JP6684400B2 - 超伝導単一光子検出器 - Google Patents
超伝導単一光子検出器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6684400B2 JP6684400B2 JP2016212995A JP2016212995A JP6684400B2 JP 6684400 B2 JP6684400 B2 JP 6684400B2 JP 2016212995 A JP2016212995 A JP 2016212995A JP 2016212995 A JP2016212995 A JP 2016212995A JP 6684400 B2 JP6684400 B2 JP 6684400B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- light receiving
- parallel
- components
- superconducting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 241000238366 Cephalopoda Species 0.000 description 21
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 21
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 20
- 102100030552 Synaptosomal-associated protein 25 Human genes 0.000 description 13
- 108040000979 soluble NSF attachment protein activity proteins Proteins 0.000 description 13
- 230000004044 response Effects 0.000 description 12
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 241001124320 Leonis Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000799 fluorescence microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- VLCQZHSMCYCDJL-UHFFFAOYSA-N tribenuron methyl Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1S(=O)(=O)NC(=O)N(C)C1=NC(C)=NC(OC)=N1 VLCQZHSMCYCDJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
A 受光面領域
L1(i)(i=1,2,…,n) 第1配線成分
L2(i) 第2配線成分
L11 並列配線部
L12 端部合流部
L13 線間合流部
Px(x=1,2,…,N) 並列ユニット
Qy(y=1,2,…,M) 直列ユニット
Claims (4)
- 所定の受光面領域に配設される受光配線を備え、前記受光配線を超伝導状態とし、所定のバイアス電流経路から当該受光配線にバイアス電流を流すことで、前記受光面領域に入射される単一光子を検出する超伝導単一光子検出器であって、
前記受光配線は、
前記受光面領域内における所定の第1方向に延びる複数の第1配線成分と、
それぞれの一端部が一の前記第1配線成分の第1端部に接続され、それぞれの他端部が他の前記第1配線成分の第2端部に接続される複数の第2配線成分と、を備え、
前記第1配線成分と前記第2配線成分とが交互に直列接続された状態で、前記複数の第1配線成分が前記第1方向に直交する第2方向に並ぶように配設され、
前記複数の第1配線成分は、それぞれ、
前記第1端部と前記第2端部との間に延びる2以上の所定数の並列配線部と、
前記第1端部および前記第2端部のそれぞれにおいて前記所定数の並列配線部が合流する端部合流部と、
前記第1端部と前記第2端部との間の所定箇所において前記所定数の並列配線部同士を接続する少なくとも1つの線間合流部と、を備えている、超伝導単一光子検出器。 - 前記線間合流部は、各並列配線部を前記第1方向に均等に区分するように設けられる、請求項1に記載の超伝導単一光子検出器。
- 前記線間合流部の前記第1方向の幅は、各並列配線部の前記第2方向の幅より大きい、請求項1または2に記載の超伝導単一光子検出器。
- 前記受光配線は、
それぞれが、J個(J≧2)の前記並列配線部を有するK個(K≧2)の前記第1配線成分を有する直列ユニットがM個(M≧2)並列接続されたN個(N≧2)の並列ユニットを有し、
前記N個の並列ユニットに含まれる前記第1配線成分が前記第2方向に並ぶように配置された状態で、前記N個の並列ユニットが直列接続されている、請求項1から3の何れかに記載の超伝導単一光子検出器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016212995A JP6684400B2 (ja) | 2016-10-31 | 2016-10-31 | 超伝導単一光子検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016212995A JP6684400B2 (ja) | 2016-10-31 | 2016-10-31 | 超伝導単一光子検出器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018074026A JP2018074026A (ja) | 2018-05-10 |
JP6684400B2 true JP6684400B2 (ja) | 2020-04-22 |
Family
ID=62115723
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016212995A Active JP6684400B2 (ja) | 2016-10-31 | 2016-10-31 | 超伝導単一光子検出器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6684400B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11656122B2 (en) * | 2019-03-01 | 2023-05-23 | National University Corporation Yokohama National University | Photon detection device |
TWI780579B (zh) | 2020-02-03 | 2022-10-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有整合化氮化鋁晶種或波導層的超導奈米線單光子偵測器 |
TWI753759B (zh) | 2020-02-03 | 2022-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有整合化氮化鋁種晶或波導層的超導奈米線單光子偵測器 |
JP2023131411A (ja) * | 2022-03-09 | 2023-09-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | エネルギー線検出システム |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008071908A (ja) * | 2006-09-13 | 2008-03-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導光検出素子 |
JP5177482B2 (ja) * | 2007-08-01 | 2013-04-03 | 独立行政法人情報通信研究機構 | 超伝導単一光子検出素子の製造方法 |
US20130172195A1 (en) * | 2011-10-06 | 2013-07-04 | Massachusetts Institute Of Technology | Optical detectors and associated systems and methods |
JP6206837B2 (ja) * | 2013-04-24 | 2017-10-04 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 | 超伝導単一光子検出器およびその受光配線の構造決定方法 |
CN104752534B (zh) * | 2015-04-27 | 2016-09-14 | 南京大学 | 超导纳米线单光子探测器及其制备方法 |
-
2016
- 2016-10-31 JP JP2016212995A patent/JP6684400B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018074026A (ja) | 2018-05-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5846626B2 (ja) | 超伝導単一光子検出システムおよび超伝導単一光子検出方法 | |
JP6684400B2 (ja) | 超伝導単一光子検出器 | |
US10374611B2 (en) | Superconducting logic components | |
US9595969B2 (en) | Reciprocal quantum logic comparator for qubit readout | |
US6486756B2 (en) | Superconductor signal amplifier | |
JP5419122B2 (ja) | 信号処理およびインターフェイス回路 | |
WO2013052864A1 (en) | Superconducting nanowire avalanche photodetectors (snaps) with fast reset time | |
US6917216B2 (en) | Superconductor output amplifier | |
JP2012526452A (ja) | バリスティック単一磁束量子論理のための方法および装置 | |
EP3312575B1 (en) | Photon detection device and photon detection method | |
KR20200069349A (ko) | 대형 팬-인 상호 양자 논리 게이트들 | |
US7095227B2 (en) | Superconducting driver circuit | |
KR102599221B1 (ko) | 조셉슨 전류원 시스템 | |
JP5093654B2 (ja) | 粒子・光子検出器 | |
JP2004080129A (ja) | 超電導ドライバ回路及び超電導機器 | |
JP6015948B2 (ja) | 粒子・光子検出器 | |
JP2022173992A (ja) | 磁束スイッチシステム | |
Bell et al. | Photon number-resolved detection with sequentially connected nanowires | |
JP2014216430A (ja) | 超伝導単一光子検出器およびその受光配線の構造決定方法 | |
Mielke et al. | Controlled initialization of superconducting π-phaseshifters and possible applications | |
JP2018100946A (ja) | 光子検出装置及び光子検出方法 | |
JP2005260364A (ja) | 超電導ラッチ・ドライバ回路 | |
JP2020009841A (ja) | 超伝導ストリップ、粒子検出装置および粒子検出方法 | |
JP6210410B2 (ja) | 単一磁束量子回路及び単一磁束量子回路動作方法 | |
JP2008053373A (ja) | 光入力素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190627 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191205 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200107 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200121 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6684400 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |