JP6742531B2 - 時間計測デバイスおよび時間計測装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 110
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 92
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 91
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 75
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 74
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims description 27
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 14
- 101000685663 Homo sapiens Sodium/nucleoside cotransporter 1 Proteins 0.000 description 43
- 102100023116 Sodium/nucleoside cotransporter 1 Human genes 0.000 description 43
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 31
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 25
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 25
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- 101000739577 Homo sapiens Selenocysteine-specific elongation factor Proteins 0.000 description 19
- 102100037498 Selenocysteine-specific elongation factor Human genes 0.000 description 19
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 19
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 13
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 9
- 102220534405 Pseudouridylate synthase 7 homolog-like protein_S31A_mutation Human genes 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 102220534543 Pseudouridylate synthase 7 homolog-like protein_S35A_mutation Human genes 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 4
- 102220534424 Pseudouridylate synthase 7 homolog-like protein_S34A_mutation Human genes 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 2
- 238000013386 optimize process Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000002366 time-of-flight method Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical class O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000004050 Pentaglottis sempervirens Species 0.000 description 1
- 235000004522 Pentaglottis sempervirens Nutrition 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
Images
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
- G01S17/88—Lidar systems specially adapted for specific applications
- G01S17/89—Lidar systems specially adapted for specific applications for mapping or imaging
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
- G01S7/483—Details of pulse systems
- G01S7/486—Receivers
- G01S7/4861—Circuits for detection, sampling, integration or read-out
- G01S7/4863—Detector arrays, e.g. charge-transfer gates
-
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
- G01S7/483—Details of pulse systems
- G01S7/486—Receivers
- G01S7/4865—Time delay measurement, e.g. time-of-flight measurement, time of arrival measurement or determining the exact position of a peak
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/107—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Measurement Of Unknown Time Intervals (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
1.第1の実施の形態
2.第2の実施の形態
3.応用例
4.移動体への応用例
[構成例]
図1は、一実施の形態に係る時間計測装置(時間計測装置1)の一構成例を表すものである。時間計測装置1は、光を射出するとともに、測定対象物により反射された反射光を検出し、光を射出したタイミングおよび反射光を検出したタイミングの間の時間差を計測するものである。時間計測装置1は、発光部11と、拡散レンズ12と、集光ミラー13と、時間計測デバイス20と、制御部14とを備えている。
続いて、本実施の形態の時間計測装置1の動作および作用について説明する。
まず、図1,2を参照して、時間計測装置1の全体動作概要を説明する。発光部11は、発光制御信号C1に応じたタイミングで光を射出するように発光動作を行う。拡散レンズ12は、発光部11から射出した光を所定の角度範囲内に拡散させる。拡散レンズ12により拡散された光(出射光L1)は、時間計測装置1から射出される。集光ミラー13は、計測対象物9により反射されて時間計測装置1に入射した光(反射光L2)を、時間計測デバイス20の受光面Sに向けて反射させる。時間計測デバイス20は、集光ミラー13により反射された光を検出し、発光部11が光を射出したタイミングおよび受光素子31が光を検出したタイミングの間の時間差を計測する。制御部14は、発光部11に対して発光制御信号C1を供給することにより、発光部11の発光動作を制御するとともに、時間計測デバイス20に対してキャリブレーション信号CAL、選択制御信号CTRL、クロック信号CK、およびカウント開始信号STを供給することにより、時間計測デバイス20の動作を制御する。
次に、画素アレイ21における、1つの行に属するM個の画素30のうちの、横方向に互いに隣り合う2つの画素30A,30Bに着目して、時間計測装置1の動作について詳細に説明する。
以上のように本実施の形態では、複数の画素を、いわゆるデイジーチェーン接続により接続したので、レイアウトをしやすくすることができる。
上記実施の形態では、図4に示した波形整形部23および時間計測部24を用いて時間計測デバイス20を構成したが、これに限定されるものではない。以下に、本変形例に係る時間計測装置1Cについて詳細に説明する。時間計測装置1Cは、時間計測デバイス20Cを備えている。時間計測デバイス20Cは、波形整形部23Cと、時間計測部24Cとを有している。
上記実施の形態では、図3に示したように、受光素子31のアノードを接地したが、これに限定されるものではない。これに代えて、例えば図11に示す画素30Dのように、抵抗素子を接地してもよい。画素30Dは、受光素子31Dと、抵抗素子32Dと、バッファ37Dとを有している。受光素子31Dのアノードは抵抗素子32Dの一端およびバッファ37Dの入力端子に接続され、カソードにはバイアス電圧Vbiasが供給されている。抵抗素子32Dの一端は受光素子31Dのアノードおよびバッファ37Dの入力端子に接続され、カソードは接地されている。バッファ37Dの入力端子は受光素子31Dのアノードおよび抵抗素子32Dの一端に接続され、出力端子は論理積回路34の第1の入力端子に接続されている。
上記実施の形態では、画素アレイ21における一番左側の画素30から波形整形回路40までの信号の遅延時間tdを計測することができるようにしたが、さらに、例えば、各画素から波形整形回路40までの信号の遅延時間を計測することができるようにしてもよい。以下に、本変形例に係る時間計測装置1Eについて詳細に説明する。時間計測装置1Eは、時間計測デバイス20Eと、制御部14Eとを有している。
上記実施の形態では、画素アレイ21の複数の画素30のうちの一番左側の画素30の入力端子INに、制御部14から供給されたキャリブレーション信号CALが入力されるようにしたが、これに限定されるものではない。これに代えて、例えば、図16に示す時間計測装置1Gの時間計測デバイス20Gのように、複数の画素30のうちの一番左側の画素30の入力端子INには、所定のレベルの電圧(この例では低レベル)が入力されるようにしてもよい。この時間計測装置1Gは、例えば、画素アレイ21内における信号の遅延時間が、計測精度にさほど影響を与えないような用途に使用することができる。また、例えば、この時間計測装置1Gの後段の処理回路(例えばアプリケーションプロセッサなど)が、設計時に見積もられた遅延時間や、出荷前の検査時において実測した遅延時間などを用いて、時間計測動作(図6)により得られた計測結果を補正してもよい。
また、これらの変形例のうちの2以上を組み合わせてもよい。
次に、第2の実施の形態に係る時間計測装置2について説明する。本実施の形態は、フリップフロップ(F/F)35を含まない画素を用いて時間計測デバイスを構成したものである。なお、上記第1の実施の形態に係る時間計測装置1と実質的に同一の構成部分には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
上記実施の形態に係る時間計測装置2に、上記第1の実施の形態の各変形例を適用してもよい。時間計測装置2に、上記第1の実施の形態に係る変形例1−3を適用した例を図20に示す。図20に示した画素60Eは、上記第1の実施の形態に係る画素30E(図13)と同様に、論理和回路38Eを有している。論理和回路38Eの第1の入力端子にはテストモード信号TEが入力され、第2の入力端子はインバータ33の出力端子に接続され、出力端子は論理積回路34の第1の入力端子に接続されている。
次に、上記実施の形態に係る時間計測デバイスの応用例について説明する。
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
Detection Efficiency)の向上を図ることができる。
前記第1の半導体基板に貼り合わせられた第2の半導体基板に形成され、前記複数の画素のそれぞれにおける前記検出タイミングを計測する時間計測部と
を備え、
前記複数の画素のうちの前記第1の方向の一端に配置された第1の画素以外の各画素は、その画素以外の一の画素の出力信号と、その画素において生成された前記第1の論理信号とに基づいて、出力信号を生成し、
前記時間計測部は、前記複数の画素のうちの前記第1の方向の他端に配置された第2の画素の出力信号に基づいて、前記複数の画素のそれぞれにおける前記検出タイミングを計測する
時間計測デバイス。
(2)前記複数の画素のうちの前記第1の画素以外の画素のそれぞれは、前記第2の半導体基板に形成され、その画素以外の一の画素の出力信号が入力された第1の入力端子と、前記第1の論理信号が入力された第2の入力端子と、出力端子とを有する第1の論理回路を含む
前記(1)に記載の時間計測デバイス。
(3)前記第2の半導体基板に形成され、前記複数の画素に対応する複数の第1の制御信号を生成する制御信号生成部をさらに備え、
前記複数の画素のそれぞれは、
前記第2の半導体基板に形成され、前記複数の第1の制御信号のうちの対応する第1の制御信号、およびその画素の前記シングルフォトンアバランシェダイオードにおける受光結果に応じた信号に基づいて第2の論理信号を生成する第2の論理回路と、
前記第2の半導体基板に形成され、前記第2の論理信号に基づいてトグル動作を行うことにより前記第1の論理信号を生成する第3の論理回路と
を含む
前記(1)または(2)に記載の時間計測デバイス。
(4)前記第2の画素の出力信号の遷移に基づいてパルス信号を生成する波形整形部をさらに備え、
前記時間計測部は、前記パルス信号に基づいて前記検出タイミングを計測する
前記(3)に記載の時間計測デバイス。
(5)前記第2の半導体基板に形成され、前記複数の画素に対応する複数の第1の制御信号を生成する制御信号生成部をさらに備え、
前記複数の画素のそれぞれは、前記第2の半導体基板に形成され、前記複数の第1の制御信号のうちの対応する第1の制御信号、およびその画素の前記シングルフォトンアバランシェダイオードにおける受光結果に応じた信号に基づいて前記第1の論理信号を生成する第2の論理回路を含む
前記(1)または(2)に記載の時間計測デバイス。
(6)前記時間計測部は、
カウンタと、
前記第2の画素の前記出力信号に基づいて、前記カウンタにおけるカウント値をラッチするラッチと
をさらに備えた
前記(1)から(5)のいずれかに記載の時間計測デバイス。
(7)前記第1の画素は、第3の論理信号と、前記第1の画素において生成された前記第1の論理信号とに基づいて、前記第1の画素の前記出力信号を生成する
前記(1)から(6)のいずれかに記載の時間計測デバイス。
(8)前記時間計測部は、前記第3の論理信号が変化したときの、前記第2の画素の前記出力信号に基づいて、各画素から前記時間計測部までの遅延時間を計測する
前記(7)に記載の時間計測デバイス。
(9)前記時間計測部は、前記遅延時間の計測結果に基づいて、前記複数の画素のそれぞれにおける前記検出タイミングの計測結果を補正する
前記(8)に記載の時間計測デバイス。
(10)前記第2の半導体基板に形成され、前記複数の画素に対応する複数の第1の制御信号を生成する制御信号生成部をさらに備え、
前記複数の画素のそれぞれは、
前記第2の半導体基板に形成され、前記複数の第1の制御信号のうちの対応する第1の制御信号、第2の制御信号、およびその画素の前記シングルフォトンアバランシェダイオードにおける受光結果に応じた信号に基づいて第2の論理信号を生成する第4の論理回路と、
前記第2の半導体基板に形成され、前記第2の論理信号に基づいてトグル動作を行うことにより前記第1の論理信号を生成する第3の論理回路と
を含む
前記(1)または(2)に記載の時間計測デバイス。
(11)前記時間計測部は、前記第2の制御信号を用いて前記複数の画素のうちの第3の画素の前記第1の論理信号を変化させたときの、前記第2の画素の前記出力信号に基づいて、前記第3の画素から前記時間計測部までの遅延時間を計測する
前記(10)に記載の時間計測デバイス。
(12)前記時間計測部は、前記遅延時間の計測結果に基づいて、前記第3の画素における前記検出タイミングの計測結果を補正する
前記(11)に記載の時間計測デバイス。
(13)前記複数の画素の数は、200以上である
前記(1)から(12)のいずれかに記載の時間計測デバイス。
(14)第1の方向に並設され、それぞれが、受光素子を含み、前記受光素子における検出タイミングに応じた第1の論理信号を生成する複数の画素と、
前記複数の画素のそれぞれにおける前記検出タイミングを計測する時間計測部と
を備え、
前記複数の画素のうちの前記第1の方向の一端に配置された第1の画素以外の各画素は、その画素以外の一の画素の出力信号と、その画素において生成された前記第1の論理信号とに基づいて、出力信号を生成し、
前記時間計測部は、前記複数の画素のうちの前記第1の方向の他端に配置された第2の画素の出力信号に基づいて、前記複数の画素のそれぞれにおける前記検出タイミングを計測する
時間計測デバイス。
(15)前記複数の画素のそれぞれは、その画素以外の一の画素の出力信号が入力された第1の入力端子と、前記第1の論理信号が入力された第2の入力端子と、出力端子とを有する第1の論理回路を含む
前記(14)に記載の時間計測デバイス。
(16)前記複数の画素に対応する複数の第1の制御信号を生成する制御信号生成部をさらに備え、
前記複数の画素のそれぞれは、
前記複数の第1の制御信号のうちの対応する第1の制御信号、およびその画素の前記受光素子における受光結果に応じた信号に基づいて第2の論理信号を生成する第2の論理回路と、
前記第2の論理信号に基づいてトグル動作を行うことにより前記第1の論理信号を生成する第3の論理回路と
を含む
前記(14)または(15)に記載の時間計測デバイス。
(17)前記複数の画素に対応する複数の第1の制御信号を生成する制御信号生成部をさらに備え、
前記複数の画素のそれぞれは、前記複数の第1の制御信号のうちの対応する第1の制御信号、およびその画素の前記受光素子における受光結果に応じた信号に基づいて前記第1の論理信号を生成する第2の論理回路を含む
前記(14)または(15)に記載の時間計測デバイス。
(18)前記受光素子は、シングルフォトンアバランシェダイオードまたはアバランシェフォトダイオードである
前記(14)から(17)のいずれかに記載の時間計測デバイス。
(19)それぞれが、第1の半導体基板に形成されたシングルフォトンアバランシェダイオードを含み、前記シングルフォトンアバランシェダイオードにおける検出タイミングに応じた第1の論理信号を生成する第1の画素、第2の画素、および第3の画素と、
前記第1の半導体基板に貼り合わせられた第2の半導体基板に形成され、前記第1の画素、前記第2の画素、および前記第3の画素のそれぞれにおける前記検出タイミングを計測する時間計測部と
を備え、
前記第2の画素は、前記第1の画素の出力信号と、前記第2の画素において生成された前記第1の論理信号とに基づいて、出力信号を生成し、
前記第3の画素は、前記第2の画素の出力信号と、前記第3の画素において生成された前記第1の論理信号とに基づいて、出力信号を生成し、
前記時間計測部は、前記第3の画素の出力信号に基づいて、前記第1の画素、前記第2の画素、および前記第3の画素のそれぞれにおける前記検出タイミングを計測する
時間計測デバイス。
(20)光を射出する発光部と、
前記光に対応する反射光を反射させるミラーと、
第1の方向に並設され、それぞれが、第1の半導体基板に形成され、前記ミラーにより反射された前記反射光を検出するシングルフォトンアバランシェダイオードを含み、前記シングルフォトンアバランシェダイオードにおける検出タイミングに応じた第1の論理信号を生成する複数の画素と、
前記第1の半導体基板に貼り合わせられた第2の半導体基板に形成され、前記複数の画素のそれぞれにおける前記検出タイミングを計測する時間計測部と
を備え、
前記複数の画素のうちの前記第1の方向の一端に配置された第1の画素以外の各画素は、その画素以外の一の画素の出力信号と、その画素において生成された前記第1の論理信号とに基づいて、出力信号を生成し、
前記時間計測部は、前記複数の画素のうちの前記第1の方向の他端に配置された第2の画素の出力信号に基づいて、前記複数の画素のそれぞれにおける前記検出タイミングを計測する
時間計測装置。
(21)光を射出する発光部と、
前記光に対応する反射光を反射させるミラーと、
第1の方向に並設され、それぞれが、前記ミラーにより反射された前記反射光を検出する受光素子を含み、前記受光素子における検出タイミングに応じた第1の論理信号を生成する複数の画素と、
前記複数の画素のそれぞれにおける前記検出タイミングを計測する時間計測部と
を備え、
前記複数の画素のうちの前記第1の方向の一端に配置された第1の画素以外の各画素は、その画素以外の一の画素の出力信号と、その画素において生成された前記第1の論理信号とに基づいて、出力信号を生成し、
前記時間計測部は、前記複数の画素のうちの前記第1の方向の他端に配置された第2の画素の出力信号に基づいて、前記複数の画素のそれぞれにおける前記検出タイミングを計測する
時間計測装置。
(22)光を射出する発光部と、
前記光に対応する反射光を反射させるミラーと、
それぞれが、第1の半導体基板に形成され、前記ミラーにより反射された前記反射光を検出するシングルフォトンアバランシェダイオードを含み、前記シングルフォトンアバランシェダイオードにおける検出タイミングに応じた第1の論理信号を生成する第1の画像、第2の画素、および第3の画素と、
前記第1の半導体基板に貼り合わせられた第2の半導体基板に形成され、前記第1の画素、前記第2の画素、および前記第3の画素のそれぞれにおける前記検出タイミングを計測する時間計測部と
を備え、
前記第2の画素は、前記第1の画素の出力信号と、前記第2の画素において生成された前記第1の論理信号とに基づいて、出力信号を生成し、
前記第3の画素は、前記第2の画素の出力信号と、前記第3の画素において生成された前記第1の論理信号とに基づいて、出力信号を生成し、
前記時間計測部は、前記第3の画素の出力信号に基づいて、前記第1の画素、前記第2の画素、および前記第3の画素のそれぞれにおける前記検出タイミングを計測する
時間計測装置。
Claims (22)
- 第1の方向に並設され、それぞれが、第1の半導体基板に形成されたシングルフォトンアバランシェダイオードを含み、前記シングルフォトンアバランシェダイオードにおける検出タイミングに応じた第1の論理信号を生成する複数の画素と、
前記第1の半導体基板に貼り合わせられた第2の半導体基板に形成され、前記複数の画素のそれぞれにおける前記検出タイミングを計測する時間計測部と
を備え、
前記複数の画素のうちの前記第1の方向の一端に配置された第1の画素以外の各画素は、その画素以外の一の画素の出力信号と、その画素において生成された前記第1の論理信号とに基づいて、出力信号を生成し、
前記時間計測部は、前記複数の画素のうちの前記第1の方向の他端に配置された第2の画素の出力信号に基づいて、前記複数の画素のそれぞれにおける前記検出タイミングを計測する
時間計測デバイス。 - 前記複数の画素のうちの前記第1の画素以外の画素のそれぞれは、前記第2の半導体基板に形成され、その画素以外の一の画素の出力信号が入力された第1の入力端子と、前記第1の論理信号が入力された第2の入力端子と、出力端子とを有する第1の論理回路を含む
請求項1に記載の時間計測デバイス。 - 前記第2の半導体基板に形成され、前記複数の画素に対応する複数の第1の制御信号を生成する制御信号生成部をさらに備え、
前記複数の画素のそれぞれは、
前記第2の半導体基板に形成され、前記複数の第1の制御信号のうちの対応する第1の制御信号、およびその画素の前記シングルフォトンアバランシェダイオードにおける受光結果に応じた信号に基づいて第2の論理信号を生成する第2の論理回路と、
前記第2の半導体基板に形成され、前記第2の論理信号に基づいてトグル動作を行うことにより前記第1の論理信号を生成する第3の論理回路と
を含む
請求項1に記載の時間計測デバイス。 - 前記第2の画素の出力信号の遷移に基づいてパルス信号を生成する波形整形部をさらに備え、
前記時間計測部は、前記パルス信号に基づいて前記検出タイミングを計測する
請求項3に記載の時間計測デバイス。 - 前記第2の半導体基板に形成され、前記複数の画素に対応する複数の第1の制御信号を生成する制御信号生成部をさらに備え、
前記複数の画素のそれぞれは、前記第2の半導体基板に形成され、前記複数の第1の制御信号のうちの対応する第1の制御信号、およびその画素の前記シングルフォトンアバランシェダイオードにおける受光結果に応じた信号に基づいて前記第1の論理信号を生成する第2の論理回路を含む
請求項1に記載の時間計測デバイス。 - 前記時間計測部は、
カウンタと、
前記第2の画素の前記出力信号に基づいて、前記カウンタにおけるカウント値をラッチするラッチと
を有する
請求項1に記載の時間計測デバイス。 - 前記第1の画素は、第3の論理信号と、前記第1の画素において生成された前記第1の論理信号とに基づいて、前記第1の画素の前記出力信号を生成する
請求項1に記載の時間計測デバイス。 - 前記時間計測部は、前記第3の論理信号が変化したときの、前記第2の画素の前記出力信号に基づいて、各画素から前記時間計測部までの遅延時間を計測する
請求項7に記載の時間計測デバイス。 - 前記時間計測部は、前記遅延時間の計測結果に基づいて、前記複数の画素のそれぞれにおける前記検出タイミングの計測結果を補正する
請求項8に記載の時間計測デバイス。 - 前記第2の半導体基板に形成され、前記複数の画素に対応する複数の第1の制御信号を生成する制御信号生成部をさらに備え、
前記複数の画素のそれぞれは、
前記第2の半導体基板に形成され、前記複数の第1の制御信号のうちの対応する第1の制御信号、第2の制御信号、およびその画素の前記シングルフォトンアバランシェダイオードにおける受光結果に応じた信号に基づいて第2の論理信号を生成する第4の論理回路と、
前記第2の半導体基板に形成され、前記第2の論理信号に基づいてトグル動作を行うことにより前記第1の論理信号を生成する第3の論理回路と
を含む
請求項1に記載の時間計測デバイス。 - 前記時間計測部は、前記第2の制御信号を用いて前記複数の画素のうちの第3の画素の前記第1の論理信号を変化させたときの、前記第2の画素の前記出力信号に基づいて、前記第3の画素から前記時間計測部までの遅延時間を計測する
請求項10に記載の時間計測デバイス。 - 前記時間計測部は、前記遅延時間の計測結果に基づいて、前記第3の画素における前記検出タイミングの計測結果を補正する
請求項11に記載の時間計測デバイス。 - 前記複数の画素の数は、200以上である
請求項1に記載の時間計測デバイス。 - 第1の方向に並設され、それぞれが、受光素子を含み、前記受光素子における検出タイミングに応じた第1の論理信号を生成する複数の画素と、
前記複数の画素のそれぞれにおける前記検出タイミングを計測する時間計測部と
を備え、
前記複数の画素のうちの前記第1の方向の一端に配置された第1の画素以外の各画素は、その画素以外の一の画素の出力信号と、その画素において生成された前記第1の論理信号とに基づいて、出力信号を生成し、
前記時間計測部は、前記複数の画素のうちの前記第1の方向の他端に配置された第2の画素の出力信号に基づいて、前記複数の画素のそれぞれにおける前記検出タイミングを計測する
時間計測デバイス。 - 前記複数の画素のそれぞれは、その画素以外の一の画素の出力信号が入力された第1の入力端子と、前記第1の論理信号が入力された第2の入力端子と、出力端子とを有する第1の論理回路を含む
請求項14に記載の時間計測デバイス。 - 前記複数の画素に対応する複数の第1の制御信号を生成する制御信号生成部をさらに備え、
前記複数の画素のそれぞれは、
前記複数の第1の制御信号のうちの対応する第1の制御信号、およびその画素の前記受光素子における受光結果に応じた信号に基づいて第2の論理信号を生成する第2の論理回路と、
前記第2の論理信号に基づいてトグル動作を行うことにより前記第1の論理信号を生成する第3の論理回路と
を含む
請求項14に記載の時間計測デバイス。 - 前記複数の画素に対応する複数の第1の制御信号を生成する制御信号生成部をさらに備え、
前記複数の画素のそれぞれは、前記複数の第1の制御信号のうちの対応する第1の制御信号、およびその画素の前記受光素子における受光結果に応じた信号に基づいて前記第1の論理信号を生成する第2の論理回路を含む
請求項14に記載の時間計測デバイス。 - 前記受光素子は、シングルフォトンアバランシェダイオードまたはアバランシェフォトダイオードである
請求項14に記載の時間計測デバイス。 - それぞれが、第1の半導体基板に形成されたシングルフォトンアバランシェダイオードを含み、前記シングルフォトンアバランシェダイオードにおける検出タイミングに応じた第1の論理信号を生成する第1の画素、第2の画素、および第3の画素と、
前記第1の半導体基板に貼り合わせられた第2の半導体基板に形成され、前記第1の画素、前記第2の画素、および前記第3の画素のそれぞれにおける前記検出タイミングを計測する時間計測部と
を備え、
前記第2の画素は、前記第1の画素の出力信号と、前記第2の画素において生成された前記第1の論理信号とに基づいて、出力信号を生成し、
前記第3の画素は、前記第2の画素の出力信号と、前記第3の画素において生成された前記第1の論理信号とに基づいて、出力信号を生成し、
前記時間計測部は、前記第3の画素の出力信号に基づいて、前記第1の画素、前記第2の画素、および前記第3の画素のそれぞれにおける前記検出タイミングを計測する
時間計測デバイス。 - 光を射出する発光部と、
前記光に対応する反射光を反射させるミラーと、
第1の方向に並設され、それぞれが、第1の半導体基板に形成され、前記ミラーにより反射された前記反射光を検出するシングルフォトンアバランシェダイオードを含み、前記シングルフォトンアバランシェダイオードにおける検出タイミングに応じた第1の論理信号を生成する複数の画素と、
前記第1の半導体基板に貼り合わせられた第2の半導体基板に形成され、前記複数の画素のそれぞれにおける前記検出タイミングを計測する時間計測部と
を備え、
前記複数の画素のうちの前記第1の方向の一端に配置された第1の画素以外の各画素は、その画素以外の一の画素の出力信号と、その画素において生成された前記第1の論理信号とに基づいて、出力信号を生成し、
前記時間計測部は、前記複数の画素のうちの前記第1の方向の他端に配置された第2の画素の出力信号に基づいて、前記複数の画素のそれぞれにおける前記検出タイミングを計測する
時間計測装置。 - 光を射出する発光部と、
前記光に対応する反射光を反射させるミラーと、
第1の方向に並設され、それぞれが、前記ミラーにより反射された前記反射光を検出する受光素子を含み、前記受光素子における検出タイミングに応じた第1の論理信号を生成する複数の画素と、
前記複数の画素のそれぞれにおける前記検出タイミングを計測する時間計測部と
を備え、
前記複数の画素のうちの前記第1の方向の一端に配置された第1の画素以外の各画素は、その画素以外の一の画素の出力信号と、その画素において生成された前記第1の論理信号とに基づいて、出力信号を生成し、
前記時間計測部は、前記複数の画素のうちの前記第1の方向の他端に配置された第2の画素の出力信号に基づいて、前記複数の画素のそれぞれにおける前記検出タイミングを計測する
時間計測装置。 - 光を射出する発光部と、
前記光に対応する反射光を反射させるミラーと、
それぞれが、第1の半導体基板に形成され、前記ミラーにより反射された前記反射光を検出するシングルフォトンアバランシェダイオードを含み、前記シングルフォトンアバランシェダイオードにおける検出タイミングに応じた第1の論理信号を生成する第1の画素、第2の画素、および第3の画素と、
前記第1の半導体基板に貼り合わせられた第2の半導体基板に形成され、前記第1の画素、前記第2の画素、および前記第3の画素のそれぞれにおける前記検出タイミングを計測する時間計測部と
を備え、
前記第2の画素は、前記第1の画素の出力信号と、前記第2の画素において生成された前記第1の論理信号とに基づいて、出力信号を生成し、
前記第3の画素は、前記第2の画素の出力信号と、前記第3の画素において生成された前記第1の論理信号とに基づいて、出力信号を生成し、
前記時間計測部は、前記第3の画素の出力信号に基づいて、前記第1の画素、前記第2の画素、および前記第3の画素のそれぞれにおける前記検出タイミングを計測する
時間計測装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017190304 | 2017-09-29 | ||
JP2017190304 | 2017-09-29 | ||
PCT/JP2018/033381 WO2019065174A1 (ja) | 2017-09-29 | 2018-09-10 | 時間計測デバイスおよび時間計測装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019065174A1 JPWO2019065174A1 (ja) | 2020-02-06 |
JP6742531B2 true JP6742531B2 (ja) | 2020-08-19 |
Family
ID=65901323
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019544521A Active JP6742531B2 (ja) | 2017-09-29 | 2018-09-10 | 時間計測デバイスおよび時間計測装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11092677B2 (ja) |
EP (2) | EP3968046A3 (ja) |
JP (1) | JP6742531B2 (ja) |
CN (2) | CN112687713A (ja) |
WO (1) | WO2019065174A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101938984B1 (ko) * | 2017-08-09 | 2019-04-10 | 연세대학교 산학협력단 | Spad 거리측정 센서 기반의 2단계 트래킹을 이용한 거리 측정 장치 및 방법 |
JP7218193B2 (ja) * | 2019-01-31 | 2023-02-06 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
JP2023085575A (ja) * | 2020-04-24 | 2023-06-21 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 測距装置 |
US11476372B1 (en) * | 2020-05-13 | 2022-10-18 | Apple Inc. | SPAD-based photon detectors with multi-phase sampling TDCs |
US11735677B2 (en) | 2020-07-20 | 2023-08-22 | ActLight SA | Photodetectors and photodetector arrays |
CN111856497A (zh) * | 2020-07-29 | 2020-10-30 | 北京深测科技有限公司 | 一种单光子成像方法和系统 |
CN112038360A (zh) * | 2020-09-08 | 2020-12-04 | 上海大芯半导体有限公司 | 距离传感器像素阵列结构、距离传感器及工作方法 |
CN112285675B (zh) * | 2020-12-15 | 2021-05-28 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 飞行时间量测电路及相关芯片及电子装置 |
JP2023028992A (ja) | 2021-08-20 | 2023-03-03 | キヤノン株式会社 | 撮像装置およびその制御方法 |
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GB2289983B (en) * | 1994-06-01 | 1996-10-16 | Simage Oy | Imaging devices,systems and methods |
JPH09304112A (ja) * | 1996-05-17 | 1997-11-28 | Mitsutoyo Corp | 光学式エンコーダ |
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JP2012501608A (ja) * | 2008-08-28 | 2012-01-19 | メサ・イメージング・アー・ゲー | デイジーチェーン構成の電荷格納領域を有する復調ピクセルおよびそれを操作する方法 |
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JP5521721B2 (ja) * | 2009-08-28 | 2014-06-18 | ソニー株式会社 | 撮像素子およびカメラシステム |
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JP6314418B2 (ja) | 2013-10-18 | 2018-04-25 | 株式会社デンソー | レーダ装置 |
US9523765B2 (en) | 2014-07-14 | 2016-12-20 | Omnivision Technologies, Inc. | Pixel-level oversampling for a time of flight 3D image sensor with dual range measurements |
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FR3034204A1 (ja) * | 2015-03-23 | 2016-09-30 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | |
US11153515B2 (en) | 2015-04-24 | 2021-10-19 | Sony Corporation | Solid state image sensor comprising stacked substrates, semiconductor device, and electronic device |
US9843756B2 (en) * | 2015-05-27 | 2017-12-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Imaging devices, arrays of pixels receiving photocharges in bulk of select transistor, and methods |
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JP6910010B2 (ja) * | 2016-02-17 | 2021-07-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 距離測定装置 |
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JP6774660B2 (ja) | 2016-04-14 | 2020-10-28 | 花王株式会社 | 油性毛髪化粧料 |
US20180341009A1 (en) * | 2016-06-23 | 2018-11-29 | Apple Inc. | Multi-range time of flight sensing |
CN106226776A (zh) * | 2016-07-06 | 2016-12-14 | 天津大学 | 一种用于测量光子飞行时间的lfsr计数器 |
WO2018085841A1 (en) * | 2016-11-07 | 2018-05-11 | BioSensing Systems, LLC | Calibration method and apparatus for active pixel hyperspectral sensors and cameras |
CN107105177B (zh) * | 2017-04-26 | 2020-01-17 | 天津大学 | 单光子雪崩光电二极管时间延迟积分cmos图像传感器 |
-
2018
- 2018-09-10 CN CN202011547210.4A patent/CN112687713A/zh active Pending
- 2018-09-10 CN CN201880006334.6A patent/CN110462425B/zh active Active
- 2018-09-10 EP EP21205848.1A patent/EP3968046A3/en active Pending
- 2018-09-10 EP EP18860216.3A patent/EP3572833B1/en active Active
- 2018-09-10 JP JP2019544521A patent/JP6742531B2/ja active Active
- 2018-09-10 US US16/477,088 patent/US11092677B2/en active Active
- 2018-09-10 WO PCT/JP2018/033381 patent/WO2019065174A1/ja unknown
-
2021
- 2021-05-25 US US17/329,816 patent/US20210302552A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3968046A3 (en) | 2022-06-08 |
EP3572833B1 (en) | 2021-11-24 |
EP3572833A4 (en) | 2020-03-04 |
JPWO2019065174A1 (ja) | 2020-02-06 |
US11092677B2 (en) | 2021-08-17 |
CN112687713A (zh) | 2021-04-20 |
CN110462425B (zh) | 2020-12-18 |
CN110462425A (zh) | 2019-11-15 |
EP3572833A1 (en) | 2019-11-27 |
WO2019065174A1 (ja) | 2019-04-04 |
US20190353760A1 (en) | 2019-11-21 |
US20210302552A1 (en) | 2021-09-30 |
EP3968046A2 (en) | 2022-03-16 |
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