JP6645630B2

JP6645630B2 - 化合物の製造方法

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Description

本発明は分子構造中にテトラヒドロピラン−２，５−ジイル基又は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基と４−アルコキシ−２，３−ジフルオロフェニル基等とを有する化合物の製造方法、当該化合物を用いた液晶組成物及び当該液晶組成物を使用した表示素子に関する。

ＴＦＴ液晶材料に使用される液晶化合物及び添加剤は、ディスプレイに焼き付きを引き起こす不純物を含有しないことは元より、なるべく高純度であることが好ましいとされている。ＴＦＴ液晶表示素子の種類であるＶＡ（ｖｅｒｔｉｃａｌａｌｉｇｎｍｅｎｔ）型、ＰＳＡ（ｐｏｌｙｍｅｒｓｕｓｔａｉｎｅｄａｌｉｇｎｍｅｎｔ）型、ｎ−ＦＦＳ（ｆｒｉｎｇｅｆｉｅｌｄｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）型液晶表示素子には、誘電率異方性が負であるｎ型液晶組成物が使用される。特にｎ型液晶組成物を使用する液晶表示素子においては、組成物中に含まれる金属不純物による表示素子の品質に対する影響が大きいことから、組成物に混合して使用される化合物には低い金属不純物含有量が求められている。化合物に含まれる金属不純物としては、例えば化合物を、パラジウム触媒を使用したカップリング反応によって製造する場合、使用したパラジウム触媒に由来するものが挙げられる。

分子構造中にテトラヒドロピラン−２，５−ジイル基又は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を有する化合物は、ｐ型及びｎ型液晶組成物の構成材料として一般的な化合物である。しかしながら、テトラヒドロピラン環又はジオキサン環を有する中間体を、パラジウム触媒を用いたカップリング反応に使用した場合、得られた化合物をｎ型液晶組成物に添加し液晶パネルを製造した場合、長期間の使用によって焼き付きが起こりやすくなってしまう問題があった。これは、反応に使用したパラジウムがテトラヒドロピラン環又はジオキサン環上の酸素原子に配位してしまい、精製工程において完全に除去しきれず、不純物として残留してしまったことが原因であると考えられる。そのため、従来、金属不純物による表示素子への影響が特に大きいｎ型液晶組成物に添加される化合物であり、分子構造中にテトラヒドロピラン−２，５−ジイル基又は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を有する化合物の製造においては、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基又は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を有する中間体をパラジウム触媒存在下カップリング反応に使用することは避けられていた。

分子構造中にテトラヒドロピラン−２，５−ジイル基又は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基と４−アルコキシ−２，３−ジフルオロフェニル基とを有する化合物は、ｎ型液晶組成物への溶解性が高く、負に大きな誘電率異方性を有することからｎ型液晶組成物の構成材料として有用な化合物である。前記パラジウム由来の金属不純物による品質低下への懸念から、当該化合物は、テトラヒドロピラン環を構成する前の段階において、カップリング反応を実施しパラジウム由来の不純物を除去した後に、テトラヒドロピラン環を構成する方法が採られていた（非特許文献２）。しかしながら、当該製造方法には中間体の結晶性が低いため各中間体における再結晶による不純物除去効率が低く若しくは中間体が液体であるため再結晶による精製が行えず、最終的に得られる化合物の純度が低くなってしまう問題があった。低純度の化合物を使用し、液晶パネルを製造した場合、長期間の使用によって焼き付きが起こってしまったりムラが発生してしまったりしてしまい、ディスプレイ製品の品質を低下させてしまう可能性がある。そのため、このような問題を解決する、分子構造中にテトラヒドロピラン−２，５−ジイル基又は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基と４−アルコキシ−２，３−ジフルオロフェニル基とを有する化合物等の、分子構造中にテトラヒドロピラン−２，５−ジイル基又は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を有する誘電率異方性が負の液晶化合物の製造方法の開発が求められていた。

特開２０１７−７５０９５号公報

ＥｕｒｏｐｅａｎＪｏｕｒｎａｌｏｆＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ誌、２００８年、２０号、３４７９−３４８７頁ＭｏｌｅｃｕｌａｒＣｒｙｓｔａｌｓａｎｄＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ誌、２０１１年、５４２巻、１６／［５３８］−２７［５４９］頁

本発明が解決しようとする課題は、分子構造中にテトラヒドロピラン−２，５−ジイル基又は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を有する誘電率異方性が負の液晶化合物を簡便かつ高純度に得る製造方法を提供することである。さらに、当該化合物を用いた液晶組成物及び当該液晶組成物を使用した表示素子を提供する。

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究を行った結果、特定の製造方法の開発に至った。すなわち、本願発明は、部分構造（Ａ）、部分構造（ＡＩ）、部分構造（Ｄ）及びは部分構造（ＤＩ）で表される基から選択される１種又は２種以上の基を有する化合物（ｉａ）と、上記部分構造（Ｙ）、部分構造（Ｙ（Ｆ，Ｃｌ））、部分構造（Ｙ（Ｃｌ，Ｆ））及びは部分構造（Ｙ（Ｃｌ，Ｃｌ））で表される基から選択される１種又は２種以上の基を有する化合物（ｉｂ）とを、遷移金属触媒存在下、カップリングさせることにより、部分構造（Ａ）、部分構造（ＡＩ）、部分構造（Ｄ）及び部分構造（ＤＩ）で表される基から選択される１種又は２種以上の基と、部分構造（Ｙ）、部分構造（Ｙ（Ｆ，Ｃｌ））、部分構造（Ｙ（Ｃｌ，Ｆ））及びは部分構造（Ｙ（Ｃｌ，Ｃｌ））で表される基から選択される１種又は２種以上の基とを有する化合物（ｉ）の製造方法を提供し、当該化合物を用いた液晶組成物及び当該液晶組成物を使用した表示素子、それらを使用したパーソナルコンピュータ、スマートフォン、テレビ、モニター、ドローン、デジタルサイネージ、電子黒板、家電製品、販売機、券売機、改札機、携帯機器、制御装置、製造装置、現金自動預払機、キャッシュレジスター、カーナビゲーションシステム、ゲーム機、装飾機材、舞台設備、車載モニター、運搬機器、自動車、鉄道、リニアモーターカー、航空機、船舶及び宇宙船を提供する。

本願発明の製造方法は、少ない工程数によって、且つ高純度で製造することが可能であることから、分子構造中にテトラヒドロピラン−２，５−ジイル基又は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を有する誘電率異方性が負の液晶化合物の製造方法として有用である。また、本願発明の製造方法によって製造された化合物は液晶表示素子用の材料として有用である。

本願発明の製造方法は下記部分構造（Ａ）、部分構造（ＡＩ）、部分構造（Ｄ）及びは部分構造（ＤＩ）

で表される基から選択される１種又は２種以上の基と下記部分構造（Ｙ）、部分構造（Ｙ（Ｆ，Ｃｌ））、部分構造（Ｙ（Ｃｌ，Ｆ））及び部分構造（Ｙ（Ｃｌ，Ｃｌ））

で表される基から選択される１種又は２種以上の基とを有する化合物（ｉ）の製造方法であって、上記部分構造（Ａ）、部分構造（ＡＩ）、部分構造（Ｄ）及び部分構造（ＤＩ）で表される基から選択される１種又は２種以上の基を有する化合物（ｉａ）と、上記部分構造（Ｙ）、部分構造（Ｙ（Ｆ，Ｃｌ））、部分構造（Ｙ（Ｃｌ，Ｆ））及び部分構造（Ｙ（Ｃｌ，Ｃｌ））で表される基から選択される１種又は２種以上の基を有する化合物（ｉｂ）とを、遷移金属触媒存在下、カップリング反応によって製造することを特徴とする。

化合物（ｉ）としては、下記一般式（Ｉ）

（式中、Ｒ^１及びＲ^２は各々独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、又は、１個の−ＣＨ_２−若しくは隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−によって置換されても良い炭素原子数１から２０の直鎖状若しくは分岐状アルキル基を表すが、当該アルキル基中の任意の水素原子はフッ素原子に置換されても良く、Ａ^０は部分構造（Ａ）、部分構造（ＡＩ）、部分構造（Ｄ）又は部分構造（ＤＩ）で表される基を表し、Ａ^Ｙは部分構造（Ｙ）、部分構造（Ｙ（Ｆ，Ｃｌ））、部分構造（Ｙ（Ｃｌ，Ｆ））又は部分構造（Ｙ（Ｃｌ，Ｃｌ））で表される基を表し、Ａ^１、Ａ^２、Ａ^３及びＡ^４は各々独立して１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基又は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を表すが、これらの基は無置換であるか又は１つ以上の置換基Ｌ^１によって置換されても良く、Ａ^１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ^２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ^３が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ^４が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｌ^１はフッ素原子、塩素原子、又は、１個の−ＣＨ_２−隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−によって置換されても良い炭素原子数１から２０の直鎖状又は分岐状アルキル基を表すが、当該アルキル基中の任意の水素原子はフッ素原子に置換されても良く、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３及びＺ^４は各々独立して−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、Ｚ^１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ^２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ^３が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ^４が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、ｍ１、ｍ３及びｍ４は各々独立して０から３の整数を表し、ｍ２は１から３の整数を表すが、ｍ１＋ｍ２＋ｍ３＋ｍ４は１から３の整数を表す。）で表される化合物であることが好ましい。

一般式（Ｉ）において、Ｒ^１及びＲ^２は各々独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、又は、１個の−ＣＨ_２−若しくは隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−によって置換されても良い炭素原子数１から２０の直鎖状若しくは分岐状アルキル基を表すが、当該アルキル基中の任意の水素原子はフッ素原子に置換されても良い。ｎ型液晶組成物に添加した場合の保存安定性、溶解性、液晶性、誘電率異方性及び屈折率異方性の観点から、Ｒ^１及びＲ^２は各々独立して１個の−ＣＨ_２−若しくは隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−によって置換されても良く、基中の任意の水素原子はフッ素原子に置換されても良い炭素原子数１から１０の直鎖状アルキル基を表すことが好ましく、Ｒ^１及びＲ^２は各々独立して１個の−ＣＨ_２−若しくは隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−によって置換されても良い炭素原子数１から６の直鎖状アルキル基を表すことがより好ましく、Ｒ^１は１個の−ＣＨ_２−が−ＣＨ＝ＣＨ−によって置換されても良い炭素原子数１から６の直鎖状アルキル基を表し、Ｒ^２は１個の−ＣＨ_２−若しくは隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−によって置換されても良い炭素原子数１から６の直鎖状アルキル基を表すことがさらに好ましく、Ｒ^１は炭素原子数１から６の直鎖状アルキル基又は炭素原子数２から６の直鎖状アルケニル基を表し、Ｒ^２は炭素原子数１から６の直鎖状アルキル基、炭素原子数１から５の直鎖状アルコキシ基、炭素原子数２から６の直鎖状アルケニル基又は炭素原子数２から５の直鎖状アルケニルオキシ基を表すことがさらにより好ましく、Ｒ^１は炭素原子数１から６の直鎖状アルキル基を表し、Ｒ^２は炭素原子数１から５の直鎖状アルコキシ基を表すことが特に好ましい。

一般式（Ｉ）において、Ａ^０は部分構造（Ａ）、部分構造（ＡＩ）、部分構造（Ｄ）又は部分構造（ＤＩ）で表される基を表す。原料の入手容易さ、合成の容易さ及び液晶性の観点から、Ａ^０は部分構造（Ａ）、部分構造（ＡＩ）又は部分構造（Ｄ）で表される基を表すことが好ましく、Ａ^０は部分構造（Ａ）又は部分構造（ＡＩ）で表される基を表すことがより好ましく、部分構造（Ａ）で表される基を表すことが特に好ましい。

一般式（Ｉ）において、Ａ^Ｙは部分構造（Ｙ）、部分構造（Ｙ（Ｆ，Ｃｌ））、部分構造（Ｙ（Ｃｌ，Ｆ））又は部分構造（Ｙ（Ｃｌ，Ｃｌ））で表される基を表す。原料の入手容易さ、合成の容易さ及び液晶性の観点から、Ａ^Ｙは部分構造（Ｙ）で表される基を表すことが好ましい。

一般式（Ｉ）において、Ａ^１、Ａ^２、Ａ^３及びＡ^４は各々独立して１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基又は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を表すが、これらの基は無置換であるか又は１つ以上の置換基Ｌ^１によって置換されても良く、Ａ^１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ^２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ^３が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ^４が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良い。原料の入手容易さ、合成の容易さ及び液晶性の観点から、Ａ^１、Ａ^２、Ａ^３及びＡ^４は各々独立して下記の式（Ａ−１）から式（Ａ−９）

から選ばれる基を表すことが好ましく、上記の式（Ａ−１）から式（Ａ−５）、式（Ａ−８）又は式（Ａ−９）から選ばれる基を表すことがより好ましく、上記の式（Ａ−１）から式（Ａ−５）から選ばれる基を表すことがさらに好ましく、上記の式（Ａ−１）から式（Ａ−４）から選ばれる基を表すことがさらにより好ましく、上記の式（Ａ−１）、式（Ａ−３）又は式（Ａ−４）から選ばれる基を表すことが特に好ましい。

一般式（Ｉ）において、Ｌ^１はフッ素原子、塩素原子、又は、１個の−ＣＨ_２−隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−によって置換されても良い炭素原子数１から２０の直鎖状又は分岐状アルキル基を表すが、当該アルキル基中の任意の水素原子はフッ素原子に置換されても良い。原料の入手容易さ、合成の容易さ及び液晶性の観点から、Ｌ^１はフッ素原子、塩素原子、又は、１個の−ＣＨ_２−が−Ｏ−によって置換されても良く、基中の任意の水素原子はフッ素原子に置換されても良い炭素原子数１から６の直鎖状アルキル基を表すことが好ましく、Ｌ^１はフッ素原子、塩素原子、又は、１個の−ＣＨ_２−が−Ｏ−によって置換されても良く、基中の任意の水素原子はフッ素原子に置換されても良い炭素原子数１から３の直鎖状アルキル基を表すことがより好ましく、Ｌ^１はフッ素原子、塩素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメトキシ基又はペンタフルオロエトキシ基を表すことがさらに好ましく、Ｌ^１はフッ素原子又は塩素原子を表すことがさらにより好ましく、Ｌ^１はフッ素原子を表すことが特に好ましい。

一般式（Ｉ）において、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３及びＺ^４は各々独立して−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、Ｚ^１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ^２が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ^３が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ^４が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良い。液晶性、表示素子にした場合の物性の観点から、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３及びＺ^４は各々独立して−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は単結合を表すことが好ましく、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３及びＺ^４は各々独立して−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は単結合を表すことがより好ましく、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３及びＺ^４は各々独立して−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は単結合を表すことがさらに好ましく、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３及びＺ^４は各々独立して−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は単結合を表すことがさらにより好ましく、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３及びＺ^４は単結合を表すことが特に好ましい。

一般式（Ｉ）において、ｍ１、ｍ３及びｍ４は各々独立して０から３の整数を表す。原料の入手容易さ、合成の容易さ及び液晶性の観点から、ｍ１、ｍ３及びｍ４は各々独立して０、１又は２を表すことが好ましく、ｍ１、ｍ３及びｍ４は各々独立して０又は１を表すことがより好ましく、ｍ１、ｍ３及びｍ４は０を表すことが特に好ましい。

一般式（Ｉ）において、ｍ２は１から３の整数を表すが、ｍ１＋ｍ２＋ｍ３＋ｍ４は１から３の整数を表す。原料の入手容易さ、合成の容易さ及び液晶性の観点から、ｍ２は１又は２を表すことが好ましく、ｍ２は１を表すことが特に好ましい。ｍ１＋ｍ２＋ｍ３＋ｍ４は１又は２を表すことが好ましく、ｍ１＋ｍ２＋ｍ３＋ｍ４は１を表すことが特に好ましい。

化合物（ｉａ）としては、下記一般式（ＩＡ）

（式中、Ｒ^１、Ａ^０、Ａ^１、Ａ^２、Ｚ^１、Ｚ^２、ｍ１及びｍ２は一般式（Ｉ）と同じ意味を表し、Ｘ^１はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基又はｐ−トルエンスルホニルオキシ基から選ばれる基若しくはジヒドロキシボリル基、炭素原子数２から２０の直鎖状又は分岐状アルコキシボリル基又は炭素原子数１から２０の環状アルコキシボリル基から選ばれる基を表す。）で表される化合物であることが好ましい。

一般式（ＩＡ）において、Ｒ^１、Ａ^０、Ａ^１、Ａ^２、Ｚ^１、Ｚ^２、ｍ１及びｍ２の好ましい条件は一般式（Ｉ）と同じである。

本願発明において、ジヒドロキシボリル基とは下記の式（ＸＢ−１）

で表される基を意味し、炭素原子数２から２０の直鎖状又は分岐状アルコキシボリル基とは下記の式（ＸＢ−２）

（式中、Ｒ^ＸＢ１及びＲ^ＸＢ２は各々独立して炭素原子数２から２０の直鎖状又は分岐状アルキル基を表す。）で表される基を意味し、炭素原子数１から２０の環状アルコキシボリル基とは下記の式（ＸＢ−３）

（式中、環Ａ^ＸＢ１は−Ｏ−Ｂ−Ｏ−と炭素原子数１から２０のアルキレン基によって形成される環構造を表す。）で表される基を意味する。炭素原子数２から２０の直鎖状又は分岐状アルコキシボリル基としては例えば下記の式（ＸＢ−２−１）で表されるジメトキシボリル基、式（ＸＢ−２−２）で表されるジエトキシボリル基、式（ＸＢ−２−３）で表されるジプロポキシボリル基、式（ＸＢ−２−４）で表されるジイソプロポキシボリル基及び式（ＸＢ−２−５）で表されるジｔｅｒｔ−ブチルオキシボリル基

が挙げられる。また、炭素原子数１から２０の環状アルコキシボリル基としては例えば下記の式（ＸＢ−３−１）で表される１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル基、式（ＸＢ−３−２）で表される４−メチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル基、式（ＸＢ−３−３）で表される４，５−ジメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル基、式（ＸＢ−３−４）で表される４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル基、式（ＸＢ−３−５）で表されるヘキサヒドロ−５，５−ジメチル−４，６−メタノ−１，３，２−ベンゾジオキサボロラン−２−イル基及び式（ＸＢ−３−６）で表されるヘキサヒドロ−３ａ，５，５−トリメチル−４，６−メタノ−１，３，２−ベンゾジオキサボロラン−２−イル基が挙げられる。

一般式（ＩＡ）において、Ｘ^１はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基又はｐ−トルエンスルホニルオキシ基から選ばれる基若しくはジヒドロキシボリル基、炭素原子数２から２０の直鎖状又は分岐状アルコキシボリル基又は炭素原子数１から２０の環状アルコキシボリル基から選ばれる基を表す。原料の入手容易さ及び合成の容易さの観点から、Ｘ^１は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基から選ばれる基若しくはジヒドロキシボリル基、炭素原子数２から５の直鎖状又は分岐状アルコキシボリル基又は炭素原子数１から１０の環状アルコキシボリル基から選ばれる基を表すことが好ましく、Ｘ^１は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基から選ばれる基を表すことがより好ましく、Ｘ^１は臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基から選ばれる基を表すことがさらに好ましく、Ｘ^１は臭素原子を表すことが特に好ましい。

化合物（ｉｂ）としては、下記一般式（ＩＢ）

（式中、Ａ^３、Ａ^４、Ａ^Ｙ、Ｚ^３、Ｚ^４、ｍ３、ｍ４及びＲ^２は一般式（Ｉ）と同じ意味を表し、Ｘ^２はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基又はｐ−トルエンスルホニルオキシ基から選ばれる基若しくはジヒドロキシボリル基、炭素原子数２から２０の直鎖状又は分岐状アルコキシボリル基又は炭素原子数１から２０の環状アルコキシボリル基から選ばれる基を表すが、Ｘ^１がフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基又はｐ−トルエンスルホニルオキシ基から選ばれる基を表す場合、Ｘ^２はジヒドロキシボリル基、炭素原子数２から２０の直鎖状又は分岐状アルコキシボリル基又は炭素原子数１から２０の環状アルコキシボリル基から選ばれる基を表し、Ｘ^１がジヒドロキシボリル基、炭素原子数２から２０の直鎖状又は分岐状アルコキシボリル基又は炭素原子数１から２０の環状アルコキシボリル基から選ばれる基を表す場合、Ｘ^２はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基又はｐ−トルエンスルホニルオキシ基から選ばれる基を表す。）で表される化合物であることが好ましい。

一般式（ＩＢ）において、Ａ^３、Ａ^４、Ａ^Ｙ、Ｚ^３、Ｚ^４、ｍ３、ｍ４及びＲ^２の好ましい条件は一般式（Ｉ）と同じである。

一般式（ＩＢ）において、Ｘ^２はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基又はｐ−トルエンスルホニルオキシ基から選ばれる基若しくはジヒドロキシボリル基、炭素原子数２から２０の直鎖状又は分岐状アルコキシボリル基又は炭素原子数１から２０の環状アルコキシボリル基から選ばれる基を表すが、Ｘ^１がフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基又はｐ−トルエンスルホニルオキシ基から選ばれる基を表す場合、Ｘ^２はジヒドロキシボリル基、炭素原子数２から２０の直鎖状又は分岐状アルコキシボリル基又は炭素原子数１から２０の環状アルコキシボリル基から選ばれる基を表し、Ｘ^１がジヒドロキシボリル基、炭素原子数２から２０の直鎖状又は分岐状アルコキシボリル基又は炭素原子数１から２０の環状アルコキシボリル基から選ばれる基を表す場合、Ｘ^２はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基又はｐ−トルエンスルホニルオキシ基から選ばれる基を表す。原料の入手容易さ及び合成の容易さの観点から、Ｘ^２は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基から選ばれる基若しくはジヒドロキシボリル基、炭素原子数２から５の直鎖状又は分岐状アルコキシボリル基又は炭素原子数１から１０の環状アルコキシボリル基から選ばれる基を表すことが好ましく、Ｘ^２はジヒドロキシボリル基、炭素原子数２から５の直鎖状又は分岐状アルコキシボリル基又は炭素原子数１から１０の環状アルコキシボリル基から選ばれる基を表すことがより好ましく、Ｘ^２はジヒドロキシボリル基、炭素原子数２又は４の直鎖状ジアルコキシボリル基、炭素原子数６の分岐状ジアルコキシボリル基、炭素原子数２から６の環状アルコキシボリル基から選ばれる基を表すことがさらに好ましく、Ｘ^２はジヒドロキシボリル基、ジメトキシボリル基、ジエトキシボリル基、ジイソプロポキシボリル基、１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル基、４−メチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル基、４，５−ジメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル基又は４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル基から選ばれる基を表すことがさらにより好ましく、Ｘ^２はジヒドロキシボリル基を表すことが特に好ましい。

一般式（Ｉ）で表される化合物としては、下記の一般式（Ｉ−ｉ）

（式中、Ｒ^１１及びＲ^２１は各々独立して１個の−ＣＨ_２−若しくは隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−によって置換されても良く、基中の任意の水素原子はフッ素原子に置換されても良い炭素原子数１から１０の直鎖状アルキル基を表し、Ａ^０１は下記の式（Ａ０−ｉ−１）又は式（Ａ０−ｉ−２）

から選ばれる基を表し、Ａ^１１、Ａ^２１、Ａ^３１及びＡ^４１は各々独立して下記の式（Ａ−ｉ−１）から式（Ａ−ｉ−９）

（式中、Ｌ^１１はフッ素原子、塩素原子、又は、１個の−ＣＨ_２−が−Ｏ−によって置換されても良く、基中の任意の水素原子はフッ素原子に置換されても良い炭素原子数１から６の直鎖状アルキル基を表す。）から選ばれる基を表すが、Ａ^１１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ^２１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ^３１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ^４１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ^１１、Ｚ^２１、Ｚ^３１及びＺ^４１は各々独立して−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は単結合を表すが、Ｚ^１１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ^２１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ^３１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ^４１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、ｍ１１、ｍ３１及びｍ４１は各々独立して０、１又は２を表し、ｍ２１は１又は２を表すが、ｍ１１＋ｍ２１＋ｍ３１＋ｍ４１は１、２又は３を表す。）で表される化合物が好ましく、化合物（ｉａ）（一般式（ＩＡ）で表される化合物）としては、下記の一般式（ＩＡ−ｉ）

（式中、Ｒ^１１、Ａ^０１、Ａ^１１、Ａ^２１、Ｚ^１１、Ｚ^２１、ｍ１１及びｍ２１は一般式（Ｉ−ｉ）と同じ意味を表し、Ｘ^１１は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基から選ばれる基若しくはジヒドロキシボリル基、炭素原子数２から５の直鎖状又は分岐状アルコキシボリル基又は炭素原子数１から１０の環状アルコキシボリル基から選ばれる基を表す。）で表される化合物が好ましく、化合物（ｉｂ）（一般式（ＩＢ）で表される化合物）としては、下記の一般式（ＩＢ−ｉ）

（式中、Ａ^３１、Ａ^４１、Ｚ^３１、Ｚ^４１、ｍ３１、ｍ４１及びＲ^２１は一般式（Ｉ−ｉ）と同じ意味を表し、Ｘ^２１は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基から選ばれる基若しくはジヒドロキシボリル基、炭素原子数２から５の直鎖状又は分岐状アルコキシボリル基又は炭素原子数１から１０の環状アルコキシボリル基から選ばれる基を表すが、Ｘ^１１が塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基から選ばれる基を表す場合、Ｘ^２１はジヒドロキシボリル基、炭素原子数２から５の直鎖状又は分岐状アルコキシボリル基又は炭素原子数１から１０の環状アルコキシボリル基から選ばれる基を表し、Ｘ^１１がジヒドロキシボリル基、炭素原子数２から５の直鎖状又は分岐状アルコキシボリル基又は炭素原子数１から１０の環状アルコキシボリル基から選ばれる基を表す場合、Ｘ^２１は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基から選ばれる基を表す。）で表される化合物が好ましい。

一般式（Ｉ）で表される化合物としては、下記の一般式（Ｉ−ｉ−１）

（式中、Ｒ^１１１及びＲ^２１１は各々独立して１個の−ＣＨ_２−若しくは隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−によって置換されても良い炭素原子数１から６の直鎖状アルキル基を表し、Ａ^０１１は下記の式（Ａ０−ｉ−１−１）又は式（Ａ０−ｉ−１−２）

から選ばれる基を表し、Ａ^２１１及びＡ^３１１は各々独立して下記の式（Ａ−ｉ−１−１）から式（Ａ−ｉ−１−５）、式（Ａ−ｉ−１−８）又は式（Ａ−ｉ−１−９）

（式中、Ｌ^１１１はフッ素原子、塩素原子、又は、１個の−ＣＨ_２−が−Ｏ−によって置換されても良く、基中の任意の水素原子はフッ素原子に置換されても良い炭素原子数１から３の直鎖状アルキル基を表す。）から選ばれる基を表すが、Ａ^２１１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ^３１１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ^２１１及びＺ^３１１は各々独立して−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は単結合を表すが、Ｚ^２１１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ^３１１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、ｍ３１１は各々独立して０、１又は２を表し、ｍ２１１は１又は２を表すが、ｍ２１１＋ｍ３１１は１又は２を表す。）で表される化合物がより好ましく、一般式（ＩＡ）で表される化合物としては、下記の一般式（ＩＡ−ｉ−１）

（式中、Ｒ^１１１、Ａ^０１１、Ａ^２１１、Ｚ^２１１及びｍ２１１は一般式（Ｉ−ｉ−１）と同じ意味を表し、Ｘ^１１１は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基から選ばれる基を表す。）で表される化合物がより好ましく、一般式（ＩＢ）で表される化合物としては、下記の一般式（ＩＢ−ｉ−１）

（式中、Ａ^３１１、Ｚ^３１１、ｍ３１１及びＲ^２１１は一般式（Ｉ−ｉ−１）と同じ意味を表し、Ｘ^２１１はジヒドロキシボリル基、炭素原子数２から５の直鎖状又は分岐状アルコキシボリル基又は炭素原子数１から１０の環状アルコキシボリル基から選ばれる基を表す。）で表される化合物がより好ましい。

一般式（Ｉ）で表される化合物としては、下記の一般式（Ｉ−ｉ−１１）

（式中、Ｒ^１１１１は１個の−ＣＨ_２−が−ＣＨ＝ＣＨ−によって置換されても良い炭素原子数１から６の直鎖状アルキル基を表し、Ｒ^２１１１は１個の−ＣＨ_２−若しくは隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−によって置換されても良い炭素原子数１から６の直鎖状アルキル基を表し、Ａ^０１１１は下記の式（Ａ０−ｉ−１１−１）又は式（Ａ０−ｉ−１１−２）

から選ばれる基を表し、Ａ^２１１１は下記の式（Ａ−ｉ−１１−１）から式（Ａ−ｉ−１１−５）

（式中、Ｌ^１１１１はフッ素原子、塩素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、メトキシ基、エトキシ基、トリフルオロメトキシ基又はペンタフルオロエトキシ基を表す。）から選ばれる基を表すが、Ａ^２１１１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ^２１１１は−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は単結合を表すが、Ｚ^２１１１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、ｍ２１１１は１又は２を表す。）で表される化合物がさらに好ましく、一般式（ＩＡ）で表される化合物としては、下記の一般式（ＩＡ−ｉ−１１）

（式中、Ｒ^１１１１、Ａ^０１１１、Ａ^２１１１、Ｚ^２１１１及びｍ２１１１は一般式（Ｉ−ｉ−１１）と同じ意味を表し、Ｘ^１１１１は塩素、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基から選ばれる基を表す。）で表される化合物がさらに好ましく、一般式（ＩＢ）で表される化合物としては、下記の一般式（ＩＢ−ｉ−１１）

（式中、Ｒ^２１１１は一般式（Ｉ−ｉ−１１）と同じ意味を表し、Ｘ^２１１１はジヒドロキシボリル基、ジメトキシボリル基、ジエトキシボリル基、ジイソプロポキシボリル基、１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル基、４−メチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル基、４，５−ジメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル基又は４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル基から選ばれる基から選ばれる基を表す。）で表される化合物がさらに好ましい。

一般式（Ｉ）で表される化合物としては、下記の一般式（Ｉ−ｉ−１１１）

（式中、Ｒ^{１１１１１}は炭素原子数１から６の直鎖状アルキル基又は炭素原子数２から５の直鎖状アルケニル基を表し、Ｒ^{２１１１１}は炭素原子数１から５の直鎖状アルコキシ基又は炭素原子数２から５の直鎖状アルケニルオキシ基を表す。）で表される化合物が特に好ましく、一般式（ＩＡ）で表される化合物としては、下記の一般式（ＩＡ−ｉ−１１１）

（式中、Ｒ^{１１１１１}は一般式（Ｉ−ｉ−１１１）と同じ意味を表し、Ｘ^{１１１１１}は臭素原子を表す。）で表される化合物が特に好ましく、一般式（ＩＢ）で表される化合物としては、下記の一般式（ＩＢ−ｉ−１１１）

（式中、Ｒ^{２１１１１}は一般式（Ｉ−ｉ−１１１）と同じ意味を表し、Ｘ^{２１１１１}はジヒドロキシボリル基又は４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル基を表す。）で表される化合物が特に好ましい。また、一般式（Ｉ）で表される化合物としては、下記の一般式（Ｉ−ｉ−１１２）

（式中、Ｒ^{１１１１２}は炭素原子数１から５の直鎖状アルキル基又は炭素原子数２から５の直鎖状アルケニル基を表し、Ｒ^{２１１１２}は炭素原子数１から５の直鎖状アルコキシ基又は炭素原子数２から５の直鎖状アルケニルオキシ基を表す。）で表される化合物が特に好ましく、一般式（ＩＡ）で表される化合物としては、下記の一般式（ＩＡ−ｉ−１１２）

（式中、Ｒ^{１１１１２}は一般式（Ｉ−ｉ−１１２）と同じ意味を表し、Ｘ^{１１１１２}は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子から選ばれる基を表す。）で表される化合物が特に好ましく、一般式（ＩＢ）で表される化合物としては、下記の一般式（ＩＢ−ｉ−１１２）

（式中、Ｒ^{２１１１２}は一般式（Ｉ−ｉ−１１２）と同じ意味を表し、Ｘ^{２１１１２}はジヒドロキシボリル基又は４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル基を表す。）で表される化合物が特に好ましい。また、一般式（Ｉ）で表される化合物としては、下記の一般式（Ｉ−ｉ−１１３）

（式中、Ｒ^{１１１１３}は炭素原子数１から５の直鎖状アルキル基又は炭素原子数２から５の直鎖状アルケニル基を表し、Ｒ^{２１１１３}は炭素原子数１から５の直鎖状アルコキシ基又は炭素原子数２から５の直鎖状アルケニルオキシ基を表す。）で表される化合物が特に好ましく、一般式（ＩＡ）で表される化合物としては、下記の一般式（ＩＡ−ｉ−１１３）

（式中、Ｒ^{１１１１３}は一般式（Ｉ−ｉ−１１３）と同じ意味を表し、Ｘ^{１１１１３}は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子から選ばれる基を表す。）で表される化合物が特に好ましく、一般式（ＩＢ）で表される化合物としては、下記の一般式（ＩＢ−ｉ−１１３）

（式中、Ｒ^{２１１１３}は一般式（Ｉ−ｉ−１１３）と同じ意味を表し、Ｘ^{２１１１３}はジヒドロキシボリル基又は４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル基を表す。）で表される化合物が特に好ましい。また、一般式（Ｉ）で表される化合物としては、下記の一般式（Ｉ−ｉ−１１４）

（式中、Ｒ^{１１１１４}は炭素原子数１から５の直鎖状アルキル基又は炭素原子数２から５の直鎖状アルケニル基を表し、Ｒ^{２１１１４}は炭素原子数１から５の直鎖状アルコキシ基又は炭素原子数２から５の直鎖状アルケニルオキシ基を表す。）で表される化合物が特に好ましく、一般式（ＩＡ）で表される化合物としては、下記の一般式（ＩＡ−ｉ−１１４）

（式中、Ｒ^{１１１１４}は一般式（Ｉ−ｉ−１１４）と同じ意味を表し、Ｘ^{１１１１４}は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子から選ばれる基を表す。）で表される化合物が特に好ましく、一般式（ＩＢ）で表される化合物としては、下記の一般式（ＩＢ−ｉ−１１４）

（式中、Ｒ^{２１１１４}は一般式（Ｉ−ｉ−１１４）と同じ意味を表し、Ｘ^{２１１１４}はジヒドロキシボリル基又は４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル基を表す。）で表される化合物が特に好ましい。また、一般式（Ｉ）で表される化合物としては、下記の一般式（Ｉ−ｉ−１１５）

（式中、Ｒ^{１１１１５}は炭素原子数１から５の直鎖状アルキル基又は炭素原子数２から５の直鎖状アルケニル基を表し、Ｒ^{２１１１５}は炭素原子数１から５の直鎖状アルコキシ基又は炭素原子数２から５の直鎖状アルケニルオキシ基を表す。）で表される化合物が特に好ましく、一般式（ＩＡ）で表される化合物としては、下記の一般式（ＩＡ−ｉ−１１５）

（式中、Ｒ^{１１１１５}は一般式（Ｉ−ｉ−１１５）と同じ意味を表し、Ｘ^{１１１１５}は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子から選ばれる基を表す。）で表される化合物が特に好ましく、一般式（ＩＢ）で表される化合物としては、下記の一般式（ＩＢ−ｉ−１１５）

（式中、Ｒ^{２１１１５}は一般式（Ｉ−ｉ−１１５）と同じ意味を表し、Ｘ^{２１１１５}はジヒドロキシボリル基又は４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル基を表す。）で表される化合物が特に好ましい。

一般式（Ｉ）で表される化合物として具体的には、下記の一般式（Ｉ−Ｅ−１）から一般式（Ｉ−Ｅ−３６０）

（式中、Ｒ^１Ｅは炭素原子数１から６の直鎖状アルキル基又は炭素原子数２から６の直鎖状アルケニル基を表し、Ｒ^２Ｅは炭素原子数１から６の直鎖状アルキル基、炭素原子数１から５の直鎖状アルコキシ基、炭素原子数２から６の直鎖状アルケニル基又は炭素原子数２から５の直鎖状アルケニルオキシ基を表す。）で表される化合物が好ましい。

一般式（ＩＡ）で表される化合物として具体的には、下記の一般式（ＩＡ−Ｅ−１）から一般式（ＩＡ−Ｅ−１８０）

（式中、Ｒ^１Ｅは炭素原子数１から６の直鎖状アルキル基又は炭素原子数２から６の直鎖状アルケニル基を表し、Ｘ^１Ｅは塩素、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基から選ばれる基を表す。）で表される化合物が好ましい。

一般式（ＩＢ）で表される化合物として具体的には、下記の一般式（ＩＢ−Ｅ−１）から一般式（ＩＢ−Ｅ−１５）

（式中、Ｒ^２Ｅは炭素原子数１から６の直鎖状アルキル基、炭素原子数１から５の直鎖状アルコキシ基、炭素原子数２から６の直鎖状アルケニル基又は炭素原子数２から５の直鎖状アルケニルオキシ基を表し、Ｘ^２Ｅはジヒドロキシボリル基、炭素原子数２から５の直鎖状又は分岐状アルコキシボリル基又は炭素原子数１から１０の環状アルコキシボリル基から選ばれる基から選ばれる基を表す。）で表される化合物が好ましい。

一般式（Ｉ）で表される化合物としてより具体的には、下記の式（Ｉ−１）から式（Ｉ−２７０）

で表される化合物が好ましい。

上記の化合物（ｉａ）と化合物（ｉｂ）との反応としては、遷移金属化合物を使用する方法が好ましい。遷移金属化合物としては、第８族から第１１族元素を含む化合物であることが好ましく、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、銀又は金を含む化合物であることがより好ましく、収率、入手容易さ及びコストの観点から、鉄、ニッケル、パラジウム又は銅を含む化合物であることが特に好ましい。鉄を含む化合物として具体的には、トリス（２，４−ペンタンジオナト）鉄（ＩＩＩ）、トリス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト）鉄（ＩＩＩ）、酢酸鉄（ＩＩ）、ステアリン酸鉄（ＩＩＩ）、トリス（トリフルオロ−２，４−ペンタンジオナト）鉄（ＩＩＩ）、トリス（ジベンゾイルメタナト）鉄（ＩＩＩ）、トリカルボニル（シクロオクタテトラエン）鉄、ペンタカルボニル鉄、ノナカルボニル二鉄、ドデカカルボニル三鉄、塩化鉄（ＩＩ）、塩化鉄（ＩＩＩ）、１，２−フェニレンビス［ジフェニル］ホスフィン鉄錯体、シクロペンタジエニル鉄（ＩＩ）ジカルボニルダイマー、硝酸鉄（ＩＩＩ）、鉄、トリフルオロメタンスルホン酸鉄（ＩＩ）、トリフルオロメタンスルホン酸鉄（ＩＩＩ）、ｐ−トルエンスルホン酸鉄（ＩＩＩ）、硫酸アンモニウム鉄（ＩＩ）、硫酸鉄（ＩＩ）、硫酸鉄（ＩＩＩ）アンモニウム、臭化鉄（ＩＩ）、臭化鉄（ＩＩＩ）、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート、鉄（ＩＩＩ）トリフルオロアセチルアセトナート、フッ化鉄（ＩＩＩ）、フェロセン誘導体等が挙げられる。ニッケルを含む化合物として具体的には、［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）、［１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾール−２−イリデン］トリフェニルホスフィンニッケル（ＩＩ）ジクロリド、ブロモ［（２，６−ピリジンジイル）ビス（３−メチル−１−イミダゾリル−２−イリデン）］ニッケルブロミド、ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、クロロビス［ジシクロヘキシル（フェニル）ホスフィノ］（ｏ−トリル）ニッケル（ＩＩ）、ビス（２，４−ペンタンジオナト）ニッケル（ＩＩ）、塩化ニッケル（ＩＩ）、硝酸ニッケル（ＩＩ）、ニッケル、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート、［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ジクロロニッケル（ＩＩ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロニッケル（ＩＩ）、［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ジクロロニッケル（ＩＩ）、ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、フッ化ニッケル（ＩＩ）、ヘキサフルオロニッケル（ＩＶ）酸カリウム、ヨウ化ニッケル（ＩＩ）、硫酸ニッケル（ＩＩ）、塩化ニッケル（ＩＩ）エチレングリコールジメチルエーテル錯体、臭化ニッケル（ＩＩ）、酢酸ニッケル（ＩＩ）等が挙げられる。パラジウムを含む化合物として具体的には、酢酸パラジウム（ＩＩ）、アリルパラジウム（ＩＩ）クロリド（ダイマー）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、ビス（ベンゾニトリル）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、ビス（アセトニトリル）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、ビス（２，４−ペンタンジオナト）パラジウム（ＩＩ）、ビス（トリ−ｏ−トリルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジアセタート、ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリドジクロロメタン付加物、［１，１’−ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０）、ビス［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］パラジウム（０）、ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（０）、クロロ［［１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾール−２−イリデン］（Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン）パラジウム（ＩＩ）］、クロロ［［１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾール−２−イリデン］（アセトアニリド）パラジウム（ＩＩ）］、クロロ［［１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾール−２−イリデン］（Ｎ，Ｎ−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジルアミン）パラジウム（ＩＩ）］、クロロ［（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）−２−（２−アミノビフェニル）］パラジウム（ＩＩ）、［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（クロロ）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（ダイマー）、二水素ジ−μ−クロロテトラキス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィナイト）ジパラダート、ジ−μ−クロロビス［５−クロロ−２−［（４−クロロフェニル）（ヒドロキシイミノ）メチル］フェニル］パラジウム（ＩＩ）ダイマー、ジ−μ−クロロビス［５−ヒドロキシ−２−［１−（ヒドロキシイミノ）エチル］フェニル］パラジウム（ＩＩ）ダイマー、ジ−μ−クロロビス［２−［（ジメチルアミノ）メチル］フェニル−Ｃ，Ｎ］ジパラジウム（ＩＩ）、ジ−μ−クロロビス［２−［（ジメチルアミノ）メチル］−４，６−ジメトキシフェニル−Ｃ，Ｎ］ジパラジウム（ＩＩ）、ジ−μ−クロロビス（２’−アミノ−１，１’−ビフェニル−２−イル−Ｃ，Ｎ）ジパラジウム（ＩＩ）、塩化パラジウム（ＩＩ）、パラジウム、パラジウム／炭素、パラジウム（ＩＩ）（π−シンナミル）クロリド（ダイマー）、パラジウム／アルミナ、テトラクロロパラジウム（ＩＩ）酸ナトリウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）、テトラキス（アセトニトリル）パラジウム（ＩＩ）ビス（トリフルオロメタンスルホナート）、（エチレンジアミン）パラジウム（ＩＩ）クロリド、クロロ［（１，２，５，６−η）−１，５−シクロオクタジエン］（２，２−ジメチルプロピル）パラジウム、クロロ（１，５−シクロオクタジエン）メチルパラジウム（ＩＩ）、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（トリシクロヘキシルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）、トリフルオロ酢酸パラジウム（ＩＩ）、パラジウム（ＩＩ）アセチルアセトナート、１，１’−ビス（ジイソプロピルホスフィノ）フェロセンパラジウムジクロリド、ビス［（ジシクロヘキシル）（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］塩化パラジウム（ＩＩ）、［１，１’−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）、［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）、［１，１’−ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）、ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）パラジウム（０）、塩化パラジウム（ＩＩ）、硝酸パラジウム（ＩＩ）、硫酸パラジウム（ＩＩ）、臭化パラジウム（ＩＩ）、フッ化パラジウム（ＩＩ）等が挙げられる。銅を含む化合物として具体的には、酢酸銅（Ｉ）、ビス（１，３−プロパンジアミン）銅（ＩＩ）ジクロリド、ビス（８−キノリノラト）銅（ＩＩ）、ビス（２，４−ペンタンジオナト）銅（ＩＩ）、シアン化銅（Ｉ）、酢酸銅（ＩＩ）、テトラフルオロほう酸銅（ＩＩ）、ジ−μ−ヒドロキソ−ビス［（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン）銅（ＩＩ）］クロリド、ジクロロ（１，１０−フェナントロリン）銅（ＩＩ）、テトラクロロ銅（ＩＩ）ジリチウム、トリフルオロメタンスルホン酸銅（ＩＩ）、トリフルオロメタンスルホン酸銅（Ｉ）ベンゼンコンプレックス、テトラキス（アセトニトリル）銅（Ｉ）ヘキサフルオロホスファート、テトラキス（アセトニトリル）銅（Ｉ）テトラフルオロボラート、塩化銅（Ｉ）、塩化銅（ＩＩ）、臭化銅（Ｉ）、硝酸銅（ＩＩ）、銅、フルオロトリス（トリフェニルホスフィン）銅（Ｉ）、ヨウ化銅（Ｉ）、硫酸銅（ＩＩ）、臭化銅（ＩＩ）等が挙げられる。これらの化合物は水和物であっても良く、誘導化しても良い。

遷移金属化合物の添加量としては、コスト、収率及び精製の容易さの観点から、化合物（ｉａ）に対して０．００００１当量から１０当量であることが好ましく、０．０００１当量から１当量であることがより好ましく、０．００１当量から０．５当量であることがさらに好ましく、０．０１当量から０．１当量であることが特に好ましい。また、化合物（ｉｂ）に対して０．００００１当量から１０当量であることが好ましく、０．０００１当量から１当量であることがより好ましく、０．００１当量から０．５当量であることがさらに好ましく、０．０１当量から０．１当量であることが特に好ましい。

化合物（ｉ）の製造において、化合物（ｉｂ）の添加量としては、コスト、収率及び精製の容易さの観点から、化合物（ｉａ）に対して０．１当量から１０当量であることが好ましく、０．５当量から２当量であることがより好ましく、０．８当量から１．２当量であることがさらに好ましく、０．９当量から１．１当量であることが特に好ましい。

化合物（ｉ）の製造において、化合物（ｉａ）、化合物（ｉｂ）及び遷移金属化合物の混合順序としては、反応温度の制御、作業性、収率及び得られる化合物の純度の観点から、化合物（ｉａ）と遷移金属化合物を含有する混合物に対し、化合物（ｉｂ）を加えるか、化合物（ｉａ）と化合物（ｉｂ）を含有する混合物に対し、遷移金属化合物を加えるか、化合物（ｉｂ）と遷移金属化合物を含有する混合物に対し、化合物（ｉａ）を加えるか、遷移金属化合物に対し、化合物（ｉａ）と化合物（ｉｂ）の混合物を加えることが好ましく、化合物（ｉａ）と遷移金属化合物を含有する混合物に対し、化合物（ｉｂ）を加えるか、化合物（ｉａ）と化合物（ｉｂ）を含有する混合物に対し、遷移金属化合物を加えるか、遷移金属化合物に対し、化合物（ｉａ）と化合物（ｉｂ）の混合物を加えることがより好ましく、化合物（ｉａ）と遷移金属化合物を含有する混合物に対し、化合物（ｉｂ）を加えることが特に好ましい。

化合物（ｉ）の製造において、さらに塩基を使用することが好ましい。塩基としては無機塩基又は有機塩基であることが好ましい。無機塩基としては金属水酸化物、金属酢酸塩、金属ギ酸塩、金属シュウ酸塩、金属リン酸塩、金属リン酸水素塩、金属炭酸塩、金属炭酸水素塩、アンモニア等が好ましく、金属としてはアルカリ金属、アルカリ土類金属及びマグネシウム等が好ましく、具体的には炭酸カリウム、リン酸カリウム、アンモニア、水酸化アルミニウム、バリウム水和物、苛性バライト、水酸化バリウム、水酸化ビスマス、水酸化カドミウム、水酸化セシウム、水酸化カルシウム、水酸化セリウム、水酸化クロム、水酸化コバルト、水酸化銅、第二鉄水和物、水酸化鉄、水酸化リチウム、水酸化マグネシウム、水酸化マンガン、水酸化ニッケル、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、次亜塩素酸ナトリウム、水酸化ストロンチウム、水酸化タリウム、水酸化トリウム、酢酸ナトリウム、硫酸アルミニウムナトリウム、リン酸アンモニウムナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、酢酸カルシウム、炭酸カルシウム、ギ酸カルシウム、酢酸タリウム、酢酸カリウム、リン酸ナトリウム、リン酸カルシウム、リン酸マグネシウム、炭酸水素カリウム、ギ酸カリウム、シュウ酸カリウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸アンモニウム、ギ酸アンモニウム、硫酸アンモニウムが挙げられる。有機塩基としては第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、芳香族アミン及びそれらの塩が好ましく、具体的にはメチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、イソプロピルアミン、ジメチルアミン、Ｎ−エチルメチルアミン、Ｎ−メチルプロピルアミン、Ｎ−ブチルメチルアミン、Ｎ−メチルペンチルアミン、ジエチルアミン、Ｎ−エチルプロピルアミン、Ｎ−ブチルエチルアミン、Ｎ−エチルペンチルアミン、ジプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリイソプロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルメチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン、トリブチルアミン、ピロリジン、ピペリジン、Ｎ−メチルピロリジン、Ｎ−メチルピペリジン、モルホリン、ピリジン、Ｎ−メチルピリジン、２−クロロピリジン、２−ブロモピリジン、ピリミジン、キノリン、アクリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジン、ピコリン、ビピリジン、２，６−ルチジン、クロロクロム酸ピリジニウム、ピリジニウムパラトルエンスルホナートが挙げられる。

化合物（ｉ）の製造において、塩基の添加量としては、コスト、収率及び精製の容易さの観点から、化合物（ｉａ）に対して０．１当量から２０当量であることが好ましく、０．５当量から５当量であることがより好ましく、０．８当量から３当量であることがさらに好ましく、１当量から２当量であることが特に好ましい。また、塩基を溶媒として使用しても良く、塩基を溶媒の一部として使用しても良い。

化合物（ｉ）の製造において、収率及び得られる化合物の純度の観点から、反応は空気下又は不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましく、不活性ガス雰囲気下で行われることが特に好ましい。不活性ガスとしては例えば、窒素及びアルゴン等が挙げられる。

化合物（ｉ）の製造において、反応温度の制御、作業性、収率及び得られる化合物の純度の観点から、反応には溶媒を用いることが好ましく、有機溶媒及び／又は水を用いることがより好ましく、有機溶媒又は有機溶媒と水の混合物を用いることが特に好ましい。有機溶媒としては例えば、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、芳香族アミン、脂肪族アミン、エーテル、アルコール、ハロゲン系溶媒、エステル、ケトン、アミド等が挙げられる。有機溶媒としては具体的には、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエチレン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、トリクロロエチレン、１−クロロブタン、二硫化炭素、アセトン、アセトニトリル、ベンゾニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ｏ−ジクロロベンゼン、キシレン、ｏ−キシレン、ｐ−キシレン、ｍ−キシレン、クロロベンゼン、酢酸イソブチル、酢酸イソプロピル、酢酸イソアミル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸ペンチル、酢酸メチル、酢酸２−メトキシエチル、ヘキサメチルリン酸トリアミド、トリス（ジメチルアミノ）ホスフィン、シクロヘキサノン、１，４−ジオキサン、ジクロロメタン、スチレン、テトラクロロエチレン、テトラヒドロフラン、ピリジン、１−メチル−２−ピロリジノン、１，１，１−トリクロロエタン、トルエン、ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン、シクロペンタン、ヘプタン、ベンゼン、メチルイソブチルケトン、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、メチルエチルケトン、メチルシクロヘキサノン、メチルブチルケトン、ジエチルケトン、ガソリン、コールタールナフサ、石油エーテル、石油ナフサ、石油ベンジン、テレビン油、ミネラルスピリット等が挙げられる。有機溶媒と水の混合物を用いる場合、相関移動触媒を添加しても良い。相間移動触媒としては例えば、ベンジルトリメチルアンモニウムクロリド、ベンジルトリメチルアンモニウムブロミド、ポリオキシエチレン（１０）オクチルフェニルエーテル［ＴｒｉｔｏｎＸ−１００］、ポリオキシエチレン（２０）ソルビタンモノパルミタート［Ｔｗｅｅｎ４０］、ソルビタンモノパルミタート［Ｓｐａｎ４０］等が挙げられる。

化合物（ｉ）の製造において、反応温度の制御、作業性、時間、収率及び得られる化合物の純度の観点から、反応温度は−２０℃から２５０℃であることが好ましく、０℃から２００℃であることがより好ましく、室温から１５０℃であることがさらに好ましく、５０℃から１３０℃であることが特に好ましい。

化合物（ｉ）の製造において、反応後、反応液と貧溶媒を混合し目的物を固体として析出させ、目的物の粗体を得るか、反応後、反応液と水を混合し必要に応じて有機溶媒を加え分液処理した後に溶媒を留去し、目的物の粗体を得ても良い。

粗体として得た化合物（ｉ）について、さらに精製を行うことが好ましい。精製工程において、精製剤を用いることが好ましい。精製剤としては例えば、シリカゲル、アルミナ、活性炭、活性白土、セライト、ゼオライト、メソポーラスシリカ、カーボンナノチューブ、カーボンナノホーン、備長炭、木炭、グラフェン、イオン交換樹脂、酸性白土、二酸化ケイ素、珪藻土、パーライト、セルロース、有機ポリマー、多孔質ゲル等が挙げられる。作業性、収率及び得られる化合物の純度の観点から、シリカゲル及び／又はアルミナを用いることが好ましく、シリカゲルを用いることが特に好ましい。また、さらに再結晶を行っても良い。

化合物（ｉ）の製造において、有機溶媒を使用した場合、有機溶媒を減圧下濃縮することが好ましい。

化合物（ｉ）の純度の決定方法としては、液体クロマトグラフィー、ガスクロマトグラフィー、ゲル浸透クロマトグラフィー、核磁気共鳴分光法等が挙げられる。化合物（ｉ）の純度としては、化合物の品質、液晶パネルを製造した場合のディスプレイ製品の品質及び化合物の製造コストとのバランスの観点から、液体クロマトグラフィー（ＵＶ検出器、２１０ｎｍ）又はガスクロマトグラフィー（ＦＩＤ検出器）を使用して、９５．００％から１００．００％であることが好ましく、９８．００％から１００．００％であることがより好ましく、９９．００％から１００．００％であることがさらに好ましく、９９．５０％から９９．９９％であることがさらにより好ましく、９９．９０％から９９．９９％であることが特に好ましい。

化合物（ｉ）の金属不純物含有量の決定方法としては、誘導結合プラズマ質量分析法（ＩＣＰ−ＭＳ）が好ましい。得られた化合物（ｉ）をｎ型液晶組成物に添加し液晶パネルを製造した場合の焼き付きの起こりにくさの観点から、化合物（ｉ）の金属不純物含有量としては、誘導結合プラズマ質量分析法（ＩＣＰ−ＭＳ）を使用して、０．００ｐｐｔから１．００ｐｐｍであることが好ましく、０．００ｐｐｔから１００ｐｐｂであることがより好ましく、０．０１ｐｐｔから１０．０ｐｐｂであることがさらに好ましく、０．０１ｐｐｔから１．００ｐｐｂであることがさらにより好ましく、０．０１ｐｐｔから１００ｐｐｔであることが特に好ましい。

化合物（ｉ）、化合物（ｉａ）、化合物（ｉｂ）、一般式（Ｘ１）で表される化合物、一般式（Ｘ２）で表される化合物及び一般式（Ｘ１）で表される化合物に含まれる１，４−シクロヘキシレン基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基及び１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基は、シス体及びトランス体のいずれか一方のみであっても、両方の混合物であっても良いが、液晶性の観点からトランス体が主成分であることが好ましく、トランス体の割合が９０％以上であることがより好ましく、トランス体の割合が９５％以上であることがさらに好ましく、トランス体の割合が９９％以上であることがさらにより好ましく、トランス体の割合が９９．９％以上であることが特に好ましい。

本願発明の製造方法によって製造された化合物（ｉ）は種々の組成物に添加することが好ましく、液晶組成物に添加することがより好ましい。本願発明の製造方法によって製造された化合物（ｉ）は金属不純物含有量が低いことから、特に組成物中に含まれる金属不純物による表示素子の品質に対する影響が大きいｎ型液晶組成物に添加することが特に好ましい。

本願発明の製造方法によって製造された化合物（ｉ）をｎ型液晶組成物に添加する場合、ｎ型液晶組成物には下記一般式（Ｘ１）

（式中、Ｒ^３及びＲ^４は各々独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、又は、１個の−ＣＨ_２−若しくは隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−によって置換されても良い炭素原子数１から６の直鎖状アルキル基を表すが、当該アルキル基中の任意の水素原子はフッ素原子に置換されても良く、Ａ^５及びＡ^６は各々独立して１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基を表すが、これらの基は無置換であるか又は１つ以上の置換基Ｌ^Ｘ１によって置換されても良く、Ａ^５が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ^６が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｌ^Ｘ１はフッ素原子を表し、Ｚ^５及びＺ^６は各々独立して−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、Ｚ^５が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ^６が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、ｍ５及びｍ６は各々独立して０から３の整数を表すが、ｍ５＋ｍ６は０から３の整数を表す。）で表される化合物を含むことが好ましく、上記一般式（Ｘ１）で表される化合物としては、下記一般式（Ｘ１−Ｅ−１）から一般式（Ｘ１−Ｅ−９）

（式中、Ｒ^３Ｅは炭素原子数１から６の直鎖状アルキル基又は炭素原子数２から６の直鎖状アルケニル基を表し、Ｒ^４Ｅは炭素原子数１から６の直鎖状アルキル基、炭素原子数１から５の直鎖状アルコキシ基、炭素原子数２から６の直鎖状アルケニル基又は炭素原子数２から５の直鎖状アルケニルオキシ基を表す。）で表される化合物がより好ましい。

本願発明の製造方法によって製造された化合物（ｉ）をｎ型液晶組成物に添加する場合、ｎ型液晶組成物には下記一般式（Ｘ２）

（式中、Ｒ^５及びＲ^６は各々独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、又は、１個の−ＣＨ_２−若しくは隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−によって置換されても良い炭素原子数１から６の直鎖状アルキル基を表すが、当該アルキル基中の任意の水素原子はフッ素原子に置換されても良く、Ａ^７及びＡ^８は各々独立して１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基を表すが、これらの基は無置換であるか又は１つ以上の置換基Ｌ^Ｘ２によって置換されても良く、Ａ^７が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｌ^Ｘ２はフッ素原子を表し、Ｚ^７は−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、Ｚ^７が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、ｍ７は各々独立して０から３の整数を表す。）で表される化合物を含むことが好ましく、上記一般式（Ｘ２）で表される化合物としては、下記一般式（Ｘ２−Ｅ−１）から一般式（Ｘ２−Ｅ−７）

（式中、Ｒ^５Ｅは炭素原子数１から６の直鎖状アルキル基、炭素原子数１から５の直鎖状アルコキシ基、炭素原子数２から６の直鎖状アルケニル基又は炭素原子数２から５の直鎖状アルケニルオキシ基を表し、Ｒ^６Ｅは炭素原子数１から６の直鎖状アルキル基、炭素原子数１から５の直鎖状アルコキシ基、炭素原子数２から６の直鎖状アルケニル基又は炭素原子数２から５の直鎖状アルケニルオキシ基を表す。）で表される化合物がより好ましい。

本願発明の製造方法によって製造された化合物（ｉ）をｎ型液晶組成物に添加する場合、ｎ型液晶組成物には下記一般式（Ｘ３）

（式中、Ｒ^７は各々独立して水素原子、又は、１個の−ＣＨ_２−若しくは隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−によって置換されても良い炭素原子数１から２５の直鎖状又は分岐状アルキル基を表し、Ａ^９は１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基又は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を表すが、これらの基は無置換であるか又は１つ以上の置換基Ｌ^Ｘ３によって置換されても良く、Ａ^９が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｌ^Ｘ３はフッ素原子、又は、１個の−ＣＨ_２−隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−によって置換されても良い炭素原子数１から２０の直鎖状又は分岐状アルキル基を表し、Ｚ^８は−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−又は単結合を表すが、Ｚ^８が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、ｍ８は各々独立して０から３の整数を表す。）で表される化合物を含むことが好ましく、上記一般式（Ｘ３）で表される化合物としては、下記一般式（Ｘ３−Ｅ−１）から一般式（Ｘ３−Ｅ−３）

（式中、Ｒ^７Ｅは炭素原子数１から２０の直鎖状アルキル基を表す。）で表される化合物がより好ましい。

以下、本願発明の製造方法によって化合物（ｉ）を得る工程の一例を示す。
（製法１）下記一般式（Ｉ−ｉｓ）で表される化合物の製造

（式中、Ｒ^１１、Ｒ^２１、Ａ^１１、Ａ^２１、Ａ^３１、Ａ^４１、Ｚ^１１、Ｚ^２１、Ｚ^３１、Ｚ^４１、ｍ１１、ｍ２１、ｍ３１及びｍ４１は一般式（Ｉ−ｉ）と同じ意味を表し、Ｘ^１１は一般式（ＩＡ−ｉ）と同じ意味を表し、Ｘ^２１は一般式（ＩＢ−ｉ）と同じ意味を表す。）
一般式（ＩＡ−ｉｓ）で表される化合物を一般式（ＩＢ−ｉｓ）で表される化合物と反応させることにより一般式（Ｉ−ｉｓ）で表される化合物を得ることができる。反応例として例えば金属触媒及び塩基存在下、クロスカップリングさせる方法が挙げられる。金属触媒の具体例としては［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、酢酸パラジウム（ＩＩ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）等が挙げられる。塩基の具体例としては炭酸カリウム、リン酸カリウム、炭酸セシウム等が挙げられる。反応条件としては例えばＭｅｔａｌ−ＣａｔａｌｙｚｅｄＣｒｏｓｓ−ＣｏｕｐｌｉｎｇＲｅａｃｔｉｏｎｓ（ＡｒｍｉｎｄｅＭｅｉｊｅｒｅ、ＦｒａｎｃｏｉｓＤｉｅｄｒｉｃｈ共著、Ｗｉｌｅｙ−ＶＣＨ）、ＰａｌｌａｄｉｕｍＲｅａｇｅｎｔｓａｎｄＣａｔａｌｙｓｔｓ：ＮｅｗＰｅｒｓｐｅｃｔｉｖｅｓｆｏｒｔｈｅ２１ｓｔＣｅｎｔｕｒｙ（ＪｉｒｏＴｓｕｊｉ著、Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｌｔｄ．）、Ｃｒｏｓｓ−ＣｏｕｐｌｉｎｇＲｅａｃｔｉｏｎｓ：ＡＰｒａｃｔｉｃａｌＧｕｉｄｅ（ＴｏｐｉｃｓｉｎＣｕｒｒｅｎｔＣｈｅｍｉｓｔｒｙ）（Ｓ．Ｌ．Ｂｕｃｈｗａｌｄ、Ｋ．Ｆｕｇａｍｉ、Ｔ．Ｈｉｙａｍａ、Ｍ．Ｋｏｓｕｇｉ、Ｍ．Ｍｉｕｒａ、Ｎ．Ｍｉｙａｕｒａ、Ａ．Ｒ．Ｍｕｃｉ、Ｍ．Ｎｏｍｕｒａ、Ｅ．Ｓｈｉｒａｋａｗａ、Ｋ．Ｔａｍａｏ著、Ｓｐｒｉｎｇｅｒ）等の文献に記載の方法が挙げられる。

前記以外の反応条件として、例えば実験化学講座（日本化学会編、丸善株式会社発行）、ＯｒｇａｎｉｃＳｙｎｔｈｅｓｅｓ（ＡＪｏｈｎＷｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．，Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ）、ＢｅｉｌｓｔｅｉｎＨａｎｄｂｏｏｋｏｆＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ（Ｂｅｉｌｓｔｅｉｎ−ＩｎｓｔｉｔｕｔｆｕｅｒＬｉｔｅｒａｔｕｒｄｅｒＯｒｇａｎｉｓｃｈｅｎＣｈｅｍｉｅ、Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−ＶｅｒｌａｇＢｅｒｌｉｎａｎｄＨｅｉｄｅｌｂｅｒｇＧｍｂＨ＆Ｃｏ．Ｋ）、Ｆｉｅｓｅｒｓ’ ＲｅａｇｅｎｔｓｆｏｒＯｒｇａｎｉｃＳｙｎｔｈｅｓｉｓ（ＪｏｈｎＷｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．）等の文献に記載のもの又はＳｃｉＦｉｎｄｅｒ（ＣｈｅｍｉｃａｌＡｂｓｔｒａｃｔｓＳｅｒｖｉｃｅ，ＡｍｅｒｉｃａｎＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ）、Ｒｅａｘｙｓ（ＥｌｓｅｖｉｅｒＬｔｄ．）等のデータベースに収載のものが挙げられる。

また、前記工程において適宜反応溶媒を用いることができる。溶媒の具体例としてはエタノール、テトラヒドロフラン、トルエン、ジクロロメタン、水等が挙げられる。有機溶媒及び水の二相系で反応を行う場合、相間移動触媒を添加することも可能である。相間移動触媒の具体例としてはベンジルトリメチルアンモニウムブロミド、テトラブチルアンモニウムブロミド等が挙げられる。

また、前記工程において必要に応じて精製を行うことができる。精製方法としてはクロマトグラフィー、再結晶、蒸留、昇華、再沈殿、吸着、分液処理等が挙げられる。精製剤の具体例としてはシリカゲル、アルミナ、活性炭等が挙げられる。

以下、実施例を挙げて本発明を更に記述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「％」は『質量％』を意味する。各工程において酸素及び／又は水分に不安定な物質を取り扱う際は、窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガス中で作業を行うことが好ましい。以下具体的に記載されている作業に加えて必要に応じて、当業者間において通常行われている反応のクエンチ、分液・抽出、中和、洗浄、分離、精製、乾燥、濃縮等の作業を行っても良い。
（ＧＣ分析条件）
カラム：ＡｇｉｌｅｎｔＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｊ＆ＷＣｏｌｕｍｎＤＢ−１ＨＴ，１５ｍ×０．２５ｍｍ×０．１０μｍ
温度プログラム：１００℃（１分間）−（２０℃／分間）−２５０℃−（１０℃／分間）−３８０℃−（７℃／分間）−４００℃（２．６４分間）
注入口温度：３５０℃
検出器温度：４００℃
（ＬＣ分析条件）
カラム：ＷａｔｅｒｓＡＣＱＵＩＴＹＵＰＬＣＢＥＨＣ１８，２．１×１００ｍｍ，１．７μｍ
溶出溶媒：アセトニトリル／水（９０：１０）、アセトニトリル／水（８５：１５）、０．１％ギ酸−アセトニトリル／水（９０：１０）又は０．１％ギ酸−アセトニトリル／水（７０：３０）
流速：０．４ｍＬ／ｍｉｎ
検出器：ＵＶ（ＰＤＡ）
カラムオーブン：４０℃
（実施例１）式（Ｉ−１）で表される化合物の製造

ＥｕｒｏｐｅａｎＪｏｕｒｎａｌｏｆＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ誌、２００８年、２０号、３４７９−３４８７頁に記載の方法によって、式（Ｉ−１−１）で表される化合物を製造した。窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１−１）で表される化合物２．０ｇ、炭酸カリウム１．５ｇ、エタノール２０ｍＬ及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．１ｇを加えた。加熱還流させながら、式（Ｉ−１−２）で表される化合物１．４ｇをエタノール４ｍＬに溶解させた溶液を滴下した。８時間加熱還流させた後、冷却し、反応液を水に注いだ。トルエンで抽出し、水及び食塩水で順次洗浄した。トルエンを減圧下留去した。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン）及び再結晶（アセトン／メタノール）によって精製を行い、式（Ｉ−１）で表される化合物１．８ｇを得た。
ＧＣ純度：９９．９２％
Ｐｄ含有量（ＩＣＰ−ＭＳ）：０．１ｐｐｔ
ＬＣ−ＭＳ：３６１［Ｍ＋１］
（実施例２）式（Ｉ−２）で表される化合物の製造

ＤＥ１０２００９０１８０６７Ａ１号公報記載の方法によって、式（Ｉ−２−１）で表される化合物を製造した。窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−２−１）で表される化合物２．０ｇ、式（Ｉ−２−２）で表される化合物１．９ｇ、リン酸カリウム２．３ｇ、テトラヒドロフラン１０ｍＬ、水１０ｍＬ及び［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリドジクロロメタン付加物０．１ｇを加え、８時間加熱還流させた。冷却し、反応液を水に注いだ。トルエンで抽出し、水及び食塩水で順次洗浄した。トルエンを減圧下留去した。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン）及び再結晶（エタノール）によって精製を行い、式（Ｉ−２）で表される化合物１．７ｇを得た。
ＧＣ純度：９９．９１％
Ｐｄ含有量（ＩＣＰ−ＭＳ）：０．３ｐｐｔ
ＬＣ−ＭＳ：３５９［Ｍ＋１］
（実施例３）式（Ｉ−３）で表される化合物の製造

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−３−１）で表される化合物２．０ｇ、テトラヒドロフラン１０ｍＬを加えた。−２０℃に冷却し、ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム１．０ｇを加えた。−２０℃で式（Ｉ−３−２）で表される化合物１．４ｇをテトラヒドロフラン５ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、３時間撹拌した。室温に昇温させた後、水を加えた。トルエンで抽出し、水及び食塩水で順次洗浄した。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン）によって精製することによって、式（Ｉ−３−３）で表される化合物１．８ｇを得た。

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−３−３）で表される化合物１．８ｇ、式（Ｉ−３−４）で表される化合物１．２ｇ、炭酸カリウム１．２ｇ、エタノール２０ｍＬ及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．１ｇを加え、８時間加熱還流させた。冷却し、反応液を水に注いだ。トルエンで抽出し、水及び食塩水で順次洗浄した。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン）によって精製を行い、式（Ｉ−３−５）で表される化合物１．８ｇを得た。

窒素雰囲気下、耐圧容器に式（Ｉ−３−５）で表される化合物１．８ｇ、テトラヒドロフラン１８ｍＬ、５％パラジウム／炭素０．２ｇを加えた。水素圧０．５ＭＰａで８時間撹拌した。反応液をセライトで濾過した後、溶媒を減圧下留去した。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン）及び再結晶（エタノール）によって精製を行い、式（Ｉ−３）で表される化合物１．４ｇを得た。
ＧＣ純度：９９．９５％
Ｐｄ含有量（ＩＣＰ−ＭＳ）：５．０ｐｐｔ
ＬＣ−ＭＳ：３７５［Ｍ＋１］
（実施例４）式（Ｉ−４）で表される化合物の製造

ＣＮ１０２６５９５３３Ａに記載の方法によって、式（Ｉ−４−４）で表される化合物を製造した。実施例３において式（Ｉ−３−１）で表される化合物を式（Ｉ−４−１）で表される化合物に、式（Ｉ−３−４）で表される化合物を式（Ｉ−４−４）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−４）で表される化合物を製造した。
ＧＣ純度：９９．８６％
Ｐｄ含有量（ＩＣＰ−ＭＳ）：２５ｐｐｔ
ＬＣ−ＭＳ：４４９［Ｍ＋１］
（実施例５）式（Ｉ−５）で表される化合物の製造

窒素雰囲気下、反応容器にマグネシウム０．２ｇ、テトラヒドロフラン１ｍＬを加えた。式（Ｉ−５−１）で表される化合物２．０ｇをテトラヒドロフラン１０ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、グリニャール試薬を調製した。炭酸ガスを導入し、３時間撹拌した。５％塩酸を滴下し、酢酸エチルで抽出した。水及び食塩水で洗浄した。硫酸ナトリウムで乾燥させた後、溶媒を留去し減圧乾燥することによって、式（Ｉ−５−２）で表される化合物１．６ｇを得た。

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−５−２）で表される化合物１．６ｇ、ジクロロメタン２０ｍＬを加えた。シュウ酸クロリド１．０ｇを滴下し、５時間加熱還流させた。溶媒を留去することによって、式（Ｉ−５−３）で表される化合物１．６ｇを得た。

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−５−３）で表される化合物１．６ｇ、１，３−プロパンジチオール０．８ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸１．７ｇ、トルエン２０ｍＬを加え、１００℃で３時間加熱還流させた。冷却し、ジイソプロピルエーテルを加え、結晶を濾過した。得られた結晶を減圧乾燥することによって、式（Ｉ−５−４）で表される化合物２．２ｇを得た。

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−５−５）で表される化合物０．８ｇ、ジクロロメタン２ｍＬ、トリエチルアミン２．３ｇを加えた。−７０℃に冷却しながら、式（Ｉ−５−４）で表される化合物２．２ｇをジクロロメタン６ｍＬに溶解させた溶液を滴下し１時間撹拌した。−７０℃に冷却しながら、トリエチルアミン三フッ化水素１．５ｇを滴下し１時間撹拌した。−７０℃に冷却しながら、臭素０．７ｇを滴下し１時間撹拌した。室温まで昇温し、炭酸水素ナトリウム水溶液を加えた。トルエンで抽出し、水及び食塩水で順次洗浄した。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン）により精製を行い、式（Ｉ−５−６）で表される化合物１．４ｇを得た。

窒素雰囲気下、反応容器にマグネシウム０．１ｇ、テトラヒドロフラン０．２ｍＬを加えた。式（Ｉ−５−６）で表される化合物１．４ｇをテトラヒドロフラン４ｍＬに溶解させた溶液を加え、グリニャール試薬を調製した。ホウ酸トリメチル０．４ｇを滴下し１時間撹拌した。１０％塩酸１０ｍＬを滴下した。酢酸エチルで抽出し、水及び食塩水で順次洗浄した。溶媒を留去することによって、式（Ｉ−５−７）で表される化合物１．２ｇをえた。

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−５−７）で表される化合物１．２ｇ、式（Ｉ−５−８）で表される化合物０．７ｇ、炭酸カリウム０．６ｇ、エタノール１０ｍＬ及びジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）０．１ｇを加え、８時間加熱還流させた。冷却し、反応液を水に注いだ。トルエンで抽出し、水及び食塩水で順次洗浄した。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘキサン）及び再結晶（トルエン／エタノール）によって精製を行い、式（Ｉ−５）で表される化合物１．８ｇを得た。
ＧＣ純度：９９．８５％
Ｐｄ含有量（ＩＣＰ−ＭＳ）：４０ｐｐｔ
ＬＣ−ＭＳ：５１９［Ｍ＋１］
（実施例６）式（Ｉ−８２）で表される化合物の製造

ＥｕｒｏｐｅａｎＪｏｕｒｎａｌｏｆＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ誌、２００８年、２０号、３４７９−３４８７頁に記載の方法によって、式（Ｉ−８２−１）で表される化合物を製造した。窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−８２−１）で表される化合物３．０ｇ、式（Ｉ−８２−２）で表される化合物１．７ｇ、炭酸カリウム１．７ｇ、テトラヒドロフラン１５ｍＬ、水１０ｍＬ及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．２ｇを加え、８時間加熱還流させた。冷却し、反応液を水に注いだ。トルエンで抽出し、水及び食塩水で順次洗浄した。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘキサン）及び再結晶（トルエン／エタノール）によって精製を行い、式（Ｉ−８２）で表される化合物２．０ｇを得た。
ＧＣ純度：９９．９２％
Ｐｄ含有量（ＩＣＰ−ＭＳ）：１２０ｐｐｔ
ＬＣ−ＭＳ：４４９［Ｍ＋１］
（実施例７）式（Ｉ−１２１）で表される化合物の製造

反応容器に式（Ｉ−１２１−２）で表される化合物１．８ｍＬ、トルエン４０ｍＬを加えた。ジプロピルアミン２．８ｍＬをトルエン１０ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、１４時間加熱還流させた。溶媒を留去した後、メタノール２５ｍＬ、トルエン１０ｍＬを加えた。式（Ｉ−１２１−１）で表される化合物３．９ｇをトルエン１５ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、５０℃で８時間加熱撹拌した。５％塩酸、水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘキサン）によって精製を行い、式（Ｉ−１２１−３）で表される化合物４．６ｇを得た。

反応容器に式（Ｉ−１２１−３）で表される化合物４．６ｇ、塩化亜鉛２．０ｇ、トルエン２０ｍＬ、ギ酸１５ｍＬ、酢酸１５ｍＬを加えた。１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン１２ｍＬを滴下し、室温で８時間撹拌した。反応液を水に注ぎ、５％塩酸、水及び食塩水で順次洗浄した。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン）及び再結晶（アセトン／メタノール）によって精製を行い、式（Ｉ−１２１−４）で表される化合物２．３ｇを得た。

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１２１−４）で表される化合物２．３ｇ、炭酸カリウム１．６ｇ、エタノール２０ｍＬ及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．１ｇを加えた。加熱還流させながら、式（Ｉ−１２１−５）で表される化合物１．５ｇをエタノール４ｍＬに溶解させた溶液を滴下した。８時間加熱還流させた後、冷却し、反応液を水に注いだ。トルエンで抽出し、水及び食塩水で順次洗浄した。トルエンを減圧下留去した。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン）及び再結晶（アセトン／メタノール）によって精製を行い、式（Ｉ−１２１）で表される化合物１．８ｇを得た。
ＧＣ純度：９９．９２％
Ｐｄ含有量（ＩＣＰ−ＭＳ）：０．１ｐｐｔ
ＬＣ−ＭＳ：３７９［Ｍ＋１］
（実施例８）式（Ｉ−１５１）で表される化合物の製造

反応容器に式（Ｉ−１５１−１）で表される化合物４．９ｇと、トルエン３０ｍＬを加えた。ジプロピルアミン４．０ｍＬをトルエン１０ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、１４時間加熱還流させた。溶媒を留去した後、メタノール３０ｍＬ、トルエン２０ｍＬを加えた。式（Ｉ−１５１−２）で表される化合物２．９ｍＬをトルエン１０ｍＬに溶解させた溶液を滴下し、５０℃で１０時間加熱撹拌した。５％塩酸、水及び食塩水で順次洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン／ヘキサン）によって精製を行い、式（Ｉ−１５１−３）で表される化合物５．３ｇを得た。

反応容器に式（Ｉ−１５１−３）で表される化合物５．３ｇ、塩化亜鉛３．３ｇ、トルエン４０ｍＬ、ギ酸３０ｍＬ、酢酸３０ｍＬを加えた。１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン２２ｍＬ及びメタンスルホン酸１．６ｍＬを順次滴下し、室温で１４時間撹拌した。反応液を水に注ぎ、５％塩酸、水及び食塩水で順次洗浄した。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、トルエン）及び再結晶（アセトン／メタノール）によって精製を行い、式（Ｉ−１５１−４）で表される化合物３．３ｇを得た。

窒素雰囲気下、反応容器に式（Ｉ−１５１−４）で表される化合物３．３ｇ、炭酸カリウム２．４ｇ、エタノール３０ｍＬ及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．２ｇを加えた。加熱還流させながら、式（Ｉ−１２１−５）で表される化合物２．６ｇをエタノール６ｍＬに溶解させた溶液を滴下した。８時間加熱還流させた後、冷却し、反応液を水に注いだ。トルエンで抽出し、水及び食塩水で順次洗浄した。トルエンを減圧下留去した。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン）及び再結晶（アセトン／メタノール）によって精製を行い、式（Ｉ−１５１）で表される化合物２．８ｇを得た。
ＧＣ純度：９９．９１％
Ｐｄ含有量（ＩＣＰ−ＭＳ）：０．１ｐｐｔ
ＬＣ−ＭＳ：３６１［Ｍ＋１］
（実施例９）式（Ｉ−１８１）で表される化合物の製造

実施例８において、式（Ｉ−１５１−１）で表される化合物を式（Ｉ−１８１−１）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−１８１）で表される化合物を製造した。
ＧＣ純度：９９．９３％
Ｐｄ含有量（ＩＣＰ−ＭＳ）：０．２ｐｐｔ
ＬＣ−ＭＳ：３７９［Ｍ＋１］
（実施例１０）式（Ｉ−２１１）で表される化合物の製造

実施例７において、式（Ｉ−１２１−１）で表される化合物を式（Ｉ−２１１−１）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−２１１）で表される化合物を製造した。
ＧＣ純度：９９．９３％
Ｐｄ含有量（ＩＣＰ−ＭＳ）：０．１ｐｐｔ
ＬＣ−ＭＳ：３７９［Ｍ＋１］
（実施例１１）式（Ｉ−２４１）で表される化合物の製造

実施例８において、式（Ｉ−１５１−１）で表される化合物を式（Ｉ−２４１−１）で表される化合物に置き換えた以外は同様の方法によって、式（Ｉ−２４１）で表される化合物を製造した。
ＧＣ純度：９９．９３％
Ｐｄ含有量（ＩＣＰ−ＭＳ）：０．３ｐｐｔ
ＬＣ−ＭＳ：３７９［Ｍ＋１］
（比較例１）式（Ｉ−１Ｒ）で表される化合物の製造

ＭｏｌｅｃｕｌａｒＣｒｙｓｔａｌｓａｎｄＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ誌、２０１１年、５４２巻、１６−２７頁に記載の方法によって製造した。反応容器に式（Ｉ−１Ｒ−１）で表される化合物５．０ｇ、塩化アルミニウム（ＩＩＩ）３．１ｇ、ジクロロメタン２０ｍＬを加えた。氷冷しながら塩化３−クロロプロピオニル３．２ｇを加え１時間撹拌した。反応容器を１０％塩酸２０ｍＬに注ぎ、有機層を１０％水酸化ナトリウム水溶液及び水で順次洗浄した。硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒を留去した。再結晶（ヘキサン）によって精製を行い、式（Ｉ−１Ｒ−２）で表される化合物６．２ｇを得た。

反応容器に式（Ｉ−１Ｒ−２）で表される化合物５．０ｇ及びテトラヒドロフラン２０ｍＬを加えた。１０％水酸化ナトリウム水溶液１０ｍＬを加え５０℃で１時間加熱撹拌した。トルエン５０ｍＬを加え抽出し、水で洗浄した。硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒を留去した。再結晶（ヘキサン）によって精製を行い、式（Ｉ−１Ｒ−３）で表される化合物３．２ｇを得た。

反応容器に式（Ｉ−１Ｒ−３）で表される化合物６．３ｇ及びトルエン５０ｍＬを加えた。ジイソプロピルアミン２．５ｇを加え８０℃で１０時間加熱撹拌した。室温まで冷却した後、水２００ｍＬを加えた。有機層を１０％塩酸１００ｍＬ及び水で順次洗浄した。硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒を留去した。再結晶（ヘキサン）によって精製を行い、式（Ｉ−１Ｒ−４）で表される化合物２０．３ｇを得た。

反応容器に式（Ｉ−１Ｒ−４）で表される化合物１０．０ｇ、酢酸１００ｍＬを加えた。塩化亜鉛（ＩＩ）３．６ｇ及びトリエチルシラン１６．９ｇを加え２５℃で１０時間撹拌した。水２００ｍＬを加え、トルエンで抽出した。有機層を１０％塩酸及び水で順次洗浄した。硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒を留去した。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン）及び再結晶（酢酸エチル）によって精製を行い、式（Ｉ−１Ｒ）で表される化合物７．３ｇを得た。
ＧＣ純度：９９．７３％
ＬＣ−ＭＳ：３６１［Ｍ＋１］
（比較例２）式（Ｉ−２Ｒ）で表される化合物の製造

ＭｏｌｅｃｕｌａｒＣｒｙｓｔａｌｓａｎｄＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ誌、２０１４年、５９３巻、６１−７７頁に記載の方法によって製造した。反応容器に式（Ｉ−２Ｒ−２）で表される化合物４．８ｇ、式（Ｉ−２Ｒ−１）で表される化合物５．７ｇ及びトルエン２０ｍＬを加えた。ジプロピルアミン０．２ｇ、メタノール３ｍＬを加え４０℃で１２時間加熱撹拌した。冷却した後、水１０ｍＬを加え酢酸エチル３０ｍＬで抽出した。有機層を食塩水で洗浄し硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒を留去することによって式（Ｉ−２Ｒ−３）で表される化合物７．３ｇを得た。

反応容器に式（Ｉ−２Ｒ−３）で表される化合物７．３ｇ及びトルエン３０ｍＬを加えた。０℃でトリエチルシラン７．０ｇを加えた。トリフルオロ酢酸９．６ｇを滴下した。室温まで昇温し７時間撹拌した。アセトン３ｍＬを加え、反応液を２０％炭酸水素ナトリウム水溶液に注いだ。トルエンで抽出し、水で洗浄した。硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒を留去した。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘプタン／酢酸エチル（２０：１））により精製を行い、式（Ｉ−２Ｒ−４）で表される化合物７．４ｇを得た。

反応容器に式（Ｉ−２Ｒ−４）で表される化合物７．４ｇ及びクロロホルム２５ｍＬを加えた。氷冷しながらトリメチルヨードシラン３．４ｇを滴下し１０℃以下で５時間撹拌した。反応液を５％炭酸水素ナトリウム水溶液に注ぎ、有機層を水で洗浄した。硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒を留去した。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘプタン／酢酸エチル（２：１））によって精製を行い、式（Ｉ−２Ｒ−５）で表される化合物１．６ｇを得た。

反応容器に式（Ｉ−２Ｒ−５）で表される化合物１４．５ｇ及びジクロロメタン１４０ｍＬを加えた。ヨードベンゼンジアセタート２６．０ｇ及びＴＥＭＰＯ０．７ｇを加え室温で３時間撹拌した。反応液を１０％炭酸水素ナトリウム水溶液に注ぎ、酢酸エチルで抽出した。不溶物を濾過により除去し有機層を食塩水で洗浄した。硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒を留去した。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘプタン／酢酸エチル（４：１））により精製を行い、式（Ｉ−２Ｒ−６）で表される化合物８．７ｇを得た。

反応容器にエチルトリフェニルホスホニウムブロミド１４．１ｇ及びテトラヒドロフラン５０ｍＬを加えた。−４０℃でＬＤＡ（２Ｍ）／テトラヒドロフラン溶液１８ｍＬを滴下し３０分撹拌した。０℃でさらに１時間撹拌した。−５０℃に冷却し式（Ｉ−２Ｒ−６）で表される化合物８．７ｇをテトラヒドロフラン５０ｍＬに溶解させた溶液を滴下し３０分撹拌した。フェニルリチウム（１．６Ｍ）／ジブチルエーテル溶液２２ｍＬを滴下し３０分間撹拌した。ｔｅｒｔ−ブチルアルコール５ｇ及びテトラヒドロフラン１０ｍＬを滴下した。０℃に昇温し水１００ｍＬ及び食塩水１００ｍＬを加えた。トルエン２００ｍＬで抽出し、有機層を１０％塩酸、食塩水、５％炭酸水素ナトリウム水溶液及び食塩水で順次洗浄した。硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒を留去した。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘプタン／酢酸エチル（１０：１））及び再結晶（エタノール）により精製を行い、式（Ｉ−２Ｒ）で表される化合物４．７ｇを得た。
ＧＣ純度：９９．７６％
ＬＣ−ＭＳ：３５９［Ｍ＋１］
（比較例３）式（Ｉ−１２１Ｒ）で表される化合物の製造

特開２０１７−７５０９５号公報の合成例１に記載の方法によって、式（Ｉ−１２１Ｒ）で表される化合物を製造した。
ＧＣ純度：９９．５８％
ＬＣ−ＭＳ：３７９［Ｍ＋１］
（比較例４）式（Ｉ−１５１Ｒ）で表される化合物の製造

ＭｏｌｅｃｕｌａｒＣｒｙｓｔａｌｓａｎｄＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ誌、２０１１年、５４２巻、１６／［５３８］−２７［５４９］頁に記載の方法によって、式（Ｉ−１５１Ｒ−１）で表される化合物を製造した。
ＧＣ純度：９９．７６％
ＬＣ−ＭＳ：３６１［Ｍ＋１］
（比較例５）式（Ｉ−１８１Ｒ）で表される化合物の製造

特開２０１７−７５０９５号公報の合成例３に記載の方法によって、式（Ｉ−１８１Ｒ）で表される化合物を製造した。
ＧＣ純度：９９．７１％
ＬＣ−ＭＳ：３７９［Ｍ＋１］
（比較例６）式（Ｉ−２１１Ｒ）で表される化合物の製造

特開２０１７−７５０９５号公報の合成例２に記載の方法によって、式（Ｉ−２１１Ｒ）で表される化合物を製造した。
ＧＣ純度：９９．７４％
ＬＣ−ＭＳ：３７９［Ｍ＋１］
（比較例７）式（Ｉ−２４１Ｒ）で表される化合物の製造

特開２０１７−７５０９５号公報の合成例２に記載の方法によって、式（Ｉ−２４１Ｒ）で表される化合物を製造した。
ＧＣ純度：９９．７７％
ＬＣ−ＭＳ：３７９［Ｍ＋１］
以上の結果から、実施例１から実施例１１に記載の製造方法では、通常の精製方法によって容易に高純度の式（Ｉ−１）から式（Ｉ−５）、式（Ｉ−８２）、式（Ｉ−１２１）、式（Ｉ−１５１）、式（Ｉ−１８１）、式（Ｉ−２１１）及び式（Ｉ−２４１）で表される化合物を得ることができた。一方、比較例１から比較例７に記載の製造方法では、通常の精製方法では実施例１から実施例１１に記載の製造方法に比べ、得られた化合物の純度が低かった。式（Ｉ−１Ｒ）、式（Ｉ−２Ｒ）、式（Ｉ−１２１Ｒ）、式（Ｉ−１５１Ｒ）、式（Ｉ−１８１Ｒ）、式（Ｉ−２１１Ｒ）及び式（Ｉ−２４１Ｒ）で表される化合物について、式（Ｉ−１）、式（Ｉ−２）、式（Ｉ−１２１）、式（Ｉ−１５１）、式（Ｉ−１８１）、式（Ｉ−２１１）及び式（Ｉ−２４１）で表される化合物と精製条件を揃えるために、同じ精製操作を行った。
（比較例８）式（Ｉ−１Ｒ２）で表される化合物の製造
比較例１で製造した式（Ｉ−１Ｒ）で表される化合物について、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン）及び再結晶（アセトン／メタノール）によって精製を行い、式（Ｉ−１Ｒ２）で表される化合物を得た。
ＧＣ純度：９９．８２％
ＬＣ−ＭＳ：３６１［Ｍ＋１］
（比較例９）式（Ｉ−２Ｒ２）で表される化合物の製造
比較例２で製造した式（Ｉ−２Ｒ）で表される化合物について、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン）及び再結晶（エタノール）によって精製を行い、式（Ｉ−２Ｒ２）で表される化合物を得た。
ＧＣ純度：９９．８５％
ＬＣ−ＭＳ：３５９［Ｍ＋１］
（比較例１０）式（Ｉ−１２１Ｒ２）で表される化合物の製造
比較例３で製造した式（Ｉ−１２１Ｒ）で表される化合物について、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン）及び再結晶（エタノール）によって精製を行い、式（Ｉ−１２１Ｒ２）で表される化合物を得た。
ＧＣ純度：９９．８６％
ＬＣ−ＭＳ：３７９［Ｍ＋１］
（比較例１１）式（Ｉ−１５１Ｒ２）で表される化合物の製造
比較例４で製造した式（Ｉ−１５１Ｒ）で表される化合物について、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン）及び再結晶（エタノール）によって精製を行い、式（Ｉ−１５１Ｒ２）で表される化合物を得た。
ＧＣ純度：９９．８８％
ＬＣ−ＭＳ：３６１［Ｍ＋１］
（比較例１２）式（Ｉ−１８１Ｒ２）で表される化合物の製造
比較例５で製造した式（Ｉ−１８１Ｒ）で表される化合物について、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン）及び再結晶（エタノール）によって精製を行い、式（Ｉ−１８１Ｒ２）で表される化合物を得た。
ＧＣ純度：９９．８６％
ＬＣ−ＭＳ：３７９［Ｍ＋１］
（比較例１３）式（Ｉ−２１１Ｒ２）で表される化合物の製造
比較例６で製造した式（Ｉ−２１１Ｒ）で表される化合物について、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン）及び再結晶（エタノール）によって精製を行い、式（Ｉ−２１１Ｒ２）で表される化合物を得た。
ＧＣ純度：９９．８５％
ＬＣ−ＭＳ：３７９［Ｍ＋１］
（比較例１４）式（Ｉ−２４１Ｒ２）で表される化合物の製造
比較例７で製造した式（Ｉ−２４１Ｒ）で表される化合物について、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン）及び再結晶（エタノール）によって精製を行い、式（Ｉ−２４１Ｒ２）で表される化合物を得た。
ＧＣ純度：９９．８８％
ＬＣ−ＭＳ：３７９［Ｍ＋１］
（実施例１２から実施例２２、比較例１５から比較例２８）
実施例１から実施例１１及び比較例１から比較例１４で製造した化合物を評価対象の化合物とした。下記化合物を下表に示す成分比で混合した液晶組成物を調製し、母体液晶（Ｘ１０）とした。

上記母体液晶（Ｘ１０）１００重量部に対し、評価対象の化合物を１５重量部及び下記化合物（Ｘ３−Ｅ−１−１）を０．２重量部添加し、評価対象の液晶組成物を調製した。

透明な共通電極からなる透明電極層及びカラーフィルター層を具備した第一の基板（共通電極基板）と、アクティブ素子により駆動される透明画素電極を有する画素電極層を具備した第二の基板（画素電極基板）とを作製した。画素電極基板において、各画素電極としては、液晶分子の配向を分割するため、画素電極に電極を有さないスリットが存在するように、ＩＴＯをエッチングしたものを用いた。共通電極基板及び画素電極基板のそれぞれに、ポリイミド前駆体を含む垂直配向膜材料をスピンコート法により塗布し、その塗布膜を２００℃で加熱することにより、垂直配向膜材料中のポリイミド前駆体を硬化させ、各基板の表面に１００ｎｍ±２０ｎｍの垂直配向膜を形成した。垂直配向膜形成材料としては、ポリイミド前駆体を３％含有するポリイミド溶液（商品名：ＪＡＬＳ２１３１−Ｒ６、ＪＳＲ社製）を用いた。垂直配向膜を形成した共通電極基板及び画素電極基板に、評価対象の液晶組成物を挟持した後、シール材を硬化させて、液晶組成物層を形成した。この際、厚さ３．０μｍのスペーサを用いて、液晶組成物層の厚さを３．０μｍとした。下表に評価対象の化合物と液晶表示素子の関係を示す。

実施例１２から実施例２２、比較例１５から比較例２８の表示素子について、焼き付き評価を行った。焼き付き評価は、表示エリア内に所定の固定パターンを１０００時間表示させた後に、全画面均一な表示を行ったときの固定パターンの残像のレベルを目視にて以下の４段階評価で行った。
Ａ＋：残像無し
Ａ−：画面の一部に残像ごく僅かに有り
Ｂ＋：画面の一部に残像やや多く有るも許容できるレベル
Ｂ−：残像やや多く有るも許容できるレベル
Ｃ：残像多く有り許容できないレベル

比較例１５から比較例２８の表示素子は、各々同じ構造の式（Ｉ−１）から式（Ｉ−５）、式（Ｉ−８２）、式（Ｉ−１２１）、式（Ｉ−１５１）、式（Ｉ−１８１）、式（Ｉ−２１１）及び式（Ｉ−２４１）で表される化合物を使用した表示素子と比較して焼き付きが多く見られた。比較例１から比較例１４に記載の方法によって合成した式（Ｉ−１Ｒ）、式（Ｉ−２Ｒ）、式（Ｉ−１２１Ｒ）、式（Ｉ−１５１Ｒ）、式（Ｉ−１８１Ｒ）、式（Ｉ−２１１Ｒ）、式（Ｉ−２４１Ｒ）、式（Ｉ−１Ｒ２）、式（Ｉ−２Ｒ２）、式（Ｉ−１２１Ｒ２）、式（Ｉ−１５１Ｒ２）、式（Ｉ−１８１Ｒ２）、式（Ｉ−２１１Ｒ２）及び式（Ｉ−２４１Ｒ２）で表される化合物に含まれる微量の不純物が影響していると考えられる。このように、本願発明の製造方法は得られる化合物の純度が高いことがわかる。また、本願発明の製造方法によって製造された化合物を使用して製造した表示素子は焼き付きが起こりにくいことがわかる。

以上の結果から、本願発明の製造方法は、少ない工程数によって、且つ高純度で製造することが可能であることから、分子構造中にテトラヒドロピラン−２，５−ジイル基又は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基と４−アルコキシ−２，３−ジフルオロフェニル基とを有する化合物の製造方法として有用である。また、本願発明の製造方法によって製造された化合物は液晶表示素子用の材料として有用である。

Claims

化合物（ｉａ）と化合物（ｉｂ）とを、遷移金属触媒存在下、カップリングさせることによって製造することを特徴とする化合物（ｉ）の製造方法であって、化合物（ｉ）が下記一般式（Ｉ−ｉ）

（式中、Ｒ^１１及びＲ^２１は各々独立して１個の−ＣＨ_２−若しくは隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−によって置換されても良い炭素原子数１から１０の直鎖状アルキル基を表し、Ａ^０１は下記の式（Ａ０−ｉ−１）

を表し、Ａ^１１、Ａ^２１、Ａ^３１及びＡ^４１は各々独立して下記の式（Ａ−ｉ−１）から式（Ａ−ｉ−９）

（式中、Ｌ^１１はフッ素原子、塩素原子、又は、１個の−ＣＨ_２−が−Ｏ−によって置換されても良く、基中の任意の水素原子はフッ素原子に置換されても良い炭素原子数１から６の直鎖状アルキル基を表す。）から選ばれる基を表すが、Ａ^１１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ^２１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ^３１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ^４１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ^１１、Ｚ^２１、Ｚ^３１及びＺ^４１は各々独立して−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は単結合を表すが、Ｚ^１１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ^２１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ^３１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ^４１が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、ｍ１１、ｍ３１及びｍ４１は各々独立して０、１又は２を表し、ｍ２１は１又は２を表すが、ｍ１１＋ｍ２１＋ｍ３１＋ｍ４１は１、２又は３を表す。）で表される化合物であり、化合物（ｉａ）が下記の一般式（ＩＡ−ｉ）

（式中、Ｒ^１１、Ａ^０１、Ａ^１１、Ａ^２１、Ｚ^１１、Ｚ^２１、ｍ１１及びｍ２１は一般式（Ｉ−ｉ）と同じ意味を表し、Ｘ^１１は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基から選ばれる基若しくはジヒドロキシボリル基、炭素原子数２から５の直鎖状又は分岐状アルコキシボリル基又は炭素原子数１から１０の環状アルコキシボリル基から選ばれる基を表す。）で表される化合物であり、化合物（ｉｂ）が下記の一般式（ＩＢ−ｉ）

（式中、Ａ^３１、Ａ^４１、Ｚ^３１、Ｚ^４１、ｍ３１、ｍ４１及びＲ^２１は一般式（Ｉ−ｉ）と同じ意味を表し、Ｘ^２１は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基から選ばれる基若しくはジヒドロキシボリル基、炭素原子数２から５の直鎖状又は分岐状アルコキシボリル基又は炭素原子数１から１０の環状アルコキシボリル基から選ばれる基を表すが、Ｘ^１１が塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基から選ばれる基を表す場合、Ｘ^２１はジヒドロキシボリル基、炭素原子数２から５の直鎖状又は分岐状アルコキシボリル基又は炭素原子数１から１０の環状アルコキシボリル基から選ばれる基を表し、Ｘ^１１がジヒドロキシボリル基、炭素原子数２から５の直鎖状又は分岐状アルコキシボリル基又は炭素原子数１から１０の環状アルコキシボリル基から選ばれる基を表す場合、Ｘ^２１は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基から選ばれる基を表す。）で表される化合物である、製造方法。
化合物（ｉ）が下記一般式（Ｉ−ｉ−１１１）

（式中、Ｒ^{１１１１１}は炭素原子数１から５の直鎖状アルキル基又は炭素原子数２から５の直鎖状アルケニル基を表し、Ｒ^{２１１１１}は炭素原子数１から５の直鎖状アルコキシ基又は炭素原子数２から５の直鎖状アルケニルオキシ基を表す。）で表される化合物であり、化合物（ｉａ）が下記一般式（ＩＡ−ｉ−１１１）

（式中、Ｒ^{１１１１１}は一般式（Ｉ−ｉ−１１１）と同じ意味を表し、Ｘ^{１１１１１}は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子から選ばれる基を表す。）で表される化合物であり、化合物（ｉｂ）が下記一般式（ＩＢ−ｉ−１１１）

（式中、Ｒ^{２１１１１}は一般式（Ｉ−ｉ−１１１）と同じ意味を表し、Ｘ^{２１１１１}はジヒドロキシボリル基又は４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル基を表す。）で表される化合物である、請求項１に記載の製造方法。
化合物（ｉ）が下記一般式（Ｉ−ｉ−１１２）

（式中、Ｒ^{１１１１２}は炭素原子数１から５の直鎖状アルキル基又は炭素原子数２から５の直鎖状アルケニル基を表し、Ｒ^{２１１１２}は炭素原子数１から５の直鎖状アルコキシ基又は炭素原子数２から５の直鎖状アルケニルオキシ基を表す。）で表される化合物であり、化合物（ｉａ）が下記一般式（ＩＡ−ｉ−１１２）

（式中、Ｒ^{１１１１２}は一般式（Ｉ−ｉ−１１２）と同じ意味を表し、Ｘ^{１１１１２}は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子から選ばれる基を表す。）で表される化合物であり、化合物（ｉｂ）が下記一般式（ＩＢ−ｉ−１１２）

（式中、Ｒ^{２１１１２}は一般式（Ｉ−ｉ−１１２）と同じ意味を表し、Ｘ^{２１１１２}はジヒドロキシボリル基又は４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル基を表す。）で表される化合物である、請求項１に記載の製造方法。
化合物（ｉ）が下記一般式（Ｉ−ｉ−１１３）

（式中、Ｒ^{１１１１３}は炭素原子数１から５の直鎖状アルキル基又は炭素原子数２から５の直鎖状アルケニル基を表し、Ｒ^{２１１１３}は炭素原子数１から５の直鎖状アルコキシ基又は炭素原子数２から５の直鎖状アルケニルオキシ基を表す。）で表される化合物であり、化合物（ｉａ）が下記一般式（ＩＡ−ｉ−１１３）

（式中、Ｒ^{１１１１３}は一般式（Ｉ−ｉ−１１３）と同じ意味を表し、Ｘ^{１１１１３}は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子から選ばれる基を表す。）で表される化合物であり、化合物（ｉｂ）が下記一般式（ＩＢ−ｉ−１１３）

（式中、Ｒ^{２１１１３}は一般式（Ｉ−ｉ−１１３）と同じ意味を表し、Ｘ^{２１１１３}はジヒドロキシボリル基又は４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル基を表す。）で表される化合物である、請求項１に記載の製造方法。
化合物（ｉ）が下記一般式（Ｉ−ｉ−１１４）

（式中、Ｒ^{１１１１４}は炭素原子数１から５の直鎖状アルキル基又は炭素原子数２から５の直鎖状アルケニル基を表し、Ｒ^{２１１１４}は炭素原子数１から５の直鎖状アルコキシ基又は炭素原子数２から５の直鎖状アルケニルオキシ基を表す。）で表される化合物であり、化合物（ｉａ）が下記一般式（ＩＡ−ｉ−１１４）

（式中、Ｒ^{１１１１４}は一般式（Ｉ−ｉ−１１４）と同じ意味を表し、Ｘ^{１１１１４}は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子から選ばれる基を表す。）で表される化合物であり、化合物（ｉｂ）が下記一般式（ＩＢ−ｉ−１１４）

（式中、Ｒ^{２１１１４}は一般式（Ｉ−ｉ−１１４）と同じ意味を表し、Ｘ^{２１１１４}はジヒドロキシボリル基又は４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル基を表す。）で表される化合物である、請求項１に記載の製造方法。
化合物（ｉ）が下記一般式（Ｉ−ｉ−１１５）

（式中、Ｒ^{１１１１５}は炭素原子数１から５の直鎖状アルキル基又は炭素原子数２から５の直鎖状アルケニル基を表し、Ｒ^{２１１１５}は炭素原子数１から５の直鎖状アルコキシ基又は炭素原子数２から５の直鎖状アルケニルオキシ基を表す。）で表される化合物であり、化合物（ｉａ）が下記一般式（ＩＡ−ｉ−１１５）

（式中、Ｒ^{１１１１５}は一般式（Ｉ−ｉ−１１５）と同じ意味を表し、Ｘ^{１１１１５}は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子から選ばれる基を表す。）で表される化合物であり、化合物（ｉｂ）が下記一般式（ＩＢ−ｉ−１１５）

（式中、Ｒ^{２１１１５}は一般式（Ｉ−ｉ−１１５）と同じ意味を表し、Ｘ^{２１１１５}はジヒドロキシボリル基又は４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル基を表す。）で表される化合物である、請求項１に記載の製造方法。
請求項１に記載の化合物（ｉａ）と、化合物（ｉｂ）と、遷移金属化合物とを含有する混合物。
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の製造方法に続いて、さらにシリカゲルを使用した精製を行うことを特徴とする製造方法。
請求項１から請求項６又は請求項８のいずれか一項に記載の製造方法に続いて、さらに再結晶によって精製することを特徴とする製造方法。
請求項８に記載の製造方法に続いて、さらに化合物（ｉ）と有機溶媒を含む混合物から、減圧下濃縮することによって有機溶媒を除去する工程を含むことを特徴とする製造方法。
請求項１から請求項６、請求項８から請求項１０のいずれか一項に記載の製造方法において、化合物（ｉａ）と遷移金属化合物を含有する混合物に対し、化合物（ｉｂ）を加えることを特徴とする製造方法。
請求項１から請求項６、請求項８から請求項１１のいずれか一項に記載の製造方法を経て化合物（ｉ）を得、続いて化合物（ｉ）とは異なる化合物を加えることを特徴とする液晶組成物の製造方法。
請求項１２に記載の製造方法において、前記化合物（ｉ）とは異なる化合物が下記一般式（Ｘ１）

（式中、Ｒ^３及びＲ^４は各々独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、又は、１個の−ＣＨ_２−若しくは隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−によって置換されても良い炭素原子数１から６の直鎖状アルキル基を表すが、当該アルキル基中の任意の水素原子はフッ素原子に置換されても良く、Ａ^５及びＡ^６は各々独立して１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基を表すが、これらの基は無置換であるか又は１つ以上の置換基Ｌ^Ｘ１によって置換されても良く、Ａ^５が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ａ^６が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｌ^Ｘ１はフッ素原子を表し、Ｚ^５及びＺ^６は各々独立して−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、Ｚ^５が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｚ^６が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、ｍ５及びｍ６は各々独立して０から３の整数を表すが、ｍ５＋ｍ６は０から３の整数を表す。）で表される、製造方法。
請求項１２又は請求項１３に記載の製造方法において、前記化合物（ｉ）とは異なる化合物が下記一般式（Ｘ２）

（式中、Ｒ^５及びＲ^６は各々独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、又は、１個の−ＣＨ_２−若しくは隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−によって置換されても良い炭素原子数１から６の直鎖状アルキル基を表すが、当該アルキル基中の任意の水素原子はフッ素原子に置換されても良く、Ａ^７及びＡ^８は各々独立して１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基を表すが、これらの基は無置換であるか又は１つ以上の置換基Ｌ^Ｘ２によって置換されても良く、Ａ^７が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｌ^Ｘ２はフッ素原子を表し、Ｚ^７は−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、Ｚ^７が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、ｍ７は各々独立して０から３の整数を表す。）で表される、製造方法。
請求項１２から請求項１４のいずれか一項に記載の製造方法において、前記化合物（ｉ）とは異なる化合物が下記一般式（Ｘ３）

（式中、Ｒ^７は各々独立して水素原子、又は、１個の−ＣＨ_２−若しくは隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−によって置換されても良い炭素原子数１から２５の直鎖状又は分岐状アルキル基を表し、Ａ^９は１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基又は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を表すが、これらの基は無置換であるか又は１つ以上の置換基Ｌ^Ｘ３によって置換されても良く、Ａ^９が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、Ｌ^Ｘ３はフッ素原子、又は、１個の−ＣＨ_２−隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−が各々独立して−Ｏ−によって置換されても良い炭素原子数１から２０の直鎖状又は分岐状アルキル基を表し、Ｚ^８は−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−又は単結合を表すが、Ｚ^８が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていても良く、ｍ８は各々独立して０から３の整数を表す。）で表される、製造方法。
請求項１２から請求項１５のいずれか一項に記載の製造方法において、得られる組成物がｎ型である、製造方法。
請求項１２から請求項１６のいずれか一項に記載の製造方法を経て組成物を得、続いて2枚の基板の間に組成物を挟持する、液晶表示素子の製造方法。