KR101504987B1 - 삼각파를 이용한 저전력 발진기 - Google Patents

삼각파를 이용한 저전력 발진기 Download PDF

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Abstract

본 발명은 삼각파를 이용한 저전력 발진기에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 발진기는 미리 결정된 주기에 따른 펄스 신호를 발생하는 펄스 발생부; 상기 펄스 발생부와 연결되며, 클럭 단자를 통하여 입력되는 상기 펄스 신호와 클리어 단자를 통하여 입력되는 클리어 신호에 대응하여 생성되는 구형파 신호를 출력단자를 통하여 출력하는 구형파 발생부; 상기 구형파 발생부에서 출력되는 상기 구형파 신호에 의하여 제어되는 온오프 스위칭 동작에 대응하여 로우 레벨에서 하이 레벨로 소정의 기울기를 가지고 상승하는 제1 신호와 하이 레벨에서 로우 레벨로 소정의 기울기를 가지고 하강하는 제2 신호를 출력하여 삼각파 신호를 발생시키는 삼각파 발생부; 및 상기 삼각파 발생부에서 출력된 상기 삼각파 신호의 전압과 발진 기준전압의 크기를 비교하여, 상기 삼각파 신호의 전압이 상기 발진 기준전압 이상일 때 하이 레벨을 가지고, 상기 삼각파 신호의 전압이 상기 발진 기준전압 이하일 때 로우 레벨을 가지는 구형파 발진 신호를 출력하는 발진부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이를 통하여, 저전력으로 발진 신호를 제공할 수 있으며, 발진신호의 펄스폭과 발진 주파수도 용이하게 조절할 수 있다.

Description

삼각파를 이용한 저전력 발진기{LOW-POWER OSCILLATOR USING TRIANGULAR WAVE}
본 발명은 발진기에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 작은 전력으로 구형파 발진 신호를 출력할 수 있는 발진기에 관한 것이다.
발진기(Oscillator)는 일정한 주기의 신호를 발생시키는 장치로서, 아날로그 음향 합성장치뿐만 아니라 이동통신 단말기, 위성 및 레이더 통신기기, 무선네트워크 기기, 자동차용 통신 기기 등을 포함하는 무선통신 시스템에 이르기까지 다양한 기기에 널리 활용되고 있다.
발진기를 설계할 때에는 품질 계수(quality factor), 출력 파워(output power), 위상 노이즈(phase noise) 등 발진기에서 발생되는 신호에 관한 특성뿐 아니라, 발진기 자체에서 소모되는 전력량도 함께 고려해야 한다. 발진기가 장치에 내장되어 구동될 때 발진기 자체가 소모하는 전력량이 크면 클수록, 다른 부품에서 사용 가능한 가용 전력량이 그만큼 줄어들 수 있기 때문이다.
종래 발진기의 한 종류로서, 증폭기 및 LC동조회로에 의하여 구성되는 LC 발진기와 복수의 인버터를 루프순환형태로 연결시켜 구현하는 링 발진기는 발진기를 구성하는 소자들이 많은 전류를 소비하여 발진기가 저전력으로 운용되기 힘들다는 문제점이 있었다. 이로 인하여, 작은 전력으로 발진을 수행해야 하는 상황에서는 종래의 발진기를 적용하는데 많은 어려움이 존재하였다.
무선전력을 수신하는 수신기를 예로 들면, 무선전력은 송신거리에 따라 수신되는 전력이 급격히 줄어들어 송신거리가 상대적으로 먼 경우에는 수신기에 매우 작은 전력이 도달된다. 따라서, 수신기는 DC-DC 부스터를 이용하여 전력을 증폭하는데, 이때, 발진기의 발진신호를 통하여 DC-DC 부스터의 구동을 제어하게 된다. 이 경우 발진기가 수신기에 도달된 전력을 최대한 적게 소모하면서 발진 신호를 출력하는 것이 곧 무선전력 수신기의 성능과 직결된다. 위의 예에서도 알 수 있듯이 발진을 수행할 때 발진기가 소모하는 전력량은 발진기 설계시 주요 이슈 중 하나이다.
따라서 본 출원인은 종래 발진기의 발진 성능을 유지하면서도 저전력으로 운용 가능한 발진기를 새롭게 제안하게 되었다.
한국등록특허 제10-0424952호 한국등록특허 제10-0297241호
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 저전력으로 동작 가능한 발진기를 제공하기 위한 것이다.
상기한 목적은 본 발명의 일 양태에 따른 발진기에 있어서, 미리 결정된 주기에 따른 펄스 신호를 발생하는 펄스 발생부; 상기 펄스 발생부와 연결되며, 클럭 단자를 통하여 입력되는 상기 펄스 신호와 클리어 단자를 통하여 입력되는 클리어 신호에 대응하여 생성되는 구형파 신호를 출력단자를 통하여 출력하는 구형파 발생부; 상기 구형파 발생부에서 출력되는 상기 구형파 신호에 의하여 제어되는 온오프 스위칭 동작에 대응하여 로우 레벨에서 하이 레벨로 소정의 기울기를 가지고 상승하는 제1 신호와 하이 레벨에서 로우 레벨로 소정의 기울기를 가지고 하강하는 제2 신호를 출력하여 삼각파 신호를 발생시키는 삼각파 발생부; 및 상기 삼각파 발생부에서 출력된 상기 삼각파 신호의 전압과 발진 기준전압의 크기를 비교하여, 상기 삼각파 신호의 전압이 상기 발진 기준전압 이상일 때 하이 레벨을 가지고, 상기 삼각파 신호의 전압이 상기 발진 기준전압 이하일 때 로우 레벨을 가지는 구형파 발진 신호를 출력하는 발진부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발진기에 의하여 달성될 수 있다.
한편, 상기 구형파 발생부는 상기 펄스 신호에 응답하여 하이 레벨 신호를 출력하고, 상기 클리어 신호에 응답하여 상기 하이 레벨 신호를 로우 레벨로 천이시킬 수 있다.
또한, 상기 삼각파 발생부는, 소스가 전원에 접속된 제1 PMOS 트랜지스터; 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 드레인에 연결되어 상기 삼각파 신호의 주파수의 변수로 동작되는 캐패시터; 상기 구형파 발생부의 출력단자와 연결되어 상기 구형파 발생부에서 출력되는 구형파 신호를 통하여 온오프 스위칭 동작을 수행하고, 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 드레인과 연결되어 상기 캐패시터에 충전된 전하의 방전통로를 제공하는 NMOS 트랜지스터; 소스가 전원에 접속되고, 드레인과 게이트가 접속된 상태로 게이트가 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 게이트와 연결되는 제2 PMOS 트랜지스터; 및 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 드레인에 연결되어 상기 삼각파 신호의 주파수의 변수로 동작되는 저항을 포함할 수 있다.
그리고, 상기 펄스 발생부는, 상기 삼각파 발생부로부터 피드백된 삼각파 신호의 전압과 펄스발생 기준전압의 크기를 비교하는 비교회로; 및 상기 비교회로에서 출력되는 출력신호를 완충하는 버퍼회로로 구현될 수 있으며, 이때, 버퍼회로는 상기 비교회로에서 출력되는 출력신호를 입력받고, 상기 출력신호를 인버팅하여 제1 인버팅 신호를 출력하는 제1 인버터와 상기 제1 인버팅 신호를 인버팅하여 제2 인버팅 신호를 출력하는 제2 인버터를 포함할 수 있다.
한편, 상기 발진부의 발진 기준전압은 전압분배 회로의 출력단에서 출력되는 전압에 의하여 결정되는 것으로, 상기 전압분배 회로는 전원과 접지 사이에 직렬로 순차적으로 연결되는 제1 저항과 제2 저항을 포함하고, 상기 출력단은 상기 제2 저항에 인가되는 전압을 출력하도록 하며, 상기 전압분배 회로의 제2 저항의 값을 변화시켜 상기 발진부에서 출력되는 상기 구형파 발진 신호의 펄스폭을 조절할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 저전력으로 운용 가능하다. 또한, 본 발명에 따르면, 발진 신호의 펄스폭과 발진 주파수를 조절하는 것이 용이하다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발진기의 블록도;
도 2는 도 1의 발진기의 회로도;
도 3은 펄스 발생부의 개략적인 회로도;
도 4는 펄스 발생부에서 출력되는 펄스 신호의 일 예;
도 5는 삼각파 발생부에서 출력되는 삼각파 신호의 일 예;
도 6은 발진부에서 출력되는 발진 신호의 일 예; 및
도 7은 발진부의 발진 기준전압에 따른 발진 신호의 펄스폭의 변화를 나타내는 그래프이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예들에 대해 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발진기(100)의 블록도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 발진기(100)는 펄스 발생부(110), 구형파 발생부(130), 삼각파 발생부(150), 및 발진부(170)를 포함한다.
펄스 발생부(110)는 미리 결정된 주기에 따른 펄스 신호를 발생한다. 펄스 신호는 소정의 펄스폭(Pulse Width: W)을 가지는 펄스가 사전에 결정된 주기를 가지고 반복되는 신호이다.
구형파 발생부(130)는 펄스 발생부(110)와 연결되어 펄스 발생부(110)로부터 입력되는 펄스 신호에 대응하여 구형파 신호를 발생시킨다. 구형파 발생부(130)는 펄스 신호의 응답으로서 로우 레벨 신호를 하이 레벨로 천이시키고, 클리어 신호에 응답하여 하이 레벨 신호를 로우 레벨로 천이시켜 생성되는 구형파 신호를 출력 단자(Q)를 통하여 출력한다.
삼각파 발생부(150)는 구형파 발생부(130)와 연결되어 구형파 발생부(130)에서 출력된 구형파 신호에 따라 온오프(ON/OFF) 스위칭 동작을 수행하여 삼각파 신호(Triangular Wave: TW)를 발생시킨다. 삼각파 발생부(150)는 구형파 신호에 의하여 제어되는 스위치 소자를 포함하여 스위치가 오프(OFF) 될 때에는 로우 레벨에서 하이 레벨로 소정의 기울기를 가지고 상승하는 제1 신호를 출력하고, 스위치가 온(ON) 될 때에는 하이 레벨에서 로우 레벨로 소정의 기울기를 가지고 하강하는 제2 신호를 출력함으로써 삼각파 신호(TW)를 발생시킨다. 한편, 발생된 삼각파 신호(TW)는 펄스 발생부(110)로 피드백되어 지속적으로 일정한 주기에 따른 펄스 신호가 출력될 수 있도록 한다.
발진부(170)는 삼각파 발생부(150)와 연결되어 삼각파 발생부(150)에서 출력된 삼각파 신호(TW)와 사전에 결정된 발진 기준전압(Vref)의 크기를 비교하고, 비교결과에 따른 구형파 형태의 발진 신호를 출력한다.
이하에서는 도 2의 회로도를 참조하여 상술된 발진기(100)의 구성을 좀 더 살펴본다.
펄스 발생부(110)는 삼각파 발생부(150)로부터 피드백 받은 삼각파 신호(TW)와 펄스발생 기준전압(VCC’)을 입력받고, 이 두 전압의 크기의 비교결과에 대응하여 펄스 신호를 생성한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 펄스 발생부(110)의 회로도이다. 도 3을 참조하면, 펄스 발생부(110)는 삼각파 발생부(150)로부터 피드백된 삼각파 신호(TW)와 펄스발생 기준전압(VCC’)의 크기를 비교하는 비교회로(113)와 비교회로(113)에서 출력되는 출력신호를 완충하기 위한 버퍼회로(115)를 포함한다.
비교회로(113)는 비교기(Comparator)를 포함하며, 이때 비교기의 두 입력단자에는 각각 피드백된 삼각파 신호(TW)와 펄스발생 기준전압(VCC’)이 인가된다. 참고로 도 3에는 OP-Amp(Operational Amplifier)를 이용하여 비교기를 구현하였으나, 공지된 다양한 방법으로 비교기를 설계하여 양 전압을 비교할 수 있음은 물론이다.
이때, 펄스발생 기준전압(VCC’)은 저항(R5,R6)에 의한 전압분배를 통하여 결정될 수 있다. 이는 다음의 수식과 같이 표현될 수 있다.
Figure 112013047324963-pat00001
전원 전압(VCC)이 일정하다고 가정할 때, 저항 R5, R6의 저항값을 적절히 변화시켜 원하는 크기의 펄스발생 기준전압(VCC’)을 얻을 수 있다. 비교회로(113)는 삼각파 신호(TW)의 전압과 펄스발생 기준전압(VCC’)의 크기를 비교하여 삼각파 신호(TW)의 전압이 펄스발생 기준전압(VCC’) 이상일 때 하이 레벨을 가지고, 삼각파 신호(TW)의 전압이 펄스발생 기준전압(VCC’)보다 더 작을 때에는 로우 레벨을 가지는 펄스 신호를 출력한다. 따라서, 펄스발생 기준전압(VCC’)의 크기에 따라 펄스 신호의 펄스폭(W)이 달라진다. 도 4는 펄스 발생부(110)에서 출력된 펄스 신호의 일 예이다. 펄스발생 기준전압(VCC’)의 크기가 삼각파 신호(TW)의 최고치와 거의 유사하면 도 4와 같이 펄스폭(W)이 매우 좁은 펄스 신호가 출력될 것이다. 반면에, 펄스발생 기준전압(VCC’)이 작아지면 상대적으로 펄스폭(W)이 넓은 펄스 신호가 생성된다.
버퍼회로(115)는 비교회로(113)의 출력신호가 감쇠하지 않도록 출력신호의 완충을 위한 것으로, 직렬로 연결된 인버터 2개를 이용하여 구현될 수 있다. 즉, 버퍼회로(115)는 비교회로(113)에서 출력되는 출력신호를 입력받고, 출력신호를 인버팅하여 제1 인버팅 신호를 출력하는 제1 인버터(INV1)와 제1 인버팅 신호를 인버팅하여 제2 인버팅 신호를 출력하는 제2 인버터(INV2)를 포함할 수 있다.
구형파 발생부(130)는 펄스 발생부(110)의 펄스 신호를 입력받아 삼각파 발생부(150)의 스위칭 동작을 제어하기 위한 구형파 신호를 발생한다. 이를 위하여 구형파 발생부(130)는 도 2에 나타난 바와 같이 D 플립플롭(Flip Flop)(133)을 포함하여 구현될 수 있다. D 플립플롭(133)은 입력 단자(D), 클럭 단자(CK), 출력단자(Q), 및 클리어 단자(CLR)를 포함한다.
D 플립플롭(133)의 동작을 살펴보면, 입력 단자(D)에는 전원 전압(VCC)이 인가되고, 클럭 단자(CK)에는 펄스 발생부(110)에서 출력된 펄스 신호가 인가된다. D 플립플롭(133)이 상승 에지 트리거(Positive Edge Trigger)라고 가정하면, 펄스 신호가 로우 레벨에서 하이 레벨로 상승하는 에지가 D 플립플롭(133)의 트리거 신호가 된다. D 플립플롭(133)은 트리거 신호에 응답하여 하이 레벨 신호를 출력단자(Q)를 통하여 출력한다. 클리어 단자(CLR)은 클리어 신호가 인가되며, D 플립플롭(133)은 클리어 신호에 응답하여 하이 레벨 신호를 로우 레벨로 천이시켜 출력단자(Q)를 통하여 출력한다. 결과적으로 D 플립플롭(133)은 펄스 신호와 클리어 신호에 응답하여 구형파 신호를 출력하게 된다.
삼각파 발생부(150)는 구형파 발생부(130)와 연결되어 구형파 발생부(130)에서 출력되는 구형파 신호에 대응하여 삼각파 신호(TW)를 발생한다. 도 2의 회로도를 참조하면, 삼각파 발생부(150)는 전류를 공급하는 전류 미러(Current Mirror)의 구성요소로서 대향 배치되는 PMOS 트랜지스터(PMOS1,PMOS2), 구형파 발생부(130)에서 출력되는 구형파 신호에 따라 스위칭 동작을 수행하는 NMOS 트랜지스터, 및 삼각파 신호(TW)의 주파수 변수로 동작하는 캐패시터(C3)와 저항(R7)을 포함한다.
삼각파 발생부(150)를 구성하는 소자들의 연결관계를 좀 더 살펴보면, 제1 PMOS 트랜지스터(PMOS1)와 제2 PMOS 트랜지스터(PMOS2)의 소스(Source)는 전원(VCC)에 접속되며, 제2 PMOS 트랜지스터(PMOS2)는 드레인(Drain)과 게이트(Gate)가 서로 접속된 상태로 게이트가 제1 PMOS 트랜지스터(PMOS1)의 게이트와 연결된다. 제1 PMOS 트랜지스터(PMOS1)의 드레인에는 캐패시터(C3)가 연결되고, 제2 PMOS 트랜지스터(PMOS2)의 드레인에는 저항(R7)이 연결된다. 한편, NMOS 트랜지스터는 구형파 발생부(130)에서 출력되는 구형파 신호를 통하여 온오프 스위칭 동작을 수행하도록 게이트가 구형파 발생부(130)의 출력단자(Q)와 연결되며, 드레인은 제1 PMOS 트랜지스터(PMOS1)의 드레인과 연결되어 캐패시터(C3)에 충전된 전하의 방전통로를 제공하게 된다. 이와 같이 구성된 삼각파 발생부(150)는 저항(R7)과 캐패시터(C3)를 포함하여 결과적으로 RC 적분회로와 같이 동작하게 되어 삼각파 신호(TW)를 형성하게 된다.
도 5는 삼각파 발생부(150)에서 출력되는 삼각파 신호(TW)의 일 예를 도시한 것이다. 도 5를 함께 참조하여 삼각파 발생부(150)의 동작양태를 좀더 살펴보면, 구형파 발생부(130)에서 로우 레벨 신호가 입력되면 NMOS 트랜지스터는 오프(off)상태이므로 제1 PMOS 트랜지스터(PMOS1)로부터 공급되는 전류에 의하여 캐패시터(C3)가 충전되어 로우 레벨에서 하이 레벨로 소정의 기울기를 가지고 상승하는 제1 신호를 출력하게 된다. 이어서, 구형파 발생부(130)에서 하이 레벨 신호가 입력되면 NMOS 트랜지스터가 온(on)이 되어 캐패시터(C3)에 충전된 전하의 방전통로가 도통되므로 삼각파 발생부(150)는 하이 레벨에서 로우 레벨로 소정의 기울기를 가지고 하강하는 제2 신호를 출력함으로써 삼각파 신호(TW)를 생성한다.
한편, RC 적분회로에서는 R과 C의 값에 의하여 충전 및 방전 속도가 결정되므로, 결국 저항(R7)과 캐패시터(C3)는 삼각파 신호(TW)의 주파수의 변수로 동작된다. 따라서, 저항(R7)와 캐패시터(C3)의 값을 변화시켜 삼각파 발생부(150)에서 출력되는 삼각파 신호(TW)의 주파수를 조절할 수 있게 된다. 후술되는 바와 같이 삼각파 신호(TW)를 이용하여 발진을 수행하므로 삼각파 신호(TW)의 주파수의 변화는 결국 발진 신호의 주파수의 변화로 이어지게 된다.
발진부(170)는 삼각파 발생부(150)에서 출력된 삼각파 신호(TW)의 전압과 발진 기준전압(Vref)의 크기를 비교하여 발진 신호(Vout)를 출력한다.
도 6은 발진부(170)에서 출력되는 발진 신호(Vout)의 일 예를 도시한 것이다. 발진부(170)는 삼각파 신호(TW)의 전압이 발진 기준전압(Vref) 이상일 때에는 하이 레벨 신호를 출력하고, 삼각파 신호(TW)의 전압이 발진 긴준전압(Vref)보다 더 작을 때에는 로우 레벨 신호를 출력하여 도 6과 같은 구형파 발진 신호(Vout)를 출력한다. 발진부(170)는 발진 기준전압(Vref)과 삼각파 신호(TW)의 전압을 비교하기 위하여 발진 기준전압(Vref)와 삼각파 신호(TW)가 각각 입력되는 입력단자를 포함하는 비교기(Comparator)를 이용하여 구현될 수 있다. 비교기는 OP-AMP 비교기를 비롯한 공지된 다양한 회로구성을 기초로 설계될 수 있을 것이다.
한편, 발진 기준전압(Vref)은 저항(R3,R4)에 의한 전압분배를 통하여 결정될 수 있다. 전압분배를 위한 회로는 전원(VCC)과 접지 사이에 직렬로 순차적으로 연결되는 제1 저항(R3)과 제2 저항(R4)을 포함하고, 발진 기준전압(Vref)은 제2 저항(R4)에 인가되는 전압으로 결정된다. 참고로, 전압분배에 있어서 저항과 전압과의 관계는 상술된 수학식 1에 나타난 바와 같다.
따라서, 전원 전압(VCC)이 일정하다고 가정할 때, 저항 R3, R4의 저항값을 적절히 변화시켜 원하는 크기의 발진 기준전압(Vref)을 얻을 수 있다. 이때 R3와 R4의 저항값을 모두 변화시킬 수도 있을 것이나, 저항 R3는 고정시키고 R4만을 변화시키면서 발진 기준전압(Vref)을 변화시킬 수도 있다. 여기서 발진 기준전압(Vref)의 변화는 곧 발진 신호(Vout)의 펄스폭(W)의 변화를 의미한다. 다음에서 도 7을 참조하여 발진 기준전압(Vref)의 변화에 따른 발진 신호의 펄스폭(W)의 변화를 살펴본다.
도 7의 (b)는 발진 기준전압(Vref)이 (a)의 경우보다 더 큰 경우를 나타낸다. 발진 기준전압(Vref)이 커지면 펄스폭(W)이 상대적으로 작은 발진 신호가 출력되는 것을 확인할 수 있다. 따라서, 발진 기준전압(Vref), 즉, 저항 R4에 인가되는 전압을 적절히 변화시킴으로써 원하는 펄스폭(W)에 대응하는 발진 신호를 획득할 수 있다.
또한, 삼각파 신호(TW)의 주기에 따라 발진 신호의 주기도 달라진다. 즉, 삼각파 신호(TW)의 주기가 길면 발진 신호의 주기도 길어지고, 삼각파 신호(TW)의 주기가 짧으면 발진 신호의 주기 또한 이에 대응하여 짧아지게 된다. 따라서, 삼각파 발생부(150)의 캐패시터(C3)와 저항(R7)의 값을 변화시켜 삼각파 신호(TW)의 주기가 변화되면 이는 곧 발진 신호의 주파수가 변화되는 결과를 가져오게 된다.
이처럼 본 발명의 실시예에 따른 발진기(100)에 의하면, 발진시 mA 단위의 전류를 소모하였던 종래의 LC발진기나 링 발진기에 비하여 소모전류가 적은 소자들을 이용하여 구현함으로써 μA 단위의 전류만을 소비하여 발진을 수행할 수 있게 된다. 한편, 종래의 발진기에 비하여 발진 신호의 펄스폭 및 발진 주파수의 조절도 용이하다.
비록 본 발명의 몇몇 실시예가 앞서 설명되었으나, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다.
예컨대, 삼각파 발생부(150)의 캐패시터(C3) 및 발진부(170)의 저항(R4)을 포함하여 발진 주파수와 펄스폭의 변수로 동작하는 소자들을 각각 가변 캐패시터와 가변 저항으로 구현하고, 필요한 주파수 및 펄스폭을 갖도록 적절히 그 값을 조절하여 원하는 발진 신호를 획득하도록 할 수 있을 것이다.
그러므로 본 발명의 보호범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해져야 할 것이다.
100 : 발진기 110 : 펄스 발생부
130 : 구형파 발생부 150 : 삼각파 발생부
170 : 발진부

Claims (7)

  1. 미리 결정된 주기에 따른 펄스 신호를 발생하는 펄스 발생부;
    상기 펄스 발생부와 연결되며, 클럭 단자를 통하여 입력되는 상기 펄스 신호와 클리어 단자를 통하여 입력되는 클리어 신호에 대응하여 생성되는 구형파 신호를 출력단자를 통하여 출력하는 구형파 발생부;
    상기 구형파 발생부에서 출력되는 상기 구형파 신호에 의하여 제어되는 온오프 스위칭 동작에 대응하여 로우 레벨에서 하이 레벨로 소정의 기울기를 가지고 상승하는 제1 신호와 하이 레벨에서 로우 레벨로 소정의 기울기를 가지고 하강하는 제2 신호를 출력하여 삼각파 신호를 발생시키는 삼각파 발생부; 및
    상기 삼각파 발생부에서 출력된 상기 삼각파 신호의 전압과 발진 기준전압의 크기를 비교하여, 상기 삼각파 신호의 전압이 상기 발진 기준전압 이상일 때 하이 레벨을 가지고, 상기 삼각파 신호의 전압이 상기 발진 기준전압 이하일 때 로우 레벨을 가지는 구형파 발진 신호를 출력하는 발진부를 포함하며,
    상기 펄스 발생부는,
    상기 삼각파 발생부로부터 피드백된 삼각파 신호의 전압과 펄스발생 기준전압의 크기를 비교하는 비교회로; 및 상기 비교회로에서 출력되는 출력신호를 완충하는 버퍼회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 발진기.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 구형파 발생부는 상기 펄스 신호에 응답하여 하이 레벨 신호를 출력하고, 상기 클리어 신호에 응답하여 상기 하이 레벨 신호를 로우 레벨로 천이시키는 것을 특징으로 하는 발진기.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 삼각파 발생부는,
    소스가 전원에 접속된 제1 PMOS 트랜지스터;
    상기 제1 PMOS 트랜지스터의 드레인에 연결되어 상기 삼각파 신호의 주파수의 변수로 동작되는 캐패시터;
    상기 구형파 발생부의 출력단자와 연결되어 상기 구형파 발생부에서 출력되는 구형파 신호를 통하여 온오프 스위칭 동작을 수행하고, 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 드레인과 연결되어 상기 캐패시터에 충전된 전하의 방전통로를 제공하는 NMOS 트랜지스터;
    소스가 전원에 접속되고, 드레인과 게이트가 접속된 상태로 게이트가 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 게이트와 연결되는 제2 PMOS 트랜지스터; 및
    상기 제2 PMOS 트랜지스터의 드레인에 연결되어 상기 삼각파 신호의 주파수의 변수로 동작되는 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 발진기.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 버퍼회로는 상기 비교회로에서 출력되는 출력신호를 입력받고, 상기 출력신호를 인버팅하여 제1 인버팅 신호를 출력하는 제1 인버터와 상기 제1 인버팅 신호를 인버팅하여 제2 인버팅 신호를 출력하는 제2 인버터를 포함하는 것을 특징으로 하는 발진기.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 발진부의 발진 기준전압은 전압분배 회로의 출력단에서 출력되는 전압에 의하여 결정되며,
    상기 전압분배 회로는 전원과 접지 사이에 직렬로 순차적으로 연결되는 제1 저항과 제2 저항을 포함하고, 상기 출력단은 상기 제2 저항에 인가되는 전압을 출력하는 것을 특징으로 하는 발진기.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 전압분배 회로의 제2 저항의 값을 변화시켜 상기 발진부에서 출력되는 상기 구형파 발진 신호의 펄스폭을 조절하는 것을 특징으로 하는 발진기.
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