JP6731829B2 - Power converter and air conditioner - Google Patents
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Description
本発明は、電力変換装置および空気調和機に関する。 The present invention relates to a power converter and an air conditioner.
電車、自動車、空気調和機等には、交流電圧を直流電圧に変換する電力変換装置(直流電源装置、コンバータ)が搭載されている。そして、電力変換装置から出力される直流電圧をインバータによって所定周波数の交流電圧に変換し、この交流電圧をモータ等の負荷に印加するようになっている。このような電力変換装置において、高調波電流規制に準拠して高調波を抑制し、また、電力変換効率を高めて省エネルギ化を図ることが求められている。
例えば、下記特許文献1の要約書には、「コンバータ回路(2)のブリッジ回路(2a)の2つのダイオード(D1,D2)には、SiC素子を用いたMOS−FETのスイッチング素子(T1,T2)が並列接続されている。そして、スイッチング素子(T1,T2)に商用電源(5)の逆電圧が作用するタイミングで該スイッチング素子(T1,T2)がオンされる。これにより、確実に同期整流が行われる」と記載されている。
Electric power conversion devices (DC power supply devices, converters) that convert AC voltage into DC voltage are installed in trains, automobiles, air conditioners, and the like. Then, the DC voltage output from the power conversion device is converted into an AC voltage having a predetermined frequency by an inverter, and the AC voltage is applied to a load such as a motor. In such a power conversion device, it is required to suppress harmonics in compliance with harmonic current regulations and to improve power conversion efficiency to save energy.
For example, in the abstract of
ところで、特許文献1のようにダイオードによる整流回路ではなく、スイッチング素子を回路に含んだ回路構成においては、過電流や短絡電流による素子の破壊を確実に防ぐため保護制御を行うことが好ましい。しかし、保護制御を行うことはコストアップにつながる。
この発明は上述した事情に鑑みてなされたものであり、安価でありながら素子の破壊を防止できる電力変換装置および空気調和機を提供することを目的とする。
By the way, in the circuit configuration including a switching element in the circuit instead of the rectifier circuit using a diode as in
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an electric power conversion device and an air conditioner that are inexpensive and can prevent element destruction.
上記課題を解決するため本発明の電力変換装置にあっては、第1スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子に直列に接続され前記第1スイッチング素子とともに第1レグを構成する第2スイッチング素子と、第3スイッチング素子と、前記第3スイッチング素子に直列に接続され前記第3スイッチング素子とともに第2レグを構成する第4スイッチング素子と、を有し、前記第1レグと前記第2レグとを並列接続したブリッジ回路と、交流電源と前記第1レグ間に設けられたリアクトルと、前記ブリッジ回路に接続され、前記ブリッジ回路から印加される電圧を平滑化し、直流電圧として出力する平滑コンデンサと、前記第1ないし第4スイッチング素子を制御する制御部と、前記平滑コンデンサの負極と前記第2スイッチング素子との間に設けられた電流センサと、前記第1および第2スイッチング素子を駆動するとともに、前記ブリッジ回路に流れる電流における過電流の有無を検出し、前記過電流を検出した場合に所定の電圧信号を出力する出力端子を有する第1の駆動回路と、前記第3および第4スイッチング素子を駆動する第2の駆動回路と、前記第1の駆動回路の前記出力端子と、前記第2の駆動回路の入力端子との間に接続され、前記電圧信号を前記入力端子に伝達する伝達素子と、を有することを特徴とする。 In order to solve the above problems, in a power conversion device of the present invention, a first switching element, and a second switching element that is connected in series to the first switching element and forms a first leg together with the first switching element. A third switching element, and a fourth switching element that is connected in series to the third switching element and constitutes a second leg together with the third switching element, and includes the first leg and the second leg. A bridge circuit connected in parallel, a reactor provided between an AC power supply and the first leg, a smoothing capacitor connected to the bridge circuit, which smoothes a voltage applied from the bridge circuit and outputs the voltage as a DC voltage, A controller for controlling the first to fourth switching elements, a current sensor provided between the negative electrode of the smoothing capacitor and the second switching element, and driving the first and second switching elements, A first drive circuit having an output terminal for detecting the presence or absence of an overcurrent in the current flowing through the bridge circuit and outputting a predetermined voltage signal when the overcurrent is detected; and the third and fourth switching elements. A second driving circuit for driving, a transmission element connected between the output terminal of the first driving circuit and an input terminal of the second driving circuit, and transmitting the voltage signal to the input terminal. , Are included.
本発明によれば、安価でありながら素子の破壊を防止できる。 According to the present invention, it is possible to prevent damage to the device while being inexpensive.
[第1実施形態]
<電力変換装置の構成>
図1は、第1実施形態による電力変換装置1の全体ブロック図である。
電力変換装置1は、交流電源Gから印加される交流電源電圧Vsを直流電圧Vdに変換し、この直流電圧Vdを負荷H(インバータ、モータ等)に出力するコンバータである。電力変換装置1は、その入力側が交流電源Gに接続され、出力側が負荷Hに接続されている。
[First Embodiment]
<Structure of power converter>
FIG. 1 is an overall block diagram of a
The
図1に示すように、電力変換装置1は、ブリッジ回路10と、リアクトルL1と、平滑コンデンサC1と、電流検出部11と、交流電圧検出部12と、直流電圧検出部13と、負荷検出部14と、シャント抵抗器R1と、制御部15と、を備えている。
As shown in FIG. 1, the
ブリッジ回路10は、スイッチング素子Q1(第1スイッチング素子)と、スイッチング素子Q2(第2スイッチング素子)と、スイッチング素子Q3(第3スイッチング素子)と、スイッチング素子Q4(第4スイッチング素子)と、を備えている。
ブリッジ回路10は、その入力側が交流電源Gに接続され、出力側が負荷Hに接続されている。また、ブリッジ回路10のスイッチング素子Q1〜Q4は、図1に示すように、ブリッジ形に接続されている。
The
The input side of the
スイッチング素子Q1〜Q4は、例えば、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)であり、制御部15によってオン/オフが制御される。なお、スイッチング素子Q1〜Q4としてMOSFETを用いることで、スイッチング損失を低減できるとともに、スイッチングを高速で行えるという利点がある。
また、スイッチング素子Q1は、その内部に寄生ダイオードD1を有している。寄生ダイオードD1は、スイッチング素子Q1のソースとドレインとの間に存在するpn接合の部分である。
The switching elements Q1 to Q4 are, for example, MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors), and the
Further, the switching element Q1 has a parasitic diode D1 therein. The parasitic diode D1 is a part of the pn junction existing between the source and the drain of the switching element Q1.
なお、スイッチング素子Q1の飽和電圧(オン状態におけるドレイン・ソース間電圧)は、寄生ダイオードD1の順方向の電圧降下よりも低いことが好ましい。これによって、寄生ダイオードD1に電流を流すよりも、スイッチング素子Q1のソース・ドレインに電流を流すほうが電圧降下は小さくなり、ひいては、導通損失を低減できるからである。換言すると、オフ状態のスイッチング素子Q1において寄生ダイオードD1に電流を流すよりも、オン状態のスイッチング素子Q1に電流を流すほうが導通損失は小さくなるようにしている。なお、他のスイッチング素子Q2〜Q4についても同様のことがいえる。 The saturation voltage of the switching element Q1 (drain-source voltage in the ON state) is preferably lower than the forward voltage drop of the parasitic diode D1. This is because the voltage drop is smaller when a current is passed through the source/drain of the switching element Q1 than when a current is passed through the parasitic diode D1, and the conduction loss can be reduced. In other words, the conduction loss is smaller when the current is passed through the switching element Q1 in the on state than in the switching diode Q1 when the switching element Q1 is in the off state. The same applies to the other switching elements Q2 to Q4.
本実施形態で使用しているスイッチング素子Q1とスイッチング素子Q2の寄生ダイオードの逆回復時間(trr)は、スイッチング素子Q3とスイッチング素子Q4の寄生ダイオードの逆回復時間よりも相対的に小さい。これは、スイッチング素子Q1とスイッチング素子Q2は後述する力率改善動作時に寄生ダイオードに逆回復電流が発生してしまうため、スイッチング素子Q1とQ2はスイッチング素子Q3とQ4に対して相対的に寄生ダイオードの逆回復時間の小さい素子を使用することでスイッチング損失を低減するためである。 The reverse recovery time (trr) of the parasitic diodes of the switching elements Q1 and Q2 used in this embodiment is relatively smaller than the reverse recovery time of the parasitic diodes of the switching elements Q3 and Q4. This is because the switching element Q1 and the switching element Q2 generate a reverse recovery current in the parasitic diode during the power factor correction operation described later, so that the switching elements Q1 and Q2 are relatively parasitic diodes with respect to the switching elements Q3 and Q4. This is because switching loss is reduced by using an element having a short reverse recovery time.
図1に示すように、ブリッジ回路10は、スイッチング素子Q1,Q2が直列接続されてなる第1レグJ1と、スイッチング素子Q3,Q4が直列接続されてなる第2レグJ2と、が並列接続された構成になっている。
第1レグJ1において、スイッチング素子Q1のソースと、スイッチング素子Q2のドレインと、が接続され、その接続点N1は、配線haを介して交流電源Gに接続されている。なお、配線haは、その一端が交流電源Gに接続され、他端が前述した接続点N1に接続されている。
As shown in FIG. 1, in the
In the first leg J1, the source of the switching element Q1 and the drain of the switching element Q2 are connected, and the connection point N1 is connected to the AC power supply G via the wiring ha. The wiring ha has one end connected to the AC power supply G and the other end connected to the connection point N1 described above.
第2レグJ2において、スイッチング素子Q3のソースと、スイッチング素子Q4のドレインとが接続され、その接続点N2は、配線hbを介して交流電源Gに接続されている。なお、配線hbは、その一端が交流電源Gに接続され、他端が前述した接続点N2に接続されている。 In the second leg J2, the source of the switching element Q3 and the drain of the switching element Q4 are connected, and the connection point N2 thereof is connected to the AC power supply G via the wiring hb. The wiring hb has one end connected to the AC power supply G and the other end connected to the connection point N2 described above.
スイッチング素子Q1のドレインと、スイッチング素子Q3のドレインと、は互いに接続され、その接続点N3は、配線hcを介して負荷Hに接続されている。なお、配線hcは、その一端が負荷Hに接続され、他端が前述した接続点N3に接続されている。
スイッチング素子Q2のソースと、スイッチング素子Q4のソースと、は互いに接続され、その接続点N4は、配線hdを介して負荷Hに接続されている。なお、配線hdは、その一端がスイッチング素子Q2,Q4のソースに接続され、他端が負荷Hに接続されている。
The drain of the switching element Q1 and the drain of the switching element Q3 are connected to each other, and the connection point N3 thereof is connected to the load H via the wiring hc. The wiring hc has one end connected to the load H and the other end connected to the connection point N3 described above.
The source of the switching element Q2 and the source of the switching element Q4 are connected to each other, and the connection point N4 thereof is connected to the load H via the wiring hd. The wiring hd has one end connected to the sources of the switching elements Q2 and Q4 and the other end connected to the load H.
リアクトルL1は、交流電源Gから供給される電力をエネルギとして蓄え、このエネルギを放出することで昇圧や力率の改善を行うものである。リアクトルL1は、交流電源Gとブリッジ回路10とを接続する配線haに設けられている。
平滑コンデンサC1は、ブリッジ回路10から印加される電圧を平滑化して直流電圧にするものであり、配線hc,hdを介してブリッジ回路10の出力側に接続されている。また、平滑コンデンサC1は、その正極が配線hcを介してスイッチング素子Q1,Q3のドレインに接続され、負極が配線hdを介してスイッチング素子Q2,Q4のソースに接続されている。
The reactor L1 stores the electric power supplied from the AC power source G as energy, and discharges this energy to perform boosting or improve the power factor. The reactor L1 is provided on the wiring ha that connects the AC power supply G and the
The smoothing capacitor C1 smoothes the voltage applied from the
電流検出部11は、ブリッジ回路10に流れる電流を実効値(平均電流)として検出するものであり、配線hbに設けられている。電流検出部11として、例えば、カレントトランスを用いることができる。交流電圧検出部12は、交流電源Gから印加される交流電源電圧vs(瞬時値)を検出するものであり、配線ha,hbに接続されている。
直流電圧検出部13は、平滑コンデンサC1の直流電圧Vdを検出するものであり、その正側が配線hcに接続され、負側が配線hdに接続されている。なお、直流電圧検出部13の検出値は、負荷Hに印加される電圧値が所定の目標値に達しているか否かの判定に用いられる。
The
The DC
負荷検出部14は、負荷Hに供給される電流すなわち負荷電流を検出するものであり、この負荷Hに設置されている。負荷検出部14として、例えば、シャント抵抗器を用いることができる。なお、負荷Hがモータである場合、負荷検出部14によってモータ電流を検出し、回転速度を推定するようにしてもよい。
シャント抵抗器R1は、配線hdを介して回路を流れる電流の瞬時値(瞬時電流)を検出するものであり、この配線hdに設けられている。
The
The shunt resistor R1 detects an instantaneous value (instantaneous current) of a current flowing through the circuit via the wiring hd, and is provided on the wiring hd.
制御部15は、例えば、マイコン(Microcomputer:図示せず)であり、ROM(Read Only Memory)に記憶されたプログラムを読み出してRAM(Random Access Memory)に展開し、CPU(Central Processing Unit)が各種処理を実行するようになっている。図1において制御部15の内部は、このプログラム等によって実現される機能を示している。
すなわち、図1に示すように、制御部15は、ゼロクロス判定部15aと、昇圧比制御部15bと、ゲイン制御部15cと、コンバータ制御部15d(電流センサ)と、を備えている。制御部15は、これらによってスイッチング素子Q1〜Q4のオン/オフを制御する機能を実現する。
The
That is, as shown in FIG. 1, the
ゼロクロス判定部15aは、交流電圧検出部12の検出値に基づいて、交流電源電圧vsの正負が切り替わったか否か、すなわち、ゼロクロスタイミングに達したか否かを判定する。例えば、ゼロクロス判定部15aは、交流電源電圧vsが正の期間中にはコンバータ制御部15dに‘1’の信号を出力し、交流電源電圧vsが負の期間中にはコンバータ制御部15dに‘0’の信号を出力する。
昇圧比制御部15bは、電流検出部11の検出値に基づいて、直流電圧Vdの昇圧比を設定し、その昇圧比をゲイン制御部15cおよびコンバータ制御部15dに出力する機能を有している。
ゲイン制御部15cは、電流検出部11によって検出される回路電流isの実効値と、直流電圧Vdの昇圧比と、に基づいて、電流制御ゲインを設定する機能を有している。
The zero-
The
The
コンバータ制御部15dは、電流検出部11、直流電圧検出部13、シャント抵抗器R1、ゼロクロス判定部15a、昇圧比制御部15b、およびゲイン制御部15cから入力される情報に基づいて、スイッチング素子Q1〜Q4のオン/オフを制御する。なお、コンバータ制御部15dが実行する処理については後記する。
The
図2は、第1実施形態に係る電力変換装置1の、制御系統等のブロック図である。なお、図1に示した要素は、図2においては適宜省略している。
Rg1〜Rg4はスイッチング素子Q1〜Q4のゲートに接続されているゲート回路である。具体的には、ゲート回路Rg1〜Rg4は、抵抗、コンデンサ、インダクタなどの受動素子やダイオード等の半導体で構成される。
FIG. 2 is a block diagram of a control system and the like of the
Rg1 to Rg4 are gate circuits connected to the gates of the switching elements Q1 to Q4. Specifically, the gate circuits Rg1 to Rg4 are composed of passive elements such as resistors, capacitors, and inductors, and semiconductors such as diodes.
IC1,IC2はスイッチング素子Q1〜Q4を駆動するための駆動回路であり、内部に集積回路を有している。駆動回路IC1,IC2は、ハイサイドの素子を駆動するために内部にレベルシフト回路を有している。駆動回路IC1(第1の駆動回路)は内部に過電流保護回路を有しているが、駆動回路IC2(第2の駆動回路)には、過電流保護回路は省略されており、その分、駆動回路IC2を安価に構成することができる。 IC1 and IC2 are drive circuits for driving the switching elements Q1 to Q4, and have an integrated circuit inside. Each of the drive circuits IC1 and IC2 has a level shift circuit inside for driving the high-side element. The drive circuit IC1 (first drive circuit) has an overcurrent protection circuit therein, but the drive circuit IC2 (second drive circuit) does not include the overcurrent protection circuit. The drive circuit IC2 can be constructed at low cost.
VccはIC1とIC2の駆動電源電圧の接続端子である。HINはコンバータ制御部15dの出力ポートP1,P5に接続されており、コンバータ制御部15dから信号が入力されるとHO端子からハイサイドのスイッチング素子Q1、Q3を駆動するための駆動信号が出力される。同様にLINはコンバータ制御部15dの出力ポートP2,P6に接続されており、コンバータ制御部15dから信号が入力されるとLO端子からローサイドのスイッチング素子Q2、Q4を駆動するための駆動信号が出力される。
Vcc is a connection terminal for driving power supply voltage of IC1 and IC2. HIN is connected to the output ports P1 and P5 of the
駆動回路IC1,IC2のVs端子は、接続点N1、N2にそれぞれ接続されている。GND端子は平滑コンデンサC1の負極側の配線hd上の接続点N5に接続されている。ITrip端子はスイッチング素子Q2、Q4のドレインと同電位である接続点N6に接続されている。Fault端子は接続点N7を介してコンバータ制御部15dの入力ポートP4に接続されている。シャント抵抗器R1はコンバータ制御部15dの入力ポートP3に接続されている。
The Vs terminals of the drive circuits IC1 and IC2 are connected to the connection points N1 and N2, respectively. The GND terminal is connected to the connection point N5 on the wiring hd on the negative electrode side of the smoothing capacitor C1. The Itrip terminal is connected to a connection point N6 that has the same potential as the drains of the switching elements Q2 and Q4. The Fault terminal is connected to the input port P4 of the
ここで、駆動回路IC1の保護回路の動作について説明する。シャント抵抗器R1に電流が接続点N4からN5の向きに電流が流れた場合、IC1のGND端子を基準にITrip端子には電圧が発生する。このとき、シャント抵抗器R1に過電流が通流して、ITrip端子に発生する電圧が所定値を超えた場合、IC1内の駆動回路がHIN、LIN側からの入力信号を遮断することで、スイッチング素子Q1とQ2を強制的にオフさせる。それと同時に、Fault端子からコンバータ制御部15dのポートP4へ0Vを出力する。通常、この保護動作を行っていないときは、Fault端子からは電圧レベルVccの信号が出力され続けている。
Here, the operation of the protection circuit of the drive circuit IC1 will be described. When a current flows through the shunt resistor R1 in the direction from the connection point N4 to the connection point N5, a voltage is generated at the I Trip terminal with reference to the GND terminal of the
D5はダイオードであり、アノードはIC2のHIN端子に接続されており、カソードは接続点N7を介してIC1のFault端子とコンバータ制御部15dのポートP4に接続されている。D6もダイオードであり、アノードはIC2のLIN端子に接続されており、カソードはダイオードD5のカソードと接続されており、接続点N7を介してIC1のFault端子とコンバータ制御部15dのポートP4に接続されている。
D5 is a diode, the anode is connected to the HIN terminal of IC2, and the cathode is connected to the Fault terminal of IC1 and the port P4 of the
<電力変換装置の制御モード>
次に、負荷の大きさ(例えば、電流検出部11の検出値)に基づいて切り替えられる制御モードについて説明する。前述した制御モードには、「ダイオード整流制御」、「同期整流制御」、「部分スイッチング制御」、および「高速スイッチング制御」が含まれる。
<Control mode of power converter>
Next, the control mode that is switched based on the magnitude of the load (for example, the detection value of the current detection unit 11) will be described. The control modes described above include “diode rectification control”, “synchronous rectification control”, “partial switching control”, and “fast switching control”.
(1.ダイオード整流制御)
ダイオード整流制御は、4つの寄生ダイオードD1〜D4を用いて全波整流を行う制御モードである。ダイオード整流制御は、例えば、負荷の大きさが比較的小さいときに実行されるが、これに限定されるものではない。
(1. Diode rectification control)
The diode rectification control is a control mode in which full-wave rectification is performed using the four parasitic diodes D1 to D4. The diode rectification control is executed, for example, when the magnitude of the load is relatively small, but is not limited to this.
図3は、ダイオード整流制御における交流電源電圧vs、回路電流is、およびスイッチング素子Q1〜Q4の駆動パルスの時間的変化を示す波形図である。
なお、図3(a)は、交流電源電圧vs(瞬時値)の波形であり、図3(b)は、回路電流is(瞬時値)の波形である。図3(c)〜(f)は、スイッチング素子Q1〜Q4の駆動パルスである。
図3(c)〜(f)に示すように、コンバータ制御部15dは、スイッチング素子Q1〜Q4の全てをオフ状態に維持することで、次に説明するように、寄生ダイオードD1〜D4を介して回路電流isを流す。
FIG. 3 is a waveform diagram showing a temporal change of the AC power supply voltage vs, the circuit current is, and the drive pulse of the switching elements Q1 to Q4 in the diode rectification control.
3A shows the waveform of the AC power supply voltage vs (instantaneous value), and FIG. 3B shows the waveform of the circuit current is (instantaneous value). 3C to 3F show drive pulses for the switching elements Q1 to Q4.
As shown in FIGS. 3(c) to 3(f), the
図4は、ダイオード整流制御において、交流電源電圧vsが正の半サイクルに含まれるときの回路電流isの流れを示す説明図である。交流電源電圧vsが正の半サイクルの期間では、図4の破線矢印で示すように、交流電源G→リアクトルL1→寄生ダイオードD1→平滑コンデンサC1→シャント抵抗器R1→寄生ダイオードD4→交流電源Gの順に回路電流isが流れる。 FIG. 4 is an explanatory diagram showing the flow of the circuit current is when the AC power supply voltage vs is included in the positive half cycle in the diode rectification control. In the period of the positive half cycle of the AC power supply voltage vs, as shown by the broken line arrow in FIG. 4, the AC power supply G→reactor L1→parasitic diode D1→smoothing capacitor C1→shunt resistor R1→parasitic diode D4→AC power supply G The circuit current is flows in the order of.
また、交流電源電圧vsが負の半サイクルの期間では、図示はしないが、交流電源G→寄生ダイオードD3→平滑コンデンサC1→シャント抵抗器R1→寄生ダイオードD2→リアクトルL1→交流電源Gの順に回路電流isが流れる。なお、回路電流isの波形は、図3(b)に示す通りである。
このようなダイオード整流制御を低負荷時に行うことにより、スイッチング素子Q1〜Q4におけるスイッチング損失を低減できる。
Further, during a period of a negative half cycle of the AC power supply voltage vs, although not shown, the circuit is in the order of AC power supply G→parasitic diode D3→smoothing capacitor C1→shunt resistor R1→parasitic diode D2→reactor L1→AC power supply G. The current is flows. The waveform of the circuit current is is as shown in FIG.
By performing such diode rectification control when the load is low, the switching loss in the switching elements Q1 to Q4 can be reduced.
(2.同期整流制御)
同期整流制御は、平滑コンデンサC1を介した電流経路に含まれるスイッチング素子のうち、平滑コンデンサC1の正極に接続されているスイッチング素子を、ブリッジ回路10に電流が流れている期間の少なくとも一部でオン状態とし、上述した電流経路に含まれないスイッチング素子をオフ状態に維持する制御モードである。
(2. Synchronous rectification control)
In the synchronous rectification control, among the switching elements included in the current path through the smoothing capacitor C1, the switching element connected to the positive electrode of the smoothing capacitor C1 is used for at least a part of the period when the current is flowing in the
図5は、同期整流制御において、交流電源電圧vsが正の半サイクルに含まれるときの電流の流れを示す説明図である。交流電源電圧vsが正の半サイクルの期間では、図5の破線矢印で示すように、交流電源G→リアクトルL1→スイッチング素子Q1→平滑コンデンサC1→シャント抵抗器R1→スイッチング素子Q4→交流電源Gの電流経路において回路電流isが流れる。 FIG. 5 is an explanatory diagram showing a current flow when the AC power supply voltage vs is included in a positive half cycle in the synchronous rectification control. During a period of a positive half cycle of the AC power supply voltage vs, as shown by a broken line arrow in FIG. 5, the AC power supply G→reactor L1→switching element Q1→smoothing capacitor C1→shunt resistor R1→switching element Q4→AC power supply G The circuit current is flows in the current path of.
また、交流電源電圧vsが負の半サイクルの期間では、図示はしないが、交流電源G→スイッチング素子Q3→平滑コンデンサC1→シャント抵抗器R1→スイッチング素子Q2→リアクトルL1→交流電源Gの電流経路において回路電流isが流れる。
このように同期整流制御では、電源電圧の極性に同期させてスイッチング素子Q1〜Q4をスイッチング制御することで、損失の小さいオン抵抗の部分に積極的に電流を流し、寄生ダイオードD1〜D4には、ほとんど電流を流さないようにしている。これによって、スイッチング素子での導通損失を低減できるため高効率に電力変換を行うことができる。また、後記する部分スイッチング制御や高速スイッチング制御と比較して、同期整流制御では力率改善動作を行わない。従って、適度な力率を保ちながらもスイッチング損失を低減できるため、高効率で電力変換を行うことができる。
Although not shown, the AC power supply G→switching element Q3→smoothing capacitor C1→shunt resistor R1→switching element Q2→reactor L1→AC power supply G current path (not shown) during a period of a negative half cycle of the AC power supply voltage vs. At, the circuit current is flows.
As described above, in the synchronous rectification control, the switching elements Q1 to Q4 are switching-controlled in synchronism with the polarity of the power supply voltage, so that the current is positively flowed to the on-resistance portion with a small loss, and the parasitic diodes D1 to D4 are supplied. , I try not to pass almost any current. As a result, conduction loss in the switching element can be reduced, so that power conversion can be performed with high efficiency. Further, compared with partial switching control and high-speed switching control, which will be described later, the synchronous rectification control does not perform the power factor improving operation. Therefore, switching loss can be reduced while maintaining an appropriate power factor, and power conversion can be performed with high efficiency.
図6は、同期整流制御における交流電源電圧vs、回路電流is、シャント抵抗器R1に流れる電流ish、およびスイッチング素子Q1〜Q4の駆動パルスの時間的変化を示す説明図である。
同期整流制御において、コンバータ制御部15dは、回路電流isに同期させて、スイッチング素子Q1〜Q4のオン/オフを切り替える。交流電源電圧vsが正の半サイクルの区間を例にして説明する。交流電源電圧のゼロクロスは、交流電圧検出部12とゼロクロス判定部15aによって検出する。図6(a),(b)に示すように、交流電源電圧のゼロクロスから一定時間経過後、回路電流isが流れ始める。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing temporal changes of the AC power supply voltage vs, the circuit current is, the current ish flowing through the shunt resistor R1, and the drive pulses of the switching elements Q1 to Q4 in the synchronous rectification control.
In the synchronous rectification control, the
さらに詳細に波形を検討すると、回路電流isが流れ始めるのは、交流電源電圧vsが増大していき、直流電圧Vdと等しくなった後、さらに時間dt1が経過したタイミングである。そして、直流電圧Vdが交流電圧と再び等しくなった後、さらに時間dt2経過後に回路電流がゼロになる。すなわち、交流電源電圧vsに対して直流電圧Vdが小さいときに電流が流れ、反対に交流電源電圧vsに対して直流電圧Vdが大きい場合には回路電流isは流れない。但し、実際には、前述のように時間遅れdt1、dt2が発生する。これらの現象は、リアクトルL1によって時間的遅れが発生するためである。なお、時間dt2は、以下の(数式1)で表される。 When the waveform is examined in more detail, the circuit current is starts to flow at the timing when the time dt1 further elapses after the alternating-current power supply voltage vs increases and becomes equal to the direct-current voltage Vd. Then, after the DC voltage Vd becomes equal to the AC voltage again, the circuit current becomes zero after a further lapse of time dt2. That is, a current flows when the DC voltage Vd is smaller than the AC power supply voltage vs. On the contrary, when the DC voltage Vd is larger than the AC power supply voltage vs, the circuit current is does not flow. However, in reality, the time delays dt1 and dt2 occur as described above. These phenomena are due to the time delay caused by the reactor L1. The time dt2 is represented by the following (Formula 1).
交流電源電圧vsが正の極性の場合、コンバータ制御部15dは、ゼロクロスのタイミングで、まずスイッチング素子Q1のゲートに駆動パルスを入力し、スイッチング素子Q1をオン状態にする。その後、回路電流is>0となり、所定のタイミングでスイッチング素子Q4のゲートに駆動パルスを入力し、スイッチング素子Q4をオン状態にする。次に、このスイッチング素子Q4の駆動方法を説明する。
When the AC power supply voltage vs has a positive polarity, the
スイッチング素子Q4をオン/オフさせるタイミングは、シャント抵抗器R1で検出した電流ish(以下、シャント電流と呼ぶ)の検出値によって判定する。
コンバータ制御部15dには、二つの電流判定値すなわち判定値a(第1の判定閾値)と判定値b(第2の判定閾値)とが予め記憶されている。図6に示すように、シャント電流ishが判定値a以上となったタイミングでコンバータ制御部15dはスイッチング素子Q4に駆動パルスを入力して、スイッチング素子Q4をオン状態にする。その後、回路電流が判定値b以下になったタイミングで、コンバータ制御部15dはスイッチング素子Q4をオフさせる。
The timing for turning on/off the switching element Q4 is determined by the detection value of the current ish (hereinafter referred to as shunt current) detected by the shunt resistor R1.
Two current determination values, that is, a determination value a (first determination threshold value) and a determination value b (second determination threshold value) are stored in the
このように、本実施形態の電力変換装置1は、同期整流を行ううえでスイッチング素子Q1とQ4をオンさせるタイミングをずらしている。すなわち、交流電源電圧vsが正の極性の場合は、スイッチング素子Q1をオンさせてから所定時間経過後にスイッチング素子Q4をオンさせている。これは、平滑コンデンサC1、すなわち直流電圧側から交流電源への電流の逆流を防ぐためである。
As described above, in the
例えば、交流電源電圧vs<直流電圧Vdの領域でスイッチング素子Q1とQ4が共にオン状態であると、平滑コンデンサC1→スイッチング素子Q1→リアクトルL1→交流電源G→スイッチング素子Q4→平滑コンデンサC1という電流逆流のループが発生してしまう。さらに、交流電源電圧vs>直流電圧Vdかつ回路電流is=0の領域(図6(a)の時間dt1の領域)でスイッチング素子Q1とスイッチング素子Q4がオン状態になった場合も、回路電流isが通流していないため、前述の逆流ループで平滑コンデンサC1から交流電源Gへ逆流電流が発生してしまう。そのため、本実施形態ではスイッチング素子Q1とスイッチング素子Q4が共にオン状態にするのは、交流電源電圧vs>直流電圧Vdかつ回路電流is>0の領域としている。 For example, when the switching elements Q1 and Q4 are both in the ON state in the region of AC power supply voltage vs<DC voltage Vd, a current of smoothing capacitor C1→switching element Q1→reactor L1→AC power supply G→switching element Q4→smoothing capacitor C1. A backflow loop will occur. Further, when the switching element Q1 and the switching element Q4 are turned on in the region where the AC power supply voltage vs> the DC voltage Vd and the circuit current is=0 (the region at the time dt1 in FIG. 6A), the circuit current is Is not flowing, a backflow current is generated from the smoothing capacitor C1 to the AC power supply G in the above-described backflow loop. Therefore, in the present embodiment, both the switching element Q1 and the switching element Q4 are turned on in the region of AC power supply voltage vs>DC voltage Vd and circuit current is>0.
さらに詳細に説明すると、本実施形態の電力変換装置1では、交流電源電圧のゼロクロス検出後、まずQ1をオンさせ、交流電圧vs>直流電圧Vdかつis>0となり、特定のタイミング(シャント電流ishまたは回路電流isが前述の判定値a以上となったとき)でQ4をオンさせている。すなわち、交流電源電圧vsが正の極性の領域においては、スイッチング素子Q4→Q1の順でオンさせて同期整流を行っている。
前述のようにスイッチング素子Q1とQ4のスイッチングのタイミングを誤ると回路に逆流電流が発生してしまう。これを防ぐためにスイッチング素子Q1とQ4をオンさせるタイミングをずらすが、ここでスイッチング素子Q1とQ4の何れを先にオンさせるかが問題となる。
More specifically, in the
As described above, if the switching timings of the switching elements Q1 and Q4 are incorrect, a reverse current will be generated in the circuit. In order to prevent this, the timings at which the switching elements Q1 and Q4 are turned on are shifted, but there is a problem here which of the switching elements Q1 and Q4 is turned on first.
図7を参照して、その問題を説明する。なお、図7は、スイッチング素子Q1とQ4のドレイン逆電流と寄生ダイオードの飽和電圧の関係を示した特性図である。
ここで、ドレイン逆電流とは、スイッチング素子のソースからドレインの向きに流れる電流を意味している。寄生ダイオード飽和電圧とは、ドレイン逆電流が寄生ダイオードに通流した場合に寄生ダイオードで発生する電圧降下を意味している。
前述のようにスイッチング素子Q1の寄生ダイオードD1の逆回復時間はスイッチング素子Q4の寄生ダイオードD4の逆回復時間に対して相対的に小さい。そして、それぞれの寄生ダイオードの飽和電圧は図7のような関係になる。
The problem will be described with reference to FIG. 7. FIG. 7 is a characteristic diagram showing the relationship between the drain reverse currents of the switching elements Q1 and Q4 and the saturation voltage of the parasitic diode.
Here, the drain reverse current means a current flowing from the source to the drain of the switching element. The parasitic diode saturation voltage means a voltage drop generated in the parasitic diode when a reverse drain current flows through the parasitic diode.
As described above, the reverse recovery time of the parasitic diode D1 of the switching element Q1 is relatively smaller than the reverse recovery time of the parasitic diode D4 of the switching element Q4. The saturation voltage of each parasitic diode has the relationship shown in FIG.
ドレイン逆電流が「小」の領域では寄生ダイオードの飽和電圧はほとんど変わらないが、ドレイン逆電流が「中」または「大」の領域では、スイッチング素子Q4の寄生ダイオードの飽和電圧に対してスイッチング素子Q1の寄生ダイオードの飽和電圧は大きくなっている。これは、電流が大きくなるほど寄生ダイオードで発生する導通損失は、スイッチング素子Q4(寄生ダイオードD4)に対してスイッチング素子Q1(寄生ダイオードD1)の方が大きいことを意味している。なお、図7のグラフにおいて、ドレイン逆電流「小」の領域は電力変換装置1を備えた機器が通常使用しないような軽負荷の領域であり、ドレイン逆電流「中」の領域は電力変換装置1を備えた機器が通常運転動作で使用する領域であり、ドレイン逆電流「大」の領域は電力変換装置1を備えた機器が過負荷動作で使用する領域を意味している。
In the region where the drain reverse current is “small”, the saturation voltage of the parasitic diode hardly changes, but in the region where the drain reverse current is “medium” or “large”, the switching voltage is higher than the saturation voltage of the parasitic diode of the switching element Q4. The saturation voltage of the parasitic diode of Q1 is high. This means that as the current increases, the conduction loss generated in the parasitic diode is larger in the switching element Q1 (parasitic diode D1) than in the switching element Q4 (parasitic diode D4). In the graph of FIG. 7, the drain reverse current “small” region is a light load region that is not normally used by the device including the
図6に戻り、回路電流isが流れ始めてからスイッチング素子Q4がオンするまでの時間dt3の区間では、スイッチング素子Q1はオン状態になる。これにより、スイッチング素子Q1において、回路電流isは、損失の小さいオン抵抗の部分に流れる。一方、スイッチング素子Q4はオフ状態になるため、回路電流isは寄生ダイオードD4に流れる。すなわち、時間dt3で発生する損失(面積Sの部分)は、スイッチング素子Q1のオン抵抗で発生する通流損と、スイッチング素子Q4の寄生ダイオードで発生する通流損の合計値となる。 Returning to FIG. 6, the switching element Q1 is in the ON state in a section of time dt3 from when the circuit current is starts to flow to when the switching element Q4 is turned on. As a result, in the switching element Q1, the circuit current is flows in the on-resistance portion where the loss is small. On the other hand, since the switching element Q4 is turned off, the circuit current is flows through the parasitic diode D4. That is, the loss (portion of area S) generated at time dt3 is the total value of the conduction loss generated by the ON resistance of the switching element Q1 and the conduction loss generated by the parasitic diode of the switching element Q4.
仮に、交流電源電圧vsのゼロクロス検出後、スイッチング素子Q4を先にオン状態とし、回路電流is、シャント電流ishが判定値aに達したところでスイッチング素子Q1をオン状態にする、という順番で駆動した、場合の動作を検討する。
この場合、面積Sの領域での損失は、スイッチング素子Q4のオン抵抗の部分と、スイッチング素子Q1の寄生ダイオードでの通流損の合計である。前述したように、スイッチング素子Q1の寄生ダイオードの通流損はスイッチング素子Q4の寄生ダイオードの通流損よりも大きい。そのため、スイッチング素子Q1→Q4の順にスイッチングした場合と比較して面積Sの部分での損失が大きくなってしまう。
It is assumed that after the zero-cross detection of the AC power supply voltage vs, the switching element Q4 is turned on first and the switching element Q1 is turned on when the circuit current is and the shunt current ish reach the judgment value a. , Consider the behavior in the case.
In this case, the loss in the area of the area S is the total of the conduction loss in the ON resistance portion of the switching element Q4 and the parasitic diode of the switching element Q1. As described above, the conduction loss of the parasitic diode of the switching element Q1 is larger than the conduction loss of the parasitic diode of the switching element Q4. Therefore, the loss in the area S increases as compared with the case where switching is performed in the order of the switching elements Q1→Q4.
このような理由により、本実施形態では、同期整流制御時に発生する導通損をなるべく抑えるために、交流電源電圧vsが正の極性時には、スイッチング素子Q1→Q4の順にオンさせている。交流電源電圧が負の極性の場合においても同様に、スイッチング素子Q2→Q3の順にスイッチングすることで、同期整流制御時の導通損をなるべく抑えることができ、高効率駆動が可能となる。 For this reason, in the present embodiment, in order to suppress conduction loss that occurs during synchronous rectification control as much as possible, when the AC power supply voltage vs has a positive polarity, the switching elements Q1→Q4 are turned on in this order. Similarly, even when the AC power supply voltage has a negative polarity, switching is performed in the order of the switching elements Q2→Q3, so that conduction loss during synchronous rectification control can be suppressed as much as possible, and high-efficiency driving can be performed.
交流電源電圧vsが正の半サイクルの期間であってスイッチング素子Q1,Q4が共にオン状態であれば、図5の破線矢印で示すように、交流電源G→リアクトルL1→スイッチング素子Q1→平滑コンデンサC1→シャント抵抗器R1→スイッチング素子Q4→交流電源Gの電流経路において回路電流isが流れる。このとき、スイッチング素子Q2,Q3は、オフ状態に維持される(図6(e),(f)参照)。また、前述したように、図6の面積Sの領域において、スイッチング素子Q4に関して回路電流isは寄生ダイオードD4に流れる。 When the AC power supply voltage vs is in the positive half cycle and the switching elements Q1 and Q4 are both in the ON state, the AC power supply G→reactor L1→switching element Q1→smoothing capacitor as shown by the broken line arrow in FIG. The circuit current is flows in the current path of C1→shunt resistor R1→switching element Q4→AC power supply G. At this time, the switching elements Q2 and Q3 are maintained in the off state (see FIGS. 6(e) and 6(f)). Further, as described above, in the area of the area S of FIG. 6, the circuit current is flows through the parasitic diode D4 with respect to the switching element Q4.
また、前述のように交流電源電圧vsが負の半サイクルの期間では、スイッチング素子Q2,Q3が共にオン状態であれば、図示は省略するが、交流電源G→スイッチング素子Q3→平滑コンデンサC1→シャント抵抗器R1→スイッチング素子Q2→リアクトルL1→交流電源Gの電流経路において回路電流isが流れる。このとき、スイッチング素子Q1,Q4は、オフ状態に維持される(図6(d),(g)参照)。また、前述したように、図6の面積Sの領域において、スイッチング素子Q3に関して回路電流isは寄生ダイオードD3に流れる。 Further, as described above, during the period of the negative half cycle of the AC power supply voltage vs, if both the switching elements Q2 and Q3 are in the ON state, although not shown, the AC power supply G→the switching element Q3→the smoothing capacitor C1→ The circuit current is flows in the current path of the shunt resistor R1→switching element Q2→reactor L1→AC power supply G. At this time, the switching elements Q1 and Q4 are maintained in the off state (see FIGS. 6D and 6G). Further, as described above, in the area of the area S in FIG. 6, the circuit current is flows through the parasitic diode D3 with respect to the switching element Q3.
このように、本実施形態においては、スイッチング素子Q3,Q4は、スイッチング素子Q1,Q2とは特性の異なる素子を使用している。これにより、スイッチング素子Q1,Q2の寄生ダイオードの逆回復時間は、スイッチング素子Q3,Q4の寄生ダイオードの逆回復時間よりも相対的に短い。
そして、スイッチング素子Q1,Q2の寄生ダイオードの飽和電圧Vfは、スイッチング素子Q3,Q4の寄生ダイオードの飽和電圧Vfよりも相対的に高い。さらに、同期整流制御時のスイッチング素子のオンの順番として、ゼロクロス検出後にリアクトルL1に接続されている側のスイッチング素子、すなわち寄生ダイオードの飽和電圧Vfが高い素子スイッチング素子Q1,Q2を先にオン状態にし、その後シャント電流ish(若しくは回路電流is)が判定値aに到達したらリアクトルに接続されていない側のスイッチング素子、すなわち寄生ダイオードの飽和電圧が低い側のスイッチング素子Q3,Q4をオン状態にする。
As described above, in the present embodiment, the switching elements Q3 and Q4 use elements having characteristics different from those of the switching elements Q1 and Q2. As a result, the reverse recovery time of the parasitic diodes of the switching elements Q1 and Q2 is relatively shorter than the reverse recovery time of the parasitic diodes of the switching elements Q3 and Q4.
The saturation voltage Vf of the parasitic diode of the switching elements Q1 and Q2 is relatively higher than the saturation voltage Vf of the parasitic diode of the switching elements Q3 and Q4. Further, as the turn-on order of the switching elements during the synchronous rectification control, the switching elements on the side connected to the reactor L1 after the zero-cross detection, that is, the element switching elements Q1 and Q2 having a high saturation voltage Vf of the parasitic diode are turned on first. After that, when the shunt current ish (or circuit current is) reaches the judgment value a, the switching elements on the side not connected to the reactor, that is, the switching elements Q3 and Q4 on the side where the saturation voltage of the parasitic diode is low are turned on. ..
また、本実施形態においては、同期整流制御を行うために、交流電源電圧vsが正から負に切り替わるゼロクロスタイミングでスイッチング素子Q1,Q2のオン/オフ状態を切り替えるが、その際にスイッチング素子Q1,Q2の上下短絡を防ぐために、スイッチング素子Q1,Q2の双方がオフ状態になるデッドタイムtdを設けている。
以上のように同期整流制御を行うことで、電力変換装置1を高効率に駆動することが可能となる。
Further, in the present embodiment, in order to perform the synchronous rectification control, the ON/OFF states of the switching elements Q1 and Q2 are switched at the zero-cross timing at which the AC power supply voltage vs switches from positive to negative. In order to prevent a short circuit between the top and bottom of Q2, a dead time td in which both the switching elements Q1 and Q2 are turned off is provided.
By performing the synchronous rectification control as described above, the
(3.部分スイッチング制御)
部分スイッチング制御は、スイッチング素子Q1〜Q4のうち、リアクトルL1に接続されている2つのスイッチング素子Q1,Q2を交互にオン/オフさせてリアクトルL1を短絡させる動作を所定回数行う制御モードである。このような制御により、電源力率の改善による高調波電流の低減と、直流電圧の昇圧を行うことができる。
(3. Partial switching control)
The partial switching control is a control mode in which, of the switching elements Q1 to Q4, two switching elements Q1 and Q2 connected to the reactor L1 are alternately turned on/off to short-circuit the reactor L1 a predetermined number of times. By such control, it is possible to reduce the harmonic current by boosting the power source power factor and boost the DC voltage.
図8は、部分スイッチング制御における交流電源電圧vs、回路電流is、シャント抵抗器R1に流れる電流ish、およびスイッチング素子Q1〜Q4の駆動パルスの時間的変化を示す説明図である。
なお、図8は、2ショットすなわち半周期あたり2回だけリアクトルL1を短絡させる場合の例である。
FIG. 8 is an explanatory diagram showing a temporal change of the AC power supply voltage vs, the circuit current is, the current ish flowing through the shunt resistor R1, and the drive pulse of the switching elements Q1 to Q4 in the partial switching control.
Note that FIG. 8 shows an example in which the reactor L1 is short-circuited only for two shots, that is, twice per half cycle.
図8(a)に示す交流電源電圧vsが正の半サイクルである期間に着目すると、コンバータ制御部15dは、スイッチング素子Q1,Q2を所定回数・所定パルス幅で交互にオン/オフする。すなわち、コンバータ制御部15dは、交流電源電圧vsの正・負が切り替わったゼロクロスタイミングの直後から、図8(d),(e)に示すように、スイッチング素子Q1,Q2を交互にオン/オフする動作を所定回数行う。また、図8(f),(g)に示すように、コンバータ制御部15dは、交流電源電圧vsの極性に同期して、スイッチング素子Q3,Q4のオン/オフ状態を設定する。
Focusing on the period in which the AC power supply voltage vs shown in FIG. 8A is a positive half cycle, the
以下では、部分スイッチング制御ついて、理解しやすく説明するために、部分スイッチング制御を「力率改善動作」と「同期整流動作」とに分けて説明する。
まず、「力率改善動作」とは、スイッチング素子Q1,Q2の双方を一時的にオン状態にすることで、リアクトルL1を介して力率改善電流isp(図8(b)参照)を流す動作である。
また、「同期整流動作」とは、交流電源電圧vsの極性に基づいてスイッチング素子Q1〜Q4を制御し、平滑コンデンサC1を介して回路電流isを流す動作である。なお、上述した同期整流制御(図5、図6参照)は、この「同期整流動作」を継続的に行う制御モードである。
In the following, in order to explain the partial switching control in an easy-to-understand manner, the partial switching control will be described separately for the “power factor correction operation” and the “synchronous rectification operation”.
First, the “power factor improving operation” is an operation in which both of the switching elements Q1 and Q2 are temporarily turned on to cause the power factor improving current isp (see FIG. 8B) to flow through the reactor L1. Is.
Further, the "synchronous rectification operation" is an operation of controlling the switching elements Q1 to Q4 based on the polarity of the AC power supply voltage vs and causing the circuit current is to flow through the smoothing capacitor C1. The synchronous rectification control described above (see FIGS. 5 and 6) is a control mode in which this “synchronous rectification operation” is continuously performed.
詳細については後記するが、部分スイッチング制御では、上述した「同期整流動作」と「力率改善動作」とが交互に所定回数行われる。
まず、「力率改善動作」について説明する。
例えば、交流電源電圧vsが正の半サイクルの期間においてコンバータ制御部15dは、スイッチング素子Q3をオフ状態に維持するとともに(図8(f)参照)、スイッチング素子Q4をオン状態に維持する(図8(g)参照)。
また、コンバータ制御部15dは、交流電源電圧vsのゼロクロス後から一定時間tdelの経過後、スイッチング素子Q2をオンにするとともに(図8(e)参照)、スイッチング素子Q1をオフにする(図8(d)参照)。このときに流れる力率改善電流ispの経路について、図9を参照して説明する。
As will be described later in detail, in the partial switching control, the above-mentioned “synchronous rectification operation” and “power factor correction operation” are alternately performed a predetermined number of times.
First, the "power factor improving operation" will be described.
For example, the
Further, the
図9は交流電源電圧vsが正の極性の半サイクルにおいて、力率改善動作を行ったときの電流の流れを示す説明図である。
交流電源電圧vsが正の極性のときに力率改善動作を行うと、図9の破線矢印で示すように、交流電源G→リアクトルL1→スイッチング素子Q2→スイッチング素子Q4→交流電源G、の短絡経路において、力率改善電流ispが流れる。なお、スイッチング素子Q4は後述する同期生流動作時を想定した場合であるため、短絡電流ispは寄生ダイオードD4ではなく、オン抵抗の部分に通流している。このときリアクトルL1には、以下の(数式2)で表されるエネルギが蓄えられる。なお、(数式2)に示すIspは、短絡電流ispの実効値である。
FIG. 9 is an explanatory diagram showing a current flow when a power factor correction operation is performed in a half cycle in which the AC power supply voltage vs has a positive polarity.
When the power factor correction operation is performed when the AC power supply voltage vs has a positive polarity, as shown by the broken line arrow in FIG. 9, the AC power supply G→reactor L1→switching element Q2→switching element Q4→AC power supply G is short-circuited. In the path, the power factor correction current isp flows. Since the switching element Q4 is assumed to be in a synchronous live current operation described later, the short-circuit current isp flows not to the parasitic diode D4 but to the on-resistance portion. At this time, the energy represented by the following (Formula 2) is stored in the reactor L1. Note that I sp shown in (Equation 2) is an effective value of the short-circuit current isp.
従って、電力変換装置1の力率を改善できるとともに、高調波電流を抑制できる。さらに、後述するようにオンしたスイッチング素子Q2をオフにしたタイミングで、数式2で表されたリアクトルL1に蓄えられたエネルギが平滑コンデンサC1にチャージされることで直流電圧Vdが昇圧される。
なお、交流電源電圧vsが負の極性である期間では、図示は省略するが、交流電源G→スイッチング素子Q3→スイッチング素子Q1→リアクトルL1→交流電源Gの短絡経路において、短絡電流isp(力率改善電流)が流れる。
Therefore, the power factor of the
In the period in which the AC power supply voltage vs has a negative polarity, although not shown, in the short-circuit path of the AC power supply G→switching element Q3→switching element Q1→reactor L1→AC power supply G, the short-circuit current isp (power factor Improvement current) flows.
次に、「同期整流動作」について説明する。
図8(e)に示すように、スイッチング素子Q2によって「力率改善動作」を行った後、コンバータ制御部15dは「同期整流動作」を行う。すなわち、コンバータ制御部15dは、スイッチング素子Q1をオフからオンに切り替えるとともに(図8(d)参照)、スイッチング素子Q2をオンからオフに切り替える(図8(e)参照)。なお、この区間、スイッチング素子Q3はオフ状態に維持される(図8(f)参照)。
Next, the “synchronous rectification operation” will be described.
As shown in FIG. 8E, after the "power factor correction operation" is performed by the switching element Q2, the
このように、スイッチング素子Q1とQ2のオン/オフ状態を相互に切り替えている理由は、力率改善動作と同期整流動作を切り替えているためである。例えば交流電源電圧vsが正の極性の場合、スイッチング素子Q1もスイッチング素子Q3と同様に常時オフ状態でスイッチング素子Q2のみオン/オフを行ったとすると、スイッチング素子オフ時には回路電流isはスイッチング素子Q1の寄生ダイオードD1を流れるため、高効率動作ができない。そのため、スイッチング素子Q2がオフのときはスイッチング素子Q1をオン状態にすることで同期整流動作を行い、高効率動作を行う。 The reason why the switching elements Q1 and Q2 are switched between the on/off states in this way is that the power factor correction operation and the synchronous rectification operation are switched. For example, if the alternating-current power supply voltage vs has a positive polarity, and the switching element Q1 is always off similarly to the switching element Q3 and only the switching element Q2 is turned on/off, the circuit current is of the switching element Q1 when the switching element is off. Since it flows through the parasitic diode D1, highly efficient operation cannot be performed. Therefore, when the switching element Q2 is off, the switching element Q1 is turned on to perform a synchronous rectification operation, thereby performing a highly efficient operation.
さらに、本実施形態では同期整流動作による効果を高めるために、部分スイッチング制御においてもリアクトルL1に接続されていない側のスイッチング素子Q3またはQ4をスイッチング制御している。
例えば交流電源電圧vsが正の極性の場合を例に説明する。この場合、前述のようにスイッチング素子Q3は常時オフ状態である。交流電源電圧のゼロクロス後、所定時間tdelが経過した後にスイッチング素子Q2がオンとなって力率改善動作を行い、力率改善電流が回路に通流する。その後、スイッチング素子Q4は上述した同期整流制御の場合と同様に、シャント電流ishの検出が判定値aを超えたタイミングでオン状態となり、その後判定値bを下回ったタイミングでスイッチング素子Q4はオフ状態となる。
このようにスイッチング素子Q4を制御することで、前述の同期整流動作の場合と同様に、部分スイッチング制御においても、スイッチング素子Q1とスイッチング素子Q4を用いて同期整流動作を行うため、高効率動作が可能である。
Further, in this embodiment, in order to enhance the effect of the synchronous rectification operation, the switching element Q3 or Q4 on the side not connected to the reactor L1 is also switching-controlled in the partial switching control.
For example, a case where the AC power supply voltage vs has a positive polarity will be described as an example. In this case, the switching element Q3 is always off as described above. After a predetermined time tdel has elapsed after the zero cross of the AC power supply voltage, the switching element Q2 is turned on to perform the power factor improving operation, and the power factor improving current flows through the circuit. After that, as in the case of the synchronous rectification control described above, the switching element Q4 is turned on at the timing when the detection of the shunt current ish exceeds the determination value a, and then the switching element Q4 is turned off at the timing when the detection value b is below the determination value b. Becomes
By controlling the switching element Q4 in this way, as in the case of the synchronous rectification operation described above, even in the partial switching control, the synchronous rectification operation is performed using the switching element Q1 and the switching element Q4. It is possible.
さらに、図8は2ショットの場合(力率改善動作を2回行った場合)を説明した図であるが、3ショット(力率改善動作を3回行う)、4ショット(力率改善動作4回行う)等、力率改善動作の回数を増やしてもよい。この場合、図8(g)に示すように2ショット目以降については、スイッチング素子Q4はオン状態を維持しているため、スイッチング素子Q2による力率改善動作中も、短絡電流ispは図9に示すようにスイッチング素子Q4の寄生ダイオードD4ではなく、オン抵抗の部分に流れるため、高効率動作が可能である。そして、「力率改善動作」と「同期整流動作」とを所定回数、交互に行った後、コンバータ制御部15dは、回路電流isが流れている区間において、スイッチング素子Q1とQ4をオン状態にしているため、スイッチング素子Q1とQ4の導通損失を低減できるため、高効率動作が可能である。
Further, FIG. 8 is a diagram for explaining the case of 2 shots (when the power factor improving operation is performed twice), but 3 shots (the power factor improving operation is performed 3 times) and 4 shots (power factor improving operation 4 It is also possible to increase the number of times of the power factor improving operation, such as (performing). In this case, as shown in FIG. 8(g), since the switching element Q4 remains in the ON state after the second shot, the short-circuit current isp is shown in FIG. 9 even during the power factor improving operation by the switching element Q2. As shown in the drawing, since the current flows not in the parasitic diode D4 of the switching element Q4 but in the ON resistance portion, high-efficiency operation is possible. Then, after alternately performing the "power factor correction operation" and the "synchronous rectification operation" a predetermined number of times, the
本実施形態では、シャント電流ish(若しくは回路電流is)として検出した電流値に応じてスイッチング素子Q4を用いて力率改善動作と同期整流動作を行うことで電力変換装置を高効率駆動している。換言すると、前述の同期整流制御も同様であるが、力率改善動作を行っていないとき(コンバータ動作オフのとき)は回路電流isがシャント抵抗器R1に流れる。すなわち、シャント抵抗器にて電流検出(シャント電流ishの検出)が可能となる。このようにコンバータオフ時に電流検出を行い、同期整流制御、同期整流動作を行うことで高効率駆動が可能となる。 In the present embodiment, the power conversion device is driven with high efficiency by performing the power factor correction operation and the synchronous rectification operation using the switching element Q4 according to the current value detected as the shunt current ish (or the circuit current is). .. In other words, the same applies to the synchronous rectification control described above, but when the power factor correction operation is not performed (when the converter operation is off), the circuit current is flows through the shunt resistor R1. That is, it becomes possible to detect the current (detect the shunt current ish) with the shunt resistor. As described above, current detection is performed when the converter is off, and synchronous rectification control and synchronous rectification operation are performed, so that highly efficient driving is possible.
なお、力率改善動作を行うためにスイッチング素子Q1,Q2のオン/オフを切り替える際には、所定のデッドタイムを設けている。これによってスイッチング素子Q1とQ2の上下短絡を防ぐことができる。
このようにスイッチング素子Q1〜Q4が制御されることで、リアクトルL1に蓄えられたエネルギが平滑コンデンサC1に放出され、平滑コンデンサC1の直流電圧が昇圧される。なお、同期整流動作における電流経路は、上述した同期整流モードにおける電流経路(図5の破線矢印を参照)と同様である。
A predetermined dead time is provided when switching the switching elements Q1 and Q2 on and off to perform the power factor improving operation. This can prevent the switching elements Q1 and Q2 from being short-circuited vertically.
By controlling the switching elements Q1 to Q4 in this way, the energy stored in the reactor L1 is released to the smoothing capacitor C1, and the DC voltage of the smoothing capacitor C1 is boosted. The current path in the synchronous rectification operation is the same as the current path in the synchronous rectification mode described above (see the dashed arrow in FIG. 5).
例えば、負荷Hがモータである場合、回転速度の上昇に伴ってモータの誘起電圧が高くなり、モータが駆動しにくくなることがある。これに対して、上述した「力率改善動作」および「同期整流動作」を交互に行って昇圧することにより、モータの回転速度の許容限度を高めることができる。
なお、図8(g)に示すように、スイッチング素子Q4を所定のタイミングで制御している理由は、同期整流による高効率動作を行う他、前述した平滑コンデンサC1から交流電源へ逆流電流が流れることを防止するためでもある。なお、スイッチング素子Q1,Q2を交互にオン/オフする際のタイミングや回数は、適宜設定できる。
For example, when the load H is a motor, the induced voltage of the motor increases as the rotation speed increases, and it may be difficult to drive the motor. On the other hand, the allowable limit of the rotation speed of the motor can be increased by alternately performing the "power factor correction operation" and the "synchronous rectification operation" described above to boost the voltage.
As shown in FIG. 8(g), the reason why the switching element Q4 is controlled at a predetermined timing is that a high-efficiency operation is performed by synchronous rectification, and a backflow current flows from the smoothing capacitor C1 to the AC power source. It is also to prevent that. The timing and the number of times when the switching elements Q1 and Q2 are alternately turned on/off can be set appropriately.
以上、交流電源電圧vsが正の極性の場合を例に挙げて説明したが、交流電源電圧vsが負の極性の場合についても同様に動作する。すなわち、図7に示すようにスイッチング素子Q1〜Q4をスイッチング制御することで、部分スイッチング制御を行う。
次に、部分スイッチング制御におけるスイッチング素子Q1〜Q4の駆動パルスの設定について、さらに詳しく説明する。
The case where the AC power supply voltage vs has a positive polarity has been described above as an example, but the same operation is performed when the AC power supply voltage vs has a negative polarity. That is, partial switching control is performed by performing switching control of the switching elements Q1 to Q4 as shown in FIG.
Next, setting of drive pulses for the switching elements Q1 to Q4 in the partial switching control will be described in more detail.
図10は、交流電源電圧vsが正の半サイクルにおける部分スイッチング制御の説明図である。
なお、図10(a)〜(e)の横軸は、時間である。図10(a)は、正の半サイクルにおける交流電源電圧vsを示す。図10(b)は、回路電流is、短絡電流isp、および正弦波状の理想電流である。図10(c),(d),(e)は、スイッチング素子Q2,Q4,Q1の駆動パルスである。図10(b)の「理想電流」に示すように、正弦波状の回路電流isが交流電源電圧vsに対して同相で流れることが理想的である。
FIG. 10 is an explanatory diagram of partial switching control in a half cycle in which the AC power supply voltage vs is positive.
The horizontal axis of FIGS. 10A to 10E is time. FIG. 10A shows the AC power supply voltage vs in the positive half cycle. FIG. 10B shows a circuit current is, a short-circuit current isp, and a sinusoidal ideal current. 10C, 10D, and 10E show drive pulses for the switching elements Q2, Q4, and Q1. As shown in the "ideal current" in FIG. 10B, it is ideal that the sinusoidal circuit current is flows in phase with the AC power supply voltage vs.
例えば、理想電流上の点P1(図10(b)参照)に関して、この点P1での傾きをdi(P1)/dtとおく。回路電流isがゼロの状態から、スイッチング素子Q2を時間ton1_Q2に亘ってオンする力率改善動作を行ったときの短絡電流ispの傾きをdi(ton1_Q2)/dtとおく。また、その後に時間toff1_Q2に亘ってオフして同期整流動作を行ったときの回路電流isの傾きをdi(toff1_Q2)/dtとおく。ここで、傾きdi(ton1_Q2)/dtと、傾きdi(toff1_Q2)/dtとの平均値が、点P1における傾きdi(P1)/dtと等しくなるようにスイッチング素子Q1,Q2のオン/オフが制御される。 For example, regarding the point P1 on the ideal current (see FIG. 10B), the slope at this point P1 is set to di(P1)/dt. The slope of the short-circuit current isp when the power factor improving operation for turning on the switching element Q2 for a time ton1_Q2 is performed from the state where the circuit current is is zero is set as di(ton1_Q2)/dt. Further, after that, the slope of the circuit current is when turning off for the time toff1_Q2 and performing the synchronous rectification operation is set to di(toff1_Q2)/dt. Here, the switching elements Q1 and Q2 are turned on/off so that the average value of the slope di(ton1_Q2)/dt and the slope di(toff1_Q2)/dt becomes equal to the slope di(P1)/dt at the point P1. Controlled.
また、点P1と同様に、点P2での電流の傾きをdi(P2)/dtとおく。そして、スイッチング素子Q2を時間ton2_Q2に亘ってオンする力率改善動作を行ったときの力率改善電流ispの傾きをdi(ton2_Q2)/dtとおく。また、その後に時間toff2_Q2に亘ってスイッチング素子Q2をオフしてスイッチング素子Q1をオン状態にして同期整流動作を行ったときの回路電流isの傾きをdi(toff2_Q2)/dtとおく。点P1の場合と同様に、傾きdi(ton2_Q2)/dtと、傾きdi(toff2_Q2)/dtと、の平均値が、点P2における傾きdi(P2)/dtと等しくなるようにスイッチング素子Q1,Q2のオン/オフが制御される。交流電源電圧vsが正の半周期において、このような処理が所定回数繰り返される。なお、スイッチング素子Q2のスイッチング回数が多いほど、回路電流isを理想的な正弦波状の波形に近づけることができるが、スイッチング損失と力率の両面を考慮してスイッチング回数を設定することが望ましい。 Further, similarly to the point P1, the slope of the current at the point P2 is set to di(P2)/dt. Then, the slope of the power factor improving current isp when the power factor improving operation of turning on the switching element Q2 for the time ton2_Q2 is performed is set to di(ton2_Q2)/dt. Further, after that, the gradient of the circuit current is when the switching element Q2 is turned off and the switching element Q1 is turned on to perform the synchronous rectification operation for the time toff2_Q2 is set to di(toff2_Q2)/dt. Similar to the case of the point P1, the switching element Q1, so that the average value of the slope di(ton2_Q2)/dt and the slope di(toff2_Q2)/dt becomes equal to the slope di(P2)/dt at the point P2. The on/off of Q2 is controlled. Such processing is repeated a predetermined number of times in a positive half cycle of the AC power supply voltage vs. It should be noted that the circuit current is can be made closer to an ideal sinusoidal waveform as the number of times of switching of the switching element Q2 is larger, but it is desirable to set the number of times of switching in consideration of both switching loss and power factor.
前述のように、スイッチング素子Q2がオフのときはスイッチング素子Q1をオン状態にして同期整流動作を行っているため高効率動作が可能である。スイッチング素子Q4に関しても、前述のように力率改善動作を行っていないとき、シャント電流ishの検出値が判定値aを超えたタイミングでスイッチング素子Q4をオン状態にすることで同期整流を行うことで高効率動作が可能である。また、図示はしていないが、スイッチング素子Q1,Q2のオン/オフを切り替える際は、平滑コンデンサC1の上下短絡を防止するために所定時間デッドタイムを設けている。
なお、交流電源電圧vsが負の極性の半サイクルについても、交流電源電圧vsが正の極性の場合と同様に、スイッチング素子Q1〜Q4の駆動パルスが設定される。これによって、力率改善動作と同期整流動作を行う。
As described above, when the switching element Q2 is off, the switching element Q1 is in the on state to perform the synchronous rectification operation, so that highly efficient operation is possible. As for the switching element Q4 as well, when the power factor improving operation is not performed as described above, synchronous rectification is performed by turning on the switching element Q4 at the timing when the detected value of the shunt current ish exceeds the determination value a. High efficiency operation is possible. Although not shown, when switching the switching elements Q1 and Q2 on and off, a predetermined time dead time is provided in order to prevent a vertical short circuit of the smoothing capacitor C1.
In the half cycle in which the AC power supply voltage vs has a negative polarity, the drive pulse for the switching elements Q1 to Q4 is set as in the case where the AC power supply voltage vs has a positive polarity. As a result, the power factor correction operation and the synchronous rectification operation are performed.
(4.高速スイッチング制御)
高速スイッチング制御は、スイッチング素子Q1〜Q4のうち、リアクトルL1に接続されている2つのスイッチング素子Q1,Q2を交互にオン/オフする動作を所定周期で繰り返す制御モードである。
図11は、高速スイッチング制御における交流電源電圧vs、回路電流is、力率改善電流isp、シャント電流ish、およびスイッチング素子Q1〜Q4の駆動パルスの時間的変化を示す説明図である。
高速スイッチング制御では、部分スイッチング制御で説明した「力率改善動作」と「同期整流動作」とが所定周期で交互に繰り返される。
(4. High-speed switching control)
The high-speed switching control is a control mode in which, of the switching elements Q1 to Q4, the operation of alternately turning on/off the two switching elements Q1 and Q2 connected to the reactor L1 is repeated in a predetermined cycle.
FIG. 11 is an explanatory diagram showing a temporal change of the AC power supply voltage vs, the circuit current is, the power factor correction current isp, the shunt current ish, and the drive pulses of the switching elements Q1 to Q4 in the fast switching control.
In the high-speed switching control, the "power factor correction operation" and the "synchronous rectification operation" described in the partial switching control are alternately repeated in a predetermined cycle.
力率改善動作について、図11(a)に示す交流電源電圧vsが正の半サイクルの場合を例に説明する。コンバータ制御部15dは、図11(d),(e)に示すように、所定の周期Tでスイッチング素子Q1,Q2を相互にオン/オフさせる。また、コンバータ制御部15dは、図11(f)に示すように、交流電源電圧vsが正の半サイクルにおいて、スイッチング素子Q3をオフ状態に維持する。これによって、リアクトルL1を介して力率改善電流isp(図9参照)が流れるため、力率を改善できるとともに、高調波電流を抑制できる。
The power factor improving operation will be described by taking the case where the AC power supply voltage vs shown in FIG. 11A is a positive half cycle as an example. The
次に、同期整流動作について、図11(a)に示す交流電源電圧vsの正の半サイクルを例に説明する。コンバータ制御部15dは、例えば、前述したようにスイッチング素子Q1をオン状態にし、スイッチング素子Q2をオフ状態にする。これによって、リアクトルL1に蓄えられたエネルギが平滑コンデンサC1に放出されるため、平滑コンデンサC1の直流電圧Vdが昇圧される。また、寄生ダイオードD1を介して回路電流isを流す場合と比べて導通損失が低減されるため、電力変換を高効率で行うことができる。なお、同期整流動作時における電流経路は、図5と同様である。
Next, the synchronous rectification operation will be described by taking a positive half cycle of the AC power supply voltage vs shown in FIG. 11A as an example. The
また、交流電源電圧vsが負の半サイクルにおいても、同様にして、スイッチング素子Q1,Q2が交互にオン/オフされる(図11(d),(e)参照)。また、交流電源電圧vsの極性に同期して、スイッチング素子Q3がオン状態(図11(f)参照)、スイッチング素子Q4がオフ状態にされる(図11(g)参照)。なお、スイッチング素子Q1,Q2のオンデューティは、回路電流isを正弦波に近づけるように適宜設定される。 Also, in the half cycle in which the AC power supply voltage vs is negative, the switching elements Q1 and Q2 are alternately turned on/off in the same manner (see FIGS. 11D and 11E). Further, in synchronization with the polarity of the AC power supply voltage vs, the switching element Q3 is turned on (see FIG. 11(f)) and the switching element Q4 is turned off (see FIG. 11(g)). The on-duty of the switching elements Q1 and Q2 is appropriately set so that the circuit current is approaches a sine wave.
ここで、リアクトルL1に接続されていないスイッチング素子Q4の動作について説明する。前述した同期整流制御、部分スイッチング制御の場合と同様に、直流電圧側から交流電源への電流の逆流を防ぐために、交流電源電圧のゼロクロス検出後、所定時間だけスイッチング素子Q4をオフ状態にしている。そして、シャント抵抗器R1によって回路電流isを検出し、その検出値が判定値aを超えた場合、スイッチング素子Q3またはQ4をオン状態にし、同期整流動作を行う。すなわち、例えば交流電源電圧vsの正の半サイクルの初期における、交流電源電圧vs<直流電圧Vd、回路電流Is=0の区間では、逆流電流を防止するためにスイッチング素子Q4がオフ状態に維持される。そして、スイッチング素子Q2がオン状態となって、力率改善電流ispが通流する。 Here, the operation of the switching element Q4 not connected to the reactor L1 will be described. As in the case of the synchronous rectification control and the partial switching control described above, the switching element Q4 is turned off for a predetermined time after the zero-cross detection of the AC power supply voltage in order to prevent the reverse flow of the current from the DC voltage side to the AC power supply. .. Then, the shunt resistor R1 detects the circuit current is, and when the detected value exceeds the determination value a, the switching element Q3 or Q4 is turned on and the synchronous rectification operation is performed. That is, for example, in the initial period of the positive half cycle of the AC power supply voltage vs, in a section where the AC power supply voltage vs<the DC voltage Vd and the circuit current Is=0, the switching element Q4 is maintained in the OFF state in order to prevent the backflow current. It Then, the switching element Q2 is turned on, and the power factor correction current isp flows.
その後スイッチング素子Q2がオフ状態となり、シャント電流ishの検出値が判定値aを超えるとスイッチング素子Q4をオン状態とし、同期整流動作を行う。そして、シャント電流ishの検出値が判定値bを下回ると、スイッチング素子Q4をオフ状態にする。これによって直流電圧側から交流電源への逆流電流を防止しつつ、高効率で電力変換を行うことができる。
なお、高負荷時には比較的大きな回路電流isが流れるため、それに伴って高調波が発生しやすくなる。本実施形態では、高負荷時に高速スイッチング制御を行うことで、回路電流isを正弦波に近づけるようにしている。これによって、力率を改善することで高調波を抑制できる。
After that, the switching element Q2 is turned off, and when the detected value of the shunt current ish exceeds the determination value a, the switching element Q4 is turned on and the synchronous rectification operation is performed. When the detected value of the shunt current ish falls below the judgment value b, the switching element Q4 is turned off. This makes it possible to perform high-efficiency power conversion while preventing a backflow current from the DC voltage side to the AC power supply.
Since a relatively large circuit current is flows when the load is high, harmonics are likely to be generated accordingly. In the present embodiment, high-speed switching control is performed when the load is high, so that the circuit current is approaches a sine wave. As a result, the harmonics can be suppressed by improving the power factor.
次に、高速スイッチング制御におけるデューティの設定について説明する。
電力変換装置1における回路電流is(瞬時値)は、以下の(数式3)で表される。ここで、Vsは交流電源電圧vsの実効値であり、Kpは電流制御ゲインであり、Vdは直流電圧であり、ωは角周波数である。
The circuit current is (instantaneous value) in the
上記の(数式3)を整理すると、以下の(数式4)になる。
また、回路電流is(瞬時値)と、回路電流Is(実効値)との関係は、以下の(数式5)で表される。前述したように、回路電流is(瞬時値)はシャント抵抗器R1によって検出され、回路電流Is(実効値)は電流検出部11によって検出される。
(数式4)を変形して(数式5)に代入すると、電流制御ゲインKpは、以下の(数式6)で表される。なお、mは昇圧比である。
ここで、(数式6)から、昇圧比mの逆数を右辺に移項すると、以下の(数式7)の関係が成り立つ。
また、交流電源電圧vsが正の半サイクルにおいて、スイッチング素子Q2のオンデューティd(通流率)は、以下の(数式8)で表される。なお、交流電源電圧vsが負の半サイクルにおけるスイッチング素子Q1のオンデューティdについても同様である。
以上より、(数式7)に示したKp・Isを制御することで、直流電圧Vdを交流電源電圧Vs(実効値)のa倍に昇圧できる。そのときのスイッチング素子Q2(または、スイッチング素子Q1)のオンデューティdは、上述の(数式8)で与えられる。
なお、昇圧比mは、負荷検出部14によって検出される負荷に基づき、昇圧比制御部15b(図9参照)によって設定される。例えば、負荷が大きいほど、昇圧比mも大きな値に設定される。
As described above, by controlling Kp·Is shown in (Equation 7), the DC voltage Vd can be boosted to a times the AC power supply voltage Vs (effective value). The on-duty d of the switching element Q2 (or the switching element Q1) at that time is given by the above-mentioned (Formula 8).
The boost ratio m is set by the
図12は、交流電源電圧vsが正の半サイクルにおいて、高速スイッチング制御でのスイッチング素子Q1,Q2のオンデューティを示す説明図である。
なお、図12の横軸は、交流電源電圧vsが正の半サイクルにおける時間(正の半サイクルの開始時からの経過時間)であり、縦軸は、スイッチング素子Q1,Q2のオンデューティd_Q1,d_Q2である。
FIG. 12 is an explanatory diagram showing the on-duty of the switching elements Q1 and Q2 in the high-speed switching control in the half cycle in which the AC power supply voltage vs is positive.
Note that the horizontal axis of FIG. 12 is the time in a positive half cycle of the AC power supply voltage vs (the elapsed time from the start of the positive half cycle), and the vertical axis is the on-duty d_Q1, of the switching elements Q1, Q2. d_Q2.
また、図12の破線は、デッドタイムdtxを考慮しない場合のスイッチング素子Q1のオンデューティd_Q1である。実線は、デッドタイムdtxを考慮した場合のスイッチング素子Q1のオンデューティd_Q1である。二点鎖線は、スイッチング素子Q2のオンデューティd_Q2である。
破線で示すスイッチング素子Q1のオンデューティd_Q1は、例えば、交流電源電圧Vs(実効値)に比例するように設定されている。二点鎖線で示すスイッチング素子Q2のオンデューティd_Q2は、1.0からスイッチング素子Q1のオンデューティd_Q1を減算した値として設定される。
The broken line in FIG. 12 represents the on-duty d_Q1 of the switching element Q1 when the dead time dtx is not taken into consideration. The solid line is the on-duty d_Q1 of the switching element Q1 when the dead time dtx is taken into consideration. The chain double-dashed line represents the on-duty d_Q2 of the switching element Q2.
The on-duty d_Q1 of the switching element Q1 shown by the broken line is set to be proportional to the AC power supply voltage Vs (effective value), for example. The on-duty d_Q2 of the switching element Q2 indicated by the chain double-dashed line is set as a value obtained by subtracting the on-duty d_Q1 of the switching element Q1 from 1.0.
(数式8)について説明したように、回路電流isが大きいほど、スイッチング素子Q2のオンデューティd_Q2は小さな値に設定され、スイッチング素子Q1のオンデューティd_Q1は大きな値に設定される。換言すると、同期整流動作でオンされるスイッチング素子Q1のオンデューティd_Q1は、力率改善動作でオンされるスイッチング素子Q2のオンデューティd_Q2に対して逆特性になっている。 As described in (Equation 8), the larger the circuit current is, the smaller the on-duty d_Q2 of the switching element Q2 and the larger the on-duty d_Q1 of the switching element Q1. In other words, the on-duty d_Q1 of the switching element Q1 that is turned on in the synchronous rectification operation has the reverse characteristic to the on-duty d_Q2 of the switching element Q2 that is turned on in the power factor correction operation.
なお、ブリッジ回路10における上下短絡を回避するために、図12の実線で示すように、デッドタイムdtxを考慮した制御を行うことが望ましい。所定のデッドタイムdtx(図示せず)を付与すると、スイッチング素子Q1のオンデューティd_Q1は、このデッドタイムdts分だけ小さくなる。
In order to avoid a vertical short circuit in the
図13は、高速スイッチング制御における交流電源電圧vsと回路電流isとの関係を示す説明図である。
図13の横軸は、交流電源電圧vsの正の半サイクルが開始された時点からの経過時間(時間)であり、縦軸は、交流電源電圧vs(瞬時値)および回路電流is(瞬時値)である。
FIG. 13 is an explanatory diagram showing the relationship between the AC power supply voltage vs and the circuit current is in the high speed switching control.
The horizontal axis of FIG. 13 is the elapsed time (hour) from the time when the positive half cycle of the AC power supply voltage vs is started, and the vertical axis is the AC power supply voltage vs (instantaneous value) and the circuit current is (instantaneous value). ).
図13に示すように、高速スイッチング制御を行うことにより、交流電源電圧vsおよび回路電流isが正弦波状の波形になり、また、交流電源電圧vsと回路電流isとがほぼ同相になっている。すなわち、高速スイッチング制御を行うことで、力率が改善されていることが解る。このような正弦波状の回路電流isを流すために、スイッチング素子Q2のオンデューティd_Q2は、以下の(数式9)で設定される。
また、スイッチング素子Q1のオンデューティd_Q1は、以下の(数式10)で設定される。
図14は、高速スイッチング制御において、リアクトルL1による電流位相の遅れ分を考慮しない場合と、電流位相の遅れ分を考慮した場合と、におけるスイッチング素子Q2のオンデューティd_Q2を示す説明図である。
図14の横軸は、交流電源電圧vsの正の半サイクルが開始された時点からの経過時間(時間)であり、縦軸は、高速スイッチング制御におけるスイッチング素子Q2のオンデューティである。
FIG. 14 is an explanatory diagram showing the on-duty d_Q2 of the switching element Q2 when the delay of the current phase due to the reactor L1 is not considered and when the delay of the current phase is considered in the high speed switching control.
The horizontal axis of FIG. 14 is the elapsed time (time) from the time when the positive half cycle of the AC power supply voltage vs is started, and the vertical axis is the on-duty of the switching element Q2 in the high-speed switching control.
また、実線は、リアクトルL1による電流位相の遅れを考慮しない場合のスイッチング素子Q2のオンデューティである。破線は、リアクトルL1による電流位相の遅れを考慮した場合のスイッチング素子Q2のオンデューティである。図14の破線で示すように、スイッチング素子Q2のオンデューティを設定することで、リアクトルL1のインダクタンスが大きい場合であっても、正弦波状の回路電流isを流すことができる。 The solid line shows the on-duty of the switching element Q2 when the delay of the current phase due to the reactor L1 is not taken into consideration. The broken line shows the on-duty of the switching element Q2 when the delay of the current phase due to the reactor L1 is taken into consideration. As shown by the broken line in FIG. 14, by setting the on-duty of the switching element Q2, the sinusoidal circuit current is can be flown even when the inductance of the reactor L1 is large.
<過電流保護について>
次に本実施形態の電力変換装置の過電流保護について説明する。
図15は、同期整流制御を実行しているときに過電流が通流して、保護制御を行う場合の説明図である。図中の波形HIN_1は、コンバータ制御部15dから駆動回路IC1のHIN端子(図2参照)に出力される、スイッチング素子Q1の駆動パルスである。また、LIN_1は、コンバータ制御部15dから駆動回路IC1のLIN端子に出力される、スイッチング素子Q2の駆動パルスである。また、HIN_2は、コンバータ制御部15dから駆動回路IC2のHIN端子に出力される、スイッチング素子Q3の駆動パルスである。また、LIN_2は、コンバータ制御部15dから駆動回路IC2のLIN端子に出力される、スイッチング素子Q4の駆動パルスである。
<About overcurrent protection>
Next, overcurrent protection of the power conversion device according to the present embodiment will be described.
FIG. 15 is an explanatory diagram of a case where an overcurrent flows during the synchronous rectification control and the protection control is performed. A waveform HIN_1 in the figure is a drive pulse of the switching element Q1 output from the
なお、駆動回路IC1,IC2のHIN端子またはLIN端子にコンバータ制御部15dからHiレベルの信号が入力されると、対応する駆動回路IC1,IC2の出力部であるHo端子またはLo端子(図2参照)からはHiレベルの信号が出力される。これにより、対応するスイッチング素子Q1〜Q4はオン状態となる。反対に、コンバータ制御部15dから駆動回路IC1,IC2のHIN端子またはLIN端子にLoレベルの信号が入力されると、対応するHo端子またはLo端子からは、Loレベルの信号が出力される。これにより、対応するスイッチング素子Q1〜Q4はオフ状態となる。
When a Hi level signal is input from the
図15において、vsは交流電源電圧(瞬時値)、isは回路電流(瞬時値)の波形である。また、ishはシャント抵抗器R1に通流する電流波形である。また、vshはシャント抵抗器R1に発生する電圧波形である。ishとvshは、電流と電圧の違いはあるが、波形は略同一であり、簡略化のため1つの波形にまとめて図示している。
vtrは、駆動回路IC1のGND端子を基準としたITrip端子の電圧波形である。実際には、点線のような負電圧が発生しているが、駆動回路IC1は、負電圧の範囲で駆動しないため(0V〜Vccの範囲で駆動する)、ITrip端子では、点線のような負電圧は検出されない。Faultは、駆動回路IC1のFault端子の出力電圧波形である。
In FIG. 15, vs is an AC power supply voltage (instantaneous value), and is is a circuit current (instantaneous value) waveform. Further, ish is a current waveform flowing through the shunt resistor R1. Further, vsh is a voltage waveform generated in the shunt resistor R1. Although ish and vsh have different currents and voltages, their waveforms are substantially the same, and for simplicity, they are shown together in one waveform.
vtr is a voltage waveform of the I Trip terminal based on the GND terminal of the drive circuit IC1. In reality, a negative voltage as indicated by the dotted line is generated, but the drive circuit IC1 does not drive in the negative voltage range (it is driven in the range of 0V to Vcc). Therefore, the Itrip terminal has a negative voltage as indicated by the dotted line. No voltage is detected. Fault is an output voltage waveform of the Fault terminal of the drive circuit IC1.
(パターン[1]同期整流&定常電流)
また、図15は同期整流制御を実行しているときに、過電流保護を行う場合の各部の波形を示す図である。
図15の出力電圧波形Faultにおいて、区間T1は、交流電源電圧vsが正の半サイクルの領域である。また、図15の出力電圧波形Faultにおいて、区間T2は、交流電源電圧vsが負の半サイクルの領域である。図16は、正の半サイクルにおける回路電流isの流れを示す図である。また、図17は、負の半サイクルにおける回路電流isの流れを示す図である。
同期整流制御を行うため、図16に示す正の半サイクルでは、スイッチング素子Q1,Q4をオン状態にする。また、図17に示す負の半サイクルでは、スイッチング素子Q2とQ3をオン状態にする。
その後、図15に示す区間T3の領域になり、再び交流電源電圧vsが正の半サイクルになる。
(Pattern [1] Synchronous rectification & steady current)
Further, FIG. 15 is a diagram showing waveforms of respective parts in the case of performing overcurrent protection while executing the synchronous rectification control.
In the output voltage waveform Fault shown in FIG. 15, the section T1 is a region in which the AC power supply voltage vs has a positive half cycle. Further, in the output voltage waveform Fault shown in FIG. 15, the section T2 is a region in which the AC power supply voltage vs has a negative half cycle. FIG. 16 is a diagram showing the flow of the circuit current is in the positive half cycle. FIG. 17 is a diagram showing the flow of the circuit current is in the negative half cycle.
In order to perform the synchronous rectification control, the switching elements Q1 and Q4 are turned on in the positive half cycle shown in FIG. In the negative half cycle shown in FIG. 17, the switching elements Q2 and Q3 are turned on.
Then, it becomes the area of the section T3 shown in FIG. 15, and the AC power supply voltage vs becomes the positive half cycle again.
但し、図15の例において、区間T3では、負荷変動等により、回路電流isが電流閾値thaを超えている。シャント抵抗器R1、コンバータ制御部15dがこれを検出すると、コンバータ制御部15dは、スイッチング素子Q1〜Q4にオフ信号(0V)を出力し、これによってスイッチング素子Q1〜Q4をオフ状態にする。実際には電流閾値thaを超える過電流を検出後した後、スイッチング素子Q1〜Q4がオフするまで、図15に示す時間dt11が経過する。これは、過電流を検出した後、制御部15内での演算等のために経過する時間である。
However, in the example of FIG. 15, in the section T3, the circuit current is exceeds the current threshold value tha due to load fluctuation or the like. When the shunt resistor R1 and the
以上のような制御を行うことにより、同期整流制御中に発生する過電流から電力変換装置を保護することが可能である。さらに、スイッチング素子Q1〜Q4をオフさせることに加えて、電力変換装置1に接続されている、インバータやモータ等の負荷Hを停止させてもよい。
By performing the control as described above, it is possible to protect the power conversion device from an overcurrent generated during the synchronous rectification control. Further, in addition to turning off the switching elements Q1 to Q4, the load H such as an inverter or a motor connected to the
(パターン[2]力率改善&定常電流)
図18は、部分スイッチング制御を実行しているときに、過電流保護を行う場合の各部の波形を示す図である。
上述した図15と同様に、区間T1,T3は交流電源電圧vsの正の半サイクル、区間T2は交流電源電圧vsの負の半サイクルの区間である。また、部分スイッチング制御として、2ショットの場合の例を示している。
区間T1,T2では、特に問題なく部分スイッチング制御が動作している。但し、図示の例では、区間T3において、何らかの理由により、1ショット目のオン時間が伸びてしまい、回路電流isが電流閾値thaを超えている。
(Pattern [2] power factor improvement & steady current)
FIG. 18 is a diagram showing a waveform of each part in the case of performing overcurrent protection during execution of partial switching control.
Similar to FIG. 15 described above, sections T1 and T3 are positive half cycles of the AC power supply voltage vs, and sections T2 are negative half cycles of the AC power supply voltage vs. Further, an example in the case of two shots is shown as the partial switching control.
In the sections T1 and T2, the partial switching control is operating without any particular problem. However, in the illustrated example, the ON time of the first shot is extended for some reason in the section T3, and the circuit current is exceeds the current threshold value tha.
また、回路電流isが電流閾値thaを超えた後、回路電流isにピークが生じるまで時間dt12が経過し、その後さらに時間dt13が経過した後にスイッチング素子Q1〜Q4がオフ状態となる。この時間dt12の期間は、スイッチング素子Q2とQ4とがオン状態となる力率改善動作を行っている区間であるため、シャント抵抗器R1に電流が流れず、シャント抵抗器R1での電流検出が行えない区間である。 Further, after the circuit current is exceeds the current threshold value tha, the time dt12 elapses until the circuit current is peaks, and after the time dt13 further elapses, the switching elements Q1 to Q4 are turned off. During this period of time dt12, since the power factor improving operation in which the switching elements Q2 and Q4 are turned on is being performed, no current flows in the shunt resistor R1 and the current detection by the shunt resistor R1 is not performed. This is a section that cannot be done.
図19は、力率改善動作中における回路電流isの流れを示す図である。
この力率改善動作が終了し、スイッチング素子Q1とQ4がオン状態となる同期整流動作に移行すると、シャント抵抗器R1に電流が流れるようになる。従って、過電流として電流検出が可能となる。そして、この同期整流動作の区間で過電流を検出し、スイッチング素子Q1〜Q4をオフ状態にすることで、同期整流動作や部分スイッチング制御を停止させ、各部の回路を保護する。実際には、図6の場合と同様に、スイッチング素子Q1〜Q4をオフさせるまで時間dt13が経過する。
FIG. 19 is a diagram showing the flow of the circuit current is during the power factor correction operation.
When the power factor improving operation is completed and the switching element Q1 and Q4 shift to the synchronous rectification operation in which the switching elements Q1 and Q4 are turned on, a current flows through the shunt resistor R1. Therefore, the current can be detected as an overcurrent. Then, by detecting an overcurrent in the section of the synchronous rectification operation and turning off the switching elements Q1 to Q4, the synchronous rectification operation and the partial switching control are stopped, and the circuits of the respective parts are protected. Actually, as in the case of FIG. 6, the time dt13 elapses until the switching elements Q1 to Q4 are turned off.
以上のような制御を行うことにより、部分スイッチング制御中に発生する過電流から電力変換装置1を保護することが可能である。さらに、スイッチング素子Q1〜Q4をオフさせることに加えて、電力変換装置1に接続されている、インバータやモータ等の負荷Hを停止させてもよい。
By performing the control as described above, it is possible to protect the
(パターン[3]平滑コンデンサC1が短絡した場合)
次に、平滑コンデンサC1の両端(直流電圧Vd)が短絡し、過電流が流れた場合の保護制御に関して説明する。
図20は、平滑コンデンサC1すなわち直流電圧Vdが短絡したときに、過電流保護を行う場合の第1の波形図である。
(When pattern [3] smoothing capacitor C1 is short-circuited)
Next, the protection control when both ends (DC voltage Vd) of the smoothing capacitor C1 are short-circuited and an overcurrent flows will be described.
FIG. 20 is a first waveform diagram when overcurrent protection is performed when the smoothing capacitor C1, that is, the DC voltage Vd is short-circuited.
部分スイッチング制御を行い、誤って直流電圧Vdが短絡した場合を例に挙げて説明する。区間T1,T2においては、正常に部分スイッチング制御が実行されている。そして、交流電源電圧vsが正の半サイクルの区間T3において、力率改善動作をするために本来はオフになるはずのスイッチング素子Q1が何らかの理由で誤ってオンになると、短絡電流ist(図21参照)が発生する。 An example will be described in which partial switching control is performed and the DC voltage Vd is erroneously short-circuited. In the sections T1 and T2, the partial switching control is normally executed. Then, in a section T3 of the positive half cycle of the AC power supply voltage vs, when the switching element Q1 which should originally be turned off to perform the power factor correction operation is accidentally turned on for some reason, the short-circuit current ist (FIG. 21). (See) occurs.
この短絡電流は前述のパターン[1],[2]のような定常状態での過電流に比べて電流の傾きは大きく、より短時間で過大な電流が通流してしまう。このため、より素早く保護制御を行うことが好ましい。
そこで、本実施形態の電力変換装置1においては、スイッチング素子Q1,Q2を駆動する駆動回路IC1の内部に、過電流を検出した場合に回路上で強制的にスイッチング素子Q1,Q2をオフにする保護機能を備えている。
The short-circuit current has a larger current gradient than the overcurrent in the steady state as in the above patterns [1] and [2], and an excessive current flows in a shorter time. Therefore, it is preferable to perform the protection control more quickly.
Therefore, in the
この保護機能を説明するため、比較例の構成を説明する。
図21は、比較例において、直流電圧Vdが短絡した場合の短絡電流istの電流経路を示す図である。上述した本実施形態の構成(図2参照)では、駆動回路IC2のHIN端子およびLIN端子と、駆動回路IC1のFault端子との間に、接続点N7を介してダイオードD5,D6(伝達素子)がそれぞれ接続されている。これに対して、図21に示す比較例においては、ダイオードD5,D6が設けられていない点が相違する。
The configuration of the comparative example will be described in order to explain this protection function.
FIG. 21 is a diagram showing a current path of the short-circuit current ist when the DC voltage Vd is short-circuited in the comparative example. In the configuration of the present embodiment described above (see FIG. 2), the diodes D5 and D6 (transmission elements) are provided between the HIN terminal and the LIN terminal of the drive circuit IC2 and the Fault terminal of the drive circuit IC1 via the connection point N7. Are connected respectively. On the other hand, the comparative example shown in FIG. 21 is different in that the diodes D5 and D6 are not provided.
図21においては、矢印の向きにシャント抵抗器R1に短絡電流istが通流する。しかし、シャント抵抗器R1に発生する電圧は、接続点N5、すなわちコンバータ制御部15dの基準電位であるGND基準では負電圧となってしまい、コンバータ制御部15dでは検出電圧は0Vであるとみなされ、この短絡電流を検出することは不可能になる。
In FIG. 21, the short circuit current ist flows through the shunt resistor R1 in the direction of the arrow. However, the voltage generated in the shunt resistor R1 becomes a negative voltage at the connection point N5, that is, the GND reference which is the reference potential of the
そこで、本比較例(および本実施形態)においては、直流電圧Vdの短絡電流から各部を保護するために、前述のパターン[1],[2]のようにコンバータ制御部15dを用いて(ソフトウエア的に)保護するのではなく、駆動回路IC1が有している保護機能を使用する。換言すれば、ハードウエア的に過電流保護を行う。このため、前述した処理のように、過電流を検出した後にスイッチング素子Q1,Q2をオフにするまでの時間遅れを軽減し、素早くスイッチング素子Q1,Q2をオフすることができるため、直流電圧の短絡電流のような、時間的に速く、また電流値も大きい過電流が発生した場合であっても、各部の回路を確実に保護することが可能である。
Therefore, in this comparative example (and this embodiment), in order to protect each part from the short circuit current of the DC voltage Vd, the
図21に示す矢印の向きに短絡電流istが流れると、駆動回路IC1のITrip端子には、GND端子を基準として、図示のように、電圧vtrが発生する。この電圧vtrが所定値を超えた場合、駆動回路IC1内の保護回路が動作し、スイッチング素子Q1,Q2をオフさせる。また、この保護動作が行われると同時に、駆動回路IC1のFault端子から電圧0Vが出力される。 When the short-circuit current ist flows in the direction of the arrow shown in FIG. 21, the voltage vtr is generated at the I Trip terminal of the drive circuit IC1 with the GND terminal as a reference, as shown in the figure. When the voltage vtr exceeds a predetermined value, the protection circuit in the drive circuit IC1 operates to turn off the switching elements Q1 and Q2. At the same time when this protection operation is performed, a voltage 0V is output from the Fault terminal of the drive circuit IC1.
本実施形態の電力変換装置は、より安価な構成とするために、スイッチング素子Q3,Q4を駆動する駆動回路IC2には、駆動回路IC1のような保護回路を省略している。しかし、スイッチング素子Q3,Q4も、スイッチング素子Q1,Q2と同様に、素早くオフさせることが好ましい。図21に示した比較例の回路構成では短絡電流istが流れても、前述のようにコンバータ制御部15dではこの短絡電流istを検出できないため、短絡電流istが流れた際、スイッチング素子Q3,Q4に素早くオフ指令を与えることはできない。そのため、図20に示すように、短絡電流が通流した後、スイッチング素子Q1,Q2がオフした後においても、スイッチング素子Q4(交流電源電圧vsが負のサイクルの場合はスイッチング素子Q3)が動作してしまい、場合によっては素子の破壊につながるおそれがある。
In the power converter of this embodiment, in order to have a cheaper configuration, the drive circuit IC2 that drives the switching elements Q3 and Q4 does not include a protection circuit such as the drive circuit IC1. However, like the switching elements Q1 and Q2, it is preferable that the switching elements Q3 and Q4 be turned off quickly. In the circuit configuration of the comparative example shown in FIG. 21, even if the short-circuit current ist flows, the
そこで本実施形態の電力変換装置1では、図2に示したように、ダイオードD5,D6を駆動回路IC1のFault端子と駆動回路IC2のHIN端子、LIN端子の間にそれぞれ接続することによって、短絡電流が通流してスイッチング素子Q1,Q2を回路的にオフさせるのとほぼ同時に、スイッチング素子Q3,Q4もオフさせている。
Therefore, in the
図22は、本実施形態の電力変換装置1(図2参照)において、直流電圧Vdが短絡した場合の短絡電流istの電流経路を示す図である。また、図23は、図22に示す状態すなわち直流電圧Vdの短絡状態における、各部の波形図である。
図23において区間T1,T2では、部分スイッチング制御が正常に実行されている。但し、交流電源電圧vsが正の半サイクルである区間T3において、力率改善動作をするために本来はオフになるはずのスイッチング素子Q1が何らかの理由で誤ってオンになり、短絡電流ist(図22参照)が発生する。
FIG. 22 is a diagram showing a current path of the short-circuit current ist when the DC voltage Vd is short-circuited in the power conversion device 1 (see FIG. 2) of the present embodiment. 23 is a waveform diagram of each part in the state shown in FIG. 22, that is, in the short-circuited state of the DC voltage Vd.
In the sections T1 and T2 in FIG. 23, the partial switching control is normally executed. However, in the section T3 in which the AC power supply voltage vs is a positive half cycle, the switching element Q1 which should originally be turned off to perform the power factor correction operation is accidentally turned on for some reason and the short-circuit current ist (Fig. 22) occurs.
短絡電流istは図中のシャント抵抗器R1に矢印の向きに通流する。しかし、前述の通り、コンバータ制御部15dはこの短絡電流をシャント抵抗器R1によって検出することができない。一方、スイッチング素子Q1,Q2については、前述の通り駆動回路IC1内の保護回路を用いてオフさせることができる。この保護回路が作動すると、ほぼ同時に駆動回路IC1のFault端子は0Vを出力する。そのため、駆動回路IC2のHIN端子とLIN端子の電位は、仮にポートP5,P6から駆動パルスが出力されていたとしても、ダイオードD5,D6を経由して0Vとなり、スイッチング素子Q3,Q4は強制的にオフ状態となる。
The short-circuit current ist flows through the shunt resistor R1 in the figure in the direction of the arrow. However, as described above, the
以上のように、本実施形態の電力変換装置は、直流電圧Vdが短絡し短絡電流istが発生すると、スイッチング素子Q1〜Q4を素早くオフさせることで、確実に保護動作を行うことが可能である。さらに、スイッチング素子Q1〜Q4をオフさせることに加えて、電力変換装置1に接続されている、インバータやモータ等の負荷Hを停止させてもよい。
As described above, in the power converter of the present embodiment, when the DC voltage Vd is short-circuited and the short-circuit current ist is generated, the switching elements Q1 to Q4 are quickly turned off, so that the protection operation can be reliably performed. .. Further, in addition to turning off the switching elements Q1 to Q4, the load H such as an inverter or a motor connected to the
以上のように、本実施形態の電力変換装置は、スピードの遅い定常的な過電流については、シャント抵抗器R1を用いて電流検出を行い、コンバータ制御部15dによってスイッチング素子Q1〜Q4をオフさせることで保護を行っている(ソフトウエア的に保護を行う)。
一方、立ち上がりのスピードの速い短絡電流istに対しては、回路的に素早くスイッチング素子Q1〜Q4をオフさせることで保護を行っている。
このように本実施形態の電力変換装置は、過電流や短絡電流から素子を確実に保護することが可能である。そして、駆動回路IC2のように保護機能の無い安価な駆動回路ICを使用しつつも、素子の保護を行うことができる。
As described above, the power conversion device of the present embodiment performs current detection using the shunt resistor R1 for steady overcurrent with slow speed, and turns off the switching elements Q1 to Q4 by the
On the other hand, the short-circuit current ist having a fast rising speed is protected by quickly turning off the switching elements Q1 to Q4 in terms of a circuit.
As described above, the power conversion device according to the present embodiment can reliably protect the element from an overcurrent or a short circuit current. The element can be protected while using an inexpensive drive circuit IC having no protection function like the drive circuit IC2.
<制御モードの切替制御>
コンバータ制御部15d(図1参照)は、例えば、負荷が比較的小さい低負荷領域では同期整流制御を行い、定格運転領域では部分スイッチング制御を行い、負荷が比較的大きい高負荷領域では高速スイッチング制御を行う。なお、負荷が非常に小さいときにダイオード整流制御を行ってもよいし、また、ダイオード整流を行わないようにしてもよい。
<Control mode switching control>
The
図24(a)は、部分スイッチング制御における正の半サイクルでの交流電源電圧vsおよび回路電流isの波形図である。図24(a)において、示すピーク値is1は、部分スイッチング制御における回路電流isのピーク値である。
また、図24(b)は、高速スイッチング制御における正の半サイクルでの交流電源電圧vsおよび回路電流isの波形図である。図24(b)に示すピーク値is2は、高速スイッチング制御における回路電流isのピーク値である。
図24(b)に示すように、高速スイッチング制御における回路電流isのピーク値is2は、部分スイッチング制御における回路電流isのピーク値is1よりも小さくなっている。
FIG. 24A is a waveform diagram of the AC power supply voltage vs and the circuit current is in the positive half cycle in the partial switching control. In FIG. 24A, the peak value is1 shown is the peak value of the circuit current is in the partial switching control.
Further, FIG. 24B is a waveform diagram of the AC power supply voltage vs and the circuit current is in the positive half cycle in the high speed switching control. The peak value is2 shown in FIG. 24(b) is the peak value of the circuit current is in the high-speed switching control.
As shown in FIG. 24B, the peak value is2 of the circuit current is in the high speed switching control is smaller than the peak value is1 of the circuit current is in the partial switching control.
仮に、前述したピーク値is1,is2が略同一になるように制御すると、部分スイッチング制御における力率よりも高速スイッチング制御における力率が高いため、高速スイッチング制御において直流電圧Vdが昇圧されすぎてしまう。これに対して本実施形態では、ピーク値is1>ピーク値is2となるように、スイッチング素子Q1,Q2のオンデューティが調整される。すなわち、コンバータ制御部15dは、部分スイッチング制御および高速スイッチング制御の一方から他方に切り替える際、平滑コンデンサC1の直流電圧Vdの変動を抑制するように、スイッチング素子Q1,Q2のオンデューティを徐々に変化させるように調整する。これによって、部分スイッチング制御および高速スイッチング制御の一方から他方に移行する際、直流電圧Vdの変動が抑制され、直流電圧Vdが徐々に変化する。
If the above-described peak values is1 and is2 are controlled to be approximately the same, the power factor in the high-speed switching control is higher than the power factor in the partial switching control, so that the DC voltage Vd is boosted too much in the high-speed switching control. .. On the other hand, in the present embodiment, the on-duty of the switching elements Q1 and Q2 is adjusted so that the peak value is1>the peak value is2. That is,
また、コンバータ制御部15dは、交流電源電圧vsのゼロクロスタイミングで、制御モードの切替えを行うことが好ましい。例えば、コンバータ制御部15dは、交流電源電圧vsのゼロクロスタイミングで、部分スイッチング制御から高速スイッチング制御に切り替える。これによって、制御モードの切替時に、制御が不安定になることや、直流電圧Vdが変動することを抑制できる。
Further,
<第1実施形態の効果>
以上のように、本実施形態よれば、低負荷時には同期整流制御を行うことで、スイッチング素子Q1〜Q4に積極的に電流を流すようにしている。これによって、寄生ダイオードD1〜D4での損失を抑制し、電力変換を高効率で行うことができる。
<Effects of First Embodiment>
As described above, according to the present embodiment, the synchronous rectification control is performed when the load is low, so that the current is positively passed through the switching elements Q1 to Q4. Thereby, the loss in the parasitic diodes D1 to D4 can be suppressed and the power conversion can be performed with high efficiency.
また、定格負荷時には部分スイッチング制御が行われ、スイッチング素子Q1,Q2が所定回数、交互にスイッチングされる。これによって、昇圧、力率の改善、および高調波の抑制を行うことができる。また、高速スイッチング制御と比べてスイッチング回数が少ないため、スイッチング損失を低減できる。 Further, partial switching control is performed at the rated load, and the switching elements Q1 and Q2 are alternately switched a predetermined number of times. This makes it possible to boost the voltage, improve the power factor, and suppress harmonics. Further, since the number of times of switching is smaller than that in the high speed switching control, the switching loss can be reduced.
また、高負荷時には高速スイッチング制御を行って、スイッチング素子Q1,Q2を所定周期で交互にスイッチングするようにしている。これによって、昇圧、力率の改善、および高調波の抑制を行うことができる。高速スイッチング制御では、前述したように、回路電流isが正弦波状になるため(図11(b)参照)、特に力率の改善や高調波の抑制に効果がある。 Further, when the load is high, high-speed switching control is performed so that the switching elements Q1 and Q2 are alternately switched in a predetermined cycle. This makes it possible to boost the voltage, improve the power factor, and suppress harmonics. In the high-speed switching control, as described above, the circuit current is has a sine wave shape (see FIG. 11B), which is particularly effective for improving the power factor and suppressing harmonics.
[第2実施形態]
<空気調和機の構成>
次に、本発明の第2実施形態による空気調和機Wの構成を説明する。以下の説明において、図1〜図24の各部に対応する部分には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
図25は、第2実施形態に係る空気調和機Wの概略構成図である。図示のように、空気調和機Wは、室内機U1と、室外機U2と、両者を接続する配管kと、リモコンReと、を有している。空気調和機Wは、周知のヒートポンプサイクルで冷媒を循環させることによって、空調(冷房運転、暖房運転、除湿運転等)を実行する機器である。リモコンReは、室内機U1との間で所定の各種信号(運転/停止指令、設定温度の変更、タイマの設定、運転モードの変更等)を送受信するものである。
[Second Embodiment]
<Structure of air conditioner>
Next, the configuration of the air conditioner W according to the second embodiment of the present invention will be described. In the following description, parts corresponding to the respective parts in FIGS. 1 to 24 are given the same reference numerals and the description thereof may be omitted.
FIG. 25 is a schematic configuration diagram of the air conditioner W according to the second embodiment. As illustrated, the air conditioner W includes an indoor unit U1, an outdoor unit U2, a pipe k connecting the both, and a remote controller Re. The air conditioner W is a device that performs air conditioning (cooling operation, heating operation, dehumidifying operation, etc.) by circulating a refrigerant in a known heat pump cycle. The remote controller Re transmits/receives various predetermined signals (operation/stop command, setting temperature change, timer setting, operation mode change, etc.) to/from the indoor unit U1.
図26は、空気調和機Wの冷却系統図である。図示のように、室内機U1は、室内熱交換器44と、室内ファンF2とを備えている。また、室外機U2は、電力変換装置1と、インバータ2と、モータ41aを内蔵する圧縮機41と、室外熱交換器42と、膨張弁43と、を備えている。ここで、室内機U1と室外機U2とは、冷媒が通流する配管kを介して接続されるとともに、図示はしないが、通信線を介して接続されている。室外機U2内の電力変換装置1は、交流電源Gから供給された交流電圧を直流電圧に変換し、インバータ2に供給する。インバータ2は、該直流電圧を、例えばPWM制御(Pulse Width Modulation)によって任意の周波数の交流電圧に変換し、モータ41aを回転駆動する。
FIG. 26 is a cooling system diagram of the air conditioner W. As illustrated, the indoor unit U1 includes an
圧縮機41は、モータ41aが回転駆動されることによって冷媒を圧縮する。室外熱交換器42は、室外ファンF1から送り込まれる室内空気と、冷媒との間で熱交換を行う。膨張弁43は、室外熱交換器42または室内熱交換器44から流れ込む冷媒を膨張させて減圧する。室内熱交換器44は、室内ファンF2から送り込まれる室内空気と、冷媒との間で熱交換を行う。上述した構成要素のうち、圧縮機41、室外熱交換器42、膨張弁43、室内熱交換器44および配管kは、環状に接続され、ヒートポンプサイクルで冷媒を循環させるようになっている。そこで、これらを総称して、「冷媒回路4」と呼ぶ。
なお、空気調和機Wは、冷房用であってもよいし、また、暖房用であってもよい。また、冷房時と暖房時とで冷媒の流れる向きを切り替える四方弁(図示せず)を設けてもよい。
The
The air conditioner W may be for cooling or heating. In addition, a four-way valve (not shown) that switches the direction of flow of the refrigerant between cooling and heating may be provided.
<電力変換装置の構成および動作>
次に、本実施形態における電力変換装置1の構成および動作について説明する。
本実施形態における電力変換装置1のハードウエア構成は、第1実施形態のもの(図1,図2参照)と同様であるが、図1に示した負荷Hは、本実施形態においてはモータ41aに対応する。また、本実施形態においては、制御部15は、電流検出部11(図1参照)で検出される回路電流Is(実効値)と、所定の閾値I1(第1閾値),I2(第2閾値)との大小を比較し、その結果に応じて電力変換装置1の制御モードを切り替える点が第1実施形態とは異なる。そこで、制御モードを切り替える処理について説明する。
<Structure and operation of power converter>
Next, the configuration and operation of the
The hardware configuration of the
図27は、第2実施形態において、負荷の大きさ、制御モード、および機器の運転領域の関係を示す図である。
図27において、回路電流Isが閾値I1未満である領域は、負荷の大きさ(すなわち、実効値である回路電流Is)が比較的小さい領域であり、空気調和機Wにおいては「中間運転領域」と呼ぶ。この領域において、制御部15は、制御モードとして「同期整流制御」を選択し、高効率化を図るようにしている。
FIG. 27 is a diagram showing the relationship between the magnitude of the load, the control mode, and the operating region of the device in the second embodiment.
In FIG. 27, the region in which the circuit current Is is less than the threshold value I1 is a region in which the magnitude of the load (that is, the circuit current Is that is the effective value) is relatively small, and in the air conditioner W, the “intermediate operation region”. Call. In this region, the
また、回路電流Isが閾値I1以上であって閾値I2未満である領域は、中間運転領域よりも負荷が大きく、圧縮機41のモータ41a(すなわち、図1に示す負荷H)を定格運転できる領域である。空気調和機Wにおいては、この領域を「定格運転領域」と呼ぶ。この領域において、制御部15は、制御モードとして「部分スイッチング制御」を選択し、昇圧、力率の改善、および高調波電流の抑制を実現するようにしている。
Further, in a region where the circuit current Is is equal to or more than the threshold value I1 and less than the threshold value I2, the load is larger than that in the intermediate operation region, and the
また、回路電流Isが閾値I2以上である領域は、負荷の大きさが比較的大きい領域である。例えば、外気温が非常に低いときに暖房運転を行う場合や、外気温が非常に高いときに冷房運転を行う場合の運転領域が相当する。空気調和機Wにおいては、この領域を「低温暖房・高負荷領域」と呼ぶ。但し、図27において、「低温暖房・高負荷領域」は、その一部が「定格運転領域」に重なっている。回路電流Isが閾値I2以上になると、制御部15は、制御モードとして「高速スイッチング制御」を選択し、「同期整流制御」を選択し、昇圧、力率の改善、および高調波の抑制を行うようにしている。なお、上述した閾値I1,I2の大きさは、事前の実験やシミュレーションに基づいて適宜設定するとよい。
The region where the circuit current Is is equal to or larger than the threshold value I2 is a region where the load is relatively large. For example, the operating range corresponds to the case where the heating operation is performed when the outside air temperature is very low, or the cooling operation is performed when the outside air temperature is very high. In the air conditioner W, this area is called a "low temperature heating/high load area". However, in FIG. 27, a part of the “low temperature heating/high load region” overlaps with the “rated operation region”. When the circuit current Is becomes equal to or higher than the threshold value I2, the
<電力変換装置の動作>
図28は、電力変換装置1の制御部15が実行する制御プログラムのフローチャートである。なお、図28の「START」時において、モータ41a(図26参照)が駆動しているものとする。
ステップS101において制御部15は、電流検出部11が検出した回路電流Is(実効値)を読み込む。
ステップS102において制御部15は、ステップS101で読み込んだ回路電流Isが閾値I1(第1閾値)未満であるか否かを判定する。すなわち、制御部15は、回路電流Isが「中間運転領域」(図27参照)に含まれるか否かを判定する。
<Operation of power converter>
FIG. 28 is a flowchart of a control program executed by the
In step S101, the
In step S102, the
回路電流Isが閾値I1未満である場合(S102:Yes)、制御部15の処理はステップS103に進み、制御部15は、同期整流制御を実行する。このように中間運転領域において同期整流制御を行うことで、第1実施形態で説明したように、電力変換を高効率で行うことができる。
When the circuit current Is is less than the threshold value I1 (S102: Yes), the process of the
また、ステップS102において回路電流Isが閾値I1以上である場合(S102:No)、制御部15の処理はステップS104に進む。ステップS104において、制御部15は、回路電流Isが閾値I2(第2閾値)未満であるか否かを判定する。すなわち、制御部15は、回路電流Isが「定格運転領域」(図27参照)に含まれるか否かを判定する。なお、前述したように、閾値I2は閾値I1よりも大きな値である。
If the circuit current Is is equal to or more than the threshold value I1 in step S102 (S102: No), the process of the
回路電流Isが閾値I2未満である場合(S104:Yes)、制御部15の処理はステップS105に進む。ステップS105において制御部15は、部分スイッチング制御を実行する。このように、定格運転領域において部分スイッチング制御を行うことで、第1実施形態で説明したように、昇圧、力率の改善、および高調波の抑制を行うことができる。
When the circuit current Is is less than the threshold value I2 (S104: Yes), the process of the
また、ステップS104において回路電流Isが閾値I2以上である場合(S104:No)、制御部15の処理はステップS106に進む。ステップS106において制御部15は、高速スイッチング制御を実行する。これによって、高負荷運転領域で大きな回路電流isが流れたとしても、力率を改善できるとともに、高調波を抑制できる。
ステップS103,S105,S106のうち何れかの処理を行った後、制御部15の処理は「START」に戻る(RETURN)。
なお、回路電流Isが非常に小さい場合には、第1実施形態で説明したダイオード整流制御(図3,4参照)を行うようにしてもよい。
If the circuit current Is is equal to or more than the threshold value I2 in step S104 (S104: No), the process of the
After performing any one of steps S103, S105, and S106, the process of the
When the circuit current Is is extremely small, the diode rectification control (see FIGS. 3 and 4) described in the first embodiment may be performed.
<第2実施形態の効果>
本実施形態によれば、負荷の大きさすなわち回路電流Isの大きさに応じて制御モードを切り替えることで、電力変換装置1の高効率化を図るとともに、高調波を抑制できる。このような電力変換装置1を備えることで、エネルギ効率(すなわち、APF:Annual Performance Factor)が高く、省エネ化を図った空気調和機Wを提供できる。
<Effects of Second Embodiment>
According to the present embodiment, by switching the control mode according to the magnitude of the load, that is, the magnitude of the circuit current Is, it is possible to improve the efficiency of the
[変形例]
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。上述した実施形態は本発明を理解しやすく説明するために例示したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。また、各実施形態の構成の一部について削除し、若しくは他の構成の追加・置換をすることが可能である。また、図中に示した制御線や情報線は説明上必要と考えられるものを示しており、製品上で必要な全ての制御線や情報線を示しているとは限らない。実際には殆ど全ての構成が相互に接続されていると考えてもよい。上記実施形態に対して可能な変形は、例えば以下のようなものである。
[Modification]
The present invention is not limited to the above-described embodiment, but various modifications can be made. The above-described embodiment has been described as an example for easily understanding the present invention, and is not necessarily limited to one having all the configurations described. Further, a part of the configuration of one embodiment can be replaced with the configuration of another embodiment, and the configuration of another embodiment can be added to the configuration of one embodiment. Further, it is possible to delete a part of the configuration of each embodiment or add/replace another configuration. Further, the control lines and information lines shown in the figure are those considered to be necessary for explanation, and not all the control lines and information lines necessary for the product are shown. In practice, it may be considered that almost all configurations are connected to each other. Possible modifications to the above embodiment are, for example, as follows.
<第1の変形例>
図29は、第1の変形例に係る電力変換装置1Aのブロック図である。
図29に示す電力変換装置1Aは、第1実施形態の電力変換装置1(図1参照)において、電流検出部11と交流電源Gとの間にリアクトルL2を追加した構成になっている。リアクトルL2は、接続点N2と交流電源Gとを接続する配線hbに設けられている。このようにリアクトルL2を設けることで、第1実施形態で説明した「力率改善動作」に伴うノイズを低減できる。
<First Modification>
FIG. 29 is a block diagram of a power conversion device 1A according to the first modification.
A power conversion device 1A shown in FIG. 29 has a configuration in which a reactor L2 is added between the
<第2の変形例>
図30は、第2の変形例に係る電力変換装置1Bのブロック図である。
図30に示す電力変換装置1Bは、接続点N1を介してリアクトルL1に接続されるスイッチング素子Q1,Q2として、MOSFETではなく、IGBT(Insulated-Gate-Bipolar-Transistor)を用いている点が、第1実施形態(図1参照)とは異なっている。このようにスイッチング素子Q1,Q2としてIGBTを用いても、第1実施形態と同様の効果が奏される。なお、スイッチング素子Q1,Q2に並列に接続されるダイオードD1,D2として、FRD(Fast-Recovery-Diode)やSiC−SBD(Silicon-Carbide-Schokky Barrier-Diodes)を用いてもよい。
<Second Modification>
FIG. 30: is a block diagram of the
The
その他、スイッチング素子Q1〜Q4として、オン抵抗の小さいスーパージャンクションMOSFET(SJMOSFET)を用いてもよい。特に、逆回復時間(time of reverse recovery:trr)が比較的短い高速trrタイプのものを用いることが好ましい。前述した「逆回復時間」とは、逆回復電流が流れる時間であり、「逆回復電流」とは、寄生ダイオードD1〜D4に印加される電圧が順方向電圧から逆方向電圧に切り替わった瞬間に流れる電流である。例えば、逆回復時間が300nsec以下のSJMOSFETをスイッチング素子Q1〜Q4として用いることで損失を低減し、さらなる高効率化を図ることができる。
また、スイッチング素子Q1〜Q4として、オン抵抗が0.2Ω以下のものを用いることが好ましい。これによって、スイッチング素子Q1〜Q4における導通損失を低減できる。
Alternatively, as the switching elements Q1 to Q4, a super junction MOSFET (SJMOSFET) having a small on resistance may be used. In particular, it is preferable to use a high-speed trr type that has a relatively short time of reverse recovery (trr). The "reverse recovery time" described above is the time during which the reverse recovery current flows, and the "reverse recovery current" means the moment when the voltage applied to the parasitic diodes D1 to D4 is switched from the forward voltage to the reverse voltage. It is the flowing current. For example, by using SJMOSFETs having a reverse recovery time of 300 nsec or less as the switching elements Q1 to Q4, the loss can be reduced and the efficiency can be further improved.
Further, it is preferable to use the switching elements Q1 to Q4 having an ON resistance of 0.2Ω or less. Thereby, the conduction loss in the switching elements Q1 to Q4 can be reduced.
また、スイッチング素子Q1,Q2の逆回復時間は、スイッチング素子Q3,Q4よりも短いことが好ましい。前述したように、同期整流制御、部分スイッチング制御、高速スイッチングでは、スイッチング素子Q1,Q2のオン/オフが、交流電源電圧vsの半サイクルごとに所定回数行われる。従って、スイッチング素子Q1,Q2として逆回復時間の短いものを用いることで、逆回復電流が小さくなるため、スイッチング損失を低減できる。なお、スイッチング素子Q3,Q4については、力率改善動作時に逆回復電流が発生しないため、逆回復時間が比較的長く、オン抵抗がスイッチング素子Q1,Q2に対して相対的に小さい素子を用いてもよい。 The reverse recovery time of the switching elements Q1 and Q2 is preferably shorter than that of the switching elements Q3 and Q4. As described above, in the synchronous rectification control, the partial switching control, and the high-speed switching, the switching elements Q1 and Q2 are turned on/off a predetermined number of times every half cycle of the AC power supply voltage vs. Therefore, by using switching elements Q1 and Q2 having a short reverse recovery time, the reverse recovery current is reduced, and thus the switching loss can be reduced. As for the switching elements Q3 and Q4, since the reverse recovery current does not occur during the power factor correction operation, the reverse recovery time is relatively long and the ON resistance is relatively smaller than that of the switching elements Q1 and Q2. Good.
また、スイッチング素子Q1〜Q4として、例えば、SiC(Silicon Carbide)−MOSFETや窒化ガリウム(GaN;Gallium nitride)素子を用いてもよい。これによって、電力変換装置1のエネルギ損失をさらに低減し、高効率化を図ることができる。
Further, as the switching elements Q1 to Q4, for example, a SiC (Silicon Carbide)-MOSFET or a gallium nitride (GaN) element may be used. Thereby, the energy loss of the
<第3の変形例>
図31は、第3の変形例に係る電力変換装置1Cのブロック図である。
図31に示す電力変換装置1Cは、図1に示した第1実施形態の電力変換装置1に対して、配線haに新たに電流センサCTを追加した構成となっている。例えば、電流センサCTには、カレントトランスやホール素子を用いるとよい。この位置に電流センサCTを配置することで、同期整流(全波整流)時の回路電流だけでなく、力率改善動作時の短絡電流ispも検出可能となる。
<Third Modification>
FIG. 31 is a block diagram of a power conversion device 1C according to the third modification.
The power conversion device 1C shown in FIG. 31 has a configuration in which a current sensor CT is newly added to the wiring ha in addition to the
図1の構成ではシャント抵抗器R1によって検出した電流値を用いて、逆流電流が発生しないようにスイッチング素子Q3とQ4の同期整流制御を行っていた。図1の構成では力率改善動作時の電流は検出できないため、力率改善動作オフ時に電流検出を行っていた。そのため、上述したように、交流電源側への電流の逆流を防ぐためにシャント抵抗器によって電流検出を行い、確実に回路電流が通流している状態を検出したうえでスイッチング素子Q3またはQ4の同期生流動作を行っていた。そのため、最初の1ショット目は同期整流を行っていない。 In the configuration of FIG. 1, the current value detected by the shunt resistor R1 is used to perform the synchronous rectification control of the switching elements Q3 and Q4 so that the reverse current is not generated. In the configuration of FIG. 1, since the current during the power factor correction operation cannot be detected, the current is detected when the power factor correction operation is off. Therefore, as described above, the shunt resistor is used to detect the current in order to prevent the reverse flow of the current to the AC power supply side, and the synchronous current of the switching element Q3 or Q4 is detected after the circuit current is detected. It was working. Therefore, the synchronous rectification is not performed in the first shot.
これに対して、本変形例にあっては、電流センサCTによって電流検出を行うことによって、力率改善電流も検出できるため、1ショット目の力率改善電流通流開始と同時にスイッチング素子Q3またはQ4をオンすることで、1ショット目も同期整流を実行することができ、さらなる高効率動作が可能である。
図32は、図31の回路構成で部分スイッチング制御(2ショット)を行った場合における交流電源電圧vs、回路電流is、力率改善電流isp、シャント電流ishおよびスイッチング素子Q1〜Q4の駆動パルスの時間的変化を示す波形図である。
On the other hand, in the present modification, the power factor correction current can also be detected by detecting the current with the current sensor CT, so that the switching element Q3 or By turning on Q4, the synchronous rectification can be executed even for the first shot, and a further highly efficient operation is possible.
FIG. 32 shows the AC power supply voltage vs, the circuit current is, the power factor correction current isp, the shunt current ish, and the drive pulses of the switching elements Q1 to Q4 when the partial switching control (two shots) is performed in the circuit configuration of FIG. It is a waveform diagram which shows a time change.
<第4の変形例>
図33は、第4の変形例に係る電力変換装置の制御系統等のブロック図である。第1実施形態の構成(図2参照)と比較すると、伝達素子であるダイオードD5,D6に代えて、トランジスタTr1,Tr2を適用した点が異なっている。トランジスタTr1,Tr2は、駆動回路IC1が出力する出力電圧波形Faultが0Vになると、オン状態になり、駆動回路IC2のHIN端子およびLIN端子に電圧0Vを印加する。なお、トランジスタTr1,Tr2に代えて、IGBTやMOSFET等、他のスイッチング素子を適用してもよい。このような構成においても、平滑コンデンサC1に発生する短絡電流に対して、各部の保護を迅速に行うことが可能である。
<Fourth Modification>
FIG. 33 is a block diagram of a control system and the like of the power conversion device according to the fourth modification. Compared with the configuration of the first embodiment (see FIG. 2 ), the difference is that transistors Tr1 and Tr2 are applied instead of the diodes D5 and D6 that are transmission elements. When the output voltage waveform Fault output from the drive circuit IC1 becomes 0V, the transistors Tr1 and Tr2 are turned on, and the voltage 0V is applied to the HIN terminal and the LIN terminal of the drive circuit IC2. Instead of the transistors Tr1 and Tr2, another switching element such as an IGBT or MOSFET may be applied. Even with such a configuration, it is possible to quickly protect each part against a short-circuit current generated in the smoothing capacitor C1.
<制御モードの選択の変形例>
図34は、他の種々の変形例に係る電力変換装置の制御モードの切替えに関する説明図である。図中の制御方法X1〜X8は、他の種々の変形例における制御モードの選択方法を示したものである。なお、これら変形例における電力変換装置のハードウエア構成は、第1,第2実施形態のものと同様である。
<Modification of control mode selection>
FIG. 34 is an explanatory diagram regarding switching of control modes of the power conversion devices according to various other modifications. Control methods X1 to X8 in the figure show control mode selection methods in other various modifications. The hardware configuration of the power conversion device in these modifications is the same as that of the first and second embodiments.
図34において、「同期整流」は、制御モードとして「同期整流制御」を選択することを意味している。また、「同期整流+部分SW」は、部分スイッチング制御に、前述した同期整流制御を含ませる(すなわち、力率改善動作と同期整流制御とを交互に行う)ことを意味している。また、「同期整流+高速SW」とは、高速スイッチング制御に同期整流制御が含まれることを意味している。 In FIG. 34, “synchronous rectification” means selecting “synchronous rectification control” as the control mode. Further, “synchronous rectification+partial SW” means that the partial switching control includes the above-mentioned synchronous rectification control (that is, the power factor correction operation and the synchronous rectification control are alternately performed). Further, “synchronous rectification+high-speed SW” means that high-speed switching control includes synchronous rectification control.
また、「ダイオード整流+部分SW」とは、部分スイッチング制御にダイオード整流制御を含ませることを意味している。上述したように、「ダイオード整流制御」とは、寄生ダイオードD1等を介して回路電流isを流す動作である。すなわち、「ダイオード整流+部分SW」とは、力率改善動作とダイオード整流制御とを交互に行うことで、部分スイッチング制御を行うことを意味している。「ダイオード整流+高速SW」とは、高速スイッチング制御にダイオード整流制御を含ませることを意味している。 Further, "diode rectification+partial SW" means that the partial rectification control includes the diode rectification control. As described above, the "diode rectification control" is an operation of flowing the circuit current is through the parasitic diode D1 and the like. That is, “diode rectification+partial SW” means performing partial switching control by alternately performing the power factor correction operation and the diode rectification control. “Diode rectification+high-speed SW” means that high-speed switching control includes diode rectification control.
例えば、制御方法X1に示すように、負荷(例えば、電流検出部11が検出する回路電流Is)が閾値I1以上である場合には、同期整流制御を含む部分スイッチング制御を行い、負荷が閾値I1未満である場合には、同期整流制御を行うようにしてもよい。
また、例えば、制御方法X2で示すように、負荷が閾値I1以上である場合には、同期整流制御を含む高速スイッチング制御を行い、負荷が閾値I1未満である場合には、同期整流制御を行うようにしてもよい。
For example, as shown in the control method X1, when the load (for example, the circuit current Is detected by the current detection unit 11) is the threshold value I1 or more, partial switching control including synchronous rectification control is performed, and the load is the threshold value I1. If it is less than this, synchronous rectification control may be performed.
Further, for example, as shown by the control method X2, when the load is equal to or greater than the threshold value I1, high-speed switching control including synchronous rectification control is performed, and when the load is less than the threshold value I1, synchronous rectification control is performed. You may do it.
図34に示す制御方法X3は、第2実施形態で説明した制御方法(図27、図28参照)と同様である。
また、例えば、制御方法X4に示すように、負荷が閾値I1以上である場合には、ダイオード整流制御を含む部分スイッチング制御を行い、負荷が閾値I1未満である場合には、同期整流制御を行うようにしてもよい。このようにダイオード整流制御を行うことで、交流電源電圧vsの半サイクルにおいて、オン状態にするスイッチング素子が1つで済むため、制御の簡略化を図ることができる。
The control method X3 shown in FIG. 34 is the same as the control method (see FIGS. 27 and 28) described in the second embodiment.
Further, for example, as shown in the control method X4, when the load is equal to or more than the threshold value I1, partial switching control including diode rectification control is performed, and when the load is less than the threshold value I1, synchronous rectification control is performed. You may do it. By performing the diode rectification control in this way, only one switching element needs to be turned on in a half cycle of the AC power supply voltage vs, so that the control can be simplified.
図34に示す他の制御方法X5〜X8については説明を省略するが、効率・高調波の抑制・昇圧等を考慮して、制御方法を適宜設定すればよい。例えば、高効率化、高調波電流の抑制、および昇圧が主目的である場合には、制御方法X1〜X3のいずれかを選択すればよい。また、高効率化は主目的でなく、高調波電流の抑制および昇圧が主目的である場合には、制御方法X4〜X6を選択すればよい。 Descriptions of the other control methods X5 to X8 shown in FIG. 34 are omitted, but the control method may be appropriately set in consideration of efficiency, suppression of harmonics, boosting, and the like. For example, when the main purpose is to improve efficiency, suppress harmonic current, and boost the voltage, any one of the control methods X1 to X3 may be selected. Further, when the efficiency is not the main purpose but the suppression of the harmonic current and the boosting are the main purposes, the control methods X4 to X6 may be selected.
<他の変形例>
上記各実施形態では、電流検出部11(図1参照)の検出値である回路電流Isに基づいて制御モードを切り替える場合について説明したが、制御モードを切り替えるために他の検出値を用いてもよい。例えば、配線ha,hb(図1参照)に流れる電流と正の相関を有する「負荷」を、負荷検出部14(図1参照)によって検出し、この「負荷」の大きさに基づいて制御モードを切り替えるようにしてもよい。例えば、直流電圧検出部13の検出値(出力電圧)に基づいて、制御モードを切り替えるようにしてもよい。なお、負荷が大きくなるにつれて出力電圧も高くなるため、複数の閾値によって分けられる負荷領域と出力電圧との関係は、図27と同様になる。
<Other modifications>
In each of the above-described embodiments, the case where the control mode is switched based on the circuit current Is that is the detection value of the current detection unit 11 (see FIG. 1) has been described, but other detection values may be used to switch the control mode. Good. For example, the “load” having a positive correlation with the current flowing through the wirings ha and hb (see FIG. 1) is detected by the load detection unit 14 (see FIG. 1), and the control mode is determined based on the magnitude of this “load”. May be switched. For example, the control mode may be switched based on the detection value (output voltage) of the DC
また、平滑コンデンサC1(図1参照)の出力側に接続されるインバータ2(図26参照)の電流値や、このインバータ2に接続されるモータ41a(図26参照)の回転速度、モータ電圧とインバータの印加電圧との比率である変調率に基づいて、制御モードを切り替えるようにしてもよい。なお、負荷が大きくなるにつれてインバータ2に流れる電流(モータ41aの回転速度、変調率)も大きくなる。従って、複数の閾値によって分けられる負荷領域と、インバータ2に流れる電流(モータ41aの回転速度、変調率)との関係は、図27と同様になる。
Further, the current value of the inverter 2 (see FIG. 26) connected to the output side of the smoothing capacitor C1 (see FIG. 1), the rotation speed of the
また、各実施形態では、シャント抵抗器R1(図1参照)によって回路電流isを検出する構成について説明したが、これに限らない。例えば、シャント抵抗器R1に代えて、高速の電流トランスを用いてもよい。
また、スイッチング素子Q1〜Q4に、それぞれ、整流ダイオード(図示せず)を逆並列に接続してもよい。また、各実施形態では、電力変換装置1が2レベルのコンバータである構成について説明したが、例えば、3レベルや5レベルのコンバータにも適用できる。
Further, in each of the embodiments, the configuration in which the circuit current is is detected by the shunt resistor R1 (see FIG. 1) has been described, but the configuration is not limited to this. For example, a high speed current transformer may be used instead of the shunt resistor R1.
A rectifying diode (not shown) may be connected in antiparallel to each of the switching elements Q1 to Q4. Further, in each of the embodiments, the configuration in which the
また、各実施形態では、負荷の大きさに応じて制御モードを切り替える処理について説明したが、電力変換装置1の用途や仕様によっては、負荷の大きさに関わらず、所定の制御モード(例えば、部分スイッチング制御)を実行するようにしてもよい。
Further, in each of the embodiments, the process of switching the control mode according to the magnitude of the load has been described. However, depending on the use and specifications of the
また、各実施形態や変形例は、適宜組み合わせることができる。例えば、制御方法X1〜X8(図34参照)の何れかを用いて電力変換を行うことで、第2実施形態で説明した圧縮機41(図26参照)のモータ41aを駆動するようにしてもよい。
Further, the respective embodiments and modified examples can be appropriately combined. For example, the
また、第2実施形態では、電力変換装置1が空気調和機W(図25,図26参照)に搭載される場合について説明したが、電力変換装置1を適用できる装置はこれに限らない。例えば、電車や自動車等の車両、冷蔵庫、給湯機、洗濯機、船舶や航空機等の乗り物、バッテリへの充電設備等に電力変換装置1を搭載してもよい。
Further, in the second embodiment, the case where the
また、前述した各構成、機能、処理部、処理手段等は、それらの一部または全部を、例えば集積回路等のハードウエアで実現してもよい。上記の各構成、機能等は、プロセッサがそれぞれの機能を実現するプログラムを解釈して実行することにより、ソフトウエアで実現してもよい。各機能を実現するプログラム、テーブル、ファイル等の情報を、メモリ、ハードディスク等の記録装置、または、フラッシュメモリカード、DVD(Digital Versatile Disk)等の記録媒体に記録してもよい。 Further, a part or all of the configurations, functions, processing units, processing means, and the like described above may be realized by hardware such as an integrated circuit. Each of the above-described configurations, functions, and the like may be realized by software by the processor interpreting and executing a program that realizes each function. Information such as a program, a table, and a file that realizes each function may be recorded in a recording device such as a memory or a hard disk, or a recording medium such as a flash memory card or a DVD (Digital Versatile Disk).
1 電力変換装置
2 インバータ
10 ブリッジ回路
11 電流検出部
15 制御部
15d コンバータ制御部(電流センサ)
41a モータ
42 室外熱交換器
43 膨張弁
44 室内熱交換器
C1 平滑コンデンサ
D5,D6 ダイオード(伝達素子)
a 判定値(第1の判定閾値)
b 判定値(第2の判定閾値)
Tr1,Tr2 (伝達素子)
I1 閾値(第1閾値)
I2 閾値(第2閾値)
IC1 駆動回路(第1の駆動回路)
IC2 駆動回路(第2の駆動回路)
J1 第1レグ
J2 第2レグ
Kp 電流制御ゲイン
L1 リアクトル
Q1 スイッチング素子(第1スイッチング素子)
Q2 スイッチング素子(第2スイッチング素子)
Q3 スイッチング素子(第3スイッチング素子)
Q4 スイッチング素子(第4スイッチング素子)
Q4(第4スイッチング素子) スイッチング素子
R1 シャント抵抗器(電流センサ)
Vd 直流電圧
Vf 飽和電圧
W 空気調和機
is 回路電流(電流)
ist 短絡電流(所定電流)
LIN端子(入力端子)
HIN端子(入力端子)
1
a judgment value (first judgment threshold value)
b Judgment value (second judgment threshold)
Tr1, Tr2 (Transmission element)
I1 threshold (first threshold)
I2 threshold (second threshold)
IC1 drive circuit (first drive circuit)
IC2 drive circuit (second drive circuit)
J1 1st leg J2 2nd leg Kp Current control gain L1 Reactor Q1 Switching element (first switching element)
Q2 switching element (second switching element)
Q3 switching element (third switching element)
Q4 switching element (4th switching element)
Q4 (4th switching element) Switching element R1 Shunt resistor (current sensor)
Vd DC voltage Vf Saturation voltage W Air conditioner is Circuit current (current)
ist short-circuit current (predetermined current)
LIN terminal (input terminal)
HIN terminal (input terminal)
Claims (17)
交流電源と前記第1レグ間に設けられたリアクトルと、
前記ブリッジ回路に接続され、前記ブリッジ回路から印加される電圧を平滑化し、直流電圧として出力する平滑コンデンサと、
前記第1ないし第4スイッチング素子を制御する制御部と、
前記平滑コンデンサの負極と前記第2スイッチング素子との間に設けられた電流センサと、
前記第1および第2スイッチング素子を駆動するとともに、前記ブリッジ回路に流れる電流における過電流の有無を検出し、前記過電流を検出した場合に所定の電圧信号を出力する出力端子を有する第1の駆動回路と、
前記第3および第4スイッチング素子を駆動する第2の駆動回路と、
前記第1の駆動回路の前記出力端子と、前記第2の駆動回路の入力端子との間に接続され、前記電圧信号を前記入力端子に伝達する伝達素子と、
を有することを特徴とする電力変換装置。 A first switching element, a second switching element connected in series with the first switching element and forming a first leg together with the first switching element, a third switching element, and a third switching element connected in series A fourth switching element that forms a second leg together with the third switching element, and a bridge circuit in which the first leg and the second leg are connected in parallel,
A reactor provided between the AC power supply and the first leg,
A smoothing capacitor that is connected to the bridge circuit, smoothes a voltage applied from the bridge circuit, and outputs the smoothed voltage as a DC voltage;
A control unit for controlling the first to fourth switching elements,
A current sensor provided between the negative electrode of the smoothing capacitor and the second switching element;
A first terminal having an output terminal for driving the first and second switching elements, detecting the presence or absence of an overcurrent in the current flowing through the bridge circuit, and outputting a predetermined voltage signal when the overcurrent is detected. Drive circuit,
A second drive circuit for driving the third and fourth switching elements,
A transfer element that is connected between the output terminal of the first drive circuit and an input terminal of the second drive circuit and transfers the voltage signal to the input terminal;
A power conversion device comprising:
ことを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。 The power conversion device according to claim 1, wherein the current sensor includes a shunt resistor connected between a negative electrode of the smoothing capacitor and a connection point of the second and fourth switching elements.
前記第1または第2スイッチング素子のうち電流が流れる側のスイッチング素子である第1レグ内通流素子をオン状態にし、しかる後に前記第3または第4スイッチング素子のうち電流が流れる側のスイッチング素子である第2レグ内通流素子をオン状態にする機能と、
前記第2レグ内通流素子をオン状態にした後に前記第2レグ内通流素子をオフ状態にし、しかる後に前記第1レグ内通流素子をオフ状態にする機能と、
前記第1ないし第4スイッチング素子のうち前記第1レグ内通流素子および前記第2レグ内通流素子以外のスイッチング素子をオフ状態に維持する機能と、
を有し、これによって前記ブリッジ回路に同期整流を実行させる
ことを特徴とする請求項2に記載の電力変換装置。 The control unit is
Among the first or second switching elements, the first leg flow-through element, which is a switching element on the side where a current flows, is turned on, and then the switching element on a side where a current flows among the third or fourth switching elements. And a function of turning on the second leg current-carrying element which is
A function of turning off the second leg internal flow element after turning on the second internal leg flow element, and then turning off the first internal leg flow element;
A function of maintaining the switching elements other than the first leg communication element and the second leg communication element among the first to fourth switching elements in an off state;
The power converter according to claim 2, wherein the bridge circuit is caused to perform synchronous rectification.
前記ブリッジ回路に通流する電流が第1の判定閾値以上になると、前記第2レグ内通流素子をオン状態にする機能と、
前記電流が第2の判定閾値以下になると、前記第2レグ内通流素子をオフ状態にする機能と、
を有する
ことを特徴とする請求項3に記載の電力変換装置。 The control unit is
A function of turning on the second leg internal flow element when a current flowing through the bridge circuit becomes equal to or higher than a first determination threshold;
A function of turning off the second leg internal flow element when the current becomes equal to or lower than a second determination threshold;
The power conversion device according to claim 3, further comprising:
前記第1および第2スイッチング素子のオン/オフ状態を交互に切り替える力率改善動作を実行する機能を有する
ことを特徴とする請求項2ないし4の何れか一項に記載の電力変換装置。 The control unit is
The power conversion device according to any one of claims 2 to 4, wherein the power conversion device has a function of performing a power factor correction operation that alternately switches ON/OFF states of the first and second switching elements.
ことを特徴とする請求項5に記載の電力変換装置。 The power conversion device according to claim 5, wherein the control unit has a function of detecting an instantaneous current flowing through the bridge circuit at least in a state where the power factor correction operation is not executed.
前記制御部は、前記シャント抵抗器に前記平滑コンデンサの負極から前記第2スイッチング素子の向きに所定電流が通流すると、前記第1ないし第4スイッチング素子をオフにする機能を有する
ことを特徴とする請求項2ないし6の何れか一項に記載の電力変換装置。 The first drive circuit has a function of performing an overcurrent protection operation when a predetermined current flows from the second switching element to the negative electrode of the smoothing capacitor through the shunt resistor.
The control unit has a function of turning off the first to fourth switching elements when a predetermined current flows through the shunt resistor from the negative electrode of the smoothing capacitor in the direction of the second switching element. The power conversion device according to any one of claims 2 to 6.
前記同期整流制御は、前記第1または第2スイッチング素子のうち電流が流れる側のスイッチング素子である第1レグ内通流素子をオン状態にし、しかる後に前記第3または第4スイッチング素子のうち電流が流れる側のスイッチング素子である第2レグ内通流素子をオン状態にし、前記第1ないし第4スイッチング素子のうち前記第1レグ内通流素子および前記第2レグ内通流素子以外のスイッチング素子をオフ状態に維持する制御モードであり、
前記部分スイッチング制御は、前記第1および第2スイッチング素子を交互にオン/オフする動作を、前記交流電源の電圧の半サイクルごとに所定回数行う制御モードであり、
前記高速スイッチング制御は、前記第1および第2スイッチング素子を、前記部分スイッチング制御におけるオン/オフ周期よりも短い周期で、交互にオン/オフする動作を所定周期で繰り返す制御モードである
ことを特徴とする請求項1ないし請求項7の何れか一項に記載の電力変換装置。 The control unit selects synchronous rectification control as a control mode when the magnitude of the current flowing through the bridge circuit is less than a first threshold, and the magnitude of the current flowing through the bridge circuit is equal to or greater than the first threshold. And, when it is less than the second threshold value which is larger than the first threshold value, partial switching control is selected as the control mode, and when the magnitude of the current flowing in the bridge circuit is the second threshold value or more, the partial switching control is selected. Has the function of selecting high-speed switching control as the control mode,
In the synchronous rectification control, the first leg current-carrying element, which is a switching element on the side where a current flows, of the first or second switching elements is turned on, and then the current of the third or fourth switching elements is changed. The second leg communication element, which is a switching element on the side where the current flows, is turned on, and switching of the first to fourth switching elements other than the first leg communication element and the second leg communication element is performed. It is a control mode that keeps the device in the off state,
The partial switching control is a control mode in which an operation of alternately turning on/off the first and second switching elements is performed a predetermined number of times for each half cycle of the voltage of the AC power supply,
The high-speed switching control is a control mode in which an operation of alternately turning on/off the first and second switching elements at a cycle shorter than an on/off cycle in the partial switching control is repeated at a predetermined cycle. The power conversion device according to any one of claims 1 to 7.
ことを特徴とする請求項8に記載の電力変換装置。 The power conversion device according to claim 8, wherein the control unit has a function of stopping the synchronous rectification control, the partial switching control, or the high-speed switching control when an overcurrent is detected.
ことを特徴とする請求項9に記載の電力変換装置。 The power conversion device according to claim 9, wherein the control unit has a function of stopping the load supplying the DC voltage when the overcurrent is detected.
ことを特徴とする請求項1ないし請求項10の何れか一項に記載の電力変換装置。 The power transmission device according to any one of claims 1 to 10, wherein the transmission element is an element whose on/off state can be switched according to a control signal.
ことを特徴とする請求項1ないし11の何れか一項に記載の電力変換装置。 The power conversion device according to any one of claims 1 to 11, wherein the first to fourth switching elements are super junction MOSFETs, SiC-MOSFETs, or gallium nitride elements.
ことを特徴とする請求項6に記載の電力変換装置。 The control unit has a function of simultaneously turning on the first or second switching element and the third or fourth switching element when executing the power factor correction operation. Item 7. The power conversion device according to item 6.
ことを特徴とする請求項6または13に記載の電力変換装置。 The control unit has a function of performing an operation of alternately turning on/off the first and second switching elements a predetermined number of times for each half cycle of the voltage of the AC power supply. The power converter described.
ことを特徴とする請求項6または13に記載の電力変換装置。 The power conversion device according to claim 6 or 13, wherein the control unit has a function of repeating an operation of alternately turning on/off the first and second switching elements at a predetermined cycle.
前記部分スイッチング制御および前記高速スイッチング制御のうち一方から他方に制御モードを切り替える際、前記直流電圧の変動を抑制するように、複数の前記第1ないし第4スイッチング素子のオンデューティを徐々に変化させる
ことを特徴とする請求項10に記載の電力変換装置。 The control unit is
When switching the control mode from one of the partial switching control and the high-speed switching control to the other, the on-duty of the plurality of first to fourth switching elements is gradually changed so as to suppress the fluctuation of the DC voltage. The power conversion device according to claim 10, wherein the power conversion device is a power conversion device.
前記直流電圧を交流電圧に変換するインバータと、
前記交流電圧によって駆動されるモータを有する圧縮機と、室外熱交換器と、膨張弁と、室内熱交換器と、を有する冷媒回路と、
を有し、前記電力変換装置は、
第1スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子に直列に接続され前記第1スイッチング素子とともに第1レグを構成する第2スイッチング素子と、第3スイッチング素子と、前記第3スイッチング素子に直列に接続され前記第3スイッチング素子とともに第2レグを構成する第4スイッチング素子と、を有し、前記第1レグと前記第2レグとを並列接続したブリッジ回路と、
交流電源と前記第1レグ間に設けられたリアクトルと、
前記ブリッジ回路に接続され、前記ブリッジ回路から印加される電圧を平滑化し、直流電圧として出力する平滑コンデンサと、
前記第1ないし第4スイッチング素子を制御する制御部と、
前記平滑コンデンサの負極と前記第2スイッチング素子との間に設けられた電流センサと、
前記第1および第2スイッチング素子を駆動するとともに、前記ブリッジ回路に流れる電流における過電流の有無を検出し、前記過電流を検出した場合に所定の電圧信号を出力する出力端子を有する第1の駆動回路と、
前記第3および第4スイッチング素子を駆動する第2の駆動回路と、
前記第1の駆動回路の前記出力端子と、前記第2の駆動回路の入力端子との間に接続され、前記電圧信号を前記入力端子に伝達する伝達素子と、
を有することを特徴とする空気調和機。 A power converter that outputs a DC voltage,
An inverter for converting the DC voltage into an AC voltage,
A compressor having a motor driven by the AC voltage, an outdoor heat exchanger, an expansion valve , and a refrigerant circuit having an indoor heat exchanger,
And the power converter has
A first switching element, a second switching element connected in series with the first switching element and forming a first leg together with the first switching element, a third switching element, and a third switching element connected in series A fourth switching element that forms a second leg together with the third switching element, and a bridge circuit in which the first leg and the second leg are connected in parallel,
A reactor provided between the AC power supply and the first leg,
A smoothing capacitor which is connected to the bridge circuit, smoothes a voltage applied from the bridge circuit, and outputs the smoothed DC voltage;
A control unit for controlling the first to fourth switching elements,
A current sensor provided between the negative electrode of the smoothing capacitor and the second switching element;
A first terminal having an output terminal for driving the first and second switching elements, detecting the presence or absence of an overcurrent in the current flowing through the bridge circuit, and outputting a predetermined voltage signal when the overcurrent is detected. Drive circuit,
A second drive circuit for driving the third and fourth switching elements,
A transfer element that is connected between the output terminal of the first drive circuit and an input terminal of the second drive circuit and transfers the voltage signal to the input terminal;
An air conditioner characterized by having.
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