JP6644759B2 - 計時器用ムーブメントのための部品 - Google Patents
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Description
− 形成される陽極層は、2μm〜50μm、好ましくは、10μm〜30μmの厚みを有する。
− 形成される陽極層は、好ましくは、硬度が、300HVよりも大きく、さらに好ましくは、400HVよりも大きく、さらに好ましくは、500HVよりも大きい。
(a)磁場に対する前記ピボットアーバーの感受性を抑えるように、当該ピボットアーバーの少なくとも一方の端において、非磁性の軽金属又はその軽金属の非磁性の合金である非磁性金属材料で作られた少なくとも1つのピボットを有するピボットアーバーを形成する形成ステップ
(b)前記ピボットの少なくとも外面を陽極酸化処理して、陽極酸化によって前記外面上に前記非磁性金属材料の陽極酸化層を成長させる陽極酸化ステップ
− 前記陽極層は、前記陽極酸化ステップ(b)において、厚みが2μm〜50μm、好ましくは、10μm〜30μmとなるように形成される。
− 前記陽極酸化ステップ(b)の陽極酸化処理は、伝統的な陽極酸化プロセス又はマイクロアーク酸化プロセスの処理であることができる。
(a)磁場に対するバランススタッフ1の感受性を抑えるように、好ましくは、棒体ターニング又は他のいずれかのチップ除去機械加工技術によって、非磁性の軽金属又はその軽金属の非磁性の合金である非磁性金属材料で作られた少なくとも1つのピボット3を両端に有するバランススタッフ1を形成するステップ
(b)前記ピボット3の少なくとも外面に対して陽極酸化処理をして陽極酸化によって前記金属材料の陽極酸化層を前記外面に成長させて、前記ピボット3の前記外面の少なくとも主要な応力領域において硬化層を形成するステップ
処理1:
槽1
H2SO4:150±5g/l
Al3+: 20±5g/l
温度: 8±3℃
電流密度:1.5±0.5A/dm2
処理2:
槽2
H2SO4:150±10g/l
シュウ酸:50±10g/l
温度: 16±2℃
電流密度:1±0.5A/dm2
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H2SO4:150±5g/l
Al3+: 20±5g/l
温度: 8±3℃
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2 区画
2a 支持面
2b 肩部
3 ピボット
4 非磁性金属材料
5 陽極酸化層
Claims (15)
- 計時器用ムーブメントのためのピボットアーバー(1)であって、
当該ピボットアーバー(1)は、その少なくとも一方の端において、当該ピボットアーバー(1)の磁場に対する感受性を抑えるように、非磁性金属材料で作られた少なくとも1つのピボット(3)を有し、
前記非磁性金属材料(4)は、非磁性の軽金属又はその軽金属の非磁性の合金であり、
前記ピボット(3)の少なくとも外面は、前記非磁性金属材料の陽極酸化層(5)で被覆されており、
前記非磁性金属材料(4)は、硬度が250HV未満であり、そして
前記陽極酸化層(5)は、硬度が300HVよりも大きい
ことを特徴とするピボットアーバー(1)。 - 当該ピボットアーバーは、非磁性金属材料で作られており、
前記非磁性金属材料は、当該ピボットアーバーの磁場に対する感受性を抑えるように、非磁性の軽金属又はその軽金属の非磁性の合金であり、
当該ピボットアーバーの外面は、前記非磁性金属材料の陽極酸化層で被覆されている
ことを特徴とする請求項1に記載のピボットアーバー(1)。 - 前記非磁性金属材料(4)は、アルミニウム、チタン、マグネシウム及びそれらの非磁性の合金からなる群から選択される
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のピボットアーバー(1)。 - 前記陽極酸化層(5)は、厚みが2μm〜50μmである
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のピボットアーバー(1)。 - 前記陽極酸化層(5)は、厚みが10μm〜30μmである
ことを特徴とする請求項4に記載のピボットアーバー(1)。 - 前記陽極酸化層(5)は、硬度が400HVよりも大きい
ことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のピボットアーバー(1)。 - 前記陽極酸化層(5)は、硬度が500HVよりも大きい
ことを特徴とする請求項6に記載のピボットアーバー(1)。 - 前記非磁性金属材料(4)は、6000系アルミニウム合金、銅を含有する7000系アルミニウム合金、グレード5のチタン合金、及びMg−Zr合金からなる群から選択される
ことを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のピボットアーバー(1)。 - 請求項1〜8のいずれかに記載のピボットアーバー(1)を有する
ことを特徴とする計時器用ムーブメント。 - 請求項1〜9のいずれかに記載のピボットアーバーを有するバランススタッフ(1)、パレットスタッフ及び/又はエスケープピニオンを有する
ことを特徴とする計時器用ムーブメント。 - 計時器用ムーブメントためのピボットアーバー(1)を製造する方法であって、
(a)磁場に対する前記ピボットアーバーの感受性を抑えるように、当該ピボットアーバー(1)の少なくとも一方の端において、非磁性の軽金属又はその軽金属の非磁性の合金である非磁性金属材料(4)で作られた少なくとも1つのピボット(3)を有するピボットアーバー(1)を形成する形成ステップと、
(b)前記ピボット(3)の少なくとも外面を陽極酸化処理して、陽極酸化によって前記外面上に前記非磁性金属材料(5)の陽極酸化層を成長させる陽極酸化ステップと
を有し、
前記非磁性金属材料(4)は、硬度が250HV未満であり、そして
前記陽極酸化層(5)は、硬度が300HVよりも大きい
ことを特徴とする方法。 - 前記陽極酸化層(5)は、厚みが2μm〜50μmである
ことを特徴とする請求項11に記載の方法。 - 前記陽極酸化層(5)は、厚みが10μm〜30μmである
ことを特徴とする請求項12に記載の方法。 - 前記陽極酸化ステップ(b)の陽極酸化処理は、伝統的な陽極酸化処理又はマイクロアーク酸化処理である
ことを特徴とする請求項11〜13のいずれかに記載の方法。 - 当該方法は、さらに、前記陽極酸化ステップ(b)の後に、仕上げ処理を行う仕上げ処理ステップ(c)を有する
ことを特徴とする請求項11〜14のいずれかに記載の方法。
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