JP6769997B2 - 新規な化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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Description
特許文献1は、ベンゾクリセン環がリンカーを介して又は介さずに含窒素複素環基と結合した含窒素複素環誘導体が有機EL素子用材料として使用できることを記載している。
特許文献2は、ベンゾフェナントレン環がリンカーを介して又は介さずに含窒素複素環基と結合した含窒素複素環誘導体が有機EL素子用材料として使用できることを記載している。
本発明の他の目的は、駆動電圧を低減できる有機EL素子を提供することである。
本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、ベンゾクリセンとトリアジンの両方を有する有機EL素子用材料を含む有機EL素子の駆動電圧が、従来の有機EL素子用材料を含む有機EL素子の駆動電圧よりも低減されることを見出した。
1.下記式(1)で表される化合物。
R1〜R14のいずれか1つは単結合であってL1と結合しており、残りはそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜10のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数3〜10のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数3〜30のアルキルシリル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数8〜30のアリールシリル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜20のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜20のアリールオキシ基、置換若しくは無置換の環形成原子数5〜20のヘテロアリール基、置換若しくは無置換の炭素数1〜10のアルキルチオ基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜20のアリールチオ基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールアミノ基である。
L1は、単結合、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜20のアリーレン基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数5〜20のヘテロアリーレン基である。
Ar1及びAr2は、それぞれ独立して、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜20のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5〜20のヘテロアリール基である。)
2.上記1に記載の化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
3.上記1に記載の化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の電子輸送材料。
4.陰極と陽極の間に少なくとも発光層を含む1以上の有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機薄膜層の少なくとも1層が上記1に記載の化合物を単独若しくは混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
5.上記4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器。
本発明の一態様に係る化合物は下記式(1)で表される。
R1〜R14のいずれか1つは単結合であってL1と結合しており、残りはそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜10のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数3〜10のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数3〜30のアルキルシリル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数8〜30のアリールシリル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜20のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜20のアリールオキシ基、置換若しくは無置換の環形成原子数5〜20のヘテロアリール基、置換若しくは無置換の炭素数1〜10のアルキルチオ基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜20のアリールチオ基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールアミノ基である。
L1は、単結合、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜20のアリーレン基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数5〜20のヘテロアリーレン基である。
Ar1及びAr2は、それぞれ独立して、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜20のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5〜20のヘテロアリール基である。)
本発明の一態様に係る化合物は、上記構造を有することにより、有機EL素子に用いた場合に駆動電圧を低減することができる。
R1〜R13,Ar1及びAr2は、前記式(1)で定義した通りである。
L1は、単結合、又は下記群から選択される基である。
*はトリアジン環との単結合を示し、**はベンゾクリセン環との単結合を示す。
Rは置換基を示し、Rが置換する環のいずれの位置に結合してもよい。
mは0〜4の整数を示し、mが2以上の場合、隣接するRが互いに結合して環を形成してもよい。)]
L1は、より好ましくは下記群から選択される基である。
*はトリアジン環との単結合を示す。
Rは置換基を示し、Rが置換する環のいずれの位置に結合してもよい。
kは0〜5の整数を示し、mは0〜4の整数を示し、nは0〜3の整数を示す。
k、m及びnが2以上の場合、隣接するRが互いに結合して環を形成してもよい。
Ra及びRbは、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜8のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜20のアリール基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数5〜20のヘテロアリール基を示す。
Rcは、置換若しくは無置換の炭素数1〜8のアルキル基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜20のアリール基を示す。)
R1〜R13は水素原子であることが好ましい。
本明細書において、「置換もしくは無置換の原子数XX〜YYのZZ基」という表現における「原子数XX〜YY」は、ZZ基が無置換である場合の原子数を表すものであり、置換されている場合の置換基の原子数は含めない。
本明細書において、「置換もしくは無置換の」という場合における「無置換」とは前記置換基で置換されておらず、水素原子が結合していることを意味する。
アリール基は、環形成炭素数が6〜20であることが好ましく、より好ましくは6〜12である。アリール基の好ましい一態様としては、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基が挙げられる。
アリーレン基は、上記のアリール基の例示に対応する2価の基が挙げられる。
ヘテロアリール基の環形成原子数は、5〜20が好ましく、5〜14がさらに好ましい。ヘテロアリール基の好ましい一態様としては、トリアジニル基、ピリミジニル基、ピリジニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基が挙げられる。
ヘテロアリーレン基は、上記のヘテロアリール基の例示に対応する2価の基が挙げられる。
アルキル基の炭素数は、1〜10が好ましく、1〜6がさらに好ましい。中でもメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基が好ましい。
シクロアルキル基の環形成炭素数は、3〜10が好ましく、3〜8がさらに好ましく、環形成炭素数3〜6が特に好ましい。
アルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基等が挙げられる。
アルコキシ基は、例えばメトキシ基、エトキシ基である。
アリールチオ基は、−SZと表され、Zの例として上記のアリール基の例が挙げられる。
Ar1及びAr2が置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜20のアリール基である場合の置換基は、好ましくは、炭素数1〜10のアルキル基、環形成炭素数6〜20のアリール基、含窒素複素環基を除く環形成原子数5〜20のヘテロアリール基、シアノ基等である。含窒素複素環基を除く環形成原子数5〜20のヘテロアリール基としては、例えば、含酸素複素環基、含硫黄複素環基が挙げられる。
上記の化合物は、有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子用材料、好ましくは電子輸送材料として用いることができる。
本発明の一態様に係る有機EL素子は、陰極と陽極の間に少なくとも発光層を含む1以上の有機薄膜層が挟持されていて、当該有機薄膜層の少なくとも1層が上記式(1)で表される化合物を単独又は混合物の成分として含有している。
(1)陽極/発光層/陰極
(2)陽極/正孔輸送帯域/発光層/陰極
(3)陽極/発光層/電子輸送帯域/陰極
(4)陽極/正孔輸送帯域/発光層/電子輸送帯域/陰極
(「/」は各層が隣接して積層されていることを示す。)
電子輸送帯域が、さらに8−キノリノナトリチウム(Liq)を含むことが好ましい。Liqは、式(1)で表される化合物を含む層に含まれていてもよいし、他の電子輸送帯域にある層に含まれていてもよい。
(a)式(1)の化合物を含む第1の電子輸送層/第2の電子輸送層/電子注入層/陰極
(b)式(1)の化合物を含み、Liqがドープされた電子輸送層/電子注入層/陰極
(c)式(1)の化合物を含む第1の電子輸送層/Liqがドープされた第2の電子輸送層/電子注入層/陰極
(d)第1の電子輸送層/式(1)の化合物を含み、Liqがドープされた第2の電子輸送層/電子注入層/陰極
上記(a)の構成が特に好ましい。
(基板)
基板は、発光素子の支持体として用いられる。基板としては、例えば、ガラス、石英、プラスチック等を用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる(フレキシブル)基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニルからなるプラスチック基板等が挙げられる。
基板上に形成される陽極には、仕事関数の大きい(具体的には4.0eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物等を用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ(ITO:Indium Tin Oxide)、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン、及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金(Au)、白金(Pt)、又は金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)等が挙げられる。
正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物、芳香族アミン化合物、又は高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)等も使用できる。
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層には、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体等を使用することができる。ポリ(N−ビニルカルバゾール)(略称:PVK)やポリ(4−ビニルトリフェニルアミン)(略称:PVTPA)等の高分子化合物を用いることもできる。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。尚、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、インデノフルオレニル基、ナフチル基、フェナントリル基、アントリル基、トリフェニレニル基等の置換基が好ましく、複素環基としては、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基等が好ましい。アリール基と複素環基との組合せで構成される基としては、ジベンゾフラン置換のアリール基、ジベンゾチオフェン置換のアリール基、カルバゾール置換のアリール基等が好ましい。これら置換基はさらに置換基を有していてもよい。
発光層は、発光性の高い物質を含む層であり、種々の材料を用いることができる。例えば、発光性の高い物質としては、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。蛍光性化合物は一重項励起状態から発光可能な化合物であり、燐光性化合物は三重項励起状態から発光可能な化合物である。
上記環形成炭素数6〜50のアリール基としては、環形成炭素数6〜12の芳香族炭化水素基がさらに好ましく、フェニル基が特に好ましい。上記環形成原子数5〜50のヘテロアリール基としては、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基等が挙げられ、ジベンゾフラニル基等が好ましい。
環Q10は、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜24のアリール基又は環形成原子数5〜30のヘテロアリール基を表し、環Q11は、窒素をヘテロ環形成原子として含有する置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基を表す。Q12〜Q14は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基である。
uが2以上の時、複数存在する環Q10、環Q11はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。(t−u)が2以上の時、複数存在するQ12〜Q14はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
発光層としては、上述した発光性の高い物質(ゲスト材料)を他の物質(ホスト材料)に分散させた構成としてもよい。発光性の高い物質を分散させるための物質としては、各種のものを用いることができ、発光性の高い物質よりも最低空軌道準位(LUMO準位)が高く、最高被占有軌道準位(HOMO準位)が低い物質を用いることが好ましい。
発光性の高い物質を分散させるための物質(ホスト材料)としては、1)アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、若しくは亜鉛錯体等の金属錯体、2)オキサジアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、若しくはフェナントロリン誘導体等の複素環化合物、3)カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、若しくはクリセン誘導体等の縮合芳香族化合物、4)トリアリールアミン誘導体、若しくは縮合多環芳香族アミン誘導体等の芳香族アミン化合物が使用される。
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層には、1)アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、2)イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物、3)高分子化合物を使用することができる。
アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。
電子注入層には、8−キノリノナトリチウム(Liq)を用いることもできる。
有機金属錯体としては、アルカリ金属を含む有機金属錯体、アルカリ土類金属を含む有機金属錯体、及び希土類金属を含む有機金属錯体等から選ばれた少なくとも一種類が挙げられる。
アルカリ土類金属としては、カルシウム(Ca)(仕事関数:2.9eV)、ストロンチウム(Sr)(仕事関数:2.0eV以上2.5eV以下)、バリウム(Ba)(仕事関数:2.52eV)等が挙げられる。
希土類金属としては、スカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、セリウム(Ce)、テルビウム(Tb)、イッテルビウム(Yb)等が挙げられる。
アルカリ土類金属化合物としては、酸化バリウム(BaO)、酸化ストロンチウム(SrO)、酸化カルシウム(CaO)及びこれらを混合したストロンチウム酸バリウム(BaxSr1−xO)(0<x<1)、カルシウム酸バリウム(BaxCa1−xO)(0<x<1)等が挙げられ、BaO、SrO、CaOが好ましい。
希土類金属化合物としては、フッ化イッテルビウム(YbF3)、フッ化スカンジウム(ScF3)、酸化スカンジウム(ScO3)、酸化イットリウム(Y2O3)、酸化セリウム(Ce2O3)、フッ化ガドリニウム(GdF3)、フッ化テルビウム(TbF3)等が挙げられ、YbF3、ScF3、TbF3が好ましい。
有機金属錯体としては、8−キノリノナトリチウム等が挙げられる。
陰極には、仕事関数の小さい(具体的には3.8eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物等を用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第1族又は第2族に属する元素、すなわちリチウム(Li)やセシウム(Cs)等のアルカリ金属、及びマグネシウム(Mg)等のアルカリ土類金属、及びこれらを含む合金(例えば、MgAg、AlLi)等の希土類金属及びこれらを含む合金等が挙げられる。
実施例1
25mm×75mm×1.1mm厚のITO透明電極(陽極)付きガラス基板(ジオマティック社製)をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を5分間行なった後、UVオゾン洗浄を30分間行なった。ITO透明電極の膜厚は、130nmとした。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして下記化合物HIを蒸着し、膜厚5nmの化合物HI膜を形成した。HI膜は正孔注入層として機能する。
この化合物HI膜上に、第1正孔輸送材料として下記芳香族アミン誘導体(化合物HT−1)を蒸着し、膜厚80nmの第1正孔輸送層を成膜した。
第1正孔輸送層の成膜に続けて、第2正孔輸送材料として下記芳香族アミン誘導体(化合物HT−2)を蒸着し、膜厚10nmの第2正孔輸送層を成膜した。
さらに、この第2正孔輸送層上に、ホスト材料として下記化合物BHと、燐光発光ドーパント材料としての下記化合物BDとを共蒸着し、膜厚25nmの発光層を成膜した。発光層内における化合物BDの濃度は4.0質量%であった。この共蒸着膜は発光層として機能する。
そして、この発光層成膜に続けて下記化合物A−1を膜厚10nmで成膜した。この化合物A−1膜は第1電子輸送層として機能する。
この第1電子輸送層上に、下記化合物ET−1を蒸着し、膜厚15nmの第2電子輸送層を成膜した。
次に、第2電子輸送層上にLiFを蒸着して、膜厚1nmのLiF膜を形成した。
このLiF膜上に金属Alを蒸着させ、金属陰極を膜厚80nmで形成した。
ITO(130nm)/HI(5nm)/HT−1(80nm)/HT−2(10nm)/BH:BD(25nm:4質量%)/化合物A−1(10nm)/ET−1(15nm)/LiF(1nm)/Al(80nm)
電流密度が10mA/cm2となるようにITO透明電極と金属Al陰極との間に通電したときの電圧(単位:V)を計測した。
・外部量子効率(EQE)
分光放射輝度スペクトルから、ランバシアン放射を行なったと仮定し外部量子効率EQE(単位:%)を算出した。
化合物A−1を、比較例化合物B−1、B−2又はB−3に置き換えた以外は実施例1と同様に素子を作製し、評価した。結果を表1に示す。
実施例1において、第1電子輸送層、第2電子輸送層及び金属陰極の構成を下記のように変更した以外は実施例1と同様に素子を作製し、駆動電圧、外部量子効率(EQE)及び素子寿命(LT95)を測定し評価した。結果を表2に示す。
化合物A−1:Liq(25:50%)/Liq(1nm)/Al(80)
電流密度が50mA/cm2で、初期輝度が3%低下するまでの時間を測定した。
実施例2における化合物A−1を化合物A−2に変更した以外は実施例2と同様に素子を作製し、評価した。結果を表2に示す。
化合物A−2:Liq(25:50%)/Liq(1nm)/Al(80)
実施例2における化合物A−1を比較化合物B−1に変更した以外は実施例2と同様に素子を作製し、評価した。結果を表2に示す。
化合物B−1:Liq(25:50%)/Liq(1nm)/Al(80)
実施例2における化合物A−1を表2に示す化合物に変更した以外は実施例2と同様に素子を作製し、評価した。結果を表2に示す。
使用した各化合物は以下の通りである。
本願のパリ優先の基礎となる日本出願明細書の内容を全てここに援用する。
Claims (17)
- 下記式(2)で表される化合物。
R1〜R13はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜10のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数3〜10のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数3〜30のアルキルシリル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数8〜30のアリールシリル基、置換若しくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜20のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜20のアリールオキシ基、置換若しくは無置換の環形成原子数5〜20のヘテロアリール基、置換若しくは無置換の炭素数1〜10のアルキルチオ基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜20のアリールチオ基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールアミノ基である。
L1は、単結合、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜20のアリーレン基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数5〜20のヘテロアリーレン基である。
Ar1及びAr2は、それぞれ独立して、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜20のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5〜20のヘテロアリール基である。) - L1が、単結合、置換若しくは無置換のフェニレン基、置換若しくは無置換のナフチレン基、置換若しくは無置換のアントラセニレン基、置換若しくは無置換のフェナントリレン基、置換若しくは無置換のビフェニレン基、置換若しくは無置換のターフェニレン基、置換若しくは無置換のクリセニレン基、置換若しくは無置換のベンゾフェナントリレン基、置換若しくは無置換のベンゾクリセニレン基、置換若しくは無置換のフルオレニレン基、置換若しくは無置換のフルオランテニレン基、置換若しくは無置換のジベンゾフラニレン基、又は置換若しくは無置換のジベンゾチオフェニレン基である請求項1に記載の化合物。
- Ar1及びAr2が、それぞれ独立して、下記群から選択される基である請求項1〜3のいずれかに記載の化合物。
*はトリアジン環との単結合を示す。
Rは置換基を示し、Rが置換する環のいずれの位置に結合してもよい。
kは0〜5の整数を示し、mは0〜4の整数を示し、nは0〜3の整数を示す。
k、m及びnが2以上の場合、隣接するRが互いに結合して環を形成してもよい。
Ra及びRbは、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜8のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜20のアリール基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数5〜20のヘテロアリール基を示す。
Rcは、置換若しくは無置換の炭素数1〜8のアルキル基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜20のアリール基を示す。) - Ar1及びAr2が置換若しくは無置換のフェニル基である請求項1〜4のいずれかに記載の化合物。
- Ar1及びAr2が置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜20のアリール基である場合の置換基が、炭素数1〜10のアルキル基、環形成炭素数6〜20のアリール基、含窒素複素環基を除く環形成原子数5〜20のヘテロアリール基及びシアノ基から選択される請求項1〜5のいずれかに記載の化合物。
- 前記含窒素複素環基を除く環形成原子数5〜20のヘテロアリール基が、含酸素複素環基及び含硫黄複素環基から選択される請求項6に記載の化合物。
- R1〜R13が水素原子である請求項1〜7のいずれかに記載の化合物。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の電子輸送材料。
- 陰極と陽極の間に少なくとも発光層を含む1以上の有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機薄膜層の少なくとも1層が請求項1〜8のいずれかに記載の化合物を単独若しくは混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光層と前記陰極との間に電子輸送帯域を有し、前記電子輸送帯域が1以上の有機薄膜層を有し、前記有機薄膜層の少なくとも1層が前記化合物を含む請求項11に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記電子輸送帯域の有機薄膜層の少なくとも1層が、電子輸送層である請求項12に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記電子輸送帯域が、さらに8−キノリノナトリチウムを含む請求項12又は13に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記電子輸送帯域が、電子注入層と、少なくとも2層の電子輸送層とを有し、該少なくとも2層の電子輸送層のうち、該電子注入層と隣接しない前記電子輸送層が前記化合物を含む請求項12〜14のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記陽極と前記発光層との間に正孔輸送層を有する請求項11〜15のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項11〜16のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器。
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