JP6804359B2 - 成膜装置 - Google Patents

Description

本発明は、基材に薄膜を形成するための成膜装置に関する。

近年、各種基材上に様々な機能膜を付与するための技術開発が盛んに行われている。例えば、前記基材として、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）フィルム等が挙げられ、前記機能膜として、透明導電膜、水蒸気バリア膜、反射防止膜等が挙げられる。前記のような基材に機能膜を付与するための方法として、例えば、スパッタリング、プラズマＣＶＤ、真空蒸着、電子ビーム蒸着、熱ＣＶＤ等が用いられる。

特許文献１には、前記のような成膜を行う成膜装置が開示されている。この装置では、チャンバー内の処理室が減圧され、この処理室を帯状の基材がロールトゥロール方式で搬送され、その搬送路の途中において成膜処理が行われる。成膜装置の具体的構成について説明すると、成膜装置は、チャンバーと、チャンバー内の処理室を減圧するための機構と、処理室において基材をガイドする搬送ロール及びメインロールと、メインロールによってガイドされる基材に対して成膜処理を行うための成膜機構（プラズマ電極等）とを備えている。

特許文献１に開示されている発明の従来技術として、搬送ロール及びメインロールを支持する軸がそれぞれ、チャンバー（例えばチャンバーの壁）を位置決めの基準として、このチャンバーに取り付けられた成膜装置が知られている。この場合、成膜処理のために処理室を減圧するとチャンバーの壁が撓む等の変形が生じ、これにより、搬送ロールとメインロールとの相対的な位置が変化したり、これらロールの中心軸が相対的に傾いたりし、基材の搬送精度が悪化し、メインロールに対して基材が位置ずれするおそれがある。この結果、所望の仕様の薄膜を基材に形成できない等といった成膜の精度不具合が発生する。

特開２０１６−１５６０５２号公報

前記のような成膜の精度不具合の発生を、特許文献１に記載の装置では、搬送ロール及びメインロールを、脚部を有するフレームに連結し、この脚部によってフレームをチャンバーの床上に載せた状態とすることで解消している。この構成によれば、処理室が減圧されチャンバーが変形しても、各ロールの相対位置が変化しないようにすることができ、所定の搬送路に沿って基材を搬送し、精度よく成膜を行うことを可能としている。

特許文献１に記載の成膜装置では、チャンバー内においてメインロールの直下に、プラズマ電極等を含む成膜機構が一つのみ配置されている。この場合、脚部を有するフレームはこの成膜機構を跨いで設置可能となり有効であるが、成膜機構が複数となったりレイアウトが異なったりすると（例えば四つの成膜機構が幅方向に並ぶと）成膜機構と脚部との干渉を避けるために、これら成膜機構を跨ぐ幅広のフレームが必要となる。この場合、チャンバーも幅広となり、減圧の対象とする処理室が拡大し、この結果、減圧機構の容量も大きくする必要がある等、チャンバー及び各機器が大型化してしまうことがある。

そこで、本発明は、成膜の精度不具合の発生という課題を従来とは別の技術的手段を用いて解決することを目的とする。つまり、本発明は、チャンバー内の処理室が減圧され、チャンバーが変形しても、基材への成膜の精度不具合の発生を抑えることを可能とすることを目的とする。

本発明の成膜装置は、内部に処理室が形成されるチャンバーと、前記処理室を減圧するための減圧機構と、前記処理室に設けられ基材をガイドする搬送ロールと、前記処理室に設けられ前記搬送ロールによってガイドされる前記基材をガイドするメインロールと、前記処理室の下部領域に設けられ前記メインロールによってガイドされる前記基材に対して成膜処理を行うための成膜機構と、前記チャンバーの上壁から吊り下げ状態となって前記処理室に設置されている内部フレームと、を備え、前記搬送ロールと前記メインロールとの相対的な位置決めがされて当該搬送ロール及び当該メインロールが前記内部フレームに取り付けられている。

この成膜装置によれば、搬送ロール及びメインロールは共通する内部フレームにおいて相対的な位置決めがされて取り付けられているため、成膜のためにチャンバー内の処理室が減圧され、これによりチャンバーが変形しても、搬送ロールとメインロールとの相対的な位置の変化が生じ難い。このため、基材の搬送精度が損なわれず、基材への成膜の精度不具合の発生を抑えることができる。また、内部フレームはチャンバーの上壁から吊り下げ状態となっていることから、この内部フレームが、処理室の下部領域に設けられている成膜機構と干渉するのを防ぐことができる。これにより、各機器のレイアウトに無理がなく成膜装置を可及的に小型化することが可能となる。

また、前記内部フレームは、前記上壁に取り付けられている第一フレームと、当該第一フレームに位置調整可能として取り付けられている第二フレームとを有し、前記搬送ロール及び前記メインロールは前記第二フレームに取り付けられているのが好ましい。この構成によれば、第一フレームに対して第二フレームを位置調整することにより、チャンバー内に設けられている前記成膜機構に対するメインロールの位置調整及び位置決めを行うことが可能となる。

また、前記内部フレームは、前記メインロールの軸方向一方側及び他方側を支持するように、当該一方側に対応する前記上壁の前部及び当該他方側に対応する前記上壁の後部それぞれに取り付けられており、前記上壁の前部及び後部には剛性を高める補強部が設けられているのが好ましい。この構成によれば、チャンバーの上壁の前部及び後部は変形し難くなり、チャンバーの変形が内部フレームに及ぼす影響が抑えられる。これにより、搬送ロールとメインロールとの相対的な位置関係についてチャンバーの変形前の状態が保たれ、基材の搬送精度が損なわれない。

また、前記成膜装置は、前記メインロールにガイドされる前記基材に対する成膜範囲を規定するためのマスク機構を、更に備え、前記マスク機構は、前記内部フレームに取り付けられているのが好ましい。この構成によれば、チャンバーが変形しても、基材に対する成膜範囲を規定するマスク機構と、メインロールとの相対的な位置の変化が生じ難いため、基材への成膜の精度不具合の発生をより一層効果的に抑えることができる。

また、前記成膜装置は、前記メインロールにガイドされる前記基材に対して成膜を行うためのガスを導入する導入部、及び、前記成膜による膜厚分布を調整する調整部を、更に備え、前記導入部及び前記調整部は、前記内部フレームに取り付けられているのが好ましい。この構成によれば、チャンバーが変形しても、基材に対して成膜を行うためのガスを導入する導入部及び膜厚分布を調整する調整部と、メインロールとの相対的な位置の変化が生じ難いため、基材への成膜の精度不具合の発生をより一層効果的に抑えることができる。

本発明の成膜装置によれば、チャンバーが変形しても基材の搬送精度が損なわれず、基材への成膜の精度不具合の発生を抑えることができ、生産性を高めることが可能となる。

本発明の成膜装置の実施の一形態を側方から見た場合の断面図である。 図１に示す成膜装置の正面図である。 第一フレームに対して第二フレームを位置決めする機構の説明図である。 成膜装置の一部を示す説明図である。

図１は、本発明の成膜装置の実施の一形態を側方から見た場合の断面図である。図２は、図１に示す成膜装置の正面図であり、後述する蓋１５（図１参照）を取り外した状態を示している。この成膜装置７は、チャンバー１０、減圧機構４５、搬送ロール２０、メインロール３０、成膜機構４０、及び内部フレーム５０を備えている。図４は、成膜装置７の一部を示す説明図である。成膜装置７は、更に、マスク機構７０、導入部７５、調整部８０、及び冷却部８５を備えている。成膜装置７は、チャンバー１０内が減圧状態（真空状態）とされ、このチャンバー１０内の処理室１１において基材５に成膜を行う。成膜された基材５は、例えば、太陽電池や有機ＥＬ等のディスプレイの一部品に用いられる。

図２において、基材５はロールトゥロールで搬送される帯状の部材（フィルム）であり、そのために、成膜装置７は、図示していないが、基材５を送り出すための送り出し装置と、薄膜を形成した基材５を巻き取るための巻き取り装置とを更に備えている。前記送り出し装置から基材５が繰り出されると、その基材５は、上流側（図２において左側）の複数の搬送ロール２０、メインロール３０、及び、下流側（図２において右側）の複数の搬送ロール２０を経て、前記巻き取り装置に巻き取られる。これらロール２０，３０にガイドされて基材５が搬送される途中（メインロール３０によりガイドされる範囲）で成膜が行われる。「上流側」及び「下流側」は、基材５の搬送方向の上流側及び下流側である。

図１及び図２において、チャンバー１０は、上壁１３、左右の側壁１６，１７、底壁１８、後壁１９、及び前壁となる蓋１５を有しており、これらは鋼製である。上壁１３、左右の側壁１６，１７、底壁１８、及び後壁１９によって、前方が開口する箱型の本体部６０が構成されている。本体部６０は、図外の装置フレームに設置されて固定状態となっているのに対して、蓋１５は、図外のアクチュエータによって前後方向に移動可能である。蓋１５は、本体部６０の開口を閉じる前壁となる。成膜装置７において、本体部６０が開口している側を「前」とし、その反対側を「後」としている。また、前後方向に直交する水平方向を左右方向と定義し、前後方向及び左右方向と直交する方向を上下方向と定義する。

本体部６０の前端には蓋１５と接触するフランジ部６１が設けられ、フランジ部６１と蓋１５との間にはシール部材としてＯリングが介在しており、本体部６０の開口を蓋１５が閉じた状態で、チャンバー１０内には密閉空間が構成される。この密閉空間が成膜を行うための処理室１１となる。以上のように、チャンバー１０は、内部に処理室１１が形成されている。

上壁１３の前部１３ｆ及び後部１３ｂそれぞれには（図１参照）補強部として桁部材１４が設けられている。桁部材１４は、チャンバー１０の左右方向の全長にわたって設けられている。これにより、チャンバー１０の上壁１３は前部１３ｆ及び後部１３ｂにおいて剛性が高くなっており、弾性変形し難い構成となっている。

減圧機構４５（図２参照）は、本体部６０の開口を蓋１５が閉じた状態にある処理室１１を減圧する機能を有している。このために、減圧機構４５は、配管を通じてチャンバー１０内の処理室１１と繋がっているポンプ４６を有している。ポンプ４６が駆動することで、処理室１１を減圧する（真空状態にする）ことが可能である。

搬送ロール２０は、処理室１１に設けられており、基材５をガイドする。本実施形態では、メインロール３０を基準として、上流側に二つの搬送ロール２０が設けられており、下流側に二つの搬送ロール２０が設けられている。搬送ロール２０は前後方向に長い円柱状のガイド部材である。

メインロール３０は、処理室１１に設けられており、搬送ロール２０によってガイドされる基材５をガイドする。メインロール３０は処理室１１の左右方向中央に配置されており、搬送ロール２０よりも直径が大きく前後方向に長い円柱状のガイド部材である。搬送される基材５のうち、メインロール３０の外周面に沿って位置している部分に対して成膜が行われる。

内部フレーム５０は、チャンバー１０の上壁１３から吊り下げ状態となって処理室１１に設置されている。内部フレーム５０に搬送ロール２０及びメインロール３０が取り付けられている。内部フレーム５０は、チャンバー１０の前部１３ｆ及び後部１３ｂの二箇所に設けられており（図１参照）、搬送ロール２０及びメインロール３０それぞれは前後の二箇所で支持される。内部フレーム５０は鋼製である。

本実施形態の内部フレーム５０は、第一フレーム５１と第二フレーム５２とを有しており、第一フレーム５１が上壁１３に取り付けられており、第二フレーム５２が第一フレーム５１に取り付けられている。前側の内部フレーム５０の構成と後側の内部フレーム５０の構成とは、第一フレーム５１と第二フレーム５２との前後の配置が反対であるが、（ほぼ）同じである。前側の内部フレーム５０について具体的に説明すると、第一フレーム５１は上壁１３（桁部材１４）にボルト６３によって取り付けられている。第一フレーム５１は、フレーム本体５４と、二つのアーム部５３とを有しており、各アーム部５３が上壁１３（桁部材１４）と接続されている。第一フレーム５１は、二つのアーム部５３がフレーム本体５４から分岐した形状を有している。上壁１３（桁部材１４）が弾性変形したとしても、アーム部５３が弾性変形することにより上壁１３の変形が吸収され、フレーム本体５４は変形しない。フレーム本体５４には、前後方向に貫通した貫通孔５５（図１参照）が形成されている。貫通孔５５の孔形状は、メインロール３０を支持する支軸３１の断面形状よりも大きく、支軸３１は貫通孔５５を挿通している。このため、メインロール３０の支軸３１は第一フレーム５１に非接触の状態にある。支軸３１は、後壁１９を貫通しており、チャンバー１０外の駆動装置（図示せず）によって回転可能であり、これにより、メインロール３０を回転させることができる。

第二フレーム５２は、第一フレーム５１（フレーム本体５４）にボルト６４及びナットによって取り付けられており、これにより、第一フレーム５１と第二フレーム５２とは一体となっている。図示しないが、第一フレーム５１及び第二フレーム５２にはボルト６４を挿通させる穴が形成されており、この穴はボルト６４の直径よりも充分に大きく、ボルト６４及びナットを緩めた状態で、第二フレーム５２は、第一フレーム５１に対して上下方向及び左右方向に小寸法について移動可能となる。そして、内部フレーム５０は、第一フレーム５１に対する第二フレーム５２の位置を調整すると共にその位置決めをするための調整機構を有している。この調整機構は、第一フレーム５１に設けられているねじ機構によって構成されている。図３に示すように、このねじ機構として上下調整用（６７）と左右調整用（６８）とが設けられている。本実施形態では、第二フレーム５２に設けられている窓部（孔）６６に対応する位置にねじ機構６７，６８が設けられている。なお、図３では、後述するサブフレーム７１を取り外した状態としている。

上下調整用のねじ機構６７は、上下方向に長いねじ軸６７ａを有しており、このねじ軸６７ａを回転させることで先端６７ｂが上下に移動する。この先端６７ｂが第二フレーム５２の一部（窓部６６の内周面）に接触することで、第二フレーム５２の上下方向の位置を調整することができ、また、位置決めすることができる。そして、第二フレーム５２に作用する荷重（メインロール３０等の荷重）は、上下調整用のねじ機構６７を介して第一フレーム５１に伝達され、これにより、メインロール３０等の荷重を内部フレーム５０が支持することができる。
左右調整用のねじ機構６８は、左右方向に長いねじ軸６８ａを有しており、このねじ軸６８ａを回転させることで先端６８ｂが左右に移動する。この先端６８ｂが第二フレーム５２の一部（窓部６６の内周面）に接触することで、第二フレーム５２の左右方向の位置を調整することができる。左右調整用のねじ機構６８は、内部フレーム５０の右側と左側とに設けられており、両側のねじ機構６８によって第二フレーム５２の左右方向の移動が拘束され、位置決めされる。

これらねじ機構６７，６８により上下方向及び左右方向についての第二フレーム５２の位置決めがされると、ボルト６４を締めて第一フレーム５１と第二フレーム５２とを固定する。このように、第二フレーム５２は、第一フレーム５１に位置調整可能として取り付けられている。本実施形態では、ねじ機構６７，６８が第一フレーム５１に取り付けられ、窓部（孔）６６が第二フレーム５２に形成されている場合について説明したが、反対であってもよい。

図２において、第二フレーム５２は、中央フレーム５６と、この中央フレーム５６から左右それぞれに延びて設けられている左フレーム５７及び右フレーム５８とを有している。中央フレーム５６は、メインロール３０の支軸３１を支持する軸受部５９を有している。これにより、メインロール３０は回転可能となって内部フレーム５０に支持される構成となる。左フレーム５７の先部側及び基部側それぞれにおいて（上流側の）搬送ロール２０が回転可能となって支持されており、右フレーム５８の先部側及び基部側それぞれにおいて（下流側の）搬送ロール２０が回転可能となって支持されている。以上のように、四つの搬送ロール２０及び単一のメインロール３０は、共通する第二フレーム５２に取り付けられており、これら搬送ロール２０とメインロール３０とは相対的な位置決めがされた構成となっている。言い換えると、メインロール３０を基準として各搬送ロール２０は配置されている。

成膜機構４０は、基材５に対して成膜するための方法（スパッタリング、プラズマＣＶＤ、真空蒸着、電子ビーム蒸着、熱ＣＶＤ等）に応じて異なるが、本実施形態では、プラズマＣＶＤ法を用いた成膜装置７であり、成膜機構４０は電極４１を有している。電極４１には図外の高周波電源が接続されている。
処理室１１には図外の供給部からプラズマ生成ガスが供給されており、電極４１に高周波電圧が与えられることでその近傍（メインロール３０との間）の領域にプラズマを発生させることができる。そして、導入部７５（図４参照）から成膜のための原料ガスが導入されており、発生させたプラズマによって原料ガスが励起されたプラズマ雰囲気が形成され、メインロール３０上の基材５に対して成膜が行われる。

本実施形態では、メインロール３０の下半分の外周に沿って複数（四つ）の成膜機構４０が配置されている。成膜機構４０とメインロール３０との間の領域が成膜領域６９とされており、本実施形態では、複数（四つ）の成膜領域６９が設けられている。これら成膜機構４０は（成膜領域６９それぞれでは）同じ成膜を行ってもよく、異なる成膜を行ってもよい。成膜機構４０は、メインロール３０の支軸３１の中心線よりも下の領域（処理室１１の下部領域１２）に配置されている。以上のように、成膜機構４０は、処理室１１の下部領域１２に設けられており、メインロール３０によってガイドされる基材５に対して成膜処理を行うための機能を有している。

前記のとおり、各成膜領域６９において基材５に対する成膜が行われる。マスク機構７０は、各成膜領域６９に設けられており、メインロール３０にガイドされる基材５に対する成膜範囲を規定する。マスク機構７０は成膜機構４０（成膜領域６９）と対応して設置されており、成膜機構４０の数と同数のマスク機構７０を成膜装置７は有している。マスク機構７０は、内部フレーム５０に固定されているサブフレーム７１に位置調整可能として取り付けられており、成膜範囲を変更可能である。マスク機構７０（の開口位置）によってメインロール３０上の基材５に成膜される範囲が設定されることから、マスク機構７０とメインロール３０との相対的な配置は、成膜範囲に大きな影響を及ぼす。そこで、四つのマスク機構７０は、内部フレーム５０のうち、メインロール３０と共通する第二フレーム５２に取り付けられている。具体的に説明すると、第二フレーム５２にサブフレーム７１がボルト６５によって取り付けられており、図４に示すように、このサブフレーム７１にマスク機構７０が取り付けられている。これにより、各マスク機構７０とメインロール３０とは相対的な位置決めがされた構成となっている。言い換えると、メインロール３０を基準としてマスク機構７０は配置されている。

図４に示すように、サブフレーム７１には、マスク機構７０の他に、導入部７５、調整部８０、及び冷却部８５が取り付けられている。導入部７５は、メインロール３０にガイドされる基材５に対して成膜を行うための成膜ガスを導入する配管であり、この配管の出口部が、サブフレーム７１に取り付けられている。この出口部は、成膜領域６９において開口しており、成膜ガスを成膜領域６９に供給する。このように、導入部７５は、内部フレーム５０のうち、メインロール３０と共通する第二フレーム５２にサブフレーム７１を介して取り付けられた構成となっており、各導入部７５とメインロール３０とは相対的な位置決めがされた構成となる。言い換えると、メインロール３０を基準として導入部７５は配置されている。メインロール３０上の基材５の近傍に対して導入部７５から成膜ガスが供給されることで、均質な成膜が行われる。

各成膜領域６９において、メインロール３０にガイドされる基材５に成膜がされるが、調整部８０は、この成膜による膜厚分布を調整する機能を有している。調整部８０は、板状部材により構成されており、この板状部材が一体となっている一体式（一枚もの）の他に、前記板状部材が複数に分割されている分割式がある。分割式の調整部８０の場合、板状部材は面方向（図４では紙面に直交する方向）に沿って複数に分割されており、複数の板状部材それぞれの取付位置を変更（調整）することができる。板状部材それぞれの取付位置を微調整することで、基材５の幅方向の膜厚分布を細かく調整することができ、また、均一性の高い薄膜を得ることが可能となる。
調整部８０は、成膜領域６９毎に設けられており、調整部８０によってメインロール３０上の基材５に成膜される膜厚分布が設定される。このため、調整部８０とメインロール３０との相対的な配置は、成膜精度に大きな影響を及ぼす。そこで、調整部８０は、内部フレーム５０のうち、メインロール３０と共通する第二フレーム５２にサブフレーム７１を介して取り付けられた構成となっており、各調整部８０とメインロール３０とは相対的な位置決めがされた構成となる。言い換えると、メインロール３０を基準として調整部８０は配置されている。

冷却部８５は、成膜領域６９毎に設けられており、マスク機構７０全体を冷却可能とする構成を有している。マスク機構７０を冷却するための構成として、チラー等の温度調整付き機器を用いればよく、これにより、マスク機構７０の温度を任意に設定することが可能となる。また、冷却部８５は、温水を供給する機能を備えていてもよく、この場合、マスク機構７０を加熱することが可能となる。
冷却部８５は、内部フレーム５０のうち、メインロール３０と共通する第二フレーム５２にサブフレーム７１を介して取り付けられた構成となっており、各冷却部８５とメインロール３０とは相対的な位置決めがされた構成となる。言い換えると、メインロール３０を基準として冷却部８５は配置されている。

以上のように、本実施形態の成膜装置７では、チャンバー１０内において（図２参照）、四つの搬送ロール２０と単一のメインロール３０との相対的な位置決めがされて、これら搬送ロール２０及びメインロール３０が内部フレーム５０に取り付けられている。つまり、搬送ロール２０及びメインロール３０は共通する内部フレーム５０において相対的な位置決めがされて搭載されている。このため、成膜のためにチャンバー１０内の処理室１１が減圧機構４５によって減圧され、これによりチャンバー１０が変形しても、搬送ロール２０とメインロール３０との相対的な位置の変化が生じ難いため、基材５の搬送精度が損なわれず、基材５への成膜の精度不具合の発生を抑えることができる。前記のとおり、基材５の搬送精度が損なわれないことから、成膜処理を開始するために、各機器の微調整等を行うにしても、その作業は容易であり作業時間を短縮することができ、機能膜を有する基材５の生産性を高めることが可能となる。

また、内部フレーム５０はチャンバー１０の上壁１３から吊り下げ状態となっている。このため、処理室１１の下部領域１２に設けられている成膜機構４０と、内部フレーム５０とが干渉するのを防ぐことができる。本実施形態では、下部領域１２に成膜機構４０が四ヶ所に広がって設置されているが、これらのレイアウトに無理がなく、内部フレーム５０、メインロール３０及び搬送ロール２０をコンパクトにして配置することができ、成膜装置７を可及的に小型化することが可能となる。

また、内部フレーム５０は、上壁１３に取り付けられている第一フレーム５１と、この第一フレーム５１に位置調整可能として取り付けられている第二フレーム５２とを有しており、搬送ロール２０及びメインロール３０は第二フレーム５２に取り付けられている。このため、第一フレーム５１に対して第二フレーム５２を位置調整することにより、成膜機構４０に対するメインロール３０の位置調整及び位置決めを行うことが可能となる。この結果、精度の高い成膜が可能となる。

更に、内部フレーム５０は、メインロール３０の軸方向一方側及び他方側を支持するように、軸方向一方側に対応する上壁１３の前部１３ｆ、及び、軸方向他方側に対応する上壁１３の後部１３ｂそれぞれに取り付けられている（図１参照）。そして、上壁１３の前部１３ｆ及び後部１３ｂには剛性を高める補強部として桁部材１４が設けられている。このため、チャンバー１０の上壁１３の前部１３ｆ及び後部１３ｂは変形し難くなり、チャンバー１０の変形が内部フレーム５０に及ぼす影響が抑えられる。これにより、搬送ロール２０とメインロール３０との相対的な位置関係についてチャンバー１０の変形前の状態が保たれ、基材５の搬送精度が損なわれず、基材５への成膜の精度不具合の発生をより一層効果的に抑えることができる。

そして、本実施形態では、マスク機構７０、導入部７５、及び調整部８０についても内部フレーム５０に搭載されている。このため、チャンバー１０が変形しても、マスク機構７０、導入部７５、及び調整部８０それぞれと、メインロール３０との相対的な位置の変化が生じ難いため、基材５への成膜の精度不具合の発生をより一層効果的に抑えることができる。

前記実施形態では、成膜機構４０（成膜領域６９）を四つとした場合について説明したが、その数は変更自在であり、一つ、又は、二つ以上とすることができる。複数の成膜領域６９に区画されている場合、各成膜領域６９において同じ成膜処理を行ってもよいし、成膜領域６９毎で異なる成膜処理を行ってもよい。

以上のとおり開示した実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。つまり、本発明の成膜装置は、図示する形態に限らず本発明の範囲内において他の形態のものであってもよい。本発明の成膜装置は、スパッタリング、プラズマＣＶＤ、真空蒸着、電子ビーム蒸着、熱ＣＶＤ等の手段を用いて基材に成膜することができ、この手段に応じて成膜機構４０を適宜変更すればよい。また、チャンバー１０の上壁１３における前部１３ｆ及び後部１３ｂの剛性を高めるための補強部を、桁部材１４として説明したが、補強部の構成は図示した形態以外であってもよい。前記実施形態では、内部フレーム５０に、マスク機構７０、導入部７５、調整部８０、及び冷却部８５が搭載されている場合について説明したが、これらの内のいずれかは内部フレーム５０以外に取り付けられていてもよい。

５：基材 ７：成膜装置 １０：チャンバー
１１：処理室 １２：下部領域 １３：上壁
１３ｆ：前部 １３ｂ：後部 １４桁部材（補強部）
２０：搬送ロール ３０：メインロール ４０：成膜機構
４５：減圧機構 ５０：内部フレーム ５１：第一フレーム
５２：第二フレーム ７０：マスク機構 ７５：導入部
８０：調整部

Claims (5)

1. 内部に処理室が形成されるチャンバーと、
   前記処理室を減圧するための減圧機構と、
   前記処理室に設けられ基材をガイドする搬送ロールと、
   前記処理室に設けられ前記搬送ロールによってガイドされる前記基材をガイドするメインロールと、
   前記処理室の下部領域に設けられ前記メインロールによってガイドされる前記基材に対して成膜処理を行うための成膜機構と、
   前記チャンバーの上壁から吊り下げ状態となって前記処理室に設置されている内部フレームと、
   を備え、
   前記搬送ロールと前記メインロールとの相対的な位置決めがされて当該搬送ロール及び当該メインロールが前記内部フレームに取り付けられている、成膜装置。
2. 前記内部フレームは、前記上壁に取り付けられている第一フレームと、当該第一フレームに位置調整可能として取り付けられている第二フレームとを有し、
   前記搬送ロール及び前記メインロールは前記第二フレームに取り付けられている、請求項１に記載の成膜装置。
3. 前記内部フレームは、前記メインロールの軸方向一方側及び他方側を支持するように、当該一方側に対応する前記上壁の前部及び当該他方側に対応する前記上壁の後部それぞれに取り付けられており、
   前記上壁の前部及び後部には剛性を高める補強部が設けられている、請求項１又は２に記載の成膜装置。
4. 前記メインロールにガイドされる前記基材に対する成膜範囲を規定するためのマスク機構を、更に備え、
   前記マスク機構は、前記内部フレームに取り付けられている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の成膜装置。
5. 前記メインロールにガイドされる前記基材に対して成膜を行うためのガスを導入する導入部、及び、前記成膜による膜厚分布を調整する調整部を、更に備え、
   前記導入部及び前記調整部は、前記内部フレームに取り付けられている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の成膜装置。

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