JP6807426B2 - 金被覆銀ボンディングワイヤとその製造方法、及び半導体装置とその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、金被覆銀ボンディングワイヤとその製造方法、及びそのワイヤを用いた半導体装置とその製造方法に関する。

半導体チップの電極とリードフレームや回路基板等の回路基材の外部電極とは、例えばワイヤボンディングにより接続される。ワイヤボンディングでは、例えばボール接合と呼ばれる方式により半導体チップの電極にボンディングワイヤの一端を接合（第１接合）し、ウェッジ接合と呼ばれる方式によりボンディングワイヤの他端を回路基材の外部電極に接合（第２接合）することが一般的である。ボール接合においては、ボンディングワイヤの一端を放電等により溶融させ、表面張力等により球形状に凝固させてボールを形成する。凝固したボールはフリーエアーボール（Ｆｒｅｅ Ａｉｒ Ｂａｌｌ：ＦＡＢ）と呼ばれ、超音波併用熱圧着ボンディング法等により半導体チップの電極に接続される。

ボンディングワイヤには、金ワイヤ、銀ワイヤ、銅ワイヤ、アルミニウムワイヤ等の金属ワイヤ、またこれらに他の金属を被覆した被覆ワイヤ等が用いられている。半導体装置は、ワイヤボンディングにより接続された半導体チップ及び回路基材を樹脂封止することにより構成され、例えばメモリチップを内蔵する半導体記憶装置等が知られている。このような半導体装置においては、例えば装置の小型化、記憶容量の高容量化のような高性能化、高機能化等を図るために、素子の形成密度や配線密度の高密度化が進められており、それに伴って半導体チップの電極の形成ピッチの狭ピッチ化が図られている。電極間が狭ピッチ化されると、ボンディングワイヤの一端をボールボンディングしたボール圧縮部において、隣接するボール圧縮部間にイオンマイグレーションが発生し、電極間に短絡が発生する現象（イオンマイグレーション）が発生しやすくなる。

イオンマイグレーションは、集積回路の信頼性や健全性を損なう要因となる。イオンマイグレーションの形態としては、一般的にデンドライトと呼ばれる基板表層の並行した電極間において樹枝状に金属が析出した状態、あるいはＣＡＦ（Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ａｎｏｄｉｃ Ｆｉｌａｍｅｎｔ）と呼ばれる基板内層を主としてガラス繊維とエポキシ樹脂との境界で、陽極から溶出した金属イオンが析出した状態がある。半導体装置において懸念されるイオンマイグレーションの形態はデンドライトである。半導体装置では、半導体チップや基材とエポキシ樹脂との境に隙間が生じる場合があり、エポキシ樹脂から浸透した水分と絶縁されたチップ上の電極間に印加される電界が作用し、陽極の金属のイオン化が生じ、金属イオンがボール圧縮部間を移動した後に陰極で還元されて析出する。この現象は電界が印加されている間、連続的に生じるため、樹枝状に析出した金属はやがて陽極に達することにより、絶縁劣化や短絡が起きる。

イオンマイグレーションの起こり易さは、導体金属の種類、電極間に印加される電界強度等によって異なることが知られている。導体金属に関しては、一般的に銀（Ａｇ）→銅（Ｃｕ）→鉛（Ｐｂ）→錫（Ｓｎ）→亜鉛（Ｚｎ）→金（Ａｕ）の順に発生しやすいとされている。例えば、イオンマイグレーションは金ボンディングワイヤを用いたボール圧縮部間では発生しにくい反面、銀ボンディングワイヤを用いたボール圧縮部間では発生しやすい。銀ボンディングワイヤは金ボンディングワイヤより安価であるのに対し、耐久性や導電性が同等であり、また、銅ボンディングワイヤに比べて変形能が高く応力を吸収しやすいため、熱応力によるクラック等の破壊耐性に優れている。しかし、その反面、銀ボンディングワイヤは上記したように電極間の狭ピッチ化等に基づいてイオンマイグレーションが発生しやすくなる。また、電界強度は電極間に印加する電圧と電極間距離によって決定され、電界強度が高くなるにつれてイオンマイグレーションが起こり易くなる。近年、半導体装置は消費電力の低下が推進され、印加される電圧は低くなる傾向にある反面、狭ピッチ化が進むにつれて電界強度はますます高くなると予測されるため、その抑制が強く求められている。しかし、銀のイオンマイグレーションを抑制するために、金やパラジウムを合金化する方法が知られているが、銀合金線は純銀にパラジウムや金を合金化させていることで電気抵抗が高くなるという問題が生じている。

そこで、銀ボンディングワイヤに関しては、銀芯材の表面に金や金合金の被覆層を形成することも提案されている。しかし、被覆層中の金は銀の電界印加や水分によるイオン化の抑制材として機能するものの、単に被覆層を形成しただけではイオンマイグレーションを有効に抑制することができない。すなわち、金被覆銀ボンディングワイヤの一端を溶融させてボールを形成した際に、被覆層中の金が溶融した銀芯材中に入り込み、この状態で凝固させることによって、ＦＡＢの表面への銀の露出量が増加する。このようなＦＡＢを電極に接合した場合、ボール圧縮部の表面に比較的多く存在する銀がイオンマイグレーションを起こすため、ボール圧縮部間の絶縁劣化や短絡を効果的に抑制することができない。

従来の被覆銀ボンディングワイヤに関して、例えば国際公開２０１３／１２９２５３号（特許文献１）は、Ａｇ又はＡｇ合金ワイヤの表面にＰｄ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｓｎの１種以上又はこれらの合金もしくはこれら金属の酸化物又は窒化物を有するワイヤ被覆層を有するボンディングワイヤを開示している。特許文献１には、パワー半導体装置内の接続に被覆層を有するＡｇ又はＡｇ合金ワイヤを用いた場合に、Ａｇイオンとして溶出するマイグレーション等を防止することが開示されている。しかしながら、特許文献１は金属ワイヤをウェッジ接合することを前提としているため、ＦＡＢ形成時に被覆層の構成元素がＡｇワイヤ中に入り込むことを考慮しておらず、さらに構成元素のＡｇワイヤ中への入り込みを抑制するための構成を開示していない。

また、特開２００１−１９６４１１号公報（特許文献２）は、Ａｇ線と、Ａｇ線を被覆するＡｕ膜とを有し、Ａｕ膜はＮａ、Ｓｅ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｂｅ、Ｋ、Ｃ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｌａ、Ｙ、Ｃｅの少なくとも１つの元素を含むボンディングワイヤを開示している。特許文献２は、Ａｕ被覆したＡｇワイヤではＦＡＢの形状が軸対称にならないことから、Ａｕ膜に上記した元素を含有させてアーク放電が一点に集中することを抑制し、表面全体からアークを生じさせてＦＡＢの形状を安定化させることを開示している。しかしながら、特許文献２はＦＡＢ形成時にＡｕがＡｇ線中に入り込むことを考慮しておらず、さらにＡｕのＡｇ線への入り込みを抑制するための構成を開示していない。従って、特許文献２は金被覆銀ボンディングワイヤを用いた際にイオンマイグレーションが生じることを示唆しておらず、さらにイオンマイグレーションを抑制するための金被覆銀ボンディングワイヤの構成を開示していない。

国際公開２０１３／１２９２５３号 特開２００１−１９６４１１号公報

本発明が解決しようとする課題は、ボール圧縮部間のイオンマイグレーションに基づく短絡等を抑制することを可能にした金被覆銀ボンディングワイヤとその製造方法を提供することにある。また、そのような金被覆銀ボンディングワイヤを用いることによって、電極間が狭ピッチ化された場合においても、ボール圧縮部間の絶縁信頼性等を高めることを可能にした半導体装置とその製造方法を提供することを課題とする。

本発明における第１の金被覆銀ボンディングワイヤは、銀を主成分として含む芯材と、芯材の表面に設けられ、金を主成分として含む被覆層とを有する。本発明の第１の金被覆銀ボンディングワイヤは、ワイヤの全体量に対して、２質量％以上７質量％以下の範囲で金を含み、かつ１質量ｐｐｍ以上８０質量ｐｐｍ以下の範囲で硫黄、セレン、及びテルルから選ばれる少なくとも１つの硫黄族元素を含む。

本発明における第２の金被覆銀ボンディングワイヤは、銀を主成分として含む芯材と、芯材の表面に設けられ、金を主成分として含む被覆層とを有する。本発明の第２の金被覆銀ボンディングワイヤは、ワイヤの全体量に対して、２質量％以上７質量％以下の範囲で金を含み、かつ硫黄、セレン、及びテルルから選ばれる少なくとも１つの硫黄族元素を含み、金被覆銀ボンディングワイヤの一端にフリーエアーボールを形成したとき、フリーエアーボールは、ボンディングワイヤとフリーエアーボールの断面図において、ワイヤとボールとのネック部を結ぶ線の中点からボールの最下点に相当する位置まで伸ばした垂線上で、ネック部を結ぶ線の中点から６０％以上の位置に相当する箇所に金濃化領域を有する。

本発明の金被覆銀ボンディングワイヤの製造方法は、銀を主成分として含む芯材と、芯材の表面に設けられ、金を主成分として含む被覆層とを有する金被覆銀ボンディングワイヤの製造方法であって、金被覆銀ボンディングワイヤは、ワイヤの全体量に対して、２質量％以上７質量％以下の範囲で金を含み、かつ１質量ｐｐｍ以上８０質量ｐｐｍ以下の範囲で硫黄、セレン、及びテルルから選ばれる少なくとも１つの硫黄族元素を含む。

本発明の半導体装置は、少なくとも１つの電極を有する１つ又は複数の半導体チップと、リードフレーム又は基板とを備え、半導体チップの電極とリードフレームとの間、半導体チップの電極と基板の電極との間、及び複数の半導体チップの電極間から選ばれる少なくとも１つを金被覆銀ボンディングワイヤで接続した半導体装置において、金被覆銀ボンディングワイヤは、銀を主成分として含む芯材と、芯材の表面に設けられ、金を主成分として含む被覆層とを有し、金被覆銀ボンディングワイヤは、ワイヤの全体量に対して、２質量％以上７質量％以下の範囲で金を含み、かつ１質量ｐｐｍ以上８０質量ｐｐｍ以下の範囲で硫黄、セレン、及びテルルから選ばれる少なくとも１つの硫黄族元素を含む。

本発明の半導体装置の製造方法は、少なくとも１つの電極を有する１つ又は複数の半導体チップと、リードフレーム又は基板とを備え、半導体チップの電極とリードフレームとの間、半導体チップの電極と基板の電極との間、及び複数の半導体チップの電極間から選ばれる少なくとも１つを金被覆銀ボンディングワイヤで接続した半導体装置の製造方法であって、金被覆銀ボンディングワイヤは、銀を主成分として含む芯材と、芯材の表面に設けられ、金を主成分として含む被覆層とを有し、金被覆銀ボンディングワイヤは、ワイヤの全体量に対して、２質量％以上７質量％以下の範囲で金を含み、かつ１質量ｐｐｍ以上８０質量ｐｐｍ以下の範囲で硫黄、セレン、及びテルルから選ばれる少なくとも１つの硫黄族元素を含む。

本発明の金被覆銀ボンディングワイヤ及びその製造方法によれば、被覆層が含有する硫黄族元素（硫黄、セレン、及びテルルの少なくとも１つ）が、ボンディングワイヤの一端にフリーエアーボール（ＦＡＢ）を形成する際に、ＦＡＢの表面に金濃化領域の形成を促進する。ＦＡＢ表面の金濃化領域によりイオンマイグレーションが抑制される。従って、本発明の金被覆銀ボンディングワイヤの一端を電極にボール接合した際の電極間の短絡等を抑制することができ、さらに大気中でボールボンディングをすることが期待できる。

本発明の半導体装置及びその製造方法によれば、ＦＡＢ表面に形成された金濃化領域によって、イオンマイグレーションの発生が抑制される。従って、電極間が狭ピッチ化した場合においても、絶縁劣化や短絡等を抑制することをできるため、半導体装置の製造性や信頼性等を高めることができる。

実施形態の金被覆銀ボンディングワイヤを示す縦断面図である。 実施形態の金被覆銀ボンディングワイヤを示す横断面図である。 実施形態の金被覆銀ボンディングワイヤの一端にＦＡＢを形成した状態を示す断面図である。 従来の金被覆銀ボンディングワイヤの一端に形成されたＦＡＢ表面の金濃化領域を示すＥＰＭＡ画像である。 実施形態の金被覆銀ボンディングワイヤの一端に形成されたＦＡＢ表面の金濃化領域を示すＥＰＭＡ画像である。 実施形態の金被覆銀ボンディングワイヤの一端に形成されたＦＡＢ表面の金濃化領域の分析位置の一例を示す断面図である。 実施形態の金被覆銀ボンディングワイヤの一端に形成されたＦＡＢ表面の金濃化領域の分析位置の他の例を示す断面図である。 実施形態の半導体装置の樹脂封止する前の段階を示す断面図である。 実施形態の半導体装置の樹脂封止した段階を示す断面図である。 実施形態の半導体装置における半導体チップの電極に接合されたボール圧縮部を示す断面図である。 図１０に示すボール圧縮部を拡大して示す断面図である。

以下、本発明の実施形態の金被覆銀ボンディングワイヤとその製造方法、及び半導体装置とその製造方法について、図面を参照して説明する。各実施形態において、実質的に同一の構成部位には同一の符号を付し、その説明を一部省略する場合がある。図面は模式的なものであり、厚さと平面寸法との関係、各部の厚さの比率、縦寸法と横寸法との比率等は現実のものとは異なる場合がある。

（金被覆銀ボンディングワイヤ及びその製造方法）
図１及び図２に示すように、実施形態の金被覆銀ボンディングワイヤ１は、銀（Ａｇ）を主成分とする芯材（銀芯材とも記す）２と、芯材２の表面に設けられ、金（Ａｕ）を主成分として含むと共に、硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）、及びテルル（Ｔｅ）から選ばれる少なくとも１つの硫黄族元素を含む被覆層３とを有する。実施形態の金被覆銀ボンディングワイヤ１において、芯材２及び被覆層３の全体量（ワイヤ１の全体量）に対して、金は２質量％以上７質量％以下の範囲で含まれ、硫黄族元素は１質量ｐｐｍ以上８０質量ｐｐｍ以下の範囲で含まれる。

銀を主成分とする芯材（銀芯材）２は、実施形態のボンディングワイヤ１を主として構成するものであり、ボンディングワイヤ１の機能を主として担うものである。このような芯材２は、純銀により構成してもよいし、銀に添加元素を加えた銀合金により構成してもよい。ただし、銀ボンディングワイヤとしての機能を損なわないように、芯材２は銀を主成分として含むものとする。ここで、銀を主成分として含むとは、芯材２が５０質量％以上の銀を含むことを意味する。芯材２を銀合金で構成する場合、リン（Ｐ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、カルシウム（Ｃａ）、ロジウム（Ｒｈ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウム（Ｇａ）、及びインジウム（Ｉｎ）から選ばれる少なくとも１つの元素を含む銀合金を適用することが好ましいが、これに限定されるものではない。

芯材２を構成する銀合金における添加元素は、電極との接合性及び機械的強度の向上等に効果を示す。ただし、添加元素の含有量が多すぎると芯材２の抵抗が増加し、銀ボンディングワイヤとしての機能が低下するおそれがあることから、金被覆銀ボンディングワイヤ１の比抵抗が２．３μΩ・ｃｍ以下の範囲となるように添加元素の含有量を設定することが好ましい。具体的には、銀合金中の銀含有量は９８質量％以上であることが好ましい。純銀及び銀合金のいずれで芯材２を構成する場合においても、不可避的な不純物を含んでいてもよいが、金被覆銀ボンディングワイヤ１の比抵抗が２．３μΩ・ｃｍ以下の範囲となる不純物量であることが好ましい。

実施形態の金被覆銀ボンディングワイヤ１は、上記した銀を主成分とする芯材２の表面に設けられた被覆層３を有する。被覆層３は金を主成分として含んでいる。ここで、金を主成分として含むとは、被覆層３が５０質量％以上の金を含むことを意味する。被覆層３は、さらに硫黄、セレン、及びテルルから選ばれる少なくとも１つの硫黄族元素を含んでいる。なお、被覆層３は金及び硫黄族元素以外の元素を含んでいてもよい。

被覆層３中の硫黄族元素は、後に詳述するように、金被覆銀ボンディングワイヤ１にＦＡＢを形成した際に、ＦＡＢの表面領域への金濃化領域の形成を促進する。金濃化領域とは、ＦＡＢを形成したときにボール内部よりもボール表面に金の濃度が高い領域が形成されるが、その領域を指す。金濃化領域をＦＡＢの表面領域に形成することによって、金被覆銀ボンディングワイヤ１に形成したＦＡＢを用いてボール接合を行った際に、ボール圧縮部間のイオンマイグレーションを抑制することができる。すなわち、金を主成分とする被覆層３が硫黄族元素を含むことによって、溶融ボールの内部への金の入り込みが抑えられるため、ＦＡＢの表面領域に金濃化領域を形成することができる。従って、ＦＡＢ表面の銀濃度を低く抑えることができるため、ボール圧縮部間のイオンマイグレーションの発生を抑制することができる。

本発明で主張するＦＡＢ表面の金濃化領域が形成されるメカニズムは完全に解明されていないが、ＦＡＢが形成される過程において、被覆層３中の硫黄族元素は溶融状態の被覆層３の表面張力に作用し、金濃化領域の形成に寄与していると推測される。従来の金被覆銀ボンディングワイヤの場合、溶融銀の表面張力は溶融金の表面張力よりも小さく、表面張力の違いにより発生する流れ（マランゴニ対流）が表面張力の小さい方から大きい方へ、つまり溶融銀（溶融ボール）から溶融金（溶融状態の被覆された金）に向かって発生するため、溶融金はボール内部へ移動する。一方、硫黄族元素が被覆層３に存在する場合、溶融した被覆層３の表面張力は溶融銀よりも小さくなり、マランゴニ対流の向きが溶融金から溶融銀の方向へと反転するため、溶融金はＦＡＢ内部へ入り込まない。

上述した被覆層３中の硫黄族元素の効果が発揮されるタイミング及び金濃化領域が形成される過程について、ＦＡＢの形成過程に沿って説明する。ＦＡＢは金被覆銀ボンディングワイヤ１をリード又はバンプ上に第２接合した後、所定長さのワイヤが繰り出され、切断されたボンディングワイヤ１の先端と放電トーチの間にアーク放電を生じさせ、ワイヤ先端を溶融することにより形成される。ボンディングワイヤ１は第２接合の際キャピラリで押し潰されることにより変形するため、ボンディングワイヤ１とキャピラリが接触する領域は被覆層３が存在せず、芯材２が露出した状態となる。溶融ボール形成の初期段階では、この芯材２が露出したワイヤ先端のみ溶融されたボールは被覆層３が存在していない箇所が存在するため、金濃化領域は形成されない。変形していないワイヤ部が溶融されると、被覆層３中の硫黄族元素が溶融時の表面張力に作用し、溶融金はＦＡＢの内部へ入り込むことなくＦＡＢの表面領域に存在する。やがて、小さいボールから大きいボールへと成長してゆくが、金はボンディングワイヤ１から連続的に供給される。溶融金はアーク放電の熱により溶融した芯材２と合金化される。

被覆層３を有する金被覆銀ボンディングワイヤ１において、金はワイヤ１の全体量に対して、２質量％以上７質量％以下の範囲で含まれる。ワイヤ１の全体量に対する金の含有量が２質量％未満であると、銀芯材２を主体とする金被覆銀ボンディングワイヤ１に形成されたＦＡＢを用いたボール圧縮部間のイオンマイグレーションを抑制することができない。ワイヤ１の全体量に対する金の含有量が７質量％を超えると、溶融時のボール形状、ひいてはＦＡＢ形状の形成性等が低下すると共に、金被覆銀ボンディングワイヤ１の製造コストが上昇する。ワイヤ１の直径や被覆層３の厚さにもよるが、ワイヤ１の全体量に対する金の含有量は３．５質量％以上がより好ましく、５．５質量％以下がより好ましい。

被覆層３中に主として存在する硫黄族元素は、上記した金被覆銀ボンディングワイヤ１の全体量に対して、１質量ｐｐｍ以上８０質量ｐｐｍ以下の範囲で含まれることが好ましい。ワイヤ１の全体量に対する硫黄族元素の含有量が１質量ｐｐｍ未満であると、ＦＡＢの形成時における金の濃化効果、それによる金濃化領域の形成性を十分に得ることができない。ワイヤ１の全体量に対する硫黄族元素の含有量が８０質量ｐｐｍを超えると、被覆層３にクラックや割れ等が生じやすくなり、被覆層３の形成効果が低下すると共に、伸線加工等の加工性が低下し、所望の線径の金被覆銀ボンディングワイヤ１が得られにくくなる。なお、硫黄族元素は２種類以上を混合して適用してもよく、その場合には硫黄族元素の合計量が上記した含有範囲となるように調整する。

金被覆銀ボンディングワイヤ１の全体量における金の含有量及び硫黄族元素の含有量の算出方法について述べる。まず、金含有量を算出するために、ボンディングワイヤ１を希硝酸に入れ、芯材２を溶解した後、溶解液を採取する。この溶解液に塩酸を加え、超純水で定容液とする。被覆層３は希王水で溶解し、超純水で定容液とする。これらの定容液中の金の定量分析をＩＣＰ発光分光分析法（ＩＣＰ−ＡＥＳ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ Ａｔｏｍｉｃ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）で行うことにより、金含有量を測定する。

次に、硫黄族元素の含有量を算出する。被覆層３のセレン及びテルルの含有量は、ボンディングワイヤ１を希硝酸に入れ、芯材２を溶融した後に被覆層３を抽出する。さらに、被覆層３を希王水で加熱分解した後、超純水で定容した溶液を用いて測定する。この定容液中のセレン及びテルルの定量分析をＩＣＰ質量分析法（ＩＣＰ−ＭＳ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）を用いて測定する。一方、芯材２のセレン及びテルルの含有量は、ボンディングワイヤ１を希硝酸に入れ、芯材２を溶融した液を用いてＩＣＰ−ＭＳにより測定する。その後、被覆層３及び芯材２の金の含有量とセレン及びテルルの含有量からボンディングワイヤ１全体における金含有量とセレン及びテルルの含有量を算出する。また、上記以外にもＩＣＰ−ＡＥＳに水素化物発生装置を取り付けて、セレン及びテルルの水素化物を生成することによって分析する方法もある。

また、芯材２及び被覆層３の硫黄（Ｓ）の含有量は、ボンディングワイヤ１に対して燃焼赤外線吸収法を用いて測定する。測定１回あたりのボンディングワイヤ１の重量は０．５ｇ以上とすることが好ましい。試料が溶けにくい場合、必要に応じて助燃材を使用してもよい。

上述した金被覆銀ボンディングワイヤ１は、１３μｍ以上５０μｍ以下の線径（図１に示す直径Ｄ）を有することが好ましい。ワイヤ１の線径が１３μｍ未満であると、半導体装置の製造時にボンディングワイヤ１を用いてワイヤボンディングを行った際に、強度や導電性等が低下してワイヤボンディングの信頼性等が低下するおそれがある。ワイヤ１の線径が５０μｍを超えると、電極に対するボンディング性が低下するおそれがある。例えば、狭ピッチ化された半導体装置の電極の開口面積は小さくなり、電極の開口面積が８０μｍ以下となる。そこで、金被覆銀ボンディングワイヤ１のＦＡＢを電極の開口面積内に収めるようにＦＡＢを形成した場合、非対称ボール（偏芯ボール）が形成されるリスクが上昇するため、電極に対するボンディング性が低下するおそれがある。

上記した線径を有する金被覆銀ボンディングワイヤ１において、線径に応じて被覆層３の厚さは２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。被覆層３の厚さは、金を主成分とする領域のワイヤ１の表面から垂直方向に対して芯材２に向かう深さ方向の厚さを示すものである。被覆層３の厚さが２０ｎｍ未満であると、金被覆銀ボンディングワイヤ１に形成されたＦＡＢを用いたボール圧縮部間のイオンマイグレーションを、金を主成分とする被覆層３により十分に抑制できないおそれがある。被覆層３の厚さが５００ｎｍを超えると、被覆層３の形成性が低下するおそれがある。なお、被覆層３の厚さは金被覆銀ボンディングワイヤ１の線径に応じて設定することが好ましい。

被覆層３における金含有量は、多ければ多いほどイオンマイグレーションを抑制する効果が大きくなるため、少なくとも金が被覆層３中に５０質量％以上含まれていればよく、さらに、金含有量は８０％質量以上が好ましく、９９質量％以上がより好ましい。被覆層３の金含有量は、ボンディングワイヤ１の表面からオージェ電子分光（ＡＥＳ：Ａｕｇｅｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）によるワイヤ最表面の定量分析にて測定できる。なお、ここでいう金含有量は、検出される金属元素の合計量に対する値であり、表面に吸着等で存在している炭素や酸素等は含めない。

被覆層３の厚さは、以下のようにして測定するものとする。すなわち、金被覆銀ボンディングワイヤ１において、その表面からＡＥＳにより深さ方向に元素濃度分析を実施して、表面近傍に存在する金の含有量の最大値を１００％としたときの５０％に位置する箇所を境界部とし、その境界部から表面までの領域を被覆層３の厚さとして求める。金被覆銀ボンディングワイヤ１の表面から深さ方向へは、ＡＥＳ分析によって測定することができる。例えば、ワイヤ表面から銀芯材２に向かって被覆層３の各元素濃度を分析する手段として、ＡＥＳ分析による濃度測定が有効である。ここでは一例として日本電子製のオージェ電子分光装置（商品名：ＪＡＭＰ−９５００Ｆ）を用いて、一次電子線の加速電圧１０ｋＶ、照射電流５０ｎＡ、ビーム径約４μｍφに設定し、Ａｒイオンスパッタ速度をＳｉＯ_２換算値で約３．０ｎｍ／ｍｉｎの条件により実施した。

次に、実施形態の金被覆銀ボンディングワイヤ１を用いてワイヤボンディングを行うにあたって、図３に示すように、金被覆銀ボンディングワイヤ１の一端にＦＡＢ４が形成される。ＦＡＢ４の形成条件としては、例えば金被覆銀ボンディングワイヤ１の線径が１３μｍ以上５０μｍ以下である場合に、放電電流値が３０ｍＡ以上１２０ｍＡ以下、ＦＡＢ４直径がワイヤ線径の１．５倍以上２．０倍以下となるようにアーク放電条件を設定する。ボンダー装置は、例えばキューリック・アンド・ソッファ社製のボンダー装置（全自動ボンダー：ＩＣｏｎｎ ＰＬＵＳ）などの市販品を使用することができる。当該ボンダー装置を使用する場合、装置の設定として放電時間が５０μｓ以上１０００μｓ以下、ＥＦＯ−Ｇａｐが２０ｍｉｌ以上４０ｍｉｌ以下（約６３５μｍ以上１１４３μｍ以下）、テール長さが６ｍｉｌ以上１２ｍｉｌ以下（約１５２μｍ以上３０５μｍ以下）を適用することが好ましい。また、当該ボンダー装置以外のボンダー装置を用いる場合には、当該ボンダー装置と同等の条件、例えばＦＡＢ４の直径が当該ボンダー装置と同等の大きさになる条件であればよい。

このとき、実施形態の金被覆銀ボンディングワイヤ１を用いた場合、被覆層３に含有させた硫黄族元素により、ＦＡＢ４の表面領域、例えば形成されるＦＡＢ４の直径にもよるが表面から深さ方向に対して１０μｍ以下（あるいはＦＡＢ４の直径に対して１０％以下）の範囲に金濃化領域５が形成される。この金濃化領域５はＦＡＢ４と電極との接合後も維持されるため、イオンマイグレーションの抑制に対して効果を発揮する。金濃化領域５は上記の範囲内でＦＡＢ４の表面から内部に向かって濃度勾配が存在する。しかし、金濃化領域５の濃度勾配はあまり重要ではなく、イオンマイグレーションを抑制するためには、ＦＡＢ４の表面の金濃度がより重要である。

すなわち、従来の金被覆銀ボンディングワイヤのように、銀芯材の表面に硫黄族元素を含有していない金層を形成した場合、金層を有するワイヤの一端を溶融させてボールを形成した際に、銀芯材により主として構成される溶融ボールの内部への金層中の金が入り込むことで、溶融ボールのネック側に対して、部分的に金濃化領域が形成されるものの、ボール表面の大部分に対して金濃化領域が形成されない。溶融ボールを凝固させて形成したＦＡＢ表面の組成はそのまま維持される。従って、図４に示すように、銀芯材の表面に金層を形成していても、イオンマイグレーションの抑制に対して効果的な位置に金濃化領域を形成することができない。

これに対して、被覆層３が所定量の硫黄族元素を含んでいると、溶融ボールの内部への金の入り込みが抑制され、溶融ボールの内部に吸収されなかった金が表面近傍に存在して金濃化領域を形成する。この表面近傍に金濃化領域を有する溶融ボールを凝固させてＦＡＢ４を形成することによって、図５に示すようにＦＡＢ４の表面領域に金濃化領域５が形成される。金濃化領域５は、上述したようにボール圧縮部間のイオンマイグレーションの発生を抑制する効果を示す。なお、ＦＡＢ４の金濃化領域５は、イオンマイグレーションの発生を抑制する上で、金被覆銀ボンディングワイヤ１とＦＡＢ４とのネック部６から６０％以上の表面に形成されていることが好ましい。金濃化領域５はＦＡＢ４の全表面に形成されていなくてもよく、ネック部６から６０％以上の表面に金濃化領域５が形成されていれば、イオンマイグレーションの抑制効果を得ることができる。なお、ここで規定するＦＡＢ４のネック部６から６０％以上の表面とは、ボンディングワイヤ１とＦＡＢ（ボール）４の断面図において、ワイヤ１とボール４とのネック部６を結ぶ線の中点からボール４の最下点に相当する位置まで伸ばした垂線上で、ネック部６を結ぶ線の中点から６０％以上の位置に相当する箇所（ボール４の表面）を意味する。具体的な金濃化領域５の形成範囲の特定方法及び測定方法については、後に詳述する。

図４及び図５に示すように金濃化領域５の形成は、ボール断面から電子線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｒｏｂｅ Ｍｉｃｒｏ Ａｎａｌｙｚｅｒ）の面分析（例えば、加速電圧１５ｋＶ、照射電流２９０ｎＡ）により観察することができる。

上記したイオンマイグレーションの抑制効果を良好に得る上で、金濃化領域５の銀と金の合計量に対する金濃度は８質量％以上であることが好ましく、さらに１０質量％以上であることがより好ましい。言い換えると、ＦＡＢ４の表面の銀及び金の合計量に対する金濃度を８質量％以上とすることによって、ＦＡＢ４を用いて形成したボール圧縮部間のイオンマイグレーションを抑制することができる。ＦＡＢ４の表面の金濃度が８質量％未満で、ＦＡＢ４の表面における金濃度が低いと、相対的に表面の銀濃度が上昇することになるため、上記したイオンマイグレーションを効果的に抑制することができない。すなわち、そのようなＦＡＢ４の表面は金濃化領域５の効果を示さない。

前述したように、金濃化領域５はボンディングワイヤ１とＦＡＢ（ボール）４の断面図において、ワイヤ１とボール４とのネック部６を結ぶ線の中点からボール４の最下点に相当する位置まで伸ばした垂線上で、ネック部６を結ぶ線の中点から６０％以上の位置に相当するボール４の表面に形成されている。ＦＡＢ４の表面に形成される金濃化領域５の形成範囲について、図６及び図７の断面図を参照して述べる。なお、図６及び図７は断面図であるが、金濃化領域５の形成範囲及び分析位置を明確に示すためにハッチングを入れていない。また、図６は以下に記す点Ａと点Ｂが水平である場合を示す。まず、ワイヤ１とボール（ＦＡＢ）４の断面図において、ワイヤ１とボール４とのネック部（境界部）を示す点Ａ、点Ｂを通り、ワイヤの長手方向（軸方向）に対して垂直な線（線ＡＢ）を引き、この点Ａ及び点Ｂの中点を点Ｎとする。次に、ボール４の先端部（点Ｃ／最下点）を通り、ワイヤ１の長手方向に対して垂直な線（線Ｃ）を引く。ボール４の左右に線ＡＢと線Ｃに対して垂直な線（線ＦＧ、線ＨＩ）を任意に引く。次に、線ＡＢと線ＦＧとの交点を点Ａ’、線Ｃと線ＦＧの交点を点Ｃ’、線ＨＩと線ＡＢの交点を点Ｂ’、線ＨＩと線Ｃの交点を点Ｃ”とする。次に、点Ａ’と点Ｃ’を通る線Ａ’Ｃ’上にある任意の点を点Ｄ’とする。同様に、線Ｂ’Ｃ”上にある任意の点を点Ｅ’とする。また、点Ｄ’、点Ｅ’をボール４の円周上に投影させた点を点Ｄ、点Ｅとする。さらに、線Ａ’Ｃ’上において、点Ａ’からの距離が５０％の点を点Ｄ_１’、６０％の点を点Ｄ_２’、７０％の点を点Ｄ_３’とし、各々の点をボール４の円周上に投影させた点を点Ｄ_１、点Ｄ_２、点Ｄ_３とする。同様に線Ｂ’Ｃ”上において、点Ｂ’からの距離が５０％の点を点Ｅ_１’、６０％の点を点Ｅ_２’、７０％の点を点Ｅ_３’とし、各々の点をボール４の円周上に投影させた点を点Ｅ_１、点Ｅ_２、点Ｅ_３とする。

ここで、図６はネック部６の点Ａと点Ｂが水平の場合を示しているが、点Ａと点Ｂが水平でない場合を図７に示す。そのような場合には、ワイヤ１とボール４との境界部を示す点Ａと点Ｂを通る線（線ＡＢ）を引き、この線ＡＢの中点を点Ｎとする。次に、ボール４の先端部（点Ｃ／最下点）を通り、ワイヤ１の長手方向に対して垂直な線（線Ｃ）を引く。線ＡＢの中点である点Ｎを通り、線Ｃに平行な線Ａ’Ｂ’をボール４の左右外側まで延ばして引く。線Ｃ及び線Ａ’Ｂ’を基準とし、図６と同様にして、線ＦＧ、線ＨＩを引いて、線Ａ’Ｂ’と線ＦＧとの交点（点Ａ’）、線Ｃと線ＦＧの交点（点Ｃ’）、線ＨＩと線Ａ’Ｂ’の交点（点Ｂ’）、線ＨＩと線Ｃの交点（点Ｃ”）をそれぞれ設定する。そして、点Ａ’と点Ｃ’を通る線Ａ’Ｃ’上にある任意の点を点Ｄ’とし、線Ｂ’Ｃ”上にある任意の点を点Ｅ’とする。点Ｄ’、点Ｅ’をボール４の円周上に投影させた点を点Ｄ、点Ｅとする。さらに、線Ａ’Ｃ’上において、点Ａ’からの距離が５０％の点を点Ｄ_１’、６０％の点を点Ｄ_２’、７０％の点を点Ｄ_３’とし、各々の点をボール４の円周上に投影させた点を点Ｄ_１、点Ｄ_２、点Ｄ_３とする。同様に線Ｂ’Ｃ”上において、点Ｂ’からの距離が５０％の点を点Ｅ_１’、６０％の点を点Ｅ_２’、７０％の点を点Ｅ_３’とし、各々の点をボール４の円周上に投影させた点を点Ｅ_１、点Ｅ_２、点Ｅ_３とする。

ＦＡＢ４の表面に形成された金濃化領域５の形成範囲を確認する方法として、上記した図６及び図７に示すＦＡＢ４の点Ｄと点Ｅをライン分析する方法がある。ライン分析で各々の点を計測し、金濃度が８質量％以上となれば、その点まで金濃化領域５が形成されているということができる。金濃化領域５は、ワイヤ１側から徐々にボール４の先端側に向かって形成されていくので、この点Ｄと点Ｅに金濃化領域が存在しているということは、これらの点よりもワイヤ４側の円周上（図に示す曲線ＡＤと曲線ＢＥ）にも金濃化領域５が形成されていることを示す。点Ｄ及び点Ｅが点Ａ’及び点Ｂ’からの距離が６０％の点Ｄ_２’及び点Ｅ_２’に相当する点（点Ｄ_２及び点Ｅ_２）であれば、イオンマイグレーションを有効に防ぐことができる。すなわち、点Ｄ_２と点Ｅ_２はボール接合したとき、ボール圧縮部とチップ電極との接合界面の末端付近に位置する部分であるため、隣り合うボールボンディングされたボール圧縮部に最も近い箇所に相当する。そのため、これらの点Ｄ_２及び点Ｅ_２に金濃化領域５が形成されることがイオンマイグレーションを防ぐためには最も有効である。ただし、まれにボール圧縮部を形成する際、キャピラリとの接触、塑性変形時のダメージ、チップ上の電極との接合時に印加される超音波との摩擦等により、曲線ＡＤ及び曲線ＢＥにおいて、金が濃化していない領域が局所的に露出する可能性がある。しかし、金濃化領域５が点Ｄ_２及び点Ｅ_２に形成されることがイオンマイグレーションの抑制効果に重要なため、曲線ＡＤ及び曲線ＢＥに金濃化領域５が局所的に形成されていない場合でも、イオンマイグレーションの抑制効果に悪影響を及ぼさない。

実施形態の金被覆銀ボンディングワイヤ１の一端に形成されたＦＡＢ４表面の金濃化領域５の金濃度の測定方法について、具体的に述べる。まず、ワイヤ１に形成されたＦＡＢ４（ボールにつながっているワイヤ部も含む）を円筒状の型（かた）内に、ボール４のワイヤ１の長手方向と平行な断面が研磨できる向きに置き、埋め込み樹脂を流し込み、硬化剤を添加して硬化させる。その後、硬化させた円筒状の樹脂をなるべくボール４の中心付近が露出するように研磨器にて粗研磨する。おおよそボール４の中心断面近くまで研磨したら、最終研磨仕上げ及びボール中心部を含む面がちょうど露出して分析面の位置になるようにイオンミリング装置にて微調整する。ワイヤ１の断面の幅がワイヤ１の直径の長さになれば、切断面がボール４の中心部を含む面である目安となる。

金濃化領域５の形成の有無を定量的に測定するには、上記のＦＡＢ４の分析面（研磨断面）において、ボール４の外側（埋め込み樹脂側）からボール４の内部中心に向けて、電界放出型走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ：Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ−Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）付属のエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）によってライン分析することで金濃化領域５を確認できる。ライン分析条件は、日立ハイテクノロジーズ社製のＦＥ−ＳＥＭ ＳＵ８２２０とブルカー社製のＸＦｌａｓｈ（Ｒ）５０６０ＦＱを用いて、加速電圧６ｋｅＶ、測定長さ２μｍ、測定間隔０．０３μｍ、測定時間６０秒とする。ライン分析の濃度プロファイルにて、ＦＡＢ４と埋め込み樹脂の界面からＦＡＢ４内部の１００ｎｍまでの位置の間に、金濃度が銀及び金の合計量に対して８質量％以上の箇所が存在していれば、金濃化領域５が形成されていると判断できる。ここで、ＦＡＢ４と埋め込み樹脂の界面は、ボール断面のＦＥ−ＳＥＭ画像のコントラストの差により容易に判断でき、画像とライン分析のグラフを対比することで必要とされる箇所に金濃化領域が形成されているか確認できる。

次に、実施形態の金被覆銀ボンディングワイヤの製造方法について説明する。なお、実施形態の金被覆銀ボンディングワイヤの製造方法は、特に以下に示す製造方法に限定されるものではない。実施形態の金被覆銀ボンディングワイヤ１は、例えば、芯材２となる銀を主成分とする銀線材表面に、金を主成分として含むと共に、硫黄、セレン、及びテルルから選ばれる少なくとも１つの硫黄族元素を含む金層を形成することによりワイヤ素材を作製すると共に、金被覆銀ボンディングワイヤ１に求められる線径への伸線加工を施し、必要に応じて熱処理等を施すことにより得られる。金被覆銀ボンディングワイヤ１を得るための伸線加工は、ワイヤ素材に施してもよいし、銀線材に施してもよい。

芯材２として銀を用いる場合には、所定の純度の銀を溶解させ、また銀合金を用いる場合には、所定の純度の銀を添加元素と共に溶解させることによって、銀芯材材料又は銀合金芯材材料が得られる。溶解には、アーク加熱炉、高周波加熱炉、抵抗加熱炉、連続鋳造炉等の加熱炉が用いられる。大気中からの酸素や水素の混入を防止する目的で、加熱炉の銀溶湯の上部は真空あるいはアルゴン、窒素等の不活性ガス雰囲気に保持することが好ましい。溶解させた芯材材料は、加熱炉から所定の線径となるように鋳造凝固させるか、溶融した芯材材料を鋳型に鋳造してインゴットを作り、そのインゴットをロール圧延した後、所定の線径まで伸線して銀線材（純銀線材及び銀合金線材を含む）が得られる。

銀線材の表面に金層を形成する方法としては、例えばめっき法（湿式法）や蒸着法（乾式法）が用いられる。めっき法は電解めっき法と無電解めっき法のいずれの方法であってもよい。ストライクめっきやフラッシュめっき等の電解めっきでは、めっき速度が速く、また金めっきに適用すると、金層の銀線材への密着性が良好であるために好ましい。めっき法で金層内に硫黄族元素を含有させるためには、例えば上記電解めっきにおいて、金めっき液に硫黄、セレン、及びテルルから選ばれる少なくとも１つを含むめっき添加剤を含有させためっき液を使用する。この際、めっき添加剤の種類や量を調整することによって、被覆層３中の硫黄族元素含有量を調整することができ、さらにワイヤ１中の硫黄族元素含有量を調整することができる。

蒸着法としては、スパッタ法、イオンプレーティング法、真空蒸着法等の物理蒸着（ＰＶＤ）や、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）等の化学蒸着（ＣＶＤ）を利用することができる。これらの方法によれば、形成後の金被覆層の洗浄が不要であり、洗浄時の表面汚染等の懸念がない。蒸着法によって金層内に硫黄族元素を含有させる手法としては、硫黄族元素を含有させた金ターゲットを用いて、マグネトロンスパッタリング等によって金層を形成する手法がある。それ以外の方法を適用する場合も、金材料に硫黄族元素を含有させた原料を用いればよい。

このようにして、硫黄族元素を含む金層を被覆した銀線材を最終線径まで伸線し、必要に応じて熱処理することによって、銀芯材２の表面に被覆層３を設けた金被覆銀ボンディングワイヤ１が製造される。伸線加工は銀線材の段階で実施してもよいし、またある程度の線径まで銀線材に伸線加工を施し、金層を形成した後に最終線径まで伸線加工してもよい。伸線加工と熱処理は、段階的に行われてもよい。

伸線加工の加工率は、製造される金被覆銀ボンディングワイヤ１の最終線径や用途等に応じて決定される。伸線加工の加工率は、一般的には銀線材を最終線径に加工するまでの加工率として９０％以上であることが好ましい。この加工率は、ワイヤ断面積の減少率として算出することができる。伸線加工は、複数のダイヤモンドダイスを用いて、段階的に線径を縮小するように行うことが好ましい。この場合、ダイヤモンドダイス１つあたりの減面率（加工率）は５％以上１５％以下が好ましい。

金層を被覆した銀線材を最終線径まで伸線した後に、最終熱処理を実施することが好ましい。最終熱処理は、最終線径において、ワイヤ１内部に残留する金属組織の歪みを除去する歪み取り熱処理や必要とされるワイヤ特性を考慮して実行される。歪み取り熱処理は、必要とされるワイヤ特性を考慮して、温度及び時間を決定することが好ましい。その他、ワイヤ製造の任意の段階で、目的に応じた熱処理を施してもよい。このような熱処理としては、ワイヤの伸線過程での歪み取り熱処理、金層を形成した後に接合強度を上げるための拡散熱処理等がある。拡散熱処理を行うことで、芯材２と被覆層３との接合強度を向上させることができる。熱処理は、所定の温度に加熱された加熱雰囲気内にワイヤを通過させて熱処理を行う走間熱処理が、熱処理条件を調節しやすいために好ましい。走間熱処理の場合、熱処理時間はワイヤの通過速度と加熱容器内のワイヤの通過距離によって算出することができる。加熱容器としては電気炉等が使用される。

（半導体装置及びその製造方法）
次に、実施形態の金被覆銀ボンディングワイヤ１を用いた半導体装置について、図８ないし図１１を参照して説明する。なお、図８は実施形態の半導体装置の樹脂封止する前の段階を示す断面図、図９は実施形態の半導体装置の樹脂封止した段階を示す断面図、図１０は実施形態の半導体装置における半導体チップの電極に接合されたボール圧縮部を示す断面図、図１１は図１０に示すボール圧縮部を拡大して示す断面図である。

実施形態の半導体装置１０（樹脂封止する前の半導体装置１０Ｘ）は、図８及び図９に示すように、外部電極１１を有する回路基板１２と、回路基板１２上に配置され、少なくとも１つの電極（チップ電極）１３をそれぞれ有する複数の半導体チップ１４（１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ）と、回路基板１２の外部電極１１と半導体チップ１４の電極１３、及び複数の半導体チップ１４の電極１３間を接続するボンディングワイヤ１５（金被覆銀ボンディングワイヤ１）とを備えている。回路基板１２には、例えば樹脂材やセラミックス材等の絶縁基材の表面や内部に配線網を設けたプリント配線板やセラミックス回路基板等が用いられる。

なお、図８及び図９は回路基板１２上に複数の半導体チップ１４を実装した半導体装置１０を示しているが、半導体装置１０の構成はこれに限られるものではない。例えば、半導体チップはリードフレーム上に実装されていてもよく、その場合には半導体チップの電極はリードフレームの外部電極として機能するアウターリードにボンディングワイヤ１５を介して接続される。半導体チップの回路基板やリードフレームに対する搭載数は、１つ及び複数のいずれであってもよい。ボンディングワイヤ１５は、回路基板１２の外部電極１１と半導体チップ１４の電極１３、リードフレームと半導体チップの電極、及び複数の半導体チップ１４の電極１３間の少なくとも１つに適用される。

図８及び図９に示す半導体装置１０の複数の半導体チップ１４のうち、半導体チップ１４Ａ、１４Ｃは回路基板１２のチップ実装領域にダイボンディング材１６を介して実装されている。半導体チップ１４Ｂは半導体チップ１４Ａ上にダイボンディング材１６を介して実装されている。半導体チップ１４Ａの１つの電極１３はボンディングワイヤ１５を介して回路基板１２の外部電極１１と接続されており、他の１つの電極１３はボンディングワイヤ１５を介して半導体チップ１４Ｂの電極１３と接続されており、さらに他の１つの電極１３はボンディングワイヤ１５を介して半導体チップ１４Ｃの電極１３と接続されている。半導体チップ１４Ｂの他の１つの電極１３は、ボンディングワイヤ１５を介して回路基板１２の外部電極１１と接続されている。半導体チップ１４Ｃの他の１つの電極１３は、ボンディングワイヤ１５を介して回路基板１２の外部電極１１と接続されている。

半導体チップ１４は、シリコン（Ｓｉ）半導体や化合物半導体等からなる集積回路（ＩＣ）を備えている。チップ電極１３は、例えば、少なくとも最表面にアルミニウム（Ａｌ）層、ＡｌＳｉＣｕ、ＡｌＣｕ等のアルミニウム合金層を有するアルミニウム電極からなる。アルミニウム電極は、例えばシリコン（Ｓｉ）基板の表面に、内部配線と電気的に接続するようにＡｌやＡｌ合金等の電極材料を被覆することにより形成される。半導体チップ１４は、外部電極１１及びボンディングワイヤ１５を介して、外部デバイスとの間でデータ通信を行ったり、また外部デバイスから電力が供給される。

回路基板１２の外部電極１１は、回路基板１２に実装された半導体チップ１４の電極１３とボンディングワイヤ１５を介して電気的に接続されている。実施形態の半導体装置１０において、ボンディングワイヤ１５は上記した実施形態の金被覆銀ボンディングワイヤ１からなる。ボンディングワイヤ１５において、その一端はチップ電極１３にボール接合（第１接合）されており、他端は外部電極１１にウェッジ接合（第２接合）されている（正ボンディング）。なお、ボール接合（第１接合）及びウェッジ接合（第２接合）の形成順は逆であってもよい。すなわち、ボンディングワイヤ１５の一端を外部電極１１にボール接合（第１接合）し、他端をチップ電極１３にウェッジ接合（第２接合）してもよい（逆ボンディング）。複数の半導体チップ１４の電極１３間をボンディングワイヤ１５で接続する場合も同様である。なお、ボンディングワイヤ１５で電気的に接合される半導体チップ１４の電極１３とは、半導体チップ１４上にある電極にあらかじめ接合したバンプ（図示しない）も含むものとする。

例えば、ボンディングワイヤ１５の一端をチップ電極１３にボール接合するにあたって、ボンディングワイヤ１５の一端を放電等により溶融し、表面張力等により球状に凝固させることによって、図３に示したようなＦＡＢ４を形成する。前述したように、ＦＡＢ４の形成工程において、ワイヤ１表面の被覆層３によって、ＦＡＢ４の表面領域には金濃化領域５が形成される。このようなＦＡＢ４を、超音波併用熱圧着ボンディング法等によりチップ電極１３にボンディングすることによって、チップ電極１３上に図１０や図１１に示すボール圧縮部１７が形成される。この後、複数の半導体チップ１４及びボンディングワイヤ１５を樹脂封止するように、回路基材１２上に封止樹脂層１８を形成することによって、半導体装置１０が製造される。半導体装置とは具体的にいうと、ロジックＩＣ、アナログＩＣ、ディスクリート半導体、メモリ、光半導体等がある。

ＦＡＢ４の表面領域には図３に示した金濃化領域５が形成されているため、ボール圧縮部１７の表面にもＦＡＢ４と同様に金濃化領域５が形成される。ここで、ＦＡＢ４をアルミニウム電極等のチップ電極１３に接合する際に、アルミニウム等のチップ電極１３の構成元素と金濃化領域５を有するＦＡＢ４の構成元素とが混合もしくは合金化した接合部が形成される。ボール圧縮部１７の金濃化領域５は、接合部の形成に関与していない部分において、チップ電極１３から露出した表面に存在する。ボール圧縮部１７の金濃化領域５は、ＦＡＢ４と同様に、少なくともボール圧縮部１７の表面、さらに例えばボール圧縮部１７の表面から深さ方向に対して１０μｍ以下（あるいはＦＡＢの直径に対して１０％以下）の範囲に形成されており、銀及び金の合計量に対して８質量％以上の金濃度を有している。これによって、ボール圧縮部１７間のイオンマイグレーションの発生を抑制することができる。

前述したように、イオンマイグレーションは電界の印加と水分により金属のイオン化が起き、金属イオンがボール圧縮部間を移動した後に析出し、絶縁劣化や短絡が起きる現象であり、銀はイオンマイグレーションを起こしやすい金属である。このような点に対して、ボール圧縮部１７の表面領域にイオンマイグレーションが生じにくい金が濃化した領域（金濃化領域）５が存在しており、相対的に表面の銀濃度が低下しているため、金被覆銀ボンディングワイヤ１を用いて形成したボール圧縮部１７間のイオンマイグレーションを抑制することができる。従って、ボール圧縮部１７間の絶縁不良や短絡等による半導体装置１０の信頼性や健全性の低下を抑制し、絶縁信頼性等に優れる半導体装置１０を提供することが可能になる。さらに、図１０に示したように、チップ電極１３の形成ピッチＰが１００μｍ以下というように狭ピッチ化された場合においても、ボール圧縮部１７間の絶縁不良や短絡等を効果的に抑制することができる。

なお、ボール圧縮部１７の金濃化領域５は、基本的にＦＡＢ４の金濃化領域５と同様な構成を有しており、具体的な構成は前述した通りである。また、ボール圧縮部１７の金濃化領域５の特定や測定は、前述したＦＡＢ４の金濃化領域５と同様にして実施され、それぞれ同様な条件を有することが好ましい。

次に、本発明の実施例について説明する。本発明は以下の実施例に限定されない。例１〜４４は実施例であり、例４５〜６０は比較例である。

（実施例１〜４４）
芯材として、連続鋳造で作製した純度９９％の銀芯材を用意し、連続伸線を行って中間線径０．０５ｍｍ〜１．０ｍｍまで加工した。さらに、中間線径の銀線材に金被覆層を以下のようにして形成した。硫黄、セレン、テルル各々の添加剤を適量で添加した金電解めっき浴中に、銀線材を連続的に送線しながら浸漬した状態で、銀線材に電流密度０．２０Ａ／ｄｍ^２以上１．０Ａ／ｄｍ^２以下で電流を流し、硫黄族元素を含む金被覆層を形成した。この後、最終線径のφ２０μｍまで伸線加工したワイヤに最終熱処理を施し、実施例１から実施例３６の金被覆銀ボンディングワイヤを作製した。これらの金被覆銀ボンディングワイヤを後述する特性評価に供した。

（比較例４５〜５０）
Ａｕめっき浴中に硫黄族元素の添加剤を添加しない以外は、実施例と同様にして、金被覆銀ボンディングワイヤを作製した。これらの金被覆銀ボンディングワイヤを後述する特性評価に供した。

（比較例５１〜６０）
被覆層中の硫黄族元素含有量が表１に示す値となるように調整したＡｕめっき浴を用いる以外は、実施例と同様にして、金被覆銀ボンディングワイヤを作製した。これらの金被覆銀ボンディングワイヤを後述する特性評価に供した。

（含有量測定）
金被覆銀ボンディングワイヤ中の金含有量及び硫黄族元素含有量は、前述した方法にしたがって測定した。その結果を表１に示す。

（ワイヤ外観検査）
中間線径及び最終線径の金被覆銀ボンディングワイヤの外観をキーエンス社製のレーザー顕微鏡（商品名：ＶＫ−Ｘ２００）を用いて、高倍率による金被膜の割れ（亀裂）の有無を確認した。主に伸線加工時に発生する引張応力により、金被膜に亀裂が発生して銀芯材の露出が１０ワイヤ中１本でも見られた場合を「Ｂ」（不合格）、１本もみられなかった場合を「Ａ」（合格）とした。その結果を表１に示す。

（金濃化領域の測定）
次に、作製した金被覆銀ボンディングワイヤを市販のワイヤボンディング装置（キューリックアンドソッファ社製、ＩＣｏｎｎ ＰＬＵＳ）を用いて、ＦＡＢの直径が３６μｍになるようＥＦＯ条件を設定し、大気中にてＦＡＢを形成した。その後、ＦＡＢをＦＥ−ＳＥＭ／ＥＤＸによってネック部からの位置が各々５０％、６０％、７０％である点Ｄ（点Ｄ_１、点Ｄ_２、点Ｄ_３）、点Ｅ（点Ｅ_１、点Ｅ_２、点Ｅ_３）の位置でライン分析した。各点のライン分析の結果、金濃度が金と銀の合計に対して８質量％未満であれば「Ｂ」（金濃化領域なし）、８質量％以上存在していれば、「Ａ」（金濃化領域あり）とした。なお、結果はネック部からの形成範囲が同じとなる点（点Ｄ_１、点Ｅ_１）、（点Ｄ_２、点Ｅ_２）、（点Ｄ_３、点Ｅ_３）が共に条件を満たすことがイオンマイグレーションの解決に必要なことから、それぞれの点で共に条件を満たした場合のみ「Ａ」（金濃化領域あり）と判定した。例えば、点Ｄ_２、点Ｅ_２共に判定がＡの場合、金濃化領域の分析位置６０％の判定は「Ａ」とし、点Ｄ_２、点Ｅ_２の少なくともどちらか一方の判定がＢの場合、金濃化領域の分析位置６０％の判定は「Ｂ」とした。それらの結果を表１に示す。

（イオンマイグレーション評価）
作製した金被覆銀ボンディングワイヤを市販のワイヤボンディング装置（キューリックアンドソッファ社製、ＩＣｏｎｎ ＰＬＵＳ）を用いて、ＦＡＢの直径が３６μｍになるようＥＦＯ条件を設定し、大気中にてＦＡＢを形成した。その後、１５０℃に加熱した評価用Ｓｉチップ上のアルミニウム合金パッドに超音波併用熱圧着方式によるボールボンディング法により、圧着ボールの平均直径が４５μｍになる接合条件にて、第１次ボンディングをおこない、電解めっきを用いてＮｉ上にＡｕめっきが施されたＢＧＡ基板のリード端子との間で超音波併用熱圧着方式によるステッチ方式ボンディング法により第２次ボンディングを所定の接合条件で行い、１チップあたり計３２本のワイヤを結線した。結線されたワイヤは、チップ電極とリード端子との間を結線した２本のワイヤと１対のチップ電極で、計１６回路が構成されている。これらの回路に対して、バイアスを印加することのできる専用の治具に装着することにより、マルチメーター等の電圧源から治具の端子を通してＢＧＡ基板上のリード端子から、最終的に結線された回路のボール圧縮部に電圧を印加した。このボール圧縮部は陽極あるいは陰極のいずれかに該当することになる。すなわち、１チップあたり陽極と陰極の対が８対形成される。陽極と陰極間はチップ内で絶縁されており、陽極及び陰極となるボール圧縮部間の距離は、ボンディングの位置精度や圧着ボールの直径により僅かに変動するものの１２５μｍとなる。

イオンマイグレーション評価の事前に、結線を施した状態のＢＧＡ基板を高温炉にて１７５℃、３時間の条件にてベーク処理を行った。続いて、ベーク処理を施したＢＧＡ基板を専用治具に装着し、チップ電極上に純水を滴下した。その後、定電圧源（ヒューレット・パッカード社製、Ｅ３６３２Ａ）を用いて、８対の陽極−陰極に対して電極間の電界強度が１６ｋＶとなるように２Ｖの定電圧を印加した。定電圧印加時間は６０秒とした。イオンマイグレーション発生の有無は、印加時間経過後に実体顕微鏡を用いて目視判定を行った。陽極―陰極間に樹枝状に析出した金属（デンドライト）が確認された場合、イオンマイグレーション発生有りと判定した。イオンマイグレーションが８対中１対以上発生した場合を「Ｂ」（不合格）、全く発生しなかった場合を「Ａ」（合格）と判定した。判定結果を表１に示す。

表１に示すように、実施例１〜３６の金被覆銀ボンディングワイヤによれば、表面の適切な領域に金濃化領域を有するＦＡＢを形成することができる。さらに、そのようなＦＡＢを半導体チップの電極にボール接合して半導体装置を製造した際に、ボール圧縮部間の絶縁不良や短絡等を抑制することができる。従って、絶縁信頼性等に優れる健全なワイヤ接合構造及び半導体装置を安価に提供することが可能になる。これに対して、表１の比較例４５〜５０の結果に示すように、被覆層に硫黄族元素を添加しないと金濃化領域が形成されないことが分かる。また、表１の比較例５２、５４、５７、６０の結果に示すように、被覆層中の硫黄族元素の含有量が多すぎる（ワイヤ全体量に対して８０ｐｐｍを超える量）と金被覆層に亀裂や割れ等が発生する。さらに、表１の比較例５１、５３、５５、５６、５８、５９の結果に示すように、被覆層中の硫黄族元素の含有量が少なすぎ（ワイヤ全体量に対して１ｐｐｍ未満の量）と、ＦＡＢの表面の一部に金濃化領域が形成されるものの、イオンマイグレーションの抑制に必要な金濃化領域を形成することができない。従って、比較例の金被覆銀ボンディングワイヤでは、その一端に形成したＦＡＢを用いたボール圧縮部間の絶縁不良や短絡等を抑制することができない。

１…金被覆銀ボンディングワイヤ、２…芯材（銀芯材）、３…被覆層、４…ＦＡＢ（ボール）、５…金濃化領域、６…ネック部、１０…半導体装置、１１…外部電極、１２…回路基板、１３…チップ電極、１４…半導体チップ、１５…ボンディングワイヤ、１６…ダイボンディング材、１７…ボール圧縮部、１８…封止樹脂層。

Claims (4)

1. 銀を主成分として含む芯材と、
   前記芯材の表面に設けられ、金を主成分として含むと共に、硫黄、セレン、及びテルルから選ばれる少なくとも１つの硫黄族元素を含む被覆層とを有する金被覆銀ボンディングワイヤであって、
   前記金被覆銀ボンディングワイヤは、前記ワイヤの全体量に対して、２質量％以上７質量％以下の範囲で金を含み、かつ１質量ｐｐｍ以上８０質量ｐｐｍ以下の範囲で前記硫黄族元素を含む、金被覆銀ボンディングワイヤ。
2. 銀を主成分として含む芯材と、
   前記芯材の表面に設けられ、金を主成分として含むと共に、硫黄、セレン、及びテルルから選ばれる少なくとも１つの硫黄族元素を含む被覆層とを有する金被覆銀ボンディングワイヤであって、
   前記金被覆銀ボンディングワイヤは、前記ワイヤの全体量に対して、２質量％以上７質量％以下の範囲で金を含み、
   前記硫黄族元素は、前記ボンディングワイヤの全体量に対して、１質量ｐｐｍ以上８０質量ｐｐｍ以下の範囲で含まれ、
   前記金被覆銀ボンディングワイヤの一端にフリーエアーボールを形成したとき、前記フリーエアーボールは、前記ボンディングワイヤと前記フリーエアーボールの断面図において、ワイヤとボールとのネック部を結ぶ線の中点からボールの最下点に相当する位置まで伸ばした垂線上で、ネック部を結ぶ線の中点から６０％以上の位置に相当する箇所に金濃化領域を有する、金被覆銀ボンディングワイヤ。
3. 前記金濃化領域における金濃度は、前記銀と前記金との合計量に対して８質量％以上である、請求項２に記載の金被覆銀ボンディングワイヤ。
4. 少なくとも１つの電極を有する１つ又は複数の半導体チップと、
   リードフレーム又は基板とを備え、
   前記半導体チップの電極と前記リードフレームとの間、前記半導体チップの電極と前記基板の電極との間、及び前記複数の半導体チップの電極間から選ばれる少なくとも１つを金被覆銀ボンディングワイヤで接続した半導体装置であって、
   前記金被覆銀ボンディングワイヤは、銀を主成分として含む芯材と、
   前記芯材の表面に設けられ、金を主成分として含むと共に、硫黄、セレン、及びテルルから選ばれる少なくとも１つの硫黄族元素を含む被覆層とを有し、
   前記金被覆銀ボンディングワイヤは、前記ワイヤの全体量に対して、２質量％以上７質量％以下の範囲で金を含み、かつ１質量ｐｐｍ以上８０質量ｐｐｍ以下の範囲で前記硫黄族元素を含む、半導体装置。

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