JP6789118B2 - 接続構造体の製造方法及び接続構造体 - Google Patents
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Description
F:導電性粒子が10%圧縮変形したときの荷重値(N)
S:導電性粒子が10%圧縮変形したときの圧縮変位(mm)
R:導電性粒子の半径(mm)
上記導電性粒子は、全体が導電部である導電性粒子であってもよく、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える導電性粒子であってもよい。電極と導電性粒子との接触面積を大きくし、接続抵抗を効果的に低くする観点からは、上記導電性粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電部とを備えることが好ましい。
上記基材粒子としては、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、金属粒子を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがより好ましい。上記基材粒子は、コアシェル粒子であってもよい。
上記導電部を形成するための金属は特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、オスミウム、イリジウム、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素及びこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属としては、錫ドープ酸化インジウム(ITO)及びはんだ等が挙げられる。なかでも、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができるので、錫を含む合金、ニッケル、パラジウム、銅又は金が好ましく、ニッケル又はパラジウムが好ましい。
上記導電性粒子は、導電性の表面に、突起を有することが好ましい。上記導電性粒子は、上記導電部の外表面に、突起を有することが好ましい。上記突起は複数であることが好ましい。上記導電性粒子により接続される電極の表面には、酸化膜が形成されていることが多い。さらに、上記導電性粒子の導電部の表面には、酸化膜が形成されていることが多い。上記突起を有する導電性粒子の使用により、電極間に導電性粒子を配置した後、圧着させることにより、突起により酸化膜が効果的に排除される。このため、電極と導電性粒子とをより一層確実に接触させることができ、電極間の接続抵抗を低くすることができる。さらに、上記導電性粒子と電極との間のバインダー樹脂を効果的に排除でき、特に130℃における粘度の比較的高いバインダーを用いる本発明においては一層その効果が大きい。さらに、上記導電性粒子が表面に絶縁性物質を有する場合に、導電性粒子の突起によって、導電性粒子と電極との間の樹脂を効果的に排除できる。このため、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。
上記導電性粒子は、上記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備えることが好ましい。この場合には、導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡をより一層防止できる。具体的には、複数の導電性粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁性物質が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、2つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。上記導電性粒子が導電部の外表面に複数の突起を有する場合には、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁性物質をより一層容易に排除できる。
本発明に係る導電フィルムは、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。上記バインダー樹脂は、上記導電フィルムにおける導電性粒子を除く成分である。上記導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散され、導電フィルムとして用いられる。上記導電フィルムは、異方性導電フィルムであることが好ましい。上記導電性粒子及び上記導電フィルムはそれぞれ、電極間の電気的な接続に用いられる。上記導電フィルムは、回路接続材料であることが好ましい。
上記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電フィルムを用いて、接続対象部材を接続することにより、接続構造体を得ることができる。
導電性粒子の作製:
粒子径が3.0μmであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子(積水化学工業社製「ミクロパールSP−203」)を用意した。パラジウム触媒液を5重量%含むアルカリ溶液100重量部(100g)に、上記樹脂粒子10重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、樹脂粒子を取り出した。次いで、樹脂粒子をジメチルアミンボラン1重量%溶液100重量部に添加し、樹脂粒子の表面を活性化させた。表面が活性化された樹脂粒子を十分に水洗した後、蒸留水500重量部に加え、分散させることにより、懸濁液を得た。次に、金属ニッケル粒子スラリー(平均粒子径100nm)1gを3分間かけて上記分散液に添加し、芯物質が付着された基材粒子を得た。芯物質が付着された基材粒子を蒸留水500重量部に加え、分散させることにより、懸濁液Aを得た。
熱硬化性化合物であるフェノキシ化合物(Inchem社製「PKHC」)30重量部をPGMEA35重量部とメチルエチルケトン35重量部との混合溶媒に入れ、24時間常温で撹拌してフェノキシ化合物の30重量%分散液を得た。次に、上記分散液30重量部と熱硬化性化合物であるエポキシ化合物(DIC社製「EPICLON HP−4032D」)30重量部と、潜在型熱硬化剤であるイミダゾールのマイクロカプセル硬化剤(旭化成社製「ノバキュアHXA3922」)30重量部と、シランカップリング剤(信越化学工業社製「KBM−403」)1重量部とを配合し、さらに導電性粒子を得られる導電フィルム100重量%中での含有量が10重量%となるように添加した後、固形分量が50%となるようにメチルエチルケトンをさらに添加し、遊星式攪拌機を用いて2000rpmで5分間攪拌することにより、導電ペーストを得た。得られた導電ペーストを剥離処理されたポリエチレンテレフタレート上に塗布し、溶媒を乾燥させて、厚みが20μmである異方性導電フィルムを得た。
L/Sが20μm/20μmの電極パターン(厚み0.35μmのTiO電極部分と、厚み1.0μmのTiAl電極部分と、厚み0.1μmのIZO電極部分とがこの順で積層された複合電極)を上面に有するガラス基板を用意した。また、L/Sが20μm/20μmの金電極パターン(金電極厚み20μm)を下面に有する半導体チップを用意した。
L/Sが20μm/20μmの電極パターン(内表面から外表面に向かって、厚み0.3μmのMo電極部分と、厚み1.0μmのAl−Nd電極部分と、厚み0.1μmのITO電極部分とがこの順で積層された複合電極)を上面に有するガラス基板を用意した。また、L/Sが20μm/20μmの金電極パターン(金電極厚み20μm)を下面に有する半導体チップを用意した。
金属ニッケル粒子スラリー(平均粒子径100nm)1gをアルミナ粒子スラリー(平均粒子径100nm)0.8gに変更したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。得られた導電性粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、異方性導電フィルム及び第1,第2の接続構造体を得た。
攪拌機及び温度計が取り付けられた500mLの反応容器内に、0.13重量%のアンモニア水溶液300gを入れた。次に、反応容器内のアンモニア水溶液中に、メチルトリメトキシシラン3.8gと、ビニルトリメトキシシラン10.8gと、シリコーンアルコキシオリゴマーA(信越化学工業社製「X−41−1053」、メトキシ基とエトキシ基とエポキシ基と珪素原子に直接結合したアルキル基とを有する、重量平均分子量:約1600)0.4gとの混合物をゆっくりと添加した。撹拌しながら、加水分解及び縮合反応を進行させた後、25重量%アンモニア水溶液1.6mLを添加した後、アンモニア水溶液中から粒子を単離して、得られた粒子を酸素分圧10−10atm、450℃(焼成温度)で2時間(焼成時間)焼成して、有機無機ハイブリッド粒子(基材粒子)を得た。得られた有機無機ハイブリッド粒子の粒子径は3.00μmであった。
4ツ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コック、冷却管及び温度プローブが取り付けられた1000mLのセパラブルフラスコに、メタクリル酸メチル100mmolと、N,N,N−トリメチル−N−2−メタクリロイルオキシエチルアンモニウムクロライド1mmolと、2,2’−アゾビス(2−アミジノプロパン)二塩酸塩1mmolとを含むモノマー組成物を固形分率が5重量%となるようにイオン交換水に秤取した後、200rpmで攪拌し、窒素雰囲気下70℃で24時間重合を行った。反応終了後、凍結乾燥して、表面にアンモニウム基を有し、平均粒子径220nm及びCV値10%の絶縁性粒子を得た。絶縁性粒子を超音波照射下でイオン交換水に分散させ、絶縁性粒子の10重量%水分散液を得た。
基材粒子として、粒子径が2.0μmであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子を使用したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。得られた導電性粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、異方性導電フィルム及び第1,第2の接続構造体を得た。
粒子径が3.0μmであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子(積水化学工業社製「ミクロパールSP−203」)を用意した。パラジウム触媒液を5重量%含むアルカリ溶液100重量部(100g)に、上記樹脂粒子10重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、樹脂粒子を取り出した。次いで、樹脂粒子をジメチルアミンボラン1重量%溶液100重量部に添加し、樹脂粒子の表面を活性化させた。表面が活性化された樹脂粒子を十分に水洗した後、蒸留水500重量部に加え、分散させることにより、懸濁液Dを得た。
実施例1と同様の懸濁液Aを用意した。
金属ニッケル粒子スラリー(平均粒子径100nm)1gを用いず、導電性粒子の表面に突起を形成しなかったこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。得られた導電性粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、異方性導電フィルム及び第1,第2の接続構造体を得た。
基材粒子として、ポリテトラメチレングリコールジアクリレートとジビニルベンゼンとの共重合体である樹脂粒子を使用したこと以外は実施例1と同様にして、導電性粒子を得た。得られた導電性粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、異方性導電フィルム及び第1,第2の接続構造体を得た。
(1)導電性粒子を10%圧縮したときの圧縮弾性率(10%K値)
得られた導電性粒子の上記圧縮弾性率(10%K値)を、上述した方法により、微小圧縮試験機(フィッシャー社製「フィッシャースコープH−100」)を用いて測定した。
得られた導電フィルム(異方性導電フィルム)を用いて、バインダー樹脂の130℃での粘度を、粘弾性測定装置(TAインスツルメント社製「AR−2000ex」)を用いて測定した。
微分干渉顕微鏡(オリンパス社製「BH3−MJL液晶パネル検査用顕微鏡」)を用いて、得られた第1,第2の接続構造体のガラス基板側から、ガラス基板に設けられた電極を観察し、導電性粒子が接触した電極において、表面積500μm2あたり、深さ5nm以上の圧痕の数を計測した。
微分干渉顕微鏡(オリンパス社製「BH3−MJL液晶パネル検査用顕微鏡」)を用いて、得られた第1,第2の接続構造体のガラス基板側から、ガラス基板に設けられた電極を観察した。上記電極の表面積500μm2あたりに配置された上記導電性粒子の数を100箇所で測定した。100箇所での測定値における上記導電性粒子の数のCV値を求めた。
接続抵抗の測定:
得られた第1,第2の接続構造体の対向する電極間の接続抵抗Aを4端子法により測定した。また、初期の接続抵抗Aを下記の基準で判定した。接続抵抗Aは、10Ω以下が好ましく、5.0Ω以下がより好ましく、3.0Ω以下が更に好ましく、1.5Ω以下が特に好ましい。
○○○:接続抵抗Aが1.0Ω以下
○○:接続抵抗Aが1.0Ωを超え、1.5Ω以下
○:接続抵抗Aが1.5Ωを超え、3.0Ω以下
△:接続抵抗Aが3.0Ωを超え、5.0Ω以下
×:接続抵抗Aが5.0Ωを超える
2…基材粒子
3…導電部
11…導電性粒子
11a…突起
12…導電部
12a…突起
13…芯物質
14…絶縁性物質
21…導電性粒子
21a…突起
22…導電部
22a…突起
22A…第1の導電部
22Aa…突起
22B…第2の導電部
22Ba…突起
51…接続構造体
52…第1の接続対象部材
52a…第1の電極
53…第2の接続対象部材
53a…第2の電極
54…接続部
Claims (7)
- 130℃での粘度が50Pa・s以上、1000Pa・s以下であるバインダー樹脂と、導電性粒子とを含む導電フィルムを用い、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材を用い、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材を用い、前記第1の電極と前記第2の電極とが対向するように、前記導電フィルムを前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材との間に配置して、積層体を得る工程と、
前記積層体を加熱及び加圧し、熱圧着することで、接続構造体を得る工程とを備え、
前記第1の電極が、内表面から外表面に向かって、厚み0.1μm以上0.5μm以下のTiO電極部分と、厚み0.5μm以上2.0μm以下のAlTi電極部分と、厚み0.05μm以上0.2μm以下のIZO電極部分とがこの順で積層された複合電極であるか、又は、前記第1の電極が、内表面から外表面に向かって、厚み0.1μm以上0.5μm以下のMo電極部分と、厚み0.5μm以上2.0μm以下のAl−Nd電極部分と、厚み0.05μm以上0.2μm以下のITO電極部分とがこの順で積層された複合電極であり、
得られる接続構造体において、前記第1の電極に前記導電性粒子が押し込まれた深さ5nm以上の圧痕の数が、前記第1の電極の表面積500μm2あたり、5個以上である接続構造体を得る、接続構造体の製造方法。 - 前記第1の電極が、1μm以上、2μm以下の厚みを有する、請求項1に記載の接続構造体の製造方法。
- 前記第1の電極が、内表面から外表面に向かって、厚み0.1μm以上0.5μm以下のTiO電極部分と、厚み0.5μm以上2.0μm以下のAlTi電極部分と、厚み0.05μm以上0.2μm以下のIZO電極部分とがこの順で積層された複合電極である、請求項1に記載の接続構造体の製造方法。
- 前記第1の電極が、内表面から外表面に向かって、厚み0.1μm以上0.5μm以下のMo電極部分と、厚み0.5μm以上2.0μm以下のAl−Nd電極部分と、厚み0.05μm以上0.2μm以下のITO電極部分とがこの順で積層された複合電極である、請求項1に記載の接続構造体の製造方法。
- 前記第1の電極と前記第2の電極との接続抵抗が1.5Ω以下である接続構造体を得る、請求項1〜4のいずれか1項に記載の接続構造体の製造方法。
- 第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、
第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、
前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部の材料が、130℃での粘度が50Pa・s以上、1000Pa・s以下であるバインダー樹脂と、導電性粒子とを含む導電フィルムであり、
前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されており、
前記第1の電極が、内表面から外表面に向かって、厚み0.1μm以上0.5μm以下のTiO電極部分と、厚み0.5μm以上2.0μm以下のAlTi電極部分と、厚み0.05μm以上0.2μm以下のIZO電極部分とがこの順で積層された複合電極であるか、又は、前記第1の電極が、内表面から外表面に向かって、厚み0.1μm以上0.5μm以下のMo電極部分と、厚み0.5μm以上2.0μm以下のAl−Nd電極部分と、厚み0.05μm以上0.2μm以下のITO電極部分とがこの順で積層された複合電極であり、
接続構造体において、前記第1の電極に前記導電性粒子が押し込まれた深さ5nm以上の圧痕の数が、前記第1の電極の表面積500μm 2 あたり、5個以上である、接続構造体。 - 前記第1の電極と前記第2の電極との接続抵抗が1.5Ω以下である、請求項6に記載の接続構造体。
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