JP6786876B2 - Cha型ゼオライトの製造方法 - Google Patents

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Description

本発明はCHA型ゼオライトの製造方法に関する。特に、工業的なCHA型ゼオライトの製造方法に関する。
アルミナに対するシリカの比が5〜50のCHA型ゼオライトとしてSSZ−13が知られている(特許文献1)。SSZ−13は安定性が高いため、メタノールからのエチレン製造又はプロピレン製造用の固体酸触媒(MTO触媒)、尿素存在下における窒素酸化物還元触媒(NH−SCR触媒)、又は、これらの触媒担体として使用されている。
SSZ−13は特許文献1で初めて報告された合成CHA型ゼオライトであり、その製造にはN−アルキル−3−キヌクリジノールアンモニウム塩、N,N,N−トリアルキル−2−アンモニウムエキソノルボルナン塩又はN,N,N−トリメチルアダマンチルアンモニウム塩が有機構造指向剤として使用される。CHA型ゼオライトが結晶化できる範囲が広いため、これら有機構造指向剤の中でも水酸化N,N,N−トリメチルアダマンチルアンモニウム(以下、「TMAdOH」ともいう。)が、工業的なSSZ−13の製造方法で使用されている。
その一方、TMAdOHは比較的高価であるため、より安価な有機構造指向剤が求められている。
TMAdOHより安価な化合物であり、CHA型ゼオライトが得られる有機構造指向剤として、水酸化N,N,N−トリメチルベンジルアンモニウム又は水酸化N,N,N−トリエチルベンジルアンモニウム(特許文献2)、水酸化N,N,N−トリメチルシクロヘキシルアンモニウム(特許文献3)、水酸化N,N,N−トリエチルシクロヘキシルアンモニウム、水酸化N,N,N−メチルジエチルシクロヘキシルアンモニウム、水酸化N,N,N−ジメチルエチルシクロヘキシルアンモニウム、水酸化2,7−ジメチル−1−アゾニウム[5.4]デカン(特許文献4)が報告されている。
米国特許第4,544,538号 米国特許第7,597,874号 米国公開特許2013/0323164 米国特許第7,670,589号
特許文献2乃至4で開示された有機構造指向剤は、CHA型ゼオライトが結晶化する場合がある。しかしながら、これらの有機構造指向剤は、CHA型ゼオライトが生成する条件が非常に限定されており、例えば、アルカリ濃度が高い領域でしかCHA型ゼオライトが得られない、などの制限があった。また、CHA型ゼオライトが生成した場合であっても不純物を含む混合物となり易いなど、CHA型ゼオライトの指向性が低かった。
これらの課題に鑑み、本発明は、TMAdOHより安価な有機構造指向剤を使用し、なおかつCHA型ゼオライトの指向性の高いCHA型ゼオライトの製造方法を提供することを目的とする。
本発明者は、CHA型ゼオライトを結晶化するための原料組成、特に有機構造指向剤について検討した。その結果、TMAdOHを必須とすることなく、高いCHA型ゼオライトの指向性を示す製造方法を見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明の要旨は以下のとおりである。
[1] アルミナ源、シリカ源、アルカリ源、水及びN,N,N−ジメチルエチルベンジルアンモニウム塩を含む組成物を結晶化する結晶化工程、を有することを特徴とするCHA型ゼオライトの製造方法。
[2] 前記N,N,N−ジメチルエチルベンジルアンモニウム塩が、N,N,N−ジメチルエチルベンジルアンモニウムの水酸化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、炭酸モノエステル塩、硫酸モノエステル塩、硝酸塩及び硫酸塩からなる群の少なくとも1種である上記[1]に記載の製造方法。
[3] 前記組成物が、N,N,N−トリアルキルアダマンチルアンモニウム塩、N−アルキル−3−キヌクリジノールアンモニウム塩、及び、N,N,N−トリアルキル−2−アンモニウムエキソノルボルナン塩からなる群の少なくとも1種の四級アンモニウム塩を含む上記[1]又は[2]に記載の製造方法。
[4] 前記四級アンモニウム塩が、N,N,N−トリアルキルアダマンチルアンモニウム塩が、N,N,N−トリアルキルアダマンチルアンモニウムの水酸化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、炭酸モノエステル塩、硫酸モノエステル塩、硝酸塩及び硫酸塩からなる群の少なくとも1種である上記[3]に記載の製造方法。
[5] 前記四級アンモニウム塩がN,N,N−トリアルキルアダマンチルアンモニウム塩である上記[3]又は[4]に記載の製造方法。
[6] 前記四級アンモニウム塩がN,N,N−トリアルキルアダマンチルアンモニウム塩がN,N,N−トリメチルアダマンチルアンモニウム塩である上記[3]乃至[5]のいずれかに記載の製造方法。
[7] 前記アルミナ源及びシリカ源が非晶質アルミノシリケートを含む上記[1]乃至[6]のいずれかに記載の製造方法。
[8] 前記原料組成物が以下の組成を有する上記[1]乃至[7]のいずれかに記載の製造方法。
SiO/Al =10以上60以下
OSDA/SiO =0.06以上0.20以下
M/SiO =0.10以上0.30以下
OH/SiO =0.10以上0.50以下
O/SiO =10.0以上20.0以下
種晶 =0.0重量%以上10.0重量%以下
但し、OSDAはN,N,N−ジメチルエチルベンジルアンモニウム塩であり、N,N,N−ジメチルエチルベンジルアンモニウム塩及びN,N,N−トリメチルアダマンチルアンモニウム塩を含んでいてもよい、MはNa及びKである。
以下、本発明のCHA型ゼオライトの製造方法について詳細に説明する。
本発明はCHA型ゼオライトの製造方法に係る。CHA型ゼオライトは、国際ゼオライト学会で定義される構造コードでCHA構造となる結晶構造(以下、単に「CHA構造」ともいう。)を有する結晶性アルミノシリケートである。CHA構造は、粉末X線回折(以下、「XRD」とする。)パターンによって確認することができる。例えば、特許文献1Table.1又は2のXRDパターンと比較することでSSZ−13と同等の結晶構造を有するCHA型ゼオライトであることを確認することができる。
本発明の製造方法は、アルミナ源、シリカ源、アルカリ源、水及びN,N,N−ジメチルエチルベンジルアンモニウム塩を含む組成物(以下、「原料組成物」ともいう。)を結晶化させる結晶化工程、を含む。
原料組成物は、N,N,N−ジメチルエチルベンジルアンモニウム(以下、「DMEBA」ともいう。)塩を含む。DMEBA塩に含まれるDMEBAカチオン(以下、「DMEBA」ともいう。)はCHA構造を指向する有機構造指向剤(以下、「OSDA」ともいう。)として機能する。これにより、N,N,N−トリメチルアダマンチルアンモニウム塩(以下、「TMAd塩」ともいう。)やその他の高価な四級アンモニウム塩を必須とすることなく、単一相のCHA型ゼオライトを結晶化することができる。
DMEBA塩は、DMEBAを含む化合物であればよい。DMEBA塩として、DMEBAの水酸化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、炭酸モノエステル塩、硫酸モノエステル塩、硝酸塩及び硫酸塩からなる群の少なくとも1種を挙げることができる。工業的な観点からDMEBA塩はDMEBAの水酸化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、硝酸塩及び硫酸塩からなる群の少なくとも1種、更にはDMEBAの塩化物、臭化物及びヨウ化物からなる群の少なくとも1種、また更にはDMEBAの塩化物又は臭化物の少なくともいずれかであることが好ましい。
DMEBA塩の製造方法として、例えば、N,N−ジメチルベンジルアミンとエチル化剤とを溶媒中、室温〜150℃で反応させる製造方法が挙げられる。エチル化剤としてハロゲン化エチル、炭酸ジエチル及び硫酸ジエチルからなる群の少なくとも1種が挙げられる。溶媒は原料を溶解できるものが好ましく、水、アルコール、更にはメタノール、エタノール及び2−プロパノールからなる群の少なくとも1種を挙げることができる。これにより、DMEBA塩として、DMEBAのハロゲン化塩、炭酸モノエステル塩又は硫酸モノエステル塩のいずれかを合成することができる。また、DMEBAの水酸化物塩を得る場合は、水酸化物イオン型強塩基性陰イオン交換樹脂を用いて上記で得られたDMEBA塩をイオン交換すればよい。
原料組成物はOSDAとしてDMEBA塩を含んでいればよいが、N,N,N−トリアルキルアダマンチルアンモニウム塩(以下、「アダマンタン塩」又は「ADA塩」ともいう。)、N−アルキル−3−キヌクリジノールアンモニウム塩、及び、N,N,N−トリアルキル−2−アンモニウムエキソノルボルナン塩からなる群の少なくとも1種の四級アンモニウム塩を含んでいてもよい。これら四級アンモニウム塩の中で、ADA塩が好ましく、N,N,N−トリメチルアダマンチルアンモニウム塩(以下、「TMAd塩」ともいう。)が特に好ましい。TMAd塩を含むことで、より少ないOSDA含有量の原料組成物であっても高結晶性のCHAゼオライトを得ることができる。
原料組成物に含まれる四級アンモニウム塩は水酸化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、炭酸モノエステル塩、硫酸モノエステル塩、硝酸塩及び硫酸塩からなる群の少なくとも1種であることが挙げられる。工業的な観点から四級アンモニウム塩は水酸化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、硝酸塩及び硫酸塩からなる群の少なくとも1種、更には塩化物、臭化物及びヨウ化物からなる群の少なくとも1種、また更には塩化物又は臭化物の少なくともいずれかであることが好ましい。
アルミナ源は、アルミナ(Al)又はその前駆体となるアルミニウム化合物であり、例えば、アルミナ、硫酸アルミニウム、硝酸アルミニウム、アルミン酸ナトリウム、水酸化アルミニウム、塩化アルミニウム、非晶質アルミノシリケート、金属アルミニウム及びアルミニウムアルコキシドからなる群の少なくとも1種を用いることができる。
シリカ源は、シリカ(SiO)又はその前駆体となるケイ素化合物であり、例えば、コロイダルシリカ、無定型シリカ、珪酸ナトリウム、テトラエトキシシラン、テトラエチルオルトシリケート、沈殿法シリカ、ヒュームドシリカ、非晶質アルミノシリケートからなる群の少なくとも1種を挙げることができる。
CHA型ゼオライトの結晶化速度が速くなるため、アルミナ源及びシリカ源は、非晶質アルミノシリケートを含むことが好ましい。
アルカリ源は、アルカリ金属化合物であり、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム及びセシウムからなる群の少なくとも1種の化合物、更にはリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム及びセシウムからなる群の少なくとも2種の化合物であることが好ましい。アルカリ金属化合物は、アルカリ金属の水酸化物、フッ化物、塩化物、臭化物及びヨウ化物からなる群の少なくとも1種であることが好ましい。特に好ましいアルカリ源として、ナトリウム又はカリウムの少なくともいずれかの化合物、更には水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムの少なくともいずれか、更には水酸化ナトリウム及び水酸化カリウムであることが好ましい。また、原料組成物に含まれる他の原料がアルカリ金属を含む場合、これらに含まれるアルカリ金属もアルカリ源として機能する。
原料組成物に含まれる水は、脱イオン水や、純水を挙げることができる。また、アルミナ源、シリカ源、DMEBA塩又はアルカリ源の少なくともいずれかが水溶液である場合、これらの原料に含まれる水であってもよい。
原料粗生物のシリカに対するOSDAのモル比(以下、「OSDA/SiO」ともいう。)は、0.03以上、更には0.06以上である。OSDA/SiOが0.03以上であることでCHA型ゼオライトの単相が得られやすくなる。製造コストの観点からOSDAを必要以上に多くする必要はなく、OSDA/SiOは0.30以下、更には0.20以下であればよい。特に好ましいOSDA/SiOとして、0.06以上0.20以下を挙げることができる。
原料組成物がOSDAとしてDMEBA塩及びアダマンタン塩を含有する場合、そのOSDA/SiOは0.03以上、更には0.05以上であることが好ましい。OSDA/SiOが0.03以上であることでCHA型ゼオライトの単相が得られやすくなる。製造コストの観点からOSDAを必要以上に多くする必要はなく、OSDA/SiOは0.20以下、更には0.10以下であればよい。なお、原料組成物がOSDAとしてDMEBA塩とアダマンタン塩とを含有する場合、及び、DMEBA塩とTMAd塩を含有する場合、OSDA/SiOはそれぞれ(DMEBA+ADA)/SiO、及び、(DMEBA+TMAd)/SiOとして表すこともできる。特に好ましい(DMEBA+TMAd)/SiOとして0.06以上0.12以下を挙げることができる。
原料組成物がOSDAとしてDMEBA塩及びアダマンタン塩を含有する場合、DMEBA塩に対するアダマンタン塩のモル比(以下、「ADA/DMEBA」ともいう)は0.2以上3.0以下であることが好ましい。ADA/DMEBAが2.0を超えると、CHA型ゼオライト指向性が高くなるが、製造コストも高くなりやすい。また、ADA/DMEBAが0.2以上であれば高結晶性のCHA型ゼオライトがより得られやすくなる。
この場合、原料組成物の好ましいOSDA含有量として、DMEBA/SiOが0.02以上0.10以下、シリカに対するアダマンタン塩のモル比(以下、「ADA/SiO」ともいう。)が0.02以上0.10以下であり、なおかつ、ADA/DMEBAが1.0以下であることが挙げられる。
原料組成物のアルミナに対するシリカのモル比(以下、「SiO/Al」ともいう。)は10以上100以下、更には10以上60以下であることが好ましい。SiO/Alが10以上であることでCHA型ゼオライトの耐熱性が高くなりやすい。一方、SiO/Alが100以下であれば触媒反応に寄与する十分な酸点を有するゼオライトとなる。原料組成物のSiO/Alが10以上40以下、更には10以上35以下であることで、より触媒用途に適したCHA型ゼオライトが得られやすくなる。
原料組成物のシリカに対するアルカリ金属のモル比(以下、「M/SiO」ともいう。)は0.10以上0.50以下、更には0.10以上0.30以下であることが好ましい。M/SiOが0.10以上であることでCHA型ゼオライトの結晶化が促進されやすい。一方、M/SiOが1以下であれば、CHA構造以外の構造を有するゼオライトの生成がより生じにくくなる。
原料組成物がアルカリ金属としてナトリウム及びカリウムを含有する場合、ナトリウムに対するカリウムのモル比(以下、「Na/K」ともいう。)は0.05以上20.0以下、更には0.1以上2.0以下であることが挙げられる。
原料組成物のシリカに対する水(HO)のモル比(以下、「HO/SiO」ともいう。)は5.0以上50.0以下、更には10.0以上20.0以下であることが好ましい。HO/SiOが5.0以上であることで原料組成物が撹拌できる程度の流動性を有する。一方、HO/SiOが50.0以下であることで、CHA型ゼオライトの収率が高くなりやすい。更に、本発明の製造方法においてはHO/SiOが10.0以上15.5以下であっても、単一相のCHA型ゼオライトが得られる場合がある。
原料組成物は、シリカに対する水酸基アニオン(OH)のモル比(以下、「OH/SiO」ともいう。)が0.05以上1.0以下、更には0.1以上0.5以下であることが好ましい。OH/SiOが0.05以上であることで、CHA構造以外の構造を有するゼオライトの生成がより生じにくくなる。一方、OH/SiOが1.0以下であれば、十分な収率のCHA型ゼオライトが得られやすくなる。本発明においては、OH/SiOが0.3以下、更には0.25以下であっても、高い結晶性を有する単一相のCHA型ゼオライトが得られる場合がある。
原料組成物は、種晶を含んでもよい。種晶を含むことで結晶化が促進される。種晶はCHA型ゼオライト、更にはSSZ−13であることが好ましい。
種晶を含む場合、以下の式を満たす含有量(重量%)とすればよい。
0重量%≦{(w3+w4)/(w1+w2)}×100≦30重量%
上記式において、w1は原料組成物中のAlをAlに換算した重量、w2は原料組成物中のSiをSiOに換算した重量、w3は種晶中のAlをAlに換算した重量、及び、w4は種晶中のSiをSiOに換算した重量である。
種晶は以下の式を満たす含有量であることが更に好ましい。
0重量%≦{(w3+w4)/(w1+w2)}×100≦10重量%
原料組成物の好ましい組成として以下のものをあげることができる。
SiO/Al =10以上100以下
OSDA/SiO =0.03以上0.30以下
M/SiO =0.05以上1.0以下
OH/SiO =0.05以上1.0以下
O/SiO =5.0以上50.0以下
種晶 =0.0重量%以上30.0重量%以下
但し、OSDAはDMEBA塩であり、DMEBA塩及びTMAd塩を含んでいてもよい、MはNa及びKである。
さらに好ましい原料組成物の組成として以下のものをあげることができる。
SiO/Al =10以上60以下
OSDA/SiO =0.06以上0.20以下
M/SiO =0.10以上0.30以下
OH/SiO =0.10以上0.50以下
O/SiO =10.0以上20.0以下
種晶 =0.0重量%以上10.0重量%以下
但し、OSDAはDMEBA塩であり、DMEBA塩及びTMAd塩を含んでいてもよい、MはNa及びKである。
結晶化工程では、原料組成物を結晶化する。結晶化方法は、水熱合成があげられる。その場合、原料混合物を密閉容器に充填し、これを加熱すればよい。結晶化は、静置又は撹拌のいずれの状態で行ってもよい。
結晶化温度は130℃以上200℃以下、更には140℃以上180℃以下、また更には140℃以上180℃以下であることが好ましい。
上記の範囲であれば、結晶化中に結晶化温度を変更してもよい。例えば、130℃以上160℃以下で結晶化を開始し、その後、結晶化温度を160℃超200℃以下に変更して結晶化してもよい。
結晶化時間は、結晶化温度により異なるが、10時間以上、更には24時間(1日)以上であることが好ましい。これによりCHA型ゼオライトが結晶化する。一方、結晶時間が5日以下、更には72時間(3日)以下、また更には48時間(2日)以下であればCHA型ゼオライトの単一相が得られやすくなる。特に原料組成物がOSDAとしてDMEBA塩及びTMAd塩を含んでいる場合、結晶化時間が48時間以下であっても、不純物を含まない、CHA型ゼオライトの単一相が得られる。
本発明の製造方法では、結晶化工程の後、洗浄工程、乾燥工程及びイオン交換工程の少なくともいずれかを含んでいてもよい。
洗浄工程は、結晶化後のCHA型ゼオライトと液相とを固液分離する。洗浄工程は、公知の方法で固液分離をし、固相として得られるCHA型ゼオライトを脱イオン水で洗浄すればよい。
乾燥工程は、結晶化工程後又は洗浄工程後のCHA型ゼオライトから水分を除去する。乾燥工程の条件は任意であるが、結晶化工程後又は洗浄工程後のCHA型ゼオライトを、大気中、50℃以上150℃以下で2時間以上、静置することが例示できる。
結晶化後のCHA型ゼオライトは、そのイオン交換サイト上にアルカリ金属イオン等の金属イオンを有する場合がある。イオン交換工程では、これをアンモニウムイオン(NH )や、プロトン(H)等の非金属カチオンにイオン交換する。アンモニウムイオンへのイオン交換は、CHA型ゼオライトを塩化アンモニウム水溶液に混合、攪拌することが挙げられる。また、プロトンへのイオン交換は、CHA型ゼオライトをアンモニアでイオン交換した後、これを焼成することがあげられる。
本発明の製造方法により得られるCHA型ゼオライトは、CHA構造以外の構造を有するゼオライトを含まず、CHA型ゼオライトの単相である。
さらに、本発明の製造方法では、ハイシリカゼオライトであって、なおかつ、必要以上にSiO/Alが高くないCHA型ゼオライトが得られる。例えば、本発明の製造方法により得られるCHA型ゼオライトの好ましいSiO/Alとして5以上50以下、更には10以上30以下を挙げることができる。
本発明は、TMAdOHより安価なOSDAを使用し、なおかつCHA型ゼオライトの指向性の高いCHA型ゼオライトの製造方法を提供することができる。
実施例1のCHA型ゼオライトのXRDパターン 比較例1のゼオライトのXRDパターン 実施例5のCHA型ゼオライトのXRDパターン 実施例5のCHA型ゼオライトの走査型電子顕微鏡観察図
以下、実施例及び比較例に基づき本発明をさらに具体的に説明する。しかしながら、本発明は以下の実施例に制限されるものではない。本実施例及び比較例において、「比」は特に断らない限り、「モル比」を表す。以下、評価方法及び評価条件を示す。
(結晶構造の同定)
粉末X線回折装置(装置名:UltimaIV、株式会社リガク社製)を使用し、試料のXRD測定をした。線源にはCuKα線(λ=1.5405Å)を用い、測定範囲は2θとして5°から43°の範囲で測定した。
得られたXRDパターンと、(公知のCHAゼオライトの)特許文献1のTable.1のXRDパターンとを比較することで、試料の構造を同定した。
また、実施例5として得たCHA型ゼオライトの2θ=20.8°に相当するXRDピークの強度を100%とし、同ピーク強度との相対強度をCHA結晶度(%)とした。
(組成分析)
フッ酸と硝酸の混合水溶液に試料を溶解して試料溶液を調製した。ICP装置(装置名:OPTIMA5300DV、PerkinElmer社製)を使用して、当該試料溶液を誘導結合プラズマ発光分光分析(ICP−AES)で測定した。得られたSi、Alの測定値から、試料のSiO/Al比を求めた。
合成例1(DMEBABrの合成)
50.0gのN,N−ジメチルベンジルアミン及び40.3gの臭化エチルをエタノール100mLに混合した後、混合液を60℃で3時間反応させた。反応終了後、70℃で減圧処理することで未反応物及び溶媒を除去し、DMEBABrの白色固体を得た。得られたDMEBABrを脱イオン水に溶解し、25重量%DMEBABr水溶液を得た。
合成例2(DMEBAOHの合成)
合成例1で得られたDMEBABrの白色固体20gを脱イオン水180gに溶解させDMEBABr水溶液とした。DMEBABr水溶液を陰イオン交換樹脂(商品名:ダイヤイオンSA−10A、三菱化学株式会社製)を充填したカラムに通してイオン交換し、DMEBAOH水溶液を得た。イオン交換後のDMEBAOH水溶液を濃縮することでし、25重量%DMEBAOH水溶液を得た。
実施例1
25重量%DMEBAOH水溶液、48%水酸化ナトリウム水溶液、48重量%水酸化カリウム水溶液、脱イオン水、非晶質アルミノシリケート(SiO/Al=25.7)及び、種晶を混合して以下の組成を有する原料組成物50.0gを得た。種晶にはCHA型ゼオライトを用いた。
SiO/Al =25.7
DMEBAOH/SiO =0.15
K/SiO =0.12
Na/SiO =0.10
Na/K =0.83
O/SiO =15.0
OH/SiO =0.37
種晶 =5.0重量%
原料組成物を内容積80mLの密閉容器内に充填し、当該容器を55rpmで回転攪拌しながら170℃で72時間反応させた。得られた結晶化物を固液分離し、脱イオン水で洗浄した後、110℃で乾燥した。
XRD測定の結果、当該結晶化物はCHA型ゼオライトの単一相であり、CHA結晶度は84%であった。また、SiO/Al比は20.0であった。本実施例の原料組成物の主な組成及び反応条件を表1に、生成物の結果を表2に示す。
実施例2
結晶化温度を160℃としたこと及び結晶化時間を96時間(4日)としたこと以外は、実施例1と同様な条件で結晶化物を得た。
XRD測定の結果、当該結晶化物はCHA型ゼオライトの単一相であり、CHA結晶度は86%であった。また、SiO/Al比は20.2であった。本実施例の原料組成物の主な組成及び反応条件を表1に、生成物の結果を表2に示す。
比較例1
25重量%DMEBAOH水溶液の代わりに、25重量%水酸化N,N,N−トリメチルベンジルアンモニウム(以下、「TMBAOH」ともいう。)水溶液を使用したこと以外は実施例1と同様な方法で本比較例のゼオライトを得た。
XRD測定の結果、当該結晶化物はERI型ゼオライトとCHA型ゼオライトの混合物であり、単一相のCHA型ゼオライトは得られなかった。本比較例の原料組成物の主な組成及び反応条件を表1に、生成物の結果を表2に示す。
比較例2
25重量%DMEBAOH水溶液の代わりに、25重量%水酸化N,N,N−ジメチルイソプロピルベンジルアンモニウム(以下、「DMiPBAOH」ともいう。)水溶液を使用したこと以外は実施例1と同様な方法で本比較例のゼオライトを得た。本比較例ではゼオライトが結晶化しなかった。本比較例の原料組成物の主な組成及び反応条件を表1に、生成物の結果を表2に示す。
比較例3
25重量%DMEBAOH水溶液の代わりに、25重量%水酸化N,N,N−ジメチルプロピルベンジルアンモニウム(以下、「DMPBAOH」ともいう。)水溶液を使用したこと以外は実施例1と同様な方法で本比較例のゼオライトを得た。
XRD測定の結果、当該結晶化物はERI型ゼオライトであり、CHA型ゼオライトは得られなかった。本比較例の原料組成物の主な組成及び反応条件を表1に、生成物の結果を表2に示す。
比較例4
25重量%DMEBAOH水溶液の代わりに、25重量%水酸化N,N,N−メチルジエチルベンジルアンモニウム(以下、「MDEBAOH」ともいう。)水溶液を使用したこと以外は実施例1と同様な方法で本比較例のゼオライトを得た。
XRD測定の結果、当該結晶化物はMOR型ゼオライトとERI型ゼオライトの混合物であり、CHA型ゼオライトは得られなかった。本比較例の原料組成物の主な組成及び反応条件を表1に、生成物の結果を表2に示す。
比較例5
25重量%DMEBAOH水溶液の代わりに、25重量%水酸化N,N,N−トリエチルベンジルアンモニウム(以下、「TEBAOH」ともいう。)を使用したこと以外は実施例1と同様な方法で本比較例のゼオライトを得た。
XRD測定の結果、当該結晶化物はMOR型ゼオライトとERI型ゼオライトの混合物であり、CHA型ゼオライトは得られなかった。本比較例の原料組成物の主な組成及び反応条件を表1に、生成物の結果を表2に示す。
Figure 0006786876
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実施例1及び2よりDMEBAOHをOSDAとして使用することで、TMAd塩を使用することなく、CHA型ゼオライトの単一相が得られることが確認できた。一方、比較例1で使用したTMBAOHは、特許文献2においてCHA型ゼオライトが得られるとされたOSDAである。しかしながら、特許文献2の開示に対し、比較例1の原料組成物のSiO/Alは低く、65以下である。また、比較例1はOSDA以外が実施例1と同等な条件であるにも関わらず当該原料組成物においてはCHA型ゼオライトに加え、CHA構造以外のゼオライトの生成が顕著であった。また、比較例2乃至5より、他のN,N,N−トリアルキルベンジル4級アンモニウム塩をOSDAとして使用しても、CHA型ゼオライトが得られないことが確認できた。
実施例3
25重量%DMEBABr水溶液、25重量%TMAdCl水溶液、48重量%水酸化ナトリウム水溶液、48重量%水酸化カリウム水溶液、脱イオン水、非晶質アルミノシリケート(SiO/Al=25.7)、及び、種晶を混合して以下の組成を有する原料組成物50.0gを得た。種晶にはCHA型ゼオライトを用いた。
SiO/Al =25.7
DMEBABr/SiO =0.06
TMAdCl/SiO =0.02
OSDA/SiO =0.08
K/SiO =0.10
Na/SiO =0.10
Na/K =1.0
O/SiO =15.0
OH/SiO =0.20
種晶 =5.0重量%
原料組成物を内容積80mLの密閉容器内に充填し、当該容器を55rpmで回転攪拌しながら150℃で6時間反応させた後、昇温して180℃で40時間反応させ、合計46時間結晶化した。得られた結晶化物を固液分離し、脱イオン水で洗浄した後、110℃で乾燥した。
XRD測定の結果、当該結晶化物はCHA型ゼオライトの単一相であり、CHA結晶度は91%であった。また、SiO/Al比は22.4であった。本実施例の原料組成物の主な組成及び反応条件を表3に、生成物の結果を表4に示す。
実施例4
25重量%TMAdCl水溶液の代わりに、25重量%TMAdOH水溶液を使用したこと、及びK/SiOを0.12としたこと以外は実施例3と同様な方法で結晶化物を得、これを洗浄及び乾燥した。
XRD測定の結果、当該結晶化物はCHA型ゼオライトの単一相であり、CHA結晶度は90%であった。また、SiO/Al比は22.1であった。本実施例の原料組成物の主な組成及び反応条件を表3に、生成物の結果を表4に示す。
実施例5
25重量%DMEBABr水溶液、25重量%TMAdCl水溶液、48重量%水酸化ナトリウム水溶液、48重量%水酸化カリウム水溶液、脱イオン水、非晶質アルミノシリケート(SiO/Al=25.7)、及び、種晶を混合して以下のモル組成を有する原料組成物50.0gを得た。種晶にはCHA型ゼオライトを用いた。
SiO/Al =25.7
DMEBABr/SiO =0.04
TMAdCl/SiO =0.04
OSDA/SiO =0.08
K/SiO =0.10
Na/SiO =0.10
Na/K =1.0
O/SiO =15.0
OH/SiO =0.20
種晶 =5.0重量%
原料組成物を内容積80mLの密閉容器内に充填し、当該容器を55rpmで回転攪拌しながら150℃で48時間結晶化した。得られた結晶化物を固液分離し、脱イオン水で洗浄した後、110℃で乾燥した。
XRD測定の結果、当該結晶化物はCHA型ゼオライトの単一相であり、CHA結晶度は100%であった。また、SiO/Al比は24.5であった。本実施例の原料組成物の主な組成及び反応条件を表3に、生成物の結果を表4に示す。
実施例6
25重量%TMAdCl水溶液の代わりに、25重量%TMAdOH水溶液を使用したこと、及び、K/SiOを0.08としたこと以外は実施例5と同様な方法で結晶化物を得、これを洗浄及び乾燥した。
XRD測定の結果、当該結晶化物はCHA型ゼオライトの単一相であり、CHA結晶度は99%であった。また、SiO/Al比は23.8であった。本実施例の原料組成物の主な組成及び反応条件を表3に、生成物の結果を表4に示す。
実施例7
25重量%DMEABr水溶液の替わりに、25重量%DMEAOH水溶液を使用したこと、及び、K/SiOを0.06としたこと以外は実施例6と同様な方法で結晶化物を得、これを洗浄及び乾燥した。
XRD測定の結果、当該結晶化物はCHA型ゼオライトの単一相であり、CHA結晶度は98%であった。また、SiO/Al比は23.6であった。本実施例の原料組成物の主な組成及び反応条件を表3に、生成物の結果を表4に示す。
比較例6
25重量%DMEBABr水溶液の替わりに、25重量%臭化N,N,N−トリメチルベンジルアンモニウム(以下、TMBABrともいう)水溶液を使用した以外は実施例5と同様な方法で結晶化物を得、これを洗浄及び乾燥した。
XRD測定の結果、当該結晶化物はERI型ゼオライトとCHA型ゼオライトの混合物であり、単一相のCHA型ゼオライトは得られなかった。また、SiO/Al比は23.9であった。本比較例の原料組成物の主な組成及び反応条件を表3に、生成物の結果を表4に示す。
比較例7
25重量%DMEBABr水溶液の替わりに、25重量%臭化N,N,N−ジメチルプロピルベンジルアンモニウム(以下、DMPBABrともいう)水溶液を使用した以外は実施例5と同様な方法で結晶化物を得、これを洗浄及び乾燥した。
XRD測定の結果、当該結晶化物はERI型ゼオライトとCHA型ゼオライトの混合物であり、単一相のCHA型ゼオライトは得られなかった。また、SiO/Al比は23.0であった。本比較例の原料組成物の主な組成及び反応条件を表3に、生成物の結果を表4に示す。
比較例8
25重量%DMEBABr水溶液の替わりに、25重量%臭化N,N,N−トリエチルベンジルアンモニウム(以下、TEBABrともいう)水溶液を使用した以外は実施例5と同様な方法で結晶化物を得、これを洗浄及び乾燥した。
XRD測定の結果、当該結晶化物はFER型ゼオライトとCHA型ゼオライトの混合物であり、単一相のCHA型ゼオライトは得られなかった。また、SiO/Al比は22.8であった。本比較例の原料組成物の主な組成及び反応条件を表3に、生成物の結果を表4に示す。
Figure 0006786876
Figure 0006786876
表3および表4より、DMEBA塩とTMAd塩とをOSDAとした実施例では、単一相のCHA型ゼオライトが得られ、なおかつ、いずれも高いCHA結晶度を有するものであった。さらに、これらの実施例より、OH/SiOが0.25以下であっても、高い結晶性を有する単一相のCHA型ゼオライトが得られることが分かった。
比較例6乃至8はTMAd塩と、DMEBAとは異なるN,N,N−トリアルキルベンジルアンモニウム塩とをOSDAとした原料組成物である。特に、比較例6及び8は特許文献2でCHA型ゼオライトが得られるOSDAとして開示されたN,N,N−トリアルキルベンジルアンモニウム塩である。しかしながら、これらのOSDAを含む原料組成物では、CHA型ゼオライトと共に、不純物としてCHA型ゼオライト以外のゼオライトが生成した。さらに、比較例に含まれるCHA結晶度は、いずれも実施例よりも低いものであった。
これより、DMEBAとTMAdとをOSDAとすることで、より結晶性に優れたCHA型ゼオライトが得られることが確認できた。
本発明の製造方法は、CHA型ゼオライトの製造方法として使用することができ、特に工業的なCHA型ゼオライトの製造方法など、大規模なCHA型ゼオライトの製造方法に適用することができる。特に、触媒担体用のCHA型ゼオライトや吸着剤用のCHA型ゼオライトの工業的な製造方法として使用することができる。

Claims (8)

  1. アルミナ源、シリカ源、アルカリ源、水及びN,N,N−ジメチルエチルベンジルアンモニウム塩を含む組成物を結晶化する結晶化工程、を有することを特徴とするCHA型ゼオライトの製造方法。
  2. 前記N,N,N−ジメチルエチルベンジルアンモニウム塩が、N,N,N−ジメチルエチルベンジルアンモニウムの水酸化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、炭酸モノエステル塩、硫酸モノエステル塩、硝酸塩及び硫酸塩からなる群の少なくとも1種である請求項1に記載の製造方法。
  3. 前記組成物が、N,N,N−トリアルキルアダマンチルアンモニウム塩、N−アルキル−3−キヌクリジノールアンモニウム塩、及び、N,N,N−トリアルキル−2−アンモニウムエキソノルボルナン塩からなる群の少なくとも1種の四級アンモニウム塩を含む請求項1又は2に記載の製造方法。
  4. 前記四級アンモニウム塩がN,N,N−トリアルキルアダマンチルアンモニウム塩である請求項3に記載の製造方法。
  5. 前記N,N,N−トリアルキルアダマンチルアンモニウム塩が、N,N,N−トリアルキルアダマンチルアンモニウムの水酸化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、炭酸モノエステル塩、硫酸モノエステル塩、硝酸塩及び硫酸塩からなる群の少なくとも1種である請求項3又は4に記載の製造方法。
  6. 前記N,N,N−トリアルキルアダマンチルアンモニウム塩がN,N,N−トリメチルアダマンチルアンモニウム塩である請求項3乃至5のいずれか一項に記載の製造方法。
  7. 前記アルミナ源及びシリカ源が非晶質アルミノシリケートを含む請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の製造方法。
  8. 前記原料組成物が以下の組成を有する請求項1乃至7のいずれか一項に記載の製造方法。
    SiO/Al =10以上60以下
    OSDA/SiO =0.06以上0.20以下
    M/SiO =0.10以上0.30以下
    OH/SiO =0.10以上0.50以下
    O/SiO =10.0以上20.0以下
    種晶 =0.0重量%以上10.0重量%以下
    但し、OSDAはN,N,N−ジメチルエチルベンジルアンモニウム塩であり、N,N,N−ジメチルエチルベンジルアンモニウム塩及びN,N,N−トリメチルアダマンチルアンモニウム塩を含んでいてもよい、MはNa及びKである。
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