JP6809141B2 - 局所フローはんだ付け装置 - Google Patents

Description

本発明は、局所フローはんだ付け装置に関するものである。

従来より、リード部を有する電子部品を基板にはんだ付けするにあたっては、フローはんだ付け装置が広く使用されてきた。このフローはんだ付け装置は、リード部を基板のスルーホールに挿入した状態で該基板の下面側に溶融はんだ流体を当てることにより、リード部と基板のランドとをはんだ付けする装置である。また、フローはんだ付け装置は、基板の幅と同程度の幅にはんだ流体を吐出し、複数の電子部品を一括で基板にはんだ付けするものが一般的であった。

しかし近年、環境保全の観点から、鉛の使用を制限する動きが全世界で広がっており、鉛フリーはんだが主流となってきている。この鉛フリーはんだは、有鉛はんだと比較して融点が高いことから、上述したフローはんだ付け装置による一括はんだ付けでは、電子部品の過熱不足によるはんだ付け不良や、加熱過多による部品故障等の問題が生じていた。

これらの問題を解決するために、基板の幅と同程度の幅にはんだ流体を吐出するのではなく、はんだ付け箇所ごとにはんだ流体を吐出する局所フローはんだ付け装置が開発された。この局所フローはんだ付け装置は、はんだ付け箇所ごとにはんだ付け時間を設定できるため、加熱不足となる電子部品には長いはんだ付け時間を設定し、はんだ付け不良を減らすことができる。また、耐熱温度が低い電子部品のはんだ付けに対しては、短いはんだ付け時間を設定することで電子部品の温度上昇を抑えることができる。

しかし、上記局所フローはんだ付け装置は、基板をプリヒーターで予備加熱した後、はんだ槽上に移動させて、この基板の複数のはんだ付け箇所を一箇所ずつはんだ付けすることから、はんだ付け作業中に基板が冷めてしまうという問題が生じていた。この問題を解決する局所フローはんだ付け装置が特許文献１に開示されている。

図１１に示すように、特許文献１の局所フローはんだ付け装置２００は、はんだ槽３及びはんだ噴流ノズル４を有するフロー装置本体２と、はんだ槽３の上部に設置されて基板１０を下側から矢印Ｔに示すように加熱する加熱装置２０６と、制御部２０９と、を備えている。図１１中の符号５は溶融はんだ流体であり、符号Ｅはリード部を有する電子部品である。この局所フローはんだ付け装置２００によれば、基板１０を加熱装置２０６で予備加熱した後、該基板１０をほとんど移動させる必要がない上、局所フローはんだ付け作業時に加熱装置２０６により基板１０を保温することができるため、はんだ付け不良を防止できるとともに効率良くはんだ付け作業を行うことができる。

しかし、図１１に示す局所フローはんだ付け装置２００においては、基板１０を下側から加熱するため、基板１０上面に載置された電子部品Ｅの温度が上がり難く、そのために、はんだ付け箇所がはんだ付け可能な温度に到達するまでに時間を要するという問題があった。

そこで、本発明は、はんだ付け不良を防止できるとともに作業時間を短縮できる局所フローはんだ付け装置を提供することを目的とする。

本発明は、基板における複数のはんだ付け箇所を、前記基板の下面側に溶融はんだ流体を部分的に当てることによりはんだ付けする局所フローはんだ付け装置であって、前記基板の上側に配置されて、前記基板及び前記基板上面に載置された電子部品を加熱する熱源を備え、はんだ付け可能な温度に到達するまでの時間が所定時間を超えるはんだ付け箇所をはんだ付けする直前に、当該はんだ付け箇所に最も近くかつはんだ付け可能な温度に到達するまでの時間が前記所定時間を超えないはんだ付け箇所をはんだ付けすることを特徴とする。
本発明は、基板における複数のはんだ付け箇所を、前記基板の下面側に溶融はんだ流体を部分的に当てることによりはんだ付けする局所フローはんだ付け装置であって、前記基板の上側に配置されて、前記基板及び前記基板上面に載置された電子部品を加熱する熱源を備え、はんだ付け可能な温度に到達する順番を、熱伝導・熱伝達解析により予測し、前記順番に基いてはんだ付けすることを特徴とする。
本発明は、基板における複数のはんだ付け箇所を、前記基板の下面側に溶融はんだ流体を部分的に当てることによりはんだ付けする局所フローはんだ付け装置であって、前記基板の上側に配置されて、前記基板及び前記基板上面に載置された電子部品を加熱する熱源と、前記基板及び前記電子部品のうちの所定部分の温度を計測する温度計測手段と、前記温度計測手段が計測した所定部分の温度と当該所定部分の耐熱温度との比較に基いて、前記熱源の加熱範囲外に前記所定部分を退避させるか否かを決定する退避判断手段と、を備えたことを特徴とする。

本発明によれば、前記基板の上側に配置されて、前記基板及び前記基板上面に載置された電子部品を加熱する熱源を備えているので、電子部品を直接加熱することができ、短い時間ではんだ付け箇所をはんだ付け可能な温度に到達させることができる。また、基板を熱源で予備加熱した後、該基板をほとんど移動させる必要がない上、局所フローはんだ付け作業時に熱源により基板を保温することができるため、はんだ付け不良を防止できるとともに効率良くはんだ付け作業を行うことができる。

本発明の第１の実施形態にかかる局所フローはんだ付け装置の概略構成図である。 図１の局所フローはんだ付け装置を用いたはんだ付け箇所の温度上昇時間と、図１１の従来の局所フローはんだ付け装置を用いたはんだ付け箇所の温度上昇時間を表したグラフである。 図１の基板における熱容量が異なる３つの電子部品のはんだ付け箇所を示す図である。 図３の３つの電子部品のうちはんだ付け可能温度に到達する時間がもっとも遅い電子部品からはんだ付けを開始する場合に、３つ全ての電子部品をはんだ付けするのに要する時間を表す図である。 図３の３つの電子部品のうちはんだ付け可能温度に到達した順にはんだ付けを開始する場合に、３つ全ての電子部品をはんだ付けするのに要する時間を表す図である。 本発明の第２の実施形態にかかる局所フローはんだ付け装置においてはんだ付けする順番を説明するための図である。 本発明の第４の実施形態にかかる局所フローはんだ付け装置の概略構成図である。 本発明の第７の実施形態にかかる局所フローはんだ付け装置の概略構成図である。 本発明の第８の実施形態にかかる局所フローはんだ付け装置の概略構成図である。 本発明の第９の実施形態にかかる局所フローはんだ付け装置を構成するパネル式加熱装置の模式図である。 従来の局所フローはんだ付け装置の概略構成図である。

（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態にかかる局所フローはんだ付け装置を、図１〜５を参照して説明する。

図１に示す局所フローはんだ付け装置１０１は、基板１０に設けられたスルーホールに電子部品Ｅのリード部を挿入し、リード部の先端が出ている側の基板表面、すなわち基板１０の下面側、に対し、融解はんだ流体５を部分的に接触させることにより、複数のはんだ付け箇所を一箇所ずつはんだ付けする装置である。局所フローはんだ付け装置１０１は、図１に示すように、はんだ槽３及びはんだ噴流ノズル４を有するフロー装置本体２と、基板１０の上側に配置されて、基板１０及び基板１０上面に載置された電子部品Ｅを矢印Ｔに示すように加熱する熱源６と、制御部９と、を備えている。

なお、図１１に示す従来の局所フローはんだ付け装置２００においては、はんだ槽３のある側、すなわち基板１０の下側に加熱装置２０６を配置して基板１０の予備加熱を行っており、リード部又は基板１０を介してしか電子部品Ｅを加熱することができなかった。本発明では、熱源６が電子部品Ｅを直接加熱することができるように、はんだ付けを行う基板表面の反対側の表面、すなわち基板１０の上面側より加熱できるように熱源６を配置している。

図２は、図１の局所フローはんだ付け装置１０１を用いたはんだ付け箇所の温度上昇時間と、図１１の従来の局所フローはんだ付け装置２００を用いたはんだ付け箇所の温度上昇時間を表したグラフである。図２より、基板１０の上面側からの加熱による方が、はんだ付け箇所が短い時間ではんだ付け可能な温度に到達することが分かる。

さらに、本実施形態では、基板１０の複数のはんだ付け箇所を、はんだ付け可能な温度に到達した順にはんだ付けするとともに、はんだ付け可能な温度に到達したはんだ付け箇所は、他のはんだ付け箇所がはんだ付け可能な温度に到達していなくてもはんだ付けするが、これは例えば、制御部９に格納されたプログラムの指示に従って行われる。

図３は、図１の基板１０における熱容量が異なる３つの電子部品Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３のはんだ付け箇所を示す図である。これら３つの電子部品Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３は、それぞれ熱容量が異なることにより、はんだ付け可能温度に到達する時間が異なっている。

図４は、図３の３つの電子部品Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３のうちはんだ付け可能温度に到達する時間がもっとも遅い電子部品Ｅ３からはんだ付けを開始する場合に、３つ全ての電子部品Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３をはんだ付けするのに要する時間を表す図である。ここで、１部品あたりのはんだ付け時間をΔtfとおくと、電子部品Ｅ３がはんだ付け可能な温度に到達するt３時間経過後に、３部品分のはんだ付け時間３×Δtfが必要となり、１基板あたりのはんだ付け時間はt３+３×Δtfとなる。

一方、図５は、図３の３つの電子部品Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３のうちはんだ付け可能温度に到達した順に、それぞれ到達した時点からはんだ付けを開始する場合に、３つ全ての電子部品Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３をはんだ付けするのに要する時間を表す図である。この場合、電子部品Ｅ３がはんだ付け可能な温度に到達する時間t３までの間に、電子部品Ｅ１と電子部品Ｅ２のはんだ付けを終えることができる。こうすることにより、t３経過後にすべき作業は電子部品Ｅ３のはんだ付けのみとなり、１基板あたりのはんだ付け時間はt３+Δtfとなり、２×Δtf分の短縮ができる。

（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態にかかる局所フローはんだ付け装置を、図６を参照して説明する。図６において、第１の実施形態と同一構成部分には同一符号を付して説明を省略する。

上記第１の実施形態において，熱源６より電子部品Ｅ及び基板１０を加熱した場合、熱容量が大きい電子部品Ｅでは、はんだ付け可能な温度に到達するまでに時間がかかり、その時間が基板１枚あたりのはんだ付け時間を長くする原因となる。そこで、本実施形態では、局所フローはんだ付けの作業時に基板１０における溶融はんだ流体５が接触している場所の近傍においてもその溶融はんだ流体５の熱により温度上昇する性質を利用して、熱容量が大きい等、はんだ付け可能な温度に到達するまでに最も時間のかかる電子部品Ｅの最も近くに位置している電子部品Ｅのはんだ付けを、必ず前記最も時間のかかる電子部品Ｅのはんだ付けの直前に行う。こうすることにより、基板１枚あたりのはんだ付け時間を短縮することができる。

図６は、本発明の第２の実施形態にかかる局所フローはんだ付け装置においてはんだ付けする順番を説明するための図である。図６において、図１に示す局所フローはんだ付け装置１０１によりはんだ付け可能な温度に到達する順番が、(電子部品Ｅ１−１，電子部品Ｅ１−２)→(電子部品Ｅ２−１，電子部品Ｅ２−２)→電子部品Ｅ３であるとする。このとき電子部品Ｅ１−１と電子部品Ｅ１−２、もしくは電子部品Ｅ２−１と電子部品Ｅ２−２は同時にはんだ付け可能な温度に到達する。

本実施の形態に従うと、電子部品Ｅ１−２→(電子部品Ｅ２−１，電子部品Ｅ２−２) →電子部品Ｅ１−１→電子部品Ｅ３の順ではんだ付けを実施することとなる。電子部品Ｅ２−１，電子部品Ｅ２−２はどちらが先でもかまわない。こうすることにより、電子部品Ｅ１−１をはんだ付けする際に近傍に位置する電子部品Ｅ３について加熱が促成されるため、電子部品Ｅ３のはんだ付け可能な温度に達する時間が短縮され、結果、第１の実施形態以上に基板１枚あたりのはんだ付け時間を短縮することができる。

上記第２の実施形態では、はんだ付け可能な温度に到達するまでに最も時間のかかる電子部品Ｅの最も近くに位置している電子部品Ｅのはんだ付けを、前記最も時間のかかる電子部品Ｅのはんだ付けの直前に行っていたが、これ以外に、はんだ付け可能な温度に到達するまでの時間が所定時間を超える電子部品Ｅの最も近くに位置しかつはんだ付け可能な温度に到達するまでの時間が前記所定時間を超えない電子部品Ｅのはんだ付けを、前記所定時間を超える電子部品Ｅのはんだ付けの直前に行うようにしても良い。

（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態にかかる局所フローはんだ付け装置を説明する。本実施形態の局所フローはんだ付け装置は、第１の実施形態の局所フローはんだ付け装置１０１に、熱伝導、熱伝達解析によりはんだ付け可能な温度に到達する時間を予測し、その時間からはんだ付けする順番を決定する機能を付加したはんだ付け装置である。この機能は、局所フローはんだ付け装置１０１の制御部９に付加されている。

本実施形態によれば、はんだ付け可能な温度に到達する時間を実際に測定せずとも、事前に基板１枚あたりのはんだ付け時間を予測することができ、電子部品、基板等実物を用意する前に基板１枚あたりのはんだ付け時間を予測できる。このことにより、生産準備の効率化を実現できる。

（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態にかかる局所フローはんだ付け装置を、図７を参照して説明する。図７において、第１〜３の実施形態と同一構成部分には同一符号を付して説明を省略する。

図７に示す局所フローはんだ付け装置１０４は、第１〜３の実施形態の局所フローはんだ付け装置において、基板１０及び電子部品Ｅのうちの所定部分の温度を計測する温度計測手段７と、この温度計測手段７が計測した所定部分の温度に基き、はんだ付け箇所がはんだ付け可能な温度に到達したか否かを判断する温度判断手段と、をさらに備えている。温度計測手段７は、赤外線等電磁波を観測する非接触方式であっても、接触方式であっても良い。図７中の符号Ｒ１は、温度計測手段７の温度計測範囲を表している。また、前記温度判断手段は、制御部９に付加されている。

このように、温度計測手段７によって計測すれば、はんだ付け可能な温度に到達したことを実測により正確に判断し、はんだ付けすることができる。なお、第３の実施形態の局所フローはんだ付け装置は、上述したように、熱伝導、熱伝達解析によりはんだ付け可能な温度に到達する時間を予測する機能を備えているが、温度計測手段７を併用することにより、はんだ付け可能な温度に到達したことをより正確に判断することができる。

（第５の実施形態）
本発明の第５の実施形態にかかる局所フローはんだ付け装置を説明する。

本実施形態の局所フローはんだ付け装置は、第４の実施形態の局所フローはんだ付け装置１０４において、温度計測手段７が、電子部品Ｅのリード部の温度を計測する。本実施形態によれば、温度計測手段７が電子部品Ｅのリード部の温度を計測することから、放熱が大きい電子部品Ｅであるか判断でき、電子部品Ｅごとに適した所定のはんだ付け温度を設定できるので、はんだ付け品質を良好にすることができる。

（第６の実施形態）
本発明の第６の実施形態にかかる局所フローはんだ付け装置を説明する。

本実施形態の局所フローはんだ付け装置は、第４の実施形態の局所フローはんだ付け装置１０４において、温度計測手段７が、基板１０のランド上面の温度を計測する。本実施形態によれば、温度計測手段７が基板１０のランド上面の温度を計測することから、放熱が大きい基板ランド位置であるか判断でき、ランドごとに適した所定のはんだ付け温度を設定できるので、はんだ付け品質を良好にすることができる。

（第７の実施形態）
本発明の第７の実施形態にかかる局所フローはんだ付け装置を、図８を参照して説明する。図８において、第１〜６の実施形態と同一構成部分には同一符号を付して説明を省略する。

図８に示す局所フローはんだ付け装置１０７は、第１の実施形態の局所フローはんだ付け装置１０１に、電子部品Ｅ及び基板１０の温度を計測する温度計測手段と、前記温度計測手段が計測した電子部品Ｅ及び基板１０の温度とこれら電子部品Ｅ及び基板１０の耐熱温度との比較に基いて、熱源６の加熱範囲Ｒ２外に電子部品Ｅ及び基板１０を退避させるか否かを決定する退避判断手段と、をさらに備え、熱源６又は基板１０が稼動することにより熱源６の加熱範囲Ｒ２外に電子部品Ｅ及び基板１０を退避させることができるはんだ付け装置である。前記退避判断手段は、制御部９に付加されている。図８には、基板１０が矢印Ｓ方向に水平移動することにより、電子部品Ｅ及び基板１０が熱源６の加熱範囲Ｒ２外に退避した状態が示されている。

電子部品Ｅ、基板１０は、耐熱温度以上になると、内部空間の膨張や焼失や熱膨張による剥離等が発生し、故障することが分かっている。よって、本実施形態では、はんだ付け時の加熱により前記故障を発生させないために、すなわち電子部品Ｅ及び基板１０の耐熱温度以下の温度ではんだ付けすることができるように、上述した機能を付加している。

（第８の実施形態）
本発明の第８の実施形態にかかる局所フローはんだ付け装置を、図９を参照して説明する。図９において、第１〜７の実施形態と同一構成部分には同一符号を付して説明を省略する。

図９に示す局所フローはんだ付け装置１０８は、第７の実施形態の局所フローはんだ付け装置１０７において、熱源６の加熱範囲Ｒ２外に退避した電子部品Ｅ及び基板１０を冷却する冷却手段８をさらに備えたはんだ付け装置である。熱源６の加熱範囲Ｒ２外に電子部品Ｅが出ると、熱伝導、熱伝達による部品温度は下降するが、例えば空冷や接触式の積極的に冷却する冷却手段８により、短時間で温度を下降させることができる。

（第９の実施形態）
本発明の第９の実施形態にかかる局所フローはんだ付け装置を、図１０を参照して説明する。図１０において、第１〜８の実施形態と同一構成部分には同一符号を付して説明を省略する。

図１０に示す局所フローはんだ付け装置１０９は、第１の実施形態の局所フローはんだ付け装置１０１において、熱源６の代わりにパネル式加熱装置６’を備えたはんだ付け装置である。パネル式加熱装置６’は、基板１０の上側に、該基板１０と平行に配置されている。

この局所フローはんだ付け装置１０９は、パネル式加熱装置６’及び制御部９によって、基板１０の一部だけを加熱しないように部分的に熱エネルギーを発しない制御をしたり、逆に基板１０の一部分だけを加熱するように部分的に熱エネルギーを発する制御をしたり、集光等により制御したりすることが可能である。

図１０は、パネル式加熱装置６’の中心エリア５のみ加熱を停止し，残りエリア１〜４、６〜９は加熱し続けている状態を示している。このように、パネル式加熱装置６’、基板１０、電子部品Ｅの位置により、加熱を停止したい電子部品Ｅを加熱しているエリアの加熱を適宜停止することで、電子部品Ｅ及び基板１０の耐熱温度以下の温度ではんだ付けすることができる。

本実施形態によれば、熱容量が異なる電子部品Ｅが混在し、はんだ付け可能な温度に到達する時間も大きく異なった複数の電子部品Ｅに対し、該電子部品Ｅの耐熱温度以下の温度で良好にはんだ付けすることができる。また、第７の実施形態の局所フローはんだ付け装置１０７で説明した基板１０の退避動作を省くことができるので、タクト増加を防ぐことができる。

なお、本実施形態では、基板１０又はパネル式加熱装置６’を物理的に移動させることなく、パネル式加熱装置６’の各エリアの加熱を適宜停止することで、基板１０及び電子部品Ｅを熱源の加熱範囲外に退避させているが、基板１０又はパネル式加熱装置６’を物理的に移動させることで基板１０及び電子部品Ｅを熱源の加熱範囲外に退避させる構成としても良い。

（第１０の実施形態）
本発明の第１０の実施形態にかかる局所フローはんだ付け装置を説明する。

本実施形態の局所フローはんだ付け装置は、第１〜９の実施形態の局所フローはんだ付け装置において、基板１０上の部品配置を、電子部品Ｅの熱容量、熱伝導度等よりはんだ付け時間が短縮される順番としている。

熱容量が大きい電子部品Ｅは、熱容量が小さい電子部品Ｅと比較し、同じ熱入力に対し温度上昇に時間がかかる。そのため、前記熱容量が大きい電子部品Ｅがはんだ付け可能な温度に到達するまでの時間が、基板１枚あたりのはんだ付け時間の多数を占めることになる。しかし、本願発明者が鋭意研究した結果、溶融はんだ流体５を基板１０に接触させた場合、接触しているごく近傍だけでなく、数倍の範囲においてもはんだ付け可能な温度に到達することが分かった。この性質を活用することにより、熱容量が大きい電子部品Ｅがはんだ付け可能な温度に到達するまでの時間を短縮することができ、基板１枚あたりのはんだ付け時間を短縮することができる。

具体的には、まず、基板１０上で、熱容量が小さい電子部品Ｅの近傍に、熱容量の大きい電子部品Ｅを配置する。次に、熱容量の小さい電子部品Ｅがはんだ付け可能な温度に到達した段階で、熱容量の小さい電子部品Ｅをはんだ付けする。このとき、前記はんだ付け時の溶融はんだ流体５等からの熱により、近傍に配置された熱容量の大きい電子部品Ｅの温度が急激に上昇し、はんだ付け可能な温度に到達する。次にはんだ付けできる温度に達した前記熱容量の大きい電子部品Ｅをはんだ付けすれば良い。

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。

５ 溶融はんだ流体
６ 熱源
６’ パネル式加熱装置（熱源）
１０ 基板
１０１ 局所フローはんだ付け装置
１０４ 局所フローはんだ付け装置
１０７ 局所フローはんだ付け装置
１０８ 局所フローはんだ付け装置
１０９ 局所フローはんだ付け装置
Ｅ 電子部品

特開平９−２８３９１１号公報

Claims (8)

1. 基板における複数のはんだ付け箇所を、前記基板の下面側に溶融はんだ流体を部分的に当てることによりはんだ付けする局所フローはんだ付け装置であって、
   前記基板の上側に配置されて、前記基板及び前記基板上面に載置された電子部品を加熱する熱源を備え、
   はんだ付け可能な温度に到達するまでの時間が所定時間を超えるはんだ付け箇所をはんだ付けする直前に、当該はんだ付け箇所に最も近くかつはんだ付け可能な温度に到達するまでの時間が前記所定時間を超えないはんだ付け箇所をはんだ付けする
   ことを特徴とする局所フローはんだ付け装置。
2. 基板における複数のはんだ付け箇所を、前記基板の下面側に溶融はんだ流体を部分的に当てることによりはんだ付けする局所フローはんだ付け装置であって、
   前記基板の上側に配置されて、前記基板及び前記基板上面に載置された電子部品を加熱する熱源を備え、
   はんだ付け可能な温度に到達する順番を、熱伝導・熱伝達解析により予測し、前記順番に基いてはんだ付けする
   ことを特徴とする局所フローはんだ付け装置。
3. 前記基板及び前記電子部品のうちの所定部分の温度を計測する温度計測手段と、
   はんだ付け箇所がはんだ付け可能な温度に到達したか否かを判断する温度判断手段と、を備えた
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の局所フローはんだ付け装置。
4. 前記温度計測手段は、前記電子部品のリード部の温度を計測する
   ことを特徴とする請求項３に記載の局所フローはんだ付け装置。
5. 前記温度計測手段は、前記基板のランド上面の温度を計測する
   ことを特徴とする請求項３に記載の局所フローはんだ付け装置。
6. 基板における複数のはんだ付け箇所を、前記基板の下面側に溶融はんだ流体を部分的に当てることによりはんだ付けする局所フローはんだ付け装置であって、
   前記基板の上側に配置されて、前記基板及び前記基板上面に載置された電子部品を加熱する熱源と、
   前記基板及び前記電子部品のうちの所定部分の温度を計測する温度計測手段と、
   前記温度計測手段が計測した所定部分の温度と当該所定部分の耐熱温度との比較に基いて、前記熱源の加熱範囲外に前記所定部分を退避させるか否かを決定する退避判断手段と、を備えた
   ことを特徴とする局所フローはんだ付け装置。
7. 前記熱源の加熱範囲外に配置された冷却手段を備えた
   ことを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の局所フローはんだ付け装置。
8. 加熱エリアが分割されているとともに各加熱エリアごとに前記熱源が設けられ、
   各熱源ごとにＯＮ/ＯＦＦが可能とされている
   ことを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の局所フローはんだ付け装置。

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