JP6642507B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
ダイオード形成領域(Di)を有する半導体基板(10)と、
ダイオード形成領域における半導体基板の主面(10a)の表層に形成された第1導電型の上部拡散領域(20,50,70)と、
半導体基板の深さ方向において主面に対して上部拡散領域よりも深い位置に形成される第2導電型の下部拡散領域(30,60,80)と、を備え、
下部拡散領域は、主面より深い位置において上部拡散領域とのPN接合面(S)を成すとともに、ダイオード形成領域における下部拡散領域の不純物濃度プロファイルにおいて、濃度の極大を示す極大点(P,P1,P2)を有する。
半導体基板(10)を準備すること、
半導体基板の主面(10a)における表層に不純物を注入して、主面を正面視したときに回転対称の形状となるように第2導電型の下部注入領域(31,61,81)を形成すること、
下部注入領域の形成の後、アニールにより下部注入領域を拡散すること、
下部注入領域のアニールによる拡散の後、半導体基板の主面における表層に不純物を注入して、下部注入領域よりも主面に対して浅い位置に、下部注入領域と同心の回転対称形状となるように第1導電型の上部注入領域(21,51,71)を形成すること、
上部注入領域の形成の後、アニールにより下部注入領域を拡散して下部拡散領域(30,60,80)を形成するとともに、上部注入領域を拡散して上部拡散領域(20,50,70)を形成すること、を備え、
下部注入領域の形成において、主面を正面視したときの直径(R)は、半導体基板の深さ方向における下部拡散領域の形成深さと同一に設定する。
第2導電型の半導体基板(10)を準備すること、
半導体基板の主面における表層に不純物を注入して、半導体基板よりも不純物濃度が高くされた第2導電型の下部注入領域(31,61,81)を形成すること、
下部注入領域の形成の後、アニールにより下部注入領域を拡散すること、
下部注入領域のアニールによる拡散の後、拡散した下部注入領域の表層に不純物を注入して、下部注入領域よりも主面に対して浅い位置に、第1導電型の上部注入領域(21,51)を形成すること、
上部注入領域の形成の後、アニールにより下部注入領域を拡散して下部拡散領域(30,60,80)を形成するとともに、上部注入領域を拡散して上部拡散領域(20,50,70)を形成すること、
加えて、半導体基板の表層であって下部注入領域とは離間した位置に不純物を注入して第2導電型の対極注入領域(92)を形成すること、
半導体基板の表層であって対極注入領域と下部注入領域の間の領域に半導体基板よりも不純物濃度の高い極間領域(91)を形成すること、を備える。
最初に、図1を参照して、本実施形態に係る半導体装置の概略構成について説明する。
第1実施形態においては、上部拡散領域20を主体としたとき、上部拡散領域20と下部拡散領域30とのPN接合面Sが凹面である例を示したが、凸面であっても良い。
第1実施形態および第2実施形態に例示したような下部拡散領域30,60を有する構成においては、ブレークダウンが発生した際の空乏層が、半導体基板10の表層における下部拡散領域30,60の外側の広い領域まで及ぶ場合がある。これは、半導体装置10の表層における表面トラップに起因すると推察され、アノードとしての上部拡散領域20,50とカソードとの間の電流経路の電気抵抗の上昇が生じる。そして、この電気抵抗の上昇は、ツェナー電圧の経時的変動の要因となる虞がある。
第3実施形態では、極間領域91の形成に際して、下部拡散領域80とカソード領域90の形成に係るイオン注入とは別の工程として、極間注入領域93を形成する例について説明したが、下部拡散領域80とカソード領域90の形成位置を近接させることよって、極間注入領域93を形成する工程を省略することができる。
以上、好ましい実施形態について説明したが、上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
Claims (23)
- ダイオード形成領域(Di)を有する半導体基板(10)と、
前記ダイオード形成領域における前記半導体基板の主面(10a)の表層に形成された第1導電型の上部拡散領域(20,50,70)と、
前記半導体基板の深さ方向において前記主面に対して前記上部拡散領域よりも深い位置に形成され、前記半導体基板よりも不純物濃度が高くされた第2導電型の下部拡散領域(30,60,80)と、を備え、
前記下部拡散領域は、前記主面より深い位置において前記上部拡散領域とのPN接合面(S)を成すとともに、
前記ダイオード形成領域における前記下部拡散領域の不純物濃度プロファイルにおいて、濃度の極大を示す極大点(P,P1,P2)を有する半導体装置。 - 前記上部拡散領域および前記下部拡散領域は、前記極大点を通り前記深さ方向に沿う仮想線を対称軸(A,B)として回転対称に分布し、前記PN接合面は、凹面または凸面である請求項1に記載の半導体装置。
- 前記主面を正面視したとき、前記上部拡散領域と前記下部拡散領域とは互いに相似形である請求項2に記載の半導体装置。
- 前記上部拡散領域および前記下部拡散領域は、前記主面を正面視したとき、前記対称軸を中心とする真円状に分布する請求項2または請求項3に記載の半導体装置。
- 前記下部拡散領域は、前記上部拡散領域を覆うように形成され、前記下部拡散領域の一部が前記主面に露出する請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記主面上に設けられたシリサイドブロック層(40)をさらに備え、
前記シリサイドブロック層は、前記主面に露出する前記上部拡散領域と第2導電型の半導体領域とのPN接合線(L1,L2)を跨ぐように形成される請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記半導体基板は第2導電型であり、
前記ダイオード形成領域における前記主面の表層に形成され、前記半導体基板よりも不純物濃度が高くされた第2導電型の対極領域(90)を、さらに備え、
前記主面の表層であって、前記上部拡散領域と前記対極領域との間の領域に、前記半導体基板よりも不純物濃度の高い第2導電型の極間領域(91)が形成される請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記極間領域の不純物濃度は、前記下部拡散領域における不純物濃度の前記極大点よりも低い濃度とされる請求項7に記載の半導体装置。
- 前記極間領域は、前記下部拡散領域および前記対極領域とは独立した不純物領域として形成される請求項7または請求項8に記載の半導体装置。
- 前記極間領域は、前記下部拡散領域および前記対極領域を第2導電型たらしめる不純物がオーバーラップすることによって形成される請求項7または請求項8に記載の半導体装置。
- 半導体基板(10)を準備すること、
前記半導体基板の主面における表層に不純物を注入して、前記主面を正面視したときに回転対称の形状となるように前記半導体基板よりも不純物濃度が高くされた第2導電型の下部注入領域(31,61,81)を形成すること、
前記下部注入領域の形成の後、アニールにより前記下部注入領域を拡散すること、
前記下部注入領域のアニールによる拡散の後、前記半導体基板の主面における表層に不純物を注入して、前記下部注入領域よりも前記主面に対して浅い位置に、前記下部注入領域と同心の回転対称形状となるように第1導電型の上部注入領域(21,51,71)を形成すること、
前記上部注入領域の形成の後、アニールにより前記下部注入領域を拡散して下部拡散領域(30,60,80)を形成するとともに、前記上部注入領域を拡散して上部拡散領域(20,50,70)を形成すること、を備え、
前記下部注入領域の形成において、前記主面を正面視したときの直径(R)は、前記半導体基板の深さ方向における前記下部拡散領域の形成深さと同一に設定する半導体装置の製造方法。 - 前記主面を正面視したとき、前記上部拡散領域と前記下部拡散領域とが互いに相似形となるように、前記下部注入領域および前記上部注入領域とを相似形に形成する、請求項11に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記上部注入領域および前記下部注入領域は、前記主面を正面視したとき、回転対称に係る対称軸を中心とする真円状に分布するように形成する請求項11または請求項12に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記上部注入領域の形成において、均一な深さで不純物を注入する請求項11〜13のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記主面に露出する前記上部拡散領域と第2導電型の半導体領域とのPN接合線を跨ぐように、前記主面上にシリサイドブロック層(40)を形成すること、をさらに備える請求項11〜14のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板は第2導電型であり、
さらに、前記半導体基板の表層であって前記下部注入領域とは離間した位置に不純物を注入して第2導電型の対極注入領域(92)と形成すること、
前記半導体基板の表層であって前記対極注入領域と前記下部注入領域の間の領域に前記半導体基板よりも不純物濃度の高い極間領域(91)を形成すること、を備える請求項11〜15のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記極間領域の不純物濃度を、前記下部拡散領域における不純物濃度の最大値のよりも低い濃度とする請求項16に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記極間領域を、前記下部注入領域および前記対極注入領域とは独立した極間注入領域(93)を形成し、アニールによる拡散により形成する請求項16または請求項17に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記極間領域を、前記下部注入領域のアニールにより拡散した不純物と、前記対極注入領域のアニールにより拡散した不純物とによって形成する請求項16または請求項17に記載の半導体装置の製造方法。
- 第2導電型の半導体基板(10)を準備すること、
前記半導体基板の主面における表層に不純物を注入して、前記半導体基板よりも不純物濃度が高くされた第2導電型の下部注入領域(31,61,81)を形成すること、
前記下部注入領域の形成の後、アニールにより前記下部注入領域を拡散すること、
前記下部注入領域のアニールによる拡散の後、拡散した前記下部注入領域の表層に不純物を注入して、前記下部注入領域よりも前記主面に対して浅い位置に、第1導電型の上部注入領域(21,51,71)を形成すること、
前記上部注入領域の形成の後、アニールにより前記下部注入領域を拡散して下部拡散領域(30,60,80)を形成するとともに、前記上部注入領域を拡散して上部拡散領域(20,50,70)を形成すること、
加えて、前記半導体基板の表層であって前記下部注入領域とは離間した位置に不純物を注入して第2導電型の対極注入領域(92)を形成すること、
前記半導体基板の表層であって前記対極注入領域と前記下部注入領域の間の領域に前記半導体基板よりも不純物濃度の高い極間領域(91)を形成すること、を備える半導体装置の製造方法。 - 前記極間領域の不純物濃度を、前記下部拡散領域における不純物濃度の最大値のよりも低い濃度とする請求項20に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記極間領域を、前記下部注入領域および前記対極注入領域とは独立した極間注入領域(93)を形成し、アニールによる拡散により形成する請求項20または請求項21に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記極間領域を、前記下部注入領域のアニールにより拡散した不純物と、前記対極注入領域のアニールにより拡散した不純物とによって形成する請求項20または請求項21に記載の半導体装置の製造方法。
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