JP6674030B2 - スパイラル熱交換器を用いた重合 - Google Patents

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Description

優先権
本発明は、2015年9月14日に出願された米国特許出願第62/234,518号及び2016年1月19日に出願された欧州特許出願第15197445.8号の優先権及び利益を主張する。
発明の分野
本発明は、少なくとも1つのスパイラル熱交換器を用いる新規な重合プロセスに関する。
ポリオレフィンなどのポリマーを製造するための重合プロセスは、非常に発熱性であり、従って、重合プロセス中に熱を除去する必要がある。典型的な例として、シェル及びチューブ熱交換器が、重合プロセスから熱を除去するために使用されてきた。例えば、米国特許第5,977,251号は、1つ又は複数のシェル及びチューブ熱交換器を利用する重合プロセスを一般的に開示している。しかしながら、シェル及びチューブ熱交換器の熱伝達に充分な表面積を提供するのに必要な高い体積容量に起因して、シェル及びチューブ熱交換器には高い圧力降下がある。また、シェル及びチューブ熱交換器は、許容可能な熱伝達係数を達成するために一定の内部構造又は静的ミキサーを更に必要とし、ただでさえ高い圧力降下を増大させるので、結果として再循環率及び生産速度が制限される。
WO 00/61644号には、質量重合又は溶媒重合によってビニル芳香族化合物を含むポリマーを連続的に製造する方法が開示されており、供給材料はスパイラル熱交換器に供給され、その中で反応する。関係のある他の参照文献は以下を含む。即ち、EP 0 926 161号、WO 97/36942号、米国特許第5,977,251号、WO 2015/040522号、米国特許第8,431,096号、米国特許第8,153,757号、及び米国特許第8,153,757号である。
従って、当該技術分野では、生産速度に著しい影響を与えないで充分な熱除去が可能な新規且つ改良された重合プロセスが必要とされている。従って、本発明の目的は、反応からの熱の充分な除去が、増大した熱伝達能力、より小さい設置面積、及びより少ない圧力降下を有する熱交換器によって達成される重合プロセスを提供することである。
本発明は、少なくとも1つのスパイラル熱交換器及び回収ポリマーを含む反応領域において、溶液相中にモノマー、及び触媒系を接触させポリマーを回収することからなるポリマーを形成するための溶液重合プロセスに関し、モノマー、触媒系、及びポリマーは、少なくとも1つのスパイラル熱交換器の螺旋に対して交差流方向に、少なくとも1つのスパイラル熱交換器を通じて流れるように設けられた溶液重合プロセスに関する。
図1aは、本発明の一実施形態による反応器内のスパイラル熱交換器を示す。
図1bは、図1aのスパイラル熱交換器の平面図を示す。
図2は、本発明の別の実施形態によるスパイラル熱交換器を示す。
図3は、本発明の別の実施形態による、反応器内の2つのスパイラル熱交換器を示す。
図4は、本発明の別の実施形態による複数のスパイラル熱交換器を示す。
図5は、本発明の別の実施形態による重合プロセスシステムの概略図である。
I.定義
本発明の理解を容易にするために、幾つかの用語及び語句を以下に定義する。
本開示及び特許請求の範囲で使用される単数形「a」、「an」及び「the」は、文脈上他に明確に指示されない限り、複数形を含む。「A及び/又はB」のような語句で用いられる用語「及び/又は」は、「A又はB」、「A」及び「B」を含むことが意図されている。
本発明及びその特許請求の範囲において、周期表の族のための新しい番号付けの枠組は、CHEMICAL AND ENGINEERING NEWS,63(5),27頁(1985)に説明されたものを用いている。従って、「第4族金属」は、その周期表の第4族の元素、例えばHf、Ti、又はZrである。
本明細書中で使用される場合、語句「少なくとも一部」は、その語句が指す組成物の>0乃至100.0wt%を意味する。語句「少なくとも一部」は、≦約1.0wt%、≦約2.0wt%、≦約5.0wt%、≦約10.0wt%、≦約20.0wt%、≦約25.0wt%、≦約30.0wt%、≦約40.0wt%、≦約50.0wt%、≦約60.0wt%、≦約70.0wt%、≦約75.0wt%、≦約80.0wt%、≦約90.0wt%、≦約95.0wt%、≦約98.0wt%、≦約99.0wt%、又は約100.0wt%の量を指す。これに加えて又はこれに代えて、語句「少なくとも一部」は、≧約1.0wt%、≧約2.0wt%、≧約5.0wt%、≧約10.0wt%、≧約20.0wt%、≧約25.0wt%、≧約30.0wt%、≧約40.0wt%、≧約50.0wt%、≧約60.0wt%、≧約70.0wt%、≧約75.0wt%、≧約80.0wt%、≧約90.0wt%、≧約95.0wt%、≧約98.0wt%、≧約99.0wt%、又は約100.0wt%の量を指す。明示的に開示された範囲には、上に列挙した値のいずれかの組み合わせが含まれる。例えば、約10.0乃至約100.0wt%、約10.0乃至約98.0wt%、約2.0乃至約10.0wt%、約40.0乃至60.0wt%などである。
「重合域」とも称される「反応域」は、重合がなされる容器、例えばバッチ式反応器又は連続式反応器である。複数の反応器が直列又は並列構成のいずれかで使用される場合、各反応器は別個の反応域又は別個の重合域とみなし得る。或いは、1つの反応器は、1つ以上の反応域又は重合域を含むことができる。バッチ式反応器及び連続式反応器の両方における多段階重合では、各重合段階は別個の重合域とみなされる。
「触媒生産性」とは、Wgの触媒(cat)を含む重合触媒を用いて、T時間の期間にわたってポリマー(P)が何グラム得られるかの尺度であり、次式:P/(T×W)で表すことができ、gPgcat-1hr-1の単位で表すことができる。転化率は、ポリマー生成物に転化されるモノマーの量であり、モル%として報告され、ポリマー収量及び反応器に供給されるモノマーの量に基づいて計算される。触媒活性は、触媒の活性度の尺度であり、使用される触媒(cat)1モル当たりの生成ポリマー(P)の質量(KgP/molcat)として報告される。
「アルケン」とも称される「オレフィン」は、少なくとも1つの二重結合を有する炭素及び水素の線形、分枝又は環状化合物である。本明細書及び添付の特許請求の範囲において、ポリマー又はコポリマーがオレフィンを含むという場合、そのようなポリマー又はコポリマー中に存在するオレフィンは、オレフィンの重合形態である。例えば、コポリマーが35wt%乃至55wt%の「エチレン」含有量を有するという場合、コポリマー中のMer単位は重合反応においてエチレンから誘導され、この誘導単位は35wt%乃至55wt%の量で存在する。「ポリマー」は、2つ以上の同じ又は異なるMer単位を有する。「ホモポリマー」は、同一のMer単位を有するポリマーである。「共重合体」は、互いに異なる2つ以上のMer単位を有する重合体である。「ターポリマー」は、互いに異なる3つのMer単位を有するポリマーである。Mer単位を指すために使用される「異なる」は、Mer単位が少なくとも1つの原子によって互いに異なり、又は異性体的に異なることを示す。従って、本明細書で使用するコポリマーの定義には、ターポリマーなどが含まれる。「エチンポリマー」又は「エチレンコポリマー」は、少なくとも50モル%のエチレン由来の単位を含むポリマー又はコポリマーであり、「プロピレンポリマー」又は「プロピレンコポリマー」は、プロピレン由来単位を少なくとも50モル%含むポリマー又はコポリマーなどである。
本発明の目的のためには、エチレンはα−オレフィンに属するとみなされるべきである。
本発明の目的及びその特許請求の範囲において、特に示さない限り、用語「置換」は、水素基がヘテロ原子又はヘテロ原子含有基で置き換えられていることを意味する。例えば、「置換ヒドロカルビル」は、少なくとも1個の水素がヘテロ原子又はヘテロ原子含有基で置き換えられた炭素及び水素からなるラジカルである。
本明細書で用いるように、Mnは数平均分子量であり、Mwは重量平均分子量であり、Mzはz平均分子量であり、wt%は重量パーセントであり、mol%はモルパーセントである。多分散性(PDI)とも称される分子量分布(MWD)は、Mnで除したMwであると定義される。特に明記しない限り、全ての分子量単位(例えば、Mw、Mn及びMz)はg/molである。ここでは次の省略形が使われうる:Meはメチル、Etはエチル、Prはプロピル、cPrはシクロプロピル、nPrはn−プロピル、iPrはイソプロピル、Buはブチル、nBuはノーマルブチル、iBuはイソブチル、sBuはsec−ブチル、tBuはtert−ブチル、Octはオクチル、Phはフェニル、Bnはベンジル、MAOはメチルアルモキサン、dmeは1,2−ジメトキシエタン、TMSはトリメチルシリル、TIBALはトリイソブチルアルミニウム、TNOALはトリ(n−オクチル)アルミニウム、THF(thfとも称される)はテトラヒドロフラン、RTは室温(特に明記しない限り25℃)、tolはトルエン、EtOAcは酢酸エチル、Npはネオペンチル、及びCyはシクロヘキシルである。
「触媒系」は、少なくとも1種の触媒化合物、少なくとも1種の活性化剤、及び任意の共活性化剤の組み合わせである。本発明の目的及びその特許請求の範囲において、触媒系が中性の安定な形態の成分を含むと記載されている場合、当業者にはよく理解されているように、その成分のイオン形態はモノマーと反応してポリマーを生成する形態である。活性化前にこのような触媒/活性化剤を記載するために「触媒系」が使用される場合、これは、活性化剤、担体及び場合により共活性化剤と共に用いられる不活性触媒錯体(前触媒)を意味する。活性化後にそのようなものを記載するために使用される場合、これは、担体、活性化錯体、及び活性化剤又は他の電荷平衡部分を意味する。遷移金属化合物は、前触媒のように中性であってもよく、活性化触媒系のように対イオンを有する荷電種であってもよい。
本明細書の説明において、メタロセン触媒は、触媒前駆体、前駆触媒化合物、メタロセン触媒化合物又は遷移金属化合物として記載することができ、これらの用語は互換的に使用される。メタロセン触媒は、少なくとも1つのπ結合シクロペンタジエニル部分(又は置換シクロペンタジエニル部分)に結合した有機金属化合物、及びより頻繁に遷移金属に結合した2つのπ結合シクロペンタジエニル部分又は置換シクロペンタジエニル部分として定義される。
触媒化合物に関する本発明と請求項の目的のために、用語「置換」は、水素基がヒドロカルビル基、ヘテロ原子、又はヘテロ原子含有基で置換されているか、又は少なくとも1つのヘテロ原子がヒドロカルビル環内に挿入されていることを意味する。例えば、メチルシクロペンタジエン(Cp)は、メチル基で置換されたCp基である。インデン及びフルオレン(及びそれらの置換された変異体)は置換シクロペンタジエン基である。
「アニオン性配位子」は、負に荷電した配位子であり、1つ以上の電子対を金属イオンに供与する。「中性供与体配位子」は、中性に荷電した配位子であり、1つ以上の電子対を金属イオンに供与する。
「アルコキシ」又は「アルコキシド」は、1乃至約10個の炭素原子を含む−O−アルキルを指す。アルコキシは、直鎖、分枝鎖、又は環状であってもよい。非限定的な例としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、tert−ブトキシ、ペントキシ及びヘキソキシが挙げられる。「Cアルコキシ」はメトキシを指し、「Cアルコキシ」はエトキシを指し、「Cアルコキシ」はプロポキシを指し、「Cアルコキシ」はブトキシを指す。
用語「ヒドロカルビルラジカル」、「ヒドロカルビル」、「ヒドロカルビル基」、「アルキルラジカル」及び「アルキル」は、本明細書全体にわたって互換可能に使用される。同様に、用語「基」、「ラジカル」及び「置換基」もまた、本明細書では互換可能に使用される。本開示の目的のために、「ヒドロカルビルラジカル」は、C乃至C100ラジカルであると定義され、これは線形、分枝、又は環状であってもよく、環状であるときは芳香族又は非芳香族である。このような基の例には、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、ペンチル、イソアミル、ヘキシル、オクチルシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチルなどを含み、それらの置換された類似体を含むが、これらに限定されるものではない。置換ヒドロカルビルラジカルは、ヒドロカルビル基の少なくとも1つのヘテロ原子又はヘテロ原子包含基が、ハロゲン(例えば、Br、Cl、F、又はI)又は少なくとも1つの官能性の官能基、例えばNR 、OR、SeR*、TeR*、PR*、AsR*、SbR*、SR*、BR*、SiR*、GeR*、SnR*、PbR*、などで置き換えられたラジカルであり、又は少なくとも1個のヘテロ原子がヒドロカルビル環内に挿入されているものである。
用語「アルケニル」は、1つ以上の二重結合を有する直鎖、分枝鎖、又は環状の炭化水素基を意味する。これらのアルケニル基は場合により置換されていてもよい。適切なアルケニルラジカルの例には、それらの置換類似体を含むエテニル、プロペニル、アリール、1,4−ブタジエニルシクロプロペニル、シクロブテニル、シクロペンテニル、シクロヘキセニル、シクロヘキセニルなどが含まれるが、これらに限定されるものではない。
用語「アリール」又は「アリール基」は、6炭素芳香族環及びその置換変異体を意味し、フェニル、2−メチル−フェニル、キシリル、及び4−ブロモーキシリルを含むが、これらに限定されるものではない。同様に、ヘテロアリールは、環炭素原子(又は2個の環炭素原子)がヘテロ原子、好ましくはN、O又はSで置換されたアリール基を意味する。本明細書で使用する「芳香族」という用語は、芳香族複素環式配位子と同様の特性及び構造(ほぼ平面)を有するが芳香族ではない疑似芳香族をも含む複素環式置換基である。同様に芳香族という用語は、置換芳香族をも意味する。
別段の指示がない限り、アルキル、アルケニル、アルコキシド又はアリール基と名付けられた存在(例えば、n−ブチル、イソブチル、sec−ブチル、及びtert−ブチル)は、基の1つのメンバー(例えば、n−ブチル)を指したときは、族内の残りの異性体(例えば、イソブチル、sec−ブチル及びtert−-ブチル)も明示的に開示される。同様に、特定の異性体(例えば、ブチル)を特定することなく、アルキル、アルケニル、アルコキシドへの言及は、全ての異性体(例えばn−ブチル、イソ−ブチル、sec−ブチル及びtert−ブチル)を明示したことになる。
用語「環原子」は、環式環構造の一部である原子を意味する。この定義により、ベンジル基は6個の環原子を有し、テトラヒドロフランは5個の環原子を有する。
複素環は、環原子上の水素がヘテロ原子で置き換えられたヘテロ原子置換環とは対照的に、環構造中にヘテロ原子を有する環である。例えば、テトラヒドロフランは複素環であり、4−N,N−ジメチルアミノフェニルはヘテロ原子で置換された環である。
オリゴマーは、25,000g/mol未満、又は2,500g/mol未満の低分子量、又は75Mer単位又はそれ未満又は50Mer単位又はそれ未満などの低いMer単位数などの低分子量を有するポリマーである。
用語「連続的」は、中断又は中止することなく動作するシステムを意味する。例えば、ポリマーを製造するための連続プロセスは、反応物が1つ以上の反応器に連続的に導入され、ポリマー生成物が連続的に回収されるプロセスである。
「溶液重合」は、ポリマーを不活性溶媒又はモノマー又はそれらのブレンドのような液体重合媒体に溶解させる重合プロセスを意味する。溶液重合は、典型的には均質である。均質重合は、ポリマー生成物が重合媒体中に溶解される重合である。このような系は、J.Vladimir Oliveira,C.Dariva,及びJ.C.Pinto,Ind.Eng.Chem.Res.,29,2000,4627に記載されたように、好ましくは混濁していない。均質重合プロセスは、生成物の少なくとも90wt%が反応媒体に可溶性であるプロセスであると定義される。
「塊状重合」(バルク重合)は、液体又は希釈剤として不活性溶媒をほとんど又は全く使用せずに重合されるモノマー及び/又はコモノマーが、溶媒又は希釈剤として使用される重合プロセスを意味する。少量の不活性溶媒を触媒及び捕捉剤用の担体として使用することができる。塊状重合系は、25wt%未満の不活性溶媒又は希釈剤、好ましくは10wt%未満、好ましくは1wt%未満、好ましくは0wt%を含有する。バルクプロセスは、反応器への全供給物中のモノマー濃度が70体積%以上であるプロセスであると定義される。
「層」流とは、層の間に乱れを伴うことなく、平行な層に流体(例えば、気体、液体)が流れることを指す。流体は固体境界の近くで層流を示すことがある。「近接層」(Near−laminar)流とは、層の間の乱れが最小限であり、平行な層の形態の流体の流れを指す。
II.重合プロセス
本発明は、少なくとも1つのスパイラル熱交換器を含み、ポリマーを回収する反応域においてモノマー及び触媒系を接触させることを含むポリマーを形成するための重合方法に関する。
本明細書に記載の重合プロセスは、当該技術分野で公知の任意の方法で実施することができる。当該技術分野で公知の任意の溶液、懸濁液、スラリー、バルク又は気相重合プロセスを使用することができる。このようなプロセスは、バッチ、セミバッチ、又は連続モードで実行することができる。好ましくは、重合プロセスは連続的である。均質な重合プロセス(溶液相など)が有利である。或いは、重合プロセスはスラリープロセスである。本明細書で用いる用語「スラリー重合プロセス」は、担持触媒を使用し、モノマーを担持触媒粒子上で重合させ、担持触媒由来のポリマー生成物の少なくとも95wt%を粒状形態で固体にする(希釈剤に溶解していない)ことを意味する。
スラリー重合プロセスは、一般に、1から約50気圧の圧力範囲(15psi乃至735psi、103kPa乃至5068kPa)又はそれ以上及び0℃乃至約120℃の温度範囲で作用する。スラリー重合では、固体粒子状ポリマーの懸濁液が、モノマー及びコモノマーが触媒とともに添加される液体重合希釈媒体中に形成される。希釈剤を含む懸濁液は、間欠的又は連続的に反応器から取り出され、そこで揮発性成分がポリマーから分離され、必要に応じて蒸留後に反応器に再循環される。重合媒体に使用される液体希釈剤は、代表的には、3乃至7個の炭素原子を有するアルカン、好ましくは分岐アルカンである。使用される媒体は、重合条件下で液体であり、比較的に不活性でなければならない。プロパン媒体を使用する場合には、反応希釈剤臨界温度及び圧力よりも上で操作しなければならない。好ましくは、ヘキサン又はイソブタン媒体が使用される。
一実施形態では、本発明に有用な好ましい重合技術は、ポリマーが溶液になる温度よりも低い温度に維持される粒子形態重合、又はスラリープロセスと呼ばれる。このような技術は、当該技術分野において周知であり、例えば、米国特許第3,248,179号に記載されており、これは参照により本明細書に組み込まれている。粒子形態のプロセスにおける好ましい温度は、約85℃乃至約110℃の範囲内である。
好ましくは、重合プロセスは、モノマー及び触媒系を溶液相中で接触させ、その中でポリマーを得る溶液重合プロセスである。種々の態様において、溶媒は重合プロセス中に存在してもよい。重合に適した希釈剤/溶媒には、非配位性の不活性液体が含まれる。例には、イソブタン、ブタン、ペンタン、イソペンタン、ヘキサン、イソヘキサン、ヘプタン、オクタン、ドデカン、及びそれらの混合物などの直鎖及び分岐鎖炭化水素;シクロヘキサン、シクロヘプタン、メチルシクロヘキサン、メチルシクロヘプタンなどの環状及び脂環式炭化水素、及びそれらの混合物、例えば商業的に見出され得るもの(Isopar(商標));ペルハロゲン化炭化水素、例えばペルフルオロC4−10アルカン、芳香族及びアルキル置換芳香族化合物、例えばベンゼン、トルエン、メシチレン及びキシレンが挙げられる。適切な溶媒は、モノマー又はコモノマーとして作用する液体オレフィンも含み、これにはエチレン、プロピレン、1−ブテン、1−ヘキセン、1−ペンテン、3−メチル−1−ペンテン、4−メチル−1−ペンテン、1−オクテン、1−デセン、及びそれらの混合物を含む。好ましい実施形態では、脂肪族炭化水素溶媒が溶媒として使用され、これには例えばイソブタン、ブタン、ペンタン、イソペンタン、ヘキサン、イソヘキサン、ヘプタン、オクタン、ドデカン、及びそれらの混合物;環状及び脂環式炭化水素、例えばシクロヘキサン、シクロヘプタン、メチルシクロヘキサン、メチルシクロヘプタン、及びこれらの混合物である。他の実施形態では、溶媒は芳香族ではないが、好ましくは芳香族化合物が溶媒の重量に基づいて1wt%未満、好ましくは0.5wt%未満、好ましくは0wt%未満で溶媒中に存在する。
好ましい実施形態において、重合のためのモノマー及びコモノマーの供給濃度は、供給流の全容積に対して60容量%以下、好ましくは40容量%以下、又は好ましくは20容量%以下である。好ましくは、重合はバルクプロセスで行われる。
A.スパイラル熱交換器
一実施形態では、モノマー及び触媒系は、少なくとも1つのスパイラル熱交換器を含む反応域に入ることができる。本明細書中で理解されるように、反応域は反応器であってもよい。モノマーは触媒系と接触し、それによりポリマーを形成する。例えば、図1aに示すように、モノマー及び触媒系を含む流れ1は、反応器2に入り、スパイラル熱交換器3を通って移動する。ポリマー生成物、未反応モノマー、及び冷却又は非冷却の触媒系を含む流れ4は、反応器2を出る。熱交換媒体を含む流れ5がスパイラル熱交換器3を通って流れる。当該技術において理解されるように、少なくとも1つのスパイラル熱交換器は、スパイラル熱交換器の軸の周りに放射状に配置された螺旋を形成するように巻かれた少なくとも1つの螺旋シートによって形成された本体を含む。螺旋は、熱交換媒体の流れのための少なくとも1つの流路を形成し、螺旋は、図2に示すように、実質的に円筒形のシェルによって囲まれ得る。更に、その円筒形シェルは、熱交換媒体を供給及び除去するために少なくとも1つの流路と流体連通する少なくとも1つの入口及び少なくとも1つの出口を含むことができる。
特に、少なくとも1つのスパイラル熱交換器は、モノマー、触媒系及びポリマー生成物が螺旋6の間に形成されたチャネルを通って軸方向に流れるように、例えば図1bに示す方向に配向し得る。即ち、モノマー、触媒系及びポリマー生成物が少なくとも1つのスパイラル熱交換器を通って移動する際に熱交換器がモノマー、触媒系及びポリマー生成物を冷却する。換言すれば、モノマー、触媒系及びポリマー生成物は、少なくとも1つのスパイラル熱交換器の螺旋に対して交差流方向に少なくとも1つのスパイラル熱交換器を通って流れる。本明細書で使用される場合、「交差流」方向とは、少なくとも1つのスパイラル熱交換器の螺旋方向に実質的に直交する流れを指す。実質的に直交するとは、約70°乃至約110°、好ましくは約80°乃至約100°、好ましくは約85°乃至約95°、より好ましくは約88°乃至約92°、より好ましくは約90°の角度である。
図1bに示すように、少なくとも1つのスパイラル交換器は、モノマー、触媒系及びポリマー生成物が少なくとも1つのスパイラル熱交換器を通って実質的に垂直方向に流れることができる実質的に垂直な方向に配向されてもよい。少なくとも1つのスパイラル熱交換器の配向は、そのような垂直配向に限定されず、モノマー、触媒系及びポリマーが少なくとも1つのスパイラル熱交換器間を交差流方向に流れる限り、任意の方向に配向し得る。例えば、少なくとも1つのスパイラル熱交換器は、図2に示すように、実質的に水平方向に配向されてもよく、モノマー、触媒系及びポリマー生成物は、少なくとも1つのスパイラル熱交換器を通じて実質的に水平方向に流れる。
それに加えて又はそれに代えて、少なくとも1つのスパイラル熱交換器は、複数のスパイラル熱交換器を含むことができ、例えば、少なくとも2、少なくとも3、少なくとも4、少なくとも5、少なくとも6、少なくとも7、少なくとも8、少なくとも9、少なくとも10、少なくとも11、少なくとも12、少なくとも13、少なくとも14、少なくとも15、少なくとも16、少なくとも17、少なくとも18、少なくとも19、少なくとも20、少なくとも21、少なくとも22、少なくとも23、少なくとも24などである。複数のスパイラル熱交換器は、1つの反応器及び/又は複数の反応器(例えば、2、3、4、5、6、7、8反応器)に含まれてもよい。反応器中の各スパイラル熱交換器は、別個の反応域又は段階と見なすことができ、又は1つの反応器内の複数のスパイラル熱交換器は、1つの段階又は反応域を累積的に含むことができる。例えば、図3は、反応器9内に存在する2つのスパイラル熱交換器8を示す。反応の質量(例えば、モノマー、触媒系、ポリマー生成物、任意の溶媒など)の流れ1の流れの方向は点線で示されている。複数のスパイラル熱交換器は、直列に接続されてもよく、及び/又は並列に動作してもよい。例えば、直列に接続された4つの反応器(反応器10−13)は、図4に示すように、それぞれ2つのスパイラル熱交換器14を含むことができる。更に、直列に接続された別の4つの反応器(反応器15−18)は、それぞれ、図4に示すように、2つのスパイラル熱交換器14を含み、反応器10−13と並列に動作してもよい。好ましくは、少なくとも1つのスパイラル熱交換器は、直列に接続された少なくとも8つのスパイラル熱交換器を含む。
本明細書に記載の方法で使用される少なくとも1つのスパイラル熱交換器は、当該技術分野で知られている任意の適切なスパイラル熱交換器であってもよい。適切なスパイラル熱交換器の非限定的な例は、米国特許第8,622,030号、第8,075,845号、第8,573,290号、第7,640,972号、第6,874,571号、第6,644,391号、第6,585,034号、第4,679,621号、及び米国公開公報第2010/0170665号、第2010/0008833号、第2002/0092646号、第2004/0244968号に記載されたものを含み、これらの各々は、参照により本明細書に組み込まれている。これに加えて又はこれに代えて、少なくとも1つのスパイラル熱交換器は、約20−30ft/ft(約929cm/28300cm)の表面積対体積比を有することができる。
好ましくは、スパイラル熱交換器は、0.5乃至30フィート(0.152乃至9.144メートル)、好ましくは1乃至25フィート(0.3048m乃至7.620m)、好ましくは3乃至20フィート(0.9144m乃至6.096m)、好ましくは5乃至15フィート(1.524m乃至4.572m)、好ましくは5乃至10フィート(1.524m乃至3.048m)の開放チャネル高さを有することができる。
適切な熱交換媒体は、少なくとも1つのスパイラル熱交換器の螺旋を通って流れ得る当該技術分野で通常使用されるものである。特に有用な熱交換媒体は、反応温度で安定なものであり、代表的には200℃以上で安定なものを含む。熱伝達媒体の例は、とりわけ、水及び他の水溶液、油(例えば、鉱油、灯油、ヘキサン、ペンタンなどの炭化水素)、及び合成媒体、例えばThe Dow Chemical Company(Midland,Michigan)から商標名DOWTHERM(商標)の下に入手可能なものであり、例えばグレードA,G,J,MX,Q,RP,及びTである。水を使用する場合には、それは沸騰を防ぐために適当な圧力下にある。好ましくは、熱交換媒体は、モノマー、触媒系及びポリマーの温度よりも低い温度で螺旋を通って流れる。これに加えて又はこれに代えて、熱交換媒体はポリマーの沈殿点よりも高い温度で螺旋を通って流れる。例えば、熱交換媒体は、約100℃乃至約150℃、好ましくは約120℃乃至約140℃、より好ましくは約130℃の温度で螺旋を通って流れることができる。
様々な態様において、少なくとも1つのスパイラル熱交換器は、以下の速度で(例えば、重合反応中に生成される)熱を除去する。即ち、≧約100Btu/時間立方フィート・°F(約1,860W/立方メートル・ ℃),≧約150Btu/時間立方フィート・°F(約2,795W/立方メートル・ ℃),≧約200Btu/時間立方フィート・°F(約3,725W/立方メートル・ ℃),≧約250Btu/時間立方フィート・°F(約4,660W/立方メートル・ ℃),≧約300Btu/時間立方フィート・°F(約5,590W/立方メートル・ ℃),≧約350Btu/時間立方フィート・°F(約6,520W/立方メートル・ ℃),≧約400Btu/時間立方フィート・°F(約7,450W/立方メートル・ ℃),≧約450Btu/時間立方フィート・°F(約8,385W/立方メートル・ ℃),≧約500Btu/時間立方フィート・°F(約9,315W/立方メートル・ ℃),≧約550Btu/時間立方フィート・°F(約10,245W/立方メートル・ ℃),≧約600Btu/時間立方フィート・°F(約11,180W/立方メートル・ ℃),≧約650Btu/時間立方フィート・°F(約12,110W/立方メートル・ ℃),≧約700Btu/時間立方フィート・°F(約13,040W/立方メートル・ ℃),≧約750Btu/時間立方フィート・°F(約13,970W/立方メートル・ ℃),又は≧約800Btu/時間立方フィート・°F(約14,905W/立方メートル・ ℃)である。好ましくは少なくとも1つのスパイラル熱交換器は、≧約400Btu/時間立方フィート・°F(約7,450W/立方メートル・ ℃)の速度で除熱する。明示的に開示された範囲は、上述に列挙された値の任意の組み合わせを含み、例えば約100乃至約800Btu/時間立方フィート・°F(約1,860乃至約14,905W/立方メートル・℃)、約200乃至約650(約3,725乃至約12,110W/立方メートル・℃)、約350乃至約550Btu/時間立方フィート・°F(約6,520乃至約10,245W/立方メートル・℃)である。好ましくは、少なくとも1つのスパイラル熱交換器は以下の速度で除熱する。即ち、約100乃至約800Btu/時間立方フィート・°F(約1,860乃至約14,905W/立方メートル・℃)、好ましくは約200乃至約700Btu/時間立方フィート・°F(約3,725乃至約13,040W/立方メートル・℃)、好ましくは約300乃至約500Btu/時間立方フィート・°F(約5,590乃至約9,315W/立方メートル・℃)である。
更に、本明細書に記載の重合プロセスにおいて少なくとも1つのスパイラル熱交換器を使用することにより、低い圧力降下がもたらされ、その結果、より高い再循環及び生産速度が得られる。例えば、少なくとも1つのスパイラル熱交換器に亘る圧力降下は、≦約0.1psi、≦約0.2psi、≦約0.3psi、≦約0.4psi、≦約0.5psi、≦約0.6psi、≦約0.7psi、≦約0.8psi、≦約0.9psi、≦約1.0psi、≦約2.0psi、≦約3.0psi、≦約4.0psi、≦約5.0psi、≦約6.0psi、≦約7.0psi、≦約8.0psi、≦約9.0psi、≦約10.0psi、≦約12.0psi、≦約14.0psi、≦約16.0psi、≦約18.0psi、又は≦約20.0psiである。少なくとも1つのスパイラル熱交換器に亘る圧力降下は、≦約10.0psi、好ましくは≦約5.0psi、より好ましくは≦1.0psiであり得る。明示的に開示された範囲には、上に列挙した値のいずれかの組み合わせ、例えば、約0.1psi乃至約20.0psi、約0.5psi乃至約16.0psi、約1.0psi乃至約12psi、約3.0psi乃至約8.0psiなどが含まれる。好ましくは、少なくとも1つのスパイラル熱交換器に亘る圧力降下は、1段あたり約0.1psi乃至約14.0psi、好ましくは約0.5psi乃至約10.0psi、好ましくは約0.8psi乃至約2.0psi、或いは0.2乃至0.8psiである。好ましくは、一連のスパイラル熱交換器全体に亘る圧力降下は、約0.1psi乃至約14.0psi、約0.2psi乃至約10.0psi、好ましくは約0.5psi乃至約10.0psi、より好ましくは約0.8psi乃至約2.0psiである。
様々な態様において、モノマー、触媒系及びポリマーは、重合条件下で実質的に単一の液相として維持され得る。好ましくは、少なくとも1つのスパイラル熱交換器を通るモノマー、触媒系及びポリマーの流れは、実質的に層流であるか、又は近接層流である。好ましくは、溶媒、モノマー/コモノマー、触媒系及びポリマーの組み合わせの流れのレイノルズ数は、≧約0.1、≧約1.0、≧約10.0、≧約20.0、≧約30.0、≧約40.0≧約50.0、≧約60.0、≧約70.0、≧約80.0、≧約90.0、≧約100、≧約200、≧約300、≧約400、≧約500、≧約600、≧約700、≧約800、≧約900、≧約1,000、≧約1,100、≧約1,200、≧約1,300、≧約1,400、≧約1,500、≧約1,600、≧約1,700、≧約1,800、≧約1,900、≧約2,000 、≧約2,100、又は約2,200である。これに加えて又はこれに代えて、流動溶媒、モノマー/コモノマー、触媒系及びポリマーのレイノルズ数は、≦約40.0、≦約50.0、≦約60.0、≦約70.0、≦約80.0、≦約90.0、≦約100、≦約200、≦約300、≦約400、≦約500、≦約600、≦約700、≦約800、≦約900、≦約1,000、≦約1,100、≦約1,200、≦約1,300、≦約1,400、≦約1,500、≦約1,600、≦約1,700、≦約1,800、≦約1,900、≦約2,000、≦約2,100又は≦約2,200である。明示的に開示された範囲には、上述に列挙した値のいずれかの組み合わせを含み、例えば、約0.1乃至約2,200、約1.0乃至約1,400、約1.0乃至約100、約50.0乃至約900などである。好ましくは、溶媒、モノマー/コモノマー、触媒系及びポリマーの組合せのレイノルズ数は、約0.1乃至約2,200、好ましくは約1.0乃至約1,000、好ましくは約1.0乃至約100、より好ましくは約1.0乃至約50である。レイノルズ数は水力直径(Dh)を用いて計算され、水力直径(Dh)はDh=4A/Pとして定義され、ここでAは断面積であり、Pはスパイラル熱交換器におけるチャネルの断面の潤辺である。非ニュートン流体を使用する場合、レイノルズ数の計算にはゼロ剪断粘度を使用する。
重合プロセスは、好ましくは、約50℃乃至約220℃、好ましくは約70℃乃至約210℃、好ましくは約90℃乃至約200℃、好ましくは100℃から190℃、好ましくは130℃から160℃の温度を含む条件下で実施することができる。重合プロセスは、約120乃至約1800psi、好ましくは200乃至1000psi、好ましくは300乃至800psiの圧力で実施することができる。好ましくは、圧力は約450psiaである。更に、重合プロセスは、ゼロ乃至50、好ましくは1乃至40、好ましくは2乃至30、好ましくは5乃至20、好ましくは5乃至15のリサイクル比で実施してもよい。
様々な態様において、スパイラル熱交換器における滞留時間は24時間まで又はそれ以上とすることができ、通常は滞留時間は1分から15時間、好ましくは2分から1時間、好ましくは3分から30分、好ましくは約5分から25分、又は約15分から20分である。別の態様では、単一スパイラル熱交換器における滞留時間は24時間まで又はそれ以上とすることができ、通常は滞留時間は1分から15時間、好ましくは2分から1時間、好ましくは3分から30分、好ましくは約5分から25分、又は約15から20分である。別の態様では、直列に接続されたスパイラル熱交換器(単数又は複数)の全てにおける滞留時間は最大24時間又はそれ以上とすることができ、通常は滞留時間は1分から15時間、好ましくは2分から1時間、好ましくは3分から30分、好ましくは約5から25分、又は約15分から20分である。
幾つかの実施形態では、水素は、重合プロセス中に、0.001乃至50psig(0.007乃至345kPa)、好ましくは0.01乃至25psig(0.07乃至172kPa)、より好ましくは0.1乃至10psig(0.7乃至70kPa)の分圧で存在してもよい。或いは、供給物中の水素濃度は500wppm以下、好ましくは200wppm以下である。
様々な態様において、ポリマーは、以下の速度で生成され得る。
即ち、≧反応器容積1ガロン当たり毎時約2ポンド(反応器容積1リットル当たり毎時約240グラム)、≧反応器容積1ガロン当たり毎時約4ポンド(反応器容積1リットル当たり毎時約480グラム)、≧反応器容積1ガロン当たり毎時約5ポンド(反応器容積1リットル当たり毎時約600グラム)、≧反応器容積1ガロン当たり毎時約10ポンド(反応器容積1リットル当たり毎時約1200グラム)、≧反応器容積1ガロン当たり毎時約15ポンド(反応器容積1リットル当たり毎時約1800グラム)、≧反応器容積1ガロン当たり毎時約20ポンド(反応器容積1リットル当たり毎時約2400グラム)、≧反応器容積1ガロン当たり毎時約25ポンド(反応器容積1リットル当たり毎時約3000グラム)、≧反応器容積1ガロン当たり毎時約30ポンド(反応容積1リットル当たり毎時約3600グラム)、≧反応器容積1ガロン当たり毎時約35ポンド(反応容積1リットル当たり毎時約4195グラム)、≧反応器容積1ガロン当たり毎時約40ポンド(反応容積1リットル当たり毎時約4795グラム)、≧反応器容積1ガロン当たり毎時約45ポンド(反応容積1リットル当たり毎時約5395グラム)又は≧反応器容積1ガロン当たり毎時約50ポンド(反応容積1リットル当たり毎時約5990グラム)である。好ましくは、ポリマーは、以下の速度で生成され得る。即ち、≧反応器容積1ガロン当たり毎時約5ポンド(反応器容積1リットル当たり毎時約600グラム)、≧反応器容積1ガロン当たり毎時約10ポンド(反応器容積1リットル当たり毎時約1200グラム)又は≧反応器容積1ガロン当たり毎時約20ポンド(反応器容積1リットル当たり毎時約2400グラム)である。明示的に開示された範囲は上述に列挙した値の任意の組み合わせを含み、例えば、反応器容積1ガロン当たり毎時約2乃至約50ポンド(反応器容積1リットル当たり毎時約240乃至5990グラム)、反応器容積1ガロン当たり毎時約5乃至約40ポンド(反応器容積1リットル当たり毎時約600乃至4795グラム)、反応器容積1ガロン当たり毎時約10乃至約30ポンド(反応器容積1リットル当たり毎時約1200乃至3600グラム)などである。好ましくはポリマーは以下の速度で生成される。即ち、反応器容積1ガロン当たり毎時約2乃至約40ポンド(反応器容積1リットル当たり毎時約240乃至4795グラム)、好ましくは反応器容積1ガロン当たり毎時約5乃至約30ポンド(反応器容積1リットル当たり毎時約600乃至3600グラム)、好ましくは反応器容積1ガロン当たり毎時約10乃至約25ポンド(反応器容積1リットル当たり毎時約1200乃至3000グラム)である。
これに加えて又はこれに代えて、重合プロセスは、少なくとも1つのスパイラル熱交換器から出る溶媒、モノマー/コモノマー、触媒系及びポリマーの少なくとも一部をスパイラル熱交換器(同一又は異なるスパイラル熱交換器とし得る)を通じて再循環することを更に含んでもよい。ポリマーは、以下の再循環比で生成し得る。
即ち、≧約2、≧約5、≧約10、≧約15、≧約20、≧約25、≧約30、≧約35、≧約40、≧約45、≧約50、≧約55、又は≧約60である。好ましくはポリマーは≧約5、≧約20、又は≧約50の再循環比で生成され得る。これに加えて又はこれに代えて、ポリマーは以下の再循環比で生成され得る。即ち、≦約2、≦約5、≦約10、≦約15、≦約20、≦約25、≦約30、≦約35、≦約40、≦約45、≦約50、≦約55、又は≦約60である。明示的に開示された範囲には、上述に列挙した値の任意の組み合わせを含み、例えば約2乃至約60、約5乃至約50、約20乃至約25、約40乃至約60などである。好ましくは、ポリマーは、約2乃至約60、好ましくは約5乃至約50、好ましくは約6乃至約35、好ましくは約8乃至約20のリサイクル比で生成することができる。更に、重合プロセスは、ゼロ乃至50よりも大きく、好ましくは1乃至40、好ましくは2乃至30、好ましくは5乃至20、好ましくは5乃至15の再循環比で実施することができ、ここで再循環比はスパイラル熱交換器(単独又は直列)に入る直前の循環ループの流量をスパイラル熱交換器(単独又は直列)への新鮮な供給物の流量で割ったものとして定義される。
スパイラル熱交換器タイプの反応器は、重合系中のCSTR、流動床、ループ、スラリー及び管状反応器のような他のタイプの反応器と連結させて使用することができる。反応器は、直列又は並列のいずれかの形態で配置することができる。重合系は、オレフィンポリマー又はコポリマーの反応器内ブレンドを製造するために使用することができる。
B.モノマー
本発明は、任意のモノマーの重合に使用することができる。本明細書で有用なモノマーとしては、置換又は非置換のC乃至C40オレフィン、好ましくはC乃至C20オレフィン、好ましくはC乃至C12オレフィン、好ましくはエチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン、ヘキセン、ヘプテン、オクテン、ノネン、デセン、ウンデセン、ドデセン及びそれらの異性体が挙げられる。
本発明の一実施形態では、モノマーは、プロピレン及び1以上のCオレフィン(エチレン)又はC乃至C40オレフィン、好ましくはC乃至C20オレフィン、又は好ましくはC乃至C12オレフィンを含むコモノマーを任意的に含む。C乃至C40オレフィンモノマーは、線状、分岐状又は環状であってもよい。C乃至C40の環状オレフィンは、歪み又は非歪み、単環式又は多環式であってもよく、ヘテロ原子及び/又は1つ以上の官能基を任意に含み得る。
本発明の別の実施形態では、モノマーは、エチレン及び1つ以上のC乃至C40オレフィン、好ましくはC乃至C20オレフィン、又は好ましくはC乃至C12オレフィンを含む任意のコモノマーを含む。C乃至C40オレフィンモノマーは、線状、分岐状又は環状であってもよい。C乃至C40の環状オレフィンは、歪み又は非歪み、単環式又は多環式であってもよく、ヘテロ原子及び/又は1つ以上の官能基を任意に含み得る。
例示的なC2乃至C40オレフィンモノマー及び任意に用い得るコモノマーには、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン、ヘキセン、ヘプテン、オクテン、ノネン、デセン、ウンデセン、ドデセン、ノルボルネン、ノルボルナジエン、ジシクロペンタジエン、シクロペンテン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロオクタジエン、シクロドデセン、7−オキサノルボルネン、7−オキサノルボルナジエン、それらの置換誘導体、及びそれらの異性体、好ましくはヘキセン、ヘプテン、オクテン、ノネン、デセン、ドデセン、シクロオクテン、1,5−シクロオクタジエン、1−ヒドロキシ−4−シクロオクテン、1−アセトキシ−4−シクロオクテン、5−メチルシクロペンテン、シクロペンテン、ジシクロペンタジエン、ノルボルネン、ノルボルナジエン、及びそれらのそれぞれの同族体及び誘導体、好ましくはノルボルネン、ノルボルナジエン、及びジシクロペンタジエンが挙げられる。
好ましい実施形態では、1種以上のジエンは、本明細書で製造されるポリマー中に、組成物の総重量に基づいて、10wt%まで、好ましくは0.00001乃至8.0wt%、好ましくは0.002乃至8.0wt%、更により好ましくは0.003乃至8.0wt%が存在する。幾つかの実施形態では、500ppm以下のジエンが重合に添加され、好ましくは400ppm以下、好ましくは300ppm以下が添加される。他の実施形態では、少なくとも50ppmのジエンが重合に添加されるか、又は100ppm以上、又は150ppm以上が添加される。
本発明に有用なジオレフィンモノマーは、少なくとも2つの不飽和結合を有する任意の炭化水素構造、好ましくはC乃至C30を含み、不飽和結合の少なくとも1つは、鎖成長中にポリマー鎖に容易に組み込まれるのが好ましい。ジオレフィンモノマーは、アルファ、オメガ−ジエンモノマー(即ち、ジビニルモノマー)から選択されることが更に好ましい。より好ましくは、ジオレフィンモノマーは線形ジビニルモノマーであり、最も好ましくは4乃至30個の炭素原子を含むものである。好ましいジエンの例としては、ブタジエン、ペンタジエン、ヘキサジエン、ヘプタジエン、オクタジエン、ノナジエン、デカジエン、ウンデカジエン、ドデカジエン、トリデカジエン、テトラデカジエン、ペンタデカジエン、ヘキサデカジエン、ヘプタデカジエン、オクタデカジエン、ノナデカジエン、イコサジエン、ヘネイコサジエン、デコサジエン、トリコサジエン、テトラコサジエン、ペンタコサジエン、ヘキサコサジエン、ヘプタコサジエン、オクタコサジエン、ノナコサジエン、トリアコンタジエンが挙げられ、特に好ましいジエンとしては、1,6−ヘプタジエン、1,7−オクタジエン、1,8−ノナジエン、1,9−デカジエン、1,10−ウンデカジエン、1,11−ドデカジエン、1,12−トリデカジエン、1,13−テトラデカジエン、及び低分子量ポリブタジエン(Mwが1000g/mol未満)が挙げられる。好ましい環式ジエンには、シクロペンタジエン、5−ビニル−2−ノルボルネン、ノルボルナジエン、5−エチリデン−2−ノルボルネン、ジビニルベンゼン、ジシクロペンタジエン又は種々の環位置に置換基を有する又は有さない、更に高い数の環を含有するジオレフィンが含まれる。
C.ポリマー
本発明は、本明細書に記載の方法によって製造された物質のポリマー組成物にも関係する。
本発明の好ましい実施形態では、本明細書に記載の重合プロセスは、1,2,3,4又はそれ以上のC乃至C40オレフィンモノマー、好ましくはC乃至C20アルファオレフィンモノマーのホモポリマー及びコポリマーを生成する。特に有用なモノマーとしては、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン、ヘキセン、ヘプテン、オクテン、ノネン、デセン、ウンデセン、ドデセン、それらの異性体、及びそれらの混合物が挙げられる。
同様に、本発明のプロセスは、オレフィンポリマー、好ましくはポリエチレン及びポリプロピレンホモポリマー及びコポリマーを生成する。好ましい実施形態において、本明細書で製造されるポリマーは、エチレンのホモポリマー又はプロピレンのホモポリマーである。
或いは、本明細書で製造されたポリマーは、C乃至C40オレフィンと1種、2種又は3種又はそれ以上の異なるC乃至C40オレフィンである(ここで、C乃至C40オレフィンは好ましくはC乃至C20オレフィン、好ましくはC乃至C12アルファ−オレフィン、好ましくはプロピレン、ブテン、ヘキセン、オクテン、デセン、ドデセン、好ましくはプロピレン、ブテン、ヘキセン、オクテン、又はそれらの混合物である)。
或いは、本明細書で製造されるポリマーは、エチレンのコポリマーで、好ましくは0乃至25モル%(或いは0.5乃至20モル%、或いは1乃至15モル%、好ましくは3乃至10モル%)の1種以上のC乃至C20(好ましくはC乃至C12アルファ−オレフィン、好ましくはプロピレン、ブテン、ヘキセン、オクテン、デセン、ドデセン、好ましくはプロピレン、ブテン、ヘキセン、又はオクテン)からなるグループから選択される。
或いは、本明細書で製造されるポリマーは、プロピレンのコポリマーで、好ましくは0から25モル%を有するもの(或いは0.5から20モル%、或いは1から15モル%、好ましくは3から10モル%)の1種以上のC2又はC4乃至C20オレフィンコモノマー(好ましくはエチレン又はC4乃至C12アルファ−オレフィン、好ましくはエチレン、ブテン、ヘキセン、オクテン、デセン、ドデセン、好ましくはエチレン、ブテン、ヘキセン、又はオクテン)である。
本明細書で製造されるポリマーは、2種以上のポリマー成分の反応器内ブレンドである。ポリマー成分は、重合反応器中で複数の触媒を使用して、及び/又は直列又は並列配置の複数の反応器を使用して製造することができる。ブレンド中の各ポリマー成分の組成、分子量及び留分は、供給原料組成、反応器構成、触媒選択及び温度などの反応器設計及びプロセス条件によって制御することができる。
通常は、本明細書で製造されるポリマーは、5,000乃至1,000,000g/mol(好ましくは25,000乃至750,000g/mol、好ましくは50,000乃至500,000g/mol)のMw及び/又は1乃至40(或いは1.2乃至20、或いは1.3乃至10、或いは1.4乃至5、1.5乃至4、或いは1.5乃至3)を超えるMw/Mnを有する。
好ましい実施形態では、本明細書で製造されたポリマーは、ゲル透過クロマトグラフィー(GPC)によって測定された単峰性又は多峰性の分子量分布を有する。「単峰性」とは、GPCトレースが1つのピーク又は変曲点を有することを意味する。「多峰性」とは、GPCトレースが少なくとも2つのピーク又は変曲点を有することを意味する。変曲点は、曲線の二次導関数が符号で変化する点(例えば、負から正へ又はその逆)である。
他に示されない限り、Mw、Mn、MWDは、米国特許出願公開第2006/0173123号、24−25頁、段落[0334]乃至[0341]に記載されているようにGPCによって決定される。
好ましい実施形態において、本明細書で製造されるポリマーは、50%以上、好ましくは60%以上、好ましくは70%以上の組成分布幅指数(CDBI)を有する。CDBIは、ポリマー鎖内のモノマーの組成分布の尺度であり、PCT公報WO93/03093号(1993年2月18日公開)の特に第7及び8欄、WildらのJ.Poly.Sci.,Poly.Phys.Ed.,Vol.20,p.441(1982)及びUS5,008,204に記載されており、重量平均分子量(Mw)が15,000未満の留分は、CDBIを決定する際に無視されることを含む。
ポリマーは、従来よりの設備及び方法を用いて安定化され、ペレットに成形されてもよく、例えば、1軸又は2軸スクリュー押出機などのミキサー中でポリマーと安定剤(酸化防止剤など)を一緒に混合して、組み合わせをペレット化する。更に、ペレットには添加剤が含まれていてもよい。このような添加剤は、当該技術分野において周知であり、例えば、充填剤、酸化防止剤(例えば、Ciba−Geigyから入手可能なIRGANOX(商標)1010又はIRGANOX(商標)1076のようなヒンダーフェノール)、ホスファイト(例えば、Ciba−Geigyから入手可能なIRGAFOS(商標)168)、粘着防止添加剤、粘着付与剤(例えば、ポリブテン、テルペン樹脂、脂肪族及び芳香族炭化水素樹脂、アルカリ金属及びグリセロールステアレート、及び水素化ロジン)、UV安定剤、熱安定剤、抗ブロッキング剤、離型剤、帯電防止剤、顔料、着色剤、染料、ワックス、シリカ、充填剤、タルク等が挙げられる。
D.ポリマーブレンド
別の実施形態では、本明細書で製造されるポリマー(好ましくはポリエチレン又はポリプロピレン)は、フィルム、成形部品、又は他の物品に成形される前に、1つ又は複数の追加のポリマーと組み合わされる。他の有用なポリマーとしては、ポリエチレン、アイソタクチックポリプロピレン、高度アイソタクチックポリプロピレン、シンジオタクチックポリプロピレン、プロピレンとエチレンとのランダムコポリマー及び/又はブテン、及び/又はヘキセン、ポリブテン、エチレンビニルアセテート、LDPE、LLDPE、HDPE、エチレンビニルアセテート、エチレンメチルアクリレート、アクリル酸のコポリマー、ポリメチルメタアクリレート又は高圧遊離基プロセスによる任意の他の重合可能なもの、ポリビニルクロリド、ポリブテン−1、アイソタクチックポリブテン、ABS樹脂、エチレンプロピレンゴム(EPR)、加硫化EPR、EPDM、ブロックコポリマー、スタイレニックブロックコポリマー、ポリアミド、ポリカーボネイト、PET樹脂、架橋共ポリエチレン、エチレン及びビニールアルコールのコポリマー(EVOH)、ポリスチレンなどの芳香族モノマーのポリマー、ポリ−1エステル、ポリアセタール、ポリビニリデンフルオライド、ポリエチレングリコール、及び/又はポリイソブチレンが挙げられる。
好ましい実施形態では、ポリマー(好ましくはポリエチレン又はポリプロピレン)は、上述のブレンド中に、ブレンド中のポリマーの重量を基準にして10から99wt%、好ましくは20乃至95wt%、更により好ましくは、少なくとも30乃至90wt%、更により好ましくは少なくとも40乃至90wt%、更により好ましくは少なくとも50乃至90wt%、更により好ましくは少なくとも60乃至90wt%、更により好ましくは少なくとも70乃至90wt%存在している。
上述のブレンドは、本発明のポリマーを1種以上のポリマー(上述のようなもの)と混合することにより、反応器を直列に接続して反応器ブレンドを作ることにより、又は同じ反応器中に複数の触媒を使用して複数の種のポリマーを生成することにより製造される。ポリマーは、押出機に入れる前に一緒に混合することができ、又は押出機中で混合することができる。
このブレンドは、在来の機器及び方法を用いて形成することができ、例えば、個々の成分を乾燥ブレンドし、続いてミキサー中で溶融混合することによるか、又は成分をミキサー内で直接に一緒に混合することにより、そのミキサーは、例えばBanburyミキサー、Haakeミキサー、Brabender密閉式ミキサー、又は1軸又は2軸スクリュー押出機であって、重合プロセスの直後に使用される複合押出機及びサイドアーム押出機を含み、樹脂の粉末又はペレットをフィルム押出機のホッパーでブレンドすることを含み得る。更に、添加剤は、ブレンド、ブレンドの1つ以上の成分、及び/又はブレンドから形成された製品、例えば、所望のフィルムに含めてもよい。このような添加剤は、当該技術分野において周知であり、例えば、充填剤、酸化防止剤(例えば、Ciba−Geigyから入手可能なIRGANOX(商標)1010又はIRGANOX(商標)1076のようなヒンダーフェノール)、ホスファイト(例えば、Ciba−Geigyから入手可能なIRGAFOS(商標)168)、粘着防止添加剤、粘着付与剤(例えば、ポリブテン、テルペン樹脂、脂肪族及び芳香族炭化水素樹脂、アルカリ金属及びグリセロールステアレート、及び水素化ロジンなど)、UV安定剤、熱安定剤、抗ブロッキング剤、離型剤、帯電防止剤、顔料、着色剤、染料、ワックス、シリカ、充填剤、タルク等が挙げられる。
E.用途
本発明の方法で製造されたポリマーは、様々な用途に有用である。一実施形態では、本明細書に記載のポリマーは、当該分野で公知の任意の適切な手段によって所望の最終用途物品に成形することができる。これらは特に成形プロセスによって物品を製造するのに特に有用であり、その成形プロセスは、射出成形、ガス補助射出成形、押出ブロー成形、射出ブロー成形、射出延伸ブロー成形、圧縮成形、回転成形、発泡成形、熱成形、シート押出、プロファイル押出、エラスト溶接、及び圧縮成形技術を含むが、これらに限定されるものではない。別の実施形態では、本明細書に記載のポリマーは、不織弾性製品及び医療製品を調製するために使用され得る。その不織布製品は、限定するものではないが、おむつ、女性用ケア製品、及び成人用失禁製品を含む衛生用品などの物品に使用することができる。望ましい用途には、パイプ及び導管、及び他の成形品も含まれる。他の用途には、膜及びフィルム製造、特にブロー及びキャストフィルムが含まれる。本明細書に記載のポリマーは、熱可塑性ポリオレフィンルーフィング膜などの屋根用途に有用である。本発明の方法によって製造されたポリマー及びそのブレンドは自動車用途に有用である。或いは、本明細書に記載のポリマーは、包装、木工及び積層のような用途のための接着剤として使用することができる。
F.触媒系
任意の公知の重合触媒、例えば、Ziegler−Natta触媒系、クロム触媒、メタロセン触媒系、ピリジルジアミド触媒又は他のシングルサイト触媒、又はバイメタル(即ち、Z/N及び/又はメタロセン)触媒を含むそれらの組み合わせを本発明に用いることができる。好ましい触媒は、C2乃至C20オレフィンを重合して、重合温度が60℃以上で重量平均分子量が5,000g/mol以上の重合体を生成するものである。本明細書に記載の重合プロセスで使用される触媒系は、触媒(例えば、メタロセン化合物、ピリジルジアミド化合物などのオレフィン重合触媒化合物)及び活性化剤を含むことができる。触媒(例えば、メタロセン化合物、ピリジルジアミド化合物などのオレフィン重合触媒化合物)及び活性化剤は、任意の順序で組み合わせることができる。例えば、触媒(例えば、メタロセン化合物、ピリジルジアミド化合物などのオレフィン重合触媒化合物)及び活性化剤は、モノマーを接触させる前に組み合わせることができる。或いは、モノマーと触媒の溶液(例えば、メタロセン化合物、ピリジルジアミド化合物などのオレフィン重合触媒化合物)に活性化剤を添加してもよい。好ましくは、活性化剤及び触媒(例えば、メタロセン化合物、ピリジルジアミド化合物などのオレフィン重合触媒化合物)を接触させて、少なくとも1つのスパイラル熱交換器に入る前に、より好ましくは、少なくとも1つのスパイラル熱交換器に入る直前に、触媒系を形成する。本明細書中で使用される場合、「直」又は「直ちに」(immediately)」とは、活性化剤及び触媒(例えば、メタロセン化合物、ピリジルジアミド化合物などのオレフィン重合触媒化合物)が少なくとも1つのスパイラル熱交換器に入る前の約1乃至約120秒間、好ましくは約1乃至約60秒間、好ましくは約1乃至約30秒間を指す。これに加えて又はこれに代えて、活性化剤は、モノマー、触媒系及びポリマーを含む再循環流に導入することができる。
触媒系は、担体を更に含むことができる。担持触媒の製造方法は、当業者には周知である。代表的な担体は、タルク、無機酸化物、粘土及び粘土鉱物、イオン交換層状化合物、ケイソウ土、ケイ酸塩、ゼオライト又はポリオレフィンのような樹脂状担体材料等の任意の担体であり得る。特定の無機酸化物には、単独で、又は他の無機酸化物、例えばマグネシア、チタニア、ジルコニアなどと組み合わせて使用されるシリカ及びアルミナが含まれる。担体として使用される無機酸化物は、30〜600ミクロン、望ましくは30〜100ミクロンの範囲の平均粒径、グラム当たり50−1000平方メートルの表面積、望ましくはグラム当たり100−400平方メートルの表面積を有するものとして特徴付けられ、0.5−3.5cc/g、望ましくは約0.5−2cc/gの細孔容積を有する。
触媒系は乾燥され、スパイラル熱交換器に固体(粉末など)として導入され、鉱油中に懸濁され、代表的な炭化水素溶媒材料(例えば、ヘキサン、イソペンタンなど)と組み合わせられた鉱油スラリーとして導入されて、懸濁液として、又は当該技術分野で一般的に用いられる他の任意の手段として導入することができる。
メタロセン化合物
メタロセン触媒は、3乃至6族の有機金属化合物であり、これは、pi結合を介して遷移金属と配位した1乃至2個のシクロペンタジエニル(Cp)基(置換又は非置換であっても同じでも異なっていてもよい)からなる配位子を有する。このCp基はまた、例えば、インデニル、アズレニル及びフルオレニル基を含む他の隣接する環構造を形成するように、線状、分枝又は環状ヒドロカルビル基及び望ましくは環状ヒドロカルビル基による置換を含んでもよい。これらの追加の環構造は、ヒドロカルビル基(望ましくはC乃至C20ヒドロカルビル基)によって置換され又は非置換であってもよい。
適切なメタロセン触媒は、例えば、米国特許第4,530,914号、第4,542,199号、第4,769,910号、第4,808,561号、第4,871,705号、第4,933,403号、第4,937,299号、第5,017,714号、第5,026,798号、第5,057,475号、第5,120,867号、第5,132,381号、第5,155,180号、第5,198,401号、第5,278,119号、第5,304,614号、第5,324,800号、第5,350,723号、第5,391,790号、第5,436,305号、第5,510,502号、第5,145,819号、第5,243,001号、第5,239,022号、第5,329,033号、第5,296,434号、第5,276,208号、第5,672,668号、第5,304,614号、第5,374,752号、第5,510,502号、第4,931,417号、第5,532,396号、第5,543,373号、第6,100,214号、第6,228,795号、第6,124,230号、第6,114,479号、第6,117,955号、第6,087,291号、第6,140,432号、第6,245,706号、第6,194,341号、第7,141,632号及びWO97/32906号、98/014585号、98/22486号、並びに00/12565号、米国特許公開公報US第20150025209号に開示されており、これらの各々は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれている。
触媒系での使用のための好ましいモノシクロペンタジエニルメタロセン化合物の例としては、限定されるものではないが、以下を含む。
ジメチルシリル(テトラメチルシクロペンタジエニル)(シクロドデシルアミド)チタニウムジメチル、
ジメチルシリル(テトラメチルシクロペンタジエニル)(シクロドデシルアミド)チタニウムジクロライド、
ジメチルシリル(テトラメチルシクロペンタジエニル)(t−ブチルアミド)チタニウムジメチル、
ジメチルシリル(テトラメチルシクロペンタジエニル)(t−ブチルアミド)チタニウムジクロライド、
μ−(CHSi(シクロペンタジエニル)(1−アダマンチルアミド)M(R)
μ−(CHSi(3−tertブチルシクロペンタジエニル)(1−アダマンチルアミドM(R)
μ−(CH(テトラメチルシクロペンタジエニル)(1−アダマンチルアミド)M(R)
μ−(CHSi(テトラメチルシクロペンタジエニル)(1−アダマンチルアミド)M(R)
μ−(CHC(テトラメチルシクロペンタジエニル)(1−アダマンチルアミド)M(R)
μ−(CHSi(テトラメチルシクロペンタジエニル)(1−tertブチルアミド)M(R)
μ−(CHSi(フルオレニル)(1−tertブチルアミド)M(R)
μ−(CHSi(テトラメチルシクロペンタジエニル)(1−シクロドデシルアミド)M(R)、及び
μ−(CC(テトラメチルシクロペンタジエニル)(1−シクロドデシルアミド)M(R)
ここでMはTi、Zr及びHfからなるグループから選択され、Rはハロゲン又はC乃至Cアルキルから選択され、好ましくはRはメチル基である。
好ましいビスシクロペンタジエニルメタロセン化合物の例としては、限定されるものではないが、以下を含む。
ビス(テトラヒドロインデン)HfMe
ビス(1−ブチル、3−メチルシクロペンタジエニル)ZrCl
ビス−(n−ブチルシクロペンタジエニル)ZrCl
(ジメチルシリル)Oビス(インデニル)ZrCl
ジメチルシリル(3−(3−メチルブチル)シクロペンタジエニル)(2,3,4,5−テトラメチルシクロペンタジエニル)ZrCl
ジメチルシリルビス(テトラヒドロインデニル)ZrCl
ジメチルシリル−(3−フェニル−インデニル)(テトラメチルシクロペンタジエニル)ZrCl
ジメチルシリル(3−ネオペンチルシクロペンタジエニル)(テトラメチルシクロペンタジエニル)HfCl
テトラメチルジシリレンビス(4−(3,5−ジ−tertブチルフェニル)−インデニル)ZrCl、及び
シクロペンタジエニル(1,3−ジフェニルシクロペンタジエニル)ZrCl
特に有用なメタロセンは、以下からなるグループから選択されたものを含む。
ビス(シクロペンタジエニル)ジクロライド、ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ハフニウムジクロライド、ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、ビス(1−メチル−3−n−ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、ビス(1−メチル−3−n−ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、ビス(1−メチル−3−n−ブチルシクロペンタジエニル)ハフニウムジクロライド、ビス(1−メチル−3−n−ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、ビス(インデニル)ジルコニウムジクロライド、ビス(インデニル)ジルコニウムジメチル、ビス(テトラヒドロ−1−インデニル)ジルコニウムジクロライド、ビス(テトラヒドロ−1−インデニル)ジルコニウムジメチル、ジメチルシリルビス(テトラヒドロインデニル)ジルコニウムジクロライド、ジメチルシリルビス(テトラヒドロインデニル)ジルコニウムジメチル、ジメチルシリルビス(インデニル)ジルコニウムジクロライド、ジメチルシリル(ビスインデニル)ジルコニウムジメチル、ジメチルシリルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、ジメチルシリルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、ジメチルシリルビス(2−メチル−4−フェニルインデニル)ジルコニウムジクロライド、及びジメチルシリルビス(2−メチル−4−フェニルインデニル)ジルコニウムジメチル
特に有用なメタロセンは、以下からなるグループから選択されたものを含む。
ビス(インデニル)ジルコニウムジクロライド、ビス(インデニル)ジルコニウムジメチル、ビス(インデニル)ハフニウムジクロライド、ビス(インデニル)ハフニウムジメチル、1,1’−ビス(4−トリエチルシリルフェニール)メチレン−(シクロペンタジエニル)(3,8−ジ−tertブチル−1−フルオレニル)ハフニウムジメチル(ブリッジが1位であると仮定する)、及び1,1’−ビス(4−トリエチルシリルフェニール)メチレン−(シクロペンタジエニル)(3,8−ジ−tertブチル−1−フルオレニル)ハフニウムジクロライド(ブリッジが1位であると仮定する)。更なる有用な触媒については、米国特許第6,506,857号を参照されたい。
メタロセン化合物の特に有用な組合せは以下を含む。
SiMe(MeCp)(cC12N)TiMe及びビス(1-Bu,3−Me−Cp)ZrCl
SiMe(MeCp)(cC12N)TiMe及び(SiMe)ビス(インデニル)ZrCl
SiMe(MeCp)(cC12N)TiMe及び(SiMeOビス(インデニル)ZrCl
SiMe(MeCp)(cC12N)TiMe及び(SiMeOビス(インデニル)ZrMe
SiMe(MeCp)(cC12N)TiMe及びSiMe(3−ネオペンチルCp)(MeCp)HfCl
SiMe(MeCp)(cC12N)TiMe及びSiMe(3−ネオペンチルシクロペンタジエニル)(MeCp)HfMe
SiMe(MeCp)(1−アダマンチルアミド)TiMe及びビス(1−Bu,3−MeCp)ZrCl、及び
SiMe(MeCp)(1−t−ブチルアミド)TiMe及びビス(1−Bu,3−MeCp)ZrCl
重合プロセスにおいて特に有用なメタロセン化合物は以下の1つ以上を含む。
ジメチルシリレン−ビス(2−シクロプロピル−4−フェニルインデニル)ジルコニウムジクロライド、ジメチルシリレン−ビス(2−シクロプロピル−4−フェニルインデニル)ハフニウムジクロライド、ジメチルシリレン−ビス(2−メチル−4−フェニルインデニル)ジルコニウムジクロライド、ジメチルシリレン−ビス(2−メチル−4−フェニルインデニル)ハフニウムジクロライド、ジメチルシリレン−ビス(2−メチル−4−オルソビフェニルインデニル)ハフニウムジクロライド、ジメチルシリレン−ビス(2−メチル−4−オルソビフェニルインデニル)ジルコニウムジクロライド、ジメチルシリレン(2−シクロプロピル−4−オルソビフェニルインデニル)(2−メチル−4−3’,5’−ジ−t−ブチルフェニルインデニル)ハフニウムジクロライド、ジメチルシリレン(2−シクロプロピル−4−オルソビフェニルインデニル)(2−メチル−4−3’,5’−ジーt−ブチルフェニルインデニル)ジルコニウムジクロライド、ジメチルシリレン−(2−イソプロピル−4(4−t−ブチル)フェニル)インデニル)(2−メチル−4−フェニルインデニル)ジルコニウムジクロライド、ジメチルシリレン−(2−イソプロピル−4(4−t−ブチル)フェニル)インデニル)(2−メチル−4−フェニルインデニル)ハフニウムジクロライド、ジメチルシリレン−(2−イソプロピル−4(4−t−ブチル)フェニル)インデニル)(2−メチル,4−t−ブチルインデニル)ジルコニウムジクロライド、ジメチルシリレン−(2−イソプロピル−4(4−t−ブチル)フェニル)インデニル)(2−メチル,4−t−ブチルインデニル)ハフニウムジクロライド、ジメチルシリレン−(2−イソプロピル−4(4−t−ブチル)フェニル)インデニル)(2−メチル−4−フェニルインダセニル)ジルコニウムジクロライド、ジメチルシリレン−(2−イソプロピル−4(4−t−ブチル)フェニル)インデニル)(2−メチル−4−フェニルダセニル)ハフニウムジクロイド、ジメチルシリレン(4−o−ビフェニル−2−(1−メチルシクロヘキシル)メチル−インデニル)(4−(3,5−ジ−tert−ブチルフェニル)−2−メチル−インデニル)ジルコニウムジクロライド、及びジメチルシリレン(4−o−ビフェニル−2−(1−メチルシクロヘキシル)メチル−インデニル)(4−(3,5−ジ−tert−ブチルフェニル)−2−メチル−インデニル)ハフニウムジクロライド。ここで代替的実施形態においては、上に列挙した化合物のいずれかの二塩化物は、ジアルキル(ジメチルなど)、ジアルカリル、ジフルリド、ジヨウ化物又は二臭化物、又はそれらの組み合わせで置き換えることができる。
上述のグループ1に記載のタイプの好ましいビスシクロペンタジエニルメタロセンの例示的であるが限定的ではない例としては、以下のラセミ異性体がある。
μ−(CHSi(インデニル)M(Cl)
μ−(CHSi(インデニル)M(CH
μ−(CHSi(テトラヒドロインデニル)M(Cl)
μ−(CHSi(テトラヒドロインデニル)M(CH
μ−(CHSi(インデニル)M(CHCH
μ−(CC(インデニル)M(CH
ここでMは、Zr及びHfからなるグループから選択される。
上述のグループ1に記載されたタイプの好ましい非対称シクロペンタジエニルメタロセンの例示的であるが限定的でない例を以下に示す。
μ−(CC(シクロペンタジエニル)(フルオレニル)M(R)
μ−(CC(3−メチルシクロペンタジエニル)(フルオレニル)M(R)
μ−(CHC(シクロペンタジエニル)(フルオレニル)M(R)
μ−(CC(シクロペンタジエニル)(2−メチルインデニル)M(R)
μ−(CC(3−メチルシクロペンタジエニル)(2−メチルインデニル)M(R)
μ−(p−トリエチルシリルフェニール)C(シクロペンタジエニル)(3,8―ジ−t−ブチルフルオレニル)M(R)
μ−(CC(シクロペンタジエニル)(2,7−ジメチルインデニル)M(R)
μ−(CHC(シクロペンタジエニル)(2,7−ジメチルインデニル)M(R)
ここでMは、Zr及びHfからなるグループから選択され、Rは、Cl及びCHからなるグループから選択される。
上述のグループ2に記載のタイプの好ましいモノシクロペンタジエニルメタロセンの例示的であるが限定的ではない例を以下に示す。
μ−(CHSi(シクロペンタジエニル)(1−アダマンチルアミド)M(R)
μ−(CHSi(3―tertブチルシクロペンタジエニル)(1−アダマンチルアミド)M(R)
μ−(CHSi(テトラメチルシクロペンタジエニル)(1−アダマンチルアミド)M(R)
μ−(CHC(テトラメチルシクロペンタジエニル)(1−アダマンチルアミド)M(R)
μ−(CHSi(テトラメチルシクロペンタジエニル)(1−tertブチルアミド)M(R)
μ−(CHSi(フルオレニル)(1−tertブチルアミド)M(R)
μ−(CHSi(テトラメチルシクロペンタジエニル)(1−シクロドデシルアミド)M(R)
μ−(CHC(テトラメチルシクロペンタジエニル)(1−シクロドデシルアミド)M(R)
ここでMはTi、Zr及びHfからなるグループから選択され、RはCl及びCHから選択される。
本明細書に記載のプロセスのいずれかの好ましい実施形態では、1種のメタロセン化合物を使用することができる。例えば、メタロセン化合物は異なるものではなくてもよい。本発明の目的のために、1種のメタロセン化合物は、それらが少なくとも1つの原子が異なる場合、他とは異なると見なされる。例えば、「ビスインデニルジルコニウムジクロライド」は、「(インデニル)(2−メチルインデニル)ジルコニウムジクロライド」とは異なり、これは「(インデニル)(2−メチルインデニル)ハフニウムジクロライド」とは異なる。異性体だけが異なるメタロセン化合物は、本発明の目的では同じであると見なされる。例えば、rac−ジメチルシリルビス(2−メチル4−フェニル)ハフニウムジメチルは、meso−ジメチルシリルビス(2−メチル4−フェニル)ハフニウムジメチルと同じであると見なされる。
ピリジルジアミド化合物
用語「ピリジルジアミド化合物」(pyridyldiamido compound)、「ピリジルジアミド錯体」又は「ピリジルジアミデ錯体」(Pyridyldiamide complex)又は「ピリジルジアミド触媒」又は「ピリジルジアミデ触媒」は、米国特許第7,973,116号、米国特許出願公開第2012/0071616号、第2011/0224391号、第2011/0301310号、第2014/0221587号、第2014/0256893号、第2014/0316089号、第2015/0141590号及び第2015/0141601号に記載されており、これらは参照により本明細書に組み込まれており、これは、1つの中性ルイス供与体原子(例えば、ピリジン基)及びアニオン性アミド又はホスフィド(即ち、脱プロトン化されたアミン又はホスフィン)供与体の対を介して金属中心に配位されたジアニオン性3座配位子を特徴とする。これらの錯体において、ピリジルジアミド配位子は、1つの5員キレート環及び1つの7員キレート環の形成と共に金属に配位される。ピリジルジアミド配位子の追加的原子は、活性化の際に触媒の機能に影響を与えることなく金属に配位することが可能である。これの一例は、金属中心への追加の結合を形成するシクロメタル化置換アリール基である。
本発明の一態様では、触媒系は、式(A)で表されるピリジルジアミド遷移金属化合物を含む。
Figure 0006674030
ここで、
は第4族金属(好ましくはハフニウム)であり、
各E’基は、炭素、ケイ素又はゲルマニウム(好ましくは炭素)から独立に選択され、
各X’はアニオン性脱離基(好ましくはアルキル、アリール、ヒドリド、アルキルシラン、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、トリフレート、カルボン酸塩、アルキルスルホン酸塩)であり、
は中性のルイス塩基(好ましくはエーテル、アミン、チオエーテル)であり、
R’及びR’13は、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル及びシリル基(好ましくはアリール)からなるグループから独立に選択され、
R’,R’,R’,R’,R’,R’,R’,R’,R’10,R’11,及びR’12は、水素、ヒドロカルビル、アルコキシ、シリル、アミノ、アリールオキシ、置換ヒドロカルビル、ハロゲン、及びホスフィノからなるグループから独立に選択され、
n’は1又は2であり、
m’は0,1,又は2であり、及び
2つのX’基は互いに結合してジアニオン性基を形成してもよく、
2つのL基が一緒に結合して2座のルイス塩基を形成してもよく、
X’基はL基に結合してモノアニオン性2座基を形成することができ、
R’及びR’は結合して環(好ましくは、芳香族環、結合したR’R’基が-CH=CHCH=CH−である員芳香族環)を形成してもよく、
R’10及びR’11は結合して環(好ましくは、結合したR’10及びR’11基が−CHCH−である5員環、結合したR’10及びR’11基が−CHCHCH―である6員環)を形成してもよい。
本明細書に記載の任意の実施形態において、Mは、好ましくはZr、又はHfであり、好ましくはHfである。
本明細書に記載のいずれかの実施形態では、R’基(R’、R’、R’、R’、R’、R’、R’、R’、R’、R’10、R’11、R’12、及びR’13)は、好ましくは30個まで、好ましくは30個以下の炭素原子、特に2から20個までの炭素原子を有する。
本発明の好ましい実施形態では、R’は、フェニル基から選択され、これは0から5個の置換基で様々に置換されたものであり、これらの置換基はF、Cl、Br、I、CF、NO、アルコキシ、ジアルキルアミノ、アリール及び1乃至10個の炭素を有するアルキル基を含み、このアルキル基は例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル及びそれらの異性体である。
本明細書に記載の任意の実施形態において、好ましくは、R’及びR’13は、フェニル基から独立に選択され、このフェニル基は0から5個の置換基で様々に置換されたものであり、この置換基はF、Cl、Br、I、CF、NO、アルコキシ、ジアルキルアミノ、アリール及び1から10個の炭素を有するアルキル基を含み、このアルキル基は例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル及びそれらの異性体である。
本明細書に記載の任意の実施形態において、好ましくは、Eは炭素であり、R’及びR’13は、フェニル基から独立に選択され、このフェニル基は0から5個の置換基で様々に置換されたものであり、この置換基はF、Cl、Br、I、CF、NO、アルコキシ、ジアルキルアミノ、ヒドロカルビル、及び置換ヒドロカルビル、及び1から10個の炭素を有する基である。
本明細書に記載の任意の実施形態において、好ましくは、R’及びR’13は、6乃至30個の炭素原子を含むアリール又はアルキル基、特にフェニル基から選択される。R’及びR’13は、アリール又はアルキル基から選択され、R’、R’、R’11、及びR’12は、水素、アルキル、及びアルキル基、例えばフェニルから独立に選択されることが好ましい。フェニル基は、アルキル置換されていてもよい。アルキル置換基は、直鎖アルキルであってもよいが、分岐アルキルを含む。
好ましくは、各R’及びR’13は、R及びR11の一方又は両方が1から10個の炭素を含む基で置換された置換フェニル基である。幾つかの特定の例は、R及びR13が、2−メチルフェニル、2−イソプロピルフェニル、2−エチルフェニル、2,6−ジメチルフェニル、メシチル、2,6−ジエチルフェニル、及び2,6−ジイソプロピルフェニルを含むグループから選択されることを含む。
好ましい実施形態では、R’及びR’は結合して4員乃至10員環を形成してもよい。1つの例は、R’R’基が−CH=CHCH=CH−であり、芳香族6員環の形成を有する。
好ましい実施形態では、R’10とR’11は結合して4員乃至10員環を形成してもよい。1つの特定の例は、R’10R’11基が−CHCH−であり、5員環の形成を有する。別の例は、R’10R’11が−CHCHCH−であり、6員環の形成を有する。
好ましい実施形態においては、E’は炭素である。
好ましい実施形態では、R’は6から12個の炭素原子を含む芳香族ヒドロカルビル基であり、R’13は3から12個の炭素原子を含む飽和炭化水素である。特定の例は、R’=2−イソプロピルフェニル及びR’13=シクロヘキシルを有する。
本明細書に記載された任意の実施形態においては、R’、R’、R’、R’、R’、R’、R’、R’、R’10、R’11、及びR’12は、水素又は1から4個の炭素原子のアルキルとしてもよい。好ましくは、R’、R’、R’、R’、R’、R’、R’、R’、R’10、R’11、及びR’12の0、1、又は2は、アルキル置換基である。
本明細書に記載された任意の実施形態においては、好ましくは、X’はアルキル、アリール、ハイドライド、アルキルシラン、フルオライド、クロライド、ブロミデ、イオジデ、トリフラート、カーボキシレート、アルキルサルフオネイト、アルコキシ、アミド、ヒドリド、フェノキシ、ヒドロキシ、シリル、アリル、アルケニル、及びアルキニルから選択される。
本明細書に記載された任意の実施形態においては、好ましくは、Lはエーテル、チオエーテル、アミン、ニトリル、イミン、ピリジン、及びホスフィンから選択され、好ましくはエーテルである。
本発明の1つの態様において、触媒系は、式(I)で表されるピリジルジアミド遷移金属錯体を含む。
Figure 0006674030
ここでMは第4族金属、好ましくは4族金属、より好ましくはTi、Zr又はHfであり、
Zは―(R14C−C(R15―であり、ここでR14及びR15は水素、ヒドロカルビル及び置換ヒドロカルビル(好ましくは水素及びアルキル)からなるグループから独立に選択され、隣接するR14及びR15基は、結合して芳香族又は飽和、置換又は非置換のヒドロカルビル環を形成してもよく、ここで環は5、6、7又は8個の環炭素原子を有し、環上の置換は結合して更なる環を形成することができ、
pは1又は2であり、及び
qは1又は2であり;
及びR11は、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル及びシリル基(好ましくは、アルキル、アリール、ヘテロアリール及びシリル基)からなるグループから独立に選択され、
及びR10はそれぞれ独立に、−E(R12)(R13)−であり、Eは炭素、ケイ素又はゲルマニウムであり、各R12及びR13は、水素、ヒドロカビル、及び置換ヒドロカビル、アルコキシ、シリル、アミノ、アリールオキシ、ハロゲン及びホスフィノ(好ましくは水素、アルキル、アリール、アルコキシ、シリル、アミノ、アリールオキシ、ヘテロアリール、ハロゲン及びホスフィノ)からなるグループから独立に選択され、R12及びR13は、互いに結合してもよく、或いはR14又はR15と結合して、飽和、置換又は非置換のヒドロカルビル環を形成することができ、環は4、5、6又は7環炭素原子を有し、環上の置換が結合して更なる環を形成することができ、或いはR12及びR13が結合して飽和複素環又は飽和置換複素環を形成してもよく、環上の置換が結合して更なる環を形成することができ、
、R及びRは、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、アルコキシ、アリールオキシ、ハロゲン、アミノ、及びシリル(好ましくは、水素、アルキル、アルコキシ、アリールオキシ、ハロゲン、アミノ、シリル、及びアリール)からなるグループから独立に選択され、隣接するR基(R及びR及び/又はR及びR)は、結合して置換又は非置換のヒドロカルビル又はヘテロシクリル環を形成してもよく、環は5、6、7、又は8個の環原子を有し、環上の置換が結合して更なる環を形成することができ、
Lはアニオン性脱離基であり、ここでL基は同一であっても異なっていてもよく、任意の2つのL基は結合してジアニオン性脱離基を形成してもよく、
nは1又は2であり、
L’は中性ルイス塩基であり、及び
wは0、1、又は2である。
別の好ましい実施形態では、Zは、錯体が式(II)によって表されるようにアリールと定義される。
Figure 0006674030
ここでR、R、R、及びRは、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、アルコキシ、ハロゲン、アミノ及びシリルからなるグループ及び対のポジションから独立に選択され、隣接するR基(RとR及び/又はRとR及び/又はRとR及び/又はRとR10)は、結合して飽和、置換又は非置換ヒドロカルビル又は複素環を形成することができ、その環は5、6、7又は8個の環炭素原子を有し、環上の置換が結合して更なる環を形成することができ、M、L、L’、w、n、R、R、R、R、R、R、R10、及びR11は、上記で定義した通りである。
より好ましい実施形態では、本発明において有用なピリジルジアミド錯体は、式(III)により表される。
Figure 0006674030
ここでR16及びR17は、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、アルコキシ、ハロゲン、アミノ及びシリルからなるグループから独立に選択され、隣接するR基(RとR及び/又はRとR16及び/又はR16とR17及び/又はRとR)は、結合して飽和、置換又は非置換ヒドロカルビル又は複素環を形成することができ、その環は5、6、7又は8個の環炭素原子を有し、環上の置換が結合して更なる環を形成することができ、M、L、L’、w、n、R、R、R、R、R、R、R10、及びR11は、上記で定義した通りである。
本明細書に記載の式I、II、又はIIIのいずれかの実施形態においては、Mは、好ましくはTi、Zr又はHfであり、好ましくはHf又はZrである。
本明細書に記載の式I、II、又はIIIのいずれかの実施形態においては、上述のR基(R、R、R、R、R、R、R、R、R、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、及びR17)は、好ましくは30個までの炭素原子、好ましくは30個を越えない数の炭素原子、特に2から20個の炭素原子を含む。
本明細書に記載の式I、II、又はIIIのいずれかの実施形態においては、好ましくはR、R、R、R、R、R、R、R、R、R10、R11、R12、R13までは、30個までの炭素原子、特に2から20個の炭素原子を含む。
本発明の好ましい実施形態では、Rは、フェニル基から選択され、これは0から5個の置換基で様々に置換されたものであり、F、Cl、Br、I、CF、NO、アルコキシ、ジアルキルアミノ、アリール、及び1乃至10個の炭素を有するアルキル基を含み、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル及びそれらの異性体などを含む。
本明細書に記載の式I、II、又はIIIのいずれかの実施形態において、好ましくは、R及びR11は、フェニル基から独立に選択され、これは0から5個の置換基で様々に置換されたものであり、F、Cl、Br、I、CF、NO、アルコキシ、ジアルキルアミノ、アリール、及び1乃至10個の炭素を有するアルキル基、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル及びそれらの異性体などを含む。
本明細書に記載の式I、II、又はIIIのいずれかの実施形態において、好ましくは、Eは炭素であり、R及びR11は、フェニル基から独立に選択され、これは0から5個の置換基で様々に置換されたものであり、この置換基はF、Cl、Br、I、CF、NO、アルコキシ、ジアルキルアミノ、ヒドロカルビル、及び置換ヒドロカルビル、1から10個の炭素を有する基を含む。
本明細書に記載の式I、II、又はIIIのいずれかの実施形態において、好ましくは、R及びR11は、6から30個の炭素原子を含むアリール又はアルキル基、特にフェニル基から選択される。R及びR11は、アリール又はアルキル基から選択され、R12、R13、R14及びR15は、水素、アルキル、及びアリール基、例えばフェニルから独立に選択されることが好ましい。フェニル基は、アルキル置換されていてもよい。アルキル置換基は、直鎖アルキルであってもよいが、分岐アルキルを含む。
好ましくは、各R及びR11は、置換されたフェニル基であり、アミド窒素に結合した炭素に隣接する炭素の1つ又は両方は、1から10個の炭素を含む基で置換されている。幾つかの特定の例は、R及びR11が、2−メチルフェニル、2−イソプロピルフェニル、2−エチルフェニル、2,6−ジメチルフェニル、メシチル、2,6−ジエチルフェニル及び2,6−ジイソプロピルフェニルを含むグループから選択されることを含む。
本明細書に記載の式I、II、又はIIIのいずれかの実施形態において、Rは、好ましくは、Eが炭素である部分から選択され、特に部分−C(R12)(R13)−であり、ここでR12は水素であり、R13はアリール基又はベンジル基(好ましくは、メチレンのようなアルキレン部分を介してC原子に結合したフェニル環)である。次いで、フェニル基は上述のように置換されていてもよい。有用なR基は、CH、CMe、SiMe、SiEt、SiPr、SiBu、SiPh、Si(アリール)、Si(アルキル)、CH(アリール)、CH(Ph)、CH(アルキル)、及びCH(2−イソプロピルフェニル)を含む。
本明細書に記載の式I、II、又はIIIのいずれかの実施形態において、R10は、好ましくは、Eが炭素である部分から選択され、特に部分−C(R12)(R13)−であり、ここでR12は水素であり、R13はアリール基又はベンジル基(好ましくは、メチレンのようなアルキレン部分を介してC原子に結合したフェニル環)である。次いで、フェニル基は上述のように置換されていてもよい。有用なR10基は、CH、CMe、SiMe、SiEt、SiPr、SiBu、SiPh、Si(アリール)、Si(アルキル)、CH(アリール)、CH(Ph)、CH(アルキル)、及びCH(2−イソプロピルフェニル)を含む。
本明細書に記載の式I、II、又はIIIのいずれかの実施形態において、R10及びRはCH、CMe、SiMe、SiEt、SiPr、SiBu、SiPh、Si(アリール)、Si(アルキル)、CH(アリール)、CH(Ph)、CH(アルキル)、及びCH(2−イソプロピルフェニル)から選択される。
本明細書に記載の式I、II、又はIIIのいずれかの実施形態において、R、R、R、R、R、R、及びRは、水素又は1から4個の炭素原子のアルキルとし得る。好ましくは、R、R、R、R、R、R、及びRの0、1、又は2はアルキル置換基である。
本明細書に記載の式I、II、又はIIIのいずれかの実施形態において、R、R、R、R、R、R、R、R12、R13、R14及びR15は、独立に水素、C乃至C20アルキル、好ましくはメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、又はそれらの異性体)、又はC乃至C40アリール基(好ましくはC乃至C20アリール基、好ましくはフェニル又は置換フェニル又はその異性体、好ましくはフェニル、2−イソプロピルフェニル、又は2−tertブチルフェニル基)である。
本明細書に記載の式I、II、又はIIIのいずれかの実施形態において、好ましくは、Lはハロゲン化物、アルキル、アリール、アルコキシ、アミド、ヒドリド、フェノキシ、ヒドロキシ、シリル、アリル、アルケニル及びアルキニルから選択される。
本明細書に記載の式I、II、又はIIIのいずれかの実施形態において、好ましくは、L’はエーテル、チオエーテル、アミン、ニトリル、イミン、ピリジン及びホスフィンから選択され、好ましくはエーテルである。
ピリジルジアミド−金属錯体は、2つのアミド供与体及び1つのピリジル供与体を介して、三座配位子として金属中心で配位される。金属中心、M又はMは、第4族からの遷移金属である。現在の理論によれば、触媒としての使用において、金属中心は、好ましくは4価状態であり、活性化剤(例えば、有機アルミニウム処理された層状珪酸塩)と接触させることにより、Mが還元された原子価状態を有し、触媒系の調製時にその正規の原子価状態を回復する化合物を生成することが可能である。好ましくは、ピリジルジアミド配位子に加えて、金属M又はMも、nが1又は2であるn個のアニオン配位子に配位している。アニオン性供与体は、代表的にはハロゲン化物又はアルキルであるが、広範囲の他のアニオン性基が可能であり、シュウ酸などのジアニオン性と考えられる分子を形成するために一緒に共有結合しているものを含む。特定の錯体については、3つまでの中性ルイス塩基(L又はL)、代表的にはエーテルも金属中心に配位している可能性がある。好ましい実施形態では、wは0、1、又は2である。
好ましい実施形態において、L又はLは、ハロゲン化物、アルキル、アリール、アルコキシ、アミド、ヒドリド、フェノキシ、ヒドロキシ、シリル、アリル、アルケニル及びアルキニルから選択され得る。脱離基の選択は、錯体に到達するために採用された合成経路に依存し、重合における後の活性化方法に適合するための更なる反応によって変更することができる。例えば、N、N−ジメチルアニリニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)−ボレート又はトリス(ペンタフルオロフェニル)ボランのような非配位性アニオンを使用する場合、好ましいL又はL基はアルキルである。別の実施形態では、2個のL又は2個のL基が結合して、ジアニオン性脱離基、例えばシュウ酸塩を形成することができる。
好ましい実施形態において、Xは、ハロゲン化物、アルキル、アリール、アルコキシ、アミド、ヒドリド、フェノキシ、ヒドロキシ、シリル、アリル、アルケニル及びアルキニルから選択され得る。脱離基の選択は、錯体に到達するために採用された合成経路に依存し、重合における後の活性化方法に適合するための更なる反応によって変更することができる。例えば、N、N−ジメチルアニリニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)−ボレート又はトリス(ペンタフルオロフェニル)ボランのような非配位性アニオンを使用する場合、好ましいXはアルキルである。別の実施形態では、2つのX基が結合して、ジアニオン性脱離基、例えばシュウ酸塩を形成することができる。
別の実施形態において、各Lは、エーテル、チオエーテル、アミン、ニトリル、イミン、ピリジン、及びホスフィンからなるグループから独立に選択され、好ましくはエーテルである。
本明細書において触媒として有用な好ましい化合物は、以下に示すピリジルジアミド錯体A乃至Dを含む。
Figure 0006674030
一実施形態では、本発明は、特に溶液プロセスにおいて、任意のチーグラー・ナッタ、クロム触媒、又はオレフィンを重合することができる任意の他の有機金属触媒と共に使用することができる。チーグラー・ナッタ型触媒は、チーグラー・ナッタ遷移金属成分を組み込んだ触媒組成物である。代表的には、遷移金属成分は、第4,5又は6族金属の化合物である。遷移金属成分は、一般に、式、TrX4−q(OR、TrX4−q 、VOX、及びVO(OR、のうちのいずれか1つによって表され、ここでTrは第4,第5又は第6、好ましくは第5族又は第6族の金属、より好ましくはチタニウム、バナジウム又はジルコニウムであり、qは0又は4以下の数であり、Xはハロゲンであり、Rはアルキル基、アリール基又は1から20個の炭素原子を有するシクロアルキル基であり、Rは、アルキル基、アリール基、アラルキル基、置換アラルキル基等である。アリール、アラルキル及び置換アラルキルは、1から20個の炭素原子、好ましくは1から10個の炭素原子を含む。式TrX4−q の好ましい実施形態では、ヒドロカルビル基、Rは、ベータ位にH原子を含まない。アルキル基の例示的であるが、限定的ではない例には、メチル、ネオ−ペンチル、2,2−ジメチルブチル、2,2−ジメチルヘキシル;フェニル基、ナフチル基等のアリール基;ベンジルのようなアラルキル基;1−ノルボルニルのようなシクロアルキル基が挙げられる。所望とあれば、これらの遷移金属化合物の混合物を使用することができる。
チタニウム化合物の例示的な例としては、TiCl、TiBr、Ti(OCCl、Ti(OC)Cl、Ti(OCCl、Ti(OCCl、Ti(OC13Cl、Ti(OC1225)Cl、Ti(OCBr、及びTi(OC17Brが挙げられる。バナジウム化合物の例示的な例としては、VCl、VOCl、VO(OC、及びVO(OCが挙げられる。ジルコニウム化合物の例示的な例としては、ZrCl、ZrCl(OC)、ZrCl(OC、ZrCl(OC、Zr(OC、ZrCl(OC)、ZrCl(OC及びZrCl(OCが挙げられる。
本発明はまた、当該技術分野でよく知られているクロム触媒と共に使用することもできる。クロム触媒は、オレフィン重合触媒と称されており、クロム種、例えばクロム酸シリケート、酸化クロム、又はクロモセンを、例えばシリカ又はアルミナのような金属酸化物担体上に含む。クロム触媒のための適切な助触媒は、当該技術分野において周知であり、例えば、トリアルキルアルミニウム、アルキルアルミノキサン、ジアルコキシアルキルアルミニウム化合物などを含む。
活性化剤
メタロセン、ピリジルジアミド化合物及び他の単一部位触媒をある種の活性化剤と組み合わせて使用して、重合を行うための活性触媒系を作製することができる。用語「共触媒」及び「活性化剤」は本明細書では互換可能に使用され、中性触媒化合物を触媒活性触媒化合物カチオンに変換することによって上述の触媒化合物のいずれか1つを活性化することができる任意の化合物であると定義できる。
触媒化合物(例えば、メタラコン化合物)は、文献から知られている任意の方法でそれらを活性化剤と組み合わせることによって活性化することができる。その方法は、溶媒に溶解し、重合反応器中でそれらを接触させ、スラリー又は気相重合に使用するためにそれらを担持することを含む。非限定的に列挙すると、活性化剤には、例えば、アルモキサン、非配位性アニオン活性化剤、アルミニウムアルキル、イオン化活性化剤(これは中性又はイオン性でもよい)、及び従来型共触媒が挙げられる。好ましい活性化剤は、典型的には、アルモキサン化合物、修飾アルモキサン化合物、及び金属錯体をカチオン性にし、電荷平衡非配位又は弱配位アニオンを提供する反応性σ結合金属配位子を抽出するイオン化アニオン前駆体化合物を含む。
一実施形態では、アルモキサン活性化剤は、触媒系中の活性化剤として利用することができる。アルモキサンは、一般に、−A1(R1)―O−サブユニットを含むオリゴマー化合物であり、ここでR1はアルキル基である。アルモキサンの例には、メチルアルモキサン(MAO)、変性メチルアルモキサン(MMAO)、エチルアルモキサン及びイソブチルアルモキサンが含まれる。アルキルアルモキサン及び変性アルキルアルモキサンは、特に抽出可能な配位子がアルキル、ハロゲン化物、アルコキシド又はアミドである場合、触媒活性化剤として適している。異なるアルモキサン及び修飾アルモキサンの混合物も使用することができる。視覚的に透明なメチルアルモキサンを使用することが好ましい場合がある。曇った若しくはゲル状のアルモキサンを濾過して透明な溶液を生成するか、又は透明なアルモキサンを濁った溶液から静かに注ぐことができる。有用なアルモキサンは、修飾メチルアルモキサン(MMAO)共触媒タイプ3A(Akzo Chemicals,Inc.,から、修飾メチルアルモキサンタイプ3A(Modified Methylalumoxane type 3A)の商品名で市販されており、特許番号US5,041,584で保護されている)である。
活性化剤がアルモキサン(修飾又は非修飾)である場合、幾つかの実施形態では、触媒化合物(金属触媒部位当たり)に対して典型的に最大5000倍に達するモル過剰のAl/Mで活性化剤の最大量を用いる。最小の活性化剤対触媒化合物はモル比1:1である。代替的な好ましい範囲は、1:1から500:1、或いは1:1から200:1、或いは1:1から100:1、又は1:1から50:1である。
別の実施形態では、アルモキサンは、本明細書に記載の重合プロセスではほとんど又は全く使用されない。好ましくは、アルモキサンは0モル%で存在し、代わりにアルモキサンは500:1未満、好ましくは300:1未満、好ましくは100:1未満、好ましくは1:1未満のアルミニウム対触媒化合物遷移金属のモル比で存在する。
非配位性アニオン活性化剤
非配位性アニオン(NCA)は、触媒金属カチオンに配位していないか、又は金属カチオンに配位してはいるが、弱く配位しているだけであるアニオンを意味するとされる。NCAは、米国特許出願第2015/0025209号段落[0169]−[0200]に記載されており、参照により本明細書に組み込まれている。
添加剤
所望とあれば他の添加剤を重合に使用することもでき、例えば、捕捉剤、促進剤、改質剤、連鎖移動剤、共活性化剤、還元剤、酸化剤、水素、アルミニウムアルキル又はシランの1つ以上である。
捕捉剤又は共活性化剤として利用し得るアルミニウムアルキル化合物としては、例えば、式AlRで表されるものの1つ以上を含み、ここで各Rは、独立に、C―C脂肪族基、好ましくはメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシルオクチル又はそれらの異性体)であり、特にトリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリ−n−ヘキシルアルミニウム、トリ−n−オクチルアルミニウム、又はそれらの混合体である。
好ましい一実施形態では、エチレンポリマーのようなポリマーを製造するためのプロセスにおいて捕捉剤は殆ど又は全く使用されない。好ましくは、捕捉剤(例えばトリアルキルアルミニウム、上述に定義されたようなAlR)はゼロモル%で存在し、代わりに捕捉剤は遷移金属に対する捕捉剤金属のモル比が100:1未満、好ましくは50:1未満、好ましくは15:1未満、好ましくは10:1未満で存在する。
本明細書で使用することもできる有用な連鎖移動剤は、典型的には、式AlR、ZnR(ここで、各Rは、独立に、C―C脂肪族基、好ましくはメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシルオクチル、又はそれらの異性体である)により表される化合物又はそれらの組み合わせであり、例えばジエチル亜鉛、トリメチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリオクチルアルミニウム、又はそれらの組み合わせである。
III.重合システム
以下の説明は、本明細書に記載のプロセスを利用する全体的な重合システム100の実施形態を提供する図5を参照してなされる。図5に示すように、本明細書に記載のモノマー流101及び触媒化合物流102の両方を重合システム100に導入し、混合して溶液を形成することができる。選択的に、前述のような溶媒が存在してもよい。モノマー及び触媒化合物の溶液は、チラー又はヒーター103を通って適切な温度に達することができる。次いで、モノマー及び触媒化合物の冷却又は加熱された溶液を、ポンプ104を介して、本明細書に記載の反応域で第1スパイラル熱交換器105にポンプ輸送することができる。第1のスパイラル熱交換器に導入する前に、本明細書に記載の触媒系を形成するために、触媒化合物を本明細書に記載の活性化剤と接触させてもよい(図示せず)。好ましくは、第1スパイラル熱交換器に入る直前に触媒化合物を活性化剤と接触させる。
触媒系がモノマーと接触すると、溶液中で第1スパイラル熱交換器105においてポリマーが得られる。モノマー、触媒系及びポリマーは、第1スパイラル熱交換器105内を、第1スパイラル熱交換器105の螺旋に対して交差流方向に流れることができる。第1のスパイラル熱交換器105を出るモノマー、触媒系及びポリマーの一部は、第1のスパイラル熱交換器105に再循環され、第1のスパイラル熱交換器を出るモノマー、触媒系及びポリマーの別の部分は、別のポンプ106を介して第2のスパイラル熱交換器107へ圧送されて反応する。第2スパイラル熱交換器107から出るモノマー、触媒系及びポリマーの一部は、第2スパイラル熱交換器107に再循環され、第2スパイラル熱交換器107から出るモノマー、触媒系及びポリマーの別の部分は、高圧フラッシュ容器108に供給される。これに加えて又はこれに代えて、活性化剤を再循環流(図示せず)に導入することができる。
高圧フラッシュ容器108では、モノマー及び/又は溶媒がポリマーから分離される。濃縮されたポリマー溶液(溶液の重量に基づいて、30wt%を超える、好ましくは50wt%を超える、好ましくは約80wt%を超えるポリマー)は、高圧フラッシュ容器108の底部を出て、ヒーター109へ移送されて、加熱された濃縮ポリマー溶液を形成する。加熱された濃縮ポリマー溶液の一部は、高圧フラッシュ容器108へ再循環させることができる。加熱された濃縮ポリマー溶液の残りの部分は、加熱された濃縮ポリマー溶液を溶融相に維持するためにヒーター110で更に加熱され、次いで真空フラッシュ容器111に移送されて、加熱された濃縮物から残留モノマー及び/又はポリマー溶液が除去される。より濃縮されたポリマー溶液(約100%までのポリマー)が、真空フラッシュ容器111の底部から出て、本明細書に記載されているような他の適切な添加剤112と混合されて、冷却器113で冷却されて、ペレット化及びパッケージ化のために送られる。
高圧フラッシュ容器108の上部を出るモノマー及び溶媒は、その後、冷却器114で冷却されて、凝縮器115へ移送される。凝縮したモノマー及び/又は溶媒は、凝縮器115の底部を出て、混合供給ドラム120に移送され、システムに供給されて戻される。非凝縮性ガス(例えば、水素ガス、エチレンガス)は、凝縮器115の上部を出て、コンプレッサ118及び別の冷却器119に移送されて、ガスを液体に変換し、これは次いで混合供給ドラム120へ移送されてシステム内で再び使用することができる。同様に、真空フラッシュ容器111の上部を出るモノマー及び/又は溶媒は、圧縮機116、別の冷却器117、圧縮機118及び冷却器119を通って液体を形成し、これは次いで混合供給ドラム120へ移送されてシステム内で再び使用することができる。
本発明の一実施形態では、スパイラル熱交換器を含む本明細書に記載されたポリマーシステムは、プロセスシミュレーションデータを人間が読める形式(即ち、コンピュータプリントアウト又はスクリーン、モニタ、又は他の視覚デバイス上に表示されたデータ)で生成するためにプロセスシミュレーションソフトウェアを使用してコンピュータ上でシミュレートすることができる。次いで、このシミュレーションデータを使用して、ポリマー生産システムの運転を操作し、及び/又はポリマー生産設備の物理的レイアウトを設計することができる。一実施形態では、シミュレーション結果を使用して、スパイラル熱交換器を含む新しいポリマー製造設備を設計し、及び/又はスパイラル熱交換器を統合する既存設備を改造又は拡張することができる。別の実施形態では、シミュレーション結果を使用して、スパイラル熱交換器の数及び配置の変更、及び/又は温度の変動、反応質量の溶媒又は溶液粘度など、1つ又は複数の操作パラメータに従ってポリマー生成を最適化することができる。シミュレーション結果を生成するのに適したソフトウェアの例には、Aspen Technology,Inc.から統合されたAspenポリマーモジュールを備えた商業シミュレーションソフトウェアAspen Plus v8.8(34.0.0.110)、及びSimulation Sciences Inc.からのPRO/II.RTM.がある。
IV.更なる実施形態
実施形態1.ポリマーを形成するための重合プロセス(例えば、溶液相、スラリー相)であって、モノマー(例えば、C乃至C40オレフィン)及び触媒系(例えば、メタロセン化合物及び/又はピリジルジアミド化合物などの触媒化合物)を、少なくとも1つのスパイラル熱交換器を含み、ポリマーを回収する反応域において接触させることを含み、ここでモノマー、触媒系及びポリマーは、少なくとも1つのスパイラル熱交換器の螺旋に対して交差流方向に少なくとも1つのスパイラル熱交換器を通じて流れ、選択的に、このプロセスは連続的プロセスであり、選択的に、溶剤が存在し、少なくとも1つのスパイラル熱交換器に亘る圧力降下は約10psi以下である。
実施形態2.実施形態1のプロセスにおいて、少なくとも1つのスパイラル熱交換器が、約400Btu/時間・立方フィート・°F(7450W/立方メートル・℃)の速度で熱を除去し、及び/又は、少なくとも1つのスパイラル熱交換器に亘る圧力降下は、約10psi以下である。
実施形態3.実施形態1又は2のプロセスにおいて、モノマー、触媒系及びポリマーの流れが実質的に層流であり、及び/又はモノマー、触媒系及びポリマーの流れのレイノルズ数が約0.1乃至約2,200である。
実施形態4.上述の実施形態の何れか1つのプロセスにおいて、少なくとも1つのスパイラル熱交換器を出るモノマー、触媒系及びポリマーの少なくとも一部を再循環させてスパイラル熱交換器を通じて戻すことを更に含み、そのスパイラル熱交換器は同一でも異なるスパイラル熱交換器でもよく、及び/又はポリマーが少なくとも約5又は約0.5乃至約20の再循環比で製造される。
実施形態5.上述の実施形態の何れか1つのプロセスにおいて、モノマー、触媒系及びポリマーが実質的に単一の液相溶液として維持される。
実施形態6.上述の実施形態の何れか1つのプロセスにおいて、ポリマーが、反応器容積1ガロン当たり毎時間に少なくとも約5、約10又は約20ポンド(反応器容積の1リットル当たり毎時間に約600、約1200又は約2400グラムに相当)の速度で生成される。
実施形態7.上述の実施形態の何れか1つのプロセスにおいて、少なくとも1つのスパイラル熱交換器が、直列に接続された少なくとも8つのスパイラル熱交換器を有する。
実施形態8.上述の実施形態の何れか1つのプロセスにおいて、モノマーがC乃至C40オレフィン(例えば、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン、ヘキセン、ヘプテン、オクテン、ノネン、デセン、ウンデセン、及びドデセン)を含む。
実施形態9.上述の実施形態の何れか1つのプロセスにおいて、ポリマーがエチレンポリマー又はプロピレンポリマーであり、及び/又はポリマーが更にC乃至C20コモノマー(例えばエチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン、ヘキセン、ヘプテン、オクテン、ノネン、デセン、ウンデセン、ドデセン、及びこれらの混合物)を含む。
実施形態10.上述の実施形態の何れか1つのプロセスにおいて、活性化剤及び触媒化合物を接触させて、少なくとも1つのスパイラル熱交換器に入る前に(例えば、入る直前に)触媒系を形成し、及び/又は活性化剤を、モノマー、触媒系及びポリマーを含む再循環流に導入するプロセス。
実施形態11.上述の実施形態の何れか1つのプロセスにおいて、活性化剤が、アルモキサン、メチルアルモキサン及び/又は非配位性アニオン活性化剤を含む。
実施形態12.上述の実施形態の何れか1つのプロセスにおいて、活性化剤が、メチルアルモキサン、エチルアルモキサン、N,N−ジメチルアニリニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、トリフェニルカルベニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、N,N−ジメチルアニリニウムテトラキス(ペルフルオロナフチル)ボレート、及び/又はトリフェニルカルベニウムテトラキス(パーフルオロナフチル)ボレートを含む。
実施形態13.上述の実施形態の何れか1つのプロセスにおいて、メタロセン化合物が、TCpMG式により表され、ここで各Cpは、独立に、シクロペンタジエニル基(例えば、シクロペンタジエン、インデン、フルオレン)であり、これは置換基を有するものであっても非置換でもよく、Mは第4族遷移金属(例えば、チタニウム、ジルコニウム、ハフニウム)、Gは、式JR により表されるヘテロ原子基であって、ここで、Jは、N、P、O、又はSであり、Rは1乃至20個の炭素原子を有する線形分岐又は環状のヒドロカルビル基であり、zは1又は2であり、Tは架橋基であり、yは0又は1であり、Xは脱離基(例えば、独立にハロゲン化物、水素化物、アルキル基、アルケニル基、アリールアルキル基)、m=1又は2、n=0、1、2又は3、q=0、1、2又は3であり、m+n+qの合計は、遷移金属の酸化状態に等しい。
実施形態14.実施形態13のプロセスにおいて、yが1、mが1、nが1、JがN、Rがメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、シクロオクチル、シクロドデシル、デシル、ウンデシル、ドデシル、アダマンチル又はそれらの異性体である。
実施形態15.上述の実施形態の何れか1つのプロセスにおいて、メタロセン化合物が、以下の1つ以上を含むプロセス。
ジメチルシリル(テトラメチルシクロペンタジエニル)(シクロドデシルアミド)チタニウムジメチル、
ジメチルシリル(テトラメチルシクロペンタジエニル)(シクロドデシルアミド)チタニウムジクロライド、
ジメチルシリル(テトラメチルシクロペンタジエニル)(t−ブチルアミド)チタニウムジメチル、
ジメチルシリル(テトラメチルシクロペンタジエニル)(t−ブチルアミド)チタニウムジクロライド、
μ−(CHSi(シクロペンタジエニル)(1−アダマンチルアミド)M(R)
μ−(CHSi(3−tertブチルシクロペンタジエニル)(1−アダマンチルアミド)M(R)
μ−(CH(テトラメチルシクロペンタジエニル)(1−アダマンチルアミド)M(R)
μ−(CHSi(テトラメチルシクロペンタジエニル)(1−アダマンチルアミド)M(R)
μ−(CHC(テトラメチルシクロペンタジエニル)(1−アダマンチルアミド)M(R)
μ−(CHSi(テトラメチルシクロペンタジエニル)(1−tertブチルアミド)M(R)
μ−(CHSi(フルオレニル)(1−tertブチルアミド)M(R)
μ−(CHSi(テトラメチルシクロペンタジエニル)(1−シクロドデシルアミド)M(R)、及び
μ−(CC(テトラメチルシクロペンタジエニル)(1−シクロドデシルアミド)M(R)
ここでMは、Ti、Zr及びHfからなるグループから選択され、Rは、ハロゲン又はC乃至Cアルキル、及び/又は以下の1つ以上から選択される。即ち、
ビス(テトラヒドロインデニル)HfMe
ビス(1−ブチル、3−メチルシクロペンタジエニル)ZrCl
ビス−(n−ブチルシクロペンタジエニル)ZrCl
(ジメチルシリル)O ビス(インデニル)ZrCl
ジメチルシリル(3−(3−メチルブチル)シクロペンタジエニル)(2,3,4,5−テトラメチルシクロペンタジエニル)ZrCl
ジメチルシリルビス(テトラヒドロインデニル)ZrCl
ジメチルシリル−(3−フェニル−インデニル)(テトラメチルシクロペンタジエニル)ZrCl
ジメチルシリル(3−ネオペンチルシクロペンタジエニル)(テトラメチルシクロペンタジエニル)HfCl
テトラメチルジシリレンビス(4−(3,5−ジ-tert−ブチルフェニル)−インデニル)ZrCl
シクロペンタジエニル(1,3−ジフェニルシクロペンタジエニル)ZrCl
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、
ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、
ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ハフニウムジクロライド、
ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
ビス(1−メチル−3−n−ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、
ビス(1−メチル−3−n−ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
ビス(1−メチル−3−n−ブチルシクロペンタジエニル)ハフニウムジクロライド、
ビス(1−メチル−3−n−ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
ビス(インデニル)ジルコニウムジクロライド、
ビス(インデニル)ジルコニウムジメチル、
ビス(テトラヒドロ−1−インデニル)ジルコニウムジクロライド、
ビス(テトラヒドロ−1−インデニル)ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス(テトラヒドロインデニル)ジルコニウムジクロライド、ジメチルシリルビス(テトラヒドロインデニル)ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス(インデニル)ジルコニウムジクロライド、
ジメチルシリル(ビスインデニル)ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、
ジメチルシリルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス(2−メチル−4−フェニルインデニル)ジルコニウムジクロライド、
ジメチルシリルビス(2−メチル−4−フェニルインデニル)ジルコニウムジメチル、
ビス(インデニル)ジルコニウムジクロライド、
ビス(インデニル)ジルコニウムジメチル、
ビス(インデニル)ハフニウムジクロライド、
ビス(インデニル)ハフニウムジメチル、
1,1'−ビス(4−トリエチルシリルフェニール)メチレン−(シクロペンタジエニル)(3,8−ジ−tertブチル−1−フルオレニル)ハフニウムジメチル、及び
1,1’−ビス(4−トリエチルシリルフェニール)メチレン−(シクロペンタジエニル)(3,8−ジ−ターシャリー−ブチル−1−フルオレニル)ハフニウムジクロライドである。
実施形態16.上述の実施形態の何れか1つのプロセスにおいて、2つのメタロセン化合物が存在し、第1及び第2のメタロセン化合物が、以下の1つ以上を含むプロセス。即ち、
SiMe(MeCp)(cC12N)TiMe及びビス(1−Bu,3−Me―Cp)ZrCl
SiMe(MeCp)(cC12N)TiMe及び(SiMe)ビス(インデニル)ZrCl
SiMe(MeCp)(cC12N)TiMe及び(SiMeO ビス(インデニル)ZrCl
SiMe(MeCp)(cC12N)TiMe及び(SiMeO ビス(インデニル)ZrMe
SiMe(MeCp)(cC12N)TiMe及びSiMe(3−ネオペンチルCp)((MeCp)HfCl
SiMe(MeCp)(cC12N)TiMe及びSiMe(3−ネオペンチルシクロペンタジエニル)(MeCp)HfMe
SiMe(MeCp)(1−アダマンチルアミド)TiMe及びビス(1−Bu,3−MeCp)ZrCl、及び
SiMe(MeCp)(1−t−ブチルアミド)TiMe及びビス(1−Bu,3−MeCp)ZrClである。
実施形態17.上述の実施形態の何れか1つのプロセスにおいて、オイルを含有する熱交換媒体が少なくとも1つのスパイラル熱交換器の螺旋を通じて流れ、及び/又は熱交換媒体がモノマー、触媒系及びポリマーの温度よりも低い温度で、及び/又はポリマーの沈殿点よりも高い温度で少なくとも1つのスパイラル熱交換器の螺旋を通じて流れるように設けられるプロセス。
実施形態18.上述の実施形態の何れか1つのプロセスにおいて、ピリジルアミド化合物が式(A)により表されるように設けられているプロセス。
Figure 0006674030
ここで、Mは第4族金属であり、
各E'基は、炭素、ケイ素、又はゲルマニウムから独立に選択され、
各X’はアニオン性離脱基であり、
は中性のルイス塩基であり、
R’及びR’13は、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル及びシリル基からなる群から独立に選択され、
R’、R’、R’、R’、R’、R’、R’、R’、R’10、R’11、及びR’12は、水素、ヒドロカルビル、アルコキシ、シリル、アミノ、アリールオキシ、置換ヒドロカルビル、ハロゲン及びホスフィノからなるグループから独立に選択され、
n’は1又は2であり、
m’は0、1又は2であり、
2つのX’基は互いに結合してジアニオン性基を形成してもよく、
2つのL基が互いに結合して2座のルイス塩基を形成してもよく、
X’基はL基に結合してモノアニオン性二座基を形成することができ、
R’とR’は結合して環を形成してもよく、及び
R’10とR’11は結合して環を形成してもよい。
実験
ポリオレフィンを製造するための重合プロセスを、Aspen Polymers Moduleを組み込んだ市販のシミュレーションソフトウェアAspen Plus v8.8(34.0.0.110)を使用してシミュレートした。
重合プロセスは、連続撹拌タンク反応器(continuous stirred−tank reactor:CSTR)を用いて最初にシミュレートされた。その結果は以下のシミュレーションのベンチマークとして役立つ。重合プロセスは、配位化学技術によって触媒される。CSTRシミュレーションのフローシートにおいて、CSTRは、モノマー、溶媒及び触媒系を包含する供給流と、残留モノマー、残留溶媒、残留触媒系及びポリオレフィンを包含する生成物流とに接続される。全ての場合の供給は、重量ベースで、15%のエチレン、4%のコモノマー(ヘキセン)、81%の溶媒(ヘキサン)、及び10ppmの触媒((Me2Si(インデニル)ZrMe)+活性化剤(N,Nジメチルアニリニウムテトラキス(ヘプタフルオロナフタニルボレート)である。(以下の表1の流速。)実験データ回帰から得られたポリオレフィン重合の反応速度をソフトウェアに入力した。用いた滞留時間は約8分であった。用いた反応温度は120℃であり、使用した反応圧力は350psiであった。シミュレーションの実行が終了した後、以下のパラメータを計算した。即ち、反応器滞留時間、反応器熱負荷、ポリオレフィン収率、ポリオレフィンの重量/数平均分子量、ポリオレフィンの多分散指数、全モノマー転化率、個々のモノマー転化率、及びポリオレフィン組成である。
Figure 0006674030
次いで、リサイクルループを備えたプラグフロー反応器(plug flow reactor:PFR)モデルを使用して重合プロセスをシミュレートした。PFRはスパイラル熱交換器を表す。PFRシミュレーションのフローシートでは、フィードストリームはPFRに直接接続するミキサーと接続されている。スパイラル熱交換器の出口端は、出口流を2つの流れに分割するスプリッタに接続されている。リフロー流と称される一方の流れがミキサーに戻り、生成物流と称される他方の流れが、生成されたポリオレフィン及びモノマー、溶媒、及び触媒系の残留物を包含してループから流出する。PFRの直径及び長さは、PFRの体積がCSTRの体積と同じになるように選択される。供給条件、反応温度、反応圧力、反応化学、反応速度などのPFRシミュレーションの他の条件は、CSTRシミュレーションのそれとまったく同じである。シミュレーション中、製品流の流量に対するリフロー流の流速として定義される再循環比は0から50まで変化する。一定のリサイクル率で各実行をなした後、CSTRシミュレーションと同じタイプのパラメータを計算した。
スパイラル熱交換器とCSTRシミュレーションの結果を定量的に比較した。再循環率の増加に伴い、スパイラル熱交換器を用いたプロセスで製造されたポリオレフィンの重量/数平均分子量、多分散指数、及び組成は、CSTRのプロセスにおけるそれらに迅速に近づくと結論付けることができる。再循環率が一定の範囲に増加すると、スパイラル熱交換器とCSTRプロセスとの間のこれらの特性の差は無視できる程度である。反応器滞留時間も正確に同じ傾向に従う。PFR反応器でのプロセスにおける反応器の熱負荷、ポリオレフィン収率、及び全体的及び個々のモノマー転化率は、再循環比の値に関わらず、CSTRによるプロセスにおけるそれらよりもかなり高いことも見出されている。再循環率が一定の範囲に増加すると、提案されたプロセスにおけるこれらのパラメータの値の変動は無視できる程度である。
Figure 0006674030
本明細書に記載されている全ての文書は、本明細書と矛盾しない範囲で優先権文献及び/又はテスト手順を含めて、本明細書に参照により組み込まれている。前述の一般的な説明及び特定の実施形態から明らかなように、本発明の形態を図示及び説明したが、本発明の要旨及び範囲から逸脱することがない限り、様々な変更を行うことができる。従って、本発明は、図示及び説明した形態に限定されるものではない。同様に、用語「含有する(comprising)」は、用語「含む(including)」と同義であると見なされる。同様に、構成要素、要素又は要素のグループの前に移行句「含有する(comprising)」があるときは、組成物、要素、または要素の列挙に先行するかまたはその後に来る。「から主としてなる(consisting essentially of)」「からなる(consisting of)」、「からなるグループから選択される(selected from the group of consisting of)」又は「である(is)」等の語句と同様の意味で用いられるものと理解すべきである。

Claims (10)

  1. ポリマーを形成する重合方法であって、
    少なくとも1つのスパイラル熱交換器を含む反応域において、モノマー及び触媒系を接触させてポリマーを回収し、
    前記モノマー、前記触媒系及び前記ポリマーを、前記少なくとも1つのスパイラル熱交換器の螺旋に関する交差流方向において前記少なくとも1つのスパイラル熱交換器を通じて流すように設けられ、
    前記スパイラル熱交換器は、このスパイラル熱交換器の軸の周りに径方向に螺旋状をなす少なくとも1つの螺旋シートを含み、
    前記スパイラル熱交換器は、前記少なくとも1つの螺旋シートの隣接する螺旋の間に形成された少なくとも1つのチャネルを含む重合方法。
  2. ポリマーを形成する重合方法であって、
    少なくとも1つのスパイラル熱交換器を含む反応域において、モノマー及び触媒系を接触させてポリマーを回収し、
    前記モノマー、前記触媒系及び前記ポリマーを、前記少なくとも1つのスパイラル熱交換器の螺旋に関する交差流方向において前記少なくとも1つのスパイラル熱交換器を通じて流れるようにし、
    前記方法は溶液相プロセスであり、及び
    前記少なくとも1つのスパイラル熱交換器を通るときの圧力降下は、約10psi以下であり、
    前記少なくとも1つのスパイラル熱交換器は、このスパイラル熱交換器の軸の周りに径方向に螺旋状をなす少なくとも1つの螺旋シートを含み、
    前記少なくとも1つのスパイラル熱交換器は、前記少なくとも1つの螺旋シートの隣接する螺旋の間に形成された少なくとも1つのチャネルを含む重合方法。
  3. ポリマーを形成する重合方法であって、
    少なくとも1つのスパイラル熱交換器を含む反応域において、モノマー及び触媒系を接触させてポリマーを回収し、
    前記スパイラル熱交換器は、このスパイラル熱交換器の軸の周りに径方向に螺旋状をなす少なくとも1つの螺旋シートを含み、
    前記スパイラル熱交換器は、前記少なくとも1つの螺旋シートの隣接する螺旋の間に形成された少なくとも1つのチャネルを含み、
    前記モノマー、前記触媒系及び前記ポリマーが、前記少なくとも1つのスパイラル熱交換器の螺旋に対する交差流方向において前記少なくとも1つのスパイラル熱交換器を通じて流れ、
    前記触媒系は、触媒化合物及び活性化剤を含み、及び
    前記モノマーはC乃至C40オレフィンを含むように設けられている重合方法。
  4. 請求項1乃至3の何れか一項に記載の重合方法において、前記少なくとも1つのスパイラル熱交換器が、約7450W/立方メートル・℃の速度で熱を除去する重合方法。
  5. 請求項1又は3の重合方法において、前記少なくとも1つのスパイラル熱交換器における圧力降下が約10psi以下である重合方法。
  6. 請求項1乃至3の何れか一項に記載の重合方法において、前記溶媒、モノマー/コモノマー、前記触媒系及びポリマーの流れのレイノルズ数が約0.1乃至約2,200である重合方法。
  7. 請求項1乃至3の何れか一項に記載の重合方法において、前記少なくとも1つのスパイラル熱交換器を出る前記モノマー、前記触媒系及びポリマーの少なくとも一部を同一又は異なるスパイラル熱交換器を通じて戻すように再循環させることを更に含む重合方法。
  8. 請求項1乃至3の何れか一項に記載の重合方法において、ポリマーを約0.5乃至約20の再循環比で生成する重合方法。
  9. 請求項1乃至3の何れか一項に記載の重合方法において、ポリマーを反応器容積1リットル当たり少なくとも約600グラムの速度で生成させる重合方法。
  10. 請求項1乃至3の何れか一項に記載の重合方法において、前記少なくとも1つのスパイラル熱交換器が、直列に接続された少なくとも8個のスパイラル熱交換器を含む重合方法。
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