JP6753194B2 - 放射線検出器 - Google Patents
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Description
本発明の第1の実施形態に係る放射線検出器は、図1に示すように、p側電極20と、p側電極20の上面に配置されたp型半導体層11と、p型半導体層11を介してp側電極20の上方に配置された、放射線有感領域であるi層12と、i層12の上面に配置されたn+半導体層13と、n+半導体層13の上面に配置されたn側電極30とを備える。p型半導体層11は、p側電極20とi層12との間に薄く一様に配置されている。p型半導体層11の膜厚tは50μm〜150μm程度であり、放射線検出器の全体の厚みは2.5mm程度である。
本発明の第2の実施形態に係る放射線検出器は、図16に示すように、n側電極30及びn+半導体層13の外縁部にガードリング溝50を形成したガードリング構造を有する点が、図1と異なる。その他の構成については、図1に示した放射線検出器と同様である。
本発明の第3の実施形態に係る放射線検出器は、図17に示すように、直線状のセグメント溝60によって、検出領域を平面視で複数の領域に分割している。このようにn側電極30及びn+半導体層13を分割した構造を、「セグメント構造」という。セグメント溝60は、n側電極30の表面から、n側電極30及びn+半導体層13を貫通してi層12の表面に達する。
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
11…p型半導体層
12…i層
13…n+半導体層
20…p側電極
30…n側電極
50…ガードリング溝
60…セグメント溝
Claims (5)
- p側電極と、
前記p側電極の上方に配置された放射線有感領域と、
前記放射線有感領域の上面に配置されたn+半導体層と、
前記n+半導体層の上面に配置されたn側電極とを備える、
前記p側電極と前記n側電極との間に逆電圧を印加することにより放射線を検出する放射線検出器であって、
前記p側電極と前記放射線有感領域の間に配置される、下面の全体が前記p側電極に接続する、膜厚が50μm〜150μmであるp型半導体層を、
備えることを特徴とする放射線検出器。 - 前記放射線有感領域が、半導体基板にリチウムをドリフトさせた領域であることを特徴とする請求項1に記載の放射線検出器。
- 前記p型半導体層の抵抗率が1〜2kΩcmであることを特徴とする請求項1乃至2のいずれか1項に記載の放射線検出器。
- 前記n+半導体層及び前記n側電極を中心領域と前記中心領域を囲む周辺領域とに分割するように環形状に配置され、前記n側電極と前記n+半導体層を貫通して前記放射線有感領域に達するガードリング溝を更に備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の放射線検出器。
- 前記n側電極と前記n+半導体層を貫通して前記放射線有感領域に達し、前記n側電極と前記n+半導体層を平面視で複数の領域に分割する直線状のセグメント溝を更に備えることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の放射線検出器。
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