JP6729959B1 - 半導体デバイスの試験装置および半導体デバイスの試験方法 - Google Patents

Abstract

【課題】隣接する半導体デバイスの温度変化状況による影響を受けることなく、ファンの故障を防止してファンによる温度制御効果を安定的に維持することができ、試験ボード上に多数の半導体デバイスを実装することが可能な半導体デバイスの試験装置と半導体デバイスの試験方法を提供する。【解決手段】半導体デバイスの試験装置は、半導体デバイス１０に取り付けられたヒートシンク１１と、ヒートシンク１１を覆う断熱ケース１２と、断熱ケース１２で覆われた領域内に設けられたダンパー型開閉器２０と、ダンパー型開閉器２０の上方であって断熱ケース１２で覆われた領域の外側に設けられた冷却ファン１３と、半導体デバイス１０の温度を検知する温度センサ２１とを備えている。【選択図】図４

Description

本発明は、バーンインテストに用いられる半導体デバイスの試験装置と試験方法に関する。

半導体デバイスの初期不良を取り除くためのスクリーニングとして、バーンインテストが行われており、温度加速を加えたバーンインテストによって、試験時間を短縮させることができることはよく知られている。

個々の半導体デバイスは、内部の不純物濃度等に起因する製造上の誤差が存在するため、各々の発熱温度が異なることがある。このような場合には、同時に同一条件下で動作させてバーンインテストを行うことができない。

このような状況に対応することを目的の一つとしてなされた発明が、特許文献１に記載されている。

特開２０１４−１０５９９６号公報

特許文献１に記載されたものは、半導体装置が取り付けられる複数のソケットを有するバーンインボードと、側部に形成された第１開口部と前記第１開口部に向けて配置される第１送風ファンとを有し、前記ソケットを個別に覆う複数の箱と、前記バーンインボードを収納する恒温槽と、複数の前記半導体装置の温度を個別に測定する複数の温度センサと、前記複数の温度センサにより検出した前記温度を比較し、前記第１送風ファンを回転させる制御部とを有する半導体装置の試験装置である。

しかし、この装置においては、一方の半導体装置から移動させた熱エネルギーを他の半導体装置の加熱或いは冷却に使用するために、開口部とファンは箱の側部に設けられて相互に干渉する構造になっており、一つの半導体装置の温度変化に急激な異常が生じた場合に、隣接する半導体装置へ影響を与えてしまい、温度制御を正常に行うことができない事態が生じうる。

また、バーンインボードは恒温槽内に収納されている上に、さらに高温に設定される箱内にファンが設置される構造となっているため、電子機器であるファンは、高温環境となる空間に設置されることとなり、故障しやすくなる。ファンが故障すると、隣接する半導体装置同士での熱のやり取りを行うことができず、温度制御機能が停止する。

さらに、ソケットの外周に箱やファンが配置される構造であるため、フットプリントが広くなり、バーンインボード上に実装できる数が制約を受ける。

本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、隣接する半導体デバイスの温度変化状況による影響を受けることなく、ファンの故障を防止してファンによる温度制御効果を安定的に維持することができ、試験ボード上に多数の半導体デバイスを実装することが可能な半導体デバイスの試験装置と半導体デバイスの試験方法を提供することを目的とする。

以上の課題を解決するために、本発明の半導体デバイスの試験装置は、半導体デバイスに取り付けられたヒートシンクと、ヒートシンクを覆う断熱ケースと、断熱ケースで覆われた領域内に設けられたダンパー型開閉器と、ダンパー型開閉器の上方であって断熱ケースで覆われた領域の外側に設けられた冷却ファンと、半導体デバイスの温度を検知する温度センサとを備え、半導体デバイスが取り付けられる複数のソケットを有するバーンインボードがラックに収容される半導体デバイスの試験装置であって、温度センサによって検知された温度が設定温度に達するまでは、冷却ファンは停止して、ダンパー型開閉器は閉じた状態で半導体デバイスの自己発熱により温度が上昇し、温度センサによって検知された温度が設定温度に達すると、冷却ファンが回転することによって生じる上向きの気流によって、ダンパー型開閉器が上側に開いて開口部が形成され、開口部から断熱ケース内に空気が流入して冷却されて温度制御がなされることを特徴とする。

バーンインボードがラックに収容されるとともに、冷却ファンは、ダンパー型開閉器の上方であって断熱ケースで覆われた領域の外側に設けられているため、冷却ファンが高温環境下で動作することがない。そのため、冷却ファンの故障を防止でき、冷却ファンによる温度制御効果を安定的に得ることができる。

また、冷却ファンが回転することによって生じる上向きの気流によって、ダンパー型開閉器が上側に開いて開口部が形成され、開口部から断熱ケース内に空気が流入して冷却されるため、個々の半導体デバイスについて独立した気流制御が可能となる。そのため、隣接する半導体デバイスの温度変化状況に影響を受けることがない。

本発明の半導体デバイスの試験装置は、半導体デバイスに取り付けられたヒートシンクと、ヒートシンクを覆う断熱ケースと、断熱ケースで覆われた領域内に設けられた浮上型開閉器と、浮上型開閉器の上方であって断熱ケースで覆われた領域の外側に設けられた冷却ファンと、半導体デバイスの温度を検知する温度センサとを備え、半導体デバイスが取り付けられる複数のソケットを有するバーンインボードがラックに収容される半導体デバイスの試験装置であって、温度センサによって検知された温度が設定温度に達するまでは、冷却ファンは停止して、浮上型開閉器は閉じた状態で半導体デバイスの自己発熱により温度が上昇し、温度センサによって検知された温度が設定温度に達すると、冷却ファンが回転することによって生じる上向きの気流によって、フロートが浮上して浮上型開閉器に開口部が形成され、開口部から断熱ケース内に空気が流入して冷却されて温度制御がなされることを特徴とする。

この構成によっても、バーンインボードがラックに収容されるとともに、冷却ファンは、浮上型開閉器の上方であって断熱ケースで覆われた領域の外側に設けられているため、冷却ファンが高温環境下で動作することがない。そのため、冷却ファンの故障を防止でき、冷却ファンによる温度制御効果を安定的に得ることができる。

また、冷却ファンが回転することによって生じる上向きの気流によって、フロートが浮上して浮上型開閉器に開口部が形成され、開口部から断熱ケース内に空気が流入して冷却されるため、個々の半導体デバイスについて独立した気流制御が可能となる。そのため、隣接する半導体デバイスの温度変化状況に影響を受けることがない。

さらに、ダンパー型開閉器を用いる場合と比較して、高さ方向を薄く形成することができるため、試験装置のさらなる小型化を実現することができる。

本発明の半導体デバイスの試験装置においては、前記ヒートシンクと前記断熱ケースと前記冷却ファンは、前記ソケットと同等の広さで形成されるようにすることができる。

このように構成することにより、ソケットの占有面積で、試験装置を構成する全ての部材が収まるようにすることができるため、フットプリントが狭くなり、バーンインボード上に多数の半導体デバイスを実装することができる。そのため、試験の効率化を図ることができる。

本発明の半導体デバイスの試験装置においては、前記ラックの環境温度は常温であることとすることができる。

ラックの環境温度を常温とすることにより、恒温槽を用いる場合と違って、冷却ファンが高温環境下に晒されることが無い。そのため、冷却ファンの故障を防止することができ、温度制御機能を長期間に亘って確保することができる。

本発明の半導体デバイスの試験方法は、バーンインボード上の複数のソケットに半導体デバイスを取り付ける工程と、ダンパー型開閉器とヒートシンクと断熱ケースと温度センサとを半導体デバイスに取り付ける工程と、ダンパー型開閉器の上方であって断熱ケースで覆われた領域の外側に冷却ファンを取り付ける工程と、バーンインボードをラックに収容する工程と、半導体デバイスに電圧を印加して電気試験を行うとともに温度を上昇させる工程と、温度センサによって検知された温度が設定温度に達するまでは、冷却ファンは停止して、ダンパー型開閉器は閉じた状態で半導体デバイスの自己発熱により温度が上昇し、温度センサによって検知された温度が設定温度に達すると、冷却ファンが回転することによって生じる上向きの気流によって、ダンパー型開閉器が上側に開いて開口部が形成され、開口部から断熱ケース内に空気が流入して冷却されて温度制御する工程と、試験時間が経過すると半導体デバイスの電気試験を終了する工程と、を有する。

また、本発明の半導体デバイスの試験方法は、バーンインボード上の複数のソケットに半導体デバイスを取り付ける工程と、浮上型開閉器とヒートシンクと断熱ケースと温度センサとを半導体デバイスに取り付ける工程と、浮上型開閉器の上方であって断熱ケースで覆われた領域の外側に冷却ファンを取り付ける工程と、バーンインボードをラックに収容する工程と、半導体デバイスに電圧を印加して電気試験を行うとともに温度を上昇させる工程と、温度センサによって検知された温度が設定温度に達するまでは、冷却ファンは停止して、浮上型開閉器は閉じた状態で半導体デバイスの自己発熱により温度が上昇し、温度センサによって検知された温度が設定温度に達すると、冷却ファンが回転することによって生じる上向きの気流によって、フロートが浮上して浮上型開閉器に開口部が形成され、開口部から断熱ケース内に空気が流入して冷却されて温度制御する工程と、試験時間が経過すると半導体デバイスの電気試験を終了する工程と、を有する。

以上の試験方法によると、断熱ケースで覆われた領域の外側に冷却ファンを取り付けることにより、冷却ファンの故障を防止できるため、冷却ファンによる温度制御効果を安定的に得ることができるとともに、隣接する半導体デバイスの温度変化状況に影響を受けることなく、半導体デバイスの試験を実施することができる。

本発明の半導体デバイスの試験方法においては、前記ラックの環境温度を常温とする工程を有するようにすることができる。

ラックの環境温度を常温とすることにより、恒温槽を用いる場合と違って、冷却ファンが高温環境下に晒されることが無い。そのため、冷却ファンの故障を防止することができ、温度制御機能を長期間に亘って確保することができる。

本発明によると、隣接する半導体デバイスの温度変化状況による影響を受けることなく、ファンの故障を防止してファンによる温度制御効果を安定的に維持することができ、試験ボード上に多数の半導体デバイスを実装することが可能な半導体デバイスの試験装置と半導体デバイスの試験方法を実現することができる。

バーンインボードの配置環境を示す図である。 本発明において、半導体デバイスがバーンインボードに配置された状態を示す図である。 先行技術文献において、半導体デバイスがバーンインボードに配置された状態を示す図である。 本発明の第一実施形態を示す図である。 冷却ファンによる気流制御の独立性について説明する図である。 冷却ファンの配置状況を説明する図である。 本発明の第二実施形態を示す図である。 本発明の第一実施形態と第二実施形態とを比較した図である。

以下に、本発明の半導体デバイスの試験装置と半導体デバイスの試験方法を、その実施形態に基づいて説明する。
図１(ａ)は、本発明におけるバーンインボードの配置環境を示しており、バーンインボード１には半導体デバイスの試験装置２が搭載されて、ラック３に収容されている。

図１(ｂ)は、これと対比するために、特許文献１におけるバーンインボードの配置環境を示しており、バーンインボード４には半導体デバイスの試験装置５が搭載されて、恒温槽６に収容されている。恒温槽６には制御部７が取り付けられている。本発明においては、恒温槽６を用いずに、これよりも低温状態に維持されたラック３を用いる点に一つの特徴があり、特許文献１に記載のものと相違する。

図２(ａ)は、本発明において、半導体デバイスの試験装置がバーンインボードに配置された状態を示す。本発明の試験装置は、図２（ｂ）に示すように、半導体デバイス１０に取り付けられたヒートシンク１１と断熱ケース１２と冷却ファン１３は、ソケット１４と同等の広さで形成されており、ソケット１４の占有面積で、ヒートシンク１１と断熱ケース１２と冷却ファン１３という試験装置を構成する全ての部材が収まるようにすることができる。そのため、フットプリントが狭くなり、図２(ａ)に示すように、バーンインボード１上に多数の半導体デバイスの試験装置２を実装することができる。ヒートシンク１１、断熱ケース１２、冷却ファン１３については、後に詳述する。

図３(ａ)は、これと対比するために、特許文献１における実装形態を示している。ここでは、図３（ｂ）に示すように、ソケット１４の外周にファン１５と箱１６が配置されているため、フットプリントが広くなる。そのため、図３(ａ)に示すように、バーンインボード４上での試験装置５の実装数が制約を受ける。

図４に基づいて、本発明の半導体デバイスの試験装置の第一実施形態について説明する。
図４(ａ)は、ダンパー型開閉器が閉じた状態を示し、図４(ｂ)は、ダンパー型開閉器が開いた状態を示している。ダンパー型開閉器２０は、２つの板状体の動作によって開閉動作を行うものであり、それぞれの板状体の一端側は固定されており、冷却ファン１３が回転すると、これによって生じる上向きの気流によって、固定された側を回転軸として２つの板状体が上側に開いて開口部２２が形成される構造となっている。

半導体デバイスの試験装置２は、半導体デバイス１０に取り付けられたヒートシンク１１と、ヒートシンク１１を覆う断熱ケース１２と、断熱ケース１２で覆われた領域内に設けられたダンパー型開閉器２０と、ダンパー型開閉器２０の上方であって断熱ケース１２で覆われた領域の外側に設けられた冷却ファン１３と、半導体デバイス１０の温度を検知する温度センサ２１とを備えている。半導体デバイス１０が取り付けられる複数のソケット１４を有するバーンインボード１は、図１（ａ）に示すように、ラック３に収容されている。冷却ファン１３の一例として、ＤＣファンを用いることができる。ラック３の環境温度は、−１０℃以上６０℃以下程度とすることができる。また、ラック３の環境温度は常温であるようにすることができる。ラック３は、恒温槽のようにその内部を所定の高温状態に維持する機能を有していないため、ラック３内に収容されたバーンインボード１は、ラック３の環境温度と同等の温度化に置かれることになる。

温度センサ２１によって検知された温度が設定温度に達するまでは、冷却ファン１３は停止して、図４(ａ)に示すように、ダンパー型開閉器２０は閉じた状態で半導体デバイス１０の自己発熱により温度が上昇する。

温度センサ２１によって検知された温度が設定温度に達すると、図４(ｂ)に示すように、冷却ファン１３が回転することによって生じる上向きの気流によって、ダンパー型開閉器２０が上側に開いて開口部２２が形成され、開口部２２から断熱ケース１２内に空気が流入して冷却される。これにより、温度センサ２１によって検知された温度が設定温度を下回ると、ダンパー型開閉器２０は閉じた状態となる。このような動作が繰り返されることによって温度制御がなされる。

このような構造の半導体デバイスの試験装置２によって、半導体デバイスの試験方法が実行される。この半導体デバイスの試験方法は、バーンインボード１上の複数のソケット１４に半導体デバイス１０を取り付ける工程と、ダンパー型開閉器２０とヒートシンク１１と断熱ケース１２と温度センサと２１とを半導体デバイス１０に取り付ける工程と、ダンパー型開閉器２０の上方であって断熱ケース１２で覆われた領域の外側に冷却ファン１３を取り付ける工程と、バーンインボード１をラック３に収容する工程と、半導体デバイス１０に電圧を印加して電気試験を行うとともに温度を上昇させる工程と、温度センサ２１によって検知された温度が設定温度に達するまでは、冷却ファン１３は停止して、ダンパー型開閉器２０は閉じた状態で半導体デバイス１０の自己発熱により温度が上昇し、温度センサ２１によって検知された温度が設定温度に達すると、冷却ファン１３が回転することによって生じる上向きの気流によって、ダンパー型開閉器２０が上側に開いて開口部２２が形成され、開口部２２から断熱ケース１２内に空気が流入して冷却されて温度制御する工程と、試験時間が経過すると半導体デバイス１０の電気試験を終了する工程と、を有するものである。また、ラック３の環境温度を常温とすることができる。

図５に基づいて、冷却ファンによる気流制御の独立性について説明する。
図５(ａ)は、本発明の半導体デバイスの試験装置を示しており、冷却ファン１３が回転することによって生じる気流は上向きに生じるため、個々の半導体デバイス１０について独立した気流制御が可能となる。従って、この気流が隣接する半導体デバイス１０に影響を与えることなく冷却されるため、隣接する半導体デバイス１０の温度変化状況に影響を受けることがない。

図５(ｂ)は、これと対比するために、特許文献１における開口部とファンを示しており、開口部１７とファン１５は箱１６の側部に形成されているため、一つの半導体装置１８の温度変化に急激な異常が生じた場合に、隣接する半導体装置１８へ影響を与えてしまい、温度制御を正常に行うことができない事態が生じうる。

図６に基づいて、冷却ファンの配置状況を説明する。
図６(ａ)は、本発明の半導体デバイスの試験装置における冷却ファン１３を示している。バーンインボード１がラック３に収容されるとともに、冷却ファン１３は、ダンパー型開閉器２０の上方であって断熱ケース１２で覆われた領域の外側に設けられており、ダンパー型開閉器２０の空間で間仕切りされる構造となっている。そのため、冷却ファン１３が高温環境下で動作することがなく、冷却ファン１３の故障を防止でき、冷却ファン１３による温度制御効果を安定的に得ることができる。

図６(ｂ)は、これと対比するために、特許文献１におけるファン１５を示している。バーンインボード４は恒温槽６内に収容されている上に、さらに高温に設定される箱１６内にファン１５が設置される構造となっている。ここでの試験温度は１５０℃程度であり、電子機器であるファン１５は、設置される空間が高温環境となり、故障しやすくなる。ファン１５が故障すると、隣接する半導体装置同士での熱のやり取りを行うことができず、温度制御機能が停止する。

図７に基づいて、本発明の半導体デバイスの試験装置の第二実施形態について説明する。
図７(ａ)は、浮上型開閉器が閉じた状態を示し、図７(ｂ)は、浮上型開閉器が開いた状態を示している。浮上型開閉器３０は、フロート３１の動作によって開閉動作を行うものであり、フロート３１が降下しているときは開口部が形成されず、冷却ファン１３が回転すると、これによって生じる上向きの気流によって、フロート３１が上側に浮上して、開口部が形成される構造となっている。

半導体デバイスの試験装置２は、半導体デバイス１０に取り付けられたヒートシンク１１と、ヒートシンク１１を覆う断熱ケース１２と、断熱ケース１２で覆われた領域内に設けられた浮上型開閉器３０と、浮上型開閉器３０の上方であって、断熱ケース１２で覆われた領域の外側に設けられた冷却ファン１３と、半導体デバイス１０の温度を検知する温度センサ２１とを備えている。半導体デバイス１０が取り付けられる複数のソケット１４を有するバーンインボード１は、図１（ａ）に示すように、ラック３に収容されている。ラック３の環境温度は、−１０℃以上６０℃以下程度とすることができる。また、ラック３の環境温度を常温とすることができる。

温度センサ２１によって検知された温度が設定温度に達するまでは、冷却ファン１３は停止して、図７（ａ）に示すように、フロート３１は降下していて、遮断部３２が形成され、浮上型開閉器３０は閉じた状態で半導体デバイス１０の自己発熱により温度が上昇する。

温度センサ２１によって検知された温度が設定温度に達すると、図７（ｂ）に示すように、冷却ファン１３が回転することによって生じる上向きの気流によって、フロート３１は浮上して、浮上型開閉器３０に開口部３３が形成され、開口部３３から断熱ケース１２内に空気が流入して冷却される。これにより、温度センサ２１によって検知された温度が設定温度を下回ると、浮上型開閉器３０は閉じた状態となる。このような動作が繰り返されることによって温度制御がなされる。

なお、この第二実施形態においても、第一実施形態において、図２を用いて説明したように、半導体デバイス１０に取り付けられたヒートシンク１１と断熱ケース１２と冷却ファン１３とは、ソケット１４と同等の広さで形成されて、ソケット１４の占有面積で、ヒートシンク１１と断熱ケース１２と冷却ファン１３という試験装置を構成する全ての部材が収まるようにすることができる。また、図５、図６を用いて説明した、冷却ファンによる気流制御の独立性と、冷却ファンの配置状況は、この第二実施形態についても同様である。

このような構造の半導体デバイスの試験装置によって、半導体デバイスの試験方法が実行される。この半導体デバイスの試験方法は、バーンインボード１上の複数のソケット１４に半導体デバイス１０を取り付ける工程と、浮上型開閉器３０とヒートシンク１１と断熱ケース１２と温度センサと２１とを半導体デバイス１０に取り付ける工程と、浮上型開閉器３０の上方であって断熱ケース１２で覆われた領域の外側に冷却ファン１３を取り付ける工程と、バーンインボード１をラック３に収容する工程と、半導体デバイス１０に電圧を印加して電気試験を行うとともに温度を上昇させる工程と、温度センサ２１によって検知された温度が設定温度に達するまでは、冷却ファン１３は停止して、浮上型開閉器３０は閉じた状態で半導体デバイス１０の自己発熱により温度が上昇し、温度センサ２１によって検知された温度が設定温度に達すると、冷却ファン１３が回転することによって生じる上向きの気流によって、フロート３１が浮上して浮上型開閉器３０に開口部３３が形成され、開口部３３から断熱ケース１２内に空気が流入して冷却されて温度制御する工程と、試験時間が経過すると半導体とデバイス１０の電気試験を終了する工程と、を有するものである。また、ラック３の環境温度を常温とすることができる。

図８に、本発明の第一実施形態と第二実施形態とを比較した図を示す。
図８（ａ）が、第一実施形態に係る半導体デバイスの試験装置であり、図８（ｂ）が、第二実施形態に係る半導体デバイスの試験装置である。

浮上型開閉器３０を用いると、ダンパー型開閉器２０を用いる場合と比較して、高さ方向を薄く形成することができる。そのため、半導体デバイスの試験装置２の全体の高さを抑制することができるため、試験装置のさらなる小型化を実現することができる。

以上説明したように、本発明の半導体デバイスの試験装置は、恒温槽を用いずに、半導体デバイスの自己発熱によって温度上昇させるものであるため、自己発熱量が低い半導体デバイスの場合には、温度上昇量が不足することが起こりうるが、ターゲットを１０Ｗ〜３０Ｗとすれば、これに必要な温度上昇量としては十分であるといえる。

本発明は、隣接する半導体デバイスの温度変化状況による影響を受けることなく、ファンの故障を防止してファンによる温度制御効果を安定的に維持することができ、試験ボード上に多数の半導体デバイスを実装することが可能な半導体デバイスの試験装置と半導体デバイスの試験方法として、半導体試験の分野において広く利用することができる。

１ バーンインボード
２ 半導体デバイスの試験装置
３ ラック
４ バーンインボード
５ 半導体デバイスの試験装置
６ 恒温槽
７ 制御部
１０ 半導体デバイス
１１ ヒートシンク
１２ 断熱ケース
１３ 冷却ファン
１４ ソケット
１５ ファン
１６ 箱
１７ 開口部
１８ 半導体装置
２０ ダンパー型開閉器
２１ 温度センサ
２２ 開口部
３０ 浮上型開閉器
３１ フロート
３２ 遮断部
３３ 開口部

Claims (7)

1. 半導体デバイスに取り付けられたヒートシンクと、ヒートシンクを覆う断熱ケースと、断熱ケースで覆われた領域内に設けられたダンパー型開閉器と、ダンパー型開閉器の上方であって断熱ケースで覆われた領域の外側に設けられた冷却ファンと、半導体デバイスの温度を検知する温度センサとを備え、半導体デバイスが取り付けられる複数のソケットを有するバーンインボードがラックに収容される半導体デバイスの試験装置であって、
   温度センサによって検知された温度が設定温度に達するまでは、冷却ファンは停止して、ダンパー型開閉器は閉じた状態で半導体デバイスの自己発熱により温度が上昇し、温度センサによって検知された温度が設定温度に達すると、冷却ファンが回転することによって生じる上向きの気流によって、ダンパー型開閉器が上側に開いて開口部が形成され、開口部から断熱ケース内に空気が流入して冷却されて温度制御がなされることを特徴とする半導体デバイスの試験装置。
2. 半導体デバイスに取り付けられたヒートシンクと、ヒートシンクを覆う断熱ケースと、断熱ケースで覆われた領域内に設けられた浮上型開閉器と、浮上型開閉器の上方であって断熱ケースで覆われた領域の外側に設けられた冷却ファンと、半導体デバイスの温度を検知する温度センサとを備え、半導体デバイスが取り付けられる複数のソケットを有するバーンインボードがラックに収容される半導体デバイスの試験装置であって、
   温度センサによって検知された温度が設定温度に達するまでは、冷却ファンは停止して、浮上型開閉器は閉じた状態で半導体デバイスの自己発熱により温度が上昇し、温度センサによって検知された温度が設定温度に達すると、冷却ファンが回転することによって生じる上向きの気流によって、フロートが浮上して浮上型開閉器に開口部が形成され、開口部から断熱ケース内に空気が流入して冷却されて温度制御がなされることを特徴とする半導体デバイスの試験装置。
3. 前記ヒートシンクと前記断熱ケースと前記冷却ファンは、前記ソケットと同等の広さで形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体デバイスの試験装置。
4. 前記ラックの環境温度は常温であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の半導体デバイスの試験装置。
5. バーンインボード上の複数のソケットに半導体デバイスを取り付ける工程と、
   ダンパー型開閉器とヒートシンクと断熱ケースと温度センサとを半導体デバイスに取り付ける工程と、
   ダンパー型開閉器の上方であって断熱ケースで覆われた領域の外側に冷却ファンを取り付ける工程と、
   バーンインボードをラックに収容する工程と、
   半導体デバイスに電圧を印加して電気試験を行うとともに温度を上昇させる工程と、
   温度センサによって検知された温度が設定温度に達するまでは、冷却ファンは停止して、ダンパー型開閉器は閉じた状態で半導体デバイスの自己発熱により温度が上昇し、温度センサによって検知された温度が設定温度に達すると、冷却ファンが回転することによって生じる上向きの気流によって、ダンパー型開閉器が上側に開いて開口部が形成され、開口部から断熱ケース内に空気が流入して冷却されて温度制御する工程と、
   試験時間が経過すると半導体デバイスの電気試験を終了する工程と、
   を有する半導体デバイスの試験方法。
6. バーンインボード上の複数のソケットに半導体デバイスを取り付ける工程と、
   浮上型開閉器とヒートシンクと断熱ケースと温度センサとを半導体デバイスに取り付ける工程と、
   浮上型開閉器の上方であって断熱ケースで覆われた領域の外側に冷却ファンを取り付ける工程と、
   バーンインボードをラックに収容する工程と、
   半導体デバイスに電圧を印加して電気試験を行うとともに温度を上昇させる工程と、
   温度センサによって検知された温度が設定温度に達するまでは、冷却ファンは停止して、浮上型開閉器は閉じた状態で半導体デバイスの自己発熱により温度が上昇し、温度センサによって検知された温度が設定温度に達すると、冷却ファンが回転することによって生じる上向きの気流によって、フロートが浮上して浮上型開閉器に開口部が形成され、開口部から断熱ケース内に空気が流入して冷却されて温度制御する工程と、
   試験時間が経過すると半導体デバイスの電気試験を終了する工程と、
   を有する半導体デバイスの試験方法。
7. 前記ラックの環境温度を常温とする工程を有する請求項５または６記載の半導体デバイスの試験方法。

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