施例は、あくまで代表的な例を示しているもので、本発明はこれらの実施例に制限される必要はなく、特許請求の範囲に記載される技術思想の範囲で解釈されるべきものである。
（Ａｕスパッタターゲット）
純度４ＮのＡｕ原料を高純度カーボン坩堝にて大気溶解した後、Ａｕ溶湯を鋳型に注湯し、その後、水中で急速冷却してＡｕ鋳造インゴット（スパッタリングターゲット材）を作製した。大気溶解の際、微量の水蒸気又は水素ガスを適当量溶湯中に吹き込むことで、インゴット中の水素含有量を調整した。また、硫黄、燐についても、溶湯中に微量添加することで硫黄含有量、燐含有量を調整した。このようにして得られたスパッタリングターゲット材の不純物（水素、燐、硫黄）含有量及びビッカース硬度を表１に示す。
純度４ＮのＡｕ原料を高純度カーボン坩堝にて大気溶解した後、Ａｕ溶湯を鋳型に注湯し、その後、水中で急速冷却してＡｕ鋳造インゴット（スパッタリングターゲット材）を作製した。大気溶解の際、微量の水蒸気又は水素ガスを適当量溶湯中に吹き込むことで、インゴット中の水素含有量を調整した。また、硫黄、燐についても、溶湯中に微量添加することで硫黄含有量、燐含有量を調整した。このようにして得られたスパッタリングターゲット材の不純物（水素、燐、硫黄）含有量及びビッカース硬度を表１に示す。
次に、Ａｕ鋳造インゴット（スパッタリングターゲット材）に熱間鍛造を実施した後、旋盤加工（切削）により、表面粗さＲａを平均０．４〜１．６μｍになるように調整した。このようにして得られたスパッタリングターゲット材の表面を光学顕微鏡によって観察し、マイクロクラック（サイズ：円相当径で１０マイクロメートリ以上）の有無について調べた。その結果、水素含有量が５ｗｔｐｐｍ以上のスパッタリングターゲット材については、マイクロクラックの発生を確認した。
（白金スパッタリングターゲット材）
純度３Ｎ５のＰｔ原料を高純度ジルコニア坩堝にて大気溶解した後、Ｐｔ溶湯を鋳型に注湯し、その後、水中で急速冷却してＰｔ鋳造インゴット（スパッタリングターゲット材）を作製した。大気溶解の際、微量の水蒸気又は水素ガスを適当量溶湯中に吹き込むことで、インゴット中の水素含有量を調整した。また、硫黄、燐についても、溶湯中に微量添加することで硫黄含有量、燐含有量を調整した。このようにして得られたスパッタリングターゲット材の不純物（水素、燐、硫黄）含有量及びビッカース硬度を表２に示す。
純度３Ｎ５のＰｔ原料を高純度ジルコニア坩堝にて大気溶解した後、Ｐｔ溶湯を鋳型に注湯し、その後、水中で急速冷却してＰｔ鋳造インゴット（スパッタリングターゲット材）を作製した。大気溶解の際、微量の水蒸気又は水素ガスを適当量溶湯中に吹き込むことで、インゴット中の水素含有量を調整した。また、硫黄、燐についても、溶湯中に微量添加することで硫黄含有量、燐含有量を調整した。このようにして得られたスパッタリングターゲット材の不純物（水素、燐、硫黄）含有量及びビッカース硬度を表２に示す。
次に、Ｐｔ鋳造インゴット（スパッタリングターゲット材）に熱間鍛造を実施した後、旋盤加工（切削）により、表面粗さＲａを平均０．４〜１．６μｍになるように調整した。このようにして得られたスパッタリングターゲット材の表面を光学顕微鏡によって観察し、マイクロクラック（サイズ：数マイクロメートル）の有無について調べた。その結果、水素含有量が５ｗｔｐｐｍ以上のスパッタリングターゲット材については、マイクロクラックの発生を確認した。
（パラジウムスパッタリングターゲット材）
純度３Ｎ５のＰｄ原料を高純度ジルコニア坩堝にて真空溶解した後、Ｐｄ溶湯を鋳型に注湯し、その後、水中で急速冷却してＰｄ鋳造インゴット（スパッタリングターゲット材）を作製した。真空溶解の際、微量の水蒸気又は水素ガスを混入させることで、インゴット中の水素含有量を調整した。また、硫黄、燐についても、溶湯中に微量添加することで硫黄含有量、燐含有量を調整した。このようにして得られたスパッタリングターゲット材の不純物（水素、燐、硫黄）含有量及びビッカース硬度を表３に示す。
純度３Ｎ５のＰｄ原料を高純度ジルコニア坩堝にて真空溶解した後、Ｐｄ溶湯を鋳型に注湯し、その後、水中で急速冷却してＰｄ鋳造インゴット（スパッタリングターゲット材）を作製した。真空溶解の際、微量の水蒸気又は水素ガスを混入させることで、インゴット中の水素含有量を調整した。また、硫黄、燐についても、溶湯中に微量添加することで硫黄含有量、燐含有量を調整した。このようにして得られたスパッタリングターゲット材の不純物（水素、燐、硫黄）含有量及びビッカース硬度を表３に示す。
次に、Ｐｄ鋳造インゴット（スパッタリングターゲット材）に熱間鍛造を実施した後、旋盤加工（切削）により、表面粗さＲａを平均０．４〜１．６μｍになるように調整した。このようにして得られたスパッタリングターゲット材の表面を光学顕微鏡によって観察し、マイクロクラック（サイズ：数マイクロメートル）の有無について調べた。その結果、水素含有量が５ｗｔｐｐｍ以上のスパッタリングターゲット材については、マイクロクラックの発生を確認した。
（銀スパッタリングターゲット材）
純度４Ｎ５のＡｇ原料を高純度ジルコニア坩堝にて大気溶解した後、Ａｇ溶湯を鋳型に注湯し、その後、水中で急速冷却してＡｇ鋳造インゴット（スパッタリングターゲット材）を作製した。大気溶解の際、微量の水蒸気又は水素ガスを適当量溶湯中に吹き込むことで、インゴット中の水素含有量を調整した。また、硫黄、燐についても、溶湯中に微量添加することで硫黄含有量、燐含有量を調整した。このようにして得られたスパッタリングターゲット材の不純物（水素、燐、硫黄）含有量及びビッカース硬度を表４に示す。
純度４Ｎ５のＡｇ原料を高純度ジルコニア坩堝にて大気溶解した後、Ａｇ溶湯を鋳型に注湯し、その後、水中で急速冷却してＡｇ鋳造インゴット（スパッタリングターゲット材）を作製した。大気溶解の際、微量の水蒸気又は水素ガスを適当量溶湯中に吹き込むことで、インゴット中の水素含有量を調整した。また、硫黄、燐についても、溶湯中に微量添加することで硫黄含有量、燐含有量を調整した。このようにして得られたスパッタリングターゲット材の不純物（水素、燐、硫黄）含有量及びビッカース硬度を表４に示す。
次に、Ａｕ鋳造インゴット（スパッタリングターゲット材）に熱間鍛造を実施した後、旋盤加工（切削）により、表面粗さＲａを平均０．４〜１．６μｍになるように調整した。このようにして得られたスパッタリングターゲット材の表面を光学顕微鏡によって観察し、マイクロクラック（サイズ：数マイクロメートル）の有無について調べた。その結果、水素含有量が５ｗｔｐｐｍ以上のスパッタリングターゲット材については、マイクロクラックの発生を確認した。
本発明によれば、スパッタリングターゲットの製造時における加工特性を改善することができるという優れた効果を有する。本発明の実施形態に係る貴金属スパッタリングターゲット材は、高周波デバイス、水晶、ＭＥＭＳ、光デバイス、ＬＥＤ、有機ＥＬ、などにおける薄膜を形成するのに有用である。
Claims (6)
- 鋳造インゴットからなるスパッタリングターゲット材であって、水素含有量が５ｗｔｐｐｍ未満、燐含有量が１ｗｔｐｐｍ以下、硫黄含有量が１ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする貴金属スパッタリングターゲット材。
- 金の鋳造インゴットからなり、水素含有量が５ｗｔｐｐｍ未満、燐含有量が１ｗｔｐｐｍ以下、硫黄含有量が１ｗｔｐｐｍ以下であり、ビッカース硬度が２５〜４５Ｈｖであることを特徴とする請求項１に記載の貴金属スパッタリングターゲット材。
- 白金の鋳造インゴットからなり、水素含有量が５ｗｔｐｐｍ未満、燐含有量が１ｗｔｐｐｍ以下、硫黄含有量が１ｗｔｐｐｍ以下であり、ビッカース硬度が３７〜５５Ｈｖであることを特徴とする請求項１に記載の貴金属スパッタリングターゲット材。
- パラジウムの鋳造インゴットからなり、水素含有量が５ｗｔｐｐｍ未満、燐含有量が１ｗｔｐｐｍ以下、硫黄含有量が１ｗｔｐｐｍ以下であり、ビッカース硬度が４５〜１４０Ｈｖであることを特徴とする請求項１に記載の貴金属スパッタリングターゲット材。
- 銀の鋳造インゴットからなり、水素含有量が５ｗｔｐｐｍ未満、燐含有量が１ｗｔｐｐｍ以下、硫黄含有量が１ｗｔｐｐｍ以下であり、ビッカース硬度が２５〜５５Ｈｖであることを特徴とする請求項１に記載の貴金属スパッタリングターゲット材。
- 水素含有量が１ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の貴金属スパッタリングターゲット材。
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