JP6681413B2 - 無鉛ガラス組成物、ガラス複合材料、ガラスペースト、封止構造体、電気電子部品及び塗装部品 - Google Patents

無鉛ガラス組成物、ガラス複合材料、ガラスペースト、封止構造体、電気電子部品及び塗装部品 Download PDF

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Description

本発明は、無鉛ガラス組成物、ガラス複合材料、ガラスペースト、封止構造体、電気電子部品及び塗装部品に関する。
窓ガラス等に適用されている真空断熱複層ガラスパネル、プラズマディスプレイパネル、有機ELディスプレイパネル、蛍光表示管等のディスプレイパネル、及び水晶振動子、ICセラミックパッケージ、半導体センサー等の電気電子部品等では、低融点ガラス組成物とセラミックス粒子を含むガラス複合材料によって封止や接着等が行われている。このガラス複合材料は、ガラスペーストの形態で適用されることが多く、ガラスペーストをスクリーン印刷法やディスペンサー法等によって基材に塗布し、乾燥後に焼成して封止や接着等へ展開される。封止や接着等の際には、ガラス複合材料やガラスペーストに含まれる低融点ガラス組成物が軟化流動することによって被封止部材や被接着部材等へ密着させる。
また、太陽電池セル、画像表示デバイス、積層コンデンサー、水晶振動子、LED(発光ダイオード)、及び多層回路基板等の多くの電気電子部品では、低融点ガラス組成物と金属粒子を含むガラス複合材料によって電極や配線が形成される。また、このガラス複合材料は、導通を取るための導電性接合部や熱伝導させるための放熱性接合部としても使用される。電極、配線、放熱性接合部等の形成の際においても、ガラス複合材料やガラスペーストに含まれる低融点ガラス組成物が軟化流動することによって金属粒子を焼結したり、また基板へ密着させる。
上記のガラス複合材料やそのガラスペーストに含まれる低融点ガラス組成物としては、かつては酸化鉛を非常に多く含むPbO‐B系低融点ガラス組成物が幅広く適用されていた。このPbO‐B系低融点ガラス組成物は、軟化点が350〜400℃と低く、400〜450℃で良好な軟化流動性を示し、しかも比較的に高い化学的安定性を有していた。
しかし、近年、世界的にグリーン調達・グリーン設計の流れが強まり、より安全な材料が要求されるようになった。例えば、欧州においては、電子・電気機器における特定有害物質の使用制限についての欧州連合(EU)による指令(RoHS指令)が2006年7月1日に施行された。RoHS指令では、鉛、水銀、カドミウム、六価クロム、ポリ臭化ビフェニル、及び臭化ジフェニルエーテルの六物質が禁止物質として指定された。
上記のPbO‐B系低融点ガラス組成物は、RoHS指令の禁止物質に指定された鉛を多く含むために、ガラス複合材料やそのガラスペーストへの使用が難しくなった。そこで、鉛を含まない新規な低融点ガラス組成物の開発が進められるようになった。
特許文献1(特開2013‐32255号公報)には、成分を酸化物で表したときに10〜60質量%のAgOと、5〜65質量%のVと、15〜50質量%のTeOとを含有し、AgOとVとTeOとの合計含有率が75質量%以上100質量%未満であり、残部がP、BaO、KO、WO、Fe、MnO、Sb、及びZnOのうちの1種以上を0質量%超25質量%以下で含有する無鉛ガラス組成物が開示されている。このAgO‐V‐TeO系無鉛ガラス組成物は、示差熱分析(DTA)の第二吸熱ピーク温度から求められる軟化点が268〜320℃の温度範囲にあり、従来のPbO‐B系低融点ガラス組成物より低温で軟化流動する。また、良好な化学的安定性を有するとされている。封止構造体や電気電子部品へ適用される際には、その軟化点より30〜50℃程度高い温度で焼成されている。さらに、この特許文献には、そのAgO‐V‐TeO系無鉛ガラス組成物を含むガラス複合材料やそのガラスペースト、並びにこれらを利用した電気電子部品が提案されている。
特開2013−32255号公報
特許文献1に開示されたAgO‐V‐TeO系無鉛ガラス組成物は、従来のPbO‐B系低融点ガラス組成物より軟化点が著しく低い。しかし、加熱焼成時に結晶化する虞があることから更なる低温化は困難であった。また、セラミックス粒子や金属粒子を複合化することやペーストの形態で使用することによって、この結晶化は、さらに顕著に発生する。そのため、ガラス複合材料やそのガラスペーストへの展開、さらにはこれらを利用した封止構造体及び電気電子部品への適用を難しくしていた。
本発明は、AgO‐TeO‐V系無鉛ガラス組成物の結晶化傾向を低減し、鉛やカドニウムを含まない錫はんだと同等以下の使用温度、すなわち錫の融点(231.9℃)未満で軟化流動する無鉛ガラス組成物を提供することである。
上記目的を達成するため、本発明に係る無鉛ガラス組成物は、酸化銀、酸化テルル及び酸化バナジウムを含み、さらに追加成分として酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化セリウム、酸化エルビウム、酸化イットリビウム、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム及び酸化鉄のうちの少なくともいずれか1つを含み、酸化銀、酸化テルル、酸化バナジウムの含有量(モル%)が次に示す酸化物換算で、AgO>TeO≧V、かつAgO≦2Vの関係を有し、TeOの含有量は25モル%以上37モル%以下であり、前記追加成分の含有量は、酸化物換算で0.1モル%以上3.5モル%以下であることを特徴とする。
本発明によれば、結晶化が抑制され、かつ軟化点の低い無鉛ガラス組成物を提供できる。
ガラス特有の代表的な示差熱分析(DTA)カーブの一例である。 せん断応力を測定するための接合体の作製方法を示す概略図である。 本発明の一実施形態に係る無鉛ガラス組成物とAg粒子とを含むガラス複合材料で接合した接合体の接続抵抗と、ガラス複合材料中の無鉛ガラス組成物とAg粒子の含有割合との関係を示すグラフである。 本発明の一実施形態に係る無鉛ガラス組成物とCu粒子とを含む導電性材料で接合した接合体の接続抵抗と、ガラス複合材料中の無鉛ガラス組成物とCu粒子の含有割合との関係を示すグラフである。 本発明の一実施形態に係る無鉛ガラス組成物とAl粒子とを含む導電性材料で接合した接合体の接続抵抗と、ガラス複合材料中の無鉛ガラス組成物とAl粒子の含有割合との関係を示すグラフである。 本発明の一実施形態に係る無鉛ガラス組成物とSn粒子とを含む導電性材料で接合した接合体の接続抵抗と、ガラス複合材料中の無鉛ガラス組成物とSn粒子の含有割合との関係を示すグラフである。 形成した電極/配線における配線抵抗やピーリング試験の測定を行うための配線パターンを示す概略斜視図である。 本発明の一実施形態に係る無鉛ガラス組成物とAg粒子とを含むガラス複合材料で形成した電極/配線の配線抵抗と、ガラス複合材料中の無鉛ガラス組成物とAg粒子の含有割合との関係を示すグラフである。 本発明の一実施形態に係る真空断熱複層ガラスパネルの概略平面図である。 図9AのA−A断面図である。 図9Aの真空断熱複層ガラスパネルの作製方法の一部を示す概略平面図である。 図10AのA−A断面図である。 図9Aの真空断熱複層ガラスパネルの作製方法の一部を示す概略平面図である。 図11AのA−A断面図である。 図9Aの真空断熱複層ガラスパネルの作製方法の一部を示す概略断面図である。 図12に示す真空断熱複層ガラスパネルの作製工程における封止温度プロファイルである。 本発明の一実施形態に係る有機発光ダイオード(OLED)ディスプレイの平面概略図である。 図14AのA−A断面図である。 図14AのOLEDディスプレイの作製方法の一部を示す概略平面図である。 図15AのA−A断面図である。 図14AのOLEDディスプレイの作製方法の一部を示す概略平面図である。 図16AのA−A断面図である。 図14のOLEDディスプレイの作製方法の一部を示す概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る太陽電池セルの受光面を示す概略平面図である。 図18Aの太陽電池セルの受光面の裏面図である。 図18AのA−A断面図である。 本発明の一実施形態に係る水晶振動子パッケージの作製方法を示す概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る水晶振動子パッケージの作製方法を示す概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る水晶振動子パッケージの作製方法を示す概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る水晶振動子パッケージの作製方法を示す概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る水晶振動子パッケージの作製方法を示す概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る水晶振動子パッケージの作製方法を示す概略断面図である。 図19A〜19Fの方法で作製した水晶振動子パッケージを示す概略断面図である。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながらより詳細に説明する。ただし、本発明はここで取り上げた実施形態に限定されることはなく、要旨を変更しない範囲で適宜組み合わせや改良が可能である。
(ガラス組成物)
低融点ガラス組成物において、一般には転移点、屈伏点、軟化点等の特性温度が低いガラスほど、低温での軟化流動性が良くなる。一方でその特性温度を下げすぎると、結晶化傾向が大きくなり、加熱焼成時に結晶化しやすくなる。そのため、低温での軟化流動性が悪化してしまう。また、特性温度が低いガラスほど、耐湿性、耐酸性等の化学的安定性が劣る。さらに環境負荷への影響が大きくなる傾向がある。たとえば、従来のPbO‐B系低融点ガラス組成物では、有害なPbO含有量が多いほど、特性温度を低くできるが、結晶化傾向が大きく、しかも化学的安定性が低下し、さらに環境負荷への影響も大きくなる。
発明者らは、実質的に鉛を含まない低融点ガラス組成物でありながら、従来のPbO‐B系低融点ガラス組成物より低温で良好な軟化流動性を有し、しかも化学的安定性が良好なガラス組成について鋭意検討した。その結果、発明者らは、新規な低融点ガラス組成物において、上記の要求を同時に満たせることを見出し、本発明を完成した。
本発明に係る無鉛ガラス組成物は、酸化銀、酸化テルル及び酸化バナジウムを主成分とし、さらに追加成分として酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化セリウム、酸化エルビウム、酸化イットリビウム、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、酸化鉄、酸化タングステン及び酸化モリブデンの少なくともいずれかを含む。ここで、本明細書において「無鉛」とは、前述のRoHS指令(2006年7月1日施行)における禁止物質を指定値以下の範囲で含有することを容認するものとする。鉛(Pb)の場合には、1000ppm以下である。
また、本発明に係る無鉛ガラス組成物の主成分の含有量(モル%)は、次に示す酸化物換算で、AgO>TeO≧V、かつAgO≦2Vの関係を有し、TeOの含有量は25モル%以上37モル%以下である。
銀(Ag)、テルル(Te)及びバナジウム(V)の酸化物を主成分とする無鉛ガラス組成物に、追加成分としてイットリウム(Y)、ランタン(La)、セリウム(Ce)、エルビウム(Er)、イットリビウム(Yb)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、鉄(Fe)、タングステン(W)及びモリブデン(Mo)のいずれかの酸化物を一種以上含有させることによって、結晶化傾向を低減できる。さらに主成分である銀(Ag)、テルル(Te)及びバナジウム(V)の酸化物の含有量(モル%)をAgO>TeO≧V、かつAgO≦2Vの関係を有し、TeOの含有量が25モル%以上37モル%以下となるように調整することによって軟化点をより低温化できることを見出した。この組成範囲とすることによって、示差熱分析による第二吸熱ピーク温度(以下、軟化点という。)を200℃以下にまで低温化できる。その結果、鉛やカドニウムを含まない錫はんだと同等以下の使用温度、具体的には錫の融点(231.9℃)未満で良好な軟化流動性を有する無鉛ガラス組成物を提供できる。さらに、本発明の無鉛ガラス組成物は、軟化点を低温化したにも関わらず、耐湿性、耐酸性等の化学的安定性が高く、しかもRoHS指令に対応した無鉛ガラス組成物であった。
上記無鉛ガラス組成物において、主成分であるAgO、TeO及びVの働きについて次に説明する。AgO、TeO及びVからなるガラス構造は、VとTeOとからなる層状構造を有し、その層間にAgOがAgイオンの形態で存在しているものと考えられる。AgOは、転移点、屈伏点、軟化点等の特性温度の低温化と化学的安定性の向上のために含有する。特性温度の低温化は、VとTeOとからなる層状構造の層間にAgイオンが入り、その層間力が弱まるためと考えられる。また、化学的安定性の向上は、その層間にAgイオンが入り、水分子等の浸入が阻止されるためと考えられる。Vは、ガラス作製時にAgOが還元され、金属Agが析出しないようにするために含有させる。ガラス成分としてのAgOは、ガラス構造中の層間にAgイオンの状態で存在しないと、所望の低温化の効果が得られない。AgOの含有量を多くすると、すなわちガラス構造中の層間のAgイオン量を多くすると、低温化を図れるが、その際には金属Agの析出を防止するためにVの含有量も増やす必要がある。ガラス作製時に5価のバナジウムイオン(V5+イオン)1つに対してAgイオンを2つまでガラス構造中の層間に含有できる。TeOは、ガラス作製時にガラス化させるためのガラス化成分である。そのためTeOを含有しないと、ガラスを形成することができない。また、TeOの含有量が少ないと、結晶化傾向を低減することが難しい。一方、その含有量が多いと、結晶化傾向を低減できるが、特性温度を低温化することが難しい。結晶化傾向の低減と特性温度の低温化の両方に配慮すると、4価のテルルイオン(Te4+イオン)1つに対してV5+イオンを1つから2つまでを含有することが好ましく、具体的なTeOの含有量として25モル%以上37モル%以下が有効である。
さらに、AgOの含有量が40モル%以上50モル%未満及びVの含有量が20モル%以上30モル%未満であることが好ましい。
前述したように、AgO、TeO及びVを主成分とする無鉛ガラス組成物において、結晶化傾向を低減のために、追加成分としてイットリウム(Y)、ランタン(La)、セリウム(Ce)、エルビウム(Er)、イットリビウム(Yb)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、鉄(Fe)、タングステン(W)及びモリブデン(Mo)のいずれかの酸化物を一種以上含有することが有効である。その含有量は、酸化物換算で0.1モル%以上3.5モル%以下であることが好ましい。追加成分の含有量は0.1モル%以上とすることにより、結晶化傾向の低減効果を充分に得ることができる。また、追加成分の含有量を3.5モル%以下とすることにより、特性温度の上昇及び結晶化を抑制できる。
追加成分としては、イットリウム(Y)、ランタン(La)及びアルミニウム(Al)のいずれかの酸化物であることが好ましい。Y、La及びAlのうちいずれかを含有することにより、顕著に結晶化傾向を低減できる。追加成分として酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化アルミニウムのいずれかを用いた場合は、ガラス作製時に主成分であるAgOが還元され金属Agが析出することを抑制するために、その含有量(モル%)は、次に示す酸化物換算で、AgO+Ln≦2V(Ln:Y、La、Al)の関係を満たすが好ましい。ガラス作製時に金属Agが析出するのは、主成分のAgOよりも追加成分のY、La及びAlの方がガラスの層状構造の層間に優先的に取り込まれ、入り込めなかったAgOが金属Agとして析出してしまうためである。また、上記追加成分の含有量は、0.3モル%以上1.5モル%以下が特に好ましい。
さらに、上記無鉛ガラス組成物は、軟化点を低温化したにも関わらず、耐湿性、耐酸性等の化学的安定性が高く、しかもRoHS指令に対応する。
また、無鉛ガラス組成物とセラミックス粒子、金属粒子或いは樹脂と、を含むガラス複合材料やそのガラス複合材料をペースト化したガラスペーストを封止構造体、電気電子部品及び塗装部品へ展開するには、結晶化傾向が小さく、軟化点がより低いガラス組成物を用いることが好ましい。すなわち結晶化傾向が小さく、軟化点がより低いガラス組成物を用いることにより、ガラス複合材料又はガラスペーストの低温での軟化流動性が良くなる。しかし、従来の低融点ガラス組成物では、軟化点の低温化は、結晶化開始温度の低温化を伴う場合が多い。
ここで、特性温度について説明する。示差熱分析(DTA)により特性温度を測定した。図1は、ガラス特有の代表的なDTAカーブの一例である。一般的にガラスのDTAは、粒径が数十μm程度のガラス粒子を用い、さらに標準試料として高純度のアルミナ(α‐Al)粒子を用いて、大気中5℃/分の昇温速度で測定される。図1に示したように、第一吸熱ピークの開始温度が転移点T、その吸熱ピーク温度が屈伏点M、第二吸熱ピーク温度が軟化点T、及び結晶化による発熱ピークの開始温度が結晶化開始温度Tcryである。なお、それぞれの特性温度は、接線法によって求められることが一般的である。T、M及びTの特性温度は、ガラスの粘度によって定義され、Tは1013.3poise、Mは1011.0poise、Tは107.65poiseに相当する温度である。結晶化傾向は、Tcryと、結晶化による発熱ピークのサイズ、すなわちその発熱量から判定され、Tcryの高温化、すなわちTとTcryとの温度差増加と、結晶化発熱量の減少が結晶化しにくいガラスと言える。
従来の低融点ガラス組成物を用いて、各種部品の封止や接着及び電極/配線や導電性/放熱性接合部の形成を行うときの焼成温度は、含有するセラミックス粒子や金属粒子の種類、含有量及び粒径、また昇温速度、雰囲気、圧力等の焼成条件等にも影響されるが、通常では軟化点Tより30〜50℃程度高く設定されることが多い。この焼成温度で、低融点ガラス組成物は、結晶化することなく、良好な軟化流動性を有する。しかし、本発明に係る無鉛ガラス組成物は、従来より転移点T、屈伏点M及び軟化点Tの特性温度が著しく低く、しかもそれぞれの温度差が小さく、すなわち粘度勾配が大きいことから、軟化点T付近の焼成温度であっても保持すれば良好な軟化流動性が得られる。また、その保持時間が短くても、せいぜいそのTより20℃程度高い温度であれば十分な軟化流動性を有する。本発明に係る無鉛ガラス組成物の軟化点Tは、200℃以下と低いため、鉛やカドニウムを含まない錫はんだと同等以下の使用温度、具体的には錫の融点(231.9℃)未満、好ましくは200℃以下で焼成可能である。
(ガラス複合材料及びガラスペースト)
ガラス複合材料は、本発明に係る無鉛ガラス組成物と、セラミックス粒子、金属粒子及び樹脂のうちいずれか一種以上と、を含む。
以下、セラミックス粒子、金属粒子、樹脂を含むガラス複合材料についてそれぞれ説明する。
セラミックス粒子を含むガラス複合材料は、無鉛ガラス組成物を40体積%以上100体積%未満、セラミックス粒子を0体積%超60体積%以下含むことが好ましい。無鉛ガラス組成物を40体積%以上、又はセラミックス粒子を60体積%以下とすることにより、良好な軟化流動性が得られる。結晶化抑制の観点から、セラミックス粒子としては、リン酸タングステン酸ジルコニウム(Zr(WO)(PO)、石英ガラス(SiO)、ケイ酸ジルコニウム(ZrSiO)、アルミナ(Al)、ムライト(3Al・2SiO)、及び酸化ニオブ(Nb)の少なくともいずれかであることが好ましい。特に、ガラス複合材料を低熱膨張化するのに有効なセラミックス粒子は、リン酸タングステン酸ジルコニウム(Zr(WO)(PO)、又はリン酸タングステン酸ジルコニウム(Zr(WO)(PO)を主体とする化合物であり、その好ましい含有量は30体積%以上50体積%以下である。
金属粒子を含むガラス複合材料は、無鉛ガラス組成物を5体積%以上100体積%未満、金属粒子を0体積%超95体積%以下含むことが好ましい。無鉛ガラス組成物を5体積%以上、或いは金属粒子を95体積%以下とすることにより、金属粒子間の焼結や基材への接着性が向上する。導電性や放熱性向上の観点から、金属粒子しては、金(Au)、銀(Ag)、銀合金、銅(Cu)、銅合金、アルミニウム(Al)、アルミニウム合金、スズ(Sn)、及びスズ合金の少なくともいずれかが好ましい。特にガラス複合材料の導電性や放熱性を向上するのに有効な金属粒子は、銀(Ag)或いはアルミニウム(Al)であり、その好ましい含有量は10体積%以上90体積%未満である。本発明の一実施形態に係る無鉛ガラス組成物は、銀(Ag)粒子の焼結を促進でき、またアルミニウム(Al)粒子の表面酸化膜を除去できるためである。
樹脂を含むガラス複合材料は、無鉛ガラス組成物を5体積%以上100体積%未満及び樹脂を0体積%超〜95体積%以下含むものである。無鉛ガラス組成物を5体積%以上、或いは樹脂を95体積%以下とすることにより、無鉛ガラス組成と樹脂とを効果的に複合化できる。樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂及びフッ素樹脂の少なくともいずれかであることが好ましい。これらの樹脂を用いることにより、無鉛ガラス組成物の樹脂中で軟化流動性が良好となる。
ガラスペーストは、無鉛ガラス組成物を含むガラス複合材料と、溶剤と、を含むものである。溶剤としては、α‐テルピネオール又はブチルカルビトールを用いることが好ましい。これらの溶剤は、無鉛ガラス組成物にとって結晶化しにくい溶剤であるためである。また、必要に応じて粘度調整剤や湿潤剤等を添加し、ガラスペーストの安定性や塗布性を調整することができる。
セラミックス粒子を含むガラス複合材料やそのガラスペーストを用いて、封止構造体における封止や接着を行う場合、被封止物の封止箇所や被接着物の接着箇所にガラス複合材料やガラスペーストを配置や塗布し、含有される無鉛ガラス組成物の軟化点T付近からそのTより20℃程度高い温度範囲で焼成することが好ましい。ガラス複合材料やガラスペーストは、結晶化傾向が低減され、軟化点が低温化した無鉛ガラス組成物を用いているため、低温での軟化流動性を向上し、焼成温度を低温化することができる。これによって、環境負荷への影響を低減した上で、封止構造体の熱的ダメージ低減(高機能化)や生産性向上(タクト低減)を図ることができる。また、本発明の一実施形態に係る無鉛ガラス組成物は、化学的安定性も良好なので、封止構造体の信頼性も確保できる。
また、金属粒子を含むガラス複合材料やそのガラスペーストを用いて、電気電子部品における電極/配線や導電性/接合部を形成する場合、基材等の所定の箇所にガラス複合材料やガラスペーストを配置や塗布し、含有される無鉛ガラス組成物の軟化点T付近からそのTより20℃程度高い温度範囲で焼成することが好ましい。なお、使用する金属粒子が酸化しやすい金属の場合は、金属粒子の酸化を防止するため、焼成雰囲気を不活性ガスや真空にすることが望ましい。ガラス複合材料やガラスペーストは、結晶化傾向が低減され、軟化点が低温化した無鉛ガラス組成物を用いているため、低温での軟化流動性を向上し、焼成温度を低温化することができる。その結果、電極/配線や導電性/放熱性接合部の形成温度、すなわち焼成温度を低温化することができる。これによって、環境負荷への影響を低減した上で、電気電子部品の熱的ダメージ低減(高機能化)や生産性向上(タクト低減)を図ることができる。また、本発明の一実施形態に係る無鉛ガラス組成物は、化学的安定性も良好なので、電気電子部品の信頼性も確保できる。
また、樹脂を含むガラス複合材料やガラスペーストを用いて、塗装部品における塗膜を形成する場合、基材としては金属、セラミックス或いはガラスが有効である。その基材の所定の箇所にガラス複合材料やガラスペーストを配置や塗布し、含有される無鉛ガラス組成物の軟化点T付近からそのTより20℃程度高い温度範囲で焼成する。ガラス複合材料やガラスペーストは、結晶化傾向が低減され、軟化点が低温化した無鉛ガラス組成物を用いることにより、低温での軟化流動性を向上し、焼成温度を低温化することができる。これによって、環境負荷への影響を低減した上で、塗装部品の塗膜密着性、耐熱性、化学的安定性等の信頼性を向上することができる。
(封止構造体)
本発明の一実施形態に係るガラス複合材料やガラスペーストは、窓ガラス等に適用されている真空断熱複層ガラスパネル、プラズマディスプレイパネル、有機ELディスプレイパネル、蛍光表示管等のディスプレイパネル、及び水晶振動子、ICパッケージ、MEMS等のパッケージデバイス等の封止に好適に用いられる。ガラス複合材料やガラスペーストを用いた封止構造体は、内部空間と、ガラス複合材料からなり、内部空間と外部との境界の少なくとも一部を隔てる封止部と、を備える。封止部を形成するガラス複合材料に含まれる無鉛ガラス組成物の含有量が50体積%以上であることが好ましく、さらにガラス複合材料には、セラミックス粒子が含まれることが有効である。
(電気電子部品)
本発明の一実施形態に係るガラス複合材料やガラスペーストは、太陽電池セル、画像表示デバイス、積層コンデンサー、インダクター、水晶振動子、樹脂配線基板、発光ダイオード(LED)、多層回路基板、半導体モジュール等の電気電子部品の電極、配線、導電性接合部及び放熱性接合部の形成に好適に用いられる。ガラス複合材料やガラスペーストで形成された電気電子部品は、ガラス複合材料からなる電極、配線、導電性接合部又は放熱性接合部を備えることを特徴とする。電極、配線、導電性接合部或いは放熱性接合部を形成するガラス複合材料に含まれる金属粒子の含有量が50体積%以上であることが好ましい。
(塗装部品)
本発明の一実施形態に係るガラス複合材料やガラスペーストを塗料として用いることもできる。ガラス複合材料やガラスペーストで形成された塗装部品は、部材と、部材に形成された塗膜と、を備える。部材は金属、セラミックス、又はガラスの基材であり、塗膜は、本発明に係るガラス複合材料を含む。
塗膜を形成するガラス複合材料には、樹脂が含まれ、その樹脂の含有量が50体積%以上であることが有効である。塗装部品として、好適な事例としては、電線、車体、機体、洗濯機槽、便器、浴槽タイル等が挙げられる。
以下、具体的な実施例に基づいてより詳細に説明する。ただし、本発明は、ここで取り上げた実施例に限定されることはなく、そのバリエーションを含むものである。
[実施例1]
本実施例では、銀(Ag)、テルル(Te)及びバナジウム(V)の酸化物を主成分とし、さらに追加成分としてイットリウム(Y)、ランタン(La)、セリウム(Ce)、エルビウム(Er)、イットリビウム(Yb)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、鉄(Fe)、タングステン(W)及びモリブデン(Mo)のいずれかの酸化物を一種以上含有する無鉛ガラス組成物を作製し、ガラス組成がガラス特性に与える影響について検討した。なお、ガラス特性としては、作製した無鉛ガラス組成物のガラス化状態、特性温度、軟化流動性及び化学的安定性を評価した。
(無鉛ガラス組成物の作製)
後述する表1に示す無鉛ガラス組成物A−01〜A−41(実施例)及び表2に示す無鉛ガラス組成物B−01〜B−48(比較例)を作製した。表1と表2に示した組成は、ガラス作製時の配合組成である。主成分の出発原料としては、新興化学製V、高純度化学研究所製TeO及び和光純薬製AgOの粉末を用いた。また、追加成分の出発原料としては、すべてが高純度化学研究所製のY、La、CeO、Er、Yb、Al、Ga、In、Fe、WO、MoO、BaCO及びPの粉末を用いた。
各出発原料粉末を合計で200g程度になるように秤量、配合、混合し、石英ガラスるつぼに投入した。原料混合粉末を投入した石英ガラスるつぼをガラス溶融炉内に設置し、約10℃/分の昇温速度で700〜750℃まで加熱し、石英ガラスるつぼ内の融液の組成均一化を図るためにアルミナ棒で撹拌しながら1時間保持した。その後、石英ガラスるつぼをガラス溶融炉から取り出し、予め100℃前後に加熱しておいたステンレス鋳型へ融液を流し込み、実施例の無鉛ガラス組成物A−01〜A−41と比較例の無鉛ガラス組成物B−01〜B−48をそれぞれ作製した。次に、作製した無鉛ガラス組成物を45μmアンダーにまで粉砕した。
(ガラス化状態の評価)
作製した無鉛ガラス組成物A−01〜A−41とB−01〜B−48のガラス化状態は、そのガラス粉末を用い、X線回折によって結晶が析出しているどうかによって評価した。結晶の析出が認められない場合には、ガラス化状態が良好と見なし「合格」と評価した。一方、結晶の析出が認められた場合には、ガラス化状態が均一な非晶質状態になっておらず、「不合格」と評価した。
(特性温度の評価)
作製した無鉛ガラス組成物A−01〜A−41とB−01〜B−48の特性温度は、そのガラス粉末を用い、示差熱分析(DTA)によって評価した。DTAには、マクロセルタイプを使用した。マクロセルに約500mgのガラス粉末を入れ、大気中5℃/分の昇温速度で室温から300℃まで加熱し、図1で示したようなDTAカーブを得た。得られたDTAカーブより転移点T、屈伏点M及び軟化点Tを測定した。ただし、特性温度を評価するに当たっては、ガラス化状態が「不合格」の無鉛ガラス組成物に関しては、DTAを実施しなかった。
(軟化流動性の評価)
作製した無鉛ガラス組成物A−01〜A−41とB−01〜B−48の軟化流動性は、そのガラス粉末を用いて作製した圧粉成形体のボタンフロー試験にて評価した。その圧粉成形体は、金型とハンドプレスを用い、1トン/cmの条件で直径10mm、高さ5mm程度の円柱形状となるように成形した。アルミナセラミックス基板上に設置した圧粉成形体を電気炉内へ導入し、大気中10℃/分の昇温速度で室温から180℃、190℃、200℃、210℃及び220℃までそれぞれ加熱し、30分間保持した後に炉冷し、それぞれの加熱温度における軟化流動性や結晶化状態を評価した。圧粉成形体が軟化流動せずに、形状をほぼ維持している場合には「×」、圧粉成形体を構成するガラス粉末が軟化、焼結、収縮し、丸みをおびてきている場合には「軟化」、融けている場合には「流動」と判定した。また、結晶化してしまった場合には「結晶化」と記載した。結晶化は、軟化流動性を阻害するものであり、好ましくはない。軟化流動性を評価するに当たっては、ガラス化状態が「不合格」の無鉛ガラス組成物に関しては、上記ボタンフロー試験を実施しなかった。
(化学的安定性の評価)
作製した無鉛ガラス組成物A−01〜A−41とB−01〜B−48の化学的安定性は、耐湿性試験と耐酸性試験で評価した。ガラス試験片には、粉砕前の10〜20mm程度のカレットを使用した。耐湿性試験は、そのカレットを温度80℃、湿度90%の条件で10日間放置した。また、耐酸性試験は、そのカレットを室温で1規定硝酸水溶液に3日間浸漬した。両試験後のカレット外観を目視で観察して、その外観に変化が見られなかった場合には「合格」とし、一方変化が見られた場合には「不合格」とした。なお、転移点Tが313℃、屈伏点Mが332℃及び軟化点Tが386℃である従来の有鉛低融点ガラス組成物(84PbO−13B−2SiO−1Al質量%)を同様な耐湿性試験と耐酸性試験を実施したところ、どちらの試験とも「不合格」であった。化学的安定性を評価するに当たっては、ガラス化状態が「不合格」の無鉛ガラス組成物に関しては、上記の耐湿性試験と耐酸性試験を実施しなかった。
表1に実施例の無鉛ガラス組成物A−01〜A−41及び表2に比較例の無鉛ガラス組成物B−01〜B−48のガラス化状態、特性温度、軟化流動性及び化学的安定性を評価した結果を示す。表1及び表2中、主成分及び副成分の値の単位は、モル%である。
Figure 0006681413
Figure 0006681413
比較例であるB−01〜B−03及びB−06のガラス化状態は、金属Ag等が析出しており「不合格」であった。B−01〜B−03及びB−06以外のガラス組成物(実施例A−01〜A−41と、比較例B−4、B−5及びB−7〜B−48)は、ガラス化状態が良好で「合格」であった。また、これらの実施例と比較例の無鉛ガラス組成物は、耐湿性、耐酸性ともに「合格」で優れた化学的安定性を有することが分かった。しかし、無鉛ガラス組成物B−4、B−5及びB−7〜B−48は、軟化点Tが200℃超と高かった。また、B−04は結晶化しやすいガラス組成物であった。したがって、B−4、B−5及びB−7〜B−48は、180〜220℃の温度範囲における軟化流動性では、「流動」にまで至らず、せいぜい「軟化」留まりであった。また、これら比較例の無鉛ガラス組成物では、200℃以下で「軟化」するものは一つもなかった。
一方、実施例の無鉛ガラス組成物A−01〜A−41のすべては、軟化点Tが200℃以下と低く、220℃以下で良好な軟化流動性が得られた。実施例A−01では、180〜200℃の軟化流動性は「流動」であったが、それより高い210℃と220℃では、「流動」を阻害する結晶化による表面失透が認められた。これは、追加成分のLaの含有量が少なかったためと考えられる。それ以外の実施例A−02〜A−41では、このような表面失透は認められず、光沢のある表面を有し、210℃と220℃における結晶化傾向が防止或いは抑制されていた。さらに、実施例A−02〜A−41では、210℃と220℃の軟化流動性は「流動」であり、良好な評価結果となった。また、実施例A−01〜A−41のすべては、200℃の軟化流動性が「流動」、その中でもA−01〜A−25、A−32〜A−34、A−40及びA−41は、190℃の軟化流動性も「流動」、さらにA−01〜A−20及び−23〜A−25は、180℃の軟化流動性も「流動」であり、200℃以下でも優れた軟化流動性を有することが分かった。これにより、鉛やカドニウムを含まない錫はんだと同等以下の使用温度、具体的には錫の融点(231.9℃)未満、好ましくは200℃以下で良好な軟化流動性を有することを実現した。さらに、上記錫はんだとは異なり、焼成雰囲気を限定されず、いろいろな雰囲気で加熱可能であり、またセラミックス、ガラス、金属、半導体、耐熱性樹脂等のいろいろな物質に接着可能である。
以上より、有効なガラス組成は、主成分としてAgO、TeO及びVを含有し、さらに追加成分としてY、La、CeO、Er、Yb、Al、Ga、In、Fe、WO及びMoOのうち少なくともいずれかを少量含有し、主成分の含有量がモル%で、AgO>TeO≧V5かつAgO≦2V、TeOの含有量が25モル%以上37モル%以下であることがわかった。さらに好ましくは、AgOの含有量が40モル%以上50モル%未満及びVの含有量が20モル%以上30モル%未満であった。また、追加成分の含有量は、上記の酸化物換算で0.1モル%以上3.5モル%以下であった。さらに上記追加成分としては、Y、La及びAlのうち一種以上が好ましく、モル%でAgO+Ln≦2V5(Ln:Y、La、Al)であることが有効であった。また、特に好ましい追加成分の含有量は、上記の酸化物換算で0.3モル%以上1.5モル%以下であった。
上述した有効な組成範囲の無鉛ガラス組成物は、示差熱分析による第二吸熱ピーク温度である軟化点Tが200℃以下であった。
以下の実施例では、本発明の一実施形態に係る無鉛ガラス組成物を含有した上記ガラス複合材料、ガラスペースト、封止構造体、電気電子部品及び塗装部品について、それぞれ具体的に説明する。
[実施例2]
実施例2では、無鉛ガラス組成物とセラミックス粒子とを含むガラス複合材料を用いて、同種の金属基材同士、ガラス基材同士、及びセラミックス基材基同士を接合し、その接合状態をせん断応力で評価した。無鉛ガラス組成物としては、表1で示したA−05とA−22の2種類、セラミックス粒子としては、表3に示す7種類(CF−01〜CF−07)を用いた。なお、表3には、これらのセラミックス粒子の密度及び熱膨張係数も示した。これらに対して、表1で示した無鉛ガラス組成物の密度は6g/cm前後、熱膨張係数はおおよそ180×10−7〜200×10−7/℃の範囲にあった。また、金属基材にはアルミニウム(Al)、銀(Ag)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)及び鉄(Fe)、ガラス基材にはソーダライムガラス、セラミックス基板にはアルミナ(Al)を用いた。評価試料は、先ずは無鉛ガラス組成物の粒子と、セラミックス粒子と、溶剤を含むガラスペーストを作製し、それを各基材へ塗布、乾燥、仮焼成後に同基材を合わせ加熱することによって接合した。
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(ガラスペーストの作製)
無鉛ガラス組成物の粒子と、セラミックス粒子と、溶剤とを配合、混合してガラスペーストを作製した。無鉛ガラス組成物の粒子には、粒径が約10μmのA−05とA−22、セラミックス粒子には粒径が10〜30μm程度のリン酸タングステン酸ジルコニウム(CF−01)、タングステン酸鉄を微量に含むリン酸タングステン酸ジルコニウム(CF−02)、石英ガラス(CF−03)、ケイ酸ジルコニウム(CF−04)、アルミナ(CF−05)、ムライト(CF−06)及び酸化ニオブ(CF−07)を用いた。不活性ガス中や真空中で加熱焼成する場合には、溶剤としてα‐テルピネオールを使用し、粘度調整剤としてイソボニルシクロヘキサノールを添加した。また、大気中で焼成する場合には、溶剤としてブチルカルビトールアセテート、樹脂バインダーとしてエチルセルロースを用いた。無鉛ガラス組成物の粒子とセラミックス粒子の配合割合は、体積%で100:0、90:10、80:20、70:30、60:40、50:50、40:60及び30:70の8種類として、それぞれのガラスペーストを作製した。また、ガラスペースト中の固形分(無鉛ガラス組成物の粒子とセラミックス粒子の合計)の含有率は75〜80質量%程度とした。
(評価試料の作製)
図2に評価試料の作製方法を示す。先ずは、接合面2を有する直径5mm、厚み2mmの円柱状基材1を用意した(a)。次に、円柱状基材1の接合面2にガラスペースト3をディスペンサー法にて塗布した(b)。
その後、大気中150℃で30分間乾燥した。これを電気炉へ投入し、不活性ガス中(窒素中)或いは大気中において10℃/分の昇温速度で200℃まで加熱し15分間保持することによって、ガラス複合材料4を円柱状基材1の接合面2に形成した(c)。
これを厚みが1〜3mmの同種の板状基材5に設置し、耐熱用クリップで挟み、不活性ガス中(窒素中)或いは大気中において10℃/分の昇温速度で190℃まで加熱し30分間保持することによって接合体を作製した(d)。
この接合体で、せん断応力を測定した。なお、基材として銅(Cu)と鉄(Fe)を使用する場合には、加熱雰囲気を不活性ガス中(窒素中)とし、それ以外には大気中とした。また、基材の熱膨張係数に配慮してガラスペースト中の無鉛ガラス組成物の粒子とセラミックス粒子の配合割合、及びセラミックス粒子の種類を選定した。使用した基材の熱膨張係数は、アルミニウム(Al)が224××10−7/℃、銀(Ag)が197×10−7/℃、銅(Cu)が164×10−7/℃、ニッケル(Ni)が133×10−7/℃、鉄(Fe)が127×10−7/℃、ソーダライムガラスが88×10−7/℃、アルミナ(Al)が81×10−7/℃であった。
(接合状態の評価)
それぞれのガラスペーストを用いて作製した接合体のせん断応力を評価した。せん断応力の評価は、30MPa以上のときには「優秀」、20〜30MPaのときには「良好」、10〜20MPaのときには「通常」、10MPa未満のときには「不合格」と判定した。
各基材における接合体のせん断応力評価結果を表4〜10に示す。表4はアルミニウム(Al)基材同士の接合体、表5は銀(Ag)基材同士の接合体、表6は銅(Cu)同士の接合体、表7はニッケル(Ni)基材同士の接合体、表8は鉄(Fe)同士の接合体、表9はソーダライムガラス基材同士の接合体、及び表10はアルミナ(Al)同士の接合体の評価結果である。
Figure 0006681413
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アルミニウム(Al)基材同士の接合体では、表4に示すとおりセラミックス粒子として表3のCF−04〜CF−05を用い、その含有量(配合量)を0〜20体積%(0体積%以上20体積%以下)、無鉛ガラス組成物A−05とA−22としては80〜100体積%の範囲で検討した。すべての条件において優秀な結果が得られ、A−05と−22のどちらを使った場合でもアルミニウム(Al)への接着力や密着力が非常に高いことが分かった。表5の銀(Ag)基材同士の接合体においても、アルミニウム(Al)と同様に優秀な結果が得られ、銀(Ag)への接着力や密着力も非常に高いことが分かった。
銅(Cu)基材同士の接合体では、表6に示すとおりセラミックス粒子として表3のCF−04、CF−05及びCF−06を用い、その含有量(配合量)を20〜40体積%、無鉛ガラス組成物A−05とA−22としては60〜80体積%の範囲で検討した。すべての条件において良好以上の結果が得られ、A−05とA−22のどちらを使った場合でも同様な結果であった。CF−04或いはCF−06との組み合わせでそれらの含有量(配合量)が増加すると、銅(Cu)への接着力や密着力は向上した。これは、銅(Cu)との熱膨張係数の整合がとれてくるためである。一方、CF−07では、その逆になった。これは、CF−07の熱膨張係数がCF−04や−06に比べて非常に低いためである。
ニッケル(Ni)基材同士の接合体では、表7に示すとおりセラミックス粒子として表3のCF−03、CF−06及びCF−07を用い、その含有量(配合量)を30〜50体積%、無鉛ガラス組成物A−05とA−22としては50〜70体積%の範囲で検討した。すべての条件において良好以上の結果が得られ、A−05とA−22のどちらを使った場合でも同様な結果であった。CF−03では、その含有量(配合量)が40体積%のとき最もせん断応力が大きく、ニッケル(Ni)基材への接着力や密着力が非常に高いことが分かった。CF−06とCF−07では、その含有量(配合量)の増加とともにせん断応力が大きくなり、ニッケル(Ni)基材への接着力や密着力が向上することが分った。これらの結果は、ニッケル(Ni)との熱膨張係数の整合によるものである。
鉄(Fe)基材同士の接合体では、表8に示すとおりセラミックス粒子として表3のCF−01〜CF−03を用い、その含有量(配合量)を30〜50体積%、無鉛ガラス組成物A−05とA−22としては50〜70体積%の範囲で検討した。すべての条件において良好以上の結果が得られ、A−05とA−22のどちらを使った場合でも同様な結果であった。CF−01とCF−02では、その含有量(配合量)によらず大きなせん断応力が得られ、鉄(Fe)への接着力や密着力が非常に高いことが分った。これは、CF−01とCF−02の熱膨張係数が表3の中で最も小さい部類であり、しかもA−05とA−22とのぬれ性や密着性等が良好であることから、ガラス複合材料しての熱膨張係数を効率的に大きく低減でき、容易に鉄(Fe)基板との熱膨張係数に合わせることができたことが原因であるものと考えられる。CF−03では、これらほどの効果はなく、その含有量(配合量)の増加とともにせん断応力が大きくなり、鉄(Fe)基材への接着力や密着力が向上することが分った。これも、鉄(Fe)との熱膨張係数の整合によるものである。
ソーダライムガラス基材同士の接合体では、表9に示すとおり低熱膨張セラミックス粒子として表3のCF−01とCF−02を用い、その含有量(配合量)を40〜70体積%、無鉛ガラス組成物A−05とA−22としては30〜60体積%の範囲で検討した。せん断応力には、CF−01とCF−02、及びA−05とA−22の違いはほとんど認められなかった。CF−01とCF−02の含有量(配合量)が40〜60体積%、A−05とA−22の含有量(配合量)が40〜60体積%の範囲では、すべての条件において良好以上の結果が得られ、40〜50体積%のとき最もせん断応力が大きく、ソーダライムガラス基材への接着力や密着力が非常に高いことが分かった。CF−01とCF−02の含有量(配合量)が60体積%以上ではせん断応力が減少し、70体積%のときに不合格となった。これは、A−05とA−22の含有量(配合量)がCF−01とCF−02の含有量(配合量)に対して少な過ぎると、ガラス複合材料としての軟化流動性が不十分となり、ソーダライムガラス基材への接着性や密着性が劣化し、良好なせん断応力が得られなかったためである。アルミナ(Al)基材同士の接合体においても、表10に示すとおりソーダライムガラス基材同士の接合体と同様なせん断応力評価結果が得られた。これは、アルミナ(Al)とソーダライムガラスの熱膨張係数が類似しているためである。このことより、ガラス複合材料では、本発明の無鉛ガラス組成物の含有量(配合量)は40体積%以上、セラミックス粒子の含有量(配合量)は60体積%以下にすることが重要であった。また、上記のソーダライムガラス基材同士及びアルミナ(Al)基材同士の接合検討では、ガラスペーストとして、溶剤にブチルカルビトールアセテート、樹脂バインダーにエチルセルロースを用いたが、これらに換えて粘度調整剤としてイソボニルシクロヘキサノールを添加したα‐テルピネオールを使用し、同様にして大気中での加熱によってそれぞれの接合体を作製した。作製した接合体を同様にせん断応力の評価を実施した結果、せん断応力が向上する傾向が認められた。これは、接合部におけるガラス複合材料中の残留気泡が少なくなったためであり、不活性ガス中に限らず、大気中においても、溶剤としてはα‐テルピネオールが有効であった。
以上より、無鉛ガラス組成物を40〜100体積%、セラミックス粒子を0〜60体積%含むガラス複合材料を用いることにより、各種基材を気密に低温封止や低温接着できることが分かった。本実施例では、無鉛ガラスとしてA−05とA−22を代表して説明したが、A−01〜A−41の無鉛ガラス組成物に関しても同等の性能を発現できる。ガラス複合材料やそのガラスペーストにセラミックス粒子を含有する場合には、リン酸タングステン酸ジルコニウム(Zr(WO)(PO)、石英ガラス(SiO)、ケイ酸ジルコニウム(ZrSiO)、アルミナ(Al)、ムライト(3Al・2SiO)、及び酸化ニオブ(Nb)について説明したが、これらに限定されるものではない。
[実施例3]
実施例3では、無鉛ガラス組成物と金属粒子とを含むガラス複合材料を用いて、同種及び異種の金属基材同士を接合し、その接合状態を金属基材間の電気抵抗(接続抵抗)で評価した。無鉛ガラス組成物としては、表1で示したA−18、金属粒子としては、銀(Ag)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)及び錫(Sn)の3種類を用いた。また、金属基材にはアルミニウム(Al)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)及び鉄(Fe)を用いた。無鉛ガラス組成物の粒子と、金属粒子と、溶剤を含むガラスペーストを作製し、それをアルミニウム(Al)基材へ塗布、乾燥、仮焼成後に同種及び異種の金属基材を合わせ、抵抗溶接することによって接合したものを評価試料とした。
(ガラスペーストの作製)
無鉛ガラス組成物の粒子と、金属粒子と、溶剤とを配合、混合してガラスペーストを作製した。無鉛ガラス組成物の粒子には、粒径が約3μmのA−18、金属粒子には平均粒径が約2μmの球状銀(Ag)粒子、約15μmの球状銅(Cu)粒子、約3μmの球状アルミニウム(Al)粒子及び約30μm程度の錫(Sn)粒子を用いた。また、溶剤としては、α‐テルピネオールを使用し、粘度調整剤としてイソボニルシクロヘキサノールを添加した。無鉛ガラス組成物の粒子と金属粒子の配合割合は、体積%で100:0、80:20、60:40、40:60、30:70、20:80及び10:90の7種類として、それぞれのガラスペーストを作製した。また、ガラスペースト中の固形分(無鉛ガラス組成物の粒子と金属粒子の合計)の含有率は75〜80質量%とした。
(評価試料の作製)
金属基材間の接続抵抗を測定する評価試料及びその作製方法は、実施例2と同様な評価試料とその作製方法を適用した。すなわち、本実施例では、図2に示した評価試料とその作製方法に準じた。
先ずは、接合面2’を有する直径5mm、厚み2mmのアルミニウム(Al)製の円柱状基材1’を用意した(a)。
次に、この円柱状金属基材1’の接合面2’にガラスペースト3’をディスペンサー法にて塗布した(b)。
その後、大気中150℃で乾燥した。これを電気炉へ投入し、大気中10℃/分の昇温速度で200℃まで加熱し15分間保持することによって、ガラス複合材料4’をアルミニウム(Al)製の円柱状金属基材1’の接合面2’に形成した(c)。これを厚みが約1mmのアルミニウム(Al)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)及び鉄(Fe)製の板状金属基材5’に設置し、抵抗溶接機において荷重100〜150N、印加電流5kA、印加時間100〜200msecの条件によってAlとAl、AlとCu、AlとNi及びAlとFeの接合体を作製した(d)。
これらの接合体で、金属基材間の接続抵抗を測定した。
(接合状態の評価)
作製した各接合体において、四端子法によって金属基材間の接続抵抗(電気抵抗)を測定した。また、比較のため、無鉛錫はんだを用いて不活性ガス中(アルゴン中)250℃−10分で接合してみた。このはんだによる接続抵抗は、AlとAlのはんだ接合体で3.2×10−3Ω/mm、AlとCuのはんだ接合体で1.5×10−3Ω/mm、AlとNiのはんだ接合体で1.7×10−3Ω/mm、AlとFeの接合体で1.9×10−3Ω/mmであった。これらの接続抵抗は、CuとCuのはんだ接合体の接続抵抗が5.0×10−6Ω/mmであったことから、約3桁も大きいものであった。この原因は、Al基材表面に電気抵抗が高い自然酸化被膜が形成されているためであると考えられる。
図3に無鉛ガラス組成物A−18と金属粒子Agとを含むガラス複合材料によってAlとAl、AlとCu、AlとNi及びAlとFeを接合したときの接続抵抗と、ガラス複合材料におけるA−18とAg粒子の含有割合との関係を示す。AlとAl、AlとCu、AlとNi及びAlとFeのどの接合体においても、A−18含有量やAg粒子含有量の配合割合によらず、広範囲で10−6Ω/mm台の接続抵抗を達成した。特にガラス複合材料中のA−18含有量が40〜20体積%、Ag粒子含有量が60〜80体積%のときに接続抵抗が安定して低めであった。これらの接続抵抗は、Alのはんだ接合よりも約3桁小さく、CuとCuのはんだ接合と同等以下と良好であった。これは、ガラス複合材料中のA−18が軟化流動することによってAl基材と反応し、Al基材表面に形成された自然酸化被膜が除去され、AlV等のAlとVの合金が界面部分に生成すること、またA−18からVが抜け、金属Agが析出することによって、界面の電気抵抗が低下したと考えられる。さらに、抵抗溶接の印加電流によって、界面部に析出した金属Agが電流の印加方向に析出及び成長した。このため、ガラス複合材料がAg粒子を含まず、A−18のみであっても各接合体の接続抵抗は10−6Ω/mm台を達成したものと考えられる。ただし、Ag粒子を含まない場合には、抵抗溶接機の電極間でスパークが発生した。これは抵抗溶接機の電極の寿命を短くするので、注意が必要である。ガラス複合材料にAg粒子が含有される場合には、A−18から析出する金属AgによってAg粒子間をネッキングし、更なる低抵抗化が図られたものと考えられる。ガラス複合材料中の適切なA−18含有量は40〜20体積%、適切なAg粒子含有量は60〜80体積%と考えられる。A−18含有量が20体積%未満となると、Al基材との反応が低減し、しかもA−18からの金属Agの析出量が減少するために、Ag粒子間のネッキングが進まず、接続抵抗が僅かに上昇する傾向が認められたとものと考えられる。
図4に無鉛ガラス組成物A−18と金属粒子Cuとを含むガラス複合材材料によってAlとAl、AlとCu、AlとNi及びAlとFeを接合したときの接続抵抗と、ガラス複合材料におけるA−18とCu粒子の含有割合との関係を示す。AlとAl、AlとCu、AlとNi及びAlとFeのどの接合体においても、A−18含有量やCu粒子含有量の配合割合によらず、広範囲で10−6Ω/mm台後半から10−5Ω/mm台前半の接続抵抗であった。特にガラス複合材料中のA−18含有量が80〜40体積%、Cu粒子含有量が20〜60体積%のときに接続抵抗が低めであった。しかし、これはAg粒子を用いた図3に比べると、接続抵抗が高く、ガラス複合材料中のCu粒子の表面酸化が原因と考えられる。
図5に無鉛ガラス組成物A−18と金属粒子Alとを含むガラス複合材料によってAlとAl、AlとCu、AlとNi及びAlとFeを接合したときの接続抵抗と、ガラス複合材料におけるA−18とAl粒子の含有割合との関係を示す。AlとAl、AlとCu、AlとNi及びAlとFeのどの接合体においても、A−18含有量やAl粒子含有量の配合割合によらず、広範囲で10−6Ω/mm台の接続抵抗を達成できた。特にガラス複合材料中のA−18含有量が40〜20体積%、Al粒子含有量が60〜80体積%のときに接続抵抗が低めであった。しかし、Ag粒子を用いた図3に比べると、接続抵抗が若干高かった。Al粒子は、Ag粒子より非常に安価である特長があることから、金属粒子としてAl粒子とAg粒子の両方を用いることがガラス複合材料及びそのガラスペーストの低抵抗化と低コスト化に有利であると考えられた。そこで、ガラス複合材料中のA−18含有量を30体積%一定とし、Al粒子とAg粒子の配合割合を体積%で30:40及び40:30としたAlとCuの接合体を上記と同様にしてそれぞれ作製作し、その接続抵抗を評価した。その結果、Al粒子を含まないAg粒子が70体積%と同等の接続抵抗が得られ、Al粒子とAg粒子の両方を用いることが有効であることが明らかになった。
図6に無鉛ガラス組成物A−18と金属粒子Snとを含む導電性材料によってAlとAl、AlとCu、AlとNi及びAlとFeを接合したときの接続抵抗と、ガラス複合材料におけるA−18とSn粒子の含有割合との関係を示す。AlとAl、AlとCu、AlとNi及びAlとFeのどの接合体においても、A−18含有量やSn粒子含有量の配合割合によらず、広範囲で10−6Ω/mm台後半から10−5Ω/mm台前半の接続抵抗を達成できた。特にガラス複合材料中のA−18含有量が80〜40体積%、Cu粒子含有量が20〜60体積%のときに接続抵抗が低めであった。これは、Cu粒子を用いた図4と同様な傾向となっており、Ag粒子やAl粒子を用いた図3や図5に比べると、接続抵抗が高く、ガラス複合材料中のSn粒子の表面酸化が原因と考えられる。
以上より、本発明の無鉛ガラス組成物は、金属粒子と複合化することによって金属基材間の導通を取るための導電性接合部を低温で形成するガラス複合材料やそのガラスペーストへ有効に展開できる。また、導電性と放熱性はある程度の相関があることから、導電性接合部だけでなく、放熱性接合部を形成するためのガラス複合材料やそのガラスペーストにも展開できることは言うまでもない。本実施例では、無鉛ガラスとしてA−18を代表して説明したが、A−1〜A−41の無鉛ガラス組成物に関しても同等の性能を発現できる。ガラス複合材料やそのガラスペーストに金属粒子を含有する場合には、Ag、Cu、Al及びSnについて説明したが、これらに拘るものではなく、これらの合金についても同等の性能を発現できるものである。
金属基材間の導電性接合部や放熱性接合部の形成には、はんだが頻繁に使用されるが、はんだとの差別化を考慮すると、ガラス複合材料やそのガラスペーストに含有する金属粒子としてはAg粒子やAl粒子が有効である。また、はんだでは、Alのように表面に自然酸化被膜が形成された金属基材等には、良好な導電性接合や放熱性接合が難しいが、本発明の一実施形態に係るガラス複合材料やそのガラスペーストでは、それに含有される無鉛ガラス組成物の作用により、そう言った金属基材等であっても導電性接合や放熱性接合を可能とする。
また、金属粒子を含むガラス複合材料やガラスペーストは、接合部や封止部に導電性が許される場合には、実施例2で説明したようなガラス複合材料やそのガラスペーストとしても使用できるものである。その際には、実施例2のように被接合材料や被封止材料と熱膨張係数の整合をとるのではなく、含有する金属粒子のサイズや量によって応力緩和させて低温接合或いは低温封止することになる。
[実施例4]
本実施例では、無鉛ガラス組成物と金属粒子とを含むガラス複合材料を用いて、各種の基板に電極/配線を形成し、その電極/配線の電気抵抗(配線抵抗)と各種基板への密着性を評価した。無鉛ガラス組成物としては、表1で示したA−20、金属粒子としては、銀(Ag)を用いた。また、基板にはアルミナ(Al)基板、ホウケイ酸ガラス基板、シリコン(Si)基板、フェライト基板及びポリイミド基板を用いた。無鉛ガラス組成物の粒子と、金属粒子と、溶剤を含むガラスペーストを作製し、それを各種の基板へ塗布、乾燥、仮焼することによって電極/配線を形成した。これを評価試料とした。
(ガラスペーストの作製)
無鉛ガラス組成物の粒子と、金属粒子と、溶剤とを配合、混合してガラスペーストを作製した。無鉛ガラス組成物の粒子には粒径が約1μmのA−20、金属粒子には平均粒径が1.5μm程度の球状銀(Ag)粒子を用いた。また、溶剤にはα‐テルピネオールを使用し、粘度調整剤としてイソボニルシクロヘキサノールを添加した。表11に無鉛ガラス組成物A−20の粒子と金属粒子Agの配合割合を示す。表11に示す配合割合で7種類のガラスペーストを作製した。なお、ガラスペースト中の固形分(無鉛ガラス組成物の粒子と金属粒子の合計)の含有率は75〜80質量%とした。
(評価試料の作製)
表11で示した7種類のガラスペーストDH−01〜DH−07を用いて、図7に示す配線パターンでそれぞれの電極/配線を形成した。図7の基板6には、アルミナ(Al)基板、ホウケイ酸ガラス基板、シリコン(Si)基板、フェライト基板及びポリイミド基板を用いた。配線7〜13は、表11のDH−01〜07に対応している。先ずは、各導電性ガラスペーストを用いて、各基板上にスクリーン印刷法により2mm×40mmのパターンをそれぞれ塗布し、大気中150℃で乾燥した。その際の膜厚は30〜40μmであった。これを電気炉へ投入し、大気中10℃/分の昇温速度で200℃まで加熱し30分間保持することによって、基板6にそれぞれの配線7〜13を形成した。
(配線抵抗の評価)
表11に示した7種類のガラスペーストDH−01〜07の配合割合によって各基板に形成した配線7〜13の配線抵抗を四端子法によりそれぞれ測定した。
Figure 0006681413
(密着性の評価)
各基板への配線7〜13の密着性は、ピーリングテストにより評価した。各基板上に形成した配線にピーリングテープを貼り付け、そのテープを剥がした時に配線が基板から剥離せずに断線しなかったものを「合格」とし、一方配線に剥離及び/又は断線が生じたものを「不合格」と評価した。
図8に無鉛ガラス組成物A−20と金属粒子Agとを含むガラス複合材料によって各基板へ形成された配線において、その配線抵抗と導電性材料におけるA−20とAgの含有割合との関係を示す。基板として、A基板、ホウケイ酸ガラス基板、Si基板、フェライト基板及びポリイミド基板の5種類について検討したが、基板による配線抵抗の違いはほとんど認められなかった。Ag含有量の増加とA−20含有量の減少にともなって配線抵抗は減少し、Ag含有量が70〜95体積%、A−20含有量が30〜5体積%の範囲で10−6Ωcm台の配線抵抗を達成した。また、配線抵抗の減少はAg含有量が80〜90体積%、A−20含有量が10〜20体積%当たりで配線抵抗の最小値が得られた。図8に係るガラス複合材料は、配線形成時に良好な軟化流動性を有することによって、Ag粒子のネッキングを促進することができる。このために、このような低い温度、本実施例では200℃の低温で配線抵抗が著しく低い電極/配線が形成できるものである。また、本実施例は、A基板、ホウケイ酸ガラス基板、Si基板、フェライト基板及びポリイミド基板の5種類について検討したが、これ以外の基板においても適用できることは容易に推察できものである。特に、樹脂基板への展開には大いに期待される。
表12に各基板に形成したそれぞれの配線のピーリングテスト結果を示す。無鉛ガラス組成物A−20の含有量が10体積%以上、金属粒子Agの含有量が90体積%以下では、表12のDH−02〜07に示されるとおり、どのような基板に対しても合格であり、良好な密着性が得られた。しかし、A−20含有量が5体積%、Ag含有量が95体積%では、どのような基板に対しても配線が剥離して不合格であり、密着性は十分なものとは言えなかった。これは、ガラス複合材料中の無鉛ガラス組成物の含有量が少なかったためであると考えられる。このことから、ガラス複合材料としては、無鉛ガラス組成物の含有量は10体積%以上が好ましいことが分かった。しかし、無鉛ガラス組成物の含有量が5体積%であっても、配線形成時に加圧する等の工夫を施すことができれば、良好な密着性が得られる可能性は十分にある。
Figure 0006681413
以上より、本発明の無鉛ガラス組成物は、電極/配線を低温で形成するガラス複合材料やそのガラスペーストに有効に展開できるものである。本実施例では、無鉛ガラスとしてA−20を代表して説明したが、A−01〜A−41の無鉛ガラス組成物に関しても同等の性能を発現できることは言うまでもない。また、本実施例では、ガラス複合材料やそのガラスペーストに含まれる金属粒子としてAgについて説明したが、これに拘るものではなく、Ag合金やCu、Al及びSn或いはこれらの合金についても適用できる可能性があることは言うまでもない。本発明の一実施形態に係るガラス複合材料やそのガラスペーストは、各種の電子部品における電極/配線の低温形成へ有効に展開できることが分かった。
[実施例5]
本実施例では、無鉛ガラス組成物と樹脂とを含むガラス複合材料を用いて、金属、セラミックス及びガラスの基材への密着強度を評価した。無鉛ガラス組成物としては、表1で示したA−07、樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂及びフッ素樹脂の6種類を用いた。また、金属基材にはアルミニウム(Al)、銅(Cu)及び鉄(Fe)、セラミックス基材にはアルミナ(Al)とマグネシア(MgO)、ガラス基材にはソーダライムガラスとホウケイ酸ガラスを用いた。無鉛ガラス組成物の粒子と、樹脂と、溶剤を含むガラスペーストを塗料とし、それを各種の基材へ塗布、焼成することによって塗膜を形成したものを評価試料とした。
(ガラスペーストの作製)
無鉛ガラス組成物の粒子と、樹脂と、溶剤とを配合、混合してガラスペーストを作製した。無鉛ガラス組成物の粒子には粒径が約1μmのA−07、溶剤にはブチルカルビトールアセテートを用いた。先ずは、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂及びフッ素樹脂をそれぞれ溶剤に溶かした。次に、その溶解液に無鉛ガラス組成物の粒子を導入し、よくかき混ぜて、ガラスペーストを作製した。無鉛ガラス組成物と樹脂との配合割合は、体積%で0:100と10:90とした。また、ガラスペースト中の固形分(無鉛ガラス組成物と樹脂の合計)の含有率は75〜80質量%とした。なお、無鉛ガラス組成物と樹脂との配合割合が0:100、すなわち無鉛ガラス組成物を含まないペーストは比較材料である。
(評価試料の作製)
作製したガラスペーストをAl、Cu及びFeの金属基材、AlとMgOのセラミックス基材及びソーダライムガラスとホウケイ酸ガラスのガラス基材にそれぞれ塗布し、大気中において10℃/分の昇温速度で150℃まで加熱し15分保持した後に、5℃/分の昇温速度で190℃まで加熱し10分間保持することによって、それぞれの基材に塗膜を形成した。
(密着強度の評価)
各基材へ形成した塗膜の密着強度は、引っ掻き試験(剥離強度)によって評価した。無鉛ガラス組成物と樹脂との配合割合が0:100、すなわち無鉛ガラス組成物を含まない塗膜の密着強度を「1」として、無鉛ガラス組成物を含む塗膜の密着強度を相対的に比較した。すなわち、「1」超のときには、密着強度が向上し、一方「1」未満のときには、密着強度が低減したことになる。
表13に無鉛ガラス組成物A−07を10体積%含有した際の各基材への相対的な密着強度評価結果を示す。エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂及びフッ素樹脂のどの樹脂を含有しても、またAl、Cu、Fe、Al、MgO、ソーダライムガラス及びホウケイ酸ガラスのどの基材に対しても、A−07を含有すると密着強度が2倍以上に向上した。これは、塗膜を形成する際にA−07が軟化流動し、各基材へ強固に接着するためであると考えられる。このため、A−07が強固に接着できる基材ほど、密着強度が向上したものと考えられる。含有する樹脂によっても、密着強度は異なっており、特にフェノキシ樹脂とフェノール樹脂を含有した際に密着強度が増加した。これは、樹脂中でのA−07での軟化流動性が異なり、フェノキシ樹脂とフェノール樹脂では、良好な軟化流動性を有していたことが推測される。
Figure 0006681413
以上より、本発明の一実施形態に係る無鉛ガラス組成物と樹脂を複合化すると、金属、セラミックス及びガラスの基材への塗膜密着強度を向上できることが分かった。本実施例では、無鉛ガラス組成物としてA−07を代表して説明したが、A−01〜A−41の無鉛ガラス組成物に関しても同等の性能を発現できる。また、含有する樹脂としては、一般的なエポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂及びフッ素樹脂について検討したが、これらに限られるものではない。さらに、塗膜を形成する金属基材としては、Al、Cu及びFeの金属基材、セラミックス基材としては、AlとMgO、及びガラス基材としては、ソーダライムガラスとホウケイ酸ガラスを用いたが、これらの基材に拘るものでもない。
[実施例6]
実施例6は、無鉛ガラス組成物と樹脂とを含むガラス複合材料を用いて、無鉛ガラス組成物と樹脂の配合割合が金属、セラミックス及びガラスの基材への密着強度に及ぼす影響を評価した。無鉛ガラス組成物としては表1で示したA−07、樹脂としてはフェノール樹を用いた。また、金属基材にはアルミニウム(Al)、銅(Cu)及び鉄(Fe)、セラミックス基材にはアルミナ(Al)とマグネシア(MgO)、ガラス基材にはソーダライムガラスとホウケイ酸ガラスを用いた。無鉛ガラス組成物の粒子と、樹脂と、溶剤を含むガラスペーストを塗料とし、それを各種の基材へ塗布、焼成することによって塗膜を形成した。これを評価試料とした。
(ガラスペーストの作製)
無鉛ガラス組成物の粒子と、樹脂と、溶剤とを配合、混合してガラスペーストを作製した。無鉛ガラス組成物の粒子には粒径が約1μmのA−07、溶剤にはブチルカルビトールアセテートを用いた。フェノール樹脂を溶かしたブチルカルビトールアセテートに無鉛ガラス組成物の粒子を導入し、よくかき混ぜて、ガラスペーストを作製した。無鉛ガラス組成物と樹脂との配合割合は、体積%で5:95、10:90、30:70、50:50及び70:30の5種類とした。また、ガラスペースト中の固形分(無鉛ガラス組成物と樹脂の合計)の含有率は75〜80質量%とした。
(評価試料の作製)
作製したガラスペーストをAl、Cu及びFeの金属基材、AlとMgOのセラミックス基材及びソーダライムガラスとホウケイ酸ガラスのガラス基材にそれぞれ塗布し、大気中において10℃/分の昇温速度で150℃まで加熱し15分保持した後に、5℃/分の昇温速度で190℃まで加熱し10分間保持することによって、それぞれの基材に塗膜を形成した。
(密着強度の評価)
各基材へ形成した塗膜の密着強度は、引っ掻き試験(剥離強度)によって評価した。無鉛ガラス組成物と樹脂との配合割合が0:100、すなわち無鉛ガラス組成物を含まない塗膜の密着強度を「1」として、無鉛ガラス組成物を含む塗膜の密着強度を相対的に比較した。すなわち、「1」超のときには、密着強度が向上し、一方「1」未満のときには、密着強度が低減したことになる。表14にフェノール樹脂を用いた場合の各基材への相対的な密着強度評価結果を示す。
Figure 0006681413
Al、Cu、Fe、Al、MgO、ソーダライムガラス及びホウケイ酸ガラスのどの基材においても、塗膜の密着強度は、無鉛ガラス組成物A−07の含有量の増加ともに増加し、そして減少する傾向が認められた。また、最大密着強度は基材の種類によらず、A−07の含有量が5〜30体積%及びフェノール樹脂の含有量が70〜95体積%の範囲にあった。また、A−07の含有量が50体積%以下及びフェノール樹脂の含有量が50体積%以上であれば、A−07を含有しないフェノール樹脂のみの塗膜に対して、どの基材においても「1」超であり、密着強度の向上は認められた。しかし、A−07の含有量が50体積%超及びフェノール樹脂の含有量が50体積%未満であると、大部分の基材おいて「1」未満であり、塗膜の密着強度が低下した。これは、無鉛ガラス組成物の含有量が多いと、塗膜形成時の熱応力を緩和できなくなり、密着強度が低下したものと考えられる。しかし、Al基材とMgO基材のみ、A−07とフェノール樹脂の配合割合が体積%で70:30でも「1」超であった。基材の違いによる塗膜の密着強度は、A−07が軟化流動した際に強固に密着しやすいAl、MgO及びソーダライムガラスの基材において特に大きい傾向を示した。
以上より、本発明の無鉛ガラス組成物と樹脂とを含むガラス複合材料及びそのガラスペーストは、無鉛ガラス組成物の含有量が50体積%以下及び樹脂の含有量が50体積%以上の範囲にあるときに、金属、セラミックス及びガラスの基材への塗膜密着強度が向上し、金属、セラミックス及びガラスの基材への塗料として有効に展開できることが分かった。特に無鉛ガラス組成物の含有量が5〜30体積%以下及び樹脂の含有量が95〜70体積%の範囲にあるときに、優れた塗膜密着強度を有し、金属、セラミックス及びガラスの基材への塗料として大変有効であることが明らかになった。
実施例5と実施例6で説明したとおり、本発明の無鉛ガラス組成物は、実施例2〜4で説明したセラミックス粒子や金属粒子との複合化の他に、これらより耐熱性が低い樹脂との複合化も可能となり、塗料等への新たな展開を見出すことができた。特に塗料への展開の際には、塗膜を形成する基材が金属、セラミックス及びガラスであると、強固に密着できることから、様々な塗装部品へ適用できる。
[実施例7]
本実施例では、2枚のソーダライムガラス基板と、本発明の一実施形態に係るガラス複合材料とを用いて、ガラス封止部品の代表例の一つとして真空断熱用複層ガラスパネルを作製し、ガラス複合材料の適用可能性を実証した。なお、本実施例では、ガラス複合材料にそのガラスペーストを用いた。
図9Aは、作製した真空断熱用複層ガラスパネルの平面概略図である。また、図9Bは、その封止部近傍のA−A断面を拡大した図である。
図9Aに示すように、真空断熱用複層ガラスパネルは、ソーダライムガラス基板15及びこれに隙間を設けた状態で重ねて配置されたソーダライムガラス基板(図9Bの符号16)の周縁部に封止部14を有する。これらの基板(15、16)の間には、複数のスペーサ18が等間隔に二次元的に配置されている。ソーダライムガラス基板(16)には、排気穴20が形成され、この排気穴20より真空ポンプ(図示していない。)を用いて2枚の基板(15、16)の隙間の排気を行うようになっている。排気穴20には、キャップ21が取り付けてある。
図9Bに示すように、外周部(周縁部)に封止部14を有する一対のソーダライムガラス基板15と16の間には、空間部17(上記の隙間)があり、その空間部17は真空状態にある。封止部14には、本発明の一実施形態に係るガラス複合材料を使用してある。この真空断熱用複層ガラスパネルは、建材用窓ガラス、車両用窓ガラス、業務用冷蔵庫や冷凍庫の扉等に展開できるものである。封止部14に使用したガラス複合材料は、本発明の無鉛ガラス組成物を含む他に、ソーダライムガラス基板15と16との熱膨張係数の整合をとるための熱膨張係数が小さいセラミックス粒子が含有される。ソーダライムガラス基板15と16の耐熱性は、約500℃であるため、その温度以下で封止部14を形成する必要がある。また、ソーダライムガラス基板15と16は、急熱や急冷により破損しやすいため、封止における加熱や冷却は徐々に行う必要があり、真空断熱用複層ガラスパネルの生産性を向上するには、極力、低温での封止が要求されている。さらに、ソーダライムガラス基板15と16には、防犯や安全のため、風冷強化されることが頻繁にある。この風冷強化は、ソーダライムガラス基板15と16の表面に圧縮強化層を形成するもので、その強化層は300℃以上の加熱で徐々に減少し、400℃以上の加熱では消滅してしまう。このことからも、より低温での封止が強く要求されている。
ソーダライムガラス基板15と16の間には、真空状態にある空間部17を確保するために、その空間部17には、複数のスペーサ18が設置される。また、適切な厚みの空間部17を得るためには、スペーサ18や封止部14に粒径が整った球状ビーズ19等を導入することが有効である。さらに、スペーサ18の固定には、封止部14と同様に本発明の一実施形態に係るガラス複合材料を活用することが可能である。真空状態を有する空間部17を得るためには、事前にソーダライムガラス基板16に排気穴20を形成しておき、その排気穴20より真空ポンプを用い空間部17の排気を行う。排気後にキャップ21を取り付け、空間部17の真空度を維持できるようにする。建材用窓ガラスや車両用窓ガラスとして適用する際には、ソーダライムガラス基板15の内面に事前に熱線反射膜22を蒸着法等で形成してもよい。
本実施例では、サイズが900×600×3mmのソーダライムガラス基板15と16を用いた。なお、ソーダライムガラス基板15には熱線反射膜22、ソーダライムガラス基板16には排気穴20を形成した。ソーダライムガラス基板15と16の間隔、すなわち空間部17の厚みを約200μmとするために、封止部14とスペーサ18には、直径200μm弱の球状ビーズ19を含有した。その球状ビーズ19には、ソーダライムガラスを用いた。封止部14には、表1で示した無鉛ガラス組成物A−08と表3で示したセラミックス粒子CF−01からなるガラス複合材料を用い、A−08とCF−01の配合割合は、体積%で65:35とした。さらに、封止部14中には、球状ビーズ19を前記ガラス複合材料に対して1体積%、スペーサ18中には、前記ガラス複合材料に対して20体積%を含有した。
(ガラスペーストの作製)
本発明の一実施形態に係る無鉛ガラス組成物の粒子と、セラミックス粒子と、溶剤とを配合、混合してガラスペーストを作製した。無鉛ガラス組成物の粒子には、粒径が約15μmのA−08、セラミックス粒子には、粒径が約30μm程度のCF−01(リン酸タングステン酸ジルコニウム)を用いた。また、溶剤にはα‐テルピネオールを使用し、粘度調整剤としてイソボニルシクロヘキサノールを添加した。無鉛ガラス組成物A−08の粒子とセラミックス粒子CF−01の配合割合は、体積%で65:35として、その固形分(A−08とCF−01の合計)の含有率が75〜80質量%となるようにガラスペーストを作製した。さらに、ガラスペースト中には、粒径が180〜200μm程度のソーダライムガラス製球状ビーズを含有した。その含有量は、前記固形分に対して、低温封止用には1体積%、スペーサ用には20体積%とした。
(真空断熱複層ガラスパネルの作製)
本実施例の真空断熱複層ガラスパネルの作製方法について図10A〜12を用いて説明する。
図10Aは、図9A及び9Bに示す真空断熱複層ガラスパネルを構成するソーダライムガラス基板16に封止部14及びスペーサ18を形成した状態を示したものである。図10Aに示すように、作製した上記ガラスペーストをソーダライムガラス基板16の外周部(封止部14)と内部(スペーサ18)にそれぞれディスペンサー法によって塗布し、大気中150℃で乾燥した。これを大気中5℃/分の昇温速度で200℃まで加熱し30分間保持し、封止部14とスペーサ18をソーダライムガラス基板16に付着させた。図10Aに示すA−A断面図である図10Bに示すように、封止部14及びスペーサ18には、球状ビーズ19が含まれる。
図11Aは、図9Bに示す真空断熱複層ガラスパネルを構成するソーダライムガラス基板15を示したものである。図11Bは、図11AのA−A断面図である。図11A及び11Bに示すとおり、ソーダライムガラス基板15の片面には熱線反射膜22が形成してある。
図12は、図9A及び9Bに示す真空断熱複層ガラスパネルの作製方法の最後の工程を示したものである。図12においては、ソーダライムガラス基板15、16を対向させ、位置合わせし、複数の耐熱性クリップで固定した。これを真空排気しながら熱処理をし、封止した。
図13は、その熱処理における封止温度プロファイルを示したものである。図13に示す封止温度プロファイルでは、大気中5℃/分の昇温速度で使用する無鉛ガラス組成物の屈伏点M付近、ここではA−08のMである153℃まで加熱し30分間保持した後に、パネル内部を排気穴20から真空ポンプで排気しながら5℃/分の昇温速度で使用する無鉛ガラス組成物の軟化点T付近、ここではA−08のTである182℃まで加熱し30分間保持し、封止を行った。
図12に示すように、熱処理の際、封止部14やスペーサ18は押しつぶされ、2枚のソーダライムガラス基板15と16に密着した。その後、排気穴20にキャップ21を取り付け、真空断熱複層ガラスパネルを作製した。なお、本実施例では、その真空断熱複層ガラスパネルを10枚作製した。
(作製した真空断熱複層ガラスパネルの評価結果)
先ずは、本実施例において作製した真空断熱複層ガラスパネル10枚の外観検査を行った。その結果、ワレやヒビ等は認められなく、外観上の問題はなかった。また、封止部14中及びスペーサ18中の球状ビーズ19によって、ソーダライムガラス基板15と16の間隔は、ほぼ均一の厚みであった。すなわち、所定の空間部17を有する真空断熱複層ガラスパネルが得られた。さらに、ヘリウムリーク試験よりパネル内部は真空状態となっており、パネル外周部が気密に封止されていることを確認した。
封止部14の信頼性を確認するために、製作した真空断熱複層ガラスパネル3枚を50℃の温水に30日間浸漬した。3枚のパネルとも内部に水が浸入することなく、パネル内部が真空状態に維持されていることを確認した。また、別の真空断熱複層ガラスパネル3枚について−50℃〜+100℃の温度サイクル試験を1000回実施した。この試験においても、3枚のパネルとも内部が真空状態に保たれていた。これらのことから、本発明の一実施形態に係るガラス複合材料やそのガラスペーストを適用した真空断熱複層ガラスパネルでは、断熱性と信頼性の高い封止部が得られることが分った。さらに、本発明の一実施形態に係るガラス複合材料やそのガラス複合材料を使用することによって、封止温度を著しく低温化でき、真空断熱複層ガラスパネルの生産性向上や風冷強化を施したソーダライムガラス基板の適用等にも大きく貢献することができる。
以上より、本実施例では、封止構造体の代表例の一つとして、本発明の無鉛ガラス組成物を含むガラス複合材料やそのガラスペーストを用いた真空断熱複層ガラスパネルへの適用例を説明した。本発明の無鉛ガラス組成物を含むガラス複合材料やそのガラスペーストが封止構造体の封止部に有効に適用でき、信頼性と生産性がともに優れる封止構造体を提供できることが確認された。真空断熱複層ガラスパネル以外の封止構造体にも有効に展開できることは言うまでもない。
[実施例8]
本実施例では、封止構造体の代表例の一つとして2枚のホウケイ酸ガラス基板の間に有機発光ダイオード(OLED)が多数内蔵されたディスプレイを作製し、本発明のガラス複合材料の適用可能性を実証した。なお、本実施例では、ガラス複合材料にそのガラスペーストを用いた。
図14Aは、OLEDディスプレイの例を示す平面概略図である。図14Bは、図14AのA−A断面図である。
図14Aにおいては、OLEDディスプレイは、ホウケイ酸ガラス基板23及びこれに隙間を設けた状態で重ねて配置されたホウケイ酸ガラス基板(図14Bの符号24)の外周部に、本発明の一実施形態に係るガラス複合材料である封止部14を有する。ホウケイ酸ガラス基板(23、24)の間には、OLED25が内蔵されている。
OLED25は、水分や酸素により劣化しやすいことから、無鉛ガラス組成物を含むガラス複合材料でホウケイ酸ガラス基板23と24の外周部、すなわち封止部14を気密に封止することが大変重要である。封止部14に使用したガラス複合材料は、本発明の無鉛ガラス組成物を含む他に、ホウケイ酸ガラス基板23と24との熱膨張係数の整合を極力とるために熱膨張係数が小さいセラミックス粒子が含有される。本実施例では、封止部14には、表1で示した無鉛ガラス組成物A−19と表3で示したセラミックス粒子CF−02からなるガラス複合材料を用い、A−19とCF−02の含有量は60:40体積%とした。また、本実施例では、ガラス複合材料にそのガラスペーストを用い、溶剤として高粘度のα‐テルピネオールを使用した。
(ガラスペーストの作製)
無鉛ガラス組成物の粒子と、セラミックス粒子と、溶剤とを配合、混合してガラスペーストを作製した。無鉛ガラス組成物の粒子には、平均粒径が約1μm程度のA−19、セラミックス粒子には、平均粒径が約3μm程度のCF−02(リン酸タングステン酸ジルコニウムを主体とする化合物)を用いた。また、溶剤にはα‐テルピネオールを使用し、粘度調整剤としてイソボニルシクロヘキサノールを添加した。そのセラミックス粒子CF−02には、後で説明するが、赤色半導体レーザを効率的に吸収して発熱しやすいように、リン酸タングステン酸ジルコニウム粒子中にタングステン酸鉄(FeWO)を含有した。無鉛ガラス組成物A−19の粒子とセラミックス粒子CF−02の配合割合は、体積%で60:40として、その固形分(A−19とCF−02の合計)の含有率が約80質量%となるように低温封止用ガラスペーストを作製した。
(有機発光ダイオード(OLED)ディスプレイの作製)
本実施例のOLEDディスプレイの作製方法を図15A〜17に示す。
図15Aは、OLEDディスプレイの一方の基板を示したものである。図15Bは、図15AのA−A断面図である。図15Aに示すように、作製した上記ガラスペーストをホウケイ酸ガラス基板23の外周部にスクリーン印刷法によって塗布し、大気中150℃で乾燥した。これを大気中5℃/分の昇温速度で200℃まで加熱し30分間保持した。これにより、封止部14をホウケイ酸ガラス基板23の外周部に形成した。なお、ホウケイ酸ガラス基板23の外周部に形成した封止部14は、線幅を約2mm、焼成膜厚を約15μmとなるようにした。
図16Aは、OLEDディスプレイのもう一方の基板を示したものである。図16Bは、図16AのA−A断面図である。これらの図に示すように、ホウケイ酸ガラス基板24には、画素数に対応した多数のOLED25を形成した。そのOLED25を形成したホウケイ酸ガラス基板24と上記封止部14を形成したホウケイ酸ガラス基板23とを、図17に示すように対向させて、低真空中でホウケイ酸ガラス基板23の方向から封止部14に向けてレーザ26を照射した。レーザ26には、そのレーザ波長がガラス複合材料中の無鉛ガラス組成物と低熱膨張セラミックス粒子に効率的に吸収され、発熱するとともに無鉛ガラス組成物が軟化流動しやすいように、805nmの波長の赤色半導体レーザを用いた。レーザ26を10mm/秒の速度で外周部を移動させ、ホウケイ酸ガラス基板23と24の外周部を封止部14によって接合し、OLEDディスプレイを作製した。
なお、本実施例では、そのOLEDディスプレイを5枚作製した。封止にレーザを使用した理由は、OLEDへの熱的ダメージを防止するため、及び生産性を向上するためである。
(作製した有機発光ダイオード(OLED)ディスプレイの評価結果)
先ずは、作製したOLEDディスプレイの点灯試験を行った。その結果、問題なく、点灯することを確認した。また、封止部の密着性や接着性も良好であった。次にこのOLEDディスプレイを120℃−100%Rh−202kPaの条件で1日間、3日間及び7日間の高温高湿試験(飽和型プレッシャークッカー試験)を実施し、同様に点灯試験を行った。比較として樹脂のみで封止したOLEDディスプレイも入れた。なお、この樹脂封止の線幅は約5mm、厚みは約15μmとした。1日間の高温高湿試験では、どちらのOLEDディスプレイともに問題なく点灯したが、樹脂封止したOLEDディスプレイは3日間以降の点灯で大きな劣化が発生した。これは、樹脂封止部よりOLEDディスプレイ内部に水分や酸素が導入されてしまい、OLEDが劣化したためである。一方、本実施例に係るOLEDは7日間の高温高湿試験でも、OLEDの点灯には劣化が認められず、良好な試験結果となった。これは良好な気密性が維持されていることを示唆した結果である。さらに高温高湿試験後の封止部の密着性や接着性も評価した結果、樹脂で封止したような大きな低下は認められず、試験前とほぼ同等であった。
以上より、本実施例では、封止構造体の代表例の一つとして、本発明の無鉛ガラス組成物を含むガラス複合材料やそのガラスペーストを用いた有機発光ダイオード(OLED)ディスプレイへ適用例を説明した。本発明の無鉛ガラス組成物を含むガラス複合材料やそのガラスペーストが封止構造体の封止部に有効に適用でき、信頼性を含む高機能化と生産性がともに優れる封止構造体を提供できることが確認された。また、本実施例の結果より、OLEDが搭載される照明器具、有機太陽電池、有機素子が搭載されたMEMSセンサー等の熱的なダメージ受けやすい封止構造体にも有効に展開できることは言うまでもない。
[実施例9]
本実施例では、電気電子部品の代表例の一つとしてpn接合を有するシリコン(Si)基板を用いた太陽電池セルを作製し、本発明のガラス複合材料がその太陽電池セルの電極/配線へ適用できるかどうかを検討し、評価した。なお、本実施例では、ガラス複合材料にそのガラスペーストを用いた。
図18Aは、作製した太陽電池セルの受光面の概略図である。図18Bは、その裏面概略図である。図18Cは、図18AのA−A断面図である。
図18Aにおいて、太陽電池セルのSi基板27(シリコン基板)の受光面には、受光面電極/配線28及び反射防止膜31が形成されている。
図18Bに示すように、太陽電池セルの裏面には、集電電極/配線29及び出力電極/配線30が形成されている。
図18Cに示すように、太陽電池セルのSi基板27の受光面側には、pn接合31を有する。受光面電極/配線28、集電電極/配線29及び出力電極/配線30には、本発明の一実施形態に係るガラス複合材料が使用されている。従来は、受光面電極/配線28と出力電極/配線30の形成には、銀(Ag)粒子と有鉛低融点ガラス組成物の粒子を含む有鉛ガラスペースト、集電電極/配線29の形成には、アルミニウム(Al)粒子と有鉛低融点ガラス組成物の粒子を含む有鉛ガラスペーストが使用され、これらの有鉛ガラスペーストをそれぞれスクリーン印刷法等によってSi基板27の両面にそれぞれ塗布し、乾燥後に大気中500〜800℃で焼成することによってそれぞれの電極/配線がSi基板27の両面に形成されていた。有害な鉛を含むことも問題ではあるが、電極/配線を形成するための焼成温度が高いために、太陽電池セルが大きく反って、取り扱い上、Si基板27が破損しやすくなったり、また集電電極/配線29中のAlと出力電極/配線30中のAgとの反応によりもろい金属間化合物が生成し、そこに応力が集中するとSi基板27にクラック等が発生しやすくなったりする等の問題もあった。
本実施例では、pn接合を有するSi基板27に150×150×0.2mmの太陽電池用単結晶Si基板を用い、さらにSi基板27の受光面には窒化シリコン(SiN)からなる反射防止膜31を100nm程度形成した。受光面電極/配線28と出力電極/配線30には、表1で示した無鉛ガラス組成物A−35と、平均粒径が約1.5μm程度の球状銀(Ag)粒子とを含むガラス複合材料を用い、A−35とAg粒子の含有量は体積%で20:80とした。集電電極/配線29には、表1で示した無鉛ガラス組成物A−38と平均粒径が約3μm程度の球状アルミニウム(Al)粒子とを含む導電性材料を用い、A−38とAl粒子の含有量は15:85体積%とした。
(導電性ガラスペーストの作製)
無鉛ガラス組成物A−35或いはA−38の粒子と、銀(Ag)或いはアルミニウム(Al)の金属粒子と、溶剤とを配合、混合してガラスペーストを作製した。受光面電極/配線28と出力電極/配線30に使用するガラスペーストとしては、平均粒径が約1μm程度のA−35粒子と平均粒径が約1.5μm程度の球状Ag粒子とを用い、その配合割合を体積%で20:80とした。溶剤にはα‐テルピネオールを使用し、粘度調整剤としてイソボニルシクロヘキサノールを添加した。また、集電電極/配線29に使用するガラスペーストとしては、平均粒径が約1μm程度のA−38粒子と平均粒径が約3μm程度の球状Al粒子とを用い、その配合割合を体積%で15:85とし、溶剤にはα‐テルピネオールを使用し、粘度調整剤としてイソボニルシクロヘキサノールを添加した。どちらのガラスペーストにおいても、ペースト中の固形分(無鉛ガラス組成物の粒子と金属粒子の合計)の含有量は約80質量%とした。
(太陽電池セルの作製)
図18A〜18Cで示した太陽電池セルの作製方法について説明する。
反射防止膜31を受光面に形成したSi基板27(150×150×0.2mm)の受光面側に上記で作製したA−35粒子とAg粒子を含むガラスペーストをスクリーン印刷法によって塗布し、約150℃で乾燥した。これをトンネル炉にて約20℃/分の昇温速度で200℃まで加熱し30分間保持し、受光面電極/配線28をSi基板27の受光面に形成した。次に、Si基板27の裏面に上記と同じA−35粒子とAg粒子を含むガラスペーストをスクリーン印刷法によって塗布し、約150℃で乾燥した。さらに、上記で作製したA−38粒子とAl粒子を含むガラスペーストをスクリーン印刷法によって塗布し、約150℃で乾燥した。これを受光面電極/配線28の形成と同じ加熱条件で焼成し、Si基板27の裏面に集電電極/配線29と出力電極/配線30を形成した。受光面電極/配線28には2回の加熱履歴が加わることになるが、これによって受光面電極/配線28のSi基板27への電気的接続が良好となった。このようにして、受光面電極/配線28、集電電極/配線29及び出力電極/配線30を形成し、本実施例に係る太陽電池セルを作製した。なお、本実施例では、その太陽電池セルを10枚作製した。
(作製した太陽電池セルの評価結果)
先ずは、本実施例において作製した太陽電池セル10枚の外観検査を行った。その結果、Si基板27やそのSi基板27に形成した受光面電極/配線28、集電電極/配線29及び出力電極/配線30には、ワレやヒビ等は観測されず、また大きなそりも認められず、外観上の問題はなかった。これは、本発明の無鉛ガラス組成物によって各種の電極/配線の形成温度を著しく低温化できた効果である。次に、作製した10枚の太陽電池セルにおいてSi基板27と受光面電極/配線28との電気的接続、Si基板27と集電電極/配線29及び出力電極/配線30との間のオーミックコンタクトが得られ、問題なきことを確認した。続いて、作製した10枚の太陽電池セルの発電効率をソーラーシュミレータによって評価したところ、作製温度を著しく低温化したにも関わらず、従来と同等の約18%が得られた。また、信頼性を確認するために、作製した太陽電池セル3枚を50℃の温水に5日間浸漬し、同様にして発電効率を測定した。従来の太陽電池セルでは、電極/配線が腐食され、発電効率が12〜13%ぐらいまでに著しく劣化したが、本実施例において作製した太陽電池セルでは、電極/配線がほとんど腐食されずに発電効率の劣化は認められなかった。これは、実施例3や実施例4で説明したように本発明の無鉛ガラス組成物とAg、或いはAlとの特有な反応により、このように信頼性が高い太陽電池セルが得られるものと考えられる。
次に、裏面に形成される集電電極/配線29と出力電極/配線30との重なり部分について、分解調査したところ、AgとAlとの反応によるもろい金属間化合物の生成は認められなかった。これにより、応力が集中してもSi基板27にクラック等が発生しにくくなった。また、Si基板27のそりが大きく低減できたことから、モジュールに組み込む等の取り扱い上の破損を低減できるようなった。もろい金属間化合物の生成防止やそり低減は、本実施例に係る太陽電池セルの焼成温度(200℃)が、従来のそれ(500〜800℃)に対して大幅に低いためである。
以上より、本実施例では、電気電子部品の代表例の一つとして、本発明の一実施形態に係る無鉛ガラス組成物を含むガラス複合材料やそのガラスペーストを用いて形成した電極/配線を有する太陽電池セルへの適用例を説明した。本発明の無鉛ガラス組成物を含むガラス複合材料やそのガラスペーストは、太陽電池セルに拘ることなく、様々な電気電子部品の電極/配線に有効に適用でき、信頼性を含む高機能化、生産性や歩留まり向上等に優れる電気電子部品を提供できるものである。
[実施例10]
本実施例では、電気電子部品の代表例の一つとして水晶振動子のパッケージを作製し、本発明のガラス複合材料がそのパッケージの導電性接合部や封止部へ適用できるかどうかを検討した。なお、本実施例では、ガラス複合材料にそのガラスペーストを用いた。
図19A〜19Fは、水晶振動子パッケージの作製方法を示したものである。図19Gは、作製した水晶振動子パッケージの断面概略図である。
図19Gに示す水晶振動子パッケージは、配線34を有するセラミックス基板33の表面に導電性接合部35を介して設置された水晶振動子32を有する。配線34と導電性接合部35とは、電気的に接続されている。これにより、水晶振動子32は、外部と電気的に接続されている。セラミックスキャップ36は、水晶振動子32を保護するためのものであり、封止部37によってセラミックス基板33の外周部に気密に接着されている。導電性接合部35には、本発明の無鉛ガラス組成物と金属粒子を含むガラス複合材料、封止部37には、本発明の無鉛ガラス組成物とセラミックス粒子を含むガラス複合材料が使用されている。
その水晶振動子パッケージの作製方法は、次のとおりである。
先ずは、図19Aで示す配線34を形成したセラミックス基板33を作製する。つぎに、図19Bで示すように、配線34上に金属粒子を含むガラスペーストを塗布し、乾燥し、それを大気中で加熱し、そのガラス複合材料中の無鉛ガラス組成物を軟化流動させることによって導電性接合部35を形成する。
その導電性接合部35に、図19Cに示すように水晶振動子32を配置し、不活性ガス中或いは真空中で加熱し、導電性接合部35中の無鉛ガラス組成物を再度、軟化流動させることによって電気的に接続する。
一方で、図19Dに示すセラミックスキャップ36を用意する。そして、図19Eに示すように、セラミックスキャップ36の外周部にセラミックス粒子を含むガラスペーストを塗布し、乾燥し、それを大気中で加熱し、そのガラス複合材料中の無鉛ガラス組成物を軟化流動させることによって封止部37を形成する。
図19Cに示す水晶振動子32及び導電性接合部35を有するセラミックス基板33と、図19Eに示す封止部37を有するセラミックスキャップ36を図19Fに示すように合わせ、不活性ガス中或いは真空中にて加熱するとともに、若干の荷重38をかけることによって、封止部37中の無鉛ガラス組成物を再度、軟化流動させる。これによって、図19Gに示す水晶振動子パッケージが得られる。
なお、その際に、導電性接合部35が水晶振動子32や配線34から剥離しないように注意しなければならない。そのためには、封止部37中の無鉛ガラス組成物の軟化点Tを導電性接合部35中の無鉛ガラス組成物の軟化点Tより低くすることが有効である。すなわち、ガラス複合材料に含まれる無鉛ガラス組成物を部品の適用箇所によって異なるものにする必要がある。
(導電性接合部及び封止部に使用するガラスペーストの作製)
本実施例では、導電性接合部35を形成するために使用するガラスペースト中の無鉛ガラス組成物として表1で示した軟化点Tが200℃のA−37、封止部37を形成するために使用するガラスペースト中の無鉛ガラス組成物として表1で示した軟化点Tが177℃のA−03を用いた。A−37とA−03の軟化点Tの温度差は23℃あるので、導電性接合部35に剥離等の問題を来たすことなく、封止が可能と思われる。すなわち、同時に良好な導電性接合部35と封止部37が得られると言うことである。
無鉛ガラス組成物の粒子と、金属粒子と、溶剤とを配合、混合して、導電性接合部35を形成するためのガラスペーストを作製した。無鉛ガラス組成物の粒子には平均粒径が約3μm程度のA−37、金属粒子には平均粒径が約1.5μm程度の球状銀(Ag)粒子、及び溶剤にはα−テルピネオールを用い、粘度調整剤としてイソボニルシクロヘキサノールを添加した。A−37粒子とAg粒子の配合割合は、体積%で30:70として、その固形分(A−37とAgの合計)の含有率が約80質量%となるように導電性接合部35を形成するためのガラスペーストを作製した。
無鉛ガラス組成物の粒子と、セラミックス粒子と、溶剤とを配合、混合して、封止部37を形成するためのガラスペーストを作製した。無鉛ガラス組成物の粒子には平均粒径が約3μm程度のA−03、セラミックス粒子には表3で示した平均粒径が約10μm程度のCF−01(リン酸タングステン酸ジルコニウム)、及び溶剤にはα−テルピネオールを用い、粘度調整剤としてイソボニルシクロヘキサノールを添加した。A−03粒子とCF−01粒子の配合割合は、体積%で70:30として、その固形分(A−03とCF−01の合計)の含有率が約80質量%となるように封止部37を形成するためのガラスペーストを作製した。
(水晶振動子パッケージの作製)
本実施例における水晶振動子パッケージの作製方法を具体的に説明する。本実施例ではセラミックス基板33とセラミックスキャップ36には、アルミナ(α−Al)製を用いた。
図19A及び19Bに示すように、上述した導電性接合部35を形成するためのガラスペーストをセラミックス基板33に形成した配線34上にディスペンサー法によって塗布し、大気中において約150℃で乾燥した。これを大気中10℃/分の昇温速度で200℃まで加熱し30分間保持し、導電性接合部35をセラミックス基板33の配線34上に形成した。
次に、図19Cに示すように、その導電性接合部35上に水晶振動子32を配置し、不活性ガス中(アルゴン中)20℃/分の昇温速度で210℃まで加熱し10分間保持し、水晶振動子32を導電性接合部35に接続した。
一方、セラミックスキャップ36には、図19D及び19Eに示すように、上述した封止部37を形成するためのガラスペーストをその外周部にスクリーン印刷法によって塗布し、大気中において約150℃で乾燥した。これを大気中10℃/分の昇温速度で190℃まで加熱し30分間保持し、封止部37をセラミックスキャップ36の外周部に形成した。
封止部37を形成したセラミックスキャップ36を図19Fに示すように水晶振動子32を接続したセラミックス基板33に合わせ、専用の固定ジグに設置し、荷重をかけた。これを真空中10℃/分の昇温速度で180℃まで加熱し15分間保持し、セラミックスキャップ36とセラミックス基板33を封止することによって、図19Gに示す水晶振動子パッケージを作製した。なお、本実施例では、その水晶振動子パッケージを24個作製した。
(作製した水晶振動子パッケージの評価結果)
先ずは、本実施例において作製した水晶振動子パッケージ18個の外観検査を実体顕微鏡にて行った。その結果、封止時におけるセラミックスキャップ36のズレはほとんどなく、また封止部37には結晶化による失透、ワレやヒビ等も観察されず、外観上の問題は認められなかった。
次に、封止したセラミックスキャップ36内部の導電性接合部35が水晶振動子32や配線34に電気的に接続されているかどうかを、セラミックス基板33背面の配線34からの導通試験によって、作製したすべての水晶振動子パッケージにおいて水晶振動子が作動することを確認した。また、作製した水晶振動子パッケージ5個において、ヘリウムリーク試験を実施し、パッケージ内部は真空状態となっており、封止部37によって外周部が気密に封止されていることを確認した。封止部37の信頼性を確認するために、作製した水晶振動子パッケージ5個について120℃−100%Rh−202kPaの条件で3日間の高温高湿試験(飽和型プレッシャークッカー試験)を実施した。その後、ヘリウムリーク試験を行い、高温高湿試験した水晶振動子パッケージすべてにおいて、封止部37の気密性や密着性が保たれていることを確認した。
以上より、本発明の無鉛ガラス組成物と金属粒子、或いはセラミックス粒子を含むガラス複合材料やそのガラスペーストを導電性接合部或いは封止部へ適用することによって、環境負荷への影響を配慮した上で、信頼性の高い水晶振動子パッケージが得られることが分った。本実施例では、電気電子部品及び封止構造体の代表例の一つとして、水晶振動子パッケージへの適用例を説明したが、本発明に係るガラス複合材料やそのガラスペーストは、水晶振動子パッケージに限らず、導電性接合部や封止部、さらには放熱性接合部を有する電気電子部品や封止構造体の多くに有効に展開できる。
[実施例11]
本実施例では、電気電子部品の代表例の一つとして、樹脂配線基板への展開可能性を検討した。樹脂配線基板には、コンデンサーやインダクター等の素子が搭載及び集積される。樹脂配線基板の配線は、めっき等で樹脂基板に形成され、その配線に素子が電気的に接続される。その樹脂基板には、安価なことからガラス繊維が含有されたエポキシ系或いはフェノキシ系の樹脂が使われることが一般的である。このような樹脂基板の耐熱性は低く、約200℃程度である。このため、従来は、樹脂基板の配線と素子とを電気的に接続するために、融点が200℃以下の鉛系はんだが適用されていた。しかし、昨今のRoHS指令等の環境規制により、鉛系はんだが使用できなくなっている。その代替として鉛フリーの錫系はんだが考えられるが、そのはんだは、大気中での加熱が難しく、さらに接続温度を250℃に近いところまで上げる必要があるために、樹脂配線基板の耐熱性を超えてしまう問題がある。そこで、鉛フリーの樹脂銀ペーストが樹脂配線基板の素子接続部に使用されるようになった。樹脂銀ペーストによる樹脂配線基板への素子の接続は、大気中150℃前後で可能であり、その接続部は銀粒子と樹脂とから構成される。しかし、樹脂を硬化させるのに大気中150℃前後で数時間もの保持が必要であった。また、樹脂銀ペーストでは、銀粒子が樹脂中でネッキングする訳ではないので、その素子接続部の導電性が高いとは言えなかった。さらに、その素子接続部には、樹脂が含まれるため、耐湿性等の信頼性が十分とは言えなかった。
(導電性ガラスペーストの作製)
樹脂配線基板にコンデンサーやインダクター等の素子を無鉛ガラス組成物と金属粒子とからなるガラス複合材料の導電性ガラスペーストを用いて接続した。無鉛ガラス組成物には、表1で示した軟化点Tが177℃のA−03を使用し、その平均粒径は2μm以下とした。金属粒子には、平均粒径が約1.5μm程度の球状銀(Ag)を用いた。また、導電性ガラスペーストを作製するための溶剤には、α−テルピネオールを用いた。A−03粒子とAg粒子の配合割合は、体積%で25:75とし、その固形分(A−03とAgの合計)の含有率が約80質量%となるように導電性ガラスペーストを作製した。
(樹脂配線基板への素子接続)
作製した導電性ガラスペーストを用いて、樹脂配線基板の所定の配線上に複数の素子を接続した。その素子接続方法は、先ずは所定の配線上に導電性ガラスペーストを塗布し、その上に複数の素子を載せ、大気中において約150℃で乾燥した。その後、大気中10℃/分の昇温速度で190℃まで加熱し10分間保持し、樹脂配線基板へ複数の素子を電気的に接続した。また、比較例として、樹脂銀ペーストを用い、大気中150℃で5時間保持して複数の素子を電気的に接続した樹脂配線基板を作製した。
(素子を接続した樹脂配線基板の評価結果)
本実施例の導電性ガラスペーストを使用した場合には、比較例で用いた樹脂銀ペーストよりも著しく短時間で素子を樹脂配線基板へ接続することができ、生産性を向上できることが分かった。また、その接続抵抗は、図8からも推定されるように10−6〜10−5Ωcmの範囲にあり、比較例の樹脂銀ペーストを用いた場合より一桁以上低く、導電性が非常に高いことが分かった。これは、本発明の無鉛ガラス組成物中で銀粒子がネッキングを起こすためである。さらに85℃−85%Rhの高温高湿試験を3日実施した結果、比較例では、素子接続部に腐食が観察され、その接続抵抗が大きくなってしまう傾向が認められたが、本実施例では、素子接続部の腐食やその接続抵抗の増大はほとんど認められず、信頼性の高い素子接続部が得られることが分かった。
以上より、本発明の無鉛ガラス組成物と金属粒子を含むガラス複合材料やそのガラスペーストは、素子を樹脂配線基板へ電気的に接続させる際にも有効に適用できるものであることが分かった。このような樹脂配線基板は、各種の電気電子部品として幅広く展開できることは言うまでもないことである。
実施例7〜11において、封止構造体及び電気電子部品として真空断熱複層ガラスパネル、OLEDディスプレイ、太陽電池セル、水晶振動子パッケージ、樹脂配線基板を代表例として説明したが、本発明はそれらに限定されるものではなく、各種のディスプレイパネルやパッケージデバイス、画像表示デバイス、積層コンデンサー、インダクター、発光ダイオード、多層回路基板、半導体モジュール、半導体センサー、半導体センサー等の多くの封止構造体や電気電子部品に適用可能であることは自明である。
1:円柱状基材、1’:円柱状金属基材、2,2’:接合面、3,3’:ガラスペースト、4,4’:ガラス複合材料、5:板状基材、5’:板状金属基材、6:基板、7:配線(表11のDH−01)、8:配線(表11のDH−02)、9:配線(表11のDH−03)、10:配線(表11のDH−04)、11:配線(表11のDH−05)、12:配線(表11のDH−06)、13:配線(表11のDH−07)、14:封止部、15,16:ソーダライムガラス基板、17:空間部、18:スペーサ、19:球状ビーズ、20:排気穴、21:キャップ、22:熱線反射膜、23,24:ホウケイ酸ガラス基板、25:有機発光ダイオード(OLED)、26:レーザ、27:シリコン(Si)基板、28:受光面電極/配線、29:集電電極/配線、30:出力電極/配線、31:反射防止膜、32:水晶振動子、33:セラミックス基板、34:配線、35:導電性接合部、36:セラミックスキャップ、37:封止部、38:荷重

Claims (19)

  1. 酸化銀、酸化テルル及び酸化バナジウムを含み、
    さらに追加成分として酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化セリウム、酸化エルビウム、酸化イットリビウム、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム及び酸化鉄のうちの少なくともいずれか1つを含み、
    前記酸化銀、前記酸化テルル及び前記酸化バナジウムの含有量(モル%)は、次に示す酸化物換算で、AgO>TeO≧V、かつAgO≦2Vの関係を有し、TeOの含有量は25モル%以上37モル%以下であり、
    前記追加成分の含有量は、酸化物換算で0.1モル%以上3.5モル%以下であることを特徴とする無鉛ガラス組成物。
  2. 請求項1に記載の無鉛ガラス組成物において、
    酸化物換算でAgOの含有量は40モル%以上50モル%未満であり、Vの含有量は20モル%以上30モル%未満であることを特徴とする無鉛ガラス組成物。
  3. 請求項1または請求項2に記載の無鉛ガラス組成物において、
    前記追加成分は酸化イットリウム、酸化ランタン及び酸化アルミニウムのうちの少なくともいずれか1つであり、
    前記追加成分の含有量(モル%)が次に示す酸化物換算で、AgO+Ln≦2V(Ln:Y、La、Al)であることを特徴とする無鉛ガラス組成物。
  4. 請求項に記載の無鉛ガラス組成物において、
    前記追加成分の含有量は、酸化物換算で0.3モル%以上1.5モル%以下であることを特徴とする無鉛ガラス組成物。
  5. 請求項1乃至請求項のいずれか1項に記載の無鉛ガラス組成物において、
    示差熱分析による第二吸熱ピーク温度は、200℃以下であることを特徴とする無鉛ガラス組成物。
  6. 請求項1乃至請求項のいずれか一項に記載の無鉛ガラス組成物と、セラミックス粒子、金属粒子及び樹脂のうち少なくともいずれか1つを含むことを特徴とするガラス複合材料。
  7. 請求項に記載のガラス複合材料において、
    前記無鉛ガラス組成物の含有量は40体積%以上100体積%未満であり、前記セラミックス粒子の含有量は0体積%超60体積%以下であることを特徴とするガラス複合材料。
  8. 請求項または請求項に記載のガラス複合材料において、
    前記セラミックス粒子は、リン酸タングステン酸ジルコニウム(Zr(WO)(PO)、石英ガラス(SiO)、ケイ酸ジルコニウム(ZrSiO)、アルミナ(Al)、ムライト(3Al・2SiO)及び酸化ニオブ(Nb)のいずれかを含むことを特徴とするガラス複合材料。
  9. 請求項乃至請求項のいずれか1項に記載のガラス複合材料において、
    前記セラミックス粒子は、リン酸タングステン酸ジルコニウム(Zr(WO)(PO)またはリン酸タングステン酸ジルコニウム(Zr(WO)(PO)を主体とする化合物であり、
    前記セラミックス粒子の含有量は、30体積%以上50体積%以下であることを特徴とするガラス複合材料。
  10. 請求項乃至請求項のいずれか1項に記載のガラス複合材料において、
    前記無鉛ガラス組成物の含有量は10体積%以上80体積%以下であり、
    前記金属粒子の含有量は20体積%以上90体積%以下であることを特徴とするガラス複合材料。
  11. 請求項乃至請求項10のいずれか1項に記載のガラス複合材料において、
    前記金属粒子は、金(Au)、銀(Ag)、銀合金、銅(Cu)、銅合金、アルミニウム(Al)、アルミニウム合金、スズ(Sn)及びスズ合金のうちの少なくとも1つを含むことを特徴とするガラス複合材料。
  12. 請求項10に記載のガラス複合材料において、
    前記金属粒子は、銀(Ag)又はアルミニウム(Al)を含み、前記金属粒子の含有量は、10体積%以上90体積%以下であることを特徴とするガラス複合材料。
  13. 請求項に記載のガラス複合材料において、
    前記無鉛ガラス組成物の含有量は5体積%以上100体積%未満であり、
    前記樹脂の含有量は0体積%超95体積%以下であることを特徴とするガラス複合材料。
  14. 請求項乃至請求項13のいずれか1項に記載のガラス複合材料において、
    前記樹脂は、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂又はフッ素樹脂を含むことを特徴とするガラス複合材料。
  15. 請求項乃至請求項14のいずれか1項に記載のガラス複合材料と、溶剤とを含むことを特徴とするガラスペースト。
  16. 請求項15に記載のガラスペーストにおいて、
    前記溶剤は、α−テルピネオールまたはブチルカルビトールアセテートであることを特徴とするガラスペースト。
  17. 内部空間と、
    請求項乃至請求項14のいずれか1項に記載のガラス複合材料から構成され、前記内部空間と外部との境界の少なくとも一部を隔てる封止部と、を備えることを特徴とする封止構造体。
  18. 請求項10乃至請求項12のいずれか1項に記載のガラス複合材料からなる電極、配線、導電性接合部又は放熱性接合部を備えることを特徴とする電気電子部品。
  19. 部材と、前記部材に形成された塗膜と、を備える塗装部品であって、
    前記部材は、金属、セラミックス、又はガラスの基材であり、
    前記塗膜は、請求項乃至請求項14のいずれか1項に記載のガラス複合材料を含むことを特徴とする塗装部品。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6972969B2 (ja) * 2017-11-28 2021-11-24 昭和電工マテリアルズ株式会社 封止材料及びこれを用いた複層ガラスパネル
JP2019123637A (ja) * 2018-01-16 2019-07-25 日立化成株式会社 接合材
JP6927154B2 (ja) * 2018-05-30 2021-08-25 昭和電工マテリアルズ株式会社 無鉛ガラス組成物ならびにそれを含むガラス複合材料、ガラスペーストおよび封止構造体
CN109049300B (zh) * 2018-10-09 2020-09-15 肇庆乐华陶瓷洁具有限公司 一种负离子精雕砖及其制备方法
JP6885433B2 (ja) * 2019-08-30 2021-06-16 昭和電工マテリアルズ株式会社 無鉛低融点ガラス組成物並びにこれを含む低融点ガラス複合材料及び低融点ガラスペースト並びにこれらを用いた封止構造体、電気電子部品及び塗装部品
JP6958600B2 (ja) * 2019-08-30 2021-11-02 昭和電工マテリアルズ株式会社 真空断熱複層ガラスパネル
JP7028226B2 (ja) * 2019-08-30 2022-03-02 昭和電工マテリアルズ株式会社 無鉛低融点ガラス組成物、低融点ガラス複合材料、ガラスペースト及び応用製品
EP4031195A4 (en) 2019-09-16 2023-11-29 ABK Biomedical Incorporated COMPOSITION OF RADIOACTIVE AND NON-RADIOACTIVE MICROPARTICLES
CN111847889A (zh) * 2020-08-26 2020-10-30 南通天盛新能源股份有限公司 一种玻璃粉及含该玻璃粉的银浆
CN114031298A (zh) * 2021-11-30 2022-02-11 深圳市绚图新材科技有限公司 一种导电浆料用的低熔点无铅玻璃粉及其制备方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5334558A (en) * 1992-10-19 1994-08-02 Diemat, Inc. Low temperature glass with improved thermal stress properties and method of use
EP2525626B1 (en) * 2010-03-05 2018-05-02 YEJ GLASS Co., Ltd. Lead-free glass material for organic-el sealing, organic el display formed using the same
JP5673316B2 (ja) * 2011-04-11 2015-02-18 日立化成株式会社 電子部品、それに適用されるアルミニウム電極用導電性ペースト、及びアルミニウム電極用ガラス組成物
JP5726698B2 (ja) 2011-07-04 2015-06-03 株式会社日立製作所 ガラス組成物、それを含むガラスフリット、それを含むガラスペースト、およびそれを利用した電気電子部品
JP5712123B2 (ja) * 2011-12-26 2015-05-07 株式会社日立製作所 複合材料
JP5732381B2 (ja) * 2011-12-26 2015-06-10 株式会社日立製作所 積層体及びこれを用いた有機el素子、窓、太陽電池モジュール
WO2014073086A1 (ja) * 2012-11-09 2014-05-15 株式会社 日立製作所 接合構造体とその製造方法
JP2015063445A (ja) * 2013-08-29 2015-04-09 セントラル硝子株式会社 無鉛ガラス及び封着材料
JP6350126B2 (ja) * 2014-08-29 2018-07-04 日立化成株式会社 無鉛低融点ガラス組成物並びにこれを含む低温封止用ガラスフリット、低温封止用ガラスペースト、導電性材料及び導電性ガラスペースト並びにこれらを利用したガラス封止部品及び電気電子部品
JP6350127B2 (ja) * 2014-08-29 2018-07-04 日立化成株式会社 無鉛低融点ガラス組成物並びにこれを含む低温封止用ガラスフリット、低温封止用ガラスペースト、導電性材料及び導電性ガラスペースト並びにこれらを利用したガラス封止部品及び電気電子部品
TWI505294B (zh) * 2014-12-08 2015-10-21 Giga Solar Materials Corp 一種含無鉛玻璃熔塊之導電漿(六)

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