JP6724668B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図面を参照して実施例の半導体装置2を説明する。図1は、第1実施例の半導体装置2の斜視図である。半導体装置2は、複数のパワーカード10と複数の冷却器3が積層されたユニットである。なお、図1では、一つのパワーカードだけに符号10を付し、他のパワーカードには符号を省略している。同様に一つの冷却器だけに符号3を付し、他の冷却器には符号を省略している。また、半導体装置2の全体が見えるように、半導体装置2を収容するケース31は仮想線で描いてある。なお、パワーカード10と絶縁板6の間、及び、絶縁板6と冷却器3の間にはグリスが塗布されているが、図1ではグリスの図示は省略している。
第2実施例の半導体装置202では、モールド樹脂213の構造が、第1実施例のモールド樹脂13とは異なる。具体的には、モールド樹脂213は、絶縁板6に接触する角が丸く形成されている。これにより、半導体装置2の積層方向に荷重がかけられた状態で、モールド樹脂213の角を介して絶縁板6に局所的な応力がかかりにくくなり、絶縁板6が破損しにくくなっている。特に絶縁板6が脆いセラミック等で形成されている場合に、絶縁板6の破損を効果的に抑制することができる。本実施例でも、グリス9a〜9dは、モールド樹脂13によって取り囲まれているので、押し出されることが抑制されている。また、グリス9a〜9dを保持する空間の断面積(即ち、グリス9a〜9dの断面積)が、熱が冷却器3に向かう方向に従って大きくなっているので、放熱板16a、16b、17a、17bから冷却器3へ効率よく放熱することができる。
第3実施例の半導体装置302は、1組のトランジスタTa及びダイオードDaを備える1in1の半導体装置である。図7は、トランジスタTaを横切る平面で切断した断面図である。図7に示される各部材は、第1実施例の図3の右半分に示される各部材と同様の構造を有している。本実施例でも、グリス9a、9cは、モールド樹脂13によって取り囲まれているので、押し出されることが抑制されている。また、グリス9a、9cを保持する空間の断面積(即ち、グリス9a、9cの断面積)が、熱が冷却器3に向かう方向に従って大きくなっているので、放熱板16a、17aから冷却器3へ効率よく放熱することができる。
第4実施例の半導体装置402は、モールド樹脂313の片面のみから放熱板17a、17bが露出している片面モールドパッケージ方式の半導体装置である。図8は、トランジスタTa、Tbを横切る平面で切断した断面図である。半導体装置402では、第1実施例の半導体装置2とは異なり、トランジスタTa、Tb及びダイオードDa、Db上にリードプレート18が積層されている。リードプレート18は、1つの側面を除いてモールド樹脂313で封止されている。また、半導体装置402では、スペーサ14が挿入されていない。
3:冷却器
4a:冷媒供給管
4b:冷媒排出管
5a:連結パイプ
5b:連結パイプ
6:絶縁板
7a〜7c:電極端子
9a〜9i:グリス
10:パワーカード
10a、10b:面
13、113、213、313:モールド樹脂
14:スペーサ
15:ハンダ
16a、16b、17a、17b:放熱板
18:リードプレート
31:ケース
32:板バネ
Da、Db:ダイオード
Ta、Tb:トランジスタ
Claims (1)
- モールド樹脂内に半導体素子が封止されているとともに、前記モールド樹脂の表面に放熱板が露出しているパワーカードと、
前記モールド樹脂から露出している前記放熱板にグリスを介して隣接配置されている冷却器と、を備え、
前記モールド樹脂の前記表面は、前記放熱板の周囲において前記放熱板よりも前記冷却器側に突出して、前記放熱板上に前記グリスを保持する空間を画定しており、
前記空間の前記放熱板に平行な断面積は、前記放熱板から前記冷却器に向かうに従って大きくなる、半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016174500A JP6724668B2 (ja) | 2016-09-07 | 2016-09-07 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016174500A JP6724668B2 (ja) | 2016-09-07 | 2016-09-07 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018041824A JP2018041824A (ja) | 2018-03-15 |
JP6724668B2 true JP6724668B2 (ja) | 2020-07-15 |
Family
ID=61626410
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016174500A Active JP6724668B2 (ja) | 2016-09-07 | 2016-09-07 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6724668B2 (ja) |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4158738B2 (ja) * | 2004-04-20 | 2008-10-01 | 株式会社デンソー | 半導体モジュール実装構造、カード状半導体モジュール及びカード状半導体モジュール密着用受熱部材 |
JP5574170B2 (ja) * | 2010-06-17 | 2014-08-20 | 株式会社デンソー | 半導体モジュール実装構造 |
JP2013062282A (ja) * | 2011-09-12 | 2013-04-04 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
WO2014041936A1 (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-20 | 富士電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置に対する放熱部材の取り付け方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2016054221A (ja) * | 2014-09-03 | 2016-04-14 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP2016092222A (ja) * | 2014-11-05 | 2016-05-23 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP2016092226A (ja) * | 2014-11-05 | 2016-05-23 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP6409690B2 (ja) * | 2014-11-20 | 2018-10-24 | 株式会社デンソー | 冷却モジュール |
WO2016079970A1 (ja) * | 2014-11-20 | 2016-05-26 | 株式会社デンソー | 冷却モジュール |
-
2016
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018041824A (ja) | 2018-03-15 |
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