JP6760629B2 - 相変化材料における方法、カルコゲニド材料をセットする回路、相変化セットを実装するシステム、相変化材料における方法を実行させるためのプログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体 - Google Patents
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Claims (20)
- 相変化材料(PM)を第1の期間の第1の温度に加熱して、前記PMの結晶状態の核形成を促進する段階と、
前記PMを前記第1の温度から、第2の期間の第2の温度であって、前記PM内の結晶成長を促進して前記PMを前記結晶状態にセットするための第2の温度に上げる段階と、
を備え、
核形成を促進するための前記第1の期間の前記第1の温度は、第1のサブ期間の第1の核形成温度と第2のサブ期間の第2の核形成温度とを含む、相変化材料における方法。 - 相変化材料(PM)を第1の期間の第1の温度に加熱して、前記PMの結晶状態の核形成を促進する段階と、
前記PMを前記第1の温度から、第2の期間の第2の温度であって、前記PM内の結晶成長を促進して前記PMを前記結晶状態にセットするための第2の温度に上げる段階と、
最初に前記PMを前記第1の温度より高い温度に加熱して、核形成前に前記PMをアモルファス化する段階と、
前記第1の温度に加熱する前に前記PMを前記第1の温度より低い温度に放冷する段階と、
を備える、相変化材料における方法。 - 相変化材料(PM)を第1の期間の第1の温度に加熱して、前記PMの結晶状態の核形成を促進する段階と、
前記PMを前記第1の温度から、第2の期間の第2の温度であって、前記PM内の結晶成長を促進して前記PMを前記結晶状態にセットするための第2の温度に上げる段階と、
前記第2の温度から第3の期間の第3の温度に下げて、前記第2の温度で過熱することによって引き起こされた前記PMの結晶構造の乱れをアニールする段階と、
を備える、相変化材料における方法。 - 前記PMを加熱する段階は、前記PMを流れる電流量を制御する段階を有する、請求項1から3の何れか一項に記載の方法。
- 加熱する段階は、前記PMに当てられるレーザ光の強度を制御する段階を有する、請求項1から3の何れか一項にに記載の方法。
- 前記PMは、相変化メモリ(PCM)の記憶セルである、請求項1から5の何れか一項に記載の方法。
- 相変化カルコゲニド材料(PM)を加熱する電源と、
前記電源を制御して、前記PMを第1の期間の第1の温度に加熱して前記PMの結晶状態の核形成を促進し、かつ前記PMを前記第1の温度から、第2の期間の第2の温度であって、前記PM内の結晶成長を促進して前記PMを前記結晶状態にセットするための第2の温度に上げる制御回路と、
を備え、
核形成を促進するための前記第1の期間の前記第1の温度は、第1のサブ期間の第1の核形成温度と第2のサブ期間の第2の核形成温度とを含む、カルコゲニド材料をセットする回路。 - 相変化カルコゲニド材料(PM)を加熱する電源と、
前記電源を制御して、前記PMを第1の期間の第1の温度に加熱して前記PMの結晶状態の核形成を促進し、かつ前記PMを前記第1の温度から、第2の期間の第2の温度であって、前記PM内の結晶成長を促進して前記PMを前記結晶状態にセットするための第2の温度に上げる制御回路と、
を備え
前記制御回路が、更に、最初に前記PMを前記第1の温度より高い温度に加熱して、核形成前に前記PMをアモルファス化し、前記第1の温度に加熱する前に前記PMを前記第1の温度より低い温度に放冷するように構成される、カルコゲニド材料をセットする回路。 - 相変化カルコゲニド材料(PM)を加熱する電源と、
前記電源を制御して、前記PMを第1の期間の第1の温度に加熱して前記PMの結晶状態の核形成を促進し、かつ前記PMを前記第1の温度から、第2の期間の第2の温度であって、前記PM内の結晶成長を促進して前記PMを前記結晶状態にセットするための第2の温度に上げる制御回路と、
を備え
前記制御回路が、更に、前記第2の温度から第3の期間の第3の温度に下げて、前記第2の温度で過熱することによって引き起こされる前記PMの結晶構造の乱れをアニールするように構成される、カルコゲニド材料をセットする回路。 - 前記制御回路は、前記PMを流れる電流量を制御する、前記PMに結合された回路を含む、請求項7から9の何れか一項に記載の回路。
- 前記制御回路は、前記PMに向けられたレーザ光の強度を制御する光源を含む、請求項7から9の何れか一項に記載の回路。
- 前記PMは、相変化メモリ(PCM)の記憶セルである、請求項7から11の何れか一項に記載の回路。
- 相変化材料(PM)を含む相変化ダイナミックランダムアクセスメモリ(PRAM)と、
電力を供給して前記PMを加熱する電源と、
前記PRAMに書き込むコントローラと、
前記PRAMからアクセスされたデータに基づいて表示を生成するよう結合されたタッチスクリーンディスプレイとを備え、
前記コントローラは、前記電源からの熱を前記PMに加えることを制御する制御回路を含み、前記コントローラは、前記PMを第1の期間の第1の温度に加熱して前記PMの結晶状態の核形成を促進し、かつ前記PMを前記第1の温度から、第2の期間の第2の温度であって、前記PM内の結晶成長を促進して前記PMを前記結晶状態にセットするための第2の温度に上げ、
核形成を促進するための前記第1の期間の前記第1の温度は、第1のサブ期間の第1の核形成温度と第2のサブ期間の第2の核形成温度とを含む、
相変化セットを実装するシステム。 - 相変化材料(PM)を含む相変化ダイナミックランダムアクセスメモリ(PRAM)と、
電力を供給して前記PMを加熱する電源と、
前記PRAMに書き込むコントローラと、
前記PRAMからアクセスされたデータに基づいて表示を生成するよう結合されたタッチスクリーンディスプレイとを備え、
前記コントローラは、前記電源からの熱を前記PMに加えることを制御する制御回路を含み、前記コントローラは、前記PMを第1の期間の第1の温度に加熱して前記PMの結晶状態の核形成を促進し、かつ前記PMを前記第1の温度から、第2の期間の第2の温度であって、前記PM内の結晶成長を促進して前記PMを前記結晶状態にセットするための第2の温度に上げ、
前記コントローラが、更に、最初に前記PMを前記第1の温度より高い温度に加熱して、核形成前に前記PMをアモルファス化し、前記第1の温度に加熱する前に前記PMを前記第1の温度より低い温度に放冷するように構成される、
相変化セットを実装するシステム。 - 相変化材料(PM)を含む相変化ダイナミックランダムアクセスメモリ(PRAM)と、
電力を供給して前記PMを加熱する電源と、
前記PRAMに書き込むコントローラと、
前記PRAMからアクセスされたデータに基づいて表示を生成するよう結合されたタッチスクリーンディスプレイとを備え、
前記コントローラは、前記電源からの熱を前記PMに加えることを制御する制御回路を含み、前記コントローラは、前記PMを第1の期間の第1の温度に加熱して前記PMの結晶状態の核形成を促進し、かつ前記PMを前記第1の温度から、第2の期間の第2の温度であって、前記PM内の結晶成長を促進して前記PMを前記結晶状態にセットするための第2の温度に上げ、
前記コントローラが、更に、前記第2の温度から第3の期間の第3の温度に下げて、前記第2の温度で過熱することによって引き起こされた前記PMの結晶構造の乱れをアニールするように構成される、
相変化セットを実装するシステム。 - 前記コントローラは、前記PMを流れる電流量を制御する、請求項13から15の何れか一項に記載のシステム。
- 前記コントローラは、前記PMに向けられたレーザ光の強度を制御する、請求項13から15の何れか一項に記載のシステム。
- 請求項1から6の何れか一項に記載の方法を実行するための動作を実行するための手段を備える、相変化材料をセットするための装置。
- コンピュータに、請求項1から6の何れか一項に記載の方法を実行させるためのプログラム。
- 請求項19に記載のプログラムを格納する、コンピュータ可読記憶媒体。
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