JP6642976B2 - 管継手、流体制御器、流体制御装置、及び半導体製造装置 - Google Patents

Description

本発明は、管継手、流体制御器、流体制御装置、及び半導体製造装置に関する。

従来の管継手として、特許文献１に記載の非回転式継手が開示されている。この管継手は、内端に第１フランジ部を有する第１管部材と、第１フランジ部に環状のシール部材を介して突き当てられた第２フランジ部を有する第２管部材と、第１及び第２フランジ部とシール部材とを収容する筒状をなし、第１管部材が挿通されるとともに、内周が縮径された内フランジ部を一端に有し、第２管部材が挿通されるとともに、内周に雌ねじ部が形成された他端に有する雌ナットと、外周に雌ねじ部が螺合される雄ねじ部を有する雄ナットと、第１フランジ部と内フランジ部との間に設けられるリング状のスラスト受部材とを備えている。

また、特許文献２に開示されたねじ継手は、管継手のねじ部に金属メッキによる表面処理を行うことにより、ねじ部に作用する締結力による摩擦力を低減し、ねじ部のかじりや焼き付きを防止している。

特表２００２−５１１９１９号公報 特開２００４−５３０１３号公報

ところで、特許文献１に記載の管継手において、第１管部材の外端を弁の入口又は出口に溶接によって接続した場合、溶接箇所にいわゆる溶接焼けが発生する。この溶接焼けは除去薬品で除去する必要がある。

しかし、第１管部材の外端を弁に溶接する際には、上記管継手の構造上、雌ナットの内フランジに第１管部材の第１フランジ部が係合され、雌ナットは第１管部材からの抜き取りが阻止されている。従って、特に弁と管継手との面間距離が短い場合、作業スペースが狭いため、上記溶接焼け除去作業の作業性が悪化し、ひいては、溶接焼け除去作業時に使用する除去薬品が雌ナットの雌ねじ部に接液するおそれがある。

一方、管継手のシール性を高めるためには、雌ナットが雄ナットにある程度大きな締結力で螺合される。この場合、特許文献２に記載のように、管継手のかじりや焼き付きを防止するため、雌ナットの雌ねじ部に銀等の金属メッキ皮膜を形成することがある。しかし、溶接焼け除去作業時に除去薬品が雌ナットの雌ねじ部に接液すると、金属メッキ皮膜が酸化、剥離し、金属メッキ皮膜が汚損される。このような金属メッキ皮膜汚損は管継手の耐焼き付き性に悪影響を及ぼすおそれがある。

ところで、昨今の半導体製造装置では、製造される半導体集積回路の集積度の高度化に伴い、浮游微粒子（パーティクル）の数がより一層制限された、いわゆるスーパークリーンルームとなる設置環境が求められている。例えば、上記管継手を弁に溶接した流体制御器、及びこの流体制御器を用いた流体制御装置を半導体製造装置で使用する場合、上記金属メッキ皮膜汚損により剥離した金属メッキ被膜がパーティクルとなって、スーパークリーンルームで要求される空気清浄度の基準をクリアできなくなるおそれがある。

本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、溶接焼け除去作業の作業性を高めながら、ねじ部における金属メッキ皮膜汚損を防止することにより、生産性及び信頼性の高い管継手、流体制御器、流体制御装置、及び半導体製造装置を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の流体制御器は、一端に第１フランジ部を有する第１管部材と、筒状をなし、内周が縮径された内フランジ部を一端に有し、この一端から第１管部材が挿通されるとともに、内周に金属メッキ皮膜が形成された雌ねじ部を他端に有する雌ナットと、第１フランジ部と内フランジ部との間に設けられるリング状のスラスト受部材とを含む管継手を備えた流体制御器であって、第１フランジ部は、内フランジ部の内径よりも小となる外径を有し、スラスト受部材は、内フランジ部の内径よりも大となる外径と、第１フランジ部の外径よりも小となる内径と、スラスト受部材の内径を規定し、第１管部材へのスラスト受部材の装着を許容する、開放された又は開放可能な内周面とを有し、流体制御器は、管継手と、流体の入口及び出口を有し、入口及び出口の少なくとも何れか一方に第１管部材の他端が溶接によって接続された弁と、第１フランジ部に環状のシール部材を介して突き当てられた第２フランジ部を有し、雌ナットの他端に挿通される第２管部材と、内端が第２フランジ部に係合するように第２管部材に外嵌され、外周に雌ねじ部が螺合される雄ねじ部を有する雄ナットとを備え、管継手を使用して組み立てられた後に雌ナットが第１管部材から抜き取り阻止される組立体を形成するべく、第１管部材が弁に溶接され、溶接箇所に生じた溶接焼けを除去薬品で除去された後に、雌ナットが組み付けられてなり、組立体は、雌ナットを第１管部材に挿通し、雌ナットの内端から第１フランジ部を突出させ、雌ナットの内端と第１フランジ部との間に、第１管部材におけるスラスト受部材の装着領域を前記スラスト受部材の厚みと実質的に同一の幅となるように露出し、装着領域に対して径方向からスラスト受部材を装着し、雌ナットを弁から離間させるように移動し、雌ナット内にて、スラスト受部材を介し第１フランジ部を内フランジ部に係合させ、雌ナット内にシール部材を挿入した後に、第２管部材に挿通された雄ナットを雌ナット内に挿入し、雌ナットの雌ねじ部を雄ナットの雄ねじ部に螺合させてなる。

好ましくは、スラスト受部材は、その周方向に分割した複数の分割片からなる。
好ましくは、各分割片は、その周方向に凹凸となる相補形状の接合面を有する。
好ましくは、スラスト受部材は、内周面を開放する切り欠きを有する。
好ましくは、スラスト受部材は、段付きのリング形状をなす。
また、本発明の流体制御装置は、上述した何れかの流体制御器を備える。
また、本発明の半導体製造装置は、上述の流体制御装置を備える。

本発明によれば、溶接焼け除去作業の作業性を高めながら、ねじ部における金属メッキ皮膜汚損を防止することにより、生産性及び信頼性の高い管継手、流体制御器、流体制御装置、及び半導体製造装置を提供することができる。
詳しくは、本発明の管継手及びそれを備えた流体制御器では、第１フランジ部は、内フランジ部の内径よりも小となる外径を有し、スラスト受部材は、内フランジ部の内径よりも大となる外径と、第１フランジ部の外径よりも小となる内径と、スラスト受部材の内径を規定し、第１管部材へのスラスト受部材の装着を許容する、開放された又は開放可能な内周面とを有し、流体制御器は、管継手と、流体の入口及び出口を有し、入口及び出口の少なくとも何れか一方に第１管部材の他端が溶接によって接続された弁と、第１フランジ部に環状のシール部材を介して突き当てられた第２フランジ部を有し、雌ナットの他端に挿通される第２管部材と、内端が第２フランジ部に係合するように第２管部材に外嵌され、外周に雌ねじ部が螺合される雄ねじ部を有する雄ナットとを備え、管継手を使用して組み立てられた後に雌ナットが第１管部材から抜き取り阻止される組立体を形成するべく、第１管部材が弁に溶接され、溶接箇所に生じた溶接焼けを除去薬品で除去された後に、雌ナットが組み付けられてなり、組立体は、雌ナットを第１管部材に挿通し、雌ナットの内端から第１フランジ部を突出させ、雌ナットの内端と第１フランジ部との間に、第１管部材におけるスラスト受部材の装着領域を前記スラスト受部材の厚みと実質的に同一の幅となるように露出し、装着領域に対して径方向からスラスト受部材を装着し、雌ナットを弁から離間させるように移動し、雌ナット内にて、スラスト受部材を介し第１フランジ部を内フランジ部に係合させ、雌ナット内にシール部材を挿入した後に、第２管部材に挿通された雄ナットを雌ナット内に挿入し、雌ナットの雌ねじ部を雄ナットの雄ねじ部に螺合させてなる。

これにより、組み立て後に雌ナットが第１管部材から抜き取り阻止される構造の管継手において、第１管部材を弁に溶接し、溶接箇所に生じた溶接焼けを除去薬品で除去した後に、雌ナットを組み付けることができる。従って、弁と管継手との面間距離が短い場合であっても、溶接焼け除去作業のスペースを十分に確保することができるため、溶接焼け除去作業の作業性が大幅に向上する。

また、溶接焼け除去作業時に使用する除去薬品が雌ナットの雌ねじ部に接液することは無いため、雌ねじ部に形成された銀メッキ皮膜を確実に保護することができる。これにより、雌ねじ部における銀メッキ皮膜汚損（銀メッキ皮膜の酸化、剥離等）が防止され、管継手の耐焼き付き性が損なわれることを防止することができる。

また、流体制御器、及びこの流体制御器を用いた流体制御装置が半導体製造装置で使用される場合、雌ねじ部における銀メッキ皮膜汚損が防止されることにより、剥離した銀メッキ皮膜がパーティクルとなることが阻止される。これにより、半導体製造装置が設置されるスーパークリーンルームの空気清浄度の基準を確実にクリアすることができる。

一方、具体的には、スラスト受部材の内径を規定し、第１管部材へのスラスト受部材の装着を許容する、開放された又は開放可能な内周面は、スラスト受部材をその周方向に分割した複数の分割片から形成される。
また、スラスト受部材の各分割片をその周方向に凹凸となる相補形状の接合面を有するように形成した場合には、スラスト受部材の一体化が促進され、スラスト受部材に、スラスト受部材に作用するスラスト荷重に抗する座屈強度を付与することができ、スラスト受部材の剛性を更に高めることができる。

また、スラスト受部材の内径を規定し、第１管部材へのスラスト受部材の装着を許容する、開放された又は開放可能な内周面は、スラスト受部材にその内周面を開放する切り欠きにより形成される。この場合には、スラスト受部材を一部材で形成することができるため、流体制御器の部品点数を削減することができる。

また、スラスト受部材を段付きのリング形状に形成した場合には、スラスト受部材の剛性を高めることができ、更には、スラスト受部材に作用するスラスト荷重を第１管部材側に逃がすこともできる。従って、この場合には、スラスト受部材の座屈強度を更に高めることができる。

本発明の一実施形態に係る流体制御器の斜視図である。 図１の管継手の縦断面図である。 図１の流体制御器の各管継手に第２管部材及び雄ナットを接続した組立体の斜視図である。 図３の管継手を含む組立体の分解斜視図である。 図４組立体を管継手を介して弁に溶接した状態を示した一部縦断面図である。 図５の組立体の完成形に至る手順として、先ず、弁に第１管部材を溶接しただけの状態を示した図である。 図６の状態から、更に雌ナットを内フランジ部側から第１管部材の第１フランジ部に挿入した状態を示した図である。 図７の状態から、更に雌ナットを第１管部材に挿通し、雌ナットの内端から第１フランジ部を突出させた状態を示した図である。 図８の状態から、スラスト受部材の分割片を第１管部材の装着領域に装着した状態を示した図である。 図９の状態から、スラスト受部材を介して第１フランジ部を内フランジ部に係合させた状態を示した図である。 図１０の状態から、雌ナット内にガスケットを挿入した状態を示した図である。 図１１の状態から、第２管部材を第２フランジ部から雌ナット内に挿入し、続いて第２管部材に雄ナットを挿通させた状態を示した図である。 本発明の第２実施形態に係るスラスト受部材の斜視図である。 本発明の第３実施形態に係るスラスト受部材の斜視図である。 本発明の第４実施形態に係るスラスト受部材の斜視図である。

以下、図面に基づき本発明の実施形態に係る流体制御器について説明する。
図１は流体制御器１の斜視図を示す。流体制御器１は、流体の入口２ａ及び出口２ｂを有する弁２と、入口２ａ及び出口２ｂのそれぞれに溶接によって接続された管継手４とを備えている。弁２は、例えば自動弁又は手動弁であって、弁２には図１の矢印で示す方向に流体が流れる。こうした管継手４を弁２に溶接した流体制御器１は、何れも図示しないフローコントローラ、レギュレータ等が配管で接続された流体回路をなす流体制御装置に使用され、この流体制御装置は、例えば図示しない半導体製造装置のガス処理ライン等で使用される。

図２に示すように、各管継手４は、何れも後で詳述するが、流体通路６を形成する第１管部材８、第１管部材８及び第２管部材１０を結合するための雌ナット１２、及びスラスト受部材２８から形成されている。
また、図３に示すように、流体制御器１を構成する各管継手４の外端には、何れも後で詳述するが、それぞれ、第２管部材１０と、第２管部材１０を雌ナット１２側に係合させるための雄ナット１４とが接続された組立体として使用される。

＜第１実施形態＞
図４は管継手４を含む組立体の分解斜視図を示し、図５は当該組立体を管継手４にて弁２に溶接した状態の一部縦断面図を示す。第１管部材８は、組立体における外端（他端）８ａが雌ナット１２から突出されて弁２に溶接され、内端（一端）８ｂに第１フランジ部１６を有している。

第２管部材１０は、組立体における外端１０ａが雄ナット１４から突出され、図示しない流体回路を形成する配管や構成機器に溶接等で接続され、内端（一端）１０ｂに第２フランジ部１８を有している。第２フランジ部１８は、第１フランジ部１６に環状のガスケット（シール部材）２０を介して突き当てられる。ガスケットはステンレス鋼等から形成されたメタルガスケットである。

雌ナット１２は、第１及び第２フランジ部１６、１８とガスケット２０とを収容する筒状をなしている。雌ナット１２は、内周が縮径された内フランジ部２２を、組立体における外端（一端）１２ａに有し、この外端１２ａから第１管部材８が挿通されるとともに、内周に雌ねじ部２４が形成された内端（他端）１２ｂを有し、この内端１２ｂから第２管部材１０が挿通される。更に、雌ねじ部２４には、銀メッキ皮膜（以下、単にメッキ皮膜とも称する）を形成する表面処理が施されている。

雄ナット１４は、組立体における内端（一端）１４ａが第２フランジ部１８に係合するように第２管部材１０に外嵌され、内端１４ａ側の外周に、雌ねじ部２４が螺合される雄ねじ部２６が形成されている。
そして、第１フランジ部１６と内フランジ部２２との間にはスラスト受部材２８が設けられている。スラスト受部材２８には、管継手４において雌ナット１２及び雄ナット１４によるスラスト方向の締結力が作用する。

このような管継手４では、図５に示すように、雌ナット１２の内フランジ部２２に第１管部材８の第１フランジ部１６がスラスト受部材２８を介して係合され、雌ナット１２は第１管部材８から抜き取りが阻止されている。同様に、雄ナット１４の内端１４ａに第２管部材１０の第２フランジ部１８が係合され、雌ナット１２は第２管部材１０からも抜き取りが阻止されている。

そして、管継手４では、ガスケット２０の両面に第１及び第２管部材８、１０の内端８ｂ、１０ｂを向かい合わせた状態で、雌ナット１２と雄ナット１４とを互いにねじ込み、これら第１及び第２管部材８、１０の内端８ｂ、１０ｂがガスケット２０の両面に圧接する。これにより、ガスケット２０を介して第１及び第２管部材８、１０が気密又は液密に結合される。

ここで、図５に示すように、本実施形態では、内フランジ部２２の内径Ｄ２は、第１フランジ部１６の外径Ｄ１よりも大きく形成される。また、スラスト受部材２８は、内フランジ部２２の内径Ｄ２よりも大となる外径Ｄ３と、第１フランジ部１６の外径Ｄ１よりも小となる内径Ｄ４とを有して形成されている。

また、図４に示すように、本実施形態のスラスト受部材２８は、周方向に２分割された半割の分割片２８ａ、２８ｂから形成され、分割片２８ａ、２８ｂの端面同士を当接するようにして第１管部材８に装着する。すなわち、スラスト受部材２８は、第１管部材８への装着後の形状としてはリング状をなし、第１管部材８への装着に際しては分割して使用する。

以下、図６から図１２を参照して、流体制御器１の製造手順及び流体制御器１の第２管部材１０への接続手順について詳しく説明する。
先ず、図６に示すように、弁２の入口２ａ又は出口２ｂに第１管部材８の外端８ａを溶接により接続する。溶接後には、溶接箇所に生じた溶接焼けを除去薬品により除去する。
次に、図７に示すように、雌ナット１２を内フランジ部２２側から第１管部材８の第１フランジ部１６に矢印方向に挿入していく。

次に、図８に示すように、雌ナット１２を第１管部材８に挿通し、雌ナット１２の内端１２ｂから第１フランジ部１６を突出させる。この際、雌ナット１２の内端１２ｂと第１フランジ部１６との間に、第１管部材８におけるスラスト受部材２８の装着領域８ｃが露出される。そして、この装着領域８ｃに対して矢印方向にスラスト受部材２８の分割片２８ａ、２８ｂを装着していく。

次に、図９に示すように、装着領域８ｃに分割片２８ａ、２８ｂを装着することにより、第１管部材８に装着されたリング状をなすスラスト受部材２８が形成される。
次に、図１０に示すように、雌ナット１２を弁２から離間させるように矢印方向に移動させ、雌ナット１２内にて、スラスト受部材２８を介し第１フランジ部１６を内フランジ部２２に係合させる。

次に、図１１に示すように、雌ナット１２内にガスケット２０を挿入する。
最後に、図１２に示すように、第２管部材１０に挿通された雄ナット１４を、雌ナット１２内に矢印方向に挿入し、雌ナット１２の雌ねじ部２４を雄ナット１４の雄ねじ部２６に螺合させ、所望の締結トルクで締結することにより、図５に示したような管継手４ひいては流体制御器１を含む組立体が製造される。

以上のように本実施形態によれば、生産性及び信頼性の高い管継手４、この管継手４を用いた流体制御器１、この流体制御器１を用いた流体制御装置、及びこの流体制御装置を用いた半導体製造装置を提供することができる。
具体的には、管継手４を使用して組み立て後に雌ナット１２が第１管部材８から抜き取り阻止される組立体を形成する場合、第１管部材８を弁２に溶接し、溶接箇所に生じた溶接焼けを除去薬品で除去した後に、雌ナット１２を組み付けることができる。これにより、弁２と管継手４との面間距離が短い場合であっても、溶接焼け除去作業のスペースを十分に確保することができるため、溶接焼け除去作業の作業性が大幅に向上する。

また、溶接焼け除去作業時に使用する除去薬品が雌ナット１２の雌ねじ部２４に接液することは無いため、雌ねじ部２４に形成された銀メッキ皮膜を確実に保護することができる。これにより、雌ねじ部２４における銀メッキ皮膜汚損（銀メッキ皮膜の酸化、剥離等）が防止され、管継手４の耐焼き付き性が損なわれることを防止することができる。

また、流体制御器１、及び流体制御器１を用いた流体制御装置が半導体製造装置で使用される場合、雌ねじ部２４における銀メッキ皮膜汚損が防止されることにより、剥離した銀メッキ皮膜がパーティクルとなることが阻止される。これにより、半導体製造装置が設置されるスーパークリーンルームの空気清浄度の基準を確実にクリアすることができる。

＜第２実施形態＞
図１３は、管継手４及び流体制御器１の第２実施形態に係るスラスト受部材３０を示す斜視図である。その他の構成は第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。
スラスト受部材３０は、第１実施形態の場合と同様に、周方向に２分割された半割の分割片３０ａ、３０ｂから形成され、第１管部材８への装着後の形状としてはリング状をなし、その内径Ｄ４を規定する内周面３０ｃが第１管部材８への装着に際しては分割により開放可能となっている。

また、スラスト受部材３０は、第１実施形態の場合と同様に、内フランジ部２２の内径Ｄ２よりも大となる外径Ｄ３と、第１フランジ部１６の外径Ｄ１よりも小となる内径Ｄ４とを有して形成されている。そして、本実施形態の場合、分割片３０ａ、３０ｂは、スラスト受部材３０の周方向に凹凸となる相補形状の接合面３０ａ１、３０ｂ１をそれぞれ有している。

分割片３０ａ、３０ｂは、これら接合面３０ａ１、３０ｂ１同士を噛み合わせるようにして第１管部材８に装着される。本実施形態の場合、スラスト受部材３０を周方向に凹凸となる接合面３０ａ１、３０ｂ１同士で噛み合わせる構造としたことにより、第１管部材８への装着時におけるスラスト受部材３０の一体化が促進される。また、スラスト受部材３０に、スラスト受部材３０に作用するスラスト荷重に抗する座屈強度を付与することができる。従って、スラスト受部材３０の剛性を更に高めることができ、スラスト受部材３０、流体制御器１、この流体制御器１を用いた流体制御装置、及びこの流体制御装置を用いた半導体製造装置の信頼性を更に向上することができる。

＜第３実施形態＞
図１４は、管継手４及び流体制御器１の第３実施形態に係るスラスト受部材３２を示す斜視図であり、その他の構成は第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。
スラスト受部材３２は、その形状をリング状と仮定したときの内周面３２ａを開放する切り欠き３２ｂを有している。スラスト受部材３２は、切り欠き３２ｂの部位を除いて、その形状をリング状と仮定したとき、内フランジ部２２の内径Ｄ２よりも大となる外径Ｄ３と、第１フランジ部１６の外径Ｄ１よりも小となり、内周面３２ａにより規定される内径Ｄ４とを有して形成されている。

本実施形態の場合、スラスト受部材３２を一部材で形成することができるため、流体制御器１の部品点数を削減することができる。従って、スラスト受部材３２、流体制御器１、この流体制御器１を用いた流体制御装置、及びこの流体制御装置を用いた半導体製造装置の生産性を更に向上することができる。

＜第４実施形態＞
図１５は、管継手４及び流体制御器１の第４実施形態に係るスラスト受部材３４を示す斜視図であり、その他の構成は第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。
スラスト受部材３４は、周方向に２分割された半割の分割片３４ａ、３４ｂから形成され、第１管部材８への装着後の形状が段付きのリング形状をなしている。スラスト受部材３４は、分割片３４ａ、３４ｂの接合によりフランジ部３６を形成し、このフランジ部３６は、第１実施形態の場合と同様に、内フランジ部２２の内径Ｄ２よりも大となる外径Ｄ３と、第１フランジ部１６の外径Ｄ１よりも小となる内径Ｄ４とを有している。

また、フランジ部３６の内径Ｄ４を規定するスラスト受部材３４の内周面３４ｃは、第１管部材８への装着に際しては分割により開放される。
スラスト受部材３４のフランジ部３６以外の筒状部３８は、管継手４にて雌ナット１２の内フランジ部２２と第１管部材８との間に位置付けられ、筒状部３８は少なくとも第１管部材８に当接可能である。

本実施形態の場合、スラスト受部材３４を段付きのリング形状に形成したことにより、第１実施形態の場合に比して、スラスト受部材３４の剛性を高めることができる。
以上で本発明の各実施形態についての説明を終えるが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更ができるものである。

例えば、上記各実施形態では、弁２の入口２ａ及び出口２ｂの双方に同様の管継手４が溶接されているが、弁２の入口２ａ及び出口２ｂの一方のみに管継手４を溶接して流体制御器１を形成しても良い。
また、雌ナット１２の雌ねじ部２４に形成される銀メッキ皮膜は、銀に限らない他の金属や複合材料を使用した金属メッキ皮膜であっても良い。

また、第１から第４実施形態の各スラスト受部材の形状を組み合わせることは許容される。例えば、図１５に示したリング形状のスラスト受部材３４に、図１４に示したような切り欠き３２ｂを設けても良いし、図１３に示したような凹凸の接合面３０ａ１、３０ｂ１を形成しても良い。

また、管継手４を弁２に溶接した流体制御器１は、種々の流体回路を構成する流体制御装置に適用可能であり、流体制御器１を用いた流体制御装置は、半導体製造装置に限らない種々の製造装置に適用可能である。

１ 流体制御器
２ 弁
２ａ 入口
２ｂ 出口
４ 管継手
８ 第１管部材
８ａ 外端（他端）
８ｂ 内端（一端）
１０ 第２管部材
１２ 雌ナット
１２ａ 外端（一端）
１２ｂ 内端（他端）
１４ 雄ナット
１４ａ 内端（一端）
１６ 第１フランジ部
１８ 第２フランジ部
２０ ガスケット（シール部材）
２２ 内フランジ部
２４ 雌ねじ部
２６ 雄ねじ部
２８、３０、３２、３４ スラスト受部材
２８ｃ、３０ｃ、３２ａ、３４ｃ 内周面
２８ａ、２８ｂ 分割片
３０ａ、３０ｂ 分割片
３４ａ、３４ｂ 分割片
３０ａ１、３０ｂ１ 接合面
３２ｂ 切り欠き

Claims (7)

1. 一端に第１フランジ部を有する第１管部材と、
   筒状をなし、内周が縮径された内フランジ部を一端に有し、この一端から前記第１管部材が挿通されるとともに、内周に金属メッキ皮膜が形成された雌ねじ部を他端に有する雌ナットと、
   前記第１フランジ部と前記内フランジ部との間に設けられるリング状のスラスト受部材と
   を含む管継手を備えた流体制御器であって、
   前記第１フランジ部は、前記内フランジ部の内径よりも小となる外径を有し、
   前記スラスト受部材は、
   前記内フランジ部の内径よりも大となる外径と、
   前記第１フランジ部の外径よりも小となる内径と、
   前記スラスト受部材の内径を規定し、前記第１管部材への前記スラスト受部材の装着を許容する、開放された又は開放可能な内周面と
   を有し、
   前記管継手と、
   流体の入口及び出口を有し、前記入口及び出口の少なくとも何れか一方に前記第１管部材の他端が溶接によって接続された弁と、
   前記第１フランジ部に環状のシール部材を介して突き当てられた第２フランジ部を有し、前記雌ナットの他端に挿通される第２管部材と、
   内端が前記第２フランジ部に係合するように前記第２管部材に外嵌され、外周に前記雌ねじ部が螺合される雄ねじ部を有する雄ナットと
   を備え、
   前記管継手を使用して組み立てられた後に前記雌ナットが前記第１管部材から抜き取り阻止される組立体を形成するべく、前記第１管部材が前記弁に溶接され、溶接箇所に生じた溶接焼けを除去薬品で除去された後に、前記雌ナットが組み付けられてなり、
   前記組立体は、前記雌ナットを前記前記第１管部材に挿通し、前記雌ナットの内端から前記第１フランジ部を突出させ、前記雌ナットの内端と前記第１フランジ部との間に、前記第１管部材における前記スラスト受部材の装着領域を前記スラスト受部材の厚みと実質的に同一の幅となるように露出し、前記装着領域に対して径方向から前記スラスト受部材を装着し、前記雌ナットを前記弁から離間させるように移動し、前記雌ナット内にて、前記スラスト受部材を介し前記第１フランジ部を前記内フランジ部に係合させ、前記雌ナット内に前記シール部材を挿入した後に、前記第２管部材に挿通された前記雄ナットを前記雌ナット内に挿入し、前記雌ナットの前記雌ねじ部を前記雄ナットの前記雄ねじ部に螺合させてなる、流体制御器。
2. 前記スラスト受部材は、その周方向に分割した複数の分割片からなる、請求項１に記載の流体制御器。
3. 前記各分割片は、その周方向に凹凸となる相補形状の接合面を有する、請求項２に記載の流体制御器。
4. 前記スラスト受部材は、前記内周面を開放する切り欠きを有する、請求項１に記載の流体制御器。
5. 前記スラスト受部材は、段付きのリング形状をなす、請求項１から４の何れか一項に記載の流体制御器。
6. 請求項１から５の何れか一項に記載の流体制御器を備えた、流体制御装置。
7. 請求項６に記載の流体制御装置を備えた、半導体製造装置。

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