JP6666942B2 - 光モジュールの製造方法、光モジュール、及び、光電変換部品 - Google Patents

Description

本発明は、光の損失が抑制され得る光モジュールの製造方法、光モジュール、及び、光電変換部品に関する。

光モジュールとして、光エネルギーと電気エネルギーとの変換を行う光電変換素子と光ファイバとが互いに固定され、光電変換素子と光ファイバとの間で光が伝搬するものがある。この光モジュールでは、光信号から電気信号に信号が変換されたり、電気信号から光信号に信号が変換されたりする。このような光モジュールの例として、光ファイバがレーザダイオード（ＬＤ：Laser Diode）に固定されレーザダイオードから出射する光を光ファイバで伝搬するものや、光ファイバがフォトダイオード（ＰＤ：Photodiode）に固定され、光ファイバから出射する光がフォトダイオードで受光されるものを挙げることができる。

下記特許文献１には、このような光モジュールが記載されている。下記特許文献１に記載の光モジュールでは、光電変換素子である光半導体素子が基板上に設けられ、当該光半導体素子上に光ファイバが所定の間隔をあけて配置される。光半導体素子と光ファイバとの間に透明な樹脂が充填され、光ファイバが基板に固定されている。この透明な樹脂は、光半導体素子の受発光部と光ファイバの端面との間にも充填されると共に、光ファイバの長手方向及び受発光面に垂直な方向のそれぞれに対して傾斜する傾斜面を有している。この透明な樹脂は、当該傾斜面で光を反射し、光半導体素子の受発光部と光ファイバのコアとを光学的に結合する光結合部とされる。従って、光半導体素子の受発光部から出射する光は当該光結合部を介して光ファイバのコアに入射し、光ファイバのコアから出射する光は当該光結合部を介して光半導体素子の受発光部に入射する。

国際公開第ＷＯ２０１１／０８３８１２号

上記特許文献１に記載の光モジュールを製造する場合、半導体素子と光ファイバとの位置を合わせるために複数のカメラが用いられる。これらカメラの１つとして、半導体素子の側方及び光ファイバの側方を映すカメラが用いられる場合がある。

ところで、上記特許文献１に記載の基板上に設けられる一対の半導体素子のそれぞれに光ファイバの一方の端部を配置し、当該光ファイバの一方の端部と光半導体素子の受発光部とを一対一で覆うように互いに離間する透明な樹脂を配置すれば、多チャンネルの光モジュールが構成され得る。

このような多チャンネルの光モジュールを製造する場合、上記のように、半導体素子の側方及び光ファイバの側方を映すカメラから得られる画像を用いて、当該半導体素子と光ファイバとを認識しながら位置合わせすることが考えられる。しかしながら、この場合、カメラから近い側の半導体素子に配置する光ファイバと、当該カメラから遠い側の半導体素子に配置する光ファイバとが重なってカメラに映ることで、当該光ファイバと半導体素子との位置関係がカメラの画像に基づいて認識され難くなる。従って、半導体素子上の所望の位置に光ファイバの一方の端部を正確に位置合わせすることが困難となる。この位置合わせが不正確になると、光半導体素子の受発光部と光ファイバのコアとの光学的な結合効率が低下し、光の損失が大きくなることが懸念される。

また、上記のように基板上に一対の半導体素子を設けた多チャンネルの光モジュールにする場合、当該光半導体素子における光結合部である透明な樹脂から漏えいする光によりクロストークが生じ、光の損失が大きくなることが懸念される。

そこで、光の損失が抑制され得る光モジュールの製造方法、光モジュール、及び、光電変換部品を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明は、光の受光または発光を行う受発光部を有し基板に互いに離間して固定される一対の光電変換素子と、それぞれの前記光電変換素子に一方の端部が配置される一対の光ファイバと、前記光ファイバのコアと前記受発光部とを光学的に結合するようにそれぞれの前記光電変換素子に配置される一対の光結合部材と、を備える光モジュールの製造方法であって、一対の前記光電変換素子におけるそれぞれの前記受発光部に、一対の前記光ファイバの前記一方の端部を互いに並列させてそれぞれ配置する配置工程において、前記基板の側方から前記光電変換素子及び前記光ファイバを映すためのカメラが用いられ、前記カメラから遠い側の前記光電変換素子の少なくとも一部及び当該光電変換素子に配置する前記光ファイバの前記一方の端部と、前記カメラから近い側の前記光電変換素子の少なくとも一部及び当該光電変換素子に配置する前記光ファイバの前記一方の端部との間に仕切り部が配置されることを特徴とするものである。

このような光モジュールの製造方法では、一対の光電変換素子のそれぞれに光ファイバを配置する際に、当該一対の光電変換素子の間に仕切り部が配置されている。この仕切り部によって、カメラから遠い側に位置する光電変換素子の少なくとも一部と、その光電変換素子に配置する光ファイバの一方の端部とがカメラから遮蔽される。このため、カメラから遠い側の光電変換素子の少なくとも一部と光ファイバの一方の端部とがカメラに映り込むことが防止される。従って、一対の光ファイバの一方の端部が並列されていても、カメラから近い側の光ファイバの一方の端部と光電変換素子との位置関係をカメラの画像に基づいて正確に認識し、当該光ファイバの一方の端部を所望の位置に正確に合わせることができる。この結果、光電変換素子の受発光部と光ファイバとの光学的な結合効率が低下することを抑制し得る。こうして、本発明の光モジュールの製造方法によれば、光の損失が抑制され得る光モジュールを製造することができる。

また、前記仕切り部は、前記配置工程の後に取り外されることが好ましい。配置工程の後に仕切り部が取り外されることで、配置工程時に配置されていた仕切り部の配置スペースを、当該配置工程後に他の部品を配置するためのスペースにすることが可能となる。従って、仕切り部が取り外されない場合に比べて、光モジュールを小型化し得る。

また、前記仕切り部は、前記基板を配置する治具に設けられ、前記基板には、前記仕切り部を挿通する開口が形成されることが好ましい。このようにした場合、基板に形成される開口によって仕切り部を位置決めすることができるため、当該仕切り部を正確に配置することができる。なお、開口は、孔により形成されても良く、切り欠きにより形成されても良い。

また、一対の前記光ファイバは、複数の光ファイバが互いに並列されて纏められる多芯光ファイバの一部とされることが好ましい。このようにした場合、多芯光ファイバにおける複数の光ファイバの相対的な位置関係が概ね変わらないため、当該多芯光ファイバを移動させることで複数の光ファイバを一括してそれぞれ所望の位置に配置し得る。従って、それぞれの光電変換素子に配置される一対の光ファイバを個別に配置する場合に比べて、光電変換素子に対する光ファイバの配置位置のばらつきを低減し得る。この結果、一対の光電変換素子におけるそれぞれの所望の位置に光ファイバの一方の端部をより正確に位置合わせし得る。

また、上記課題を解決するため、本発明は、光モジュールであって、基板と、光の受光または発光を行う受発光部を有し前記基板に互いに離間して固定される一対の光電変換素子と、一対の前記光電変換素子のそれぞれに一方の端部が配置され、互いに並列する一対の光ファイバと、前記光ファイバのコアと前記受発光部とを光学的に結合するようにそれぞれの前記光電変換素子に配置される一対の光結合部材と、一対の前記光電変換素子間に配置される仕切り部と、を備え、前記仕切り部は、一方の前記光電変換素子に配置される前記光結合部材の少なくとも一部と、他方の前記光電変換素子に配置される前記光結合部材の少なくとも一部とを仕切ることを特徴とするものである。

このような光モジュールでは、一対の光電変換素子のそれぞれに配置される光結合部材に仕切り部が介在する。光結合部材としては、例えば、光電変換素子の受発光面と光ファイバの一方の端部とに接する光透過樹脂や、レンズ等を挙げることができる。このような光結合部材からは光が漏えいする可能性がある。このように光結合部材から光が漏えいする場合であっても、仕切り部が配置されない場合に比べて、一対の光電変換素子間における光結合部材のクロストークを抑制し得る。また、本光モジュールの製造において、一対の光電変換素子のそれぞれに光ファイバが配置される際に、当該一対の光電変換素子の間にこの仕切り部が配置されていれば、光ファイバを配置する際に、基板の側方からカメラで映される場合であっても、光ファイバの配置方法によっては、この仕切り部によって、カメラから遠い側に位置する少なくとも光電変換素子の少なくとも一部、及び、その光電変換素子に配置される光ファイバの一方の端部とがカメラに映り込むことを防止し得る。従って、複数の光ファイバの一方の端部が並列されていても、カメラから近い側の光ファイバの一方の端部と光電変換素子との位置関係をカメラの画像に基づいて正確に認識し、当該光ファイバの一方の端部を所望の位置に正確に合わせることができる。このため、光電変換素子の受発光ブロックと光ファイバとの光学的な結合効率が低下することを抑制し得る。こうして、本発明の光電変換部品によれば、製造時においても製造後においても光の損失が抑制され得る。

また、前記仕切り部は、一対の前記光電変換素子における一方の前記光電変換素子の全体と、他方の前記光電変換素子の全体とを更に仕切ることが好ましい。このようにした場合、仕切り部によって、一対の光電変換素子間における電磁的な影響をより抑制し得る。

また本発明は、光電変換部品であって、基板と、光の受光または発光を行う受発光部を有し前記基板に互いに離間して固定される一対の光電変換素子と、一対の前記光電変換素子間に配置される仕切り部と、を備え、それぞれの前記光電変換素子は、当該光電変換素子に配置される光ファイバのコアと前記受発光部とを光学的に結合する光結合部材が配置される光結合部材配置領域を有し、前記仕切り部は、一方の前記光電変換素子における前記光結合部材配置領域よりも前記基板と反対側の空間の一部と、一対の前記光電変換素子における他方の前記光電変換素子における前記光結合部材配置領域よりも前記基板と反対側の空間の一部とを仕切ることを特徴とするものである。

このような光電変換部品では、一対の光電変換素子のそれぞれに配置される一対の光ファイバと、それぞれの光ファイバのコアと受発光部とを光学的に結合する一対の光結合部材とを有することで、光モジュールとすることができる。このように光電変換部品が用いられて光モジュールが製造された場合に、仕切り部がそれぞれの光電変換素子における光結合部材配置領域よりも基板と反対側の空間の一部を仕切るため、当該空間に光結合部材の少なくとも一部が配置されることで、光結合部材から光が漏えいする場合であっても、仕切り部が配置されない場合に比べて、一対の光電変換素子間における光結合部材のクロストークが抑制され得る。また、光モジュールとして製造される場合、一対の光電変換素子のそれぞれに光ファイバが配置される際に、それぞれの光ファイバの端部の間に仕切り部が位置していれば、基板の側方からカメラで映される場合であっても、光ファイバの配置方法によっては、この仕切り部によって、カメラから遠い側に位置する光電変換素子に配置される光ファイバの一方の端部がカメラに映り込むことを防止し得る。従って、一対の光ファイバの一方の端部が並列されていても、カメラから近い側の光ファイバの一方の端部と光電変換素子との位置関係をカメラの画像に基づいて正確に認識し、当該光ファイバの一方の端部を所望の位置に正確に合わせることができる。このため、光電変換素子の受発光部と光ファイバとの光学的な結合効率が低下することを抑制し得る。こうして、本発明の光電変換部品によれば、製造時においても製造後においても光の損失が抑制され得る。また、光電変換部品が仕切り部を備えることで、カメラを用いて複数の光ファイバを配置する際に、治具等を用いて仕切り部を基板に設ける場合に比べて、製造装置や製造工程を簡易化することができる。

また、上記の光モジュールの製造方法や、光モジュールにおいて、前記仕切り部は、一対の前記光電変換素子における一方の前記光電変換素子の全体と、他方の前記光電変換素子の全体とを更に仕切ることが好ましい。このようにした場合、上記のように、仕切り部によって一対の光電変換素子間における電磁的な結合をより抑制し得る。

また、上記の光モジュールの製造方法、光モジュール、光電変換部品において、前記仕切り部は、電子部品であることが好ましい。このようにした場合、電子部品が上記のような仕切りとして共用されるため、小型化し得る。

また、上記の電子部品は、キャパシタ又は抵抗であることが好ましい。このようにした場合、電子部品がインダクタである場合に比べて、電磁界の影響を受け難くし得る。

以上のように、本発明によれば、光の損失が抑制され得る光モジュールの製造方法、光モジュール、及び、光電変換部品が提供される。

本発明の第１実施形態に係る光モジュールを示す平面図である。 図１の光モジュールの要部を示す拡大平面図である。 図２のIII−III線に沿った光モジュールの断面図である。 図１に示す光モジュールを製造する工程手順の一例を示すフローチャートである。 配置工程の様子を示す図である。 配置工程の様子を図５とは異なる視点で示す図である。 塗布工程の様子を示す図である。 本発明の第２実施形態に係る光モジュールを示す平面図である。 第２実施形態に係る配置工程の様子を示す図である。 図９のＸ−Ｘ線に沿った光モジュールの断面図である。 本発明の第３実施形態に係る光モジュールを示す平面図である。 第３実施形態に係る配置工程の様子を示す平面図である。 図１２のXIII−XIII線に沿った断面図である。

以下、本発明に係る光モジュール、光モジュールの製造方法、及び、光電変換部品の好適な実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。

まず、本実施形態の光モジュールについて説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る光モジュールを示す平面図である。図１に示すように、本実施形態の光モジュール１は、基板１０と、一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂと、一対の光ファイバ３０を有する多芯光ファイバ３５と、複数の光透過樹脂４１と、固定樹脂４５とを主な構成として備える。また、上記の基板１０と、当該基板１０に固定される一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂとで光電変換部品が構成される。

基板１０は、本実施形態ではプリント配線板であり、基板本体１１と、基板本体１１上に形成される端子１２及びランド１３，１４とを備える。基板本体１１は、ガラスエポキシやセラミック等の絶縁体から成る板状の部材である。また、端子１２及びランド１３，１４は、銅箔等の導電体から成る。ランド１３は、光電変換素子２０Ａ，２０Ｂの信号用の端子と接続されるためのランドであり、ランド１４は、光電変換素子２０Ａ，２０Ｂのグランド端子と接続されるためのランドであり、端子１２は、外部の機器と接続される端子である。一方の端子１２とランド１３、及び他方の端子１２とランド１４とは、それぞれ図示しない配線や他の電子部品を介して互いに電気的に接続されている。

図２は、図１の光モジュールの要部を示す拡大平面図であり、図３は、図２のIII−III線に沿った光モジュールの断面図である。ただし、図２では、一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂのうち一方の光電変換素子２０Ａの一部を示している。

図１から図３に示すように、基板１０の一方の面１０ｆ上には、互いに離間して一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂが固定されている。一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂは互いに同じ構成とされる。

光電変換素子２０Ａは、ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）等から成る基体にＩｎＧａＰ（インジウムガリウムリン）等から成る受発光部が設けられる素子で、光半導体素子と呼ばれる場合がある。光電変換素子２０Ａは受発光ブロック２０Ｘを少なくとも１ブロック有する。受発光ブロック２０Ｘは、１本の光ファイバ３０と光学的に結合する少なくとも１つの受発光部２５を含むブロックである。本実施形態の光電変換素子２０Ａでは、受発光ブロック２０Ｘは１ブロックとされ、当該受発光ブロック２０Ｘに含まれる受発光部２５は１つとされる。受発光部２５はそれぞれ光の受光または発光を行い、光電変換素子２０Ａは、光信号から電気信号への変換を行う受光素子または電気信号から光信号への変換を行う発光素子とされる。光電変換素子２０Ａはこのように受光や発光を行うため、光電変換素子２０Ａの所定の面である素子面２１からは、受発光部２５の受発光面２６が露出している。なお、ここでいう露出とは光学的に露出していることを指し、例えば、受発光部２５上に薄い透明な層が形成されていても良い。受発光面２６の大きさは、例えば、直径５μｍ〜１５μｍ程度の円形とされる。

光電変換素子２０Ａが受光素子である例としては、フォトダイオード等を挙げることができる。この場合、光電変換素子２０Ａの受発光部２５は受光部とされ、光電変換素子２０Ａの素子面２１は受光素子面とされ、受光部は受光素子面から露出する。また、光電変換素子２０Ａが発光素子である例としては、面発光レーザダイオード等を挙げることができる。この場合、光電変換素子２０Ａの受発光部２５は発光部とされ、光電変換素子２０Ａの素子面２１は発光素子面とされ、発光部は発光素子面から露出する。

光電変換素子２０Ａは、図２、図３に示すように、その表面に絶縁層２７と配線層２８とが積層されており、受発光部２５の受発光面２６は、これら絶縁層２７及び配線層２８から露出している。なお、本実施形態と異なり受発光ブロック２０Ｘに含まれる受発光部２５が複数である場合には、１つの受発光ブロック２０Ｘ内のそれぞれの受発光部２５は配線層２８を介して並列に接続される。また、光電変換素子２０Ａの素子面２１には配線層２８を介して受発光部２５と電気的に接続される信号用の端子２３が形成されており、素子面２１と反対側には図示せぬグランド端子が形成されている。図１に示すように、端子２３と基板１０のランド１３とは、ワイヤ配線１５を介して電気的に接続され、図示せぬグランド端子と基板１０のランド１４とが電気的に接続されている。ワイヤ配線１５は、導電性の配線であり、例えば、金、アルミニウム、銅等の金属から成る。なお、本実施形態とは異なるが、グランド端子が素子面２１に形成される場合もあり、この場合には当該グランド端子と電気的に接続されるランドがランド１３とは別に設けられ、当該グランド端子と当該ランドとがワイヤ配線等で電気的に接続される。

本実施形態では、光電変換素子２０Ｂが上記のように光電変換素子２０Ａと同じ構成であるため、光電変換素子２０Ｂの説明は省略する。なお、光電変換素子２０Ｂが有する受発光ブロック２０Ｘのブロック数や、当該受発光ブロック２０Ｘに含まれる受発光部２５の数は、光電変換素子２０Ａと異なっていても良い。

多芯光ファイバ３５は、上記のように一対の光ファイバ３０を有し、それぞれの光ファイバ３０は、平面状に並列されて被覆樹脂３６で一体に纏められている。つまり、一対の光ファイバ３０は、複数の光ファイバ３０が互いに並列されて纏められる多芯光ファイバ３５の一部とされる。また、それぞれの光ファイバ３０は、コア３１を１つ有するシングルコアファイバであり、当該コア３１と、コア３１の外周面を囲むクラッド３２とクラッド３２の外周面を被覆する保護層３３とを有し、複数のモードの光を伝搬するマルチモードファイバとされる。コア３１の平均屈折率はクラッド３２の屈折率よりも高くされる。このような光ファイバとしては、コア３１及びクラッド３２が石英から形成される石英系光ファイバや、コア３１及びクラッド３２がプラスチックから形成されるプラスチック光ファイバや、コアが石英から形成されクラッドがプラスチックから形成されるポリマークラッド光ファイバ等を挙げることができる。また、コア３１の屈折率分布で分類すると、光ファイバ３０としては、例えば、コア３１の中央部の屈折率がコア３１の外周部の屈折率よりも高くされるグレーデッドインデックスファイバや、コア３１の径方向の屈折率が概ね一定であるステップインデックスファイバ等を挙げるとこができる。なお、保護層３３及び被覆樹脂３６は、例えば光硬化樹脂等から形成される。クラッド３２の外径は特に限定されないが、例えば１２５μｍとされ、コア３１の直径は、マルチモードファイバの場合、例えば５０μｍとされる。なお、光ファイバ３０は、基本モードの光のみを伝搬するシングルモードファイバであっても良く、この場合、コア３１の直径は、例えば１０μｍとされる。

多芯光ファイバ３５の一方の端部において、それぞれの光ファイバ３０は、被覆樹脂３６及び保護層３３からクラッド３２が露出するように所定の長さ口出しされている。また、本実施形態では、光ファイバ３０の端面は長手方向に垂直とされる。この口出しの長さは、例えば、１０μｍ以上１５ｍｍ以下とされることが好ましく、１．５ｍｍ以上５ｍｍ以下とされることがより好ましい。

一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂのそれぞれの素子面２１上には、多芯光ファイバ３５における一対の光ファイバ３０の一方の端部がそれぞれ固定されている。上記のように光ファイバ３０の一方の端部は口出しされており、クラッド３２が露出している。それぞれの光ファイバ３０の一方の端部は、クラッド３２の外周面が素子面２１に接するように配置され、それぞれの受発光ブロック２０Ｘと一対一に対応している。こうして、これら一対の光ファイバ３０の一方の端部は、互いに並列されて、それぞれの受発光面２６に沿って延在するように配置されている。また、それぞれの光ファイバ３０は、各光ファイバ３０のそれぞれのコア３１の中心線が、対応する受発光ブロック２０Ｘの受発光部２５の中心と重なるように配置されている。なお、この中心線に垂直な方向に沿って並ぶように、光電変換素子２０Ａの受発光部２５と、光電変換素子２０Ｂの受発光部２５とが位置している。また、受発光面２６に垂直な方向から見る場合に、それぞれの光ファイバ３０は、対応する受発光面２６の少なくとも中心と重ならないように配置されており、本実施形態では、対応する受発光面２６の全体と重ならないように配置されている。

それぞれの光ファイバ３０の一方の端部が上記のように素子面２１上に配置された状態において、多芯光ファイバ３５の被覆樹脂３６は、固定樹脂４５により基板１０に固定されている。固定樹脂４５は、硬質な樹脂であり、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコン系樹脂またはこれらを混合または合成した樹脂等の光硬化樹脂とされる。この固定樹脂４５により、多芯光ファイバ３５の位置が動くことが抑制される。

また、素子面２１上に配置されたそれぞれの光ファイバ３０の一方の端部は、当該光ファイバ３０と一対一に配置され互いに離間する複数の光透過樹脂４１によって光電変換素子２０Ａ，２０Ｂに固定されている。それぞれの光透過樹脂４１は、光ファイバ３０を伝搬する光を透過する樹脂から構成される。このような樹脂としては、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコン系樹脂またはこれらを混合または合成した樹脂等の光硬化樹脂を挙げることができ、光透過樹脂４１は、素子面２１の一部の領域に塗布により配置された後に硬化されている。

このような複数の光透過樹脂４１は、それぞれの光電変換素子２０Ａ，２０Ｂにおける受発光部２５の受発光面２６及び光ファイバ３０の一方の端部を覆うように配置されている。図２に示すように、光電変換素子２０Ａにおける光透過樹脂４１が配置される素子面２１の領域が樹脂配置領域４０とされ、樹脂配置領域４０には受発光面２６が含まれる。樹脂配置領域４０に配置された光透過樹脂４１は、表面の所定領域４２で光を内部反射することにより、当該受発光面２６と光ファイバ３０のコア３１とを光学的に結合する。つまり、本実施形態の光透過樹脂４１は、光ファイバ３０のコア３１と受発光部２５とを光学的に結合する光結合部材と理解できる。また、光結合部材である光透過樹脂４１が配置される樹脂配置領域４０は、光結合部材配置領域と理解できる。本実施形態では、図３において破線で示す光軸Ｃのように、光ファイバ３０と受発光部２５との間を伝搬する光は、光透過樹脂４１の表面の所定領域４２で内部反射して伝搬する。なお、光ファイバ３０のコア３１を光透過樹脂４１の表面の所定領域４２に映し出して内部反射させ、素子面２１に映し出される光ファイバ３０のコア３１の領域が射影領域ＡＲとされる。本実施形態では、受発光部２５の全体が射影領域ＡＲ内に位置している。また、本実施形態では、コア３１の中心を通る直線が所定領域４２で内部反射されて素子面２１に映し出される中心位置ＣＰと受発光面２６の中心とが一致するように受発光部２５が配置されている。

なお、光透過樹脂４１は、固定樹脂４５よりも軟質であることが好ましい。仮に、光透過樹脂４１が固定樹脂４５よりも硬質である場合、光モジュール１に振動等が加わり、固定樹脂４５が変形して光ファイバ３０の端部が動くと、当該端部の動きによる応力が光電変換素子２０Ａ，２０Ｂにかかって損傷を与える懸念がある。しかし、上記のように光透過樹脂４１が固定樹脂４５よりも軟質であれば、固定樹脂４５が変形する場合に、当該変形により光ファイバ３０に過度の応力が加わって光ファイバ３０が損傷することを抑制したり、当該変形による光ファイバ３０の端部の動きを光透過樹脂４１が吸収することで、光電変換素子２０Ａ，２０Ｂが損傷することを抑制したりすることができる。

また、本実施形態の光モジュール１は、上記のような構成に加えて、図１、図３に示す光の透過を抑制する仕切り部５０を備えている。なお、図３では、仕切り部５０を破線で示している。仕切り部５０は、例えば板状の部材とされ、一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂの間に配置され、基板１０の一方の面１０ｆ上に固定される。図３に示すように、仕切り部５０は、一方の光電変換素子２０Ａにおける樹脂配置領域４０よりも基板１０と反対側の空間の一部と、他方の光電変換素子２０Ｂにおける樹脂配置領域４０よりも基板１０と反対側の空間の一部とを仕切っている。それぞれの樹脂配置領域４０に配置された光透過樹脂４１の少なくとも一部は、この空間に位置している。このため、仕切り部５０は、一方の光電変換素子２０Ａの樹脂配置領域４０に配置された光透過樹脂４１の少なくとも一部と、他方の光電変換素子２０Ｂの樹脂配置領域４０に配置された光透過樹脂４１の少なくとも一部とを仕切っている。なお、本実施形態では、仕切り部５０は、一方の光電変換素子２０Ａの全体と、他方の光電変換素子２０Ｂの全体とを仕切っている。また、本実施形態では、一方の面１０ｆからの仕切り部５０の高さは、当該一方の面１０ｆからの光電変換素子２０Ａ，２０Ｂの高さと、その光電変換素子２０Ａ，２０Ｂの素子面２１上に配置される光ファイバ３０の一方の端部の外径との合計よりも大きくされる。そして、本実施形態では、仕切り部５０は、一方の光電変換素子２０Ａに配置された光透過樹脂４１全体と、他方の光電変換素子２０Ｂに配置された光透過樹脂４１全体とを仕切っている。

このような仕切り部５０は、基板１０と一体に成形していても良く、基板１０とは別の部材により形成しても良い。基板１０とは別の部材により形成する場合、仕切り部５０の材料としては、例えば、光の透過が抑制されたプラスチックなどの絶縁材、金属材及びこれらの複合材などが挙げられる。これらの材料からなる仕切り部５０を設けることよって、一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂ間のクロストークを低減することもできる。

また、仕切り部５０は、電子部品から構成されても良い。電子部品としては、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）等の能動部品や、インダクタ、キャパシタ又は抵抗等の受動部品が挙げられる。この場合、光電変換素子２０Ａ，２０Ｂから発生する電磁界の影響を受け難くする観点では、能動部品やインダクタよりもキャパシタ又は抵抗が好ましい。

次に光モジュール１の動作について説明する。

光モジュール１における一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂが発光素子である場合、光モジュール１の端子１２に入力する電気信号に基づき、光電変換素子２０Ａ，２０Ｂの端子２３に電気信号が入力し、発光部である受発光部２５から光が出射する。一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂのそれぞれの受発光部２５から出射する光は、光透過樹脂４１の表面の所定領域４２で内部反射し、光ファイバ３０のコア３１に入射し、コア３１を一方の端部から他方の端部に向かって伝搬する。

一方、光モジュール１における一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂが受光素子の場合、光ファイバ３０の一方の端部から光が出射すると、コア３１から出射する光は、光透過樹脂４１の表面の所定領域４２で内部反射し、受光部である受発光部２５で受光される。一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂのそれぞれの受発光部２５で光が受光されると、端子２３から電気信号が出力し、当該電気信号に基づく電気信号が光モジュール１の端子１２から出力する。

なお、一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂの一方が発光素子とされ、当該一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂの他方が受光素子とされていても良い。

以上説明したように、本実施形態の光モジュール１は、図１、図３に示すように、仕切り部５０を備えている。この仕切り部５０は、一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂの間に配置され、一方の光電変換素子２０Ａに配置される光透過樹脂４１の少なくとも一部と、他方の光電変換素子２０Ｂに配置される光透過樹脂４１の少なくとも一部とを仕切っている。

このような光モジュール１では、それぞれの光透過樹脂４１間に仕切り部５０が介在するため、光透過樹脂４１から光が漏えいする場合であっても、仕切り部５０が配置されない場合に比べて、一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂ間における光透過樹脂４１のクロストークを抑制し得る。こうして、本発明の光モジュール１によれば、光の損失が抑制され得る。

また、本実施形態の仕切り部５０は、一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂにおける一方の光電変換素子２０Ａの全体と、他方の光電変換素子２０Ｂの全体とを仕切っている。このため、仕切り部５０によって、一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂ間における電磁的な影響をより抑制し得る。

なお、上記のように仕切り部５０が電子部品であれば、電子部品が上記のような仕切りとして共用されるため、小型化し得るので好ましい。さらにこの電子部品がキャパシタ又は抵抗であれば、電子部品がインダクタである場合に比べて、電磁界の影響を受け難くすることができるため好ましい。

次に、本実施形態の光モジュールの製造方法について説明する。

図４は、図１に示す光モジュール１を製造する工程手順の一例を示すフローチャートである。図４に示すように本実施形態の光モジュール１の製造方法は、配置工程Ｐ１と、塗布工程Ｐ２と、硬化工程Ｐ３とを主な工程として備える。

＜配置工程Ｐ１＞
まず、光電変換部品及び多芯光ファイバ３５を予め準備する。光電変換部品は、上記のように、基板１０と、当該基板１０に固定された一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂと、光電変換素子２０Ａ，２０Ｂ間に配置される仕切り部５０とを備える部品である。本実施形態の光電変換部品では、それぞれの光電変換素子２０Ａ，２０Ｂが樹脂配置領域４０を有する。ただし、樹脂配置領域４０が印等で示されている必要はなく、結果として光透過樹脂４１が配置される領域であればよい。また、上記のように、仕切り部５０は、一方の光電変換素子２０Ａにおける樹脂配置領域４０よりも基板１０と反対側の空間の一部と、他方の光電変換素子２０Ｂにおける樹脂配置領域４０よりも基板１０と反対側の空間の一部とを仕切っている。この仕切り部５０で仕切られるそれぞれの空間は、光透過樹脂４１の配置が予定される空間である。

準備された光電変換部品の基板１０において、光電変換素子２０Ａ，２０Ｂの端子２３と基板１０のランド１３とは、ワイヤ配線１５を介して電気的に接続されており、図示せぬ光電変換素子２０Ａ，２０Ｂグランド端子と基板１０のランド１４とが電気的に接続されている。

このような光電変換部品及び多芯光ファイバ３５が準備された後、配置工程Ｐ１を行う。本工程は、一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂにおけるそれぞれの受発光面２６に沿って延在するように、一対の光ファイバ３０の一方の端部を互いに並列させてそれぞれの光電変換素子２０Ａ，２０Ｂに配置する工程である。

本工程では、図５、図６に示すように、カメラＣＭ１，ＣＭ２を用いて、光ファイバ３０の一方の端部を配置する。カメラＣＭ１は基板１０の側方から光電変換素子２０Ａ，２０Ｂ及び光ファイバ３０を映すためのカメラであり、カメラＣＭ２は基板１０に垂直な方向から光電変換素子２０Ａ，２０Ｂ及び光ファイバ３０を映すためのカメラである。

本実施形態では、多芯光ファイバ３５における一対の光ファイバ３０の一方の光ファイバ３０の端部を光電変換素子２０Ａに配置し、他方の光ファイバ３０の端部を光電変換素子２０Ｂに配置する。また本実施形態では、光ファイバ３０の長手方向が受発光面２６に沿って延在するように、それぞれの光ファイバ３０の一方の端部を配置する。また本実施形態では、図２に示すように、光ファイバ３０のコア３１の中心を通る直線である中心線ＣＬが、受発光面２６に垂直な方向から見る場合に、受発光部２５の中心を通るようにする。そして、光ファイバ３０の一方の端部が素子面２１に接触するように、それぞれの光ファイバ３０を素子面２１上に配置する。

上記のように、準備された光電変換部品の基板１０には、一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂの間に仕切り部５０が配置されている。この仕切り部５０は、一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂにおけるそれぞれの受発光ブロック２０Ｘよりも、当該光電変換素子２０Ａ，２０Ｂに配置される光ファイバ３０側に向かって延在している。本実施形態では、仕切り部５０は、一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂの一方の光電変換素子２０Ａ全体と他方の光電変換素子２０Ｂ全体とに延在している。また、上記のように、一方の面１０ｆからの仕切り部５０の高さは、一方の面１０ｆからの光電変換素子２０Ａ，２０Ｂの高さと、光ファイバ３０の一方の端部において口出しされたクラッド３２の外径との合計よりも大きくされている。

従って、一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂにおけるそれぞれの素子面２１上に光ファイバ３０を配置するとき、カメラＣＭ１から遠い側の光電変換素子２０Ｂの少なくとも一部及び光電変換素子２０Ｂに配置される光ファイバ３０の一方の端部と、カメラＣＭ１から近い側の光電変換素子２０Ａの少なくとも一部及び光電変換素子２０Ａに配置される光ファイバ３０の一方の端部との間に仕切り部５０が位置している。このため、カメラＣＭ１から遠い側の光電変換素子２０Ｂの少なくとも一部がカメラＣＭ１から遮蔽され、さらに、カメラＣＭ１から遠い側の光電変換素子２０Ｂに配置する光ファイバ３０の一方の端部がカメラＣＭ１にから遮蔽される。

このため、カメラＣＭ１から遠い側の光電変換素子２０Ｂの少なくとも一部及び光電変換素子２０Ｂに配置される光ファイバ３０の一方の端部がカメラＣＭ１に映り込むことが防止される。従って、一対の光ファイバ３０の一方の端部が並列されていても、カメラＣＭ１から近い側の光ファイバ３０の一方の端部と受発光ブロック２０Ｘとの位置関係を正確に認識し、当該端部を所望の位置に正確に合わせることができる。こうして、図５、図６に示すように光ファイバ３０が配置された状態とされる。

＜塗布工程Ｐ２＞
次に、塗布工程Ｐ２を行う。本工程は、それぞれの光電変換素子２０Ａ，２０Ｂにおける受発光面２６を覆うように、それぞれの光結合部材である光透過樹脂４１を塗布する工程である。本工程では、図５に示すように、上記のカメラＣＭ１と、当該カメラＣＭ１におけるカメラレンズに直交する方向から光電変換素子２０Ａ，２０Ｂ及び光ファイバ３０を映すためのカメラＣＭ３とを用いて、未硬化の光透過樹脂４１を滴下するノズル６０の位置を決定する。本実施形態では、図７に示すように、それぞれの受発光部２５の上方に、所定の順序でノズル６０を静止させ、当該静止時に、ノズル６０から矢印に示す方向に未硬化の光透過樹脂４１を滴下する。このとき、ノズル６０から射出される光透過樹脂が配置される光結合部材配置領域である樹脂配置領域４０は、光ファイバ３０の先端の一部及び受発光面２６を含んでおり、光透過樹脂４１は光ファイバ３０の側面にも塗布される。すると、滴下された光透過樹脂４１は、光ファイバ３０の一方の端部及び受発光部２５の受発光面２６を覆うように濡れ広がる。その結果、本実施形態では、樹脂は全体として概ね円錐形状となり、その傾斜面が曲面形状とされる。なお、本工程では、配置工程Ｐ１で用いられるカメラＣＭ２が退避されていても良い。

＜硬化工程Ｐ３＞
次に、硬化工程Ｐ３を行う。本工程は、それぞれの光透過樹脂４１が受発光ブロック２０Ｘの受発光面２６と光ファイバ３０の一方の端部とに接した状態で、それぞれの光透過樹脂４１を硬化する工程である。本工程では、素子面２１上に配置された光透過樹脂４１の種類に応じて、未硬化の光透過樹脂４１を硬化させる。例えば、光透過樹脂４１が紫外線硬化樹脂である場合には紫外線の照射を行い、光透過樹脂４１が熱硬化樹脂である場合には加熱を行い、光透過樹脂４１を硬化させる。本実施形態では、受発光ブロック２０Ｘの受発光面２６と光ファイバ３０の一方の端部とに光透過樹脂４１が接した状態で、それぞれの光透過樹脂４１を硬化させる。これにより、それぞれの光透過樹脂４１は、受発光ブロック２０Ｘの受発光部２５と光ファイバ３０のコア３１とを光学的に結合する光結合部とされる。

また、硬化工程Ｐ３の後、或いは、配置工程Ｐ１と塗布工程Ｐ２との間において、固定樹脂４５により光ファイバ３０を基板１０に固定する基板固定工程を行う。この工程は、配置された光ファイバ３０と基板１０との間に固定樹脂４５を塗布して、硬化することにより行う。固定樹脂４５が紫外線硬化樹脂である場合には紫外線の照射により硬化を行い、固定樹脂４５が熱硬化樹脂である場合には加熱により硬化を行う。なお、本実施形態の上記製造方法では、配置工程Ｐ１の後に塗布工程Ｐ２が行われたが、硬化工程Ｐ３において光透過樹脂４１が受発光ブロック２０Ｘと光ファイバ３０の一方の端部とに接した状態とされれば、配置工程Ｐ１と塗布工程Ｐ２とはどちらが先に行われても良く、配置工程Ｐ１の少なくとも一部と塗布工程Ｐ２の少なくとも一部とが同時に行われても良い。

こうして、図１に示す光モジュール１が製造される。

以上説明したように、本実施形態の光モジュール１の製造方法は、配置工程Ｐ１において、基板１０の側方から光電変換素子２０Ａ，２０Ｂ及び光ファイバ３０を映すためのカメラＣＭ１が用いられる。このカメラＣＭ１から遠い側に位置する光電変換素子２０Ｂの少なくとも一部、その光電変換素子２０Ｂに配置する光ファイバ３０の一方の端部とがカメラＣＭ１から遮蔽されるように、一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂの間に仕切り部５０が配置される。

このため、カメラＣＭ１から遠い側の光電変換素子２０Ｂの少なくとも一部と光ファイバ３０の一方の端部とがカメラＣＭ１に映り込むことが防止される。従って、複数の光ファイバ３０の一方の端部が並列されていても、カメラＣＭ１から近い側の受発光ブロック２０Ｘと光ファイバ３０の一方の端部との位置関係をカメラＣＭ１の画像に基づいて正確に認識し、当該端部を所望の位置に正確に合わせることができる。この結果、受発光ブロック２０Ｘの受発光部２５と光ファイバ３０との光学的な結合効率が低下することを抑制し得る。こうして、本実施形態の光モジュールの製造方法によれば、光の損失が抑制され得る光モジュール１を製造することができる。

また本実施形態では、一対の光ファイバ３０は、複数の光ファイバ３０が互いに並列されて纏められる多芯光ファイバ３５の一部とされる。このため、多芯光ファイバ３５において複数の光ファイバ３０の相対的な位置関係は概ね変わらない。従って、多芯光ファイバ３５を移動させることでそれぞれの光ファイバ３０を一括してそれぞれ所望の位置に配置し得る。従って、一対の光ファイバ３０を個別に配置する場合に比べて、光電変換素子２０Ａ，２０Ｂに対する光ファイバ３０の配置位置のばらつきを低減し得る。この結果、一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂにおけるそれぞれの所望の位置に光ファイバ３０の一方の端部をより正確に位置合わせし得る。

（第２実施形態）
次に本発明の第２実施形態について説明する。なお、第１実施形態と同一又は同等の構成要素については、特に説明する場合を除き、同一の参照符号を付して重複する説明は省略する。

図８は、本発明の第２実施形態に係る光モジュールを示す平面図である。なお、図８では、見易さの観点から、同一の構成要素に付される参照符号の一部は省略している。図８に示すように、本実施形態の光モジュール２は、第１実施形態の一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂの代わりに一対の光電変換素子２０Ｃ，２０Ｄが用いられる点において、第１実施形態の光モジュール１と異なる。また、第１実施形態の光モジュール１では、それぞれの光電変換素子２０Ａ，２０Ｂに配置される光ファイバ３０が、互いに纏められて一つの多芯光ファイバ３５とされたのに対し、本実施形態の光モジュール２は、一対の光電変換素子２０Ｃ，２０Ｄのそれぞれに多芯光ファイバ３５が用いられる点において、第１実施形態の光モジュール１と異なる。

一対の光電変換素子２０Ｃ，２０Ｄは、それぞれ、受発光ブロック２０Ｘを４ブロック有している点において第１実施形態の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂと異なる。なお、受発光ブロック２０Ｘのブロック数は、光電変換素子２０Ｃと光電変換素子２０Ｄとで異なっていても良い。本実施形態では、受発光ブロック２０Ｘに含まれる受発光部２５が１つとされるが、複数とされても良く、当該受発光部２５の数は光電変換素子２０Ｃと光電変換素子２０Ｄとで異なっていても良い。

また、一対の光電変換素子２０Ｃ，２０Ｄは、それぞれ、受発光ブロック２０Ｘのブロック数に基づいた数の端子２３を備える点において第１実施形態の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂと異なる。なお、本実施形態の基板１０には、ランド１３に対応した数の端子１２が設けられている。

このような本実施形態の光モジュール２では、一対の光電変換素子２０Ｃ，２０Ｄの間のうち、少なくとも一方の光電変換素子２０Ｃの受発光ブロック２０Ｘと、他方の光電変換素子２０Ｄの受発光ブロック２０Ｘとの間に配置される。

このような光モジュール２よれば、光結合部材である光透過樹脂４１から光が漏えいする場合であっても、上記第１実施形態と同様に、仕切り部５０が配置されない場合に比べて、一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂ間における光透過樹脂４１のクロストークを抑制し得る。

本実施形態では、仕切り部５０は、一対の光電変換素子２０Ｃ，２０Ｄにおける一方の光電変換素子２０Ｃの全体と、他方の光電変換素子２０Ｄの全体との間に配置される。このため、上記第１実施形態と同様に、仕切り部５０によって、一対の光電変換素子２０Ｃ，２０Ｄ間における電磁的な影響をより抑制し得る。

次に、本実施形態の光モジュール２の製造方法について説明する。

本実施形態の光モジュール２の製造方法では、第１実施形態の配置工程Ｐ１と異なる配置工程を行う。まず、光電変換部品及び多芯光ファイバ３５を予め準備する。光電変換部品は、基板１０と、当該基板１０に固定された一対の光電変換素子２０Ｃ，２０Ｄと、仕切り部５０で構成される部品である。

準備された光電変換部品の基板１０において、端子２３と基板１０のランド１３とは、ワイヤ配線１５を介して電気的に接続されている。また、準備された光電変換部品の基板１０には、一対の光電変換素子２０Ｃ，２０Ｄの間に仕切り部５０が配置され、当該仕切り部５０は、一方の面１０ｆ上に固定されており、一方の光電変換素子２０Ｃにおける光結合部材配置領域である樹脂配置領域４０よりも基板１０と反対側の空間の一部と、他方の光電変換素子２０Ｄにおける樹脂配置領域４０よりも基板１０と反対側の空間の一部とを仕切っている。

このような光電変換部品及び多芯光ファイバ３５が準備された後、本実施形態の配置工程を行う。図９は、実施形態に係る配置工程の様子を示す図であり、図１０は、図９のＸ−Ｘ線に沿った光モジュールの断面図である。本実施形態の配置工程では、図９、図１０に示すように、光電変換素子２０Ｃにおけるそれぞれの受発光ブロック２０Ｘに対して多芯光ファイバ３５における複数の光ファイバ３０のそれぞれの一方の端部を配置する。また本実施形態の配置工程では、光電変換素子２０Ｄにおけるそれぞれの受発光ブロック２０Ｘに対して他の多芯光ファイバ３５における複数の光ファイバ３０の一方の端部を配置する。

上記のように、準備された光電変換部品の基板１０には、一対の光電変換素子２０Ｃ，２０Ｄの間に仕切り部５０が配置されている。この仕切り部５０は、一対の光電変換素子２０Ｃ，２０Ｄにおけるそれぞれの受発光ブロック２０Ｘよりも、当該光電変換素子２０Ｃ，２０Ｄにおいて配置される光ファイバ３０の一方の端部側に向かって少なくとも延在している。本実施形態では、仕切り部５０は、一対の光電変換素子２０Ｃ，２０Ｄの一方の光電変換素子２０Ｃ全体と他方の光電変換素子２０Ｄ全体とに延在している。また、第１実施形態と同様に、一方の面１０ｆからの仕切り部５０の高さは、一方の面１０ｆからの光電変換素子２０Ｃ，２０Ｄの高さと、光ファイバ３０の一方の端部において口出しされたクラッド３２の外径との合計よりも少なくとも大きくされている。

従って、一対の光電変換素子２０Ｃ，２０Ｄにおけるそれぞれの素子面２１上に多芯光ファイバ３５を配置するとき、カメラＣＭ１から遠い側の光電変換素子２０Ｄの受発光ブロック２０ＸがカメラＣＭ１から遮蔽されるように仕切り部５０が位置している。また、このとき、カメラＣＭ１から遠い側の光電変換素子２０Ｄに配置する多芯光ファイバ３５におけるそれぞれの光ファイバ３０の一方の端部の先端がカメラＣＭ１から遮蔽されるように仕切り部５０が位置している。

このため、第１実施形態と同様に、カメラＣＭ１から遠い側の受発光ブロック２０Ｘと光ファイバ３０の一方の端部とがカメラＣＭ１に映り込むことが防止される。従って、複数の光ファイバ３０の一方の端部が並列されていても、カメラＣＭ１から近い側の受発光ブロック２０Ｘと光ファイバ３０の一方の端部との位置関係をカメラＣＭ１の画像に基づいて正確に認識し、当該端部を正確に所望の位置に合わせることができる。

なお、本実施形態では、カメラＣＭ１から近い側の光電変換素子２０Ｃ上に光ファイバ３０が並列して配置されている。しかし、これら光電変換素子２０Ｃ上配置される複数の光ファイバ３０の間隔は、仕切り部５０を挟んで並べられる多芯光ファイバ３５の間隔に比べて狭い。このため、カメラＣＭ１から近い側の光ファイバ３０が並列されていても、当該光ファイバ３０の外形は概ね一致した状態でカメラＣＭ１に認識される。この結果、第１実施形態と同様に、一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂにおけるそれぞれの素子面２１の所望の位置に光ファイバ３０の一方の端部が正確に位置合わせされ得る。

（第３実施形態）
次に本発明の第３実施形態について説明する。なお、第１実施形態と同一又は同等の構成要素については、特に説明する場合を除き、同一の参照符号を付して重複する説明は省略する。

図１１は、本発明の第３実施形態に係る光モジュールを示す平面図である。図１１に示すように、本実施形態の光モジュール３は、仕切り部５０を備えない点において、第１実施形態の光モジュール１と異なる。また、本実施形態の光モジュール３の基板１０は、基板１０の一端から一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂの間にまで切り欠かれた切り欠き１０ｃが形成されている点において、第１実施形態の基板１０と異なる。

次に、本実施形態の光モジュール３の製造方法について説明する。

本実施形態の光モジュール３の製造方法では、第１実施形態の配置工程Ｐ１と異なる配置工程を行う。まず、光電変換部品及び第１実施形態の多芯光ファイバ３５と同様の多芯光ファイバ３５を予め準備する。光電変換部品は、上記のように、基板１０と、当該基板１０に固定された一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂとで構成される部品である。

準備された光電変換部品の基板１０には、上記のように、仕切り部５０が備えられておらず、当該基板１０の一端から一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂの間にまで切り欠き１０ｃが形成されている。

このような光電変換部品及び多芯光ファイバ３５が準備された後、本実施形態の配置工程を行う。図１２は、本工程の様子を示す平面図であり、図１３は、図１２のXIII−XIII線に沿った断面図である。本実施形態の配置工程では、図１２、１３に示すように、準備された光電変換部品の基板１０を配置する治具７０が用いられる。この治具７０には仕切り部５０が設けられており、当該仕切り部５０を基板１０の切り欠き１０ｃに挿通することで、治具７０に基板１０が配置される。なお、本実施形態では、基板１０に切り欠き１０ｃが形成されているが、仕切り部５０を挿通する開口であれば切欠きであっても孔であっても良い。例えば、切り欠き１０ｃに代えて貫通孔が形成されていても良い。

このように基板１０が治具７０に配置された状態において、仕切り部５０は、上記第１実施形態と同様に延在する。従って、仕切り部５０は、一方の光電変換素子２０Ａにおける光結合部材配置領域である樹脂配置領域４０よりも基板１０と反対側の空間の一部と、他方の光電変換素子２０Ｂにおける樹脂配置領域４０よりも基板１０と反対側の空間の一部とを仕切る。また、本実施形態では、仕切り部５０は、一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂの一方の光電変換素子２０Ａの全体と他方の光電変換素子２０Ｂの全体とに延在する。また、第１実施形態と同様に、一方の面１０ｆからの仕切り部５０の高さは、一方の面１０ｆからの光電変換素子２０Ａ，２０Ｂの高さと、光ファイバ３０の一方の端部において口出しされたクラッド３２の外径との合計よりも少なくとも大きくされる。

従って、一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂにおけるそれぞれの素子面２１上に光ファイバ３０を配置するとき、カメラＣＭ１から遠い側に配置する光ファイバ３０の少なくとも一方の端部がカメラＣＭ１から遮蔽されるように、仕切り部５０が配置される。

このため、第１実施形態と同様に、カメラＣＭ１から遠い側の受発光ブロック２０Ｘと光ファイバ３０の一方の端部とがカメラＣＭ１に映り込むことが防止される。従って、複数の光ファイバ３０の一方の端部が並列されていても、カメラＣＭ１から近い側の受発光ブロック２０Ｘと光ファイバ３０の一方の端部との位置関係をカメラＣＭ１の画像に基づいて正確に認識し、当該端部を正確に所望の位置に合わせることができる。こうして、図１２、１３に示すように光ファイバ３０が配置された状態とされる。

光ファイバ３０が配置されると、治具７０が所定の退避位置に退避され、基板１０の切り欠き１０ｃに挿通されていた仕切り部５０が取り外される。その後、上記第１実施形態と同様に、塗布工程Ｐ２、硬化工程Ｐ３が行われる。なお、本実施形態の光モジュール３の製造方法により製造される光モジュール３に仕切り部５０が未配置とされる限り、配置工程Ｐ１よりも後の工程の中間時期や終了時期に、基板１０の切り欠き１０ｃに挿通されていた仕切り部５０が取り外されても良い。

以上説明したように、本実施形態の光モジュール１の製造方法では、仕切り部５０は、配置工程Ｐ１の後に取り外される。このため、配置工程Ｐ１において配置されていた仕切り部５０の配置スペースを、当該配置工程Ｐ１の後に他の部品を配置するためのスペースにすることが可能となる。従って、仕切り部５０が取り外されない場合に比べて、光モジュール３を小型化し得る。

また本実施形態では、仕切り部５０は、基板１０を配置する治具７０に設けられ、当該基板１０には、仕切り部５０を挿通する切り欠き１０ｃが形成される。このため、基板１０に形成される切り欠き１０ｃによって仕切り部５０を位置決めすることができる。従って、仕切り部５０を正確に配置することができる。

なお、本実施形態では、仕切り部５０が切り欠き１０ｃに挿通されたが、切り欠き１０ｃは必須ではない。例えば、基板１０に切り欠き１０ｃが形成されておらず、配置工程Ｐ１時に仕切り部５０が基板１０の上方から配置され、その後、仕切り部５０が取り外されても良い。この場合には、仕切り部５０が取り外されることにより基板１０上のスペースが空きことになり、上記のように基板１０上に部品を配置することができ、仕切り部５０が取り外されない場合に比べて、光モジュール３を小型化し得る。

以上、本発明について、実施形態を例に説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。

例えば、上記実施形態では、受発光ブロック２０Ｘが１つの受発光部２５を有していたが複数の受発光部２５を有していても良い。なお、複数の受発光部２５とコア３１との結合効率の低下を抑制する観点では、それぞれの受発光部２５の中心、或いは、当該受発光部２５の全体が射影領域ＡＲ内に位置していることが好ましい。また、コア３１の中心を通る直線が所定領域４２で内部反射されて素子面２１に映し出される中心位置ＣＰから互いに等しい距離に複数の受発光部が位置することが好ましい。

また、上記実施形態では、光電変換素子に固定される光ファイバ３０の一方の端部のクラッド３２の外周面が素子面２１に接触しているが、光ファイバ３０の一方の端部のクラッド３２の外周面が素子面２１と離間している構成であっても良い。この場合、上記の仕切り部５０の一方の面１０ｆからの高さは、少なくとも、当該一方の面１０ｆからの光電変換素子の高さと、素子面２１からクラッド３２の外周面までの高さと、当該クラッド３２の外径とを合計した値よりも大きくされる。

また、上記実施形態では、仕切り部５０が１つの板状の部材により連続的に構成されていたが、例えば複数の板状の部材により仕切り部が断続的に構成されていても良い。また、カメラＣＭ１により認識され易くするために、仕切り部５０のうち、カメラＣＭ１から近い側の光ファイバ３０の一方の端部の背景となる領域と、カメラＣＭ１から近い側の受発光ブロック２０Ｘの背景となる領域とが互いに異なる色とされていても良い。

また、上記実施形態では、仕切り部５０は、一対の光電変換素子２０Ａ，２０Ｂの一方の光電変換素子２０Ａ全体と他方の光電変換素子２０Ｂ全体とを仕切り、さらに、一方の面１０ｆからの仕切り部５０の高さは、一方の面１０ｆからの光電変換素子２０Ａ，２０Ｂの高さと、光ファイバ３０の一方の端部において口出しされたクラッド３２の外径との合計よりも少なくとも大きくされた。このため、仕切り部５０は、一方の光電変換素子２０Ａに配置された光透過樹脂４１全体と、他方の光電変換素子２０Ｂに配置された光透過樹脂４１全体とを仕切る物とされた。しかし、本発明は、これに限らず、仕切り部５０は、一方の光電変換素子２０Ａに配置される光透過樹脂４１の少なくとも一部と他方の前記光電変換素子２０Ｂに配置される光透過樹脂４１の少なくとも一部とを仕切ればよく、この場合であっての、クロストークを抑制することができる。また、光モジュール１を製造する観点から、仕切り部５０は、カメラＣＭ１から遠い側の光電変換素子２０Ｂの少なくとも一部及び光電変換素子２０Ｂに配置される光ファイバ３０の一方の端部と、カメラＣＭ１から近い側の光電変換素子２０Ａの少なくとも一部及び光電変換素子２０Ａに配置される光ファイバ３０の一方の端部との間に配置されれば良い。

また、上記実施形態では、光結合部材として光透過樹脂４１を例に説明したが、光結合部材は、受発光部２５と光ファイバ３０のコア３１とを光学的に結合するものであれば特に限定されない。光結合部材として光透過樹脂４１の他にレンズやプリズムを挙げることができ、これらは特に樹脂に限定されない。

以上説明したように、本発明によれば、光の損失が抑制され得る光モジュールの製造方法、光モジュール、及び、光電変換部品が提供され、自動車用、家電用、その他の分野における部品等として利用することができる。

１，２，３・・・光モジュール
１０・・・基板
１５・・・ワイヤ配線
２０Ａ，２０Ｂ・・・光電変換素子
２０Ｘ・・・受発光ブロック
２１・・・素子面
２５・・・受発光部
３０・・・光ファイバ
３１・・・コア
３２・・・クラッド
４１・・・光透過樹脂
５０・・・仕切り部
６０・・・ノズル
７０・・・治具
Ｐ１・・・配置工程
Ｐ２・・・塗布工程
Ｐ３・・・硬化工程

Claims (12)

1. 光の受光または発光を行う受発光部を有し基板に互いに離間して固定される一対の光電変換素子と、それぞれの前記光電変換素子に一方の端部が配置される一対の光ファイバと、前記光ファイバのコアと前記受発光部とを光学的に結合するようにそれぞれの前記光電変換素子に配置される一対の光結合部材と、を備える光モジュールの製造方法であって、
   一対の前記光電変換素子におけるそれぞれの前記受発光部に、一対の前記光ファイバの前記一方の端部を互いに並列させてそれぞれ配置する配置工程において、前記基板の側方から前記光電変換素子及び前記光ファイバを映すためのカメラが用いられ、前記カメラから遠い側の前記光電変換素子の少なくとも一部及び当該光電変換素子に配置する前記光ファイバの前記一方の端部と、前記カメラから近い側の前記光電変換素子の少なくとも一部及び当該光電変換素子に配置する前記光ファイバの前記一方の端部との間に仕切り部が配置される
   ことを特徴とする光モジュールの製造方法。
2. 前記仕切り部は、前記配置工程の後に取り外される
   ことを特徴とする請求項１に記載の光モジュールの製造方法。
3. 前記仕切り部は、前記基板を配置する治具に設けられ、前記基板には、前記仕切り部を挿通する開口が形成される
   ことを特徴とする請求項２に記載の光モジュールの製造方法。
4. 前記仕切り部は、電子部品である
   ことを特徴とする請求項１に記載の光モジュールの製造方法。
5. 前記電子部品は、キャパシタ又は抵抗である
   ことを特徴とする請求項４に記載の光モジュールの製造方法。
6. 一対の前記光ファイバは、複数の光ファイバが互いに並列されて纏められる多芯光ファイバの一部とされる
   ことを特徴とする請求項１〜５いずれか１項に記載の光モジュールの製造方法。
7. 基板と、
   光の受光または発光を行う受発光部を有し前記基板に互いに離間して固定される一対の光電変換素子と、
   一対の前記光電変換素子のそれぞれに一方の端部が配置され、互いに並列する一対の光ファイバと、
   前記光ファイバのコアと前記受発光部とを光学的に結合するようにそれぞれの前記光電変換素子に配置される一対の光結合部材と、
   一対の前記光電変換素子間に配置される仕切り部と、
   を備え、
   前記仕切り部は、一方の前記光電変換素子に配置される前記光結合部材の少なくとも一部と、他方の前記光電変換素子に配置される前記光結合部材の少なくとも一部とを仕切り、
   前記仕切り部は、電子部品である
   ことを特徴とする光モジュール。
8. 前記仕切り部は、一対の前記光電変換素子における一方の前記光電変換素子の全体と、他方の前記光電変換素子の全体とを更に仕切る
   ことを特徴とする請求項７に記載の光モジュール。
9. 前記電子部品は、キャパシタ又は抵抗である
   ことを特徴とする請求項７又は８に記載の光モジュール。
10. 基板と、
    光の受光または発光を行う受発光部を有し前記基板に互いに離間して固定される一対の光電変換素子と、
    一対の前記光電変換素子間に配置される仕切り部と、
    を備え、
    それぞれの前記光電変換素子は、当該光電変換素子に配置される光ファイバのコアと前記受発光部とを光学的に結合する光結合部材が配置される光結合部材配置領域を有し、
    前記仕切り部は、一方の前記光電変換素子における前記光結合部材配置領域よりも前記基板と反対側の空間の一部と、他方の前記光電変換素子における前記光結合部材配置領域よりも前記基板と反対側の空間の一部とを仕切り、
    前記仕切り部は、電子部品である
    ことを特徴とする光電変換部品。
11. 前記仕切り部は、一対の前記光電変換素子における一方の前記光電変換素子の全体と、他方の前記光電変換素子の全体とを更に仕切る
    ことを特徴とする請求項１０に記載の光電変換部品。
12. 前記電子部品は、キャパシタ又は抵抗である
    ことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の光電変換部品。
    

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