JP7004234B2 - 支持結晶化ガラス基板の製造方法 - Google Patents
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Description
10、26 支持結晶化ガラス基板
11、24 加工基板
12 剥離層
13、21、25 接着層
20 支持部材
22 半導体チップ
23 封止材
28 配線
29 半田バンプ
Claims (12)
- 加工基板を支持するための支持結晶化ガラス基板の製造方法において、
溶融ガラスを成形してガラス基板を得る成形工程と、該ガラス基板を熱処理して、二珪酸リチウムとα-クォーツが析出した支持結晶化ガラス基板を得る熱処理工程と、を備え、
支持結晶化ガラス基板が、組成として、質量%で、SiO2 50~85%、Al2O3 0.1~15%、B2O3 0~10%、P2O5 0~15%、Li2O 2~15%、Na2O 0~5%、K2O 0~5%、MgO 0~10%、CaO 0~5%、SrO 0~5%、BaO 0~5%、ZnO 0~5%、ZrO2 0~10%を含有することを特徴とする支持結晶化ガラス基板の製造方法。 - 結晶化ガラス基板に、β-ユークリプタイト、β-スポジュメン、β-クリストバライト、β-クォーツ及びこれらの固溶体が析出していないことを特徴とする請求項1に記載の支持結晶化ガラス基板の製造方法。
- 加工基板の熱膨張係数に整合するように、ガラス基板を熱処理して、支持結晶化ガラス基板の結晶化度を変化させることを特徴とする請求項1又は2に記載の支持結晶化ガラス基板の製造方法。
- 加工基板の熱膨張係数に整合するように、ガラス基板を熱処理して、支持結晶化ガラス基板中のα-クリストバライト及び/又はα-クォーツの析出割合を変化させることを特徴とする請求項1~3の何れかに記載の支持結晶化ガラス基板の製造方法。
- 支持結晶化ガラス基板の30~380℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が6ppm/℃超であり、且つ19.5ppm/℃以下であることを特徴とする請求項1~4の何れかに記載の支持結晶化ガラス基板の製造方法。
- 支持結晶化ガラス基板が、組成として、質量%で、SiO2 70~78%、Al2O3 0.1~15%、B2O3 0~10%、P2O5 0~15%、Li2O 6~12%、Na2O 0~5%、K2O 0~5%、MgO 0~10%、CaO 0~5%、SrO 0~5%、BaO 0~5%、ZnO 0~5%、ZrO2 0~10%を含有することを特徴とする請求項1~5の何れかに記載の支持結晶化ガラス基板の製造方法。
- ガラス基板の板厚が0.4mm以上、且つ2mm未満になるように、溶融ガラスを成形することを特徴とする請求項1~6の何れかに記載の支持結晶化ガラス基板の製造方法。
- 熱処理工程後に、支持結晶化ガラス基板の表面を研磨して、全体板厚偏差を5μm以下に低減する研磨工程を備えることを特徴とする請求項1~7の何れかに記載の支持結晶化ガラス基板の製造方法。
- 加工基板が、少なくとも封止材でモールドされた半導体チップを備えることを特徴とする請求項1~8の何れかに記載の支持結晶化ガラス基板の製造方法。
- 少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持結晶化ガラス基板とを備える積層体を作製する積層工程と、
積層体中の加工基板に対して、加工処理を行う加工処理工程と、を備えると共に、
支持結晶化ガラス基板が、請求項1~9の何れかに記載の支持結晶化ガラス基板の製造方法により作製されていることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。 - 加工処理が、加工基板の一方の表面に配線する処理を含むことを特徴とする請求項10に記載の半導体パッケージの製造方法。
- 加工処理が、加工基板の一方の表面に半田バンプを形成する処理を含むことを特徴とする請求項10又は11に記載の半導体パッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2017106321A JP7004234B2 (ja) | 2017-05-30 | 2017-05-30 | 支持結晶化ガラス基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2018203544A JP2018203544A (ja) | 2018-12-27 |
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JP2017106321A Active JP7004234B2 (ja) | 2017-05-30 | 2017-05-30 | 支持結晶化ガラス基板の製造方法 |
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JP (1) | JP7004234B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7388004B2 (ja) * | 2019-05-30 | 2023-11-29 | 株式会社レゾナック | 半導体装置の製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001019490A (ja) | 1998-03-23 | 2001-01-23 | Ohara Inc | ガラスセラミックス |
WO2003072520A1 (fr) | 2002-02-27 | 2003-09-04 | Kabushiki Kaisha Ohara | Procede de production de vitroceramique et methode de controle de la qualite de celle-ci |
JP2016113341A (ja) | 2014-12-17 | 2016-06-23 | 日本電気硝子株式会社 | 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体 |
JP2016141607A (ja) | 2015-02-04 | 2016-08-08 | 日本電気硝子株式会社 | 半導体ウエハ支持基板 |
JP2016160135A (ja) | 2015-03-02 | 2016-09-05 | 日本電気硝子株式会社 | 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体 |
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2017
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001019490A (ja) | 1998-03-23 | 2001-01-23 | Ohara Inc | ガラスセラミックス |
WO2003072520A1 (fr) | 2002-02-27 | 2003-09-04 | Kabushiki Kaisha Ohara | Procede de production de vitroceramique et methode de controle de la qualite de celle-ci |
JP2016113341A (ja) | 2014-12-17 | 2016-06-23 | 日本電気硝子株式会社 | 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体 |
JP2016141607A (ja) | 2015-02-04 | 2016-08-08 | 日本電気硝子株式会社 | 半導体ウエハ支持基板 |
JP2016160135A (ja) | 2015-03-02 | 2016-09-05 | 日本電気硝子株式会社 | 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018203544A (ja) | 2018-12-27 |
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A621 | Written request for application examination |
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A521 | Written amendment |
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