JP6718401B2 - Memsセンサ - Google Patents
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- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 35
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 27
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 4
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 4
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 19
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000004092 self-diagnosis Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
- G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
- G01C19/5776—Signal processing not specific to any of the devices covered by groups G01C19/5607 - G01C19/5719
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P21/00—Testing or calibrating of apparatus or devices covered by the preceding groups
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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Description
改善の余地について、図8を用いて説明する。図8は、改善の余地において、MEMSセンサのMEMSとその駆動回路の動作の一例を示す説明図である。ここでは、MEMS加速度センサの例を説明する。
図1は、実施の形態1におけるMEMSセンサの構成の一例を示すブロック図である。
図2は、実施の形態2におけるMEMSセンサの構成の一例を示すブロック図である。本実施の形態2では、上述した実施の形態1と異なる点を主に説明する。
図3は、実施の形態3におけるMEMSセンサの構成の一例を示すブロック図である。本実施の形態3では、上述した実施の形態1および2と異なる点を主に説明する。
図4は、実施の形態4におけるMEMSセンサの構成の一例を示すブロック図である。本実施の形態4では、上述した実施の形態1〜3と異なる点を主に説明する。
図7は、実施の形態5におけるMEMSセンサにおいて、スイッチの制御信号と安定化回路の目標電圧との関係の一例を示す説明図である。本実施の形態5では、上述した実施の形態1〜4と異なる点を主に説明する。
実施の形態1〜5によれば、MEMSセンサのMEMSに高電圧を低コストで印加することができる。具体的には、昇圧回路30(電圧印加部)を、第1のMEMSとその駆動回路10、および第2のMEMSとその駆動回路20で共有しているため、コスト増加を防ぐことができる。また、例えば、第1のMEMSとその駆動回路10を駆動する際と、第2のMEMSとその駆動回路20を診断する際の印加する電圧を異なる値にすることで、第2のMEMSとその駆動回路20の診断の電圧値を適切に設定することができ、消費電流増加を招かずに診断レンジの拡大を図ることが可能になる。その他、各実施の形態1〜5における特有の効果は上述した通りである。
20 第2のMEMSとその駆動回路
30 昇圧回路
41、42 スイッチ
50 制御回路
52 基準電圧源
53 安定化回路
110 可動電極
121、122 固定電極
131 オペアンプ
132 帰還容量
133 スイッチ
141、142 診断用固定電極
150 電源
210 第1のMEMSの駆動回路
220 DAC
Claims (13)
- 第1のMEMSおよび第2のMEMSを有するMEMSセンサであって、
前記第1のMEMSおよび前記第2のMEMSに電圧を印加する電圧印加部と、
前記第1のMEMSを駆動する際に、前記電圧印加部により前記第1のMEMSに印加する第1の電圧値と、前記第2のMEMSを駆動する際に、前記電圧印加部により前記第2のMEMSに印加する第2の電圧値とを異なる値にする切替部と、
を有する、MEMSセンサ。 - 請求項1記載のMEMSセンサにおいて、
前記切替部を制御する制御回路をさらに有し、
前記切替部はスイッチであり、
前記制御回路により前記スイッチを制御して、前記第1のMEMSを駆動する場合と前記第2のMEMSを駆動する場合とを切り替える、MEMSセンサ。 - 請求項1記載のMEMSセンサにおいて、
前記電圧印加部の出力電圧値を制御する制御回路をさらに有し、
前記電圧印加部は昇圧回路であり、
前記制御回路により前記昇圧回路の出力電圧値を制御して、前記第1のMEMSおよび前記第2のMEMSにそれぞれ異なる値の電圧を印加する、MEMSセンサ。 - 請求項1記載のMEMSセンサにおいて、
前記第2のMEMSを駆動する際に、前記電圧印加部により前記第2のMEMSに印加する第2の電圧値は、前記第1のMEMSを駆動する際に、前記電圧印加部により前記第1のMEMSに印加する第1の電圧値よりも大きい、MEMSセンサ。 - 請求項1記載のMEMSセンサにおいて、
前記第1のMEMSに前記電圧印加部から電圧が印加されず、かつ、前記第2のMEMSにも前記電圧印加部から電圧が印加されない期間がある、MEMSセンサ。 - 請求項1記載のMEMSセンサにおいて、
前記電圧印加部の出力電圧値を目標電圧に制御する安定化回路をさらに有し、
前記第1のMEMSを駆動する際に、前記電圧印加部により前記第1のMEMSに印加する第1の電圧と、前記第2のMEMSを駆動する際に、前記電圧印加部により前記第2のMEMSに印加する第2の電圧とを、前記電圧印加部と前記安定化回路とを用いて発生させる、MEMSセンサ。 - 請求項4記載のMEMSセンサにおいて、
前記電圧印加部の出力電圧値を目標電圧に制御する安定化回路をさらに有し、
前記第1のMEMSを駆動する際に、前記電圧印加部により前記第1のMEMSに印加する第1の電圧と、前記第2のMEMSを駆動する際に、前記電圧印加部により前記第2のMEMSに印加する第2の電圧とを、前記電圧印加部と前記安定化回路とを用いて発生させる、MEMSセンサ。 - 請求項7記載のMEMSセンサにおいて、
前記安定化回路の目標電圧は、前記第2のMEMSを駆動する場合の方が前記第1のMEMSを駆動する場合よりも高い、MEMSセンサ。 - 請求項8記載のMEMSセンサにおいて、
前記第1のMEMSに前記電圧印加部から電圧が印加されず、かつ、前記第2のMEMSにも前記電圧印加部から電圧が印加されない期間があり、
前記期間における前記安定化回路の目標電圧は、前記第1のMEMSを駆動する場合の電圧値もしくは前記第2のMEMSを駆動する場合の電圧値のいずれかに一定である、MEMSセンサ。 - 請求項4記載のMEMSセンサにおいて、
前記第2のMEMSは加速度センサ用MEMSであり、前記電圧印加部により前記第2のMEMSに印加される電圧は前記第2のMEMSの診断用電極に印加され、
前記第1のMEMSは角速度センサ用MEMSである、MEMSセンサ。 - 第1のMEMSおよび第2のMEMSを有するMEMSセンサであって、
前記第1のMEMSおよび前記第2のMEMSのいずれか一方、または前記第1のMEMSおよび前記第2のMEMSの両方に電圧を印加する昇圧回路を有し、
前記昇圧回路の電圧を、前記第1のMEMSに印加するか、前記第2のMEMSに印加するか、もしくは、前記第1のMEMSおよび前記第2のMEMSの両方に印加するかによって、前記昇圧回路の電圧が異なる、MEMSセンサ。 - 請求項11記載のMEMSセンサにおいて、
前記昇圧回路の電圧を前記第2のMEMSに印加する場合の前記昇圧回路の電圧値は、前記昇圧回路の電圧を前記第1のMEMSに印加する場合の前記昇圧回路の電圧値、および、前記昇圧回路の電圧を前記第1のMEMSおよび前記第2のMEMSの両方に印加する場合の前記昇圧回路の電圧値よりも高い、MEMSセンサ。 - 請求項12記載のMEMSセンサにおいて、
前記第2のMEMSは加速度センサ用MEMSであり、前記昇圧回路により前記第2のMEMSに印加される電圧は前記第2のMEMSの診断用電極に印加され、
前記第1のMEMSは角速度センサ用MEMSである、MEMSセンサ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017045193A JP6718401B2 (ja) | 2017-03-09 | 2017-03-09 | Memsセンサ |
PCT/JP2017/032770 WO2018163469A1 (ja) | 2017-03-09 | 2017-09-12 | Memsセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017045193A JP6718401B2 (ja) | 2017-03-09 | 2017-03-09 | Memsセンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018151160A JP2018151160A (ja) | 2018-09-27 |
JP6718401B2 true JP6718401B2 (ja) | 2020-07-08 |
Family
ID=63447397
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017045193A Expired - Fee Related JP6718401B2 (ja) | 2017-03-09 | 2017-03-09 | Memsセンサ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6718401B2 (ja) |
WO (1) | WO2018163469A1 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002311045A (ja) * | 2001-04-16 | 2002-10-23 | Mitsubishi Electric Corp | 加速度センサ |
JP2009097932A (ja) * | 2007-10-15 | 2009-05-07 | Freescale Semiconductor Inc | 容量型検出装置 |
US8661871B2 (en) * | 2009-07-31 | 2014-03-04 | Stmicroelectronics S.R.L. | Method for testing a microelectromechanical device, microelectromechanical device |
JP5834383B2 (ja) * | 2010-06-01 | 2015-12-24 | 船井電機株式会社 | マイクロホンユニット及びそれを備えた音声入力装置 |
JP2013210215A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 慣性センサモジュール |
-
2017
- 2017-03-09 JP JP2017045193A patent/JP6718401B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2017-09-12 WO PCT/JP2017/032770 patent/WO2018163469A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018151160A (ja) | 2018-09-27 |
WO2018163469A1 (ja) | 2018-09-13 |
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|
S533 | Written request for registration of change of name |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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