JP6803829B2 - 触媒モジュール及び触媒反応器 - Google Patents

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Description

本発明は、触媒モジュールに関し、特に、プリーツ状配置の構造触媒体を用いる触媒モジュールに関する。
関連出願データ
本出願は、米国特許法第119条(e)に従って2014年7月29日に提出された米国仮特許出願第62/030,427号に対する優先権を主張するものであり、当該米国仮特許出願の全体が参照により本明細書に組み込まれるものとする。
脱窒素又は選択的触媒還元(SCR)技術は、一般に、触媒反応器を通過する際の窒素酸化物の除去のために燃焼由来の煙道ガスに適用される。脱窒素は、二原子窒素(N)及び水の生成をもたらす、窒素酸化物(NO)又は二酸化窒素(NO)などのガス中の酸化窒素種とアンモニア又は尿素などの窒素含有還元剤との反応を含む。また、触媒により分解されない煙道ガスの他の化学種を除去するために、様々な吸収技術又は捕集技術が使用される。
触媒反応器という用語は、一般に、触媒を含む容器を説明するために使用される。触媒反応器は、一般に、排気ガス流と触媒構造体の触媒活性成分との接触を可能にする排気ガス流路を含む触媒構造体を含む。モジュール式の触媒反応器の触媒構造体は、一般的に、多数のモジュール化された部分から構成される。それぞれのモジュール化された部分は、多数の触媒体を適所に保持する金属製支持枠組みを含み、必要に応じて、触媒体を通過する排気流の適切な流れ分布のために、触媒体の間に封止材料又は充填材料が使用される。触媒体は触媒組成物を含み、触媒体を通る排気ガス流のための流路又は通路を定める物理的構造を示す。
多くの場合、触媒反応器のモジュール化された部分を流れる排気ガス流は圧力損失を起こす。圧力損失は、排気ガス流の流れを妨害又は阻止する構造、摩擦力及び他の要因に起因し得る。圧力損失は様々な非効率性をもたらし、発電のような産業上の利用中に寄生電力損失を生じる可能性がある。
一態様において、触媒モジュール及び触媒反応器が提供され、これらは、一部の実施形態において、非効率性及び/又は流体流の圧力損失に関連する問題を軽減する。例えば、本明細書に記載される触媒モジュール及び/又は触媒反応器は、窒素酸化物の選択的還元及び/又は他の触媒反応における触媒性能を低下又は実質的に低下させることなく圧力損失の低減をもたらすことができる。触媒モジュールはプリーツの形式で配置された構造触媒体の層を含み、構造触媒体はプリーツ入口面及びプリーツ出口面を形成し、構造触媒体の内部隔壁によって画定された流体流の通路がプリーツ入口面からプリーツ出口面まで延びている。プリーツ入口面はモジュールの入口面と角度(δ)を形成する。一部の実施形態において、角度(δ)は約5度から約85度の範囲である。
また、本明細書に記載される触媒反応器は、プリーツの形式で配置された構造触媒体の層を含む少なくとも1つのモジュールを含む。構造触媒体はプリーツ入口面及びプリーツ出口面を形成し、構造触媒体の内部隔壁によって画定された流体流の通路がプリーツ入口面からプリーツ出口面まで延びている。プリーツ入口面はモジュールの入口面と角度(δ)を形成する。一部の実施形態において、角度(δ)は約5度から約85度の範囲である。
これら及び他の実施形態は、以下の詳細な説明においてさらに詳細に説明される。
本明細書に記載される一実施形態によるモジュールの構造触媒体のプリーツ状配置を示す。 モジュール内の構造触媒体の従来の配置を示す。 本明細書に記載される一実施形態によるハニカム状構造触媒体を示す。 本明細書に記載される一実施形態による段ボール状の構造触媒体の一部の断面を示す。 本明細書に記載される一実施形態によるモジュールの構造触媒体のプリーツ状配置の斜視図を示す。
本明細書に記載される実施形態は、以下の詳細な説明及び実施例、ならびにそれらの前後の説明の参照によってより容易に理解されることができる。しかしながら、本明細書に記載される要素及び装置は、詳細な説明で提示された特定の実施形態に限定されない。これらの実施形態は本発明の原理の例示にすぎないことが認識されるべきである。多くの修正及び適合が、本発明の主旨及び範囲から逸脱することなく当業者には容易に分かるであろう。
I.触媒モジュール
本明細書に記載される触媒モジュールはプリーツの形式で配置された構造触媒体の層を含み、構造触媒体はプリーツ入口面及びプリーツ出口面を形成し、構造触媒体の内部隔壁によって画定された流体流の通路はプリーツ入口面からプリーツ出口面まで延びている。プリーツ入口面はモジュールの入口面と角度(δ)を形成する。δは、本発明の目的と矛盾しない任意の値を有するように選択されることができる。一部の実施形態において、δは表Iに示す値から選択される。
Figure 0006803829
ここで図1を参照すると、構造触媒体から形成されたプリーツ状触媒層の2つのプリーツ部分が示されている。構造触媒体は、本発明の目的と矛盾しない任意の数のプリーツを設けるように配置されることができる。プリーツの形式の形成において、構造触媒体(12)は、モジュール(10)の入口面(14)と角度(δ)を形成するプリーツ入口面(13)を提供する。構造触媒体(12)によって形成される個々のプリーツ入口面(13)は、幅sを有し、流体を触媒層(11)に通すためのモジュール開口面積(moa)を提供する。図1における矢印(16)は、触媒体(12)によって形成されたプリーツ入口面(13)を通る流体の流れを示す。プリーツ入口面(13)は触媒モジュール(10)の入口面(14)から角度(δ)で配置されているので、流体の流れ(16)は構造触媒体(12)を通過するためにモジュール流入方向(17)から向きを変えなければならない。本明細書に記載されるように、流体は、プリーツ入口面(13)からプリーツ出口面(15)まで延びる内部隔壁によって画定された流路を通って構造触媒体(12)を通過する。一部の実施形態において、プリーツ入口面(13)及びプリーツ出口面(15)を形成する構造触媒体(12)は、セメント又は接着剤で互いに結合されて一体型ハニカム構造を形成する。或いは、プリーツ入口面(13)及びプリーツ出口面(15)を形成する構造触媒体(12)は、充填材料によって互いに分離される。図5は、本明細書に記載される一実施形態によるモジュールの構造触媒体のプリーツ状配置の斜視図を示す。図5に示すように、プリーツ入口面(13)及びプリーツ出口面(15)は、個々のハニカム構造触媒体(12)から形成されている。
触媒モジュール(10)は、本発明の目的と矛盾しない任意のパーセント開口面積(開口面積率)を有することができる。例えば、一部の実施形態において、触媒モジュール(10)は、表IIから選択されるパーセント開口面積を有する。
Figure 0006803829
図1を参照すると、触媒モジュールのパーセント開口面積は、(moa/W)100と定義される。
また、構造触媒体(12)の端部は、入口面(13)と出口面(15)との間に延びる奥行きdを有する。奥行きdは、流体の通過が阻止されるモジュール閉鎖面積(mba)を定める。mbaの領域に入る流体は、プリーツ入口面(13)に向け直され、構造触媒体(12)を通って流れる。構造触媒体(12)のプリーツ状配置はまた、奥行きD及びプリーツ幅Pを有し、モジュールの全幅はWである。
前述のパラメータが与えられた状態で、触媒モジュールは、一部の実施形態において、以下の式(1)の条件を満たし、
Figure 0006803829
ここでWはモジュール幅であり、nはプリーツの数であり、sは図1に定められているプリーツ入口面の幅である。一部の実施形態において、W/2nsは表IIIから選択される値を有する。
Figure 0006803829
一般に、触媒体の圧力損失(Δp)は、W/2nsと直接比例する。しかしながら、プリーツ状配置に起因する二次圧力損失(Δp)は、触媒モジュールの最終設計で考慮しなければならない。二次圧力損失は、主に、ダクト内の自由流れからモジュールの開口面積への流れ面積の縮小と、モジュールからダクトの自由流れへの拡大とに起因し得る。更なる二次損失は、触媒体の表面流入平面へ及び触媒体の出口からの流体の流れの必要な回転に関連し得る二次圧力損失は、δ、n及びsを含む適切なプリーツ形状を選択することによって対処することができる。モジュールの奥行きDも考慮しなければならず、所定の流体流処理用途のための実用限界内でなければならない。
さらに、触媒モジュールは、0.001から0.5までのd/sの比を示すことができる。一部の実施形態において、d/s比は0.003から0.3の範囲である。前述の条件の1つ以上を満たすことによって、触媒性能を犠牲にすること及び/又は触媒性能を維持するためにモジュールへの著しい構造的な変更を必要とすることなく、構造触媒体のプリーツ状配置を有する触媒層がモジュールによる圧力損失を低減できることが見出された。
構造触媒体のプリーツ状配置は、モジュール内の触媒体の従来の配置とは著しく対照的である。図2は、モジュール(20)内の構造触媒体(24)の従来の配置を示す。図2は、従来の触媒モジュール(20)の入口側の平面図を示す。触媒モジュール(20)は、触媒モジュール(20)内に配置された構造触媒体(24)を支持するための開放された金属製枠組み(22)を含む。構造触媒体(24)は、ガス流の方向に対して垂直な触媒体の入口面と並んで配置される。ガス流の方向に対して垂直であるとき、触媒体(24)の入口面はモジュール(20)の入口面と平行であり、結果としてモジュールと触媒体の入口面との間の角度が0度となる。図2に示す触媒モジュール(20)は、枠組み(22)の開放性を示すために部分的にのみ触媒体(24)で満たされている。触媒体(24)の間には、流体流の流れが触媒体(24)を迂回するのを防止するために充填材料が設けられている。図2に示すモジュールの有効な触媒の断面積は、モジュールの枠組み(22)の断面積を超えない。
本明細書に記載されるプリーツ状の層に用いる構造触媒体は、流体流入口面と、流体流出口面と、入口面から出口面まで延びる内部隔壁によって画定された流路とを含む。構造触媒体は、様々な流路の構造を示すことができる。例えば、構造触媒体は、外周壁と、外周壁内に配置された複数の内部隔壁とを含む、ハニカムデザインを有することができる。図3は、本明細書に記載される一実施形態によるハニカム状構造触媒体を示す。図3の構造触媒体(30)は、外周壁(31)と、複数の内部隔壁(32)とを含む。内部隔壁(32)は、ハニカム状構造触媒体(30)を長手方向に貫通する複数の流路又はセル(33)を画定する。内部隔壁(32)とそれらの外周壁(31)との接合部は、隣接する流路(33)の境界として機能する。図3に示すハニカム状構造触媒体の流路(33)の断面形状は正方形なので、内部隔壁(32)は等しい又は実質的に等しい幅を有する。
流路の断面形状は、三角形、正方形、長方形又は六角形などの名目上の多角形であることもできる。一部の実施形態において、流路の断面形状は、円形又は楕円形又は環状扇形などの多角形と湾曲形状との組み合わせであることができる。また、触媒体の外周壁の外周の断面形状は、正方形、長方形、円形、楕円形、パイを切った形又は四分円形などの扇形、又は任意の他の幾何学的形状若しくは所与の用途に都合のよい形状であることができる。
さらに、本明細書に記載されるプリーツ状配置に段ボール状の構造触媒体を使用することができる。図4は、本明細書に記載される一実施形態による段ボール状の構造触媒体の一部の断面を示す。構造触媒体(40)の流路(41)は、内部隔壁(42,43)によって画定される。内部隔壁(42,43)及びそれらの接合部又は相互の交差部は、隣接する流路(41)の境界として機能する。図4に示すように、段ボール状の触媒体(40)は、AとCとの距離によって定められる幅を有する平らな内部隔壁(43)を含む。段ボール状の触媒体はまた、AとBとの距離によって定められる幅を有する湾曲した内部隔壁(42)を有する。また、点A、B、Cにおける内部隔壁(42,43)の相互の交差部は、例えば、センターポスト構造(46)を提供する。
本明細書に記載されるプリーツの形式で配置された構造触媒体は、任意の所望のセル密度又は流路密度を有することができる。構造触媒体は、例えば、50セル/平方インチ(cpsi)から900cpsiまでのセル密度を有することができる。また、構造触媒体は、任意の所望の組成物から形成されることができる。構造触媒体の組成物は、目的の触媒反応、触媒の表面積及び構造触媒体のサイズ要件を含むいくつかの要因に従って選択されることができる。構造触媒体は、単官能性又は多官能性の触媒活性を示すことができる。
一部の実施形態において、構造触媒体は、窒素酸化物の選択的触媒還元に適している。このような実施形態において、触媒体は、50〜99.9重量%の無機酸化物組成物及び少なくとも0.1重量%の触媒活性金属官能基を含む化学組成物から形成されることができる。無機酸化物組成物は、限定はしないが、チタニア(TiO)、アルミナ(Al)、ジルコニア(ZrO)、及び/又はそれらの混合物を含むことができる。また、一部の実施形態において、触媒活性金属官能基は、限定はしないが、金、白金、イリジウム、パラジウム、オスミウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、五酸化バナジウム(V)、酸化タングステン(WO)、酸化モリブデン(MoO)又は他の貴金属又はそれらの混合物を含む。さらなる実施形態において、化学組成物は、二酸化ケイ素(SiO)などの他の酸化物、ガラス繊維などの補強剤、及び/又は押出助剤を最大で30重量%まで含むことができる。さらに、化学的組成物は実質的に均一であることができる。
一部の実施形態において、本明細書に記載されるモジュールで使用される構造触媒体は、米国特許第7,776,786号、第7,807,110号、第7,833,932号及び第7,390,471号のいずれか1つに記載される構造を有し、これらの米国特許の各々はその全体が参照により本明細書に組み込まれるものとする。また、構造触媒体は、米国特許出願公開第2012/0087835号に記載される構造を有することができ、この米国特許出願公開はその全体が参照により本明細書に組み込まれるものとする。
触媒モジュール、プリーツ状触媒層及び関連する構造触媒体は、一部の実施形態において、発電所などの大型の定置燃焼源から発生する窒素酸化物の選択的触媒還元を含む、工業用流体処理用途での使用に適した設計及び寸法を有する。本明細書に記載される触媒モジュールは、HRSG又はガスタービン排気ガス処理システムに適用されることができる。
II.触媒反応器
別の態様において、触媒反応器が提供される。本明細書に記載される触媒反応器は、プリーツの形式で配置された構造触媒体の層を含む少なくとも1つのモジュールを含む。構造触媒体はプリーツ入口面及びプリーツ出口面を形成し、構造触媒体の内部隔壁によって画定された流体流の通路がプリーツ入口面からプリーツ出口面まで延びている。プリーツ入口面はモジュールの入口面と角度(δ)を形成する。一部の実施形態において、触媒反応器は、プリーツの形式で配置された構造触媒体の層を含む複数のモジュールを含む。プリーツの形式及び関連する構造触媒体は、上記第I節に記載される任意の特性、構造及び/又は設計を有することができる。一部の実施形態において、触媒反応器のモジュールは、異なるプリーツの形式の触媒層を使用する。構造触媒体のプリーツの形式は、例えば、触媒反応器内のモジュールの場所又は位置に特有の流体流の流れ状態に合わせて調整されることができる。
プリーツの形式で配置された構造触媒体の層を含むモジュールを使用する触媒反応器は、一部の実施形態において、以下の式(2)の関係を満たし、
Figure 0006803829
ここでxは0.001〜0.1であり、dpは現場で測定した触媒反応器の前後の静圧差(水柱インチ)であり、Pは触媒ポテンシャルであり、P=−ln(1−deNO)/マージンであり、deNOは触媒反応器のNO除去効率であり、マージンは不活性化及び他の全面的なシステム要因に適用される従来の性能マージン(ポテンシャルの上昇)である。SCR反応器の場合、deNOは一般に40〜98%の範囲であり、マージンは一般に0.25〜0.95の値が与えられ、uinfは触媒反応器のすぐ上流の平均自由流速度である。平均自由流速度は、触媒反応器の入口面前後の様々な位置で測定を行うことによって得ることができる。一般に、平均自由流速度は0.1m/sから30m/sの範囲である。
一部の実施形態において、X<0.01である。前述の関係を満たすことにより、触媒反応器は、モジュールの奥行きの実質的な増大なしに、高い触媒ポテンシャル及び触媒活性を維持しながら、望ましい圧力損失値を達成することが可能になる。したがって、本明細書に記載される構造触媒体のプリーツ状配置は、既存のモジュール及び触媒反応器の構造に適用することができる。いくつかのパラメータを変更して触媒反応器が式(2)を満たすようにすることができる。これらのパラメータは、構造触媒体の配置によって形成されたプリーツの数、プリーツの角度、モジュールの奥行き(D)及びモジュールの開口面積(moa)を含む。また、式2のxの許容範囲は、プリーツの形式で配置された構造触媒体のcpsiに従って変化し得る。例えば、表IVは、プリーツの形式で配置された触媒体のいくつかのcpsi値に対する式2のパラメータの値と結果として生じるxの範囲とを示す。
Figure 0006803829
触媒体のcpsiは85より小さいか又は900より大きいことができるため、表IVのcpsi値は非限定的な例として使用される。
プリーツの形式で配置された構造触媒体の層を含むモジュールを使用する触媒反応器は、一部の実施形態において、以下の式(3)の関係を満たし、
Figure 0006803829
ここでyは0.72未満であり、構造触媒体は200より大きいcpsiを有し、dpは現場で測定した触媒反応器の前後の静圧差(水柱インチ)であり、
Figure 0006803829
であり、ここでVdotはNm/hr(0℃に補正された1時間当たりの立方メートル
)単位での煙道ガスの体積流量であり、Vは立方メートル単位での触媒反応器の触媒容積であり、APは単位容積当たりの濡れ面積(m/m)であり、uinfは、触媒反応器のすぐ上流の平均自由流速度である。一部の実施形態において、yは表Vから選択される値を有する。
Figure 0006803829
本明細書に記載される触媒反応器は、様々な流体流処理用途に使用されることができる。一部の実施形態において、触媒反応器は、排気ガス流又は煙道ガス流内の窒素酸化物の選択的触媒還元に適用される。排気ガス流又は煙道ガス流は、発電所及び/又は製造工程中の炭化水素の燃焼のための装置を含む、工業用の定置燃焼源から発生し得る。例えば、排気ガス流又は煙道ガス流は、250ポンド(113.398kg)/時間から1,000,000ポンド(453,592.37kg)/時間までの流量で本明細書に記載される触媒反応器及びモジュールに供給される。一部の実施形態において、排気ガス流又は煙道ガス流は、表VIから選択される流量で本明細書に記載される触媒モジュール及び触媒反応器に供給される。
Figure 0006803829
さらに、触媒反応器及び関連するモジュール及び構造触媒体のプリーツ状の層は、中型ディーゼル(MDD)源及び大型ディーゼル(HDD)源を含む移動源によって発生する排ガス流の処理に適用されることができる。例えば、本明細書に記載される触媒反応器及びモジュールは、道路上、道路外、船舶及び機関車のMDD源及びHDD源の排ガス流を処理するのに適用されることができる。
本発明の様々な実施形態は、本発明の様々な目的を達成するために記載されている。これらの実施形態は本発明の原理の例示にすぎないことが認識されるべきである。それらの多くの修正及び適合が、本発明の主旨及び範囲から逸脱することなく当業者には容易に分かるであろう。

Claims (12)

  1. 触媒モジュールであって、
    n個のプリーツを有するプリーツの形式で配置された構造触媒体(12)の層を含み、
    前記構造触媒体(12)はプリーツ入口面(13)及びプリーツ出口面(15)を形成し、
    前記触媒モジュールの幅はWであり、
    前記プリーツ入口面の幅はsであり、
    前記構造触媒体(12)は流体流入口面(14)と流体流出口面との間に延びる奥行き(d)を有し、
    前記構造触媒体(12)の内部隔壁によって画定される流体流の通路は前記プリーツ入口面(13)から前記プリーツ出口面(15)まで延び、
    前記プリーツ入口面(13)は前記触媒モジュールの入口面(14)と55度から87度までの角度(δ)を形成し、
    前記層は50から85までの開口面積率を有し、
    d/s比の範囲は0.003から0.3であり、
    W/2nsの値は0.1〜0.9であり、
    前記構造触媒体は、セメント又は接着剤で互いに結合されてモノリシックハニカム構造を形成する、触媒モジュール。
  2. 前記構造触媒体は、7.75セル/平方センチメートル(cpscm)(50セル/平方インチ(cpsi))から139.5cpscm(900cpsi)のセル密度を有する、請求項1に記載の触媒モジュール。
  3. 前記セル密度は、21.7cpscm(140cpsi)以上である、請求項に記載の触媒モジュール。
  4. 前記セル密度は、50.4cpscm(325cpsi)以上である、請求項に記載の触媒モジュール。
  5. 少なくとも1つの請求項1に記載のモジュールを含む触媒反応器。
  6. 前記触媒反応器は
    Figure 0006803829
    の関係を満たし、
    ここでxは0.001〜0.1であり、
    dpは現場で測定した前記触媒反応器の前後の静圧差(水柱インチ)であり、
    は、P=−ln(1−deNO /100)/マージンで定義され、deNOは前記触媒反応器のNO除去効率(%)であり、マージンは不活性化及び完全なシステム要因に適用される従来の性能マージンであって、0.25〜0.95の範囲の値であり、
    infは前記触媒反応器のすぐ上流の平均自由流速度(m/s)である、請求項に記載の触媒反応器。
  7. 前記deNOは40〜98%である、請求項に記載の触媒反応器。
  8. 前記触媒反応器は
    Figure 0006803829
    の関係を満たし、
    ここでyは0.72未満であり、
    前記構造触媒体は31よりも大きいcpscm(200よりも大きいcpsi)を有し、
    dpは現場で測定した前記触媒反応器の前後の静圧差(水柱インチ)であり、
    Figure 0006803829
    であり、
    ここで、dot は煙道ガスの体積流量(Nm /hr)であり、
    は前記触媒反応器の触媒体積(m であり、
    APは単位容積当たりの濡れ面積(m /m であり、
    infは、前記触媒反応器のすぐ上流の平均自由流速度(m/s)である、請求項に記載の触媒反応器。
  9. 前記構造触媒体は、セメント又は接着剤で互いに結合されてモノリシックハニカム構造を形成する、請求項又はに記載の触媒反応器。
  10. 前記構造触媒体は、7.75セル/平方センチメートル(cpscm)(50セル/平方インチ(cpsi))から139.5cpscm(900cpsi)のセル密度を有する、請求項又はに記載の触媒反応器。
  11. 前記セル密度は、21.7cpscm(140cpsi)以上である、請求項10に記載の触媒反応器。
  12. 前記セル密度は、50.4cpscm(325cpsi)以上である、請求項11に記載の触媒反応器。
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