JP6375735B2 - 真空シール装置及び真空プロセス処理システム - Google Patents

Description

本発明は、ロール・ツー・ロール方式を利用した真空プロセス処理システムに用いられ、大気側と真空チャンバの内部との差圧を確保しつつ、大気側から真空チャンバの内部への不純物（不純ガスを含む）の侵入を抑える真空シール装置等に関する。

ロール・ツー・ロール方式を利用した真空プロセス処理システムは、送出ロールから送出されたシート状（帯状）のガラス基板、プラスチック基板等の基板に対して真空雰囲気中でＣＶＤ処理、ＰＶＤ処理等のプロセス処理を連続的に行い、プロセス処理済みの基板を巻取ロールに巻取るものである。また、真空プロセス処理システムは、真空雰囲気を形成するための真空チャンバを具備しており、通常、送出ロール及び巻取ロールは、真空チャンバの内部の適宜位置にセットされるようになっている。

一方、前述のように、送出ロール及び巻取ロールが真空チャンバの内部にセットされるため、真空チャンバの容積の増大を招くと共に、送出ロール等の交換の都度、真空チャンバの大気解放及び真空引きを行う必要があり、段取りに多くの時間を要することになる。そのため、真空シール装置を用いて、送出ロール及び巻取ロールを真空チャンバに対して離隔した大気側にセットできるようにした真空プロセス処理システムが開発されている（特許文献１参照）。また、真空シール装置は、真空チャンバと送出ロールのセット箇所（送出ロール支持部材）との間及び真空チャンバと巻取ロールのセット箇所（巻取ロール支持部材）との間にそれぞれ配設され、大気側と真空チャンバの内部との差圧を確保しつつ、大気側から真空チャンバの内部への不純物の侵入を抑えるものである。そして、先行技術に係る真空プロセス処理システムにおける真空シール装置の構成は、次のようになる。

真空シール装置は、システム長手方向（真空プロセス処理システムの長手方向）へ延びたブロック体を具備しており、このブロック体の内部には、複数の真空室がシステム長手方向に沿って間隔を置いて形成されている。また、ブロック体には、基板を搬送するための搬送通路が複数の真空室を横断するように形成されており、搬送路の一端側は、大気側に開放しており、搬送路の他端側は、真空チャンバの内部に連通している。更に、ブロック体の各真空室内には、基板の両端部を挟持する一対の挟持ローラが回転可能に設けられている。

特開２０１０−１７４３７０号公報

ところで、先行技術に係る真空プロセス処理システムは、真空チャンバの容積の増大を抑えつつ、送出ロール等の交換に伴う段取りに要する時間の短縮化を図ることができるものの、大気側と真空チャンバの内部との差圧、換言すれば、真空シール装置の搬送通路の一端側と他端側との間の差圧を十分に確保するには、ブロック体の真空室の個数を増やす必要がある。一方、ブロック体の真空室の個数を増やすと、真空シール装置がシステム長手方向へ拡大して、真空プロセス処理システムのコンパクト化を図ることが困難になる。つまり、真空チャンバの容積の増大を抑えつつ、送出ロール等の交換に伴う段取り要する時間の短縮化を図った上で、真空シール装置のシステム長手方向の拡大を抑えて、真空プロセス処理システムのコンパクト化を図ることは困難であるという問題がある。

そこで、本発明は、前述の問題を解決することができる、新規な構成の真空シール装置及び真空プロセス処理システムを提供することを目的とする。

本発明の第１の態様は、送出ロールから送出されたシート状（帯状）の基板に対して真空雰囲気中でプロセス処理を連続的に行い、プロセス処理済みの基板を巻取ロールに巻取る真空プロセス処理システムに用いられ、真空チャンバの内部への不純物（不純ガスを含む）の侵入を抑える真空シール装置において、前記送出ロール又は前記巻取ロールを回転可能に支持する送出ロール支持部材又は巻取ロール支持部材と前記真空チャンバとの間の大気側に配設された装置本体（本体フレーム）と、前記装置本体に設けられ、基板の一方の面（表面）をガスの圧力を利用して非接触で支持する第１支持面を有し、前記第１支持面に基板の一方の面に向かってガスを噴出させる複数（多数）の第１噴出孔が形成された第１ガスベアリングと、前記装置本体における前記第１ガスベアリングに対向する箇所に設けられ、基板の他方の面をガスの圧力を利用して非接触で支持する第２支持面（裏面）を有し、前記第２支持面に基板の他方の面に向かってガスを噴出させる複数（多数）の第２噴出孔が形成された第２ガスベアリングと、前記第１ガスベアリングと前記第２ガスベアリングのうち少なくとも一方のガスベアリングに設けられた弾性体と、前記第１ガスベアリングの前記第１支持面と前記第２ガスベアリングの前記第２支持面を接触させた状態から、一方のガスベアリングを他方のガスベアリングに対して離反する方向へ前記弾性体の弾性変形量分だけ移動させるアクチュエータと、を具備し、一方のガスベアリングを他方のガスベアリングに対して離反する方向の移動によって、前記第１ガスベアリングの前記第１支持面と前記第２ガスベアリングの前記第２支持面との間に、基板を搬送するための搬送通路が形成され、前記搬送通路の一端側が大気側に開放し、前記搬送通路の他端側が前記真空チャンバの内部に連通することである。

なお、本願の明細書及び特許請求の範囲において、「真空雰囲気」とは、１ｋＰａ〜１０Ｐａの低真空の雰囲気のことをいい、「プロセス処理」とは、ＣＶＤ処理、ＰＶＤ処理等の成膜処理を含む意である。また、「配設され」とは、直接的に配設されたことの他に、別部材を介して間接的に配設されたことを含む意であって、「設けられ」とは、直接的に設けられたことの他に、別部材を介して間接的に設けられたことを含む意である。更に、「ガス」とは、エア又はアルゴンガス等の不活性ガスを含む意である。

本発明の第１の態様によると、前記真空シール装置を前記真空プロセス処理システムの一部として用いることにより、前記送出ロール又は前記巻取ロールを前記真空チャンバに対して離隔した大気側の前記送出ロール支持部材又は前記巻取ロール支持部材にセットすることができる。

前記真空プロセス処理システムの稼働中に、前記搬送通路に基板を通した状態で、前記第１ガスベアリングの複数の前記第１噴出孔から基板の一方の面に向かってガスを噴出させることにより、前記第１ガスベアリングの前記第１支持面によって基板の一方の面をガスの圧力を利用して非接触で支持する。また、前記第２ガスベアリングの複数の前記第２噴出孔から基板の他方の面に向かってガスを噴出させることにより、前記第２ガスベアリングの前記第２支持面によって基板の他方の面をガスの圧力を利用して非接触で支持する。これにより、前記第１ガスベアリング及び前記第２ガスベアリングから噴出したガスが大気側から前記真空チャンバの内部への流れの抵抗になって、大気側から前記真空チャンバの内部への不純物の侵入を抑えることができる。ここで、前記真空プロセス処理システムの稼働中における前記第１ガスベアリングの前記第１支持面と基板の一方の面との間隔及び前記第２ガスベアリングの前記第２支持面と基板の他方の面との間隔を極力小さく（例えば０．１ｍｍ以下）に設定されることにより、前記真空シール装置の前記搬送通路の搬送長さを長くすることなく、前記真空シール装置の前記搬送通路の一端側と他端側との間の差圧、換言すれば、大気側と前記真空チャンバの内部との差圧を十分に確保することができる。

本発明の第２の態様は、送出ロールから送出されたシート状（帯状）の基板に対して真空雰囲気中でプロセス処理を連続的に行い、プロセス処理済みの基板を巻取ロールに巻取る真空プロセス処理システムにおいて、真空雰囲気を形成する真空チャンバと、前記真空チャンバに対して一方側に離隔した大気側の箇所に配設され、前記送出ロールを回転可能に支持（セット）する送出ロール支持部材と、前記真空チャンバに対して他方側に離隔した大気側の箇所に配設され、前記巻取ロールを回転可能に支持（セット）する巻取ロール支持部材と、前記真空チャンバと前記送出ロール支持部材との間に配設され、第１の態様からなる搬入側の真空シール装置と、前記真空チャンバと前記巻取ロール支持部材との間に配設され、第１の態様からなる搬出側の真空シール装置と、を具備したことである。

第２の態様によると、前記真空シール装置によって大気側から前記真空チャンバの内部への不純物の侵入を抑えた状態（真空シール状態）の下、前記送出ロール及び前記巻取ロールを回転させることにより、基板をシステム長手方向（前記真空プロセス処理システムの長手方向）に沿って搬送して、基板の被処理部を前記真空チャンバの内部の所定位置に位置決めする（基板の搬送動作）。そして、前記真空シール装置による真空シール状態の下、前記真空チャンバの内部の真空雰囲気中で基板の被処理部に対してプロセス処理を行う（プロセス処理動作）。更に、前述の基板の搬送動作とプロセス処理動作とを交互に繰り返して実行することにより、基板に対してプロセス処理を連続的に行い、プロセス処理済みの基板を前記巻取ロールに巻取ることができる。

前述の作用の他に、第１の態様による作用と同様の作用を奏する。

本発明によれば、前記送出ロール又は前記巻取ロールを前記真空チャンバに対して離隔した大気側の前記送出ロール支持部材又は前記巻取ロール支持部材にセットするため、前記真空チャンバの容積の増大を抑えつつ、前記送出ロール又は前記巻取ロールの交換に伴う段取りに要する時間の短縮化を図ることができる。また、前記真空シール装置の前記搬送通路の搬送長さを長くすることなく、大気側と前記真空チャンバの内部との差圧を十分に確保できるため、前記真空シール装置のシステム長手方向（前記真空プロセス処理システムの長手方向）の拡大を抑えて、前記真空プロセス処理システムのコンパクト化を図ることができる。つまり、本発明によれば、前記真空チャンバの容積の増大を抑えつつ、前記送出ロール等の交換に伴う段取りに要する時間の短縮化を図った上で、前記真空シール装置のシステム長手方向の拡大を抑えて、前記真空プロセス処理システムのコンパクト化を図ることができる。

図１は、本発明の実施形態に係る搬入側の真空シール装置の模式的な正断面図であって、図１には送出ロール支持部材等も図示してある。 図２（ａ）は、本発明の実施形態に係る搬入側の真空シール装置の模式的な側断面図であって、図２（ｂ）は、図２（ａ）中における矢視部IIBの拡大図である。 図３は、本発明の実施形態に係る搬出側の真空シール装置の模式的な正断面図であって、図３には巻取ロール支持部材等も図示してある。 図４は、本発明の実施形態に係る真空プロセス処理システムの模式的な正面図である。 図５は、本発明の実施形態の変形例に係る真空シール装置の模式的な正断面図であって、第１ガスベアリングの第１支持面と第２ガスベアリングの第２支持面を接触させた状態を示している。 図６は、本発明の実施形態の変形例に係る真空シール装置の模式的な正断面図であって、第１ガスベアリングの第１支持面と第２ガスベアリングの第２支持面の間に搬送通路が形成された状態を示している。

本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、図面中において、「Ｄ」は、システム長手方向、「Ｄ１」は、システム長手方向の一方側（左方向）、「Ｄ２」は、システム長手方向の他方側（右方向）をそれぞれ指している。

図４に示すように、本発明の実施形態に係る真空プロセス処理システム１は、送出ロール３から送出された厚さ０．１ｍｍ以下のシート状（帯状）のガラス基板、プラスチック基板等の基板Ｗに対して真空雰囲気中でＣＶＤ処理等のプロセス処理を連続的に行い、プロセス処理済みの基板Ｗを巻取ロール５に巻取るロール・ツー・ロール方式を利用したシステムである。そして、本発明の実施形態に係る真空プロセス処理システム１の具体的な構成は、以下のようになる。

真空プロセス処理システム１は、真空雰囲気（１ｋＰａ〜１０Ｐａの低真空の雰囲気）を形成するための真空チャンバ７を具備しており、この真空チャンバ７の内部は、１ｋＰａ〜１０Ｐａの低真空を発生させるための真空ポンプ９に配管１１を介して接続されている。また、真空チャンバ７の内部は、材料ガスを供給するための材料ガスボンベ１３に配管１５を介して接続されている。更に、真空チャンバ７の内部には、プラズマを発生させて基板Ｗの被処理部に対してＣＶＤ処理（プロセス処理の一例）等のプロセス処理を行うためのプロセス処理ユニット１７が配設されている。

真空チャンバ７に対してシステム長手方向の一方側（左方向）に離隔した大気側の箇所には、送出ロール３をその軸心（送出ロール３の軸心）周りに回転可能かつ着脱可能に支持（セット）するための送出ロール支持部材１９が配設されている。また、送出ロール支持部材１９の適宜位置には、送出ロール３を回転させるための送出モータ２１が設けられている。一方、真空チャンバ７に対してシステム長手方向の他方側（右方向）に離隔した大気側の箇所には、巻取ロール５をその軸心（巻取ロール５の軸心）周りに回転可能かつ着脱可能に支持（セット）するための巻取ロール支持部材２３が配設されている。また、巻取ロール支持部材２３の適宜位置には、巻取ロール５を回転させるための巻取モータ２５が設けられている。なお、基板Ｗを保護する観点から帯状の緩衝材（図示省略）を用い、送出ロール３から基板Ｗを送出すときに基板Ｗから緩衝材が分離されると共に、巻取ロール５にプロセス処理済みの基板Ｗを巻取るときにプロセス処理済みの基板Ｗに緩衝材が重ね合わされるようになることが望ましい。

真空チャンバ７と送出ロール支持部材１９との間には、大気側と真空チャンバ７の内部との差圧を確保しつつ、大気側から真空チャンバ７の内部への不純物（不純ガスを含む）の侵入を抑える搬入側の真空シール装置２７が配設されている。そして、搬入側の真空シール装置２７の具体的に構成は、次のようになる。

図１及び図２（ａ）に示すように、真空チャンバ７と送出ロール支持部材１９との間には、箱形の装置本体（本体フレーム）２９が複数の支柱３１を介して配設されており、この装置本体２９は、搬入側の真空シール装置２７のベースを構成するものである。また、装置本体２９の一端面には、大気側に開放したポート（第１ポート）２９ａが形成されており、装置本体２９の他端面には、真空チャンバ７に連通したポート（第２ポート）２９ｂが形成されている。

装置本体２９内には、第１ガスベアリング３３が設けられており、この第１ガスベアリング３３は、エア（ガスの一例）を収容しかつ下側が開口されたケース部材３５と、このケース部材３５の下側に塞ぐように設けられた多孔質の蓋部材３７とを備えている。ここで、蓋部材３７の下面（表面）３７ｆは、基板Ｗの一方の面（表面）をエアの圧力を利用して非接触で支持する平坦な第１支持面になっており、蓋部材３７の多数の通孔３７ｈは、基板Ｗの一方の面に向かってエアを噴出させるための多数の第１噴出孔になっている。換言すれば、第１ガスベアリング３３は、基板Ｗの一方の面をエアの圧力を利用して非接触で支持する平坦な第１支持面３７ｆを有しており、第１ガスベアリング３３の第１支持面３７ｆには、多数の第１噴出孔３７ｈが開口形成されている。また、ケース部材３５内は、複数のガス収容室３９に区分けされており、各ガス収容室３９は、エアを供給するためのエアボンベ４１に配管４３を介して接続されており、配管４３の途中には、各ガス収容室３９に供給するエアの圧力を調整するための複数の圧力調整弁４５が配設されている。

装置本体２９内における第１ガスベアリング３３に上下に対向する箇所には、第２ガスベアリング４７が設けられており、この第２ガスベアリング４７は、エアを収容しかつ上側が開口されたケース部材４９と、このケース部材４９の上側に塞ぐように設けられた多孔質の蓋部材５１とを備えている。ここで、蓋部材５１の上面（表面）５１ｆは、基板Ｗの他方の面（裏面）をエアの圧力を利用して非接触で支持する平坦な第２支持面になっており、蓋部材５１の多数の通孔５１ｈは、基板Ｗの他方の面に向かってエアを噴出させるための多数の第２噴出孔になっている。換言すれば、第２ガスベアリング４７は、基板Ｗの他方の面をエアの圧力を利用して非接触で支持する平坦な第２支持面５１ｆを有しており、第２ガスベアリング４７の第２支持面５１ｆには、多数の第２噴出孔５１ｈが開口形成されている。また、ケース部材４９内は、複数のガス収容室５３に区分けされており、各ガス収容室５３は、前述のエアボンベ４１に配管５５を介して接続されており、配管５５の途中には、各ガス収容室５３に供給するエアの圧力を調整するための複数の圧力調整弁５７が配設されている。

第１ガスベアリング３３の第１支持面３７ｆと第２ガスベアリング４７の第２支持面５１ｆとの間には、基板Ｗを搬送するための搬送通路５９が形成されている。また、搬送通路５９の一端側は、装置本体２９のポート２９ａを介して大気側に開放しており、搬送通路５９の他端側は、装置本体２９のポート２９ｂを介して真空チャンバ７の内部に連通している。また、図２（ｂ）に示すように、真空プロセス処理システム１の稼働中における第１ガスベアリング３３の第１支持面３７ｆと基板Ｗの一方の面との間隔（第１の所定の間隔）Ｃ１及び第２ガスベアリング４７の第２支持面５１ｆと基板Ｗの他方の面との間隔（第２の所定の間隔）Ｃ２は、０．１ｍｍ以下にそれぞれ設定されている。これは、第１及び第２の所定の間隔Ｃ１、Ｃ２を０．１ｍｍ以下にそれぞれ設定した場合に、搬送通路５９の一端側と他端側の差圧を十分に確保できることがシール試験によって判明したことによるものである。更に、第１ガスベアリング３３の第１支持面３７ｆと第２ガスベアリング４７の第２支持面５１ｆとの間隔、換言すれば、搬送通路５９の通路高さ（搬送高さ）Ｈは、適宜にスペーサ（シム）６１によって第１及び第２の所定の間隔Ｃ１、Ｃ２に応じた高さ（例えば０．３ｍｍ以下）に設定されている。

図１に示すように、真空プロセス処理システム１の稼働中における真空シール装置２７の搬送通路５９の一端側の圧力は、適宜の圧力調整弁４５の圧力調整によって大気圧よりも高い圧力、具体的には、大気圧の１．１〜１．５倍に設定されている。真空シール装置２７の搬送通路５９の一端側の圧力を大気圧の１．１倍以上に設定したのは、大気圧の１．１倍未満であると、大気側から搬送通路５９に不純物が侵入することを十分に抑えることが困難になるからである。真空シール装置２７の搬送通路５９の一端側の圧力を大気圧の１．５倍以下に設定したのは、大気圧の１．５倍超えると、真空チャンバ７の内部の真空度が低下するおそれがあるからである。

図３及び図４に示すように、真空チャンバ７と巻取ロール支持部材２３との間には、大気側と真空チャンバ７の内部との差圧を確保しつつ、大気側から真空チャンバ７の内部に不純物が侵入することを抑える搬出側の真空シール装置６３が配設されている。また、搬出側の真空シール装置６３は、搬入側の真空シール装置２７と同様の構成を有しており、搬出側の真空シール装置６３における複数の構成要素のうち、搬入側の真空シール装置２７と対応する構成要素については、図面中に同一符号を付して、搬出側の真空シール装置６３の構成の詳細については、省略する。

続いて、本発明の実施形態の作用及び効果について説明する。

送出ロール３を真空チャンバ７に対してシステム長手方向の一方側に離隔した大気側の送出ロール支持部材１９にセットすると共に、巻取ロール５を真空チャンバ７に対してシステム長手方向の他方側に離隔した大気側の巻取ロール支持部材２３にセットする。そして、送出ロール３から送出した基板Ｗを搬入側の真空シール装置２７の搬送通路５９、真空チャンバ７の内部、及び搬出側の真空シール装置６３の搬送通路５９に通して、基板Ｗの先端部を巻取ロール５に取付ける。これにより、真空プロセス処理システム１の稼働のための準備を行うことができる。

真空プロセス処理システム１の準備の終了後に、真空ポンプ９によって真空チャンバ７の真空引きを行うことにより、真空チャンバ７の内部に真空雰囲気を形成する。そして、真空チャンバ７の内部に真空雰囲気を形成した後又は真空雰囲気を形成する前に、真空シール装置２７，６３を適宜に作動させる。具体的には、第１ガスベアリング３３の多数の第１噴出孔３７ｈから基板Ｗの一方の面（表面）に向かってエアを噴出させることにより、第１ガスベアリング３３の第１支持面３７ｆによって基板Ｗの一方の面をエアの圧力を利用して非接触で支持する。また、第２ガスベアリング４７の多数の第２噴出孔５１ｈから基板Ｗの他方の面（裏面）に向かってエアを噴出させることにより、第２ガスベアリング４７の第２支持面５１ｆによって基板Ｗの他方の面をエアの圧力を利用して非接触で支持する。これにより、第１ガスベアリング３３及び第２ガスベアリング４７から噴出したエアが大気側から真空チャンバ７の内部への流れの抵抗になって、大気側から真空チャンバ７の内部への不純物の侵入を抑えることができる。

ここで、第１及び第２の所定の間隔Ｃ１、Ｃ２が０．１ｍｍ以下にそれぞれ設定されているため、真空シール装置２７，６３の搬送通路５９の搬送長さを長くすることなく、真空シール装置２７，６３の搬送通路５９の一端側と他端側との間の差圧、換言すれば、大気側と真空チャンバ７の内部との差圧を十分に確保することができる。また、真空プロセス処理システム１の稼働中における真空シール装置２７の搬送通路５９の一端側の圧力が大気圧よりも高い圧力に設定されているため、大気側から真空チャンバ７の内部への不純物の侵入をより十分に抑えることができる。

真空シール装置２７，６３によって大気側から真空チャンバ７の内部への不純物の侵入を抑えた状態（真空シール状態）の下、送出モータ２１及び巻取モータ２５の駆動により送出ロール３及び巻取ロール５を回転させることにより、基板Ｗをシステム長手方向に沿って搬送して、基板Ｗの被処理部を真空チャンバ７の内部の所定位置に位置決めする（基板Ｗの搬送動作）。そして、真空シール装置２７，６３による真空シール状態の下、真空チャンバ７の内部の真空雰囲気中でプロセス処理ユニット１７によってプラズマを発生させて基板Ｗの被処理部に対してＣＶＤ処理等のプロセス処理を行うことにより、プラズマによって分解された材料ガスの成分を基板Ｗの被処理部に付着させて被膜を形成する（プロセス処理動作）。更に、基板Ｗの搬送動作とプロセス処理動作とを交互に繰り返して実行することにより、基板Ｗに対してプロセス処理を連続的に行い、プロセス処理済みの基板Ｗを巻取ロール５に巻取ることができる。なお、真空プロセス処理システム１の稼働中、基板Ｗのプロセス処理の状況に応じて、材料ガスボンベ１３から真空チャンバ７の内部に材料ガスを適宜に供給する。

従って、本発明の実施形態によれば、送出ロール３及び巻取ロール５を真空チャンバ７に対して離隔した大気側の送出ロール支持部材１９及び巻取ロール支持部材２３にそれぞれセットするため、真空チャンバ７の容積及び真空ポンプ９の容量の増大を抑えつつ、送出ロール３又は巻取ロール５の交換に伴う段取りに要する時間の短縮化を図ることができる。また、真空シール装置２７，６３の搬送通路５９の搬送長さを長くすることなく、大気側と真空チャンバ７の内部との差圧を十分に確保できるため、真空シール装置２７，６３のシステム長手方向の拡大を抑えて、真空プロセス処理システム１のコンパクト化を図ることができる。つまり、本発明の実施形態によれば、真空チャンバ７の容積等の増大を抑えつつ、送出ロール３等の交換に伴う段取りに要する時間の短縮化を図った上で、真空シール装置２７，６３のシステム長手方向の拡大を抑えて、真空プロセス処理システム１のコンパクト化を図ることができる。

（本発明の実施形態の変形例）
真空プロセス処理システム１（図４参照）は、真空シール装置２７，６３（図１及び図３参照）に代えて、図５及び図６に示す本発明の実施形態の変形例に係る真空シール装置６５を具備しても構わない。また、真空シール装置６５は、真空シール装置２７，６３と同様の構成を有しており、真空シール装置６５の構成のうち、真空シール装置２７，６３と異なる部分の構成についてのみ説明する。なお、真空シール装置６５における複数の構成要素のうち、真空シール装置２７，６３における構成要素と対応するものについては、図面中に同一符号を付してある。

第１ガスベアリング３３の第１支持面３７ｆの反対側（上側）には、ウレタンゴムからなるゴム板（弾性体の一例）６７が設けられており、このゴム板６７には、複数の挿通孔６７ｈが貫通形成（貫通して形成）されている。そして、第１ガスベアリング３３は、第１ガスベアリング３３の第１支持面３７ｆと第２ガスベアリング４７の第２支持面５１ｆを接触させた状態から、第２ガスベアリング４７に対して離反する上方向へゴム板６７の弾性変形量分だけ移動できるように構成されている。また、装置本体２９の上部には、第１ガスベアリング３３を上方向へ移動させるための複数のエアシリンダ（アクチュエータの一例）６９が立設されており、各エアシリンダ６９の可動ロッド７１の先端部は、ゴム板６７の対応する挿通孔６７ｈに挿通した状態で第１ガスベアリング３３（ケース部材４９）に一体的に連結されている。更に、第１ガスベアリング３３の上方向の移動によって、第１ガスベアリング３３の第１支持面３７ｆと第２ガスベアリング４７の第２支持面５１ｆとの間に搬送通路５９が形成されるようになっている。

従って、第１ガスベアリング３３の第１支持面３７ｆと第２ガスベアリング４７の第２支持面５１ｆを接触させた状態から、複数のエアシリンダ６９の駆動により第１ガスベアリング３３を上方向へゴム板６７の弾性変形量分だけ移動させて、送出ロール３（図４参照）から送出した基板Ｗを搬送通路５９に通す。そして、第１ガスベアリング３３の多数の第１噴出孔３７ｈから基板Ｗの一方の面（表面）に向かってエアを噴出させかつ第２ガスベアリング４７の多数の第２噴出孔５１ｈから基板Ｗの他方の面（裏面）に向かってエアを噴出させて、複数のエアシリンダ６９の駆動を停止する。これにより、第１ガスベアリング３３に対して働くゴム板６７の弾性力とエアの圧力（浮上力）をバランスさせながら、第１ガスベアリング３３の第１支持面３７ｆと第２ガスベアリング４７の第２支持面５１ｆとの間隔、換言すれば、搬送通路５９の搬送高さを基板Ｗの厚みに応じて極力小さくすることができる。

よって、本発明の実施形態の変形例によれば、前述の本発明の実施形態の効果を奏する他に、搬送通路５９の搬送高さを基板Ｗの厚みに応じて極力小さくすることができるため、基板Ｗの厚みが変わっても、第１及び第２の所定の間隔Ｃ１、Ｃ２（図２（ｂ）参照）が０．１ｍｍ以下にそれぞれ設定され、大気側と真空チャンバ７の内部との差圧を十分に確保することができ、真空プロセス処理システム１の汎用性を向上させることができる。

なお、本発明は、前述の実施形態の説明に限られるものではなく、次のように種々の態様で実施可能である。

即ち、図１及び図３に示すように、第１ガスベアリング３３の各ガス収容室３９及び第２ガスベアリング４７の各ガス収容室５３がエアボンベ４１に接続される代わりに、アルゴンガス等の不活性ガスを供給するための不活性ガスボンベ（図示省略）に接続されるようにしても構わない。また、第１ガスベアリング３３の複数のガス収容室３９のうち真空チャンバ７側のガス収容室３９及び第２ガスベアリング４７の複数のガス収容室５３のうち真空チャンバ７側のガス収容室５３のみが、エアボンベ４１でなく不活性ガスボンベに接続されるようにしても構わない。

図５及び図６に示すように、第１ガスベアリング３３の第１支持面３７ｆの反対側にゴム板６７を設ける他に或いは設ける代わりに、第２ガスベアリング４７の第２支持面５１ｆの反対側（下側）にウレタンゴムからなるゴム板（図示省略）を設けても構わない。この場合には、第２ガスベアリング４７は、第１ガスベアリング３３の第１支持面３７ｆと第２ガスベアリング４７の第２支持面５１ｆを接触させた状態から、第１ガスベアリング３３に対して離反する下方向へゴム板の弾性変形量分だけ移動できるように構成されることになる。

そして、本発明に包含される権利範囲は、前述の実施形態の説明に限定されないものである。

Ｗ：基板、１：真空プロセス処理システム、３：送出ロール、５：巻取ロール、７：真空チャンバ、９：真空ポンプ、１７：プロセス処理ユニット、１９：送出ロール支持部材、２１：送出モータ、２３：巻取ロール支持部材、２５：巻取モータ、２７：真空シール装置、２９：装置本体、２９ａ：ポート、２９ｂ：ポート、３１：支柱、３３：第１ガスベアリング、３５：ケース部材、３７：蓋部材、３７ｆ：第１支持面、３７ｈ：第１噴出孔（通孔）、３９：ガス収容室、４１：エアボンベ、４３：配管、４５：圧力調整弁、４７：第２ガスベアリング、４９：ケース部材、５１：蓋部材、５１ｆ：第２支持面、５１ｈ：第２噴出孔（通孔）、５３：ガス収容室、５５：配管、５７：圧力調整弁、５９：搬送通路、６３：真空シール装置、６５：真空シール装置、６７：ゴム板、６９：エアシリンダ、７１：可動ロッド

Claims (4)

1. 送出ロールから送出されたシート状の基板に対して真空雰囲気中でプロセス処理を連続的に行い、プロセス処理済みの基板を巻取ロールに巻取る真空プロセス処理システムに用いられ、
   真空チャンバの内部への不純物の侵入を抑える真空シール装置において、
   前記送出ロール又は前記巻取ロールを回転可能に支持する送出ロール支持部材又は巻取ロール支持部材と前記真空チャンバとの間の大気側に配設された装置本体と、
   前記装置本体に設けられ、基板の一方の面をガスの圧力を利用して非接触で支持する第１支持面を有し、前記第１支持面に基板の一方の面に向かってガスを噴出させる複数の第１噴出孔が形成された第１ガスベアリングと、
   前記装置本体における前記第１ガスベアリングに対向する箇所に設けられ、基板の他方の面をガスの圧力を利用して非接触で支持する第２支持面を有し、前記第２支持面に基板の他方の面に向かってガスを噴出させる複数の第２噴出孔が形成された第２ガスベアリングと、
   前記第１ガスベアリングと前記第２ガスベアリングのうち少なくとも一方のガスベアリングに設けられた弾性体と、
   前記第１ガスベアリングの前記第１支持面と前記第２ガスベアリングの前記第２支持面を接触させた状態から、一方のガスベアリングを他方のガスベアリングに対して離反する方向へ前記弾性体の弾性変形量分だけ移動させるアクチュエータと、を具備し、
   一方のガスベアリングを他方のガスベアリングに対して離反する方向の移動によって、前記第１ガスベアリングの前記第１支持面と前記第２ガスベアリングの前記第２支持面との間に、基板を搬送するための搬送通路が形成され、前記搬送通路の一端側が大気側に開放し、前記搬送通路の他端側が前記真空チャンバの内部に連通する、真空シール装置。
2. 一方のガスベアリングは、前記第１ガスベアリングであり、他方のガスベアリングは、前記第２ガスベアリングであり、前記第２ガスベアリングの下面が前記装置本体に接触している、請求項１に記載の真空シール装置。
3. 前記真空プロセス処理システムの稼働中における前記搬送通路の一端側の圧力が大気圧よりも高い圧力に設定されている、請求項１又は請求項２に記載の真空シール装置。
4. 送出ロールから送出されたシート状の基板に対して真空雰囲気中でプロセス処理を連続的に行い、プロセス処理済みの基板を巻取ロールに巻取る真空プロセス処理システムにおいて、
   真空雰囲気を形成するための真空チャンバと、
   前記真空チャンバに対して一方側に離隔した大気側の箇所に配設され、前記送出ロールを回転可能に支持する送出ロール支持部材と、
   前記真空チャンバに対して他方側に離隔した大気側の箇所に配設され、前記巻取ロールを回転可能に支持する取ロール支持部材と、
   前記真空チャンバと前記送出ロール支持部材との間に配設され、請求項１から請求項３のうちのいずれか１項の構成からなる搬入側の真空シール装置と、
   前記真空チャンバと前記巻取ロール支持部材との間に配設され、請求項１から請求項３のうちのいずれか１項の構成からなる搬出側の真空シール装置と、を具備した、真空プロセス処理システム。

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