RU2634324C1 - Сенсор ионизирующего излучения на основе кремния бестигельной зонной плавки р-типа проводимости - Google Patents
Сенсор ионизирующего излучения на основе кремния бестигельной зонной плавки р-типа проводимости Download PDFInfo
- Publication number
- RU2634324C1 RU2634324C1 RU2016119242A RU2016119242A RU2634324C1 RU 2634324 C1 RU2634324 C1 RU 2634324C1 RU 2016119242 A RU2016119242 A RU 2016119242A RU 2016119242 A RU2016119242 A RU 2016119242A RU 2634324 C1 RU2634324 C1 RU 2634324C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- sensor
- region
- regions
- sensor according
- Prior art date
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 title claims abstract description 19
- 230000008018 melting Effects 0.000 title abstract 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 title abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000000637 aluminium metallisation Methods 0.000 claims abstract description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 11
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 10
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 18
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 6
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 claims description 6
- OYLRFHLPEAGKJU-UHFFFAOYSA-N phosphane silicic acid Chemical compound P.[Si](O)(O)(O)O OYLRFHLPEAGKJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 18
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 9
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000005442 electron-positron pair Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
- H01L31/117—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation of the bulk effect radiation detector type, e.g. Ge-Li compensated PIN gamma-ray detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
Изобретение относится к полупроводниковым приборам для преобразования ионизирующего излучения в электрический сигнал, в частности к чувствительным элементам, предназначенным для использования в различных системах измерения уровней радиации. Сенсор ионизирующего излучения содержит n+-i-p+-структуру, включающую i-область в виде высокоомной слаболегированной монокристаллической подложки высокочистого кремния бестигельной зонной плавки р-типа проводимости, на лицевой стороне которой выполнена чувствительная зона в виде, по меньшей мере, одной n+-области, наружная поверхность которой снабжена последовательно расположенными маскирующим покрытием из диоксида кремния, алюминиевой металлизацией и внешним пассивирующим слоем, а на оборотной стороне упомянутой подложки последовательно выполнен слой высоколегированного кремния, образующий р+-область, и нанесена алюминиевая металлизация с образованием подложкой с указанными слоями n+-i-p+-диода, при этом под покрытием из диоксида кремния на лицевой поверхности подложки вокруг чувствительной зоны, выполнена, по меньшей мере, одна пара охранных колец р+-типа и n+-типа, расположенных с зазором между ними, упомянутое покрытие из диоксида кремния выполнено с окнами для контакта чувствительной n+-области с алюминиевой металлизацией, а внешний пассивирующий слой выполнен с окнами для присоединения выводов. Изобретение обеспечивает уменьшение времени измерения радиационного фона, значительное снижение размеров и массы сенсора, расширение диапазона регистрируемых энергий и возможность регистрации различных видов ионизирующего излучения при снижении уровня шумов и увеличении чувствительности сенсора. 11 з.п. ф-лы, 7 ил.
Description
Область техники, к которой относится изобретение
Изобретение относится к полупроводниковым приборам для преобразования ионизирующего излучения в электрический сигнал, измерение которого позволяет определить уровень радиации и набранную дозу гамма, протонных, электронных и альфа-излучений. В частности, изобретение относится к полупроводниковым чувствительным элементам (сенсорам или детекторам), представляющим собой диод или матрицу n-i-p-диодов, предназначенную для использования в различных системах измерения уровней радиации: дозиметрах, индикаторах превышения фона и радиометрах, в том числе для индивидуального контроля радиоактивного облучения и для предупреждения о радиоактивной опасности. В настоящее время сенсоры на основе p-i-n и n-i-p-диодов продолжают совершенствоваться с учетом современных достижений технологии микроэлектроники.
Уровень техники
Полупроводниковые сенсоры на основе p-i-n-диодов получили широкое распространение как счетчики числа частиц и как приборы для измерения энергии частиц (спектрометры) с высокой разрешающей способностью. Принцип их работы основан на том, что при прохождении через сенсор (чувствительный элемент) ионизующей частицы заряд, индуцированный в веществе счетчика, собирается на электродах.
Важной особенностью полупроводниковых счетчиков являются их малые габариты. Это сильно расширило возможности применения таких сенсоров не только в области физического эксперимента, но и в технике - в приборах технологического контроля и в медицине.
Известен сенсор, содержащий n-i-p структуру. В данном известном устройстве решается задача регистрации света, для чего используется внутреннее усиление в элементах, при этом в качестве подложки (i-области) используется аморфный кремний, а «p» и «n» области представляют собой поликристаллический кремний. В результате такой известный прибор представляет собой матрицу полевых TFT транзисторов (US 7514762).
В результате данное устройство не может осуществлять преобразование ионизирующего излучения в электрический сигнал, измерение которого позволяет определить уровень радиации и набранную дозу гамма, протонных, электронных и альфа-излучений.
Из уровня техники известен также полупроводниковый p-i-n-диодный кремниевый малошумящий детектор, изготовленный по планарной технологии. В нем представлены способы производства детекторов по планарной технологии для обнаружения радиации и имеющие полупроводниковые p-n переходы. Однако описанные конструкции планарных полупроводниковых диодов имеют иное конструктивное исполнение (US 4442592).
Недостатком данного известного устройства является низкие чувствительность и скорость регистрация, в результате для обеспечения эффективной чувствительности и высокой скорости регистрации всего спектра гамма-излучения, необходимо увеличивать объем полупроводника, чтобы повысить вероятность попадания и рассеяния в нем, гамма-кванта и, соответственно, повысить скорость счета частиц радиационного потока.
Наиболее близким является матричный сенсор ионизирующего излучения представляет собой p-i-n структуру, выполненную по планарной технологии, содержащую высокоомную подложку высокочистого кремния бестигельной зонной плавки (БЗП) n-типа проводимости, на лицевой (рабочей) стороне которой сформированы - p-области методом ионной имплантации; выращен маскирующий слой SiO2; нанесена алюминиевая металлизация; нанесен пассивирующий (защитный) слой. При этом, по крайней мере, две p-области расположены в центральной части подложки и занимают большую часть площади поверхности, образуя чувствительную область сенсора и, по крайней мере, две p-области выполнены в виде кольцеобразных элементов (охранных колец), концентрично расположенных в нечувствительной области по периферии подложки с возможностью снижения величины поверхностного тока и плавного падения потенциала от чувствительной области к периферии прибора. В слое SiO2 сформированы окна для обеспечения контакта металла (алюминиевой металлизации) с p-областью; в пассивирующем слое над p-областью, расположенной в центральной части подложки, сформированы окна для присоединения выводов. На подложке со стороны, противоположной лицевой поверхности, расположен слой n-области и металла.
Количество p-областей, образующих чувствительную область сенсора, выполнено равным 2n, где n=1÷8, при этом p-обрасти имеют, преимущественно, прямоугольную форму, выполнены гальванически не связанными между собой и равными по площади. Количество окон для присоединения выводов соответствует количеству данных p-областей.
Окна для присоединения выводов расположены по краям подложки в нечувствительной области подложки. При этом p-области, образующие чувствительную область сенсора, имеют профилированные участки по краям в виде выемок, обеспечивающих формирование неактивных зон для размещения окон для присоединения выводов.
Суммарная площадь окон для обеспечения контакта металла (алюминиевой металлизации) с p-областью не превышает 1% площади поверхности чувствительной области сенсора для предотвращения диффузии алюминия в кремний.
В данном устройстве используется только монокристаллический кремний, в частности, в качестве подложки используется пластина из высокочистого кремния бестигельной зонной плавки (RU 2551257 - прототип).
Недостатками известного сенсора являются, значительная длительность времени измерения радиационного фона, значительные размеры и массы сенсора, недостаточная чувствительность, ограниченный диапазон регистрируемых энергий и отсутствие возможности регистрации различных видов ионизирующего излучения.
Раскрытие изобретения
Задачей изобретения является разработка эффективного сенсора (чувствительного элемента) для регистрации ионизирующего излучения всех видов заряженных частиц и гамма квантов в широком диапазоне энергий и потоков. Структурно, сенсор представляет собой один или множество n-i-p диодов с электрически общей p-областью.
Техническим результатом, обеспечивающим решение поставленной задачи, на достижение которого направлено заявленное изобретение, является уменьшение времени измерения радиационного фона, значительное снижение размеров и массы сенсора, расширение диапазона регистрируемых энергий и возможность регистрации различных видов ионизирующего излучения при снижении уровня шумов и увеличении чувствительности сенсора.
Настоящее изобретение решает задачу повышения эффективности работы устройства путем изменения полярности диода. Известно, что основной регистрируемой компонентой в сенсоре р-i-n типа является дырочная компонента, подвижность дырок в кремнии приблизительно втрое меньше подвижности электронов. Соответственно время сбора заряда или другими словами длительность импульса тока, возникающего при прохождении частицы (при всех прочих равных условиях: удельное сопротивление материала, приложенное напряжение, толщина сенсора, внешние условия) для заявляемого сенсора n-i-p структуры втрое меньше, чем для прототипа, выполненного на основе сенсора p-i-n структуры. Кроме того, вероятность наложения последовательных импульсов существенно снижается и, таким образом, изобретение позволяет решить задачу существенного (в 3 раза) увеличения возможной скорости счета. Прибор предназначен для регистрации любого ионизирующего излучения за исключением нейтронного, в частности рентгеновского и низкоэнергетического гамма-излучения и всех типов заряженных частиц (электроны, позитроны, протоны, альфа-частицы, ионы и другие). Нижняя граница энергии регистрируемых частиц не более 1000 эВ, а практически определяется уровнем шумов электроники считывания. Верхняя граница энергетического диапазона регистрации отсутствует, для высокоэнергетичных (релятивистских, с энергией более 2-2.5 масс покоя) частиц энерговыделение в сенсоре становится практически не зависящим от энергии, и средняя величина ионизационных потерь составляет 388 эВ/мкм, или для сенсора толщиной 500 мкм - 194 кэВ.
Сущность изобретения состоит в том, что сенсор ионизирующего излучения содержащит n+-i-p+ структуру, включающую i-область в виде высокоомной слаболегированной монокристаллической подложки высокочистого кремния бестигельной зонной плавки р-типа проводимости, на лицевой стороне которой выполнена, чувствительная зона в виде, по меньшей мере, одной n+-области, наружная поверхность которой снабжена последовательно расположенными маскирующим покрытием из диоксида кремния, алюминиевой металлизацией и внешним пассивирующим слоем, а на оборотной стороне упомянутой подложки последовательно выполнен слой высоколегированного кремния, образующий p+-область, и нанесена алюминиевая металлизация с образованием подложкой с указанными слоями n+-i-p+ диода, при этом под покрытием из диоксида кремния на лицевой поверхности подложки вокруг чувствительной зоны, выполнена, по меньшей мере, одна пара охранных колец р+ типа и n+ типа, расположенных с зазором между ними, упомянутое покрытие из диоксида кремния выполнено с окнами для контакта чувствительной n+-области с алюминиевой металлизацией, а внешний пассивирующий слой, выполнен с окнами для присоединения выводов.
Предпочтительно, чувствительная зона n+-i-p+ диода выполнена в виде матрицы с количеством n+-областей, равным 2k, где k - целое число, большее или равное нулю, гальванически не связанных между собой.
Предпочтительно, n+-области выполнены прямоугольной формы.
Предпочтительно, n+-области выполнены равными по площади.
Предпочтительно, сенсор выполнен с количеством окон для присоединения выводов, равным количеству n+-областей.
Предпочтительно, окна для присоединения выводов расположены по в неактивной зоне подложки, отделенной от чувствительной зоны n+-i-p+ диода.
Предпочтительно, неактивная зона и чувствительная зона n+-i-p+ диода отделены друг от друга выемками, выполненными в подложке.
В частных случаях реализации, конструктивные элементы выполнены по планарной технологии с использованием контактной фотолитографии.
В частных случаях реализации, конструктивные элементы выполнены по планарной технологии с использованием проекционной фотолитографии.
Предпочтительно, суммарная площадь окон, выполненных в покрытии из диоксида кремния, не превышает 1% площади поверхности чувствительной зоны и выбрана из условия предотвращения диффузии алюминия в кремний.
Предпочтительно, сенсор выполнен с общим количеством охранных колец p+ типа и n+ типа выполнено равным четырем, при этом указанные охранные кольца расположены на расстоянии друг от друга, увеличивающемся к периферии подложки, а пассивирующий слой выполнен из фосфорно-силикатного стекла
Краткое описание чертежей
Изобретение поясняется чертежами, где:
На фиг. 1 схематично представлено заявляемое устройство - вид сверху, вариант выполнения сенсора с двумя чувствительными n+-областями, образующими чувствительную зону сенсора;
На фиг. 2 и 3 - разрезы А-А и Б-Б фиг. 1, соответственно;
На фиг. 4 представлен увеличенный участок В фиг. 1;
На фиг. 5 - разрез Г-Г фиг. 4.;
На фиг. 6 - представлен вариант выполнения сенсора, в котором чувствительная зона сенсора сформирована из восьми n-областей, вид сверху;
На фиг. 7 представлен разрез Д-Д фиг. 6.
Позициями на фигурах обозначены: 1 - i-область - высокоомная подложка кремния p-типа проводимости с низкой концентрацией легирующей примеси; 2 - n+-область, расположенная в центральной части подложки, образующая чувствительную зону сенсора; 3 - чередующиеся р+- и n+-области, представляющие собой охранные кольца; 4 - слой (покрытие) из SiO2; 5 - алюминиевая металлизация, образующая один из электродов сенсора; 6 - пассивирующий (защитный) слой из фосфорно-силикатного стекла (SiO2 + Р2О5); 7 - окна для обеспечения контакта металла (алюминиевой металлизации) с n+-областью, сформированы в слое SiO2; 8 - окна для контактирования с n+-р областью в процессе тестирования, расположенные в пассивирующем слое над n+-областью центральной части каждого матричного элемента; 9 - окна для присоединения выводов; 10 - p+-область, расположенная на обратной стороне подложки; 11 - алюминиевая металлизация с обратной стороны подложки, образующая второй электрод сенсора, 12 - профилированные участки n-областей в виде выемок, обеспечивающих формирование неактивных зон для размещения окон 9 для присоединения выводов, один из которых называют анодов (А), а обратная сторона - катодом (К).
Структура n+-i-p+ сенсора, базой которого является биполярный диод, основана на том, что между областью 2 электронной n+ проводимости и областью 10 дырочной p+ проводимости находится подложка 1 - нелегированный полупроводник с дырочной р (positive) проводимостью (i-область).
Осуществление изобретения
Заявляемый матричный сенсор (чувствительный элемент) ионизирующего излучения, представляет собой n+-i-p+структуру, выполненную по планарной технологии (i-область представляет собой слабо легированный акцепторный кремний). Сенсор содержит высокоомную подложку высокочистого кремния бестигельной зонной плавки (БЗП) p-типа (positive) проводимости, на лицевой (рабочей) стороне которой расположены n+-области 2, 3, слой 4 (покрытие) из SiO2, алюминиевая металлизация 5, пассивирующий (защитный) слой 6 из фосфорно-силикатного стекла (SiO2 + P2O5). Толщина слоев определяется технологией их изготовления и, как правило, составляет не более 0,5÷1,1 мкм.
На лицевой стороне подложки 1 сформированы:
- n-области 2 методом ионной имплантации;
- выращен маскирующий слой SiO2 (слой 4);
- нанесена алюминиевая металлизация 5;
- нанесен пассивирующий (защитный) слой 6.
При этом, по крайней мере, одна или более n+-области 2 расположены в центральной части подложки с лицевой стороны и занимают большую часть площади поверхности, образуя чувствительную зону сенсора и, по крайней мере, две n+-области и две p+-области, выполнены в виде кольцеобразных элементов (охранных колец) 3, концентрично расположены в нечувствительной области по периферии подложки 1 с целью снижения величины поверхностного тока и плавного падения потенциала от чувствительной области к периферии прибора.
В слое 4 SiO2 сформированы окна 7 для обеспечения контакта металла (алюминиевой металлизации) с n-областями; в пассивирующем слое над n-областями, расположенными в центральной части подложки, сформировано окно 8 для контактирования с каждой n+-p- областью в процессе тестирования, и окна 9 для присоединения выводов. На подложке 1 со стороны, противоположной лицевой поверхности, расположен слой 10 p+-области сильно легированный до 10 атомов акцепторной примеси на см3 толщиной 2÷4 мкм, и слой 11 алюминиевой металлизации толщиной 0,9÷1,1 мкм.
Суммарная площадь окон 7 для обеспечения контакта металла (алюминиевой металлизации) с n-областью не превышает 1% площади поверхности чувствительной зоны детектора для предотвращения диффузии алюминия в кремний.
Количество n+-областей 2, образующих матрицу - чувствительную зону сенсора, выполнено равным 2k, где k может быть равным 0 - одна область, а верхнее значение определяется задачей и размерами сенсора и ограничено только возможностями технологического процесса. При этом n+-области 2 имеют, преимущественно, прямоугольную форму, выполнены гальванически не связанными между собой и равными по площади. Количество окон 9 для присоединения выводов соответствует количеству n+-областей 2.
Количество таких n+-областей 2 может варьироваться от 1 до 1024. Указанное число чувствительных независимых областей 2 может быть и больше, их число определяется только разумной необходимостью понижения шумов и, соответственно, увеличением числа каналов считывания. Очевидно, что увеличение числа каналов считывания приводит к увеличению энергопотребления дозиметра-радиометра в целом и для бытовых приборов разумно ограничится небольшим числом областей 2, служащих элементами матрицы (4 или 8), для профессиональных или стационарных приборов с большой общей площадью датчика, где требуется высокая точность измерений число каналов может быть существенно увеличено. Современный рынок электроники предлагает монокристальные усилители с количеством каналов до 128.
Окна 9 для присоединения выводов расположены по краям подложки в нечувствительной зоне подложки. При этом n+-области 2, образующие чувствительную зону сенсора, имеют профилированные участки по краям в виде ряда выемок 12, обеспечивающих формирование неактивных зон для размещения окон для присоединения выводов.
Суммарная площадь окон 9 для обеспечения контакта металла (алюминиевой металлизации) с n+-областью 2 не превышает 1% площади поверхности чувствительной зоны сенсора для предотвращения диффузии алюминия в кремний.
В качестве подложки кремния используют пластину из высокочистого кремния бестигельной зонной плавки (БЗП) с удельным сопротивлением 3÷12 кОм⋅см, толщиной 250÷1000 мкм. Количество кольцеобразных элементов (охранных колец) 3 выбрано равным 4 (два n+-типа и два p+-типа), расположенных на расстоянии друг от друга, увеличивающемся от центра подложки к периферии. Число и конфигурация охранных колец 3 определяются с учетом особенностей технологического процесса. Система охранных колец должна обеспечивать плавное падение потенциала от активной области к краю сенсора. По крайней мере, две n+-области и две p+-области охранных колец 3, выполненные в виде кольцеобразных элементов, расположены в нечувствительной зоне по периферии подложки 1 вокруг n+-областей 2 обеспечивают снижение величины поверхностного тока и плавного падения потенциала от чувствительной области к периферии прибора.
В одном из вариантов выполнения сенсора ширина кольцеобразных элементов 3 выбрана равной 25 мкм, при этом расстояние между первым и вторым элементом 3 выбрано равным 40 мкм, между вторым и третьим - 50 мкм, между третьим и четвертым - 70 мкм, при этом первый элемент 3 отстоит от границы чувствительной p-области 10 на расстоянии 40 мкм. При этом данные параметры могут варьироваться в широком диапазоне. Точность указанных размеров при производстве сенсора определяется точностью изготовления фотошаблонов и составляет ±0,1 мкм.
Габариты рабочей поверхности определяются размерами пластины 1 и, например, для пластин диаметром 150 мм могут составлять до 102×102 мм2, при этом габаритные размеры поверхности активной зоны составляют 100×100 мм2, толщина сенсора составляет 250÷1000 мкм (определяется толщиной пластины 1), область, занимаемая кольцеобразными элементами 3, составляет не более - 1 мм по периметру подложки 1. Данная конструкция сенсора обеспечивает достижение следующих электрических характеристик: величину обратного смещения от 40÷200 В для достижения режима полного обеднения, в зависимости от удельного сопротивления и толщины сенсора; рабочий режим, характеризующийся обратным смещением при полном обеднении; рабочее напряжение, определяемое из значения напряжения полного обеднения (VПО): Vpaб=VПО+20 В; напряжение пробоя, не менее - 2⋅VПО; темновой ток при рабочем напряжении, не более - 200 нА/см2; при этом измерения перечисленных параметров осуществляют при температуре 20±2°С.
Заявляемые сенсоры изготавливают по планарной технологии, которая представляет собой совокупность технологических операций, посредством которых формируют структуры планарных полупроводниковых сенсоров только с одной стороны пластины, вырезанной из монокристалла кремния диаметром до 150 мм. В частности, изобретение может быть реализовано по технологии, близкой к представленной в публикациях Кеммера (Kemmer J. ((Fabrication of low noise silicon radiation detectors by the planar process» // Nuclear Instruments and Methods. - 1980. - V. 169. - P. 499-502).
Планарная технология основывается на создании в приповерхностном слое подложки областей с различными типами проводимости или с разными концентрациями примеси одного вида, в совокупности образующих структуру сенсора. Области структур создают локальным введением в подложку примесей (посредством диффузии из газовой фазы или ионной имплантации), осуществляемым через маску (обычно из пленки SiO2), формируемую при помощи фотолитографии. Последовательно проводя процессы окисления (создание пленки SiO2), фотолитографии и введения примесей, получают легированную область любой требуемой конфигурации, а также области с другим типом проводимости (или другой концентрацией примеси). Планарная технология обеспечивает возможность одновременного изготовления в едином технологическом процессе большого числа (до нескольких сотен и даже тысяч) идентичных дискретных полупроводниковых приборов (например, сенсоров) или интегральных схем на одной пластине. Групповая обработка обеспечивает хорошую воспроизводимость параметров приборов и высокую производительность при сравнительно низкой стоимости изделий.
Сенсор ионизирующего излучения работает следующим образом.
Работа сенсора основана на том, при приложении обратного напряжения смещения, i-область полностью обедняется носителями и диод перестает пропускать ток (запирается). Фактически i-область при обратном смещении является изолятором из-за отсутствия свободных носителей заряда, и величина протекающего тока становится ничтожно мала.
Ионизирующее излучение (кванты) при прохождении через i-область, создают облако ионизации вдоль своей траектории порождая образование электронно-дырочных пар. Носители заряда, попадая в электрическое поле, начинают двигаться к высоколегированным «p+» и «n+» областям 10 и 2, создавая импульс электрического тока, который может быть детектирован внешней цепью. Проводимость биполярного диода зависит от длины волны, интенсивности и частоты модуляции падающего излучения.
Кванты рентгеновского и низкоэнергетического гамма-излучения, попадая в материал сенсора, взаимодействуют с ним, что приводит к рождению, в зависимости от энергии падающего кванта: фотоэлектрона, комптоновского электрона или электрон-позитронной пары. Вероятность этого процесса составляет 1÷3%, но с учетом того, что вероятность регистрации заряженной частицы (электрона, позитрона, протона, альфа-частицы и др.) равна 1, этого вполне достаточно для уверенной регистрации ионизирующего гамма излучения даже на уроне фона с точностью не хуже 20% за 1÷2 минуты измерения. Заряженные частицы проникают в чувствительную область сенсора и генерируют в нем электронно-дырочные пары. Носители заряда (электроны) под действием приложенного к полупроводниковому сенсору электрического поля "рассасываются", перемещаются к электродам. В результате во внешней цепи полупроводникового детектора возникает электрический импульс, который регистрируется зарядочувствительным предварительным усилителем и преобразуется в перепад напряжения на его выходе, а затем передается в блок обработки сигнала (не изображены).
Для проверки работоспособности сенсора были созданы опытные образцы с 2, 4 и 8 элементами (областями 2) матрицы, в которых полупроводниковый сенсор (детектор) представляет собой высоковольтный n+-i-p+ диод в виде односторонней структуры, выполненной по планарной технологии на подложке высокочистого БЗП кремния с удельным сопротивлением: 3÷4 кОм⋅см, с габаритными размерами 12×12 мм и толщиной 450 мкм. Плоский сигнальный n+-p- переход представляет собой ионно-имплантированную n+ область с повышенной концентрацией атомов фосфора. Вокруг плоского сигнального n+-p- перехода, занимающую большую часть подложки (размер активной области составил - 10×10 мм2, при этом размер каждой p-области составил 50, 25 и 12,5 мм2, соответственно), расположены охранные кольцевые p+-p- и n+-p- переходы, выполненные аналогичным способом, что и плоский сигнальный n+-p- переход, расположенный в центральной части подложки. Область, занятая охранными кольцами, составила не более 1 мм по периметру. Металлические электроды выполнены из алюминия. На подложке со стороны, противоположной лицевой поверхности, расположен сильно легированный (до 1020 атомов акцепторной примеси (бор) в см3) слой p+- 10 толщиной 2÷4 мкм и слой алюминиевой металлизации 11 толщиной 0,9÷1,1 мкм.
При изготовлении сенсора по планарной технологии использован комплект из 5 рабочих фотошаблонов (ф/ш) контактной фотолитографии, первым из которых является фотошаблон для формирования n+-области; второй - для формирования охранных высоколегированных концентрических p+-областей; третий - для формирования контактов к n+-области диода и охранным кольцам по периферии на лицевой стороне пластины; четвертый - для Al металлизации, пятый - для формирования контактов к металлизации. Шаблоны перечислены в порядке их использования в технологическом процессе. При этом в первом и во втором ф/ш минимальная ширина периферических колец составила 25 мкм; в третьем ф/ш для формирования контактов к n+ диоду и охранным кольцам по периферии на лицевой стороне пластины минимальный размер контакта составил: - 25×25 мкм2; по периферии к охранным кольцам - 10×40 и 40×10 мкм2; в четвертом ф/ш для Al металлизации минимальная ширина колец на периферии диода составила 20 мкм; размеры пятого ф/ш для формирования контактов к центральной области металлизации - не критичны.
Изготовленные устройства характеризовались следующими электрическими характеристиками:
Рабочий режим - обратное смещение при полном обеднении.
Рабочее напряжение определяется из значения напряжения полного обеднения (VПО) - Vраб=VПО+20 B;
Напряжение пробоя, не менее - 2⋅VПО;
Темновой ток при рабочем напряжении, не более - 200 нА/см2;
Все измерения проводились при температуре 20±2°С. На пластине расположены тестовые структуры для определения удельного сопротивления p-области четырехточечным методом. Подключение охранных колец не предусматривалось - основная их задача - препятствовать возникновению поверхностного тока от n+-области к краю сенсора, за счет наведенного потенциала.
Как видно из приведенных примеров, в результате реализации изобретения обеспечено уменьшение времени измерения радиационного фона, значительное снижение размеров и массы сенсора, расширение диапазона регистрируемых энергий и возможность регистрации различных видов ионизирующего излучения при снижении уровня шумов и увеличении чувствительности сенсора.
Сенсор чувствителен ко всем видам ионизирующего излучения, за исключением нейтронов, нижняя граница энергии регистрируемых частиц не более 1000 эВ, а практически определяется уровнем шумов электроники считывания. Верхняя граница энергетического диапазона регистрации отсутствует, для высокоэнергетичных (релятивистских, с энергией более 2-2.5 масс покоя) однозарядных частиц энерговыделение в сенсоре становится практически не зависящим от энергии, и средняя величина ионизационных потерь составляет 388 эВ/мкм, или для сенсора толщиной 500 мкм - 194 кэВ. Энерговыделение от многозарядных ионов пропорционально квадрату величины заряда. Регистрация сигнала такого уровня, не представляет, какой либо сложности для современной электроники.
Способ изготовления сенсора ионизирующего излучения по планарной технологии включает изготовление комплекта из 5 рабочих фотошаблонов контактной (или проекционной) фотолитографии, первым из которых является фотошаблон для формирования n+-области, второй - для формирования охранных элементов p+-типа, третий - для формирования контактов к n+-области диода и охранным кольцам по периферии на лицевой стороне пластины, четвертый - для Al металлизации, пятый - для формирования контактов к металлизации.
Сенсор, выполненный в соответствии с настоящим изобретением, может применяться в различных в портативных автономных устройствах, предназначенных для регистрации и/или измерения ионизирующего излучения. При этом сенсор имеет малые габариты в сочетании с рабочим широким температурным диапазоном; высокую скорость счета и чувствительность, высокую радиационную стойкость, широкий диапазон измерений; отсутствие необходимости периодического обслуживания; низкое энергопотребление, низковольтное питание и пониженные шумовые характеристики.
Claims (12)
1. Сенсор ионизирующего излучения, содержащий n+-i-p+-структуру, включающую i-область в виде высокоомной слаболегированной монокристаллической подложки высокочистого кремния бестигельной зонной плавки р-типа проводимости, на лицевой стороне которой выполнена чувствительная зона в виде, по меньшей мере, одной n+-области, наружная поверхность которой снабжена последовательно расположенными маскирующим покрытием из диоксида кремния, алюминиевой металлизацией и внешним пассивирующим слоем, а на оборотной стороне упомянутой подложки последовательно выполнен слой высоколегированного кремния, образующий р+-область, и нанесена алюминиевая металлизация с образованием подложкой с указанными слоями n+-i-p+-диода, при этом под покрытием из диоксида кремния на лицевой поверхности подложки вокруг чувствительной зоны выполнена, по меньшей мере, одна пара охранных колец р+-типа и n+-типа, расположенных с зазором между ними, упомянутое покрытие из диоксида кремния выполнено с окнами для контакта чувствительной n+-области с алюминиевой металлизацией, а внешний пассивирующий слой выполнен с окнами для присоединения выводов.
2. Сенсор по п. 1, в котором чувствительная зона n+-i-p+-диода выполнена в виде матрицы с количеством n+-областей, равным 2k, где k - целое число, большее или равное нулю, гальванически не связанных между собой.
3. Сенсор по п. 2, в котором n+-области выполнены прямоугольной формы.
4. Сенсор по любому из пп. 2, 3, в котором n+-области выполнены равными по площади.
5. Сенсор по любому из пп. 1-3, характеризующийся тем, что он выполнен с количеством окон для присоединения выводов, равным количеству n+-областей.
6. Сенсор по любому из пп. 1-3, в котором окна для присоединения выводов расположены по в неактивной зоне подложки, отделенной от чувствительной зоны n+-i-p+-диода.
7. Сенсор по п. 6, в котором неактивная зона и чувствительная зона n+-i-p+-диода отделены друг от друга выемками, выполненными в подложке.
8. Сенсор по любому из пп. 1-3, 7, в котором конструктивные элементы выполнены по планарной технологии с использованием контактной фотолитографии.
9. Сенсор по любому из пп. 1-3, 7, в котором конструктивные элементы выполнены по планарной технологии с использованием проекционной фотолитографии.
10. Сенсор по любому из пп. 1-3, 7, в котором суммарная площадь окон, выполненных в покрытии из диоксида кремния, не превышает 1% площади поверхности чувствительной зоны и выбрана из условия предотвращения диффузии алюминия в кремний.
11. Сенсор по п. 1, характеризующийся тем, что он выполнен с общим количеством охранных колец р+-типа и n+-типа, равным четырем, при этом указанные охранные кольца расположены на расстоянии друг от друга, увеличивающемся к периферии подложки.
12. Сенсор по любому из пп. 1-3, 7, 11, в котором пассивирующий слой выполнен из фосфорно-силикатного стекла.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016119242A RU2634324C1 (ru) | 2016-05-18 | 2016-05-18 | Сенсор ионизирующего излучения на основе кремния бестигельной зонной плавки р-типа проводимости |
| US16/302,679 US10797195B2 (en) | 2016-05-18 | 2017-03-06 | Ionizing radiation sensor based on float-zone silicon with p-type conductivity |
| DE202017007025.1U DE202017007025U1 (de) | 2016-05-18 | 2017-03-06 | Ionisierungsstrahlungssensor auf Basis des im Zonen-Floating-Verfahren erhaltenen Siliziums mit N-Typ-Leitfähigkeit |
| CN201780047485.1A CN109690356A (zh) | 2016-05-18 | 2017-03-06 | 基于p型电导率的悬浮区熔炼硅的电离辐射传感器 |
| PCT/RU2017/000115 WO2017200416A1 (ru) | 2016-05-18 | 2017-03-06 | Сенсор ионизирующего излучения на основе кремния бестигельной зонной плавки р-типа проводимости |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016119242A RU2634324C1 (ru) | 2016-05-18 | 2016-05-18 | Сенсор ионизирующего излучения на основе кремния бестигельной зонной плавки р-типа проводимости |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2634324C1 true RU2634324C1 (ru) | 2017-10-25 |
Family
ID=60154069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016119242A RU2634324C1 (ru) | 2016-05-18 | 2016-05-18 | Сенсор ионизирующего излучения на основе кремния бестигельной зонной плавки р-типа проводимости |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10797195B2 (ru) |
| CN (1) | CN109690356A (ru) |
| DE (1) | DE202017007025U1 (ru) |
| RU (1) | RU2634324C1 (ru) |
| WO (1) | WO2017200416A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2820464C1 (ru) * | 2023-09-28 | 2024-06-04 | Акционерное общество "Зеленоградский нанотехнологический центр" | Способ изготовления сенсора ионизирующего излучения и света |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7488782B2 (ja) | 2021-03-03 | 2024-05-22 | 日立Ｇｅニュークリア・エナジー株式会社 | フォトダイオード |
| CN113436966B (zh) * | 2021-06-24 | 2023-02-17 | 弘大芯源(深圳)半导体有限公司 | 一种具有增强的抗辐射性能的模拟集成电路加工方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7514762B2 (en) * | 2003-12-15 | 2009-04-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Active matrix pixel device with photo sensor |
| EP2535740A1 (en) * | 2010-02-12 | 2012-12-19 | Consejo Superior De Investigaciones Científicas (CSIC) | Ionizing radiation detector sensitive to the 2d position |
| RU140489U1 (ru) * | 2013-08-22 | 2014-05-10 | Открытое акционерное общество "Интерсофт Евразия" | Чувствительный элемент ионизирующего излучения |
| RU2545502C2 (ru) * | 2013-08-22 | 2015-04-10 | Открытое акционерное общество "Интерсофт Евразия" | Сенсор ионизирующего излучения |
| RU2551257C1 (ru) * | 2013-12-31 | 2015-05-20 | Открытое акционерное общество "Интерсофт Евразия" | Матричный сенсор ионизирующего излучения |
| RU2575939C1 (ru) * | 2014-12-03 | 2016-02-27 | Открытое акционерное общество "Интерсофт Евразия" | Способ изготовления сенсора ионизирующего излучения |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3003391C2 (de) | 1980-01-31 | 1984-08-30 | Josef Dipl.-Phys. Dr. 8041 Fahrenzhausen Kemmer | Strahlungsdetektor mit einem passivierten pn-Halbleiterübergang |
| DE4120443B4 (de) * | 1991-05-07 | 2007-03-22 | Kemmer, Josef, Dr. | Halbleiterdetektor |
| NL1011381C2 (nl) * | 1998-02-28 | 2000-02-15 | Hyundai Electronics Ind | Fotodiode voor een CMOS beeldsensor en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. |
| JP4037367B2 (ja) * | 2002-02-08 | 2008-01-23 | キネティック リミテッド | 光検出器回路 |
| JP2008510960A (ja) * | 2004-08-20 | 2008-04-10 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 保護層を有するマイクロエレクトロニクスシステム |
| RU2408955C1 (ru) * | 2009-06-29 | 2011-01-10 | Федеральное государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ФГУ НПК "ТЦ" МИЭТ) | P-i-n-диодный преобразователь нейтронного излучения |
| TWI527245B (zh) * | 2010-07-03 | 2016-03-21 | 生命技術公司 | 具有微摻雜汲極之化學感測器 |
| WO2015026261A1 (en) * | 2013-08-22 | 2015-02-26 | Otkrytoe Aktsionernoe Obschestvo "Intersoft Evraziya" | Ionizing radiation sensing element |
| JP3202551U (ja) * | 2015-11-25 | 2016-02-12 | 株式会社島津製作所 | Ｘ線検出器 |
-
2016
- 2016-05-18 RU RU2016119242A patent/RU2634324C1/ru active IP Right Revival
-
2017
- 2017-03-06 US US16/302,679 patent/US10797195B2/en active Active
- 2017-03-06 WO PCT/RU2017/000115 patent/WO2017200416A1/ru active Application Filing
- 2017-03-06 DE DE202017007025.1U patent/DE202017007025U1/de not_active Expired - Lifetime
- 2017-03-06 CN CN201780047485.1A patent/CN109690356A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7514762B2 (en) * | 2003-12-15 | 2009-04-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Active matrix pixel device with photo sensor |
| EP2535740A1 (en) * | 2010-02-12 | 2012-12-19 | Consejo Superior De Investigaciones Científicas (CSIC) | Ionizing radiation detector sensitive to the 2d position |
| RU140489U1 (ru) * | 2013-08-22 | 2014-05-10 | Открытое акционерное общество "Интерсофт Евразия" | Чувствительный элемент ионизирующего излучения |
| RU2545502C2 (ru) * | 2013-08-22 | 2015-04-10 | Открытое акционерное общество "Интерсофт Евразия" | Сенсор ионизирующего излучения |
| RU2551257C1 (ru) * | 2013-12-31 | 2015-05-20 | Открытое акционерное общество "Интерсофт Евразия" | Матричный сенсор ионизирующего излучения |
| RU2575939C1 (ru) * | 2014-12-03 | 2016-02-27 | Открытое акционерное общество "Интерсофт Евразия" | Способ изготовления сенсора ионизирующего излучения |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2820464C1 (ru) * | 2023-09-28 | 2024-06-04 | Акционерное общество "Зеленоградский нанотехнологический центр" | Способ изготовления сенсора ионизирующего излучения и света |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20190148580A1 (en) | 2019-05-16 |
| CN109690356A (zh) | 2019-04-26 |
| DE202017007025U1 (de) | 2019-03-17 |
| US10797195B2 (en) | 2020-10-06 |
| WO2017200416A1 (ru) | 2017-11-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2545502C2 (ru) | Сенсор ионизирующего излучения | |
| Li et al. | Study of silicon pixel sensor for synchrotron radiation detection | |
| RU140489U1 (ru) | Чувствительный элемент ионизирующего излучения | |
| CN104221157B (zh) | 具有增强的伽玛辐射灵敏度的固态辐射探测器 | |
| RU2634324C1 (ru) | Сенсор ионизирующего излучения на основе кремния бестигельной зонной плавки р-типа проводимости | |
| US3564245A (en) | Integrated circuit multicell p-n junction radiation detectors with diodes to reduce capacitance of networks | |
| RU2551257C1 (ru) | Матричный сенсор ионизирующего излучения | |
| Evensen et al. | A fast low noise silicon detector for electron spectroscopy up to 1 MeV | |
| RU2408955C1 (ru) | P-i-n-диодный преобразователь нейтронного излучения | |
| US4689649A (en) | Semiconductor radiation detector | |
| WO2015026261A1 (en) | Ionizing radiation sensing element | |
| Bellinger et al. | Variant designs and characteristics of improved microstructured solid-state neutron detectors | |
| Lim et al. | Cylindrical silicon-on-insulator microdosimeter: Design, fabrication and TCAD modeling | |
| Mohamed et al. | Dose rate linearity in 4H-SiC Schottky diode-based detectors at elevated temperatures | |
| Pellegrini et al. | Double sided 3D detector technologies at CNM-IMB | |
| Moncaster et al. | A semiconductor monitor for nuclear radiations | |
| Mehta et al. | STUDIES OF THE SILICON DRIFT DETECTOR: DESIGN, TECHNOLOGY DEVELOPMENT, CHARACTERIZATION AND PHYSICS SIMULATIONS. | |
| CN217306527U (zh) | 一种多段式阳极等间距分布的硅漂移室探测器 | |
| KR100458277B1 (ko) | 저저항 Ｓｉ 기판에서의 ＰＩＮ형 반도체 검출기 제작방법 | |
| Leake et al. | Developments in solid state radiation detectors | |
| JPS59114875A (ja) | 半導体放射線検出器 | |
| JP2018017685A (ja) | 放射線検出器 | |
| Prabakar et al. | Alpha radiation detection using Si PIN diodes | |
| Jiang et al. | Study on 4H-SiC Trench Schottky Type Neutron Detector | |
| Singh | Development and Performance Studies of Silicon Radiation Detectors |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190519 |
|
| NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20210201 |