JP6786968B2 - コンパレータを用いた発振器回路 - Google Patents
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Description
すなわち、従来の発振器回路1では差動部の出力電圧がトランジスタN2のゲート閾値電圧(例えば0.7V)まで下がりきらないとトランジスタN2がターンオフして利得部出力電圧が上昇を開始しなかったが、本発明の実施形態の発振器回路1aでは、差動部の出力電圧がトランジスタN2のゲート閾値電圧より高い否定論理和回路NOR1の論理閾値電圧(例えば2.5V)まで下がれば、トランジスタN2がターンオフして利得部出力電圧が上昇を開始する。さらに、トランジスタN2がターンオフするタイミングでトランジスタP6による充電が開始される。これにより、利得部出力が立ち上がるまでの時間を短縮することができる。
VDD 電源端子
CG 入力端子
GND 接地端子
2 差動部
P2〜P5 トランジスタ
N3、N4 トランジスタ
N5、N6 スイッチ
R2〜R6 抵抗
V1、V2 基準電圧
3 利得部
P1 トランジスタ
N2 トランジスタ
INV2 インバータ
INV1 インバータ
R1 抵抗
N1 トランジスタ
D−FF Dフリップフロップ回路
4 充放電制御部
INV3 インバータ
NOR1 否定論理和回路
N7 トランジスタ
INV4 インバータ
P6 トランジスタ
R0 抵抗
C0 容量
9 矩形波発生回路
Claims (5)
- 差動部と利得部とを有するコンパレータを用いた発振器回路であって、
前記差動部の一方の入力端子に、前記発振器回路に外付けされた抵抗及び容量の接続点の電位と、前記発振器回路に外付けされた矩形波発生回路の矩形波制御信号とのいずれかが入力され、前記利得部の出力に応じて前記差動部の他方の入力端子に入力される電圧が切り替わることで前記発振器回路は前記利得部の出力に基づくクロック信号を出力し、
前記差動部の出力に接続し、前記利得部の増幅器として用いられるMOSFETのゲート・ドレイン間のミラー容量及び前記MOSFETのゲート容量の充放電を制御する充放電制御部を有する発振器回路。 - 前記差動部の出力が前記MOSFETのゲートに接続され、
前記充放電制御部が、
前記発振器回路を制御するための制御信号が入力される論理回路と、
ゲートが前記論理回路の出力に接続され、ドレインが前記差動部の出力に接続され、ソースが前記発振器回路の基準電位に接続され、前記ミラー容量及び前記ゲート容量の放電を制御する放電スイッチと
を有する、請求項1に記載の発振器回路。 - 前記論理回路は、前記制御信号が入力される第1インバータと、該第1インバータの出力と前記差動部の出力とが入力される否定論理和回路とを有し、該否定論理和回路の出力を前記論理回路の出力とする、請求項2に記載の発振器回路。
- 前記否定論理和回路の論理閾値電圧が前記MOSFETのゲート閾値電圧よりも高い、請求項3に記載の発振器回路。
- 前記充放電制御部が、
前記論理回路の出力に接続される第2インバータと、
ゲートが前記第2インバータの出力に接続され、ソースが前記発振器回路の電源電圧に接続され、ドレインが前記MOSFETのドレインに接続され、前記ミラー容量の充電を制御する充電スイッチと
を有する、請求項2〜4のいずれか一項に記載の発振器回路。
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- 2016-09-05 JP JP2016172910A patent/JP6786968B2/ja active Active
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