JP6666285B2 - 放射線検出器 - Google Patents
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Description
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、第1実施形態に係る放射線検出器を例示する模式的断面図である。
図1に示すように、本実施形態に係る放射線検出器110は、積層体SBを含む。積層体SBは、第1金属層10、第2金属層20及び有機半導体層30を含む。この例では、基板50が設けられている。
図2は、第2金属が、金(Au)または白金(Pt)である場合において、第2金属層20の厚さt2(図1参照)を変えたときの放射線の検出比率DRの特性を示す。この例では、第1金属層10は、Alである。第1金属層10の厚さt1は、100nmである。有機半導体層30の厚さt3は、10μmである。
図3に示すように、本実施形態に係る別の放射線検出器110aにおいては、有機半導体層30は、複数の粒子35と、有機半導体領域30Mと、を含む。放射線検出器110のこれ以外の構成は、例えば、放射線検出器110と同様である。
図4に示すように、本実施形態に係る別の放射線検出器111は、有機膜36を含む。これ以外は、放射線検出器110と同様である。
図5に示すように、本実施形態に係る別の放射線検出器112は、第1有機膜36a(有機膜36)を含む。これ以外は、放射線検出器110と同様である。
図6に示すように、本実施形態に係る別の放射線検出器113は、第2有機膜36b(有機膜36)を含む。これ以外は、放射線検出器110と同様である。
図7に示すように、本実施形態に係る別の放射線検出器114においては、第1金属層10、第2金属層20、有機半導体層30及び基板50に加えて、封止部材60がさらに設けられる。基板50及び封止部材60には、例えば、ガラスが用いられる。封止部材60の外縁が、基板50の外縁と、接合される。基板50及び封止部材60により囲まれる空間に、第1金属層10、第2金属層20及び有機半導体層30が設けられる。第1金属層10、第2金属層20及び有機半導体層30は、基板50及び封止部材60により、気密に封止される。これにより、安定した特性が得やすくなる。高い信頼性が得られる。
図8は、第1実施形態に係る放射線検出器の一部を例示する模式的断面図である。
図8は、有機半導体領域30Mを例示している。有機半導体領域30Mは、第1導電形の第1半導体領域31と、第2導電形の第2半導体領域32と、を含む。第1導電形は、例えばn形である。第2導電形は、例えば、p形である。
図9は、第2実施形態に係る放射線検出器を例示する模式的斜視図である。
図9に示すように、放射線検出器120は、積層体SBを含む。積層体SBは、第1金属層10、第2金属層20及び有機半導体層30を含む。この例では、基板50が設けられている。図9においては、図の見やすさのために、放射線検出器120に含まれる要素の一部が互いに離されて描かれている。
Claims (10)
- 第1金属層と、
第2金属層と、
前記第1金属層と前記第2金属層との間に設けられた有機半導体層と、
を含む積層体を備え、
前記第1金属層の厚さは、100ナノメートル以上であり、
前記第2金属は、金または白金であり、前記第2金属層の厚さは、10マイクロメートル以上40マイクロメートル以下であり、
β線を含む放射線は、前記第1金属層を通過した後に前記有機半導体層に入射する、放射線検出器。 - 前記第2金属層に含まれる第2金属の原子量は、前記第1金属層に含まれる第1金属の原子量よりも大きい、請求項1記載の放射線検出器。
- 前記第1金属は、アルミニウム、銀、ニッケル及びマグネシウムからなる群から選択された少なくとも1つを含む、請求項2記載の放射線検出器。
- 前記有機半導体層の厚さは、10マイクロメートル以上200マイクロメートル以下である、請求項1〜3のいずれか1つに記載の放射線検出器。
- 前記有機半導体層は、
複数の粒子と、
有機半導体領域と、
を含み、
前記有機半導体領域の少なくとも一部は、前記複数の粒子の周りに設けられた、請求項1〜4のいずれか1つに記載の放射線検出器。 - 前記複数の粒子のサイズは、100ナノメートル以下である、請求項5記載の放射線検出器。
- 前記複数の粒子は、PbS、ZnSe、Bi2O3及びHfO2からなる群から選択された少なくとも1つを含む、請求項5または6に記載の放射線検出器。
- 前記有機半導体領域は、第1導電形の第1半導体領域と、第2導電形の第2半導体領域と、を含む、請求項5〜7のいずれか1つに記載の放射線検出器。
- 前記第1金属層と前記有機半導体層との間の第1位置、及び、前記第2金属層と前記有機半導体層との間の第2位置の少なくともいずれかに設けられた有機膜をさらに備えた、請求項1〜8のいずれか1つに記載の放射線検出器。
- 前記第1金属層及び前記第2金属層と電気的に接続された検出回路をさらに備え、
前記検出回路は、前記積層体に入射する前記放射線の強度に応じた信号を出力する、請求項1〜9のいずれか1つに記載の放射線検出器。
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