JP6694830B2 - 化合物、組成物、有機エレクトロルミネッセンス素子、および電子機器 - Google Patents
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Description
近年の有機EL素子においては、素子性能向上のため、有機層の形成に用いる化合物が種々検討されている(特許文献1〜5)。
X11〜X16は、それぞれ独立に、
R1と結合する炭素原子、
窒素原子、または
分子中の前記第二の構造、前記第三の構造、および前記第四の部分構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する炭素原子であり、
X11〜X16のうち少なくともいずれかが窒素原子であり、
R1は、水素原子、または置換基であり、
複数のR1は、互いに同一でも異なっていてもよく、
複数のR1同士は、互いに結合して環構造を形成していてもよい。)
X1は、R2と結合する炭素原子、またはX2と結合する炭素原子であり、
X2は、R3と結合する炭素原子、またはX1と結合する炭素原子であり、
X3は、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、またはRXおよびRYと結合する炭素原子であり、
RXおよびRYは、それぞれ独立に、水素原子、または置換基であり、
X3における窒素原子は、
R4と結合するか、
Lと結合するか、または
分子中の前記第一の構造、前記第三の構造、および前記第四の部分構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合し、
X4は、R5と結合する炭素原子、またはX5と結合する炭素原子であり、
X5は、R6と結合する炭素原子、またはX4と結合する炭素原子であり、
ただし、X1およびX2の組み合せ、並びにX4およびX5の組み合せの少なくともいずれかは、互いに結合する炭素原子の組み合せであり、
Lは、
単結合、または
置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基であり、
Lは、Y1〜Y8のいずれかと結合するか、X3と結合するか、R2もしくはR3と結合するか、前記第一の構造、前記第三の構造、および前記第四の部分構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合するか、または置換基と結合し、
置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基としてのLは、Y9またはY16と結合して環構造を形成していてもよく、
Y1〜Y8は、それぞれ独立に、
R7と結合する炭素原子、
Lと結合する炭素原子、
Y9〜Y16のいずれかと結合する炭素原子、または
分子中の前記第一の構造、前記第三の構造、および前記第四の部分構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する炭素原子であり、
Y9〜Y16は、それぞれ独立に、
R8と結合する炭素原子、
Y1〜Y8のいずれかと結合する炭素原子、または
分子中の前記第一の構造、前記第三の構造、および前記第四の部分構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する炭素原子であり、
Y9またはY16は、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基としてのLと結合して環構造を形成していてもよく、
R2〜R8、RX、およびRYは、それぞれ独立に、水素原子、または置換基であり、
複数のR7は、互いに同一でも異なっていてもよく、
複数のR8は、互いに同一でも異なっていてもよく、
mは、分子中の前記第二の構造の数であって、1以上の整数であり、
pは、1以上3以下の整数である。)
X6は、
R9と結合する窒素原子、または
分子中の前記第一の構造、前記第二の構造、および前記第四の部分構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する窒素原子であり、
R9は、水素原子、または置換基であり、
Z1〜Z8は、それぞれ独立に、
R10と結合する炭素原子、または
分子中の前記第一の構造、前記第二の構造、および前記第四の部分構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する炭素原子であり、
R10は、水素原子、または置換基であり、
複数のR10は、互いに同一でも異なっていてもよく、
nは、分子中の前記第三の構造の数であって、0または1以上の整数である。
m+nは、2以上の整数である。)
X7およびX8は、それぞれ独立に、
R11と結合する炭素原子、
窒素原子、または
分子中の前記第一の構造、前記第二の構造、および前記第三の構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する炭素原子であり、
R11は、水素原子、または置換基であり、
Ar1〜Ar4は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の複素環基、
前記一般式(1)で表される第一の構造、
分子中の前記第一の構造、前記第二の構造、および前記第三の構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、または
分子中の前記第一の構造、前記第二の構造、および前記第三の構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する置換もしくは無置換の複素環基である。)
本実施形態に係る化合物は、下記一般式(1)で表される第一の構造と、下記一般式(2)で表される第二の構造と、を有し、下記一般式(3)で表される第三の構造を有していてもよく、前記第一の構造、前記第二の構造、および前記第三の構造は、それぞれ、分子中に互いに独立して含まれ、さらに、下記一般式(4)で表される第四の部分構造を有し、前記第四の部分構造は、前記第一の構造中に含まれるか、または前記第一の構造、前記第二の構造および前記第三の構造のうち少なくともいずれかの構造と結合する。
X11〜X16は、それぞれ独立に、
R1と結合する炭素原子、
窒素原子、または
分子中の前記第二の構造、前記第三の構造、および前記第四の部分構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する炭素原子であり、
X11〜X16のうち少なくともいずれかが窒素原子であり、
R1は、水素原子、または置換基であり、
複数のR1は、互いに同一でも異なっていてもよく、
複数のR1同士は、互いに結合して環構造を形成していてもよい。
X1は、R2と結合する炭素原子、またはX2と結合する炭素原子であり、
X2は、R3と結合する炭素原子、またはX1と結合する炭素原子であり、
X3は、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、またはRXおよびRYと結合する炭素原子であり、
RXおよびRYは、それぞれ独立に、水素原子、または置換基であり、
X3における窒素原子は、
R4と結合するか、
Lと結合するか、または
分子中の前記第一の構造、前記第三の構造、および前記第四の部分構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合し、
X4は、R5と結合する炭素原子、またはX5と結合する炭素原子であり、
X5は、R6と結合する炭素原子、またはX4と結合する炭素原子であり、
ただし、X1およびX2の組み合せ、並びにX4およびX5の組み合せの少なくともいずれかは、互いに結合する炭素原子の組み合せであり、
Lは、
単結合、または
置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基であり、
Lは、Y1〜Y8のいずれかと結合するか、X3と結合するか、R2もしくはR3と結合するか、前記第一の構造、前記第三の構造、および前記第四の部分構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合するか、または置換基と結合し、
置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基としてのLは、Y9またはY16と結合して環構造を形成していてもよく、
Y1〜Y8は、それぞれ独立に、
R7と結合する炭素原子、
Lと結合する炭素原子、
Y9〜Y16のいずれかと結合する炭素原子、または
分子中の前記第一の構造、前記第三の構造、および前記第四の部分構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する炭素原子であり、
Y9〜Y16は、それぞれ独立に、
R8と結合する炭素原子、
Y1〜Y8のいずれかと結合する炭素原子、または
分子中の前記第一の構造、前記第三の構造、および前記第四の部分構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する炭素原子であり、
Y9またはY16は、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基としてのLと結合して環構造を形成していてもよく、
R2〜R8、RX、およびRYは、それぞれ独立に、水素原子、または置換基であり、
複数のR7は、互いに同一でも異なっていてもよく、
複数のR8は、互いに同一でも異なっていてもよく、
mは、分子中の前記第二の構造の数であって、1以上の整数であり、
pは、1以上3以下の整数である。
mが2以上の整数の場合、複数の第二の構造は、互いに同一でも異なっていてもよい。また、mが2以上の整数の場合、複数の第二の構造は、それぞれ独立に、第一の構造、第三の構造、および第四の部分構造のいずれかと結合する。複数の第二の構造は、それぞれが第一の構造と結合していることが好ましい。
X6は、
R9と結合する窒素原子、または
分子中の前記第一の構造、前記第二の構造、および前記第四の部分構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する窒素原子であり、
R9は、水素原子、または置換基であり、
Z1〜Z8は、それぞれ独立に、
R10と結合する炭素原子、または
分子中の前記第一の構造、前記第二の構造、および前記第四の部分構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する炭素原子であり、
R10は、水素原子、または置換基であり、
複数のR10は、互いに同一でも異なっていてもよく、
nは、分子中の前記第三の構造の数であって、0または1以上の整数である。
m+nは、2以上の整数である。
X7およびX8は、それぞれ独立に、
R11と結合する炭素原子、
窒素原子、または
分子中の前記第一の構造、前記第二の構造、および前記第三の構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する炭素原子であり、
R11は、水素原子、または置換基であり、
Ar1〜Ar4は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の複素環基、
前記一般式(1)で表される第一の構造、
分子中の前記第一の構造、前記第二の構造、および前記第三の構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、または
分子中の前記第一の構造、前記第二の構造、および前記第三の構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する置換もしくは無置換の複素環基である。
X11は、Ar1と結合する炭素原子であることが好ましく、
X12は、Ar2と結合する炭素原子であることが好ましく、
X13は、X8であることが好ましく、
X14は、Ar3と結合する炭素原子であることが好ましく、
X15は、X7であることが好ましく、
X16は、Ar4と結合する炭素原子であることが好ましい。
すなわち、前記第一の構造は、下記一般式(11)に示される構造であることが好ましい。
X7であるX15およびX8であるX13のうち少なくともいずれかが窒素原子であることが好ましい。
Ar1〜Ar4のうち少なくとも2つは、
分子中の前記第二の構造、および前記第三の構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、または
分子中の前記第二の構造、および前記第三の構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する置換もしくは無置換の複素環基であることが好ましい。
前記一般式(1)で表される構造は、前記一般式(4)のAr1〜Ar4のうち少なくともいずれかであることも好ましい。
すなわち、前記第一の構造は、下記一般式(141)〜(143)のいずれかで表されることが好ましい。
前記一般式(141)において、Ar2〜Ar4は、前記一般式(4)におけるAr2〜Ar4と、それぞれ同義である。
前記一般式(142)において、Ar1、Ar3、およびAr4は、前記一般式(4)におけるAr1、Ar3、およびAr4と、それぞれ同義である。
前記一般式(143)において、Ar1、Ar2、およびAr4は、前記一般式(4)におけるAr1、Ar2、およびAr4と、それぞれ同義である
X7およびX8は、R11と結合する炭素原子であり、
X12〜X16のうち少なくともいずれかが窒素原子であることが好ましい。
X12〜X16は、それぞれ独立に、
R1と結合する炭素原子、
窒素原子、または
分子中の前記第二の構造、および前記第三の構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する炭素原子であることが好ましく、
X12〜X16のうち少なくともいずれかは、窒素原子であることが好ましく、
X12〜X16のうち少なくともいずれかは、分子中の前記第二の構造、および前記第三の構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する炭素原子であることが好ましい。
前記第一の構造は、前記第四の部分構造を含み、
前記一般式(1)のX11〜X16を含む環に、前記Ar1〜Ar4のいずれかが結合することも好ましい。
すなわち、前記第一の構造は、下記一般式(12)で表される構造であることも好ましい。
X7およびX8は、R11と結合する炭素原子であることが好ましい。
X12〜X16は、それぞれ独立に、
R1と結合する炭素原子、
窒素原子、または
分子中の前記第二の構造、および前記第三の構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する炭素原子であることが好ましく、
X12〜X16のうち少なくともいずれかは、窒素原子であることが好ましい。
X12〜X16のうち少なくともいずれかは、分子中の前記第二の構造、および前記第三の構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する炭素原子であることが好ましい。
前記第一の構造は、下記一般式(144)〜(146)のいずれかで表されることも好ましい。
前記一般式(145)において、X11は、Ar3と結合する炭素原子であり、Ar3は、X11と結合する置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基または置換もしくは無置換の複素環基であることが好ましい。
前記一般式(146)において、X11は、Ar2と結合する炭素原子であり、Ar2は、X11と結合する置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基または置換もしくは無置換の複素環基であることが好ましい。
X7およびX8は、R11と結合する炭素原子であることが好ましい。
X12〜X16は、それぞれ独立に、
R1と結合する炭素原子、
窒素原子、または
分子中の前記第二の構造、および前記第三の構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する炭素原子であることが好ましく、
X12〜X16のうち少なくともいずれかは、窒素原子であることが好ましい。
X12〜X16のうち少なくともいずれかは、分子中の前記第二の構造、および前記第三の構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する炭素原子であることが好ましい。
前記一般式(2)で表される第二の構造は、下記一般式(20)で表されることが好ましい。
pは、1であることが好ましく、
Y1〜Y8のいずれかは、Y13〜Y16のいずれかと結合する炭素原子であることが好ましく、
Y13〜Y16のいずれかは、Y1〜Y8のいずれかと結合する炭素原子であることが好ましい。
Lは、置換もしくは無置換の環形成炭素数6の芳香族炭化水素基であり、
Y16は、Lと結合する炭素原子であり、LとY16とが結合して環構造を形成することが好ましい。
すなわち、前記一般式(2)で表される第二の構造は、下記一般式(21)で表されることも好ましい。
pは、1以上3以下の整数であることが好ましい。
pは、2であることが好ましく、
X3は、
R4と結合する窒素原子、または
分子中の前記第一の構造、前記第三の構造、および前記第四の部分構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する窒素原子であることが好ましく、
Y1〜Y8は、それぞれ独立に、
R7と結合する炭素原子、
Lと結合する炭素原子、または
分子中の前記第一の構造、前記第三の構造、および前記第四の部分構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する炭素原子であることが好ましく、
Y9〜Y16は、それぞれ独立に、
R8と結合する炭素原子、または
分子中の前記第一の構造、前記第三の構造、および前記第四の部分構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する炭素原子であることが好ましい。
X3は、
R4と結合する窒素原子、または
分子中の前記第一の構造、前記第三の構造、および前記第四の部分構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する窒素原子であることが好ましく、
Y1〜Y8のいずれかは、Lと結合する炭素原子であることが好ましい。
前記一般式(2)で表される第二の構造は、下記一般式(24)で表されることも好ましい。
X1およびX2は、互いに結合する炭素原子であることが好ましく、
X3は、
R4と結合する窒素原子、または
分子中の前記第一の構造、前記第三の構造、および前記第四の部分構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する窒素原子であることが好ましく、
L21およびL22は、それぞれ独立に、前記一般式(2)におけるLと同義であり、
Ya〜Ydは、それぞれ独立に、
R8と結合する炭素原子、
L21と結合する炭素原子、または
分子中の前記第一の構造、前記第三の構造、および前記第四の部分構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する炭素原子であることが好ましく、
Ye〜Yhは、それぞれ独立に、
R8と結合する炭素原子、
Y5〜Y8のいずれかと結合する炭素原子、または
分子中の前記第一の構造、前記第三の構造、および前記第四の部分構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する炭素原子であることが好ましく、
Y1〜Y4は、それぞれ独立に、
R7と結合する炭素原子、または
分子中の前記第一の構造、前記第三の構造、および前記第四の部分構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する炭素原子であることが好ましく、
Y5〜Y8は、それぞれ独立に、
R7と結合する炭素原子、
Ye〜Yhのいずれかと結合する炭素原子、または
分子中の前記第一の構造、前記第三の構造、および前記第四の部分構造の少なくともいずれかに含まれる原子と結合する炭素原子であることが好ましい。
置換基としてのR1〜R12、RX、およびRYは、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の複素環基、
置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数1〜30のフルオロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数3〜30のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数7〜30のアラルキル基、
置換シリル基、
置換ゲルマニウム基、
置換ホスフィンオキシド基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、および
カルボキシ基からなる群から選択されることが好ましい。
置換基としてのR4およびR9は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基であることが好ましく、
置換基としてのRX、およびRYは、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、および
置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基からなる群から選択されることが好ましい。
前記一般式(100)において、X11〜X16およびAr1〜Ar4は、前記一般式(1)におけるX11〜X16、および前記一般式(4)におけるAr1〜Ar4と、それぞれ同義であり、*12は、前記第一の構造の前記第二の構造との結合部を表し、*21は、前記第二の構造の前記第一の構造との結合部を表す。
前記一般式(101)において、X7〜X8、X12〜X16、およびAr2〜Ar4は、前記一般式(1)におけるX12〜X16、並びに前記一般式(4)におけるX7〜X8、およびAr2〜Ar4と、それぞれ同義である。*12は、前記第一の構造または前記第四の部分構造の前記第二の構造との結合部を表し、*21は、前記第二の構造の前記第一の構造または前記第四の部分構造との結合部を表す。
前記一般式(102)において、X7〜X8、X12〜X16、Ar1、Ar3、およびAr4は、前記一般式(1)におけるX12〜X16、並びに前記一般式(4)におけるX7〜X8、Ar1、Ar3、およびAr4と、それぞれ同義である。*12は、前記第一の構造または前記第四の部分構造の前記第二の構造との結合部を表し、*21は、前記第二の構造の前記第一の構造または前記第四の部分構造との結合部を表す。
前記一般式(103)において、X7〜X8、X12〜X16、Ar1、Ar2、およびAr4は、前記一般式(1)におけるX12〜X16、並びに前記一般式(4)におけるX7〜X8、Ar1、Ar2、およびAr4と、それぞれ同義である。*12は、前記第一の構造または前記第四の部分構造の前記第二の構造との結合部を表し、*21は、前記第二の構造の前記第一の構造または前記第四の部分構造との結合部を表す。
前記一般式(104)において、X7〜X8、X11〜X16、およびAr1〜Ar4は、前記一般式(1)におけるX11〜X16、並びに前記一般式(4)におけるX7〜X8、およびAr1〜Ar4と、それぞれ同義である。*12は、前記第一の構造または前記第四の部分構造の前記第二の構造との結合部を表し、*21は、前記第二の構造の前記第一の構造または前記第四の部分構造との結合部を表し、*14は、前記第一の構造の前記第四の部分構造との結合部を表し、*41は、前記第四の部分構造の前記第一の構造との結合部を表す。
本実施形態に係る化合物は、例えば、後述する実施例に記載の方法により製造することができる。本実施形態に係る化合物は、当該実施例に記載の方法に倣い、目的物に合わせた既知の代替反応や原料を用いることで、製造することができる。
本実施形態の組成物は、本発明の一実施形態に係る化合物と、溶媒と、を含む。
溶媒は、有機溶媒であることが好ましい。有機溶媒としては、例えば、塩素系溶媒(例えば、クロロホルム、クロロベンゼン、クロロトルエン、クロロキシレン、クロロアニソール、ジクロロメタン、ジクロロベンゼン、ジクロロトルエン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、トリクロロベンゼン、トリクロロメチルベンゼン、ブロモベンゼン、ジブロモベンゼン、およびブロモアニソール等)、エーテル系溶媒(例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン、オキサゾール、メチルベンゾオキサゾール、ベンゾイソオキサゾール、フラン、フラザン、ベンゾフラン、およびジヒドロベンゾフラン等)、芳香族炭化水素系溶媒(例えば、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、トリメトキシベンゼン、プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、ジイソプロピルベンゼン、ジブチルベンゼン、アミルベンゼン、ジヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、テトラメチルベンゼン、ドデシルベンゼン、ベンゾニトリル、アセトフェノン、メチルアセトフェノン、メトキシアセトフェノン、トルイル酸エチルエステル、トルエン、エチルトルエン、メトキシトルエン、ジメトキシトルエン、トリメトキシトルエン、イソプロピルトルエン、キシレン、ブチルキシレン、イソプロピルキシレン、アニソール、エチルアニソール、ジメチルアニソール、トリメチルアニソール、プロピルアニソール、イソプロピルアニソール、ブチルアニソール、メチルエチルアニソール、アネトールアニシルアルコール、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、ジフェニルエーテル、ブチルフェニルエーテル、ベンジルメチルエーテル、ベンジルエチルエーテル、メチレンジオキシベンゼン、メチルナフタレン、テトラヒドロナフタレン、アニリン、メチルアニリン、エチルアニリン、ブチルアニリン、ビフェニル、メチルビフェニル、およびイソプロピルビフェニル等)、脂肪族炭化水素系溶媒(例えば、シクロへキサン、メチルシクロへキサン、n−ペンタン、n−へキサン、n−へプタン、n−オクタン、n−ノナン、n−デカン、テトラデカン、デカリン、およびイソプロピルシクロヘキサン等)、ケトン系溶媒(例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロへキサノン、およびアセトフェノン等)、エステル系溶媒(例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセロソルブアセテート、安息香酸メチル、および酢酸フェニル等)、多価アルコールおよびその誘導体(例えば、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、および1,2−へキサンジオール等)、アルコール系溶媒(例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、およびシクロへキサノール等)、スルホキシド系溶媒(例えば、ジメチルスルホキシド等)、並びに、アミド系溶媒(例えば、N−メチル−2−ピロリドン、およびN,N−ジメチルホルムアミド等)等が例示される。
これらの有機溶媒は、一種を単独で用いてもよく、複数種を組み合わせて用いてもよい。
本発明の一実施形態に係る組成物は、有機EL素子用材料として好適に用いることができる。
本実施形態に係る有機EL素子の構成について説明する。
有機EL素子は、陽極と、有機層と、陰極と、を含む。有機層は、有機化合物で構成される1以上の層を含む。有機層は、無機化合物をさらに含んでいてもよい。本実施形態の有機EL素子は、有機層のうちの少なくともいずれかが、本実施形態に係る化合物を含む。
(a)陽極/発光層/陰極
(b)陽極/正孔注入・輸送層/発光層/陰極
(c)陽極/発光層/電子注入・輸送層/陰極
(d)陽極/正孔注入・輸送層/発光層/電子注入・輸送層/陰極
(e)陽極/正孔注入・輸送層/発光層/障壁層/電子注入・輸送層/陰極
図1に、本実施形態における有機EL素子の一例の概略構成を示す。
有機EL素子1は、透光性の基板2と、陽極3と、陰極4と、陽極3と陰極4との間に配置された有機層10と、を有する。
有機層10は、発光層7と、陽極3および発光層7の間に設けられた正孔注入層5と、正孔注入層5および発光層7の間に設けられた正孔輸送層6と、発光層7および陰極4の間に設けられた電子輸送帯域11と、を含む。
電子輸送帯域11は、電子輸送層8と電子注入層9とを含む。
本実施形態において、発光層7が本発明の一実施形態に係る化合物を含んでいる。
有機EL素子1の発光層7は、本発明の一実施形態に係る化合物を少なくとも含む。
有機EL素子1の発光層7において、本発明の一実施形態に係る化合物の含有率は、0.1質量%以上含まれていることが好ましく、1質量%以99.9質量%以下であることがより好ましく、5質量%以上95質量%以下であることがさらに好ましい。
例えば、発光層7は、発光材料として、蛍光を発光する蛍光性化合物、または燐光を発光する燐光性化合物を含んでいてもよい。蛍光性化合物は一重項励起状態から発光可能な化合物であり、燐光性化合物は三重項励起状態から発光可能な化合物である。
また、例えば、トリス(アセチルアセトナート)(モノフェナントロリン)テルビウム(III)(略称:Tb(acac)3(Phen))、トリス(1,3−ジフェニル−1,3−プロパンジオナト)(モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:Eu(DBM)3(Phen))、およびトリス[1−(2−テノイル)−3,3,3−トリフルオロアセトナート](モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:Eu(TTA)3(Phen))等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光(異なる多重度間の電子遷移)であるため、燐光性化合物として用いることができる。
本実施形態の有機EL素子1における発光層7の膜厚は、好ましくは5nm以上50nm以下、より好ましくは7nm以上50nm以下、さらに好ましくは10nm以上50nm以下である。5nm以上であれば、発光層7を容易に形成でき、色度の調整も容易となる。また、50nm以下であれば、駆動電圧の上昇を抑えることができる。
基板2は、有機EL素子1の支持体として用いられる。基板2としては、例えば、ガラス、石英、およびプラスチック等を用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる(フレキシブル)基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、またはポリエチレンナフタレートからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、無機蒸着フィルムを用いることもできる。
基板2上に形成される陽極3には、仕事関数の大きい(具体的には4.0eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物等を用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ(ITO:Indium Tin Oxide)、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステンおよび酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、並びにグラフェン等が挙げられる。この他、金(Au)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、チタン(Ti)、または金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)等が挙げられる。
これらの材料は、通常、スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し1質量%以上10質量%以下の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。また、例えば、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを0.5質量%以上5質量%以下、酸化亜鉛を0.1質量%以上1質量%以下含有したターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。その他、真空蒸着法、塗布法、インクジェット法、またはスピンコート法等により作製してもよい。
陽極3上に形成される有機層のうち、陽極3に接して形成される正孔注入層5は、陽極3の仕事関数に関係なく正孔(ホール)注入が容易である複合材料を用いて形成されるため、電極材料として可能な材料(例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物、その他、元素周期表の第1族または第2族に属する元素も含む)を用いることもできる。
仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウム(Li)およびセシウム(Cs)等のアルカリ金属、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、およびストロンチウム(Sr)等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金(例えば、MgAg、AlLi)、並びにユーロピウム(Eu)およびイッテルビウム(Yb)等の希土類金属、およびこれらを含む合金等を用いることもできる。なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびこれらを含む合金を用いて陽極3を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。さらに、銀ペースト等を用いる場合には、塗布法またはインクジェット法等を用いることができる。
正孔注入層5は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、およびマンガン酸化物等を用いることができる。
また、正孔注入性の高い物質としては、低分子の有機化合物である4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、4,4’−ビス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DPAB)、4,4’−ビス(N−{4−[N’−(3−メチルフェニル)−N’−フェニルアミノ]フェニル}−N−フェニルアミノ)ビフェニル(略称:DNTPD)、1,3,5−トリス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ベンゼン(略称:DPA3B)、3−[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA1)、3,6−ビス[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA2)、および3−[N−(1−ナフチル)−N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)アミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCN1)等の芳香族アミン化合物等やジピラジノ[2,3−f:20,30−h]キノキサリン−2,3,6,7,10,11−ヘキサカルボニトリル(HAT−CN)も挙げられる。
また、正孔注入性の高い物質としては、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、およびポリマー等)を用いることもできる。例えば、ポリ(N−ビニルカルバゾール)(略称:PVK)、ポリ(4−ビニルトリフェニルアミン)(略称:PVTPA)、ポリ[N−(4−{N’−[4−(4−ジフェニルアミノ)フェニル]フェニル−N’−フェニルアミノ}フェニル)メタクリルアミド](略称:PTPDMA)、およびポリ[N,N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)ベンジジン](略称:Poly−TPD)等の高分子化合物が挙げられる。また、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT/PSS)、およびポリアニリン/ポリ(スチレンスルホン酸)(PAni/PSS)等の酸を添加した高分子化合物を用いることもできる。
正孔輸送層6は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層6には、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、およびアントラセン誘導体等を使用する事ができる。具体的には、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)やN,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(略称:TPD)、4−フェニル−4’−(9−フェニルフルオレン−9−イル)トリフェニルアミン(略称:BAFLP)、4,4’−ビス[N−(9,9−ジメチルフルオレン−2−イル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DFLDPBi)、4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、および4,4’−ビス[N−(スピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル)−N―フェニルアミノ]ビフェニル(略称:BSPB)等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に10−6cm2/(V・s)以上の正孔移動度を有する物質である。
正孔輸送層6には、CBP、9−[4−(N−カルバゾリル)]フェニル−10−フェニルアントラセン(CzPA)、および9−フェニル−3−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(PCzPA)のようなカルバゾール誘導体や、t−BuDNA、DNA、DPAnthのようなアントラセン誘導体を用いてもよい。ポリ(N−ビニルカルバゾール)(略称:PVK)やポリ(4−ビニルトリフェニルアミン)(略称:PVTPA)等の高分子化合物を用いることもできる。
但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外の物質を用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層だけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層した層としてもよい。
正孔輸送層を二層以上配置する場合、エネルギーギャップのより大きい材料を含む層を、発光層7に近い側に配置することが好ましい。
電子輸送層8は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層8には、1)アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、および亜鉛錯体等の金属錯体、2)イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、およびフェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物、並びに3)高分子化合物を使用することができる。具体的には低分子の有機化合物として、Alq、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Almq3)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(略称:BeBq2)、BAlq、Znq、ZnPBO、およびZnBTZ等の金属錯体等を用いることができる。また、金属錯体以外にも、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)、1,3−ビス[5−(ptert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(略称:OXD−7)、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−フェニル−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−(4−エチルフェニル)−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(略称:p−EtTAZ)、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP)、および4,4’−ビス(5−メチルベンゾオキサゾール−2−イル)スチルベン(略称:BzOs)等の複素芳香族化合物も用いることができる。本実施態様においては、ベンゾイミダゾール化合物を好適に用いることができる。ここに述べた物質は、主に10−6cm2/(V・s)以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔輸送性よりも電子輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層8として用いてもよい。また、電子輸送層8は、単層だけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層した層としてもよい。
また、電子輸送層8には、高分子化合物を用いることもできる。例えば、ポリ[(9,9−ジヘキシルフルオレン−2,7−ジイル)−co−(ピリジン−3,5−ジイル)](略称:PF−Py)、およびポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−co−(2,2’−ビピリジン−6,6’−ジイル)](略称:PF−BPy)等を用いることができる。
電子注入層9は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層9には、リチウム(Li)、セシウム(Cs)、カルシウム(Ca)、フッ化リチウム(LiF)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF2)、およびリチウム酸化物(LiOx)等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。その他、電子輸送性を有する物質にアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を含有させた物質、具体的にはAlq中にマグネシウム(Mg)を含有させた物質等を用いてもよい。なお、この場合には、陰極4からの電子注入をより効率よく行うことができる。
あるいは、電子注入層9に、有機化合物と電子供与体(ドナー)とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層8を構成する物質(金属錯体や複素芳香族化合物等)を用いることができる。
電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、およびイッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、およびバリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン(略称:TTF)等の有機化合物を用いることもできる。
陰極4には、仕事関数の小さい(具体的には3.8eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物等を用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウム(Li)やセシウム(Cs)等のアルカリ金属、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、およびストロンチウム(Sr)等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金(例えば、MgAg、AlLi)、並びにユーロピウム(Eu)およびイッテルビウム(Yb)等の希土類金属、およびこれらを含む合金等が挙げられる。
なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらを含む合金を用いて陰極4を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペースト等を用いる場合には、塗布法またはインクジェット法等を用いることができる。
なお、電子注入層9を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Al、Ag、ITO、グラフェン、または珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等、様々な導電性材料を用いて陰極4を形成することができる。これらの導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することができる。
本実施形態の有機EL素子1の各層の形成方法としては、上記で特に言及した以外には制限されない。例えば、乾式成膜法、および湿式成膜法等の公知の方法を採用できる。乾式成膜法としては、例えば、真空蒸着法、分子線蒸着法(MBE法)、スパッタリング法、プラズマ法、およびイオンプレーティング法等が挙げられる。湿式成膜法としては、例えば、スピンコーティング法、ディッピング法、フローコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法(例えば、凸版印刷法、凹版印刷法、平版印刷法、孔版印刷法、および、それらとオフセット印刷法を組み合わせた印刷法)、インクジェット印刷法、スプレーコート法、スリットコート法、キャップコート法、グラビアロールコート法、並びにメニスカスコート法等が挙げられる。
溶媒としては、本発明の一実施形態に係る組成物における溶媒と同様の有機溶媒を挙げることができる。
本実施形態の有機EL素子1の各有機層の膜厚は、上記で特に言及した以外には制限されない。ピンホール等の欠陥が生じにくく、低印加電圧で効率が向上するため、通常、膜厚は、数nmから1μmの範囲が好ましい。
本実施形態において、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造(例えば単環、縮合環、環集合)の化合物(例えば単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物)の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子(例えば環を構成する原子の結合手を終端する水素原子)や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記される「環形成原子数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ピリジン環は、環形成原子数が6であり、キナゾリン環は、環形成原子数が10であり、フラン環は、環形成原子数が5である。ピリジン環やキナゾリン環の炭素原子にそれぞれ結合している水素原子や置換基を構成する原子については、環形成原子数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合(スピロフルオレン環を含む)、置換基としてのフルオレン環の原子数は環形成原子数の数に含めない。
次に前記一般式に記載の各置換基について説明する。
本実施形態におけるアリール基としては、環形成炭素数が6〜20であることが好ましく、6〜14であることがより好ましく、6〜12であることがさらに好ましい。上記アリール基の中でもフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ターフェニル基、フルオレニル基が特に好ましい。1−フルオレニル基、2−フルオレニル基、3−フルオレニル基および4−フルオレニル基については、9位の炭素原子に、後述する本実施形態における置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基や置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜18のアリール基が置換されていることが好ましい。
本実施形態における環形成原子数5〜30の複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリル基、イソキノリニル基、ナフチリジニル基、フタラジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、ベンズイミダゾリル基、インダゾリル基、イミダゾピリジニル基、ベンズトリアゾリル基、カルバゾリル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イソキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ピペリジニル基、ピロリジニル基、ピペラジニル基、モルホリル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、およびフェノキサジニル基等が挙げられる。
本実施形態における複素環基の環形成原子数は、5〜20であることが好ましく、5〜14であることがさらに好ましい。上記複素環基の中でも1−ジベンゾフラニル基、2−ジベンゾフラニル基、3−ジベンゾフラニル基、4−ジベンゾフラニル基、1−ジベンゾチオフェニル基、2−ジベンゾチオフェニル基、3−ジベンゾチオフェニル基、4−ジベンゾチオフェニル基、1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル基、4−カルバゾリル基、および9−カルバゾリル基が特に好ましい。1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル基および4−カルバゾリル基については、9位の窒素原子に、本実施形態における置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基または置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の複素環基が置換されていることが好ましい。
本実施形態における直鎖または分岐鎖のアルキル基の炭素数は、1〜10であることが好ましく、1〜6であることがさらに好ましい。上記直鎖または分岐鎖のアルキル基の中でもメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、アミル基、イソアミル基、およびネオペンチル基が特に好ましい。
本実施形態における炭素数3〜30のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、4−メチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基等が挙げられる。シクロアルキル基の環形成炭素数は、3〜10であることが好ましく、5〜8であることがさらに好ましい。上記シクロアルキル基の中でも、シクロペンチル基やシクロヘキシル基が特に好ましい。
アルキル基がハロゲン原子で置換されたハロゲン化アルキル基としては、例えば、上記炭素数1〜30のアルキル基が1以上のハロゲン原子で置換されたフルオロアルキル基が挙げられる。具体的には、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、フルオロエチル基、トリフルオロメチルメチル基、トリフルオロエチル基、およびペンタフルオロエチル基等が挙げられる。
本実施形態における炭素数3〜30のアルキルシリル基としては、上記炭素数1〜30のアルキル基で例示したアルキル基を有するトリアルキルシリル基が挙げられ、具体的にはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ−n−ブチルシリル基、トリ−n−オクチルシリル基、トリイソブチルシリル基、ジメチルエチルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、ジメチル−n−プロピルシリル基、ジメチル−n−ブチルシリル基、ジメチル−t−ブチルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、およびトリイソプロピルシリル基等が挙げられる。トリアルキルシリル基における3つのアルキル基は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
ジアルキルアリールシリル基は、例えば、上記炭素数1〜30のアルキル基で例示したアルキル基を2つ有し、上記環形成炭素数6〜30のアリール基を1つ有するジアルキルアリールシリル基が挙げられる。ジアルキルアリールシリル基の炭素数は、8〜30であることが好ましい。
アルキルジアリールシリル基は、例えば、上記炭素数1〜30のアルキル基で例示したアルキル基を1つ有し、上記環形成炭素数6〜30のアリール基を2つ有するアルキルジアリールシリル基が挙げられる。アルキルジアリールシリル基の炭素数は、13〜30であることが好ましい。
トリアリールシリル基は、例えば、上記環形成炭素数6〜30のアリール基を3つ有するトリアリールシリル基が挙げられる。トリアリールシリル基の炭素数は、18〜30であることが好ましい。
また、本実施形態において、水素原子とは、中性子数の異なる同位体、すなわち、軽水素(Protium)、重水素(Deuterium)、三重水素(Tritium)を包含する。
ここで挙げた置換基の中では、アリール基、複素環基、アルキル基、ハロゲン原子、アルキルシリル基、アリールシリル基、およびシアノ基が好ましく、さらには、各置換基の説明において好ましいとした具体的な置換基が好ましい。
これらの置換基は、上記のアリール基、複素環基、アルキル基、アラルキル基、アルキルシリル基、アリールシリル基、ハロゲン原子、およびシアノ基の他に、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シロキサニル基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アミノ基、アルデヒド基、カルボニル基、エステル基、カルバモイル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、およびカルボキシ基によってさらに置換されてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成してもよい。
アルコキシ基がハロゲン原子で置換されたハロゲン化アルコキシ基としては、例えば、上記炭素数1〜30のアルコキシ基が1以上のフッ素原子で置換された基が挙げられる。
環形成炭素数6〜30のアリールチオ基は、−SRWと表される。このRWの例として、上記環形成炭素数6〜30のアリール基が挙げられる。アリールチオ基の環形成炭素数は、6〜20であることが好ましい。
なお、本実施形態において、「置換もしくは無置換の炭素数XX〜YYのZZ基」という表現における「炭素数XX〜YY」は、ZZ基が無置換である場合の炭素数を表し、置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。ここで、「YY」は「XX」よりも大きく、「XX」と「YY」はそれぞれ1以上の整数を意味する。
本実施形態において、「置換もしくは無置換の原子数XX〜YYのZZ基」という表現における「原子数XX〜YY」は、ZZ基が無置換である場合の原子数を表し、置換されている場合の置換基の原子数は含めない。ここで、「YY」は「XX」よりも大きく、「XX」と「YY」はそれぞれ1以上の整数を意味する。
本発明の一実施形態に係る有機EL素子は、表示装置および発光装置等の電子機器に使用できる。表示装置としては、例えば、有機ELパネルモジュール等の表示部品、テレビ、携帯電話、タブレット、およびパーソナルコンピュータ等が挙げられる。発光装置としては、例えば、照明、および車両用灯具等が挙げられる。
なお、本発明は、上述の実施形態に限定されず、本発明の目的を達成できる範囲での変更、改良等は、本発明に含まれる。
例えば、発光層の陽極側や陰極側に障壁層を隣接させて設けてもよい。障壁層は、発光層に接して配置され、正孔、電子および励起子の少なくともいずれかを阻止することが好ましい。
例えば、発光層の陰極側で接して障壁層が配置された場合、当該障壁層は、電子を輸送し、正孔が当該障壁層よりも陰極側の層(例えば、電子輸送層)に到達することを阻止する。有機EL素子が、電子輸送層を含む場合は、発光層と電子輸送層との間に当該障壁層を含むことが好ましい。
また、発光層の陽極側で接して障壁層が配置された場合、当該障壁層は、正孔を輸送し、電子が当該障壁層よりも陽極側の層(例えば、正孔輸送層)に到達することを阻止する。有機EL素子が、正孔輸送層を含む場合は、発光層と正孔輸送層との間に当該障壁層を含むことが好ましい。
また、励起エネルギーが発光層からその周辺層に漏れ出さないように、障壁層を発光層に隣接させて設けてもよい。発光層で生成した励起子が、当該障壁層よりも電極側の層(例えば、電子輸送層や正孔輸送層)に移動することを阻止する。
発光層と障壁層とは接合していることが好ましい。
本発明の一実施形態に係る化合物を含む層である場合、正孔輸送層および電子輸送層は、溶媒および本発明の一実施形態に係る化合物を含む溶液を用いて、上記塗布法により成膜することが好ましい。
(1)化合物A2の合成
室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物H−1(3.53g,収率80%)を得た。
Chromatography)およびLC−MS(Liquid Chromatography−Mass Spectrometry)の分析結果を以下に示す。
HPLC:純度99.2%
LC−MS:calcd for C88H56N6=1196、
found m/z=1196(M+,100)
室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物H−2(3.18g,収率72%)を得た。
HPLC:純度98.8%
LC−MS:calcd for C88H56N6=1196、
found m/z=1196(M+,100)
(基板の洗浄)
25mm×25mm×厚さ1.1mmのITO透明電極付きガラス基板(ジオマテック株式会社製)に対し、イソプロピルアルコール中で超音波洗浄を5分間行った後、UVオゾン洗浄を5分間行った。
正孔輸送材料としてHERAEUS社製CLEVIOUS AI4083(商品名)を30nmの厚さで前記のITO基板上にスピンコート法により成膜した。成膜後、アセトンにより不要部分を除去し、次いで大気中200℃のホットプレートで10分間焼成し、下地層を形成した下地基板を作製した。
ホスト材料として合成実施例1で得た化合物H−1、ドーパント材料として化合物D−1を用い、化合物H−1:化合物D−1が質量比で90:10となるような混合比で、1.6質量%のトルエン溶液を作製した。材料の溶解には超音波を用いた。このトルエン溶液を目視し、全ての化合物が完全に溶解し透明になっていることを確認した。このトルエン溶液を用い、前記下地基板上にスピンコート法により、50nmの膜厚になるように塗布成膜した。塗布成膜後、不要部分をトルエンにて除去し、200℃のホットプレート上で加熱乾燥し、発光層を成膜した塗布積層基板を作製した。なお、発光層の成膜にかかる全ての操作は窒素雰囲気のグローブボックス中で実施した。
塗布積層基板を蒸着チャンバー中に搬送し、電子輸送層としてとして下記化合物ET−1を50nm蒸着した。さらに、フッ化リチウムを1nm、アルミニウムを80nm蒸着積層した。全ての蒸着工程を完了させた後、窒素雰囲気のグローブボックス中でザグリガラスによる封止を行い、有機EL素子を作製した。
得られた有機EL素子を、直流電流駆動により発光させ、電流密度10mA/cm2における外部量子収率(EQE)を測定した。測定結果を表1に示す。
ホスト材料として、化合物H−1の代わりに合成実施例2で得た化合物H−2を用いたこと以外は、実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製した。得られた有機EL素子を、直流電流駆動により発光させ、電流密度10mA/cm2における外部量子収率(EQE)を測定した。測定結果を表1に示す。
ホスト材料として、化合物H−1の代わりに下記比較化合物H−aを用いたこと以外は、実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製しようとしたが、トルエン溶液中で材料が溶けずに白濁しており、溶液調製ができなかったことから、素子作製に至らなかった。
ホスト材料として、化合物H−1の代わりに下記比較化合物H−bを用いたこと以外は、実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製しようとしたが、200℃の加熱時に膜に穴が形成されてしまったため、均一な発光が得られなかった。
また、表1が示すように、実施例1および実施例2の有機EL素子は、外部量子効率EQEが高いことが確認できた。
11…電子輸送帯域。
Claims (23)
- 下記一般式(11)で表される第一の構造と、
下記一般式(2)で表される第二の構造と、を有し、
前記第一の構造、および前記第二の構造は、それぞれ、分子中に互いに独立して含まれる、
化合物。
X11は、Ar1と結合する炭素原子であり、
X12は、Ar2と結合する炭素原子であり、
X13は、窒素原子であり、
X14は、Ar3と結合する炭素原子であり、
X15は、窒素原子であり、
X16は、Ar4と結合する炭素原子であり、
Ar1〜Ar4は、それぞれ独立に、
無置換の芳香族炭化水素基、または
分子中の前記第二の構造に含まれる原子と結合する無置換の芳香族炭化水素基であり、
前記芳香族炭化水素基は、フェニル基またはビフェニル基である。)
(前記一般式(2)において、
X1は、X2と結合する炭素原子であり、
X2は、X1と結合する炭素原子であり、
X3は、窒素原子であり、
X3における窒素原子は、
分子中の前記第一の構造に含まれる原子と結合し、
X4は、X5と結合する炭素原子であり、
X5は、X4と結合する炭素原子であり、
Lは、単結合であり、
Lは、置換基と結合し、
Lに結合する前記置換基は、無置換のフェニル基または無置換のビフェニル基であり、
Y1〜Y8は、それぞれ独立に、
R7と結合する炭素原子、または
Y9〜Y16のいずれかと結合する炭素原子であり、
Y9〜Y16は、それぞれ独立に、
R8と結合する炭素原子、または
Y1〜Y8のいずれかと結合する炭素原子であり、
R7およびR8は、いずれも水素原子であり、
mは、分子中の前記第二の構造の数であって、2であり、
pは、1または2である。) - 請求項1に記載の化合物において、
前記一般式(11)におけるAr1〜Ar4のうち2つが無置換の芳香族炭化水素基であり、残りの2つが分子中の前記第二の構造に含まれる原子と結合する無置換の芳香族炭化水素基である、化合物。 - 請求項2に記載の化合物において、
前記第二の構造中の一方の下記の構造(2a)におけるX3が前記一般式(11)におけるAr1〜Ar4のうちの1つと結合し、前記第二の構造中の他方の下記の構造(2a)におけるX3が前記一般式(11)におけるAr1〜Ar4のうちの他の1つと結合する、化合物。
- 請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の化合物において、
前記芳香族炭化水素基は、いずれも無置換のフェニル基である、化合物。 - 請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の化合物において、
前記芳香族炭化水素基は、いずれも無置換のビフェニル基である、化合物。 - 請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の化合物において、
前記一般式(2)におけるLに結合する前記置換基は、無置換のフェニル基である、化合物。 - 請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の化合物において、
前記一般式(2)におけるLに結合する前記置換基は、無置換のビフェニル基である、化合物。 - 請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の化合物において、
前記一般式(2)におけるY1〜Y8のうちの1つがY9〜Y16のいずれかと結合する炭素原子であり、残りがR7と結合する炭素原子であり、
前記一般式(2)におけるY9〜Y16のうちの1つがY1〜Y8のいずれかと結合する炭素原子であり、残りがR8と結合する炭素原子である、化合物。 - 請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の化合物において、
前記一般式(2)におけるpが1である、化合物。 - 請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の化合物において、
前記一般式(2)で表される第二の構造は、下記一般式(20)で表され、
下記一般式(20)において、
X1およびX2は、互いに結合する炭素原子であり、
X4およびX5は、互いに結合する炭素原子であり、
pは、1であり、
Y1〜Y8のいずれかは、Y13〜Y16のいずれかと結合する炭素原子であり、
Y13〜Y16のいずれかは、Y1〜Y8のいずれかと結合する炭素原子である、化合物。
- 請求項9または請求項10に記載の化合物において、
Y3とY14とが結合する、化合物。 - 請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の化合物において、
前記一般式(2)におけるpが2である、化合物。 - 請求項12に記載の化合物において、
前記第二の構造中の下記の構造(9a)の一方のY14がY3と結合し、他方のY14がY6と結合する、化合物。
- 請求項1に記載の化合物において、
前記一般式(11)で表される第一の構造と、前記一般式(2)で表される第二の構造と、を有する化合物は、下記一般式(C−1)〜(C−6)のいずれかで表される、化合物。
- 請求項14に記載の化合物において、
前記一般式(11)で表される第一の構造と、前記一般式(2)で表される第二の構造と、を有する化合物は、前記一般式(C−1)または前記一般式(C−2)で表される、化合物。 - 請求項14に記載の化合物において、
前記一般式(11)で表される第一の構造と、前記一般式(2)で表される第二の構造と、を有する化合物は、前記一般式(C−3)〜(C−6)のいずれかで表される、化合物。 - 請求項1から請求項16のいずれか一項に記載の化合物と、溶媒と、を含む組成物。
- 陽極と、有機層と、陰極と、を含み、
前記有機層は、請求項1から請求項16のいずれか一項に記載の化合物を含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記有機層は、発光層を含み、
前記発光層は、前記化合物を含む、
請求項18に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記発光層は、さらに発光材料を含む、
請求項19に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記陽極と前記発光層との間に正孔輸送層を含む、
請求項19または請求項20に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記発光層と前記陰極との間に電子輸送層を含む、
請求項19から請求項21のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 請求項18から請求項22のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える電子機器。
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