JP2018185282A - 支持装置 - Google Patents

Abstract

【課題】支持装置を提供する。
【解決手段】支持装置は、電子素子を支持するように配置される。支持装置は、トレイと、複数の凹み構造と、を備える。トレイは、その内方におけるキャビティと、前記キャビティと連通する少なくとも１つの吸気孔と、を有する。凹み構造は、キャビティへ凹むようにトレイに配置される。複数の凹み構造の各々は、支持表面と、複数の第１のスペーサーと、を含み、対応する１つの電子素子の少なくとも一部を収納するように配置される。支持表面は、キャビティと連通する排気孔を有する。第１のスペーサーは、対応する１つの凹み構造の支持表面に配置される。対応する１つの電子素子が第１のスペーサーに支持される場合、如何なる隣り合う２つの前記第１のスペーサーと対応する電子素子とは、第１の流路を形成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、支持装置に関する。

一般的に、工場出荷の前に、電池セットは、支持トレイに置かれる。また、電池検査設備によって電池に対して電気的試験（例えば、放電又は充電試験）を行う。上記検査過程中の電池の過熱を避けるために、扇風機によって支持トレイにおける電池の熱を消散させるメーカーがある。

しかしながら、扇風機による放熱は、支持トレイにおける電池の温度を均一に保持することはできない。例えば、扇風機に近い電池は、熱が消散しやすいので、温度が低い。それに対して、扇風機から離れる電池は、熱が消散しにくいので、温度が高い。検査過程中の電池の間に大きい温度差があると、電池の問題判別が課題になる場合がある。例えば、ある電池の温度が高すぎると、この高すぎる温度の原因は扇風機の不均一放熱であるか、又は電池自体の異常であるかを正確に判別できないことがある。

本開示の態様は、上記問題を解決する支持装置を提供することにある。

本開示の一実施形態によると、支持装置は、電子素子を支持するように配置される。支持装置は、トレイと、複数の凹み構造と、を備える。トレイは、その内方におけるキャビティと、前記キャビティと連通する少なくとも１つの吸気孔と、を有する。凹み構造は、キャビティへ凹むようにトレイに配置される。複数の凹み構造の各々は、対応する１つの電子素子の少なくとも一部を収納するように配置され、支持表面と、複数の第１のスペーサーと、を含む。支持表面は、キャビティと連通する排気孔を有する。第１のスペーサーは、対応する１つの凹み構造の支持表面に配置される。対応する１つの電子素子が第１のスペーサーに支持される場合、如何なる隣り合う２つの前記第１のスペーサーと対応する電子素子とは、第１の流路を形成する。

理解すべきなのは、前記一般的な説明及び下記詳細な説明は例として本開示を更に説明するものである。

下記の添付図面を参照し、実施形態における下記詳細な説明により、本開示をより十分に理解することができる。

本開示の実施形態に係る電子素子を支持する支持装置の透視図である。 図１における支持装置及び電子素子の部分上面図である。 図１における支持装置の部分上面図である。 実施形態に係る線分４−４に沿った図２における支持装置の部分断面図である。 別の実施形態に係る線分４−４に沿った図２における支持装置の別の部分断面図である。

本発明の様々な実施形態が詳細に参照され、その実施例は添付図面に例証されている。添付図面及び説明において、できるだけ同一の符号で同一又は類似な構成要素を示す。

図１を参照されたい。図１は、本開示の実施形態に係る電子素子２００を支持している支持装置１００の透視図である。

図１に示すように、実施形態において、支持装置１００は、複数の電子素子２００を支持するように配置される。具体的には、支持装置１００は、トレイ１１０と、複数の凹み構造１２０と、気体供給モジュール１３０と、サーモスタットモジュール１４０と、を備える。支持装置１００の上記構成要素の詳しい構造、機能及びこれらの構成要素の間の関係については、以下で詳しく説明する。

図２〜図４を参照されたい。図２は、図１における支持装置１００及び電子素子２００の部分上面図である。図３は、図１における支持装置１００の部分上面図である。図４は、実施形態に係る線分４−４に沿った図２における支持装置１００の部分断面図である。

図３及び図４に示すように、実施形態において、支持装置１００におけるトレイ１１０は、その内方におけるキャビティ１１４（図４参照）と、前記キャビティ１１４と連通する少なくとも１つの吸気孔１１５と、を含む。支持装置１００における凹み構造１２０は、方向Ｄに沿ってキャビティ１１４へ凹むように、トレイ１１０（図１参照）に配置される。実際に適用する場合、凹み構造１２０は、トレイ１１０にランダムに配置され、又はマトリックスでトレイ１１０に配置されてよい。

図１に示すように、実施形態において、複数の凹み構造１２０の各々は、対応する１つの電子素子２００の少なくとも一部を収納するように配置される。そのため、１つの電子素子２００が対応する凹み構造１２０の中に収納される場合、対応する凹み構造１２０から露出する電子素子２００の一部は、検査設備（未図示）の電子素子２００に対する電気的試験に対して、非常に便利である。例えば、電子素子２００は電池であり、且つ検査設備は電池検査設備であるが、本開示はこれに限定されない。

図３及び図４に示すように、実施形態において、複数の凹み構造１２０の各々は、支持表面１２１を含む。複数の凹み構造１２０の各々における支持表面１２１は、トレイ１１０におけるキャビティ１１４と連通する排気孔１２１ａを有する。支持装置１００の気体供給モジュール１３０は、吸気孔１１５に接続され、気体をキャビティ１１４に供給するように配置される。キャビティ１１４における気体は、支持表面１２１における排気孔１２１ａを介して凹み構造１２０に入ってから、電子素子２００の表面を流れて、電子素子２００の発生した熱を消散させる。

図１に示すように、実施形態において、サーモスタットモジュール１４０は、トレイ１１０の吸気孔１１５と気体供給モジュール１３０との間に接続され、且つ気体の温度を調整するように配置される。そのため、検査者は、具体的な検測基準又は要求に基づいて、気体を所定の温度に調整して、電子素子２００を所定温度の気体によって適当に加熱又は冷却することができる。

図４に示すように、実施形態において、複数の排気孔１２１ａの各々のキャビティ１１４に隣接する一部は第１の孔径を有し、複数の排気孔１２１ａの各々の支持表面１２１に隣接する一部は第２の孔径を有する。第２の孔径は、第１の孔径により小さい。そのため、気体が排気孔１２１ａを介して凹み構造１２０に入る場合、キャビティ１１４における気体は、排気孔１２１ａを通し加圧されて、噴射気流を形成する。噴射気流により、電子素子２００により発生した熱を強力に消散させて、電子素子２００に対する冷却効率を更に向上させることができる。

ある実施形態において、支持装置１００の気体供給モジュール１３０は、気体がキャビティ１１４において高い静圧力になるようにすることができる。そのため、凹み構造１２０の支持表面１２１における排気孔１２１ａが同一の幾何学形状を有する条件で、それぞれ排気孔１２１ａから凹み構造１２０に入る気流が同一の流速を有することを確保することができる。つまり、実施形態における支持装置１００は、電子素子２００の位置による冷却効果の差がなく、全ての電子素子２００に均一の冷却効果を提供することができる。

図２〜図４に示すように、実施形態において、複数の凹み構造１２０の各々は、複数の第１のスペーサー１２３を更に含む。第１のスペーサー１２３は、対応する１つの凹み構造１２０の支持表面１２１に配置され、且つ対応する１つの電子素子２００を支持するように配置される。詳しくは、図３に示すように、複数の凹み構造１２０の各々における第１のスペーサー１２３は、対応する排気孔１２１ａに対して放射状に配置される。そのため、対応する電子素子２００は、凹み構造１２０の第１のスペーサー１２３に安定して支持される。

注意すべきなのは、複数の凹み構造１２０の各々における第１のスペーサー１２３が対応する排気孔１２１ａに対して放射状に配置されるので、対応する１つの電子素子２００が第１のスペーサー１２３に支持される場合、如何なる隣り合う２つの第１のスペーサー１２３と対応する１つの電子素子２００とは、第１の流路１２４を形成する。例えば、図３に示すように、複数の凹み構造１２０の各々は、４つの第１のスペーサー１２３を含むので、これらの第１のスペーサー１２３と対応する電子素子２００とは、４つの第１の流路１２４を形成することができる。しかしながら、実際に適用する場合、複数の凹み構造１２０の各々における第１のスペーサー１２３の数は、これに限定されず、必要に応じて柔軟的に修正してよい。

上記構造的な配置では、排気孔１２１ａから第１の流路１２４に入る気体は、対応する電子素子２００の底部に発生した熱を均一に消散させることができる。

図２〜図４に示すように、実施形態において、複数の凹み構造１２０の各々は、前記凹み構造の支持表面１２１に接続された側壁１２２をさらに有し、且つ側壁１２２に配置された複数の第２のスペーサー１２５を含む。第２のスペーサー１２５は、対応する第１のスペーサー１２３にそれぞれ接続され、且つ対応する１つの電子素子２００に当接されるように配置される。対応する１つの電子素子２００が第１のスペーサー１２３に支持される場合、如何なる隣り合う２つの第２のスペーサー１２５と対応する１つの電子素子２００とは、対応する１つの第１の流路１２４と連通する第２の流路１２６を形成する。例えば、図２に示すように、複数の凹み構造１２０の各々が４つの第２のスペーサー１２５を含むので、これらの第２のスペーサー１２５と対応する電子素子２００とは、４つの第２の流路１２６を形成することができる。しかしながら、実際に適用する場合、複数の凹み構造１２０の各々における第２のスペーサー１２５の数は、これに限定されず、必要な場合、第１のスペーサー１２３の数に基づいて柔軟的に修正することができる。

上記構造の配置では、第１の流路１２４から第２の流路１２６への気流は、凹み構造１２０の開口以外の対応する電子素子２００の側面に発生した熱を均一に消散させることができる。

図２〜図４に示すように、実施形態において、複数の凹み構造１２０の各々における第２のスペーサー１２５は、方向Ｄに沿って延伸する。そのため、第１の流路１２４から第２の流路１２６への気流は、対応する電子素子２００の側面に発生した熱を快速に消散させることができる。

図１及び図４に示すように、実施形態において、トレイ１１０は、キャビティ１１４を形成するように順に接続される支持板１１１、接続板１１２、及び底板１１３を更に有する。凹み構造１２０は、Ｄ方向に沿って底板１１３へ凹むように、支持板１１１に配置される。吸気孔１１５は、接続板１１２に位置する。吸気孔１１５が接続板１１２に位置するので、気体供給モジュール１３０により供給された気体は、全ての排気孔１２１ａまで順調に到達することができる。そのため、気体は、トレイ１１０のキャビティ１１４に入った後、その方向が変えずに、全ての排気孔１２１ａまで到達するので、圧力損失を効果的に低下させることができる。

図５を参照されたい。図５は、別の実施形態に係る線分４−４に沿った図２における支持装置３００の別の部分断面図である。

図５に示すように、実施形態において、支持装置３００は、トレイ１１０と、複数の凹み構造３２０と、を備える（簡単化のために、図５に１つの凹み構造３２０しか図示しない）。複数の凹み構造３２０の各々は、支持表面１２１、複数の第１のスペーサー１２３、及び複数の第２のスペーサー３２５を含む。トレイ１１０、支持表面１２１及び第１のスペーサー１２３が図４の実施形態におけるトレイ、支持表面及び第１のスペーサーと類似であるので、これらの類似な構成要素については、上記説明を参照してよいので、ここで繰り返して説明しない。注意すべきなのは、本実施形態における凹み構造３２０は、複数の凹み構造３２０の各々における第２のスペーサー３２５が方向Ｄに対して螺旋状に延伸するように、側壁１２２に配置されることに、図４に示す実施形態における凹み構造１２０と異なっている。そのため、複数の第２の流路３２６の各々の長さを増加させることができ、電子素子２００の冷却効率を更に向上させるように、単位体積当たりの気体が対応する電子素子２００の側面に沿って流れる経路が対応して増加される。

本開示の実施形態に係る上記記述により、本開示の支持装置において、気体がトレイのキャビティの中に供給され、且つ加圧構造を有する排気孔がそれぞれ凹み構造の底部に形成され、気体を排気孔によって加圧して、それぞれ電子素子により発生した熱を強力に消散させる噴射気流を形成し、電子素子に対する冷却効率を向上させることが判明される。また、本開示の支持装置において、複数の凹み構造の各々の底部及び側壁に配置されたスペーサーに、流路を形成して、排気孔から流路に流れた気体が対応する電子素子の底部及び側面に発生した熱を均一且つ強力に消散させてよい。また、本開示の支持装置は、それぞれ排気孔１２１ａから凹み構造１２０に入った気体が同一の流速を有するようにするために、気体供給モジュールによって気体をキャビティにおいて高い安定圧力にしてよい。そのため、本開示の支持装置は、電子素子に対する冷却効率を効果的に向上させ、且つ電子素子を均一の温度に効果的に維持することができる。

その実施形態に合わせて、本開示を非常に詳しく説明したが、他の実施形態も利用可能である。そのため、添付の特許請求の範囲の精神や範囲は、本文に含まれる実施形態における説明に限定されない。

本開示の範囲や精神から逸脱せずに、本開示の構造に各種の修正および変化を加えることができることは、当業者には明瞭であろう。上記に鑑みて、本開示は、本開示の添付の特許請求の範囲内における各種の修正および変化を包含することが意図される。

１００、３００ 支持装置
１１０ トレイ
１１１ 支持板
１１２ 接続板
１１３ 底板
１１４ キャビティ
１１５ 吸気孔
１２０、３２０ 凹み構造
１２１ 支持表面
１２１ａ 排気孔
１２２ 側壁
１２３ 第１のスペーサー
１２４ 第１の流路
１２５、３２５ 第２のスペーサー
１２６、３２６ 第２の流路
１３０ 気体供給モジュール
１４０ サーモスタットモジュール
２００ 電子素子
Ｄ 凹み構造の凹み方向
４−４ 部分断面図に関する線分

Claims (10)

1. 電子素子を支持するための支持装置において、
   その内方におけるキャビティと、前記キャビティと連通する少なくとも１つの吸気孔と、を有するトレイと、
   前記キャビティへ凹むように前記トレイに配置され、各々が対応する１つの前記電子素子の少なくとも一部を収納するように配置される複数の凹み構造と、を備え、
   前記複数の凹み構造の各々は、前記キャビティと連通する排気孔を有する支持表面と、対応する１つの前記凹み構造の前記支持表面に配置される複数の第１のスペーサーと、を含み、
   対応する１つの前記電子素子が前記第１のスペーサーに支持される場合、如何なる隣り合う２つの第１のスペーサーと対応する１つの前記電子素子とは、第１の流路を形成するものであることを特徴とする支持装置。
2. 前記排気孔の前記キャビティに隣接する一部は第１の孔径を有し、前記排気孔の前記支持表面に隣接する一部は前記第１の孔径より小さい第２の孔径を有する請求項１に記載の支持装置。
3. 前記第１のスペーサーは、前記排気孔に対して放射状に配置される請求項１又は２に記載の支持装置。
4. 前記複数の凹み構造の各々は、前記支持表面に接続された側壁を更に有し、且つ前記側壁に配置された複数の第２のスペーサーを含み、前記複数の第２のスペーサーの各々は、対応する１つの前記第１のスペーサーに接続され、且つ対応する１つの前記電子素子に当接されるように配置され、如何なる隣り合う２つの前記第２のスペーサーと対応する１つの前記電子素子とは、前記第１の流路と連通する第２の流路を形成する請求項１〜３の何れか１項に記載の支持装置。
5. 少なくとも１つの前記凹み構造は、一方向に沿って前記キャビティへ凹み、且つ少なくとも１つの前記凹み構造における前記第２のスペーサーは前記方向に沿って延伸する請求項４に記載の支持装置。
6. 少なくとも１つの前記凹み構造は、一方向に沿って前記キャビティへ凹み、且つ少なくとも１つの前記凹み構造における前記第２のスペーサーは前記方向に対して螺旋状に延伸する請求項４に記載の支持装置。
7. 前記トレイは、前記キャビティを形成するように順に接続される支持板、接続板及び底板を更に有し、且つ前記凹み構造は、前記底板へ凹むように、前記支持板に配置される請求項１〜６の何れか１項に記載の支持装置。
8. 前記少なくとも１つの吸気孔は、前記接続板に位置する請求項７に記載の支持装置。
9. 前記吸気孔に接続され、前記キャビティにおいて高い静圧力になる気体を前記キャビティに供給するように配置される気体供給モジュールを更に備える請求項１〜８の何れか１項に記載の支持装置。
10. 前記吸気孔と前記気体供給モジュールとの間に接続され、前記気体の温度を調整するように配置されるサーモスタットモジュールを更に備える請求項９に記載の支持装置。

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