JP6681061B2 - レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置 - Google Patents
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Description
第1発明のレジスト剥離方法は、レジストが形成された基板を所定の圧力以下に維持された空間内に配置した状態で、該空間内に水素源を含有する混合気体を供給し、該空間内に配置された加熱された触媒体に混合気体を接触させて水素ラジカルおよび水酸基ラジカルを発生させて、発生した水素ラジカルおよび水酸基ラジカルによってレジストを剥離する方法であって、前記混合気体が酸素ガスを含有しており、前記混合気体に含有されている酸素ガスの単位時間あたりの体積流量が、水素源中の水素原子の単位時間あたりの体積流量に対して0.1〜2vol%であることを特徴とする。
第2発明のレジスト剥離方法は、第1発明において、前記基板の加熱温度が、90〜250℃であることを特徴とする。
第3発明のレジスト剥離方法は、レジストが形成された基板を所定の圧力以下に維持された空間内に配置した状態で、該空間内に水素源を含有する混合気体を供給し、該空間内に配置された加熱された触媒体に混合気体を接触させて水素ラジカルおよび水酸基ラジカルを発生させて、発生した水素ラジカルおよび水酸基ラジカルによってレジストを剥離する方法であって、前記混合気体が酸素ガスを含有しており、前記基板の加熱温度が、90〜250℃であることを特徴とする。
第4発明のレジスト剥離方法は、第3発明において、前記混合気体に含有されている酸素ガスの単位時間あたりの体積流量が、水素源中の水素原子の単位時間あたりの体積流量に対して0.1〜2vol%であることを特徴とする。
第5発明のレジスト剥離方法は、第1、第2、第3または第4発明において、前記空間内の圧力を20Pa未満に調整し、前記基板を90℃以上に加熱することを特徴とする。
(レジスト剥離装置)
第6発明のレジスト剥離装置は、水素ラジカルおよび水酸基ラジカルを使用してレジストを剥離する装置であって、レジストが形成された基板を収容する収容部と、該収容部内に配置された、加熱可能に設けられた触媒体と、前記収容部内の圧力を調整する圧力調整手段と、前記収容部内に水素源と酸素ガスを含有する混合気体を供給する混合気体供給部と、前記基板の温度を90〜250℃に調整する基板温度調節器と、を備えており、前記触媒体は、所定の温度まで加熱されており混合気体が接触すると水素ラジカルおよび水酸基ラジカルを発生させるものであり、前記混合気体供給部は、前記混合気体中の酸素ガスの単位時間あたりの体積流量が水素源中の水素原子の単位時間あたりの体積流量に対して0.1〜2vol%となるように、水素源を含有する気体に酸素ガスを添加する酸素添加部を備えていることを特徴とする。
第7発明のレジスト剥離装置は、第6発明において、前記基板のレジスト層の厚さを測定する膜厚測定手段を備えており、該膜厚測定手段は、前記収容部から該収容部内の空間に対して光を照射する膜厚測定計と、前記収容部内に設けられた、前記膜厚測定計から照射された光を前記基板に照射し、かつ、前記基板で反射した光を前記膜厚測定計に照射する光学系と、を備えていることを特徴とする。
第8発明のレジスト剥離装置は、第6または第7発明において、前記触媒体が、線状材料からなる螺旋状の螺旋状構造部を有しており、該螺旋状構造部は、中央部から両端部に向かってピッチが短くなるように形成されていることを特徴とする。
第1発明によれば、混合気体が酸素ガスを含有しているので、混合気体を触媒体に接触させれば、水素ラジカルとともに水酸基ラジカルを発生させることができる。すると、水素ラジカルと水酸基ラジカルの相乗効果により、水素ラジカルだけの場合に比べて、レジストの剥離速度を速くすることができる。しかも、混合気体中の水素源中の水素原子の流量に対する酸素ガスの流量が相乗効果を得る上で適切な流量に調整されているので、触媒体の酸化劣化や水素ラジカル量の低下を招くことなく、レジストの剥離をより効果的に行うことができる。
第2発明によれば、基板の温度を低くした状態でもレジストの剥離速度を速くできるので、基板が熱に弱いものでも生産性を高くすることができる。
第3発明によれば、混合気体が酸素ガスを含有しているので、混合気体を触媒体に接触させれば、水素ラジカルとともに水酸基ラジカルを発生させることができる。しかも、基板温度が適切な範囲に調整されているので、水素ラジカルと水酸基ラジカルの相乗効果により、水素ラジカルだけの場合に比べて、レジストの剥離速度を速くすることができる。
第4発明によれば、酸素ガスの単位時間あたりの体積流量が相乗効果を得る上で適切な量に調整されているので、触媒体の酸化劣化や水素ラジカル量の低下を招くことなく、レジストの剥離をより効果的に行うことができる。
第5発明によれば、レジストの剥離速度を飛躍的に上昇させることができる。
(レジスト剥離装置)
第6発明によれば、混合気体に酸素ガスが含有されているので、混合気体が触媒体に接触すれば、水素ラジカルとともに水酸基ラジカルも発生する。すると、水素ラジカルと水酸基ラジカルの相乗効果により、水素ラジカルだけの場合に比べて、レジストの剥離速度を速くすることができる。しかも、酸素ガスの単位時間あたりの体積流量や基板の温度を、水素ラジカルと水酸基ラジカルの相乗効果を得る上で適切な状態に調整できるので、触媒体の酸化劣化や水素ラジカル量の低下を招くことなく、レジストの剥離をより効果的に行うことができる。
第7発明によれば、レジストの厚さを正確に測定できるので、レジスト剥離の終了を適確に把握することができ、基板がエッチングされることを回避できる。しかも、収容部内に測定装置を設ける必要がないし、測定装置に特別な保護をしなくてもよい。したがって、収容部の大型化や装置の構造が複雑になることを防ぐことができる。
第8発明によれば、螺旋状構造部の螺旋構造は、中央部分は疎になり、端部にいくにつれて密になるので、螺旋状構造部の温度を均一にすることができる。すると、螺旋状構造部のどの位置でも、生成する水素ラジカルや水酸基ラジカルの量を同じにすることができる。したがって、基板表面のどの位置でもほぼ同じ状態の水素ラジカルや水酸基ラジカルを接触させることができるので、レジストを基板表面のどの位置でも均一に剥離することができる。
なお、以下では、レジストを剥離する基板として、一般的なシリコン基板にレジストを形成した場合を代表として説明する。
つぎに、本実施形態のレジスト剥離方法について説明する。
以上のごとき構造を有するレジスト剥離装置1を使用して、本実施形態のレジスト剥離方法によりレジストRを剥離する作業を説明する。
文献A:J. A. Kerr and M. J. Parsonage, Butterworths, 384, London 1972; K. Hoyermann, A.W. Preuss and H.G. Wagner, Ber. Bunsenges. Phys. Chem., 79(2): 156-65 (1975); J.M. Nicovich and A.R Ravishankara, J. Phys. Chem., 88(12), 2534-2541 (1984); D. L. Baulch, C. J. Cobos, R. A. Cox RA, C. Esser, P. Frank, Th. Just, J. A. Kerr, M. J. Pilling, J. Troe, R. W. Walker, J. Warnatz, J. Phys. Chem. Ref. Data, 21(6), 411-429 (1992).
文献B:D. L. Baulch, C. J. Cobos, R. A. Cox, P. Frank, G. Hayman, Th. Just, J. A. Kerr, T. Murrells, M. J. Pilling, J. Troe, R. W. Walker and J. Warnatz, J. Phys. Chem. Ref. Data, 23, 847-1033 (1994); M. Tappe, V. Schliephake, H. Cg. Wagner, Z. Phys. Chem., 162(2), 129-145(1989); J. M. Nicovich, C. A. Gump, A. R. Ravishankara, J. Phys. Chem., 86(9), 1690-1694(1982).
混合気体Aにおいて、水素源の流量(つまり水素源中の水素原子の流量)に対する酸素の量(酸素の流量)は、上述したように、水素源の流量の0.1〜2vol%が好ましい。水素源の流量に対する酸素の量が2vol%よりも多ければ、過剰な酸素の影響で水素ラジカルが消費されてしまい、レジスト剥離速度が低下する。また、触媒体10の螺旋状構造部10aの酸化劣化が生じて、水素ラジカルや水酸基ラジカルの生成効率も低下する。逆に、水素源の流量に対する酸素の量が0.1vol%よりも少なければ、酸素添加の効果がほとんど得られなくなる。したがって、酸素添加により発生する水酸基ラジカルと水素ラジカルの相乗効果を適切に発揮させる上では、水素源の流量に対して添加する酸素の量は、0.1〜2vol%が好ましく、0.3〜1vol%がより好ましい。
収容部2の空間2h内の圧力は、低圧が好ましく、1000Pa以下であればよく、とくに限定されない。収容部2の空間2h内の圧力を低圧にすることが好ましい理由は以下のとおりである。
シリコン基板Sの加熱温度はとくに限定されず、レジストRの剥離が促進でき、熱によるシリコン基板Sの損傷が生じない温度であればよい。シリコン基板Sの温度が高いほどレジストRを剥離する時間を短くできるので、通常のシリコン基板Sであれば、150〜250℃程度に加熱することが望ましい。
つぎに、上述したレジスト剥離装置1の一例について、詳細に説明する。
図1に示すように、レジスト剥離装置1は、収容部2を備えている。この収容部2は、レジストRが形成されたシリコン基板Sを収容するために中空な空間2hを有している。この収容部2は、空間2h内を後述する圧力調整手段3によって気体を排出すれば、空間2h内を所定の圧力に維持できるように形成されている。例えば、収容部2の空間2h内の気圧を、10−7〜103 Pa程度の状態にできるように収容部2は形成されている。
この収容部2には、収容部2の空間2h内の圧力を調整する圧力調整手段3が設けられている。この圧力調整手段3は、収容部2の空間2hと配管等によって連通された真空ポンプ3pと、収容部2の空間2h内の圧力を測定する圧力計3sと、を備えている。また、圧力調整手段3は、真空ポンプ3pの作動を制御する制御部3cを備えている。この制御部3cは、圧力計3sからの信号に基づいて、収容部2の空間2h内を設定された圧力に維持するように真空ポンプ3pの作動を制御する機能を有している。例えば、収容部2の空間2h内が所定の圧力よりも高くなると、制御部3cは、真空ポンプ3pを作動させて、空間2h内を所定の圧力まで低下させる機能を有している。
図1に示すように、収容部2内には、シリコン基板Sを配置するためのテーブル5が設けられている。このテーブル5には、基板温度調節器6が設けられている。この基板温度調節器6は、テーブル5上に載せられたシリコン基板Sを加熱する加熱器6hと、シリコン基板Sを冷却する冷却器6rと、シリコン基板Sの温度を測定する温度計6sと、を備えている。そして、温度計6sの信号に基づいて、加熱器6hおよび冷却器6rの作動を制御する制御部6cを備えている。この基板温度調節器6を設けることによって、テーブル5上に載せられたシリコン基板Sを所定の温度に維持することができる。
図1に示すように、テーブル5の上方には、触媒体10が設けられている。この触媒体10の螺旋状構造部10aは、タングステンやチタン、タンタル、コバルト、白金、ニッケル、ルテニウム(ルテニウム被膜付タングステン)、イリジウム等の金属からなる線材によって形成されており、螺旋状に形成された螺旋状構造部10aを有している。
なお、触媒体10の螺旋状構造部10aの素材には、酸化劣化を抑制する上では、高温でも耐酸化性の強いルテニウムやイリジウムを用いることが有効である。ルテニウムやイリジウムを用いれば、高温下で酸素濃度を高くしても酸化劣化しにくくなるため、より水酸基ラジカルの生成量を増加させることが期待できる。
なお、螺旋状構造部10aは、その直径や軸長はとくに限定されず、レジストRを剥離するシリコン基板Sの大きさに合わせて適切な大きさのものを使用すればよい。例えば、シリコン基板Sが直径76.2mmの場合には、螺旋状構造部10aは、直径10mm、軸長60mm程度が好ましい。
一方、上述したように、シリコン基板Sと螺旋状構造部10aとの距離を近づけすぎると、螺旋状構造部10aからの輻射熱等による基板加熱の影響が強くなるため、シリコン基板Sへの熱的ダメージに配慮する必要がある。
したがって、レジスト剥離効率とシリコン基板Sの損傷防止を両立させる上では、シリコン基板Sと螺旋状構造部10aの距離は、10〜200mm程度が好ましく、20〜60mm程度がより好ましい。
温度計測部12は、螺旋状部10aの温度を測定できるものであればどのようなセンサーを使用してもよい。螺旋状部10aは非常に高温(2000℃以上)となるので、温度計測部12は非接触で螺旋状部10aの温度を測定できるものが好ましい。例えば、赤外放射温度計等を温度計測部12として使用することができる。赤外放射温度計を温度計測部12として使用する場合、螺旋状部10aから放射される赤外光を温度計測部12が受光できる構成であれば、どのような装置構成を採用してもよい。例えば、図1に示すように、収容部2に石英窓等の光を透過する窓12aを設ければ、その窓12aを通して螺旋状部10aから放射される赤外光を温度計測部12が受光できるので、螺旋状部10aの温度を測定することができる。
図1に示すように、収容部2には、混合気体供給部20が接続されている。この混合気体供給部20は、収容部2の空間2hに水素源を含有する混合気体Aを供給するものであり、水素源が充填された水素源ボンベ21と、水素源ボンベ21と収容部2の空間2hとの間を連通する配管22を備えている。なお、配管22には、バルブ22vが設けられており、水素源ボンベ21と収容部2の空間2hとの間を連通遮断することができるようになっている。
通常の水素ラジカルによるレジスト剥離では、水素ラジカルによるシリコン基板Sのエッチングが生じる可能性がある。このため、レジストRの剥離状況(レジストRの残り厚さ)を監視して、処理の終了タイミングをコントロールすることが重要になる。
複数枚のミラー44〜47は、石英窓43から収容部2内に照射された光をテーブル5の上方に反射するミラー44と、ミラー44が反射した光をテーブル5に向けて(つまりテーブル5上のシリコン基板Sに向けて)反射するミラー45とを備えている。また、テーブル5上のシリコン基板Sで反射した光を下方に反射するミラー46と、ミラー46で反射した光を、石英窓43を通して膜厚測定計41に向けて反射するミラー47とを備えている。
なお、光学系42の構成は、図1に示す構成に限定されず、図2に示すような構成としてもよい。具体的には、収容部2の上面に石英窓43を設けており、収容部2の外部に、石英窓43を通して膜厚測定計41から照射された光をテーブル5上のシリコン基板Sに向けて反射するミラー44と、テーブル5上のシリコン基板Sで反射した光を膜厚測定計41に向けて反射するミラー45とを設けている。この構成とすれば、ミラーの枚数を減らすことができるし、収容部2の空間2h内にミラーを設置しなくてもよくなるので、装置の構成をより簡素化できる。しかも、収容部2の空間2h内にレジストRの剥離に必要な物体以外を設けないので、ラジカル流の不均一化によるレジストRの剥離が不均一化したり収容部2内のスペース利用効率が低下したりする等の問題が生じることもない。
実験では、水素に酸素を添加した混合ガスを使用してレジスト剥離を行った場合において、種々の条件を変化させて、各条件がレジストの剥離速度に与える影響を確認した。
実験では、上述したレジスト剥離装置(図1参照)と同等の構造を有する装置を使用した。レジスト剥離装置は、収容部内に直流電流源(高砂(株)、EX-750L2)に接続された触媒体(タングステン製フィラメント;純度99.95%、直径0.7mm、長さ500mm、ニラコ(株))を有するものを使用した。
また、基板温度は、熱電対式温度計で測定した。そして、この測定温度に基づいて、基板温度調整器(冷却器:EYELA製、CCA−1100、加熱器:ヒータ線)によって基板温度を所定の温度に維持した。
また、レジスト膜厚は、光干渉計測で測定した。測定光源には波長532nmのレーザ(LASER-ELEMENT、LCM-RGB-011LN)を使用し、受光素子にはフォトトランジスタ(新日本無線(株)、NJL7502L)を使用した。なお、レーザ光のレジストへの入射角は約70°、入射偏光はs偏光とした。
まず、上述したようなレジスト剥離装置によってレジストを剥離した際のレジスト剥離速度および平均基板温度を決定するために、予備試験を行った。予備実験における実験条件を表1に示す。
なお、nはレジストの屈折率(1.66)、λはレーザ波長(532nm)である。
平均基板温度
つぎに、レジスト剥離速度に酸素添加量が与える影響を確認した。
実験では、酸素添加量を、0、0.3、0.5、1.0、2.0vol%と変化させて、各添加量でのレジスト剥離速度を確認した。なお、その他の条件は、表1の条件で行った。
図3(B)に示すように、酸素添加量が0.5vol%でレジスト剥離速度が最大となった。そのときの剥離速度は、水素ラジカルのみの場合(0vol%)の1.4倍であり、酸素を添加することで、剥離速度を大幅に向上できることを確認した。
一方、それ以上の酸素添加量では、水素ラジカルのみの場合(0vol%)よりもレジスト剥離速度は速いものの、レジスト剥離速度は低下した。この理由は、過度の酸素添加は触媒体の酸化劣化および水素ラジカルの減少を招くため、剥離速度が低下するものと考えられる。
つぎに、基板温度と酸素添加量がレジスト剥離速度に与える影響を確認した。
実験では、酸素添加量を0、0.3、0.5、1.0、2.0vol%と変化させ、かつ、基板温度を70〜150℃まで変化させて、レジスト剥離速度を確認した。なお、その他の条件は、表1の条件で行った。
図4(A)に示すように、水素ラジカルのみの場合は、基板温度に対してレジスト剥離速度は線形に増加した。一方、酸素添加すると、およそ110℃以上でレジスト剥離速度が指数関数的に増加した。これは、反応性の高い水酸基ラジカルが生成したからであると考えられる。
レジストをより高速に剥離できる条件を検討した。高速化を図るために、実験条件は表2に示すように変更し、各条件を以下のように設定した。
つぎに、触媒体温度を高くすることでラジカルを高濃度に生成できるので、触媒体温度を2200℃まで上昇させた。また、触媒体温度を高温にすることにより、高いエネルギーの水素ラジカルを生成できる。
さらに、触媒体と基板との距離を近づけることにより高いエネルギーの水素ラジカルをレジストと反応させることできるので、触媒体と基板との距離を20mmまで近づけた。
酸素添加量0.5sccmにおいて、レジスト剥離速度の向上が確認できた。一方で、約1700nm/minで剥離速度の頭打ちが起こった。これは、チャンバー内において、ガス(レジストの分解生成物)のよどみが発生したことが原因と考えられる。
図4(B)で見られた剥離速度の頭打ちの原因であるよどみがガスの循環不良によるものと想定し、ガスの循環を良好にするために容器内を減圧することが有効と考えた。実験条件を表3に示すように変更した。触媒体温度は2200℃とした。酸素は添加せず、水素ガス流量は100sccmに固定した。なお、水素ガス圧力は、よどみの状況を把握するために、一般的な水素ラジカルによるレジスト剥離を行う場合の圧力よりも低い、5〜40Paの間で調整した。
図5(A)は、平均基板温度に対するレジスト剥離速度をプロットしたものである。図5(A)に示すように、レジスト剥離速度は各水素ガス圧力において基板温度に対してほぼ指数関数的に増加した。
実験条件を表4に示すように変更し、圧力を5Paまで減圧した。圧力を減圧にすることにより、ガス滞在時間が短くなり、よどみの解消が期待できる。しかも、水素ラジカルの持つエネルギーを損なうことなく基板まで到達させることができるため、反応速度の向上が期待できる。
図6に示すように、図4(B)で見られたようなレジスト剥離速度の頭打ちが解消された。基板温度がおよそ90℃以上で剥離速度が増加しはじめており、110℃程度で4μm/minを達成している。つまり、この条件とすることにより、低温においてレジスト剥離の高速処理が実現できることが確認された。
2 収容部
3 圧力調整手段
10 触媒体
10a 螺旋状構造部
20 混合気体供給部
25 酸素供給部
40 膜厚測定手段
41 膜厚測定計
42 光学系
S シリコン基板
R レジスト
A 混合気体
Claims (8)
- レジストが形成された基板を所定の圧力以下に維持された空間内に配置した状態で、該空間内に水素源を含有する混合気体を供給し、該空間内に配置された加熱された触媒体に混合気体を接触させて水素ラジカルおよび水酸基ラジカルを発生させて、発生した水素ラジカルおよび水酸基ラジカルによってレジストを剥離する方法であって、
前記混合気体が酸素ガスを含有しており、
前記混合気体に含有されている酸素ガスの単位時間あたりの体積流量が、水素源中の水素原子の単位時間あたりの体積流量に対して0.1〜2vol%である
ことを特徴とするレジスト剥離方法。 - 前記基板の加熱温度が、90〜250℃である
ことを特徴とする請求項1記載のレジスト剥離方法。 - レジストが形成された基板を所定の圧力以下に維持された空間内に配置した状態で、該空間内に水素源を含有する混合気体を供給し、該空間内に配置された加熱された触媒体に混合気体を接触させて水素ラジカルおよび水酸基ラジカルを発生させて、発生した水素ラジカルおよび水酸基ラジカルによってレジストを剥離する方法であって、
前記混合気体が酸素ガスを含有しており、
前記基板の加熱温度が、90〜250℃である
ことを特徴とするレジスト剥離方法。 - 前記混合気体に含有されている酸素ガスの単位時間あたりの体積流量が、水素源中の水素原子の単位時間あたりの体積流量に対して0.1〜2vol%である
ことを特徴とする請求項3記載のレジスト剥離方法。 - 前記空間内の圧力を20Pa未満に調整し、前記基板を90℃以上に加熱する
ことを特徴とする請求項1、2、3または4記載のレジスト剥離方法。 - 水素ラジカルおよび水酸基ラジカルを使用してレジストを剥離する装置であって、
レジストが形成された基板を収容する収容部と、
該収容部内に配置された、加熱可能に設けられた触媒体と、
前記収容部内の圧力を調整する圧力調整手段と、
前記収容部内に水素源と酸素ガスを含有する混合気体を供給する混合気体供給部と、
前記基板の温度を90〜250℃に調整する基板温度調節器と、を備えており、
前記触媒体は、
所定の温度まで加熱されており混合気体が接触すると水素ラジカルおよび水酸基ラジカルを発生させるものであり、
前記混合気体供給部は、
前記混合気体中の酸素ガスの単位時間あたりの体積流量が水素源中の水素原子の単位時間あたりの体積流量に対して0.1〜2vol%となるように、水素源を含有する気体に酸素ガスを添加する酸素添加部を備えている
ことを特徴とするレジスト剥離装置。 - 前記基板のレジスト層の厚さを測定する膜厚測定手段を備えており、
該膜厚測定手段は、
前記収容部外から該収容部内の空間に対して光を照射する膜厚測定計と、
前記収容部内に設けられた、前記膜厚測定計から照射された光を前記基板に照射し、かつ、前記基板で反射した光を前記膜厚測定計に照射する光学系と、を備えている
ことを特徴とする請求項6記載のレジスト剥離装置。 - 前記触媒体が、
線状材料からなる螺旋状の螺旋状構造部を有しており、
該螺旋状構造部は、
中央部から両端部に向かってピッチが短くなるように形成されている
ことを特徴とする請求項6または7記載のレジスト剥離装置。
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