JP6760092B2 - 真空バルブ - Google Patents
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Description
さらに好ましい実施形態では、前記開度ずれの値は、前記ステッピングモータの基本ステップ角の1/2に設定されている。
本発明の好ましい実施形態による真空バルブは、弁体を駆動するステッピングモータと、前記弁体の開度を検出する検出部と、前記ステッピングモータを制御する制御部と、を備える真空バルブであって、前記制御部は、前記検出部で検出された開度とモータ電流ゼロクロス点の開度との差分が差分閾値よりも小さく、かつ、バルブ吸気側圧力値のバルブ調整目標圧力値に対する偏差率の大きさが偏差率閾値よりも小さい第1の状態では、前記第1の状態を除く第2の状態におけるゲインよりも小さなゲインで制御を行う。
さらに好ましい実施形態では、開度変化と圧力変化率との関係を表すプラントゲインに基づいて前記弁体の開度制御が行われる。
−第1の実施の形態−
図1は、本実施の形態の真空バルブ1の概略構成を示す図である。真空バルブ1は、バルブ本体1aとバルブ制御装置1bとを備える。バルブ本体1aは真空装置の真空チャンバ3と真空ポンプ4との間に設けられている。真空ポンプ4は、バルブ本体1aを介して真空チャンバ3を排気する。真空チャンバ3には、プロセスガス等のガスが導入される。真空チャンバ3の圧力は真空計31によって計測される。
図3は、制御部21で行われる開度制御の一例を示すブロック図である。真空バルブ1のバルブ開度の変化dθと真空チャンバ3の圧力変化dPとの関係は、式(1)に示す排気の式に基づいて与えられる。式(1)において、S(Q,θ)は、真空チャンバ3,バルブ本体1aおよび真空ポンプ4を含む真空システムのコンダクタンスSである。コンダクタンスSは、真空ポンプ4の排気速度Spと真空バルブ1のコンダクタンス(以下では、バルブコンダクタンスと呼ぶ))Cとを用いて、「(1/S)=(1/Sp)+(1/C)」のように表される。一般的に、コンダクタンスSは、S(Q,θ)のように開度θだけでなく真空チャンバ3に流入するガスの流量Qにも依存している。V[m3]は真空チャンバ3の容積であり、P[Pa]は真空チャンバ3内の圧力である。
Q=V・(dP/dt)+P・S(Q,θ) …(1)
dθ=−{(1/P)・S/(dS/dθ)}・dP …(2)
dP/P=−dθ/{S/(dS/dθ)} …(3)
Δθ={(1/P)・S/(dS/dθ)}・Kp・ΔP
=(1/P)・(1/Gp)・Kp・ΔP …(4)
図5は、モータ駆動部22の構成の一例を示すブロック図である。モータ駆動部22は、モータ13に電流を供給するインバータ210と、インバータ210にPWMスイッチング信号を出力するモータ制御部200とを備えている。インバータ210からモータ13に電流を供給するラインには、電流検出センサ220が設けられている。モータ制御部200は、速度・位置制御部202、電流制御部204およびPWM信号生成部206を備えている。
上述した実施形態では、図3のようにプラントゲインGpも加味して式(4)によりΔθを設定したが、プラントゲインGpを考慮しない従来のPI制御によりに開度指令θsを生成するようにしてもよい。そのような制御の場合には、開度変化に対して最も敏感に圧力値が変化する開度θminを実際に計測して求め、図9に示すようにゼロクロスとなる開度θzに対して開度θminをずらすようにバルブプレート12の回転軸とモータ軸との位相を調整する。
上述した第1の実施の形態では、図9に示すように、相電流がゼロクロスとなる開度θzとプラントゲインGpの逆数1/Gpが最小となる開度θminとをずらすことで、バルブプレート停止時における調圧応答性能への悪影響を低減するようにした。一方、第2の実施の形態では、開度θzと開度θminとをずらすことに代えて、目標圧力Psに対する圧力偏差率ΔP/Psに応じてゲインを低下させることで、同様の効果を奏するようにした。
まず、上述した図3の場合と同様に、プラントゲインGpを用いてΔθを算出する構成の場合について説明する。この場合には、1/Gpが最小となる開度θminは予め分かっていることになる。そして、デフォルト状態において、ゼロクロス点の開度θzと開度θminとが電流波形の歪みの悪影響が出ない程度にずれている場合には、すなわち、予め定めたずれ量の閾値αに対して「θz−θmin≦−α」または「θz−θmin≧α」の場合には、図3の場合と同様の制御が行われる。一般に、目標圧力値へ現在値を調整して追い込む際に、目安として目標圧力値に対する偏差率ΔP/Psが予め決めた許容値γ以内になることが求められる。すなわち|ΔP|/Ps<γ。一方、式(3)より|ΔP|/Ps=Gp・|Δθ|であるから、両式より|Δθ|<γ/Gpが得られる。つまり、閾値αとしては、γ/Gpあるいはその数倍程度が用いられる。
Δθ=(1/P)・(1/Gp)・G1・Kp・ΔP …(5)
上述した変形例の場合と同様に、プラントゲインGpを考慮しない制御を採用する場合について説明する。まず、試験等を行うことによってS/(dS/dθ)が最小となる開度θminが分かっていて、かつ、ゼロクロス点の開度θzと開度θminとが、電流波形の歪みの悪影響が出ない程度にずれている場合には、制御ブロック図は、図3においてゲイン(1/P)・(1/Gp)の部分を除いた構成となる。
Claims (4)
- 弁体をステッピングモータで駆動して前記弁体の開度を制御する真空バルブであって、
開度変化に対する圧力変化率が最も大きくなる開度と、モータ電流のゼロクロス点における開度との間に開度ずれが設定されている、真空バルブ。 - 請求項1に記載の真空バルブにおいて、
前記開度ずれの値は、前記ステッピングモータの基本ステップ角の1/2に設定されている、真空バルブ。 - 弁体を駆動するステッピングモータと、
前記弁体の開度を検出する検出部と、
前記ステッピングモータを制御する制御部と、を備える真空バルブであって、
前記制御部は、前記検出部で検出された開度とモータ電流ゼロクロス点の開度との差分が差分閾値よりも小さく、かつ、バルブ吸気側圧力値のバルブ調整目標圧力値に対する偏差率の大きさが偏差率閾値よりも小さい第1の状態では、前記第1の状態を除く第2の状態におけるゲインよりも小さなゲインで制御を行う、真空バルブ。 - 請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の真空バルブにおいて、
開度変化と圧力変化率との関係を表すプラントゲインに基づいて前記弁体の開度制御が行われる、真空バルブ。
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