JP6768010B2 - 研磨用組成物 - Google Patents

研磨用組成物 Download PDF

Info

Publication number
JP6768010B2
JP6768010B2 JP2017564165A JP2017564165A JP6768010B2 JP 6768010 B2 JP6768010 B2 JP 6768010B2 JP 2017564165 A JP2017564165 A JP 2017564165A JP 2017564165 A JP2017564165 A JP 2017564165A JP 6768010 B2 JP6768010 B2 JP 6768010B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mass
polishing composition
less
days
acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017564165A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2017130749A1 (ja
Inventor
恒 竹田
恒 竹田
ジミー エリック グランストロム
ジミー エリック グランストロム
房世 佐伯
房世 佐伯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujimi Inc
Original Assignee
Fujimi Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujimi Inc filed Critical Fujimi Inc
Publication of JPWO2017130749A1 publication Critical patent/JPWO2017130749A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6768010B2 publication Critical patent/JP6768010B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L5/00—Compositions of polysaccharides or of their derivatives not provided for in groups C08L1/00 or C08L3/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Description

本発明は、概して、研磨用組成物の分野に関する。
近年、半導体基板表面の多層配線化に伴い、デバイスを製造する際に、物理的に半導体基板を研磨して平坦化する、いわゆる、化学的機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ；ＣＭＰ）技術が利用されている。ＣＭＰは、シリカやアルミナ、セリア等の砥粒、防食剤、界面活性剤などを含む研磨用組成物（スラリー）を用いて、半導体基板等の研磨対象物（被研磨物）の表面を平坦化する方法であり、研磨対象物（被研磨物）は、シリコン、ポリシリコン、シリコン酸化膜（酸化ケイ素）、シリコン窒化物や、金属等からなる配線、プラグなどである。
例えば、ＣＭＰスラリーとして、特許文献１では、塩、可溶性セリウム、カルボン酸、およびヒュームドシリカを含む水性化学機械的研磨組成物が開示されている。
特表２００１−５０７７３９号公報
しかしながら、特許文献１に記載の水性化学機械的研磨組成物によれば、基板の研磨速度は向上しうるものの、基板表面のスクラッチが多く発生するという問題がある。特に、従来の研磨用組成物は、保管安定性が悪く、保管期間によっては、基板表面のスクラッチがより多く発生するという問題がある。
そこで、本発明は、基板表面におけるスクラッチの発生を抑制し、長期間保管された場合でも、基板表面におけるスクラッチの発生を抑制できる研磨用組成物を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記課題を解決すべく、鋭意検討を行った。その結果、砥粒と、添加剤と、水溶性ポリマーとを含む研磨用組成物であって、Ｄ５０（前）に対するＤ５０（後）の比率が２．０未満であり、ここで、Ｄ５０（前）は、前記研磨用組成物を８０℃で５日間放置する前に測定された前記研磨用組成物の粒子のＤ５０の値であり、Ｄ５０（後）は、前記研磨用組成物を８０℃で５日間放置した後に測定された前記研磨用組成物の粒子のＤ５０の値である、研磨用組成物を提供することによって上記課題が解決できることを見出し本発明の完成に至った。
本発明によれば、基板表面におけるスクラッチの発生を抑制し、長期間保管された場合でも、基板表面におけるスクラッチの発生を抑制できる研磨用組成物を提供することができる。
以下、本発明を説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態のみには限定されない。また、本明細書において、範囲を示す「Ｘ〜Ｙ」は「Ｘ以上Ｙ以下」を意味する。また、特記しない限り、操作および物性等の測定は室温（２０〜２５℃）／相対湿度４０〜５０％ＲＨの条件で測定する。また、「重量」と「質量」、「重量％」と「質量％」、「重量部」と「質量部」は同義語として扱う。
本発明は、砥粒と、添加剤と、水溶性ポリマーとを含む研磨用組成物であって、Ｄ５０（前）に対するＤ５０（後）の比率が２．０未満であり、ここで、Ｄ５０（前）は、前記研磨用組成物を８０℃で５日間放置する前に測定された前記研磨用組成物の粒子のＤ５０の値であり、Ｄ５０（後）は、前記研磨用組成物を８０℃で５日間放置した後に測定された前記研磨用組成物の粒子のＤ５０の値である、研磨用組成物である。
なお、本明細書中、「粒子」との用語は、砥粒を含む概念であって、砥粒が単分散している形態のみならず、凝集している形態も含む概念である。いくつかの実施形態では、粒子は、砥粒である。
かかる構成によって、基板表面におけるスクラッチの発生を抑制し、長期間保管された場合でも、基板表面におけるスクラッチの発生を抑制できる研磨用組成物を提供することができる。
以下、様々な実施形態を説明する。特定の実施形態は、包括的な説明や本明細書で説明された広い形態への限定を示すものではないことに留意されたい。特定の実施形態に関して説明した一態様は、必ずしもその実施形態に限定されるものではなく、（複数の）他の実施形態によって実施することができる。
本明細書中において使用される場合、「約（ａｂｏｕｔ）」の意味は、当業者には理解されるものであり、使用される文脈に応じてある程度変化する。それが使用された文脈を提供されても当業者にとって明確でない用語の使用がある場合、「約」は、特定の用語の±１０％までを意味する。
構成要素を説明するための文脈（特に添付の特許請求の範囲の文脈）において、用語「ａ」、「ａｎ」、「前記（ｔｈｅ）」および同様の指示対象（ｒｅｆｅｒｅｎｔｓ）の使用は、本明細書に示され、または文脈から明らかに否定されない限り、単数および複数の両方を包含するように解釈されるべきである。本明細書において、値の範囲の列挙は、本明細書において特に示唆しない限り、単に、範囲内に入るそれぞれ別個の値の個々に言及するための簡略な表記方法として用いられているに過ぎず、各別個の値は、それが個々に本明細書に列挙されているものとして、本明細書に組み込まれる。本明細書に示され、または文脈により明らかに矛盾しない限りにおいて、本明細書中に記載された全ての方法は、任意の適切な順序で行うことができる。任意および全ての例示の使用、または本明細書で提供される例示的言語（例えば、「など（ｓｕｃｈ ａｓ）」）は、単により良い実施形態を明らかにするだけのものであり、特に明記しない限り、特許請求の範囲を限定するものではない。本明細書中の言語は、必須なものとして任意の非請求の要素を示すものと解釈されるべきではない。
本明細書中において使用される場合、特に言及しない限り、用語「Ｄ５０」は、粒子径分布のメディアン径またはメディアン値を意味する。いくつかの実施形態では、「Ｄ５０」は、累積分布の５０％における粒子径の値を意味する。いくつかの実施形態では、「Ｄ５０」は、体積分布のメディアン粒子径（例えば、直径）を意味する。本明細書中において使用される場合、特に言及しない限り、用語「Ｄ９０」は、体積分布の９０％がこのサイズを下回る体積分布の粒子径（例えば、直径）である。同様に、本明細書において使用され、特に言及しない限り、用語「Ｄ１０」は、体積分布の１０％がこのサイズを下回る体積分布の粒子径（例えば、直径）である。
本発明の一態様によれば、砥粒と、研磨促進剤と、水溶性ポリマーとを含み、Ｄ５０（前）に対するＤ５０（後）の比率が２．０未満である研磨用組成物が提供され、ここで、Ｄ５０（前）は、前記組成物が保存条件を受ける前に測定された前記組成物の粒子のＤ５０の値であり、Ｄ５０（後）は、前記組成物が保存条件を受けた後に測定された前記組成物の粒子のＤ５０の値である。いくつかの実施形態では、保存条件は、８０℃で５日間である。
また、本発明の他の態様によれば、砥粒と、添加剤と、水溶性ポリマーとを含み、Ｄ５０（前）に対するＤ５０（後）の比率が１．１５未満である研磨用組成物が提供され、ここで、Ｄ５０（前）は、前記組成物が保存条件を受ける前に測定された前記組成物の粒子のＤ５０の値であり、Ｄ５０（後）は、前記組成物が保存条件を受けた後に測定された前記組成物の粒子のＤ５０の値である。いくつかの実施形態では、保存条件は、２５℃で７日間である。
また、本発明の他の態様によれば、砥粒と、添加剤と、水溶性ポリマーとを含む研磨用組成物が提供され、ここで、前記研磨用組成物は、ｐＨが４未満（一形態では、４．０未満）であり、静的エッチングまたは他の除去メカニズムによる非鉄配線除去速度を制御するためのアゾール系抑制剤を含まない。
また、本発明の他の態様によれば、砥粒と、添加剤と、水溶性ポリマーとを含む研磨用組成物が提供され、ここで、前記研磨用組成物は、ｐＨが４未満（一形態では、４．０未満）であり、アンモニウム塩を含まない。
また、本発明の他の態様によれば、砥粒と、添加剤と、水溶性ポリマーとを含む研磨用組成物が提供され、ここで、前記研磨用組成物は、ｐＨが４未満（一形態では、４．０未満）であり、クエン酸およびクエン酸塩を含まない。
いくつかの実施形態では、用語「Ｄ５０（前）」は、本明細書に開示された新たに生成された組成物の粒子のＤ５０の値を意味する。本明細書中、「新たに生成された組成物」とは、砥粒と、添加剤と、水溶性ポリマーとを含む成分を混合することによって新たに調製された組成物を意味する。
いくつかの実施形態では、用語「Ｄ５０（前）」は、本明細書に開示された組成物が保存条件を受ける前に測定された組成物の粒子のＤ５０の値を意味する。
いくつかの実施形態では、用語「Ｄ５０（前）」は、本明細書に開示された組成物を８０℃で５日間放置する前に測定された組成物の粒子のＤ５０の値を意味する。
なお、本明細書中、「保存条件を受ける前」、「放置する前」とは、砥粒と、添加剤と、水溶性ポリマーとを含む成分を混合することによって研磨用組成物を新たに調製した直後を意味し、ここで「直後」とは、研磨用組成物を構成する成分をすべて混合した時点から、いくつかの実施形態では５０分以内、いくつかの実施形態では４５分以内、いくつかの実施形態では３０分以内、いくつかの実施形態では２０分以内、いくつかの実施形態では１５分以内、いくつかの実施形態では１０分以内、いくつかの実施形態では５分以内、いくつかの実施形態では３分以内、いくつかの実施形態では１分以内の時点であり、いくつかの実施形態では５０分、いくつかの実施形態では４５分、いくつかの実施形態では３０分、いくつかの実施形態では２０分、いくつかの実施形態では１５分、いくつかの実施形態では１０分、いくつかの実施形態では５分、いくつかの実施形態では３分、いくつかの実施形態では１分の時点である。
また、「８０℃で５日間放置」とは、砥粒と、添加剤と、水溶性ポリマーとを含む成分を混合することによって研磨用組成物を新たに調製（研磨用組成物を構成する成分をすべて混合）し、８０℃の加熱器に置いた時点から５日間（１２０時間）放置することを意味する。「５５℃で１０日間放置」も同様に考える。「２５℃で７日間放置」とは、「２５℃」は、本明細書中、測定の基準の温度であり、加熱器等に入れる必要はないため、砥粒と、添加剤と、水溶性ポリマーとを含む成分を混合することによって研磨用組成物を新たに調製（研磨用組成物を構成する成分をすべて混合）した時点から７日間（１６８時間）放置することを意味する。
いくつかの実施形態では、用語「Ｄ５０（前）」は、本明細書に開示された組成物を２５℃で７日間放置する前に測定された組成物の粒子のＤ５０の値を意味する。
いくつかの実施形態では、用語「Ｄ９０（前）」は、本明細書に開示された新たに生成された組成物の粒子のＤ９０の値を意味する。
いくつかの実施形態では、用語「Ｄ９０（前）」は、本明細書に開示された組成物が保存条件を受ける前に測定された組成物の粒子のＤ９０の値を意味する。
いくつかの実施形態では、用語「Ｄ９０（前）」は、本明細書に開示された組成物を８０℃で５日間放置する前に測定された組成物の粒子のＤ９０の値を意味する。
いくつかの実施形態では、用語「Ｄ９０（前）」は、本明細書に開示された組成物を２５℃で７日間放置する前に測定された組成物の粒子のＤ９０の値を意味する。
いくつかの実施形態では、用語「ＭＶ（前）」は、本明細書に開示された新たに生成された組成物の粒子径分布の平均値を意味する。
いくつかの実施形態では、用語「ＭＶ（前）」は、本明細書に開示された組成物が保存条件を受ける前に測定された組成物の粒子の粒子径分布の平均値を意味する。
いくつかの実施形態では、用語「ＭＶ（前）」は、本明細書に開示された組成物を８０℃で５日間放置する前に測定された組成物の粒子の粒子径分布の平均値を意味する。
いくつかの実施形態では、用語「ＭＶ（前）」は、本明細書に開示された組成物を２５℃で７日間放置する前に測定された組成物の粒子の粒子径分布の平均値を意味する。
いくつかの実施形態では、用語「Ｄ５０（後）」は、本明細書に開示された組成物が保存条件を受けた後に測定された組成物の粒子のＤ５０の値を意味する。
いくつかの実施形態では、用語「Ｄ５０（後）」は、本明細書に開示された組成物を８０℃で５日間放置した後に測定された組成物の粒子のＤ５０の値を意味する。
いくつかの実施形態では、用語「Ｄ５０（後）」は、本明細書に開示された組成物を２５℃で７日間放置した後に測定された組成物の粒子のＤ５０の値を意味する。
いくつかの実施形態では、用語「Ｄ９０（後）」は、本明細書に開示された組成物が保存条件を受けた後に測定された組成物の粒子のＤ９０の値を意味する。
いくつかの実施形態では、用語「Ｄ９０（後）」は、本明細書に開示された組成物を８０℃で５日間放置した後に測定された組成物の粒子のＤ９０の値を意味する。
いくつかの実施形態では、用語「Ｄ９０（後）」は、本明細書に開示された組成物を２５℃で７日間放置した後に測定された組成物の粒子のＤ９０の値を意味する。
いくつかの実施形態では、用語「ＭＶ（後）」は、本明細書に開示された組成物が保存条件を受けた後に測定された組成物の粒子径分布の平均値を意味する。
いくつかの実施形態では、用語「ＭＶ（後）」は、本明細書に開示された組成物を８０℃で５日間放置した後に測定された組成物の粒子の粒子径分布の平均値を意味する。
いくつかの実施形態では、用語「ＭＶ（後）」は、本明細書に開示された組成物を２５℃で７日間放置した後に測定された組成物の粒子の粒子径分布の平均値を意味する。
本明細書中において使用される場合、「保存条件」は、所定の温度で所定の期間保存することを意味する。所定の温度は、約２０〜約９０℃とすることができる。所定の温度は、約２０〜約８０℃、約２０〜約７０℃、約２０〜約５５℃、約２０〜約４０℃、約２５〜約８０℃、約２５〜約７０℃、約２５〜約５５℃、約２５〜約４０℃、約３０〜約８０℃、約３０〜約７０℃、約３０〜約５５℃、または約３０〜約４０℃を含む。いくつかの実施形態では、所定の温度は、約２０℃、約２５℃、約３０℃、約３５℃、約４０℃、約４５℃、約５０℃、約５５℃、約６０℃、約６５℃、約７０℃、約７５℃、約８０℃、約８５℃、約９０℃、またはそれ以上であり、その中で増分を含む。
所定の期間は、約１時間〜約２年間とすることができる。所定の期間は、約１時間〜約２４時間、約１時間〜約４８時間、約１時間〜約７日間、約１日間〜約５日間、約１日間〜約７日間、約１日間〜約１０日間、約１日間〜約１月間、約１日間〜約１２月間、約１日間〜約１８月間、約１日間〜約２年間、約５日間〜約７日間、約５日間〜約１０日間、約５日間〜約１月間、約５日間〜約６月間、約５日間〜約１２月間、約５日間〜約１８月間、約５日間〜約２年間、約１０日間〜約１月間、約１０日間〜約６月間、約１０日間〜約１２月間、約１０日間〜約１８月間、約１０日間〜約２年間を含む。いくつかの実施形態では、所定の期間は、約１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１、２２、２３、２４時間、またはそれ以上であり、その中で増分を含む。いくつかの実施形態では、所定の期間は、約１日間、約２日間、約３日間、約４日間、約５日間、約６日間、約７日間、約８日間、約９日間、約１０日間、約１１日間、約１２日間、約１３日間、約１４日間、約１５日間、約１６日間、約１７日間、約１８日間、約１９日間、約２０日間、約２１日間、約２２日間、約２３日間、約２４日間、約２５日間、約２６日間、約２７日間、約２８日間、約２９日間、約３０日間、約３１日間、またはそれ以上であり、その中で増分を含む。いくつかの実施形態では、所定の期間は、約１月間、約２月間、約３月間、約４月間、約５月間、約６月間、約７月間、約８月間、約９月間、約１０月間、約１１月間、約１２月間、約１３月間、約１４月間、約１５月間、約１６月間、約１７月間、約１８月間、約１９月間、約２０月間、約２１月間、約２２月間、約２３月間、約２４月間であり、その中で増分を含む。
前記研磨用組成物は、保存条件下で放置（すなわち、撹拌せずに保存）されてもよいし、保存条件下で攪拌されてもよい。前記研磨用組成物は、密閉された容器内に保存されてもよいし、大気中に開放されてもよい。
いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、密閉された容器内に保存された状態で、保存条件下で放置される。
いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、大気中に開放された状態で、保存条件下で攪拌される。特に記載のない限り、本明細書に開示された保存条件を受けた研磨用組成物は、エージングした研磨用組成物である。いくつかの実施形態では、粒子は、温度が高い程、より頻繁に凝集する。
いくつかの実施形態では、研磨用組成物を８０℃で５日間等の通常の保存条件よりも過酷な条件で保存を行っても凝集を抑制できる観点で優れている。
いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、Ｄ５０（前）に対するＤ５０（後）の比率が３．０未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、Ｄ５０（前）に対するＤ５０（後）の比率が２．９未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、Ｄ５０（前）に対するＤ５０（後）の比率が２．８未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、Ｄ５０（前）に対するＤ５０（後）の比率が２．７未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、Ｄ５０（前）に対するＤ５０（後）の比率が２．６未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、Ｄ５０（前）に対するＤ５０（後）の比率が２．５未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、Ｄ５０（前）に対するＤ５０（後）の比率が２．４未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、Ｄ５０（前）に対するＤ５０（後）の比率が２．３未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、Ｄ５０（前）に対するＤ５０（後）の比率が２．２未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、Ｄ５０（前）に対するＤ５０（後）の比率が２．１未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、Ｄ５０（前）に対するＤ５０（後）の比率が２．０未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、Ｄ５０（前）に対するＤ５０（後）の比率が１．９未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、Ｄ５０（前）に対するＤ５０（後）の比率が１．８未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、Ｄ５０（前）に対するＤ５０（後）の比率が１．７未満である。
いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、Ｄ９０（前）に対するＤ９０（後）の比率が３．０未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、Ｄ９０（前）に対するＤ９０（後）の比率が２．９未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、Ｄ９０（前）に対するＤ９０（後）の比率が２．８未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、Ｄ９０（前）に対するＤ９０（後）の比率が２．７未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、Ｄ９０（前）に対するＤ９０（後）の比率が２．６未満である。いくつかの実施形態の粒子では、前記研磨用組成物は、Ｄ９０（前）に対するＤ９０（後）の比率が２．５未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、Ｄ９０（前）に対するＤ９０（後）の比率が２．４未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、Ｄ９０（前）に対するＤ９０（後）の比率が２．３未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、Ｄ９０（前）に対するＤ９０（後）の比率が２．２未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、Ｄ９０（前）に対するＤ９０（後）の比率が２．１未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、Ｄ９０（前）に対するＤ９０（後）の比率が２．０未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、Ｄ９０（前）に対するＤ９０（後）の比率が１．９未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、Ｄ９０（前）に対するＤ９０（後）の比率が１．８未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、Ｄ９０（前）に対するＤ９０（後）の比率が１．７未満である。
いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、ＭＶ（前）に対するＭＶ（後）の比率が３．０未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、ＭＶ（前）に対するＭＶ（後）の比率が２．９未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、ＭＶ（前）に対するＭＶ（後）の比率が２．８未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、ＭＶ（前）に対するＭＶ（後）の比率が２．７未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、ＭＶ（前）に対するＭＶ（後）の比率が２．６未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、ＭＶ（前）に対するＭＶ（後）の比率が２．５未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、ＭＶ（前）に対するＭＶ（後）の比率が２．４未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、ＭＶ（前）に対するＭＶ（後）の比率が２．３未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、ＭＶ（前）に対するＭＶ（後）の比率が２．２未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、ＭＶ（前）に対するＭＶ（後）の比率が２．１未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、ＭＶ（前）に対するＭＶ（後）の比率が２．０未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、ＭＶ（前）に対するＭＶ（後）の比率が１．９未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、ＭＶ（前）に対するＭＶ（後）の比率が１．８未満である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物の粒子は、ＭＶ（前）に対するＭＶ（後）の比率が１．７未満である。
（砥粒）
例示的な砥粒は、下記に限定されないが、酸化シリコン（例えば、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、または沈降シリカ）、酸化鉄、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化マンガン、酸化セリウム、酸化クロム、炭化ケイ素、ダイヤモンドおよびそれらの任意の組合せを含む。いくつかの実施形態では、前記砥粒は、コロイダルシリカを含む。いくつかの実施形態では、前記砥粒は、ヒュームドシリカを含む。いくつかの実施形態では、前記砥粒は、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、またはそれらの組合せを含む。
いくつかの実施形態では、前記砥粒は、研磨用組成物の調製に用いられる前に、例えば水などの分散媒中に分散した形態であることが好ましい。その際、いくつかの実施形態では、前記砥粒のＤ１０は、１０〜５０ｎｍであり、いくつかの実施形態では、２０〜４５ｎｍである。また、いくつかの実施形態では、前記砥粒のＤ５０は、３０〜６０ｎｍであり、いくつかの実施形態では、３５〜５５ｎｍである。また、いくつかの実施形態では、前記砥粒のＤ９０は、５０〜８０ｎｍであり、いくつかの実施形態では、６０〜６５ｎｍである。また、いくつかの実施形態では、前記砥粒のＢＥＴ比表面積は、６０〜９０ｍ２／ｇであり、いくつかの実施形態では、７０〜８０ｍ２／ｇである。また、いくつかの実施形態では、前記砥粒のＭＶは、３０〜７０ｎｍであり、いくつかの実施形態では、前記砥粒のＭＶは、４０〜６０ｎｍである。
また、いくつかの実施形態では、前記砥粒は、Ｄ１０に対するＤ９０の比率（Ｄ９０／Ｄ１０）が３．０未満である。いくつかの実施形態では、前記砥粒は、Ｄ１０に対するＤ９０の比率（Ｄ９０／Ｄ１０）が２．９未満である。いくつかの実施形態では、前記砥粒は、Ｄ１０に対するＤ９０の比率（Ｄ９０／Ｄ１０）が２．８未満である。いくつかの実施形態では、前記砥粒は、Ｄ１０に対するＤ９０の比率（Ｄ９０／Ｄ１０）が２．７未満である。いくつかの実施形態では、前記砥粒は、Ｄ１０に対するＤ９０の比率（Ｄ９０／Ｄ１０）が２．６未満である。いくつかの実施形態では、前記砥粒は、Ｄ１０に対するＤ９０の比率（Ｄ９０／Ｄ１０）が２．５未満である。いくつかの実施形態では、前記砥粒は、Ｄ１０に対するＤ９０の比率（Ｄ９０／Ｄ１０）が２．４未満である。いくつかの実施形態では、前記砥粒は、Ｄ１０に対するＤ９０の比率（Ｄ９０／Ｄ１０）が２．３未満である。いくつかの実施形態では、前記砥粒は、Ｄ１０に対するＤ９０の比率（Ｄ９０／Ｄ１０）が２．２未満である。いくつかの実施形態では、前記砥粒は、Ｄ１０に対するＤ９０の比率（Ｄ９０／Ｄ１０）が２．１未満である。いくつかの実施形態では、前記砥粒は、Ｄ１０に対するＤ９０の比率（Ｄ９０／Ｄ１０）が２．０未満である。
いくつかの実施形態では、前記砥粒は、Ｄ１０に対するＤ９０の比率（Ｄ９０／Ｄ１０）が約２．０、２．１、２．２、２．３、２．４、２．５、２．６、２．７、２．８、２．９、または３．０であり、その中で増分を含む。
いくつかの実施形態では、Ｄ１０に対するＤ９０の比率（Ｄ９０／Ｄ１０）は、前記組成物が保存条件を受ける前に測定される。いくつかの実施形態では、Ｄ１０に対するＤ９０の比率（Ｄ９０／Ｄ１０）は、前記組成物が保存条件を受けた後に測定される。Ｄ１０に対するＤ９０の比率が大きい程、粒子径の分布がより広がり、その結果として粒子の表面積がより大きくなる。いくつかの実施形態では、粒子の表面積をより大きくすることによって、溶液中の粒子の安定性を改善する。いくつかの実施形態では、粒子径の分布をより広げることによって、溶液中の粒子の安定性を改善する。
いくつかの実施形態では、前記砥粒は、前記研磨用組成物中に少なくとも約０．１質量％（ｗｔ％）の量で存在する。これは、少なくとも約０．２質量％、約０．３質量％、約０．４質量％、約０．６質量％、約０．７質量％、約０．８質量％、約０．９質量％、約１．０質量％、約１．１質量％、約１．２質量％、約１．３質量％、約１．４質量％、約１．５質量％、約１．６質量％、約１．７質量％、約１．８質量％、約１．９質量％、約２．０質量％、約２．１質量％、約２．２質量％、約２．３質量％、約２．４質量％、約２．５質量％、約２．６質量％、約２．７質量％、約２．８質量％、約２．９質量％、約３．０質量％、約３．１質量％、約３．２質量％、約３．３質量％、約３．４質量％、約３．５質量％、約３．６質量％、約３．７質量％、約３．８質量％、約３．９質量％、約４．０質量％、約４．１質量％、約４．２質量％、約４．３質量％、約４．４質量％、約４．５質量％、約４．６質量％、約４．７質量％、約４．８質量％、約４．９質量％、約５．０質量％、約５．１質量％、約５．２質量％、約５．３質量％、約５．４質量％、約５．５質量％、約５．６質量％、約５．７質量％、約５．８質量％、約５．９質量％、約６．０質量％、約６．５質量％、約７．０質量％、約７．５質量％、約８．０質量％、約８．５質量％、約９．０質量％、約９．５質量％、約１０．０質量％、約１１．０質量％、約１２．０質量％、約１３．０質量％、約１４．０質量％、約１５．０質量％、またはそれ以上の量を含み、その中で増分を含む。いくつかの実施形態では、前記砥粒は、前記研磨用組成物中に約０．１質量％〜約１０．０質量％の量で存在する。これは、約０．１質量％〜約９．０質量％、約０．１質量％〜約８．０質量％、約０．１質量％〜約７．０質量％、約０．１質量％〜約６．０質量％、約０．１質量％〜約５．０質量％、約０．１質量％〜約４．０質量％、約０．１質量％〜約３．０質量％、約１．０質量％〜約９．０質量％、約１．０質量％〜約８．０質量％、約１．０質量％〜約７．０質量％、約１．０質量％〜約６．０質量％、約１．０質量％〜約５．０質量％、約１．０質量％〜約４．０質量％、約１．０質量％〜約３．０質量％、約２．０質量％〜約８．０質量％、約２．０質量％〜約６．０質量％、または約２．０質量％〜約４．０質量％の量を含む。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物中の前記砥粒の量は、約０．６質量％、約０．７質量％、約０．８質量％、約０．９質量％、約１．０質量％、約１．１質量％、約１．２質量％、約１．３質量％、約１．４質量％、約１．５質量％、約１．６質量％、約１．７質量％、約１．８質量％、約１．９質量％、約２．０質量％、約２．１質量％、約２．２質量％、約２．３質量％、約２．４質量％、約２．５質量％、約２．６質量％、約２．７質量％、約２．８質量％、約２．９質量％、約３．０質量％、約３．１質量％、約３．２質量％、約３．３質量％、約３．４質量％、約３．５質量％、約３．６質量％、約３．７質量％、約３．８質量％、約３．９質量％、約４．０質量％、約４．１質量％、約４．２質量％、約４．３質量％、約４．４質量％、約４．５質量％、約４．６質量％、約４．７質量％、約４．８質量％、約４．９質量％、約５．０質量％、約５．１質量％、約５．２質量％、約５．３質量％、約５．４質量％、約５．５質量％、約５．６質量％、約５．７質量％、約５．８質量％、約５．９質量％、約６．０質量％、約６．５質量％、約７．０質量％、約７．５質量％、約８．０質量％、約８．５質量％、約９．０質量％、約９．５質量％、約１０質量％、またはそれ以上であり、その中で増分を含む。
いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、ｐＨが７未満（一形態では、７．０未満）である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、ｐＨが約６以下（一形態では、６．０以下）である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、ｐＨが約５以下（一形態では、５．０以下）である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、ｐＨが約４以下（一形態では、４．０以下）である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、ｐＨが約３以下（一形態では、３．０以下）である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、ｐＨが６未満（一形態では、６．０未満）である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、ｐＨが、５未満（一形態では、５．０未満）である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、ｐＨが、４未満（一形態では、４．０未満）である。かかる実施形態であることによって、本発明の所期の効果を効率よく奏することができる。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、ｐＨが、３未満（一形態では、３．０未満）である。
かかる実施形態であることによって、本発明の所期の効果を効率よく奏することができる。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、ｐＨが、約６．９、約６．８、約６．７、約６．６、約６．５、約６．４、約６．３、約６．２、約６．１、約６．０、約５．９、約５．８、約５．７、約５．６、約５．５、約５．４、約５．３、約５．２、約５．１、約５．０、約４．９、約４．８、約４．７、約４．６、約４．５、約４．４、約４．３、約４．２、約４．１、約４．０、約３．９、約３．８、約３．７、約３．６、約３．５、約３．４、約３．３、約３．２、約３．１、約３．０、約２．９、約２．８、約２．７、約２．６、約２．５、約２．４、約２．３、約２．２、約２．１、約２．０、約１．９、約１．８、約１．７、約１．６、約１．５であり、その中で増分を含む。かかる実施形態であることによって、本発明の所期の効果を効率よく奏することができる。
いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、ｐＨが、約２．０〜約６．９である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、ｐＨが、約２．０〜約６．５である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、ｐＨが、約２．０〜約６．０である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、ｐＨが、約２．０〜約５．５である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、ｐＨが、約２．０〜約５．０である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、ｐＨが、約２．０〜約４．５である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、ｐＨが、約２．０〜約４．０である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、ｐＨが、約２．０〜約３．９である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、ｐＨが、約２．５〜約４．０である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、ｐＨが、約２．５〜約３．９である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、ｐＨが、約３．０〜約４．０である。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、ｐＨが、約３．０〜約３．９である。
いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、電気伝導度（ｍＳ／ｃｍ）が、約０．２〜約１．９である。かかる実施形態であることによって、本発明の所期の効果を効率よく奏することができる。いくつかの実施形態では、電気伝導度（ｍＳ／ｃｍ）が、約０．３〜約１．８であり、いくつかの実施形態では、電気伝導度（ｍＳ／ｃｍ）が、約０．４〜約１．６であり、いくつかの実施形態では、電気伝導度（ｍＳ／ｃｍ）が、約０．５〜約１．４であり、いくつかの実施形態では、電気伝導度（ｍＳ／ｃｍ）が、約０．６〜約１．２である。かかる実施形態であることによって、本発明の所期の効果をより効率よく奏することができる。
（添加剤）
いくつかの実施形態では、前記添加剤が、研磨促進剤である。
いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物中の添加剤の含有量（２種類以上含む場合、その合計量）は、０．５質量％以下であり、いくつかの実施形態では、０．４質量％以下であり、いくつかの実施形態では、０．３質量％以下であり、いくつかの実施形態では、０．２質量％以下であり、いくつかの実施形態では、０．１質量％以下である。かかる実施形態であることによって、本発明の所期の効果を効率よく奏することができる。また、いくつかの実施形態では、０．０１質量％以上であり、いくつかの実施形態では、０．０２質量％以上であり、いくつかの実施形態では、０．０３質量％以上であり、いくつかの実施形態では、０．０４質量％以上であり、いくつかの実施形態では、０．０５質量％以上である。かかる実施形態であることによって、本発明の所期の効果を効率よく奏することができる。
いくつかの実施形態では、前記添加剤が、水酸基を含んでもよいカルボン酸である。かかる実施形態であることによって、本発明の所期の効果を効率よく奏することができる。いくつかの実施形態では、前記水酸基を含んでもよいカルボン酸の分子中のカルボキシル基の数が、２個以下である。かかる実施形態であることによって、本発明の所期の効果を効率よく奏することができる。いくつかの実施形態では、前記水酸基を含んでもよいカルボン酸は、乳酸およびシュウ酸の少なくとも一方である。かかる実施形態であることによって、本発明の所期の効果を効率よく奏することができる。
いくつかの実施形態では、水酸基を含むカルボン酸としては、α−ヒドロキシカルボン酸、β−ヒドロキシカルボン酸、γ−ヒドロキシカルボン酸等が挙げられる。いくつかの実施形態では、前記添加剤は、α−ヒドロキシカルボン酸を含む。α−ヒドロキシカルボン酸の例としては、下記に限定されないが、クエン酸、乳酸、グリコール酸、マンデル酸、リンゴ酸、シトラマル酸、イソクエン酸、酒石酸、およびタルトロン酸を含む。いくつかの実施形態では、前記添加剤は、α−ヒドロキシカルボン酸がクエン酸でないという条件で、α−ヒドロキシカルボン酸を含む。いくつかの実施形態では、前記添加剤は、乳酸を含む。いくつかの実施形態では、前記組成物は、乳酸を含むが、クエン酸は含まない。いくつかの実施形態では、前記組成物は、乳酸を含むが、クエン酸およびクエン酸塩を含まない。いくつかの実施形態では、α−ヒドロキシカルボン酸を含む研磨用組成物は、α−ヒドロキシカルボン酸を含まない研磨用組成物と比較して、より高いアルミニウムおよび／または酸化アルミニウムの除去をもたらす。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、水酸基を含むカルボン酸（好ましくはα−ヒドロキシカルボン酸、より好ましくは乳酸）を少なくとも約０．００５質量％含む。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、水酸基を含むカルボン酸（好ましくはα−ヒドロキシカルボン酸、より好ましくは乳酸）を少なくとも約０．００８質量％含む。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、水酸基を含むカルボン酸（好ましくはα−ヒドロキシカルボン酸、より好ましくは乳酸）を少なくとも約０．０１質量％含む。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、水酸基を含むカルボン酸（好ましくはα−ヒドロキシカルボン酸、より好ましくは乳酸）を少なくとも約０．０２質量％含む。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、水酸基を含むカルボン酸（好ましくはα−ヒドロキシカルボン酸、より好ましくは乳酸）を少なくとも約０．００５質量％〜約０．０５質量％含む。これは、約０．００５質量％〜約０．０３質量％、約０．００５質量％〜約０．０２質量％、約０．００８質量％〜約０．０３質量％、約０．００８質量％〜約０．０２質量％、約０．０１質量％〜約０．０３質量％、または約０．０１質量％〜約０．０２質量％を含む。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、水酸基を含むカルボン酸（好ましくはα−ヒドロキシカルボン酸、より好ましくは乳酸）を約０．００５質量％、約０．００６質量％、約０．００７質量％、約０．００８質量％、約０．００９質量％、約０．０１０質量％、約０．０１１質量％、約０．０１２質量％、約０．０１３質量％、約０．０１４質量％、約０．０１５質量％、約０．０１６質量％、約０．０１７質量％、約０．０１８質量％、約０．０１９質量％、約０．０２０質量％、約０．０２１質量％、約０．０２２質量％、約０．０２３質量％、約０．０２４質量％、約０．０２５質量％、約０．０２６質量％、約０．０２７質量％、約０．０２８質量％、約０．０２９質量％、約０．０３０質量％、約０．０４０質量％、約０．０５０質量％、約０．０６０質量％、約０．０７０質量％、約０．０８０質量％、約０．０９０質量％、約０．１０質量％、またはそれ以上含み、その中で増分を含む。
いくつかの実施形態では、水酸基を含まないカルボン酸を含有することが出来る。いくつかの実施形態では、水酸基を含まないカルボン酸として、ジカルボン酸が好ましい。いくつかの実施形態では、水酸基を含まないカルボン酸として、シュウ酸、マロン酸、マレイン酸、イミノ二酢酸など金属に対してキレート作用を持つものが好適である。いくつかの実施形態では、水酸基を含まないカルボン酸（好ましくはシュウ酸）は、前記研磨用組成物中に少なくとも約０．００５質量％の量で存在する。いくつかの実施形態では、水酸基を含まないカルボン酸（好ましくはシュウ酸）は、前記研磨用組成物中に少なくとも約０．００８質量％の量で存在する。いくつかの実施形態では、水酸基を含まないカルボン酸（好ましくはシュウ酸）は、前記研磨用組成物中に少なくとも約０．０１質量％の量で存在する。いくつかの実施形態では、水酸基を含まないカルボン酸（好ましくはシュウ酸）は、前記研磨用組成物中に少なくとも約０．００５質量％〜約０．１質量％の量で存在する。これは、約０．００５質量％〜約０．０８質量％、約０．００５質量％〜約０．０５質量％、約０．００５質量％〜約０．０３質量％、約０．００５質量％〜約０．０１質量％、約０．００７質量％〜約０．１質量％、約０．００７質量％〜約０．０８質量％、約０．００７質量％〜約０．０５質量％、約０．００７質量％〜約０．０３質量％、約０．００７質量％〜約０．０１質量％、約０．０１質量％〜約０．１質量％、約０．０１質量％〜約０．０８質量％、約０．０１質量％〜約０．０５質量％、または約０．０１質量％〜約０．０３質量％の量を含む。いくつかの実施形態では、水酸基を含まないカルボン酸（好ましくはシュウ酸）は、前記研磨用組成物中に約０．００５質量％、約０．００６質量％、約０．００７質量％、約０．００８質量％、約０．００９質量％、約０．０１０質量％、約０．０１１質量％、約０．０１２質量％、約０．０１３質量％、約０．０１４質量％、約０．０１５質量％、約０．０１６質量％、約０．０１７質量％、約０．０１８質量％、約０．０１９質量％、約０．０２０質量％、約０．０２１質量％、約０．０２２質量％、約０．０２３質量％、約０．０２４質量％、約０．０２５質量％、約０．０２６質量％、約０．０２７質量％、約０．０２８質量％、約０．０２９質量％、約０．０３０質量％、約０．０３１質量％、約０．０３２質量％、約０．０３３質量％、約０．０３４質量％、約０．０３５質量％、約０．０３６質量％、約０．０３７質量％、約０．０３８質量％、約０．０３９質量％、約０．０４０質量％、約０．０４１質量％、約０．０４２質量％、約０．０４３質量％、約０．０４４質量％、約０．０４５質量％、約０．０４６質量％、約０．０４７質量％、約０．０４８質量％、約０．０４９質量％、約０．０５０質量％、約０．０５５質量％、約０．０６０質量％、約０．０６５質量％、約０．０７０質量％、約０．０７５質量％、約０．０８０質量％、約０．０８５質量％、約０．０９０質量％、約０．０９５質量％、約０．１０質量％、約０．１５質量％、約０．２０質量％、約０．２５質量％、約０．３０質量％、約０．３５質量％、約０．４０質量％、約０．４５質量％、約０．５０質量％、約０．５５質量％、約０．６０質量％、約０．６５質量％、約０．７０質量％、約０．７５質量％、約０．８０質量％、約０．８５質量％、約０．９０質量％、約０．９５質量％、約１．００質量％、またはそれ以上の量存在し、その中で増分を含む。
（水溶性ポリマー）
いくつかの実施形態では、前記水溶性ポリマーは、少なくとも１つのカルボキシル基を含む、あるいは、多糖類を含む。かかる実施形態であることによって、本発明の所期の効果を効率よく奏することができる。
いくつかの実施形態では、多糖類が、グルコースのみからなる多糖類である。
いくつかの実施形態では、前記グルコースのみからなる多糖類が、プルラン、デンプンデキストリン、シクロデキストリン、または、デキストランである。かかる実施形態であることによって、本発明の所期の効果を効率よく奏することができる。
いくつかの実施形態では、前記水溶性ポリマーを構成する繰り返し単位が、カルボキシル基を有する。かかる実施形態であることによって、本発明の所期の効果を効率よく奏することができる。いくつかの実施形態では、前記水溶性ポリマーは、ポリカルボン酸を含む。いくつかの実施形態では、前記水溶性ポリマーは、ポリアクリル酸を含む。かかる実施形態であることによって、本発明の所期の効果を効率よく奏することができる。いくつかの実施形態では、水溶性ポリマーの重量平均分子量は、好ましくは５万〜５０万、いくつかの実施形態では、１０万〜３０万である。
なお、重量平均分子量は、ゲルパーミーエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって測定した重量平均分子量（ポリエチレングリコール換算）の値を用いる。重量平均分子量は、下記の装置および条件によって測定する。
ＧＰＣ装置：株式会社島津製作所製
型式：Ｐｒｏｍｉｎｅｎｃｅ ＋ ＥＬＳＤ検出器（ＥＬＳＤ−ＬＴＩＩ）
カラム：ＶＰ−ＯＤＳ（株式会社島津製作所製）
移動相 Ａ：ＭｅＯＨ
Ｂ：酢酸１％水溶液
検出器：ＥＬＳＤ ｔｅｍｐ．４０℃、Ｇａｉｎ ８、Ｎ２ＧＡＳ ３５０ｋＰａ
オーブン温度：４０℃。
いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、前記水溶性ポリマー（２種類以上であればその合計量）を少なくとも約０．０５質量％含む。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、前記水溶性ポリマーを少なくとも約０．０８質量％含む。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、前記水溶性ポリマーを約０．０５質量％〜約０．２質量％含む。これは、約０．０５質量％〜約０．１５質量％、約０．０５質量％〜約０．１質量％、約０．０８質量％〜約０．２質量％、または約０．０８質量％〜約０．１５質量％の前記水溶性ポリマーを含む。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、前記水溶性ポリマーを約０．０５質量％、約０．０６質量％、約０．０７質量％、約０．０８質量％、約０．０９質量％、約０．１０質量％、約０．１１質量％、約０．１２質量％、約０．１３質量％、約０．１４質量％、約０．１５質量％、約０．１６質量％、約０．１７質量％、約０．１８質量％、約０．１９質量％、約０．２０質量％、またはそれ以上含み、その中で増分を含む。
いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、ポリアクリル酸を少なくとも約０．０５質量％含む。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、ポリアクリル酸を少なくとも約０．０８質量％含む。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、ポリアクリル酸を少なくとも約０．０５質量％〜約０．２質量％含む。これは、約０．０５質量％〜約０．１５質量％、約０．０５質量％〜約０．１質量％、約０．０８質量％〜約０．２質量％、または約０．０８質量％〜約０．１５質量％のポリアクリル酸を含む。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、ポリアクリル酸を約０．０５質量％、約０．０６質量％、約０．０７質量％、約０．０８質量％、約０．０９質量％、約０．１０質量％、約０．１１質量％、約０．１２質量％、約０．１３質量％、約０．１４質量％、約０．１５質量％、約０．１６質量％、約０．１７質量％、約０．１８質量％、約０．１９質量％、約０．２０質量％またはそれ以上含み、その中で増分を含む。
いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、酸化剤をさらに含む。例示的な酸化剤は、下記に限定されないが、過酸化水素、過硫酸塩、過塩素酸塩、過ヨウ素酸塩、または硝酸塩を含む。
いくつかの実施形態では、前記酸化剤は、前記研磨用組成物中に約０．１体積％、約０．２体積％、約０．３体積％、約０．４体積％、約０．５体積％、約０．６体積％、約０．７体積％、約０．８体積％、約０．９体積％、約１．０体積％、約１．１体積％、約１．２体積％、約１．３体積％、約１．４体積％、約１．５体積％、約１．６体積％、約１．７体積％、約１．８体積％、約１．９体積％、約２．０体積％、約２．１体積％、約２．２体積％、約２．３体積％、約２．４体積％、約２．５体積％、約２．６体積％、約２．７体積％、約２．８体積％、約２．９体積％、約３．０体積％（ｖｏｌ％）またはそれ以上の量存在し、その中で増分を含む。いくつかの実施形態では、前記過酸化水素は、前記研磨用組成物中に約０〜約３．０体積％（ｖｏｌ％）の量で存在する。前記酸化剤を含むことによって、より均一なおよび／またはより高い除去率をもたらすことができる。
例示的なアゾール系抑制剤は、下記に限定されないが、ベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、イミダゾール、トリルトリアゾール、およびそれらの任意の組み合わせを含む。具体的な例としては、下記に限定されないが、１−（１，２−ジカルボキシエチル）ベンゾトリアゾール、１−［Ｎ，Ｎ−ビス（ヒドロキシエチル）アミノメチル］ベンゾトリアゾール、１−（２，３−ジヒドロキシプロピル）ベンゾトリアゾール、および１−（ヒドロキシメチル）ベンゾトリアゾールを含む。
粘度のレベルが高すぎると基板の研磨に不均一性の問題が生じることがある。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、約５０ｃｐｓ以下の粘度を有する。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、約１０ｃｐｓ以下の粘度を有する。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、約５ｃｐｓ以下の粘度を有する。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、約２ｃｐｓ以下の粘度を有する。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、約０．１ｃｐｓ、約０．２ｃｐｓ、約０．３ｃｐｓ、約０．４ｃｐｓ、約０．５ｃｐｓ、約０．６ｃｐｓ、約０．７ｃｐｓ、約０．８ｃｐｓ、約０．９ｃｐｓ、約１．０ｃｐｓ、約１．１ｃｐｓの粘度を有し、その中で増分を含む。なお、いくつかの実施形態では、かかる粘度の測定方法は、以下のとおりである。
粘度は、粘度計（キャノン・フェンスケ、柴田科学株式会社製）を用いて測定し、次式に従い算出する（粘度の測定は２５℃である）。
粘度＝比重×流出時間。
いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、砥粒と、添加剤と、水溶性ポリマーとを含み、ここで、前記研磨用組成物は、ｐＨが４未満（一形態では、４．０未満）であり、アンモニウム塩、クエン酸および／またはクエン酸塩を含まない。
いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、砥粒と、添加剤と、水溶性ポリマーとを含み、ここで、前記研磨用組成物は、ｐＨが４未満（一形態では、４．０未満）であり、アゾール系抑制剤および／またはアンモニウム塩を含まない。
いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、砥粒と、添加剤と、水溶性ポリマーとを含み、ここで、前記研磨用組成物は、ｐＨが４未満（一形態では、４．０未満）であり、アゾール系抑制剤、クエン酸および／またはクエン酸塩を含まない。
いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、砥粒と、添加剤と、水溶性ポリマーとを含み、ここで、前記研磨用組成物は、ｐＨが４未満であり、アゾール系抑制剤、アンモニウム塩、クエン酸および／またはクエン酸塩を含まない。
いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、本質的に、コロイダルシリカと、乳酸と、シュウ酸と、ポリアクリル酸と、分散媒（溶媒）とからなり、ここで、前記研磨用組成物は、ｐＨが４未満（一形態では、４．０未満）である。
かかる実施形態であることによって、本発明の所期の効果を効率よく奏することができる。さらなる実施形態では、前記研磨用組成物は、アンモニウム塩、クエン酸および／またはクエン酸塩、およびアゾール系抑制剤からなる群から選択される少なくとも１種を含まない。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、ｐＨが３未満（一形態では、３．０未満）である。かかる実施形態であることによって、本発明の所期の効果を効率よく奏することができる。
また、本発明の別の態様によれば、本明細書に開示された研磨用組成物を調製する方法が提供される。
本明細書に開示された研磨用組成物は、任意の適切な方法で使用することができる。例を挙げると、前記組成物は、例えば、その安定性によって、「湿潤（ｗｅｔ）」状態で使用のために出荷することができる。いくつかの実施形態では、前記組成物は、鉄道や道路によって輸送される。前記組成物は、乾燥させてもよいし、当業者によって通常使用されるように使用されてもよい。いくつかの実施形態では、本明細書に開示された組成物は、研磨用として使用される。
いくつかの実施形態では、本明細書に開示された研磨用組成物の使用は、シリコンウェハ（いくつかの実施形態では、酸化膜を一面に載せたシリコンウェハ）の最小のスクラッチをもたらす。
いくつかの実施形態では、最小のスクラッチとは、スクラッチ数が約２５０以下を意味する。これは、約２４０、約２３０、約２２０、約２１０、約２００、約１９５、約１８０、約１７５、約１７０、約１６５、約１６０、約１５５、約１５０、約１４５、約１４０、約１３５、約１３０、約１２５、約１２０、約１１５、約１１０、約１０５、約１００、約９５、約９０、約８５、約８０、約７５、約７０、約６５、約６０、約５５、約５０、約４５、約４０、約３５、約３０未満のスクラッチ数の最小のスクラッチを含み、その中で増分を含む。いくつかの実施形態では、前記研磨用組成物は、新たに生成され、または保存条件下でエージングされる。
いくつかの実施形態では、本明細書に開示された新たに生成された研磨用組成物またはそれをエージングした同等物（ｃｏｕｎｔｅｒｐａｒｔ）の使用は、シリコンウェハ（いくつかの実施形態では、酸化膜を一面に載せたシリコンウェハ）の最小のスクラッチをもたらす。いくつかの実施形態では、エージングされた研磨用組成物の使用によるシリコンウェハのスクラッチのレベルは、新たに生成された研磨用組成物の使用によるシリコンウェハのスクラッチのレベルと近いことが好ましい。より具体的には、新たに生成された研磨用組成物の使用によるスクラッチ数と、エージングされた研磨用組成物の使用によるスクラッチ数との差が、新たに生成された研磨用組成物の使用によるスクラッチ数を基準に、約８００％以下の差を意味する。
つまり、新たに生成された研磨用組成物の使用によるシリコンウェハのスクラッチが１００個であり、エージングされた研磨用組成物の使用によるシリコンウェハのスクラッチが９００個であれば、８００％ということである。新たに生成された研磨用組成物の使用によるシリコンウェハのスクラッチが１００個であり、エージングされた研磨用組成物の使用によるシリコンウェハのスクラッチが１００個であれば、０％ということである。いくつかの実施形態では、約７００％以下、約６００％以下、約５００％以下、約４００％以下、約３００％以下、約２００％以下、約１００％以下、約９０％以下、約８０％以下、約７０％以下、約６０％以下、約５０％以下、約４０％以下、約３０％以下、約２４％以下、２３％以下、２２％以下、２１％以下、２０％以下、１９％以下、１８％以下、１７％以下、１６％以下、１５％以下、１４％以下、１３％以下、１２％以下、１１％以下、１０％以下、９％以下、８％以下、７％以下、６％以下、５％以下、４％以下、３％以下、２％以下、１％以下、０％の差を含む。
（他の成分）
いくつかの実施形態では、研磨用組成物は、必要に応じて、金属防食剤、防腐剤、防カビ剤、還元剤、界面活性剤、難溶性の有機物を溶解するための有機溶媒等の他の成分をさらに含んでもよい。
（研磨用組成物の製造方法）
いくつかの実施形態では、研磨用組成物は、研磨用組成物を構成する各成分を混合することによって製造することができる。
上記の混合の方法は、特に制限されず、例えば、砥粒と、添加剤と、水溶性ポリマーとを、分散媒中で攪拌混合することで行えばよい。砥粒と、添加剤と、水溶性ポリマーとの添加順序にも制限はないが、組成物中の各成分の最大溶解度を確保するため、また、組成物の調製時の化学変化を最小限に抑えるために、砥粒は最後に添加することがよい。各成分を混合する際の温度は特に制限されないが、１０〜４０℃が好ましく、溶解速度を上げるために加熱してもよい。また、混合時間も特に制限されない。
なお、分散媒としては水を含むことが好ましい。その際、他の成分の作用を阻害することを抑制するという観点から、不純物をできる限り含有しない水が好ましく、具体的には、イオン交換樹脂にて不純物イオンを除去した後、フィルタを通して異物を除去した純水や超純水、または蒸留水が好ましい。
（研磨方法）
本発明においては、上記の研磨用組成物を用いて、または、上記の製造方法によって研磨用組成物を得、それを用いて、研磨対象物を研磨する、研磨方法が提供される。
研磨装置としては、研磨対象物を有する基板等を保持するホルダーと回転数を変更可能なモータ等とが取り付けてあり、研磨パッド（研磨布）を貼り付け可能な研磨定盤を有する一般的な研磨装置を使用することができる。
前記研磨パッドとしては、一般的な不織布、ポリウレタン、および多孔質フッ素樹脂等を特に制限なく使用することができる。研磨パッドには、研磨液が溜まるような溝加工が施されていることが好ましい。
研磨条件にも特に制限はなく、例えば、研磨定盤およびヘッドの回転速度は、それぞれ独立して、１０〜５００ｒｐｍが好ましく、研磨対象物を有する基板にかける圧力（研磨圧力）は、０．５〜１０ｐｓｉが好ましい。研磨パッドに研磨用組成物を供給する方法も特に制限されず、例えば、ポンプ等で連続的に供給する方法が採用される。この供給量に制限はないが、研磨パッドの表面が常に本発明の研磨用組成物で覆われていることが好ましい。
本発明に係る研磨用組成物は一液型であってもよいし、研磨用組成物の一部または全部を任意の混合比率で混合した二液型をはじめとする多液型であってもよい。また、研磨用組成物の供給経路を複数有する研磨装置を用いた場合、研磨装置上で研磨用組成物が混合されるように、予め調製された２つ以上の研磨用組成物を用いてもよい。
また、本発明に係る研磨用組成物は、原液の形態であってもよく、研磨用組成物の原液を水で希釈することにより調製されてもよい。研磨用組成物が二液型であった場合には、混合および希釈の順序は任意であり、例えば一方の組成物を水で希釈後それらを混合する場合や、混合と同時に水で希釈する場合、また、混合された研磨用組成物を水で希釈する場合等が挙げられる。
なお、本発明においては、以下の実施形態も提供される。
（１）砥粒と、研磨促進剤と、水溶性ポリマーとを含む研磨用組成物であって、Ｄ５０（前）に対するＤ５０（後）の比率が２．０未満であり、ここで、Ｄ５０（前）は、前記研磨用組成物を８０℃で５日間放置する前に測定された前記研磨用組成物のＤ５０の値であり、Ｄ５０（後）は、前記研磨用組成物を８０℃で５日間放置した後に測定された前記研磨用組成物のＤ５０の値である、研磨用組成物。
（２）Ｄ９０（前）に対するＤ９０（後）の比率が２．０未満であり、ここで、Ｄ９０（前）は、前記研磨用組成物を８０℃で５日間放置する前に測定された前記研磨用組成物のＤ９０の値であり、Ｄ９０（後）は、前記研磨用組成物を８０℃で５日間放置した後に測定された前記研磨用組成物のＤ９０の値である、（１）に記載の研磨用組成物。
（３）ＭＶ（前）に対するＭＶ（後）の比率が２．０未満であり、ここで、ＭＶ（前）は、前記研磨用組成物を８０℃で５日間放置する前に測定された前記研磨用組成物の粒子径分布の平均値であり、ＭＶ（後）は、前記研磨用組成物を８０℃で５日間放置した後に測定された前記研磨用組成物の粒子径分布の平均値である、（１）または（２）に記載の研磨用組成物。
（４）砥粒と、研磨促進剤と、水溶性ポリマーとを含む研磨用組成物であって、Ｄ５０（前）に対するＤ５０（後）の比率が１．１５未満であり、ここで、Ｄ５０（前）は、前記研磨用組成物を２５℃で７日間放置する前に測定された前記研磨用組成物のＤ５０の値であり、Ｄ５０（後）は、前記研磨用組成物を２５℃で７日間放置した後に測定された前記研磨用組成物のＤ５０の値である、研磨用組成物。
（５）Ｄ９０（前）に対するＤ９０（後）の比率が１．０５未満であり、ここで、Ｄ９０（前）は、前記研磨用組成物を２５℃で７日間放置する前に測定された前記研磨用組成物のＤ９０の値であり、Ｄ９０（後）は、前記研磨用組成物を２５℃で７日間放置した後に測定された前記研磨用組成物のＤ９０の値である、（４）に記載の研磨用組成物。
（６）ＭＶ（前）に対するＭＶ（後）の比率が１．１５未満であり、ここで、ＭＶ（前）は、前記研磨用組成物を２５℃で７日間放置する前に測定された前記研磨用組成物の粒子径分布の平均値であり、ＭＶ（後）は、前記研磨用組成物を２５℃で７日間放置した後に測定された前記研磨用組成物の粒子径分布の平均値である、（４）または（５）に記載の研磨用組成物。
（７）ｐＨが４未満である、（１）〜（６）のいずれか１つに記載の研磨用組成物。
（８）ｐＨが３未満である、（７）に記載の研磨用組成物。
（９）前記研磨促進剤は、α−ヒドロキシカルボン酸を含む、（１）〜（８）のいずれか１つに記載の研磨用組成物。
（１０）前記α−ヒドロキシカルボン酸は、乳酸である、（９）に記載の研磨用組成物。
（１１）前記水溶性ポリマーは、少なくとも１つのカルボン酸を含む、（１）〜（１０）のいずれか１つに記載の研磨用組成物。
（１２）前記水溶性ポリマーは、ポリカルボン酸である、（１１）に記載の研磨用組成物。
（１３）前記水溶性ポリマーは、ポリアクリル酸である、（１１）または（１２）に記載の研磨用組成物。
（１４）シュウ酸をさらに含む、（１）〜（１３）のいずれか１つに記載の研磨用組成物。
（１５）酸化剤をさらに含む、（１）〜（１４）のいずれか１つに記載の研磨用組成物。
（１６）前記砥粒は、コロイダルシリカを含む、（１）〜（１５）のいずれか１つに記載の研磨用組成物。
（１７）前記砥粒は、Ｄ１０に対するＤ９０の比率（Ｄ９０／Ｄ１０）が３未満である、（１）〜（１６）のいずれか１つに記載の研磨用組成物。
（１８）前記砥粒は、Ｄ１０に対するＤ９０の比率（Ｄ９０／Ｄ１０）が２．５未満である、（１）〜（１７）のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
（１９）前記砥粒は、Ｄ１０に対するＤ９０の比率（Ｄ９０／Ｄ１０）が２．３未満である、（１）〜（１８）のいずれか１つに記載の研磨用組成物。
（２０）砥粒と、研磨促進剤と、水溶性ポリマーとを含む研磨用組成物であって、ここで、前記研磨用組成物は、ｐＨが４未満であり、静的エッチングまたは他の除去メカニズムによる非鉄配線除去速度を制御するためのアゾール系抑制剤を含まない、研磨用組成物。
（２１）前記研磨促進剤は、α−ヒドロキシカルボン酸を含む、（２０）に記載の研磨用組成物。
（２２）前記α−ヒドロキシカルボン酸は、乳酸である、（２１）に記載の研磨用組成物。
（２３）前記水溶性ポリマーは、少なくとも１つのカルボン酸を含む、（２０）〜（２２）のいずれか１つに記載の研磨用組成物。
（２４）前記水溶性ポリマーは、ポリカルボン酸である、（２３）に記載の研磨用組成物。
（２５）前記水溶性ポリマーは、ポリアクリル酸である、（２３）または（２４）に記載の研磨用組成物。
（２６）シュウ酸をさらに含む、（２０）〜（２５）のいずれか１つに記載の研磨用組成物。
（２７）酸化剤をさらに含む、（２０）〜（２６）のいずれか１つに記載の研磨用組成物。
（２８）前記砥粒は、コロイダルシリカを含む、（２０）〜（２７）のいずれか１つに記載の研磨用組成物。
（２９）
前記砥粒は、Ｄ１０に対するＤ９０の比率（Ｄ９０／Ｄ１０）が３未満である、（２０）〜（２８）のいずれか１つに記載の研磨用組成物。
（３０）前記砥粒は、Ｄ１０に対するＤ９０の比率（Ｄ９０／Ｄ１０）が２．５未満である、（２０）〜（２９）のいずれか１つに記載の研磨用組成物。
（３１）前記砥粒は、Ｄ１０に対するＤ９０の比率（Ｄ９０／Ｄ１０）が２．３未満である、（２０）〜（３０）のいずれか１つに記載の研磨用組成物。
（３２）砥粒と、研磨促進剤と、水溶性ポリマーとを含む研磨用組成物であって、ここで、前記研磨用組成物は、ｐＨが４未満であり、アンモニウム塩を含まない、研磨用組成物。
（３３）前記研磨促進剤は、α−ヒドロキシカルボン酸を含む、（３２）に記載の研磨用組成物。
（３４）前記α−ヒドロキシカルボン酸は、乳酸である、（３３）に記載の研磨用組成物。
（３５）前記水溶性ポリマーは、少なくとも１つのカルボン酸を含む、（３２）〜（３４）のいずれか１つに記載の研磨用組成物。
（３６）前記水溶性ポリマーは、ポリカルボン酸である、（３５）に記載の研磨用組成物。
（３７）前記水溶性ポリマーは、ポリアクリル酸である、（３５）または（３６）に記載の研磨用組成物。
（３８）シュウ酸をさらに含む、（３２）〜（３７）のいずれか１つに記載の研磨用組成物。
（３９）酸化剤をさらに含む、（３２）〜（３８）のいずれか１つに記載の研磨用組成物。
（４０）前記砥粒は、コロイダルシリカを含む、（３２）〜（３９）のいずれか１つに記載の研磨用組成物。
（４１）前記砥粒は、Ｄ１０に対するＤ９０の比率（Ｄ９０／Ｄ１０）が３未満である、（３２）〜（４０）のいずれか１つに記載の研磨用組成物。
（４２）前記砥粒は、Ｄ１０に対するＤ９０の比率（Ｄ９０／Ｄ１０）が２．５未満である、（３２）〜（４１）のいずれか１つに記載の研磨用組成物。
（４３）前記砥粒は、Ｄ１０に対するＤ９０の比率（Ｄ９０／Ｄ１０）が２．３未満である、（３２）〜（４２）のいずれか１つに記載の研磨用組成物。
（４４）砥粒と、研磨促進剤と、水溶性ポリマーとを含む研磨用組成物であって、ここで、前記研磨用組成物は、ｐＨが４未満であり、クエン酸およびクエン酸塩を含まない、研磨用組成物。
（４５）前記研磨促進剤は、α−ヒドロキシカルボン酸を含む、（４４）に記載の研磨用組成物。
（４６）前記α−ヒドロキシカルボン酸は、乳酸である、（４５）に記載の研磨用組成物。
（４７）前記水溶性ポリマーは、少なくとも１つのカルボン酸を含む、（４４）〜（４６）のいずれか１つに記載の研磨用組成物。
（４８）前記水溶性ポリマーは、ポリカルボン酸である、（４７）に記載の研磨用組成物。
（４９）前記水溶性ポリマーは、ポリアクリル酸である、（４７）または（４８）に記載の研磨用組成物。
（５０）シュウ酸をさらに含む、（４４）〜（４９）のいずれか１つに記載の研磨用組成物。
（５１）酸化剤をさらに含む、（４４）〜（５０）のいずれか１つに記載の研磨用組成物。
（５２）前記砥粒は、コロイダルシリカを含む、（４４）〜（５１）のいずれか１つに記載の研磨用組成物。
（５３）前記砥粒は、Ｄ１０に対するＤ９０の比率（Ｄ９０／Ｄ１０）が３未満である、（４４）〜（５２）のいずれか１つに記載の研磨用組成物。
（５４）前記砥粒は、Ｄ１０に対するＤ９０の比率（Ｄ９０／Ｄ１０）が２．５未満である、（４４）〜（５３）のいずれか１つに記載の研磨用組成物。
（５５）前記砥粒は、Ｄ１０に対するＤ９０の比率（Ｄ９０／Ｄ１０）が２．３未満である、（４４）〜（５４）のいずれか１つに記載の研磨用組成物。
（５６）本質的に、コロイダルシリカと、乳酸と、シュウ酸と、ポリアクリル酸とからなる研磨用組成物であって、ここで、前記研磨用組成物は、ｐＨが４未満である、研磨用組成物。
（５７）前記研磨用組成物は、ｐＨが３未満である、（５６）に記載の研磨用組成物。
上述に一般的に説明した本発明は、以下の実施例を参照することによってより容易に理解される。以下の実施例は例示のために提供されたものであり、本発明を限定するものではない。
なお、特記しない限り、「％」および「部」は、それぞれ、「質量％」および「質量部」を意味する。また、下記実施例において、特記しない限り、操作は室温（２５℃）／相対湿度４０〜５０％ＲＨの条件下で行われた。
実施例１：研磨用組成物
表１には、調製された５つの組成物を示す。コロイダルシリカは、組成物の調製時の化学変化を最小限に抑えるために、最後に添加した。組成物は、３００ｒｐｍ以下の混合速度で、室温で調製した。スラリーＡは、水にクエン酸を添加し、次いで、クエン酸三カリウム一水和物、プルラン、そしてその後、コロイダルシリカＡを添加することによって調製した。スラリーＢおよびスラリーＥは、水に乳酸を添加し、次いで、シュウ酸、ポリアクリル酸（２５質量％溶液）、およびコロイダルシリカＢを添加することによって調製した。スラリーＣは、水に乳酸を添加し、次いで、シュウ酸、ポリアクリル酸（２５質量％溶液）、およびコロイダルシリカＡを添加することによって調製した。スラリーＤは、水に乳酸を添加し、次いで、シュウ酸、プルラン、およびコロイダルシリカＢを添加することによって調製した。なお、調製された５つの組成物（２５℃）の粘度は全て１．１±０．０２ｃｐｓであった。
実施例２：８０℃で５日間の保存
実施例１のうち５つの組成物を、それぞれ８０℃で５日間、撹拌することなく、密閉された容器に保存した。粒子径分布の値（Ｄ５０、Ｄ９０、およびＭＶ）は、新たに生成された組成物だけでなくエージングした組成物についても、粒子径測定器（株式会社堀場製作所製のＬＡ−９５０）を用いた光散乱法により測定した。
つまり、研磨用組成物を構成する成分をすべて混合した時点から３０分後の組成物に対して、粒子径分布の値（Ｄ５０、Ｄ９０、およびＭＶ）を、粒子径測定器（株式会社堀場製作所製のＬＡ−９５０）を用いた光散乱法により測定した。また、研磨用組成物を構成する成分をすべて混合して８０℃の加熱器に置いた時点から５日後（１２０時間後）の組成物であって室温（２５℃）に放置して２５℃まで冷却した組成物に対して、粒子径分布の値（Ｄ５０、Ｄ９０、およびＭＶ）を、粒子径測定器（株式会社堀場製作所製のＬＡ−９５０）を用いた光散乱法により測定した。
酸化膜を一面に載せたシリコンウエハを、新たに生成された組成物、または、エージングした組成物によって下記の条件で研磨し、スクラッチ数を定量化するために欠陥を非パターン化されたウェハ表面検査装置Ｓｕｒｆｓｃａｎ（登録商標）ＳＰ２によってスキャンし、日立ＲＳ−６０００機器を用いた走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって観察した。０．１３μｍ未満の大きさの欠陥を記録した。データを表２に示す。
（研磨条件）
研磨機：Ｍｉｒｒａ−２００ｍｍ研磨機（アプライドマテリアルズ社製：ＡＭＡＴ）
研磨パッド：ポリウレタン製パッド（ＩＣ１０１０：ロームアンドハース社製）
圧力：１．５ｐｓｉ
プラテン（定盤）回転数：６０ｒｐｍ
ヘッド（キャリア）回転数：６０ｒｐｍ
研磨用組成物の流量：２００ｍｌ／ｍｉｎ
研磨時間：６０ｓｅｃ
表２に示されるとおり、スラリーＢ、ＣおよびＤは、Ｄ５０（前）に対するＤ５０（後）の比率が２．０未満であり、Ｄ９０（前）に対するＤ９０（後）の比率が２．０未満であり、また、ＭＶ（前）に対するＭＶ（後）の比率が２．０未満であり、好適なスラリーである。また、スクラッチ数（前）、スクラッチ数（後）の数も有意に低く、好適である。
実施例３：２５℃で７日間の保存
実施例１のうち２つの組成物を、それぞれ２５℃で７日間、大気中で、攪拌することなく、密閉されていないビーカーに保存した。実施例２と同様に、Ｄ５０、Ｄ９０、およびＭＶの測定を行った。また、実施例２と同様に、シリコンウェハのスクラッチを評価した。データを表３に示す。
つまり、研磨用組成物を構成する成分をすべて混合した時点から３０分後の組成物に対して、粒子径分布の値（Ｄ５０、Ｄ９０、およびＭＶ）を、粒子径測定器（株式会社堀場製作所製のＬＡ−９５０）を用いた光散乱法により測定した。また、研磨用組成物を構成する成分をすべて混合した時点から７日後（１６８時間後）の組成物に対して、粒子径分布の値（Ｄ５０、Ｄ９０およびＭＶ）を、粒子径測定器（株式会社堀場製作所製のＬＡ−９５０）を用いた光散乱法により測定した。
表３に示されるとおり、スラリーＢは、Ｄ５０（前）に対するＤ５０（後）の比率が１．１５未満であり、Ｄ９０（前）に対するＤ９０（後）の比率が１．０５未満であり、ＭＶ（前）に対するＭＶ（後）の比率が１．１５未満であり、好適なスラリーである。また、スクラッチ数（前）、スクラッチ数（後）の数も有意に低く、好適である。
実施例４：５５℃で１０日間の保存
実施例１のうち５つの組成物を、それぞれ５５℃で１０日間、撹拌することなく、密閉された容器に保存した。実施例２と同様に、Ｄ５０、Ｄ９０、およびＭＶの測定を行った。また、実施例２と同様に、シリコンウェハのスクラッチを評価した。データを表４に示す。
つまり、研磨用組成物を構成する成分をすべて混合した時点から３０分後の組成物に対して、粒子径分布の値（Ｄ５０、Ｄ９０、およびＭＶ）を、粒子径測定器（株式会社堀場製作所製のＬＡ−９５０）を用いた光散乱法により測定した。また、研磨用組成物を構成する成分をすべて混合して５５℃の加熱器に置いた時点から１０日後（２４０時間後）の組成物であって室温（２５℃）に放置して２５℃まで冷却した組成物に対して、粒子径分布の値（Ｄ５０、Ｄ９０、およびＭＶ）を、粒子径測定器（株式会社堀場製作所製のＬＡ−９５０）を用いた光散乱法により測定した。
本発明の特定の実施形態を例示して説明したが、特許請求の範囲に規定される広範な態様における技術から逸脱することなく種々の変更および改変がなされうることは、当業者にとって自明である。
本明細書において例示的に説明された実施形態は、本明細書に具体的に開示されていないが、任意の構成要素または複数の構成要素、制限または複数の制限がない場合でも適切に実施することができる。したがって、例えば、「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「含有する（ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ）」などの用語は、広範かつ制限なしに解釈されるものとする。さらに、本明細書で使用される用語および表現は、限定するための用語ではなく説明するための用語として用いられており、本明細書に示され開示された特徴またはその一部と同等のものを排除するような用語および表現を使用する意図はなく、特許請求の範囲に記載された技術的範囲内で様々な変更が可能であることが認識される。さらに、「本質的に〜からなる（ｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇ ｅｓｓｅｎｔｉａｌｌｙ ｏｆ）」という表現は、具体的に列挙された構成要素および特許請求の範囲に記載された技術の基本的かつ新規な特徴に実質的に影響を与えない追加の構成要素を含むことが理解される。「からなる（ｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇ ｏｆ）」という表現は、特定されていない構成要素を排除する。
本発明は、本願に開示された特定の実施形態に限定されるものではない。当業者には明らかであるように、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、多くの改変および変形を行うことができる。本明細書に列挙したものに加えて、本願の開示の範囲内において機能的に同等な方法および組成物は、上記の記載から当業者には明らかであろう。そのような改変および変形は、添付の特許請求の範囲内に入ることが意図される。本願の開示は、権利を与えられる特許請求の範囲と同等の全範囲とともに、添付の特許請求の範囲の用語によってのみ限定される。本願の開示は特定の方法、試薬、化合物、または組成物に限定されず、当然改変可能であることが理解される。本明細書で使用する用語は、特定の実施形態のみを説明するためのものであり、限定することを意図するものではないことも理解されたい。
さらに、本願の開示の特徴または態様がマーカッシュグループとして記述される場合、当業者は、本願の開示が、それによって、マーカッシュグループの任意の個々のメンバーまたはメンバーのサブグループとしても記述されることを認識する。
当業者に理解されるように、任意のおよび全ての目的で、特に書面による説明を提供することに関しては、本明細書に開示された全ての範囲は、任意のおよび全ての可能性ある部分範囲およびそれらの部分範囲の組合せも包含する。任意の列挙された範囲は、十分に記述するためのものとして、かつ同じ範囲を少なくとも均等な半分、３分の１、４分の１、５分の１、１０分の１などに分けることができることを、容易に理解することができる。非限定的な例として、本明細書で論じられた各範囲は、下部３分の１、中部３分の１、および上部３分の１などに容易に分けることができる。当業者に理解されるように、「〜まで（ｕｐ ｔｏ）」、「少なくとも（ａｔ ｌｅａｓｔ）」、「〜より大きい（ｇｒｅａｔｅｒ ｔｈａｎ）」、「〜未満（ｌｅｓｓ ｔｈａｎ）」などのような全ての言語は、列挙された数を含み、かつ、上記にて論じられた部分範囲に引き続き分けることができる範囲を指す。最後に、当業者に理解されるように、ある範囲は、個々のそれぞれのメンバーを含む。
本明細書で言及された刊行物、特許出願、交付済み特許およびその他の文献は全て、個々の刊行物、特許出願、交付済み特許、またはその他の文献が、参照により組み込まれることを具体的かつ個別的に示唆されているかのように、その内容全体を参照として本明細書に組み込む。参照により組み込まれた本文に含まれるものの定義には、本明細書に開示された定義と矛盾する範囲は除外される。
他の実施形態は、添付の特許請求の範囲に示される。本出願は、２０１６年１月２８日に出願された米国仮特許出願第６２／２８８,３４０号に基づいており、その開示内容は、参照により全体として引用されている。

Claims (9)

  1. 砥粒と、添加剤と、水溶性ポリマーとを含む研磨用組成物であって、
    前記添加剤が、水酸基を含むカルボキシル基の数が２個以下のカルボン酸と；水酸基を含まないカルボキシル基の数が２個以下のカルボン酸と；を含み、
    前記水溶性ポリマーが、少なくとも１つのカルボキシル基を含む、あるいは、グルコースのみからなる多糖類を含み、
    ｐＨが４．０未満であり、
    電気伝導度（ｍＳ／ｃｍ）が、０．２〜１．９であり、
    前記添加剤の含有量が、０．５質量％以下であり且つ０．０１質量％以上であり、
    Ｄ５０（前）に対するＤ５０（後）の比率が２．０未満であり、
    ここで、Ｄ５０（前）は、前記研磨用組成物を８０℃で５日間放置する前に測定された前記研磨用組成物の粒子のＤ５０の値であり、Ｄ５０（後）は、前記研磨用組成物を８０℃で５日間放置した後に測定された前記研磨用組成物の粒子のＤ５０の値である、研磨用組成物。
  2. 砥粒と、添加剤と、水溶性ポリマーとを含む研磨用組成物であって、
    前記添加剤が、水酸基を含むカルボキシル基の数が２個以下のカルボン酸と；水酸基を含まないカルボキシル基の数が２個以下のカルボン酸と；を含み、
    前記水溶性ポリマーが、少なくとも１つのカルボキシル基を含む、あるいは、グルコースのみからなる多糖類を含み、
    ｐＨが４．０未満であり、
    電気伝導度（ｍＳ／ｃｍ）が、０．２〜１．９であり、
    前記添加剤の含有量が、０．５質量％以下であり且つ０．０１質量％以上であり、
    前記水酸基を含むカルボキシル基の数が２個以下のカルボン酸が、乳酸であり、前記水酸基を含まないカルボキシル基の数が２個以下のカルボン酸が、シュウ酸である、研磨用組成物。
  3. ｐＨが３．０未満である、請求項１または２に記載の研磨用組成物。
  4. 前記グルコースのみからなる多糖類が、プルラン、デンプン、デキストリン、シクロデキストリンまたはデキストランであり、
    前記カルボキシル基を含む水溶性ポリマーが、ポリカルボン酸である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
  5. 前記ポリカルボン酸が、ポリアクリル酸である、請求項４に記載の研磨用組成物。
  6. 前記砥粒が、コロイダルシリカを含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
  7. コロイダルシリカと、乳酸と、シュウ酸と、ポリアクリル酸とを含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
  8. アゾール系抑制剤、アンモニウム塩、クエン酸およびクエン酸塩からなる群から選択される少なくとも１種を含まない、請求項１〜７のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
  9. アゾール系抑制剤を含まない、請求項８に記載の研磨用組成物。
JP2017564165A 2016-01-28 2017-01-13 研磨用組成物 Active JP6768010B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662288340P 2016-01-28 2016-01-28
US62/288,340 2016-01-28
PCT/JP2017/001094 WO2017130749A1 (ja) 2016-01-28 2017-01-13 研磨用組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2017130749A1 JPWO2017130749A1 (ja) 2018-11-22
JP6768010B2 true JP6768010B2 (ja) 2020-10-14

Family

ID=59397816

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017564165A Active JP6768010B2 (ja) 2016-01-28 2017-01-13 研磨用組成物

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20190031919A1 (ja)
JP (1) JP6768010B2 (ja)
TW (1) TWI718237B (ja)
WO (1) WO2017130749A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11001733B2 (en) 2019-03-29 2021-05-11 Fujimi Incorporated Compositions for polishing cobalt and low-K material surfaces
US20210371702A1 (en) * 2020-05-28 2021-12-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Slurry composition and method for polishing and integratged circuit
CN113930165B (zh) * 2021-11-23 2022-12-30 浙江奥首材料科技有限公司 一种研磨助剂、制备方法、用途及研磨液和研磨方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4316406B2 (ja) * 2004-03-22 2009-08-19 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP2007123826A (ja) * 2005-09-29 2007-05-17 Fujifilm Corp 研磨液
JP4912791B2 (ja) * 2006-08-21 2012-04-11 Ｊｓｒ株式会社 洗浄用組成物、洗浄方法及び半導体装置の製造方法
US9633865B2 (en) * 2008-02-22 2017-04-25 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Low-stain polishing composition
US8425797B2 (en) * 2008-03-21 2013-04-23 Cabot Microelectronics Corporation Compositions for polishing aluminum/copper and titanium in damascene structures
JP5314329B2 (ja) * 2008-06-12 2013-10-16 富士フイルム株式会社 研磨液
US20100130013A1 (en) * 2008-11-24 2010-05-27 Applied Materials, Inc. Slurry composition for gst phase change memory materials polishing
JP2010153576A (ja) * 2008-12-25 2010-07-08 Asahi Glass Co Ltd 半導体集積回路装置用研磨剤、研磨方法および半導体集積回路装置の製造方法
JP2013038237A (ja) * 2011-08-08 2013-02-21 Hitachi Chem Co Ltd Ｃｍｐ用研磨液及び研磨方法
KR20130049538A (ko) * 2011-11-04 2013-05-14 삼성전자주식회사 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 상변화 메모리 장치의 제조 방법
SG10201604674VA (en) * 2012-02-01 2016-07-28 Hitachi Chemical Co Ltd Polishing liquid for metal and polishing method
JP2015025108A (ja) * 2013-06-17 2015-02-05 日立化成株式会社 ステンレス用研磨液、貯蔵液、及びステンレスの研磨方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017130749A1 (ja) 2017-08-03
JPWO2017130749A1 (ja) 2018-11-22
TW201739892A (zh) 2017-11-16
US20190031919A1 (en) 2019-01-31
TWI718237B (zh) 2021-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102583709B1 (ko) 연마제, 연마제용 저장액 및 연마 방법
TW539735B (en) Polishing composition and polishing method employing it
JP6768010B2 (ja) 研磨用組成物
JP6360311B2 (ja) 研磨用組成物およびその製造方法
JP2007214155A (ja) バリア用研磨液及び化学的機械的研磨方法
JP6797811B2 (ja) 研磨方法
JP6110681B2 (ja) 研磨用組成物、研磨用組成物製造方法および研磨物製造方法
JP6878772B2 (ja) 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法
KR20170121155A (ko) 연마용 조성물 및 연마 방법
JP2017101248A (ja) 研磨用組成物、研磨用組成物製造方法および研磨物製造方法
JPWO2016031485A1 (ja) 研磨用組成物および研磨用組成物の製造方法
WO2019151144A1 (ja) 化学機械研磨用組成物及び研磨方法
WO2016136177A1 (ja) 研磨用組成物、研磨方法及び硬脆材料基板の製造方法
JP6915678B2 (ja) 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法
JP2018012752A (ja) 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法
JP6825957B2 (ja) 研磨用組成物
JP2007123826A (ja) 研磨液
JP2007194335A (ja) 化学的機械的研磨方法
JP6892034B1 (ja) 化学機械研磨用組成物及び化学機械研磨方法
JP6892033B1 (ja) 化学機械研磨用組成物及び化学機械研磨方法
TW202330820A (zh) 包含改質聚乙烯醇組成物之研磨用組成物之製造方法及包含改質聚乙烯醇組成物之研磨用組成物
WO2024071086A1 (ja) 研磨用組成物の製造方法および研磨用組成物
WO2024034618A1 (ja) 研磨液、研磨液セット及び研磨方法
JP2021161385A (ja) 研磨用組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190822

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200630

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200820

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200908

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200918

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6768010

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250