JP6810014B2 - 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
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- 半導体基板の上に、バッファ層、チャネル層、障壁層、キャリア供給層、オーミックキャップ層が形成された状態とする第1工程と、
リセス形成領域を挟んで前記オーミックキャップ層の上にソース電極およびドレイン電極を形成する第2工程と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極の間の前記オーミックキャップ層の上に第1絶縁層を形成する第3工程と、
前記ソース電極との距離より前記ドレイン電極との距離の方が大きい状態で前記リセス形成領域内に配置した第1ゲート開口部を前記第1絶縁層に形成する第4工程と、
前記第1絶縁層の前記リセス形成領域内で前記第1ゲート開口部と前記ドレイン電極との間に複数の非対称リセス形成用開口部を形成する第5工程と、
前記第1ゲート開口部および前記複数の非対称リセス形成用開口部を形成した前記第1絶縁層をマスクとして前記オーミックキャップ層をエッチングし、前記第1ゲート開口部および前記複数の非対称リセス形成用開口部の下の領域にリセス領域を形成する第6工程と、
前記第1絶縁層の上に第2絶縁層を形成する第7工程と、
前記第1絶縁層に形成した前記第1ゲート開口部に連続する第2ゲート開口部を前記第2絶縁層に形成して前記第1ゲート開口部と前記第2ゲート開口部とによりゲート開口部を形成する第8工程と、
前記第1絶縁層の上に配置されて一部が前記ゲート開口部より前記リセス領域に嵌入して前記障壁層にショットキー接合したゲート電極を形成する第9工程と
を備え、
前記第6工程では、前記複数の非対称リセス形成用開口部の各々の開口寸法および前記複数の非対称リセス形成用開口部の数により、前記第1ゲート開口部より前記ドレイン電極の側における前記オーミックキャップ層のエッチング量を制御し、
前記第6工程では、隣り合う前記複数の非対称リセス形成用開口部の間の前記オーミックキャップ層の一部を残す状態に前記エッチングを実施することで、隣り合う前記複数の非対称リセス形成用開口部の間に、前記第1絶縁層を支持する支持柱を形成する
ことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。 - 請求項1記載の電界効果型トランジスタの製造方法において、
前記複数の非対称リセス形成用開口部の各々は、ゲート長方向の開口寸法をゲート幅方向の開口寸法より短く形成する
ことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。 - 請求項1または2記載の電界効果型トランジスタの製造方法において、
前記複数の非対称リセス形成用開口部を、ゲート幅方向に平行な状態で配列して形成する
ことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。 - 半導体基板の上に形成されたバッファ層、チャネル層、障壁層、キャリア供給層、オーミックキャップ層と、
前記オーミックキャップ層に形成されたリセス領域と、
前記リセス領域を挟んで前記オーミックキャップ層の上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、
前記オーミックキャップ層の上に形成されて前記リセス領域の上に架設された第1絶縁層と、
前記第1絶縁層の上に前記第1絶縁層を覆って形成された第2絶縁層と、
前記ソース電極との距離より前記ドレイン電極との距離の方が大きい状態で前記リセス領域内に配置されて前記第1絶縁層および前記第2絶縁層に形成されたゲート開口部と、
前記第1絶縁層の前記リセス領域内に配置されて前記ゲート開口部と前記ドレイン電極との間に形成された複数の非対称リセス形成用開口部と、
前記第2絶縁層の上に形成されて一部が前記ゲート開口部より前記リセス領域に嵌入して前記障壁層にショットキー接合したゲート電極と
を備え、
前記複数の非対称リセス形成用開口部の各々は、ゲート長方向の開口寸法がゲート幅方向の開口寸法より短く形成され、
前記複数の非対称リセス形成用開口部は、ゲート幅方向に平行な状態で配列され、
隣り合う前記複数の非対称リセス形成用開口部の間に形成された前記第1絶縁層を支持する支持柱を備える
ことを特徴とする電界効果型トランジスタ。
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JP2017206822A JP6810014B2 (ja) | 2017-10-26 | 2017-10-26 | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 |
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JP2017206822A JP6810014B2 (ja) | 2017-10-26 | 2017-10-26 | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 |
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JP3175666B2 (ja) * | 1997-10-24 | 2001-06-11 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3715557B2 (ja) * | 2001-08-08 | 2005-11-09 | 日本電信電話株式会社 | 電界効果トランジスタの製造方法 |
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