JP6785698B2 - 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 - Google Patents
炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 Download PDFInfo
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Description
すなわち、本発明の要旨は、次のとおりである。
前記坩堝蓋体の基板取付け部と前記種結晶基板との取付け界面において、種結晶基板の中央部に相当する中央領域では、種結晶基板に対する面積比で0.1%以上5%以下の接合面積を有するように接着剤で互いに接合され、該中央領域以外の外側周辺領域は、それぞれ表面粗さ(Ra)1μm以下の平滑面で互いに接するようにして、かつ、種結晶基板の外側周縁部は、保持部材により前記坩堝蓋体に対して機械的に固定して、種結晶基板の結晶成長面に炭化珪素単結晶を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
(2)前記坩堝蓋体の基板取付け部が円盤状の黒鉛製台座から形成され、該黒鉛製台座は、前記種結晶基板の中央部に相当する位置に貫通孔を備えると共に、表面粗さ(Ra)1μm以下の平滑面を有し、また、前記種結晶基板は、結晶成長面と反対側が表面粗さ(Ra)1μm以下の平滑面を有して、前記黒鉛製台座の貫通孔に充填された接着剤により、黒鉛製台座を介して種結晶基板と坩堝蓋体とが接合されて、かつ、種結晶基板の外側周縁部に取り付けられる前記保持部材により、黒鉛製台座と種結晶基板とを坩堝蓋体に対して一体的に固定する(1)に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
(3)口径100mm以上を有する炭化珪素単結晶インゴットを製造する(1)又は(2)に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
本発明においては、坩堝本体と坩堝蓋体とからなる黒鉛製坩堝の坩堝本体側に炭化珪素原料を装填し、坩堝蓋体側に炭化珪素単結晶からなる種結晶基板を取り付けて、炭化珪素原料を加熱昇華させて種結晶基板の結晶成長面に炭化珪素単結晶を成長させる種結晶基板を用いた昇華再結晶法により、例えば口径が100mm以上のSiC単結晶ウエハが取り出し可能なSiC単結晶インゴットを製造するにあたり、種結晶基板と坩堝蓋体の基板取付け部との取付け界面において、種結晶基板の中央部に相当する中央領域では、種結晶基板に対する面積比で0.1%以上5%以下の接合面積を有するように接着剤で互いに接合され、その中央領域以外の外側周辺領域では、それぞれ表面粗さ(Ra)が1μm以下の平滑面で互いに接するようにして、かつ、種結晶基板の外側周縁部は、保持部材により坩堝蓋体に対して機械的に固定して、種結晶基板の結晶成長面に炭化珪素単結晶を成長させるようにする。ここで、中央領域における接着剤以外には、種結晶基板と坩堝蓋体の基板取付け部との取付け界面に高融点金属やその炭化物等の耐熱性特殊材料等からなる介在層等が一切無く、両者が表面粗さ(Ra)が1μm以下の平滑面で互いに接した状態とすることが重要となる。
図4に示す昇華再結晶法単結晶成長装置を用いて、以下のようなSiC単結晶の成長を実施した。なお、図4は、種結晶基板1を用いた昇華再結晶法によってSiC単結晶を成長させる装置の一例であり、本発明の構成要件を限定するものではない。
種結晶基板1の裏面及び黒鉛製台座13の基板取付け面を実施例1と同様に鏡面加工した後、黒鉛製台座13に貫通孔は形成せずに、基板取付け面全体に実施例1で使用したものと同じフェノール系接着剤を塗布して、固化後の接着剤層の厚みがおよそ200μmとなるようにして、種結晶基板1と黒鉛製台座13とを接合し、更に、実施例1と同様に種結晶基板1の外側周縁部を黒鉛製のネジ16を用いて4箇所固定するようにして、坩堝蓋体3に対する種結晶基板1の固定を完成させた。このようにして準備した単結晶成長装置を用いて、実施例1と同様にして結晶成長を行った。
黒鉛製坩堝5に設ける貫通孔14の直径を表1に示したように変えた以外は実施例1と同様にして種結晶基板1を坩堝蓋体3側に取り付けて、単結晶成長装置を準備した。そして、実施例1と同様にして結晶成長を行い、得られたSiC単結晶インゴットについて、実施例1と同様にして、目視と実体顕微鏡による観察を行うと共に、ウエハ化加工を行って4度オフSiC単結晶ウエハを作製して、溶融KOHエッチング法により基底面転位密度を評価した。結果をまとめて表1に示す。なお、表1には実施例1の結果も合わせて示した。
黒鉛製台座13の貫通孔14に充填する接着剤15として、市販のカーボン接着材(日清紡績社製ST-201)を使用し、固化時には接着度を向上するために200℃まで20時間で昇温し、その温度で1時間保持する硬化処理を行うようにした以外は実施例1と同様にして、種結晶基板1を坩堝蓋体3に接合させた。また、種結晶基板1の外側周縁部の固定としては、図3に示すように、先ず、厚さ2mmの種結晶基板1の外周側面において、周方向に沿って、厚さ方向の中心部に基板厚み方向での高さが約0.5mm、基板中心側への深さが約1mmの凹溝を形成し、これに対して、先端に厚さ約0.4mm、長さ約5mmの爪状の突起部を有した黒鉛製の支持棒17を挿入した。一方、この支持棒17の他端には雄ネジ部(図示外)が形成されており、坩堝蓋体3に設けられた雌ネジ部(図示外)に螺合させて、黒鉛製台座13と種結晶基板1とを坩堝蓋体3に対して一体的に固定した。このようにした以外は実施例1と同様にして単結晶成長装置を準備し、実施例1と同様に結晶成長を行った。
黒鉛製の支持棒17による固定を行わないようにした以外は実施例4と同様にして、単結晶成長装置を準備して結晶成長を行った。成長後に冷却(放冷)して取り出したSiC単結晶インゴットを目視と実体顕微鏡により観察したところ、種結晶基板1の外周側面のほぼ全面が熱分解しており、それを起点にして成長結晶内ではマクロ欠陥が多量に発生していることが観察された。また、実施例1と同様にしてウエハ化加工を行い、インゴットの最上部から直径150mm、厚さ350μmの4度オフSiC単結晶ウエハを作製し、実施例1と同様に溶融KOHエッチング法により基底面転位密度を評価したところ、ウエハ中心近傍は基底面転位密度が約340個/cm2と比較的良好な値が得られていたものの、外周部近傍はマクロ欠陥の影響で約29300個/cm2となっており、全面で転位密度の小さい良好なウエハは得られなかった。
2 SiC粉末(SiC原料)
3 坩堝蓋体
4 坩堝本体4
5 黒鉛製坩堝
6 二重石英管
7 断熱保温材
8 真空排気装置
9 ワークコイル
10 光路(測温用窓)
11 二色温度計(放射温度計)
12 断熱材抜熱穴(測温用断熱材穴)
13 黒鉛製台座
14 貫通孔
15 接着剤
16 黒鉛製ネジ(保持部材)
17 黒鉛製支持棒(保持部材)
Claims (3)
- 坩堝本体と坩堝蓋体とからなる黒鉛製坩堝の坩堝本体側に炭化珪素原料を装填し、坩堝蓋体側に炭化珪素単結晶からなる種結晶基板を取り付けて、炭化珪素原料を加熱昇華させて種結晶基板の結晶成長面に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶インゴットの製造方法であって、
前記坩堝蓋体の基板取付け部と前記種結晶基板との取付け界面において、種結晶基板の中央部に相当する中央領域では、種結晶基板に対する面積比で0.1%以上5%以下の接合面積を有するように接着剤で互いに接合され、該中央領域以外の外側周辺領域は、それぞれ表面粗さ(Ra)1μm以下の平滑面で互いに接するようにして、かつ、種結晶基板の外側周縁部は、保持部材により前記坩堝蓋体に対して機械的に固定して、種結晶基板の結晶成長面に炭化珪素単結晶を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。 - 前記坩堝蓋体の基板取付け部が円盤状の黒鉛製台座から形成され、該黒鉛製台座は、前記種結晶基板の中央部に相当する位置に貫通孔を備えると共に、表面粗さ(Ra)1μm以下の平滑面を有し、また、前記種結晶基板は、結晶成長面と反対側が表面粗さ(Ra)1μm以下の平滑面を有して、前記黒鉛製台座の貫通孔に充填された接着剤により、黒鉛製台座を介して種結晶基板と坩堝蓋体とが接合されて、かつ、種結晶基板の外側周縁部に取り付けられる前記保持部材により、黒鉛製台座と種結晶基板とを坩堝蓋体に対して一体的に固定する請求項1に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
- 口径100mm以上を有する炭化珪素単結晶インゴットを製造する請求項1又は2に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
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