JP6675577B2 - 半導体ウエハ支持基板 - Google Patents
半導体ウエハ支持基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6675577B2 JP6675577B2 JP2015019843A JP2015019843A JP6675577B2 JP 6675577 B2 JP6675577 B2 JP 6675577B2 JP 2015019843 A JP2015019843 A JP 2015019843A JP 2015019843 A JP2015019843 A JP 2015019843A JP 6675577 B2 JP6675577 B2 JP 6675577B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- semiconductor wafer
- support substrate
- content
- sio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
Xc:結晶化度
Ic:結晶質部分によるX線回折強度の積分値
Ia:非晶質部分によるX線回折強度の積分値
上記構成によれば、弾性率の高い半導体ウエハ支持基板を容易に得ることができる。
Claims (5)
- ガラス組成として質量%で、SiO2 64.1〜75%、Al2O3 15〜25%、Li2O 2〜5%、Na2O 0〜1%、K2O 0〜1%、MgO 0〜3%、BaO 0〜2%、TiO2 1〜3%、ZrO2 0〜3%、TiO2+ZrO2 3〜5%、P2O5 0〜3%、SnO2 0.1〜0.5%、ZnO 0〜1%を含有する結晶化ガラスからなり、表面粗さが0.1〜1.2nmであることを特徴とする半導体ウエハ支持基板。
- 主結晶としてβ─石英固溶体が析出している結晶化ガラスからなることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウエハ支持基板。
- 結晶化度が質量%で60%以上である結晶化ガラスからなることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体ウエハ支持基板。
- 弾性率が88GPa以上である結晶化ガラスからなることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の半導体ウエハ支持基板。
- 厚みが0.5〜4mmであることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の半導体ウエハ支持基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015019843A JP6675577B2 (ja) | 2015-02-04 | 2015-02-04 | 半導体ウエハ支持基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015019843A JP6675577B2 (ja) | 2015-02-04 | 2015-02-04 | 半導体ウエハ支持基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016141607A JP2016141607A (ja) | 2016-08-08 |
JP6675577B2 true JP6675577B2 (ja) | 2020-04-01 |
Family
ID=56569594
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015019843A Active JP6675577B2 (ja) | 2015-02-04 | 2015-02-04 | 半導体ウエハ支持基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6675577B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6922276B2 (ja) * | 2017-03-13 | 2021-08-18 | 日本電気硝子株式会社 | 支持結晶化ガラス基板及びこれを用いた積層体 |
JP7004234B2 (ja) * | 2017-05-30 | 2022-01-21 | 日本電気硝子株式会社 | 支持結晶化ガラス基板の製造方法 |
JP2019001698A (ja) * | 2017-06-13 | 2019-01-10 | 日本電気硝子株式会社 | 支持ガラス基板の製造方法 |
CN113423671A (zh) * | 2019-03-22 | 2021-09-21 | 日本电气硝子株式会社 | Li2O-Al2O3-SiO2系结晶化玻璃 |
JPWO2020217792A1 (ja) * | 2019-04-23 | 2020-10-29 | ||
CN112390534A (zh) * | 2019-08-12 | 2021-02-23 | 浙江矽瓷科技有限公司 | 一种可用于气密性封装的低温共烧低电压可阳极键合微晶玻璃材料及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3388453B2 (ja) * | 1994-03-25 | 2003-03-24 | Hoya株式会社 | X線マスク又はx線マスク材料の支持体用ガラス、x線マスク材料及びx線マスク |
US5968857A (en) * | 1997-03-31 | 1999-10-19 | Corning Incorporated | Glass-ceramics |
JP3767260B2 (ja) * | 1999-08-02 | 2006-04-19 | 日本電気硝子株式会社 | Li2O−Al2O3−SiO2系結晶化ガラス及び結晶性ガラス |
CN1278973C (zh) * | 2000-08-24 | 2006-10-11 | 肖特股份有限公司 | 透明玻璃陶瓷及其生产方法和用途 |
DE10346197B4 (de) * | 2003-09-30 | 2006-02-16 | Schott Ag | Glaskeramik, Verfahren zur Herstellung einer solchen und Verwendung |
JP4702696B2 (ja) * | 2004-08-20 | 2011-06-15 | 日本電気硝子株式会社 | 結晶化ガラスの使用方法及び結晶化ガラスの製造方法 |
ES2344267T5 (es) * | 2006-03-20 | 2015-11-02 | Schott Ag | Vidrio de litio, alúmina y silicato con unos cortos períodos de tiempo de ceramización |
JP5650387B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2015-01-07 | 株式会社オハラ | 結晶化ガラス |
JP2011111364A (ja) * | 2009-11-27 | 2011-06-09 | Ohara Inc | 陽極接合用ガラス |
FR2990690B1 (fr) * | 2012-05-15 | 2016-01-01 | Eurokera | Vitroceramiques de quartz-beta, transparentes, essentiellement incolores et non diffusantes; articles en lesdites vitroceramiques; verres precurseurs |
JP2014091637A (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-19 | Ohara Inc | 結晶化ガラス |
JP2015020944A (ja) * | 2013-07-24 | 2015-02-02 | 日本電気硝子株式会社 | Li2O−Al2O3−SiO2系結晶性ガラスの評価方法及びこれを用いた結晶化ガラスの製造方法 |
-
2015
- 2015-02-04 JP JP2015019843A patent/JP6675577B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016141607A (ja) | 2016-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6675577B2 (ja) | 半導体ウエハ支持基板 | |
US9236075B2 (en) | Crystallized glass and crystallized glass substrate for information recording medium | |
TWI806992B (zh) | 玻璃基板、液晶天線及高頻裝置 | |
JP6593669B2 (ja) | 支持ガラス基板及びこれを用いた搬送体 | |
TW202400533A (zh) | 高頻裝置用玻璃基板與高頻裝置用電路基板 | |
US6593257B1 (en) | Glass-ceramic composition for recording disk substrate | |
TWI701223B (zh) | 積層體、半導體封裝體及其製造方法、以及電子設備 | |
KR19980080877A (ko) | 유리-세라믹 | |
US20210261456A1 (en) | Glass substrate for high frequency device, liquid crystal antenna and high frequency device | |
JP2010537928A (ja) | 耐熱性ガラスセラミック | |
WO2019177069A1 (ja) | 無アルカリガラス | |
US6524982B1 (en) | Glass-ceramic composition for recording disk substrate | |
JP2006001828A (ja) | 結晶化ガラス | |
US6514890B1 (en) | Glass-ceramic composition for recording disk substrate | |
CN116444161A (zh) | 化学强化玻璃和微晶玻璃以及它们的制造方法 | |
JP2003192385A (ja) | ガラスセラミックス及び温度補償部材 | |
CN113692395B (zh) | 玻璃陶瓷制品、组合物及其制造方法 | |
US6458728B1 (en) | Glass-ceramic composition for recording disk substrate | |
US6596659B1 (en) | Glass-ceramic composition for recording disk substrate | |
US6573206B1 (en) | Glass-ceramic composition for recording disk substrate | |
US6624101B1 (en) | Glass-ceramic composition for recording disk substrate | |
TW202319363A (zh) | 無鹼玻璃板 | |
TW202311188A (zh) | 無鹼玻璃板 | |
TW202311189A (zh) | 無鹼玻璃板 | |
CN117561228A (zh) | 无碱玻璃板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180105 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190107 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190306 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190830 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190909 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200210 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200223 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6675577 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |