JP6640215B2 - ヘッダサブアセンブリ及び関連する方法並びに光電子サブアセンブリ - Google Patents

Description

本開示は、光信号を用いてネットワーク上でデータを送信する高速光ファイバネットワークに関する。

光ファイバネットワークは、銅線ベースのネットワークなどの他のタイプのネットワークに比べて様々な利点を有する。多くの既存の銅線ネットワークは銅線技術のほぼ最大可能データ転送速度及びほぼ最大可能距離で動作する。光ファイバネットワークは、銅線ネットワークで可能な距離よりも更に遠くの距離にわたってデータをより高速で確実に送信することができる。

請求項に記載される主題は、任意の欠点を解決する構成又は上記のような環境でのみ動作する構成に限定されるものではない。本背景技術は、単に本開示が用いられ得る例を示すために提供するものである。

本発明の目的は、上記した光ファイバネットワークに関して、より向上させた光電子サブアセンブリを提供することにある。

１つの例では、ヘッダサブアセンブリは、ボトム層と、頂部薄膜信号線を有するトップ層と、トップ層とボトム層との間にある、厚膜トレースを有する１つ以上の中間層であって、厚膜トレースは頂部薄膜信号線に電気的に結合されている、中間層と、を有する多層基板と、多層基板上に配置され、信号線と電気的に結合された光電子部品と、を含む。別の例では、ヘッダサブアセンブリは、ボトム層と、第１の寸法公差を有する頂部薄膜信号線を有するトップ層と、トップ層とボトム層との間にある、厚膜トレースを有する１つ以上の中間層であって、厚膜トレースは頂部薄膜信号線に電気的に結合されており、厚膜トレースは第１の寸法公差よりも大きな第２の寸法公差を有する、中間層と、を有する多層基板と、多層基板上に配置され、信号線と電気的に結合された光電子部品と、を含む。

更に別の例では、方法は、トップ材料層と、ボトム材料層と、中間材料層と、を含む材料層を形成するステップと、材料層の少なくとも１つに、厚膜メタライゼーションによって厚膜トレースを形成するステップと、材料層の少なくとも１つに、薄膜メタライゼーションによって薄膜信号線を形成するステップと、を含む。

更なる例では、方法は、ボトム層と、トップ層と、中間層と、を形成するステップを含む、多層基板を形成するステップと、厚膜メタライゼーションによって厚膜トレースを中間層の少なくとも１つに形成するステップと、薄膜メタライゼーションによってトップ層に薄膜信号線を形成するステップと、１つ以上の光電子部品を多層基板に結合するステップであって、光電子部品は、光学信号を送信する又は受信するように構成されている、ステップと、を含む。

この発明の概要は、以下、詳細な説明で更に記載する概念から選択したものを簡略化した形態で紹介するために提供するものである。この発明の概要は、開示される対象の主要な特徴又は必須の特性を特定することを目的とするものでも、特許請求の範囲の決定を補助するものとして使用することを目的とするものでもない。更なる特徴及び利点については以下の記載で説明され、その一部は記載から明らかとなる又は実施によって習得され得る。

例示的な光電子サブアセンブリの斜視図である。 図１Ａの光電子サブアセンブリの側断面図である。 図１Ａ〜図１Ｂの光電子サブアセンブリのヘッダサブアセンブリの上部斜視図である。 図１Ａ〜図１Ｂの光電子サブアセンブリのヘッダサブアセンブリの底部斜視図である。 図１Ａ〜図１Ｂの光電子サブアセンブリのヘッダサブアセンブリの側面図である。 図１Ａ〜図１Ｂの光電子サブアセンブリのヘッダサブアセンブリの頂面図である。 図１Ａ〜図１Ｂの光電子サブアセンブリのヘッダサブアセンブリの底面図である。 図１Ａ〜図１Ｂの光電子サブアセンブリのヘッダサブアセンブリの分解斜視図である。 図１Ａ〜図１Ｂの光電子サブアセンブリの光学部品の上部斜視図である。 図１Ａ〜図１Ｂの光電子サブアセンブリの光学部品の底部斜視図である。 図１Ａ〜図１Ｂの光電子サブアセンブリの光学部品の断面斜視図である。

図面を参照し、特定の言語を用いて本開示の種々の態様を記載する。図面及び明細書のこのような使用は、本開示の範囲を限定するものと解釈すべきではない。更なる態様は特許請求の範囲を含む本開示の観点から明らかであろう、又は実施により習得され得る。

以下の説明及び特許請求の範囲で使用される用語及び語は文献的意味に限定されず、単に本開示の明確且つ一貫した理解を可能にするために用いられる。文脈で別段の明確な指示がない限り、単数形「１つの（ａ）」、「１つの（ａｎ）」及び「その（ｔｈｅ）」は複数形の指示対象を含むことは理解すべきである。したがって、例えば、「部品表面（ａ ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ ｓｕｒｆａｃｅ）」を参照した場合、１つ以上のこのような表面の参照を含む。

「実質的に（ｓｕｂｓｔａｎｔｉａｌｌｙ）」という用語は、列挙する特性、パラメータ又は値を正確に実現する必要はなく、例えば、公差、測定誤差、測定精度限界及び当業者に既知の他の因子を含む逸脱又は変動が、特性が提供しようとする効果を妨げない量で発生し得ることを意味する。

「光電子サブアセンブリ（ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｓｕｂａｓｓｅｍｂｌｙ）」という用語は、光電子アセンブリの任意の部分を参照するために用いられる。しかしながら、時として、本開示では、「光電子サブアセンブリ」を、文脈で示されるように、光電子アセンブリの特定部分を参照するために使用する場合がある。

高速光ファイバネットワークは光信号（光学信号とも称される）を用いてネットワーク上でデータを送信する。光ファイバネットワークは、銅線ベースのネットワークなどの他のタイプのネットワークに比べて様々な利点を有する。多くの既存の銅線ネットワークは銅線技術のほぼ最大可能データ転送速度及びほぼ最大可能距離で動作する。光ファイバネットワークは、銅線ネットワークで可能な距離よりも更に遠くの距離にわたってデータをより高速で確実に送信することができる。

光ファイバネットワークは光信号を用いてデータを運ぶが、コンピュータなどの多くの電子デバイス及び他のネットワークデバイスでは電気信号を用いている。したがって、光電子アセンブリは、電気信号を光学信号に変換するために、光学信号を電気信号に変換するために、又は電気信号を光学信号に、光学信号を電気信号に変換するために使用してもよい。

光電子アセンブリは、受信器光電子サブアセンブリ（「ＲＯＳＡ」：ｒｅｃｅｉｖｅｒ ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｓｕｂａｓｓｅｍｂｌｙ）、送信器光電子サブアセンブリ（「ＴＯＳＡ」：ｔｒａｎｓｍｉｔｔｅｒ ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｓｕｂａｓｓｅｍｂｌｙ）又はこの両方などの光電子サブアセンブリ（「ＯＳＡ」：ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｓｕｂａｓｓｅｍｂｌｙ）を含んでもよい。ＲＯＳＡはフォトダイオードなどの光検出器によって光信号を受信し、光信号を電気信号に変換する。ＴＯＳＡは電気信号を受信し、対応する光信号を送信する。ＴＯＳＡは、光ファイバネットワークを通じて伝送される光を発生させるレーザなどの光学送信器を含んでもよい。光電子アセンブリ又はサブアセンブリは、光学部品及び／又は電子部品などの種々の部品を含んでもよい。

光電子アセンブリ又はサブアセンブリは、光学部品及び／又は電子部品などの種々の部品を含んでもよい。光学部品は光学信号に関与し、光学信号を、例えば、放出しても、受信しても、送信しても、搬送しても、集束しても及び／又は平行化してもよい。電気部品は電気信号に関与し、電子信号を、例えば、受信しても、送信しても、搬送しても、転換しても、変換しても、調整しても及び／又は増幅してもよい。光電子部品は電気信号及び光学信号の両方に関与してもよく、変換器部品と呼ばれる。光電子部品は光学信号を電気信号に変換してもよい及び／又は電気信号を光学信号に変換してもよい（例えば、ダイオード又はレーザ）。

いくつかの光電子アセンブリは、複数のチャンネル（「マルチチャンネル光電子アセンブリ」）を含んでもよく、各チャンネルは光ファイバを移動する１つ以上の光信号一式に対応する。マルチチャンネル光電子アセンブリは光ファイバネットワークにより増加したデータ転送速度をサポートしてもよい。例えば、４チャンネル光電子アセンブリは、類似の単一チャンネル光電子アセンブリのデータ転送速度の約４倍のデータ転送速度でデータを送信及び受信することができてもよい。

フェルールアセンブリは、光ファイバネットワークにおいて、光ファイバを光電子アセンブリ、光電子サブアセンブリ、光学部品及び／又は電子部品と物理的に及び／又は光学的に結合するために使用してもよい。例えば、フェルールアセンブリは、ＲＯＳＡ及び／又はＴＯＳＡを光ファイバネットワークの一部である光ファイバに接続するために使用してもよく、これにより、ＲＯＳＡが光学信号を受信することを可能にする及び／又はＴＯＳＡが光学信号を送信することを可能にする。追加的又は代替的に、フェルールアセンブリは、光ファイバネットワークにおいて電気又は光学信号を送信する又は受信するように構成された光電子アセンブリ又はサブアセンブリの一部を成してもよい。

いくつかの光電子アセンブリは、部品を保護するための気密的に封止されたハウジングを含んでもよい。しかしながら、特に光電子アセンブリが小型フォームファクタの業界標準に準拠する場合、気密的に封止されたハウジング内のスペースは制限してもよい。更に、気密的に封止されたハウジングの寸法を増加させると光電子アセンブリの製造コストが増加することがある。逆に、気密的に封止されたハウジングの寸法を減少させると光電子アセンブリの製造コストが減少する場合がある。

いくつかの気密的に封止された構造の製造では光電子アセンブリの製造コストが増加する場合がある。いくつかの状況において、大きな気密封止部分を持つ気密的に封止された構造の製造は、小さな気密封止部分を持つ気密的に封止された構造の製造よりも費用がかかることがある。いくつかの気密封止構造は光電子アセンブリの複雑さを増す場合がある。追加的又は代替的に、いくつかの気密封止構造は光電子アセンブリの寸法を増加させることがある。

光電子アセンブリは、寸法、電力操作、コンポーネントインターフェース、動作波長又は他の仕様などの光電子アセンブリの態様を指定する特定の規格に準拠する必要がある。このような規格の例としては、ＣＦＰ、ＸＡＵＩ、ＱＳＦＰ、ＱＳＦＰ＋、ＸＦＰ、ＳＦＰ及びＧＢＩＣが挙げられる。このような規格に準拠することで、構造、寸法、コスト、性能又は光電子アセンブリ設計の他の態様を制限する場合がある。このような規格は、フェルールアセンブリを受け入れるレセプタクルなどの光電子アセンブリ及び／又はハウジングなどの気密封止構造の部品の構成も制限する場合がある。

いくつかの光電子アセンブリでは、電子及び／又は高周波信号伝送線（「ＲＦ線」：ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｓｉｇｎａｌ ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｌｉｎｅｓ）はレーザ又は他の光電子アセンブリの部品を結合してもよい。ＲＦ線の電気性能（「ＲＦ性能」又は「ＲＦ応答」）は光電子アセンブリの動作にとって重要となり得る。正確に制御すること及び／又はＲＦ線の寸法を低減することは、適切な及び／又は良好なＲＦ性能を有する光電子アセンブリに寄与し得る。しかしながら、光電子アセンブリの部品の設計及び配置は、長さのあるＲＦ線が十分に制御される及び／又は最小化されるのを妨げる場合がある。ＲＦ線の電気性能は、１、２、４、１０、３０ギガビット毎秒（Ｇｂ／ｓ）以上で動作するものなどの比較的高周波の光電子アセンブリにとって特に重要となり得る。

光電子サブアセンブリ又は光電子サブアセンブリの一部分などの部品は大量に製造される場合があり、製造後の部品は、製造後の部品の種々の態様（例えば、形状、寸法及び／又は位置決め）を指定する仕様に準拠する必要がある。製造後の部品は、仕様の変動を含んでもよい。仕様のいくらかの変動は、製造後の部品が適切であるか又は適切に機能するという理由で可能とされる。仕様のいくらかの変動により不適当な部品となる場合がある。公差とは、仕様（例えば、寸法又は位置決め）の変動の許容量を意味する。一部の仕様は、より高い（「より広い」）又はより低い（「より厳しい」）公差を有してもよい。例えば、光電子サブアセンブリの外形寸法は、その変動が製造後の光電子サブアセンブリの動作に影響する可能性がないことから、より広い公差を有する。別の例では、位置決めは光学信号の集束及び／又は送信に影響することから、光学部品の位置決めにはより厳しい公差を必要とする場合がある。更に別の例では、寸法はＲＦ性能に大きく影響する可能性があることから、ＲＦ線の寸法にはより厳しい公差を必要とする場合がある。

選択する製造プロセスが変動の広がり及び程度に影響を及ぼす場合がある。いくつかの状況では、製造プロセスは、変動の範囲、変動の頻度若しくは他の側面を増加する又は減少するように制御してもよい。いくつかの状況においては、部品をより厳しい公差に製造することで製造コストが増加する場合がある（又は逆の場合も同様である）。例えば、厳しい公差の製造プロセスは広い公差の製造プロセスよりも費用がかかる場合がある。公差を厳しくすると不適当な部品が多くなることがある。不適当な部品は製造コストを回収することなく又は修理されることなく廃棄される場合があり、製造コストが増加する。製造プロセスは不適当な部品の製造を低減する又は排除するように変更してもよいが、いくつかの状況においては、これによりコストが増加する場合がある。

図１Ａ〜図１Ｂは、例示的な光電子サブアセンブリ４６０を示す。光電子サブアセンブリ４６０は、光学部品４００と、ヘッダサブアセンブリ４２０と、を含んでもよい。光電子サブアセンブリ４６０は、電気信号を光学信号に変換するように構成されたＴＯＳＡ、光学信号を電気信号に変換するように構成されたＲＯＳＡ、又は電気信号を光学信号に変換するためのＴＯＳＡ及び光学信号を電気信号に変換するためのＲＯＳＡの両方、を含んでもよい。

ヘッダサブアセンブリ４２０はトップ層４４０とボトム層４４８との間に配置された中間層４４６を有する多層基板４４２を含むことができ、光電子部品４２８が多層基板４４２に結合されている又は多層基板４４２上に形成されている。光電子部品４２８は、光学信号を光ファイバネットワークに及び／又は光ファイバネットワークから送信する及び／又は受信するように構成されていてもよい。追加的又は代替的に、光電子部品４２８は電気信号を光学信号に変換する及び／又は光学信号を電気信号に変換するように構成されていてもよい。

光学部品４００は、ハウジング頂部４１６とハウジング底部４１８との間に延びるハウジング４０６を含んでもよい。ハウジング４０６は、窓４０２と、ハウジング４０６によって画定される開口４１２と、光学信号を伝達する、誘導する及び／又は集束するように構成されたレンズ４０４と、を含んでもよい。ハウジング底部４１８は、ヘッダサブアセンブリ４２０と結合されるように構成されたハウジングフランジ４１４を含んでもよい。いくつかの構成では、光学部品４００は、ヘッダサブアセンブリ４２０の一部分を気密的に封止してもよい。

図２Ａ〜図２Ｅ及び図３は、光電子サブアセンブリ４６０の一部であってもよいヘッダサブアセンブリ４２０を示す。ヘッダサブアセンブリ４２０は、ハウジングフランジ４１４に結合されるように構成されたハウジング着座部４３０を含んでもよい。光電子部品４２８は、ＴＯＳＡ、ＲＯＳＡ及び／又は他の光電子サブアセンブリなどの光電子サブアセンブリにおいて使用されてもよい任意の適切な部品を含んでもよい。光電子部品４２８は、ドライバ、モニタフォトダイオード、集積回路、インダクタ、コンデンサ、受信器、受信器アレイ、制御回路、レンズ、レーザアレイ又は任意の適切な光電子部品を含んでもよい。光電子部品４２８は、プリズム、レンズ、ミラー、フィルタ又は他の適切な部品などの光学部品４２６を含んでもよい。光電子部品４２８のいくつかは、信号線４３８、ワイヤボンド（図示せず）又は他の適切な相互接続によって互いに電気的に結合されていてもよい。追加的又は代替的に、光電子部品４２８のいくつかは互いに光学的に結合されていてもよい。

１つの構成において、光電子サブアセンブリ４６０がＴＯＳＡを含む場合、光電子部品４２８はレーザ４２４又はレーザアレイを含んでもよい（例えば、光電子サブアセンブリ４６０がマルチチャンネル光電子サブアセンブリである場合）。別の構成において、光電子サブアセンブリ４６０がＲＯＳＡを含む場合、光電子部品４２８は受信器又は受信器アレイを含んでもよい（例えば、光電子サブアセンブリ４６０がマルチチャンネル光電子サブアセンブリである場合）。更なる構成において、ヘッダサブアセンブリ４２０はＴＯＳＡ及びＲＯＳＡの両方を含んでもよく、光電子部品４２８はＴＯＳＡ及びＲＯＳＡの両方に好適な部品を含んでもよい。

図示されているように、光電子部品４２８はディスクリートに見えるものの、光電子部品４２８はディスクリート部品でなくてもよい。光電子部品４２８は、多層基板４４２の種々の層間に組み込んでもよい及び／又は多層基板４４２の層間に印刷してもよい。多層基板４４２の層は、容量特性に寄与し得る並びに／又は電源プレーン及びグランドプレーンとして機能してもよく、並びに／又は多層基板４４２の層間に誘電体を有してもよく、これにより、平行板コンデンサとしての動作を可能にする。

不図示の構成において、光電子サブアセンブリ４６０はマルチチャンネル光電子アセンブリの一部であるように構成されていてもよい。ヘッダサブアセンブリ４２０の態様は、複数セットの光学信号（光学信号の各セットはマルチチャンネル光電子サブアセンブリの１つのチャンネルに対応する）を送信する及び／又は受信するように構成されたマルチチャンネルレーザアレイ及び／又はマルチチャンネル受信器アレイに電気的に結合するために、信号線４３８、ビア（ｖｉａ）４５２及び／又はトレース４３２の精密な位置決め及び／又はスペーシングを容易にし得る。いくつかの構成では、光電子サブアセンブリ４６０は、データの４つのチャンネルを送信する及び／又は受信するように構成された４チャンネル光電子サブアセンブリであってもよい。いくつかの態様では、光電子サブアセンブリ４６０はＱＳＦＰ規格に準拠してもよい。

光電子サブアセンブリ４６０の態様は、製造コストの低下に寄与し得る。例えば、光電子サブアセンブリ４６０のいくつかの態様は製造プロセスを簡略化し、及び／又は光電子サブアセンブリ４６０を製造するのに使用される材料のコストを低下させる。光電子サブアセンブリ４６０のいくつかの態様は、望ましいＲＦ性能を備える光電子サブアセンブリ４６０の費用対効果の高い製造を容易にする。

ヘッダサブアセンブリ４２０の態様（以下、更に詳細に記載する）は、信号線４３８及び／若しくは光電子部品４２８の精密な位置決め並びに／又はスペーシングを可能にする。このことは、ヘッダサブアセンブリ４２０を組み込んだコンパクトな光電子サブアセンブリの製造を容易にする。追加的又は代替的に、信号線４３８の精密な位置決め及び／又はスペーシングにより、光電子部品４２８が互いにより近接して配置されることから、より大きな寸法又はより多い数量の光電子部品４２８を光電子サブアセンブリ４６０に含めることができる。ヘッダサブアセンブリ４２０の態様は、信号線４３８を通じて送信されるデータ信号の完全性を維持すること（これには信号のインピーダンスを許容可能なレベル内に維持することを含む）を容易にする。一態様において、インピーダンスは、信号線４３８であってもよいＲＦ線、ビア４５２及び／又はトレース４３２（例えば、図３を参照）の形状、位置及び／又は寸法を正確に制御することによって管理してもよい。信号線４３８、ビア４５２及び／又はトレース４３２の形状、位置及び／又は寸法は、光電子サブアセンブリ４６０において認められる電気及びＲＦ条件に基づき選択される。例えば、信号線４３８、ビア４５２及び／又はトレース４３２の種々の設計のコンピュータシミュレーションが、許容可能なＲＦ性能又はＲＦ応答を生じるものを特定するために実施される。

多層基板４４２は、トップ層４４０とボトム層４４８との間に配置された中間層４４６を含んでもよい。多層基板４４２の各層は平面であってもよく、互いに平行に配置されていてもよい（しかし他の構成もまた実施される）。図示されているように、多層基板４４２は、トップ層４４０とボトム層４４８との間に３つの中間層４４６を有する合計５つの層を含むことができる。しかしながら、多層基板４４２は任意の適切な合計数の層又は中間層４４６を含んでもよい。いくつかの構成では、ボトム層４４８は複数のボトム層４４８を意味し、トップ層４４０は複数のトップ層４４０を意味する。いくつかの状況において、多層基板４４２は合計１０を超える層を含んでもよい。

多層基板４４２の層（例えば、ボトム層４４８、中間層４４６及び／又はトップ層４４０）は、セラミック材料などの任意の基板材料から形成されていてもよい。多層基板４４２の少なくとも一部分はセラミック材料で形成されていてもよい。多層基板４４２の少なくとも一部分は、シリコン、二酸化ケイ素、アルミナ、硝酸アルミニウム、酸化アルミニウム、サファイア、ゲルマニウム、ガリウムヒ素、シリコンとゲルマニウムとの合金、又はリン化インジウムで形成されていてもよい。信号線４３８（図では明確化のためにそのいくつかのみに符号を付す）は光電子部品４２８のいずれかと電気的に結合し、電力、データ信号及び／又は制御信号を光電子部品４２８及び／又は他の部品に送信してもよい。信号線４３８のいくつかはＲＦ線であってもよい。いくつかの構成では、信号線４３８はトップ層４４０に結合されていてもトップ層４４０と一体化されていてもよい。信号線４３８は任意の適切な導電材料で形成されていてもよいが、いくつかの例では、信号線４３８は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）、タングステン−モリブデン（ＷＭｏ）又は他の材料などの金属で形成されていてもよい。信号線４３８は任意の適切な方法によって形成されていてもよい。いくつかの態様では、信号線４３８は薄膜メタライゼーションプロセスによって形成されていてもよい。このような態様では、薄膜メタライゼーションプロセスは、ＲＦ性能を維持するためにＲＦ線を制御すること及び／又は最小にすることを可能にする。

導電材料のトレース４３２（図では明確化のためにそのいくつかのみに符号を付す）は中間層４４６の１つ以上に結合されていても中間層４４６の１つ以上と一体化されていてもよい。トレース４３２は任意の適切な導電材料で形成されていてもよいが、いくつかの例では、トレース４３２は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）、タングステン−モリブデン（ＷＭｏ）又は他の材料などの金属で形成されていてもよい。トレース４３２は任意の適切な方法によって形成されていてもよい。いくつかの態様では、トレース４３２は、厚膜メタライゼーションプロセスなどの費用対効果の高いプロセスによって形成されていてもよい。いくつかの構成では、トレース４３２は信号線４３８の一部であってもよい。

ヘッダサブアセンブリ４２０は、ヘッダサブアセンブリ４２０及び／又は光電子部品４２８に電力及び／又は制御信号を送信することができるコンタクトパッド４４４（図では明確化のためにそのいくつかのみに符号を付す）を含んでもよい。いくつかの構成では、コンタクトパッド４４４はボトム層４４８に結合されていてもボトム層４４８と一体化されていてもよい。コンタクトパッド４４４は、フレックス回路、プリント回路基板（「ＰＣＢ」）又は他のコネクタ及び／又は電子的なアセンブリに係合することが可能であってもよい。コンタクトパッド４４４は任意の適切な導電材料で形成されていてもよいが、いくつかの例ではコンタクトパッド４４４は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）、タングステン−モリブデン（ＷＭｏ）又は他の材料などの金属で形成されていてもよい。コンタクトパッド４４４は任意の適切な方法によって形成されていてもよい。いくつかの態様では、コンタクトパッド４４４は、厚膜メタライゼーションプロセスなどの費用対効果の高いプロセスによって形成されていてもよい。いくつかの構成では、コンタクトパッド４４４は信号線４３８の一部であってもよい。

導電材料のビア４５２（図では明確化のためにそのいくつかのみに符号を付す）は多層基板４４２の一部分内に延在してもよい。例えば、ビア４５２の１つ以上は、ボトム層４４８、中間層４４６の少なくとも１つ、及びトップ層４４０の１つ以上内に延在してもよい。ビア４５２のいくつかは、トレース４３２、コンタクトパッド４４４、信号線４３８及び／又は光電子部品４２８に電気的に結合されていてもよい。ビア４５２は、電力及び／又は制御信号がトレース４３２、コンタクトパッド４４４、信号線４３８及び／又は光電子部品４２８間において移動することを可能にする。

いくつかの構成では、ビア４５２は、層のいくつか又はすべてが互いに結合された後、多層基板４４２に形成されても、多層基板４４２に結合されてもよい。例えば、多層基板４４２の層の１つ以上は、層が互いに結合されたときにビア４５２を形成するトレース４３２などの導電材料を含んでもよい。別の例では、開口部が多層基板４４２の層の１つ以上内に形成されていてもよく、ビア４５２を形成するために導電材料が開口部内に配置されていてもよい。開口部は多層基板４４２の１つ以上の層内にドリル加工されていてもパンチ加工されていてもよい。その後、ビア４５２を形成するために導電材料が開口部内に堆積されてもメタライズされてもよい。ビア４５２は任意の適切な導電材料で形成されていてもよいが、いくつかの例では、ビア４５２は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）、タングステン−モリブデン（ＷＭｏ）又は他の材料などの金属で形成されていてもよい。いくつかの構成では、ビア４５２は信号線４３８の一部であってもよい。

図１Ａ〜図１Ｂ、図２Ａ〜図２Ｅ及び図３を参照し、多層基板４４２を形成する態様について更に詳細に記載する。記載されるプロセスの態様は、示されている図に類似する又は実質的に異なる他の構造に適用することができる。多層基板４４２を形成することには、セラミック材料の材料層を形成することを含んでもよい。材料層は、任意の適切なプロセス又はプロセスの組み合わせによって形成されていてもよい。材料層のいくつか又はすべては、シリコン、二酸化ケイ素、アルミナ、硝酸アルミニウム、酸化アルミニウム、サファイア、ゲルマニウム、ガリウムヒ素、シリコンとゲルマニウムとの合金、又はリン化インジウムで形成されていてもよい。

材料層のそれぞれは平面であってもよく、多層基板４４２の層に対応してもよい。特に、トップ材料層はトップ層４４０に対応してもよい、ボトム材料層はボトム層４４８に対応してもよい及び／又は中間材料層は中間層４４６に対応してもよい。いくつかの状況において、トップ材料層及び／又はボトム材料層は中間材料層とは異なるプロセスによって形成されていてもよい。

以下、更に詳細に記載するように、材料層のそれぞれは最終的にダイシング又は切断されて個々のユニットに切り離されてもよい。いくつかの状況において、複数の多層基板は材料層から形成されるため、材料層が切り離される前に材料層に特定の処理ステップ（以下に記載する）を実施することが、多層基板４４２の費用対効果の高い及び／又は効率的な製造を容易にし得る。特定の処理ステップを多層基板４４２の層よりもむしろ材料層に対して実施することが、製造プロセスを簡略化してもよく、材料コストを低下させてもよく及び／又は製造の時間フレームを減少させてもよい。

いくつかの構成では、厚膜メタライゼーションは、中間層４４６上にトレース４３２を形成するために使用してもよく、薄膜メタライゼーションは、トップ層４４０及び／又はボトム層４４８上に信号線４３８を形成するために使用してもよい。厚膜メタライゼーション及び薄膜メタライゼーションについては、以下、更に詳細に記載する。薄膜メタライゼーションは、信号線４３８及び／又は光電子部品４２８の精密な位置決め及び／又はスペーシングを可能にする。薄膜メタライゼーションは、信号線４３８の形状、位置及び／又は寸法を厳しい公差に制御することによりインピーダンスの管理を容易にし得る。厚膜メタライゼーションは中間層４４６及び／又はヘッダサブアセンブリ４２０の費用対効果の高い製造を容易にし得る。いくつかの態様では、厚膜処理は、層のいくつかの前面及び／又は裏面にいくつかの導電層を有する多層の簡単且つ柔軟な製造を容易にする。薄膜メタライゼーションと厚膜メタライゼーションとの併用により、望ましいＲＦ性能を備える光電子サブアセンブリ４６０の費用対効果の高い製造を容易にし得る。薄膜メタライゼーションと厚膜メタライゼーションとの併用により、光電子サブアセンブリ４６０上により多くの又はより大きな光電子部品４２８を含むことを可能にする。

多層基板４４２を形成することには、導電性又は半導電性トレースを厚膜メタライゼーション（「厚膜メタライジング」）によって形成することを含んでもよい。厚膜メタライジングは中間層４４６上に、トレース４３２などの導電性又は半導電性トレースを形成してもよい。いくつかの状況において、厚膜メタライジングによりコンタクトパッド４４４を形成してもよい。いくつかの構成では、厚膜メタライジングによりトップ層４４０及びボトム層４４８上に導電性又は半導電性トレースを形成してもよい。他の構成では、トップ層４４０及びボトム層４４８上に導電性又は半導電性トレースを形成するために厚膜メタライジングは使用しなくてもよい。厚膜メタライゼーションを経た層は厚膜層と呼ばれる。導電性又は半導電性トレースは厚膜層の上面又は下面のいずれかの上に形成してもよい。厚膜メタライジング（以下に記載する）のステップのいずれかは厚膜層の上面、厚膜層の下面又はこの両方に適用してもよい。

厚膜メタライジングは、中間材料層の１つ以上又は中間層４４６の１つ以上などの厚膜層上にメタライジング組成物を堆積させることを含んでもよい。メタライジング組成物は任意の適切なプロセス、例えば、印刷又はコーティングによって堆積させてもよい。好適な印刷プロセスの例としては、スクリーン印刷、輪転印刷、プレス印刷及び／又はインクジェット印刷が挙げられる。メタライジング組成物としては、金属材料、セラミック粉末及び／又は有機媒体などの導電若しくは半導電材料が挙げられる。いくつかの構成では、メタライジング組成物としては、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）、タングステン−モリブデン（ＷＭｏ）又は他の材料が挙げられる。

スクリーン印刷は、厚膜層に又は厚膜層上にステンシルを位置決めすることを含んでもよい。ステンシルによって覆われた厚膜層の部分は被覆部分と呼ぶことができ、ステンシルによって覆われていない厚膜層の部分は非被覆部分と呼ぶことができる。スクリーン印刷は、ステンシル及び／又は厚膜層にわたって充填ブレード又はスキージを移動させることを含んでもよい。スクリーン印刷は、厚膜層の非被覆部分にメタライジング組成物を堆積させることを含んでもよい。スクリーン印刷は、厚膜層の被覆部分上のステンシル上にメタライジング組成物を堆積させること（及びそのため、厚膜層の被覆部分にメタライジング組成物を堆積させないこと）を含んでもよい。メタライジング組成物のスクリーン印刷には、メタライジング組成物の複数の層に対し上記スクリーン印刷ステップのいずれかを繰り返すことを含んでもよい。いくつかの構成では、メタライジング組成物の複数の層の各層は、異なる組成物を含んでもよい。

厚膜メタライジングは、乾燥及び／又は硬化を含んでもよい。乾燥及び／又は硬化は、印刷後ある時間にわたりメタライジング組成物を安定化させることを含んでもよい。乾燥及び／又は硬化は、メタライジング組成物の液体成分を蒸発させることを含んでもよい。メタライジング組成物の液体成分を蒸発させることにより、メタライジング組成物を基板に結合し、又は基板へのメタライジング組成物の結合を促進する。乾燥及び／又は硬化は、蒸発を促進する及び／又は加速させるためにメタライジング組成物及び／又は厚膜層を加熱することを含んでもよい。乾燥及び／又は硬化は、メタライジング組成物を基板に結合する又は基板へのメタライジング組成物の結合を促進するためにメタライジング組成物及び／又は厚膜層を加熱することを含んでもよい。乾燥及び／又は硬化は、メタライジング組成物を特定の波長の光（例えば紫外線）又は他の放射（放射は、線又は波又は粒子の形態で伝達されるエネルギーである）に誘導すること及び／又は曝露することを含んでもよい。乾燥及び／又は硬化はメタライジング組成物をトレース４３２などの導電性又は半導電性トレースに変化させる（又は変化に寄与する）。

厚膜メタライジングは、メタライジング組成物及び又は厚膜層を焼成することを含んでもよい。焼成することは、一定の時間にわたってメタライジング組成物及び／又は厚膜層を高温に曝露することを含む。乾燥及び／又は硬化に加えて又はその代わりに、焼成することでメタライジング組成物をトレース４３２などの導電性又は半導電性トレースに変化させる（又は変化に寄与する）。焼成することには、メタライジング組成物及び／若しくは厚膜層の焼結、接着並びに／又はアニーリングを含んでもよい。

高温は任意の適切な温度とすることができ、メタライジング組成物及び／又は厚膜層の種々の特性に依存する。例えば、高温はメタライジング組成物及び／若しくは厚膜層の組成、寸法並びに／又は他の特性に依存する。高温は、また、圧力、曝露時間及び／又は他の態様などの焼成プロセスの種々の態様に依存する。高温は３００℃超、例えば、６００℃〜１８００℃の範囲内である。いくつかの構成では、高温は約８５０℃、例えば、６５０℃〜１０５０℃の範囲内である。このような構成では、高温は、望ましい電気的特性及び／又は接着強度を有するトレース４３２の形成に寄与し得る。

厚膜メタライジングは、厚膜層の一部分、メタライジング組成物の一部分及び／又はトレース４３２の一部分などの材料を除去することを含んでもよい。除去することには、機械加工、切削、エッチング、トリミング及び／又は他の適切なプロセスを含んでもよい。トリミングには、メタライジング組成物の寸法を調整する及び／又はトレース４３２の電気的特性を調整するためにトレース４３２の一部分を除去することを含んでもよい。例えば、トレースが特定の抵抗値、電圧応答、周波数応答、公差及び／又は他の特性を有するようにトレース４３２の一部分はレーザトリミングによって除去してもよい。トリミングは、電流をトレース４３２に流すこと、トレース４３２からのフィードバックを測定すること、並びに／又は抵抗、電圧応答、周波数応答、公差及び／若しくは他の特性を調整するためにトレース４３２の一部分を能動的に除去すること、を含んでもよい。

いくつかの例では、厚膜メタライゼーションは、０．１３ミリメートル（プラス又はマイナス）超の高さ公差を有するトレースを作製し得る。いくつかの例では、厚膜メタライゼーションは、約０．１５ミリメートルの幅及び／又は０．１３ミリメートル（プラス又はマイナス）超の公差を有するトレースを作製し得る。いくつかの例では、厚膜メタライゼーションは、０．１０〜０．２０ミリメートル、０．０５〜０．２５ミリメートル、０〜０．３ミリメートルの幅を有するトレースを作製し得る。いくつかの例では、厚膜メタライゼーションは、０．１５ミリメートルのトレース間間隔及び／又は０．１３ミリメートル（プラス又はマイナス）超の公差を有するトレースを作製し得る。

多層基板４４２を形成することには、導電性又は半導電性信号線を薄膜メタライゼーション（「薄膜メタライジング」）によって形成することを含んでもよい。薄膜メタライジングはトップ層４４０及びボトム層４４８上に、信号線４３８などの導電性又は半導電性信号線を形成してもよい。図示しないが、信号線４３８はボトム層４４８上に配置されていてもよい。いくつかの状況において、薄膜メタライジングはコンタクトパッド４４４を形成してもよい。いくつかの構成では、中間層４４６上に導電性又は半導電性トレースを形成するために薄膜メタライジングは使用しなくてもよい。薄膜メタライゼーションを経た層は薄膜層と呼ばれる。導電性又は半導電性トレースは薄膜層の上面又は下面のいずれかに形成してもよい。いくつかの状況において、信号線４３８は光電子部品４２８に電気的に結合するためにトップ層４４０の上面上に配置されていてもよい。薄膜メタライジング（以下に記載する）のステップのいずれかは、薄膜層の上面、薄膜層の下面又はこの両方に適用してもよい。

薄膜メタライジングは、導電又は半導電材料（「薄膜材料」）の薄膜を薄膜層上に堆積させることを含んでもよい。薄膜材料は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）、タングステン−モリブデン（ＷＭｏ）又は他の材料を含んでもよい。堆積させることには、材料の薄膜を堆積させるための任意のプロセス、例えば、めっき、化学溶液堆積、スピンコーティング、化学気相成長（「ＣＶＤ」）、プラズマＣＶＤ、原子層堆積、熱蒸着、スパッタリング、又は他の適切なプロセスを含んでもよい。

いくつかの状況において、化学気相成長（「ＣＶＤ」）によって堆積させることは、信号線４３８の寸法（例えば、高さ、スタックアップ高さ、メタライゼーション幅、信号線４３８間の間隔、又は他の寸法）を許容可能な公差内に正確に制御することを可能にする。いくつかの状況において、化学気相成長によって堆積させることは、十分な寸法及び公差の信号線４３８の費用対効果の高い製造を可能にする。

ＣＶＤには、薄膜層を前駆体ガスに曝露することを含んでもよい。前駆体ガスは、堆積されて、薄膜層上に導電又は半導電材料を形成する元素を含んでもよい。前駆体ガスは、薄膜層の表面上で反応及び／又は分解して堆積物を生成する揮発性前駆体であってもよい。前駆体ガスはキャリアガス中で希釈してもよい。ＣＶＤには、薄膜層を加熱すること及び／又は薄膜層の温度を制御することを含んでもよい。ＣＶＤには、反応室内に前駆体ガスをほぼ周囲温度で送出することを含んでもよい。前駆体ガスは薄膜層上を通過する又は薄膜層に接触するにつれて反応又は分解し、薄膜層上に固相堆積物を形成し、例えば、信号線４３８を形成してもよい。薄膜メタライジングには、乾燥、硬化、焼成及び／又は他の適切な処理ステップを含んでもよい。

薄膜メタライジングは、堆積物の一部分、信号線４３８及び／又は薄膜層の一部分を除去することを含んでもよい。除去することには、機械加工、切削、エッチング、トリミング及び／又は他の適切なプロセスを含んでもよい。トリミングには、メタライジング組成物の寸法を調整する及び／又は信号線４３８の電気的特性を調整するために信号線４３８の一部分を除去することを含んでもよい。例えば、トレースが特定の抵抗値、電圧応答、周波数応答、公差及び／又は他の特性を有するように信号線４３８の一部分はレーザトリミングによって除去してもよい。トリミングは、電流を信号線４３８に流すこと、信号線４３８からのフィードバックを測定すること、並びに／又は抵抗、電圧応答、周波数応答、公差及び／若しくは他の特性を調整するために信号線４３８の一部分を能動的に除去すること、を含んでもよい。いくつかの構成では、薄膜メタライジング及び／又はＣＶＤによって形成された信号線４３８は、信号線４３８の寸法、抵抗値、電圧応答、周波数応答、公差及び／又は他の特性が正確に制御されることから、信号線４３８のいかなる部分の除去も必要としない場合がある。いくつかの例では、薄膜メタライゼーションにより、約０．１マイクロメートルマイクロメートルの高さ（又はスタックアップ高さ）及び／又は３０マイクロメートル（プラス又はマイナス）の公差を有するチタン製信号線を作製してもよい。いくつかの例では、薄膜メタライゼーションにより、約０．２マイクロメートルの高さ（又はスタックアップ高さ）及び／又は３０マイクロメートル（プラス又はマイナス）の公差を有するパラジウム製信号線を作製してもよい。いくつかの例では、薄膜メタライゼーションにより、１マイクロメートル（プラス又はマイナス）の公差を有する約３マイクロメートルの高さを有する金製信号線を作製してもよい。

いくつかの例では、薄膜メタライゼーションにより、２〜４マイクロメートル、１〜５マイクロメートル、０〜６マイクロメートル、約３マイクロメートルの高さ、又は他の適切な高さを有する金製信号線を作製してもよい。いくつかの例では、薄膜メタライゼーションにより、１マイクロメートル（プラス又はマイナス）の高さ公差を有する信号線を作製してもよい。いくつかの例では、薄膜メタライゼーションにより、約０．０３ミリメートルの幅及び／又は０．０３ミリメートル（プラス又はマイナス）の公差を有する信号線を作製してもよい。いくつかの例では、薄膜メタライゼーションにより、０．０１〜０．０５ミリメートルの幅を有する信号線を作製してもよい。いくつかの例では、薄膜メタライゼーションにより、０．０３ミリメートル（プラス又はマイナス）の公差を有する０．０３ミリメートルの信号線間の間隔を有する信号線を作製してもよい。いくつかの例では、薄膜メタライゼーションにより、０．０１〜０．０５ミリメートルの信号線間の間隔を有する信号線を作製してもよい。

多層基板４４２は、材料層の１つ以上を位置合わせし、次いで、位置合わせされた材料層を互いに結合することによって形成してもよい。位置合わせされた材料層は、熱接着、溶接、接着剤、機械的固定、任意の適切なプロセス及び／又は上記の組み合わせによって結合してもよい。いくつかの態様では、位置合わせされ且つ結合された材料層は、個々のユニットに切り離され、多層基板４４２などの多層基板を形成してもよい。例えば、位置合わせされ且つ結合された材料層はいくつかの多層基板に切断してもよい。位置合わせされ且つ結合された層は、機械的な切断、レーザ切断、プラズマ切断、機械加工、又は任意の他の適切なプロセスによって切断してもよい。多層基板４４２を形成することには、スクライビング、プロファイリング及び／又はドリル加工を含んでもよい。スクライビングには、多層基板４４２又は材料層を脆弱にし、機械的な切り離しを容易にするために多層基板４４２若しくは材料層の一部分に切り込みを入れること及び／又は多層基板４４２若しくは材料層の一部分を機械的に除去することを含んでもよい。スクライビングには、多層基板４４２又は材料層にレーザパルスを線で照射し、レーザパルスは直線又は曲線に合致する材料を除去し、これにより、多層基板４４２又は材料層を脆弱にし、一部分を機械的に切り離すことを含んでもよい。

種々の製造段階において、光電子部品４２８の少なくとも１つは、材料層、トップ層４４０、ボトム層４４８及び中間層４４６の少なくとも１つに結合されていてもよい。光電子部品４２８の少なくとも１つは、物理的に、電気的に又は光学的に結合されていてもよい。追加的又は代替的に、光電子部品４２８の少なくとも１つは、材料層、トップ層４４０、ボトム層４４８及び中間層４４６の少なくとも１つに形成されていてもよい。例えば、光電子部品４２８の少なくとも１つは、信号線４３８が形成された後に、トップ材料層に結合されてもトップ材料層上に形成されてもよい。別の例では、光電子部品４２８の少なくとも１つは、信号線４３８が形成された後であるが材料層が切り離されて多層基板の個々のユニットを形成した後に、トップ層４４０に結合されてもトップ層４４０上に形成されてもよい。更に別の例では、光電子部品４２８の少なくとも１つは、ボトム層４４８又はボトム材料層に結合されてもボトム層４４８又はボトム材料層上に形成されてもよい。いくつかの状況において、材料層が切り離されて多層基板の個々のユニットを形成する前に光電子部品４２８のいくつかを形成する又は結合するとより費用対効果が高くなる。

いくつかの構成では、薄膜メタライゼーションは、厚膜メタライゼーションによって作製されたトレース４３２に比べてより厳しい公差を有する信号線４３８を作製するように制御してもよい（又はその逆も同様である）。例えば、薄膜メタライゼーションによって作製された信号線４３８は、トレース４３２の位置決め、高さ、幅、スペーシング及び／又は他の寸法の公差に比べ、位置決め、高さ、幅、スペーシング及び／又は他の寸法についてより厳しい公差を含んでもよい。１つの例では、薄膜メタライゼーションにより、０．０１ミリメートル（プラス又はマイナス）の公差を有する約０．０３ミリメートルの幅を有する信号線４３８を作製してもよく、厚膜メタライゼーションにより、０．０１ミリメートル（プラス又はマイナス）の公差を有する約０．１５ミリメートルの幅を有するトレース４３２を作製してもよい。別の例では、薄膜メタライゼーションにより、０．０１ミリメートル（プラス又はマイナス）の公差を有する０．０３ミリメートルの信号線間の間隔を有する信号線４３８を作製してもよく、厚膜メタライゼーションにより、０．０７５ミリメートル（プラス又はマイナス）の公差を有する０．１５ミリメートルのトレース間の間隔を有するトレース４３２を作製してもよい。

薄膜メタライゼーションは厚膜メタライゼーションによって作製されたトレース４３２に比べてより厳しい公差を有する信号線４３８を作製することを可能にするため（又はその逆も同様である）、信号線４３８の寸法のいくつか又はすべてはトレース４３２の寸法のいくつか又はすべてよりも小さくてもよい。例えば、信号線４３８は、トレース４３２の幅よりも小さな幅を含んでもよい及び／又は信号線４３８はトレース４３２の間隔よりも小さな間隔を含んでもよい（又は逆も同様である）。また、薄膜メタライズした信号線の１つの堆積層は厚膜メタライズしたトレースの１つの堆積層よりも薄くてもよい。しかしながら、複数の層の堆積後、薄膜信号線及び厚膜トレース両方の高さは異なってもよく、比較すると厚くても又は薄くてもよい。つまり、複数の堆積層はより厚い信号線又はより厚いトレースを生じさせることができる。

このような構成では、信号線４３８のより厳しい公差により、適切な信号線４３８及び適切なトレース４３２の製造を可能にする。特に、より厳しい公差により、幅が広すぎる又は間隔が狭すぎることが理由で互いに接触している不適当な信号線の製造を減少させる又は排除することから、信号線４３８の幅及び／又は間隔のばらつきが小さくなることで、より狭い幅及び／又は間隔を持つ適切な信号線４３８の製造を可能にする。追加的又は代替的に、トレース４３２のより大きな幅及び／又は間隔により、幅が広すぎる又は間隔が狭すぎることが理由で互いに接触している不適当なトレースの製造を減少させる又は排除する場合がある（トレース４３２の寸法公差が信号線４３８の寸法公差よりも大きい場合であっても）ことから、トレース４３２の幅及び／又は間隔が大きくなることで、適切なトレース４３２の製造を可能にする。

薄膜メタライゼーションは、位置決め、高さ、幅、間隔及び／又は他の寸法についてより厳しい公差を有する信号線４３８を作製するために使用してもよく、例えば、光電子部品４２８のより接近した配置を可能にし、ヘッダサブアセンブリ４２０などのより小さなヘッダサブアセンブリの製造を可能にし、ヘッダサブアセンブリ４２０上により多くの光電子部品４２８を配置することを可能にする。厚膜メタライゼーションは、トレース４３２など、信号線４３８以外のフィーチャを作製するために使用してもよく、より厳しい公差が必要ではない状況では低製造コストを容易にする。

追加的又は代替的に、薄膜メタライゼーションは、ＲＦ応答を制御するために位置決め、高さ、幅、間隔及び／又は他の寸法についてより厳しい公差を有する信号線４３８などのＲＦ線を作製するために使用してもよい。厚膜メタライゼーションは、トレース４３２など、ＲＦ線以外のフィーチャを作製するために使用してもよく、ＲＦ応答の制御が必要ではない状況において低製造コストを容易にする。

追加的又は代替的に、ヘッダサブアセンブリ４２０は、２０１４年１０月２８日に出願された、光電子部品を含む基板（ＳＵＢＳＴＲＡＴＥＳ ＩＮＣＬＵＤＩＮＧ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ ＣＯＭＰＯＮＥＮＴＳ）という名称の米国仮特許出願第６２／０６９，７１２号明細書（その全体を参照により本明細書に援用する）の任意の適切な態様を含んでもよい。

図４Ａ〜図４Ｃを参照し、光学部品４００について更に詳細に記載する。光学部品４００は、ハウジング頂部４１６とハウジング底部４１８との間に延びるハウジング４０６を含んでもよい。ハウジング頂部４１６及びハウジング底部４１８は、概して、光学部品４００の一部分を意味するものであり、光学部品４００の端部の部分又は光学部品４００の端部の近傍の部分に限定されない。ハウジング４０６は、窓４０２と、ハウジング４０６によって画定される開口４１２と、を含んでもよい。開口４１２は、光信号が光学部品４００の少なくとも一部分を通り窓４０２へと移動することを可能にするように構成されていてもよい。窓４０２は少なくとも一部光透過性であってもよく、ヘッダサブアセンブリ４２０、光ファイバ及び／又はフェルールアセンブリなどの光電子部品間を移動する光学信号を伝達する、誘導する及び／又は集束するように構成されたレンズ４０４を含んでもよい。例えば、いくつかの構成では、光信号は、光ファイバから、光学部品４００の開口４１２及びレンズ４０４を通り、ヘッダサブアセンブリ４２０へと移動してもよい。

光電子サブアセンブリ４６０及び又は光学部品４００は、２０１５年１０月１３日に出願された、マルチレンズ光学部品（ＭＵＬＴＩ−ＬＥＮＳ ＯＰＴＩＣＡＬ ＣＯＭＰＯＮＥＮＴＳ）という名称の米国特許出願第１４／８８１６９３号明細書、及び２０１４年１０月１３日に出願された、マルチレンズ光学部品（ＭＵＬＴＩ−ＬＥＮＳ ＯＰＴＩＣＡＬ ＣＯＭＰＯＮＥＮＴＳ）という名称の米国仮特許出願第６２／０６３，２２５号明細書（これらは両方とも参照により全体を本明細書に援用する）の任意の適切な態様を含んでもよい。追加的又は代替的に、光電子サブアセンブリ６６０は、２０１５年８月２０日に出願された、レンズレセプタクル（ＬＥＮＳ ＲＥＣＥＰＴＡＣＬＥＳ）という名称の米国特許出願第１４／８３１４９９号明細書及び２０１４年８月２０日に出願された、レンズレセプタクル（ＬＥＮＳ ＲＥＣＥＰＴＡＣＬＥＳ）という名称の米国仮特許出願第６２／０３９，７５８号明細書（これらは両方とも参照により全体を本明細書に援用する）の任意の適切な態様を含んでもよい。

ハウジング４０６及び／又は窓４０２はハウジングキャビティ４１０を画定してもよい。いくつかの構成では、ハウジングキャビティ４１０は、ヘッダサブアセンブリに結合されたときにヘッダサブアセンブリの一部分を気密的に封止してもよく、ゆえに、気密的に封止されたハウジングキャビティ４１０と呼ばれる。不図示の構成において、ハウジング４０６は、光学部品４００と窓４０２との間における気密封止の提供に寄与する窓シールを含んでもよい。気密封止の提供に寄与することに加えて又はその代わりに、窓シールは窓４０２を光学部品４００に結合することに寄与し得る。

ハウジング底部４１８は、ヘッダサブアセンブリ４２０と接続するように構成されていてもよい。ハウジング４０６は、ハウジング底部４１８に配置されたハウジングフランジ４１４を含んでもよい。ハウジングフランジ４１４は、ヘッダサブアセンブリ４２０のハウジング着座部４３０に結合されるように構成されていてもよい。光学部品４００は、溶接、はんだ付け、ガラスはんだ付け、接着剤、締結具、融着又は任意の他の適切な技術によってヘッダサブアセンブリ４２０に結合されていてもよい。光学部品４００とヘッダサブアセンブリ４２０との間の結合は、ヘッダサブアセンブリ４２０及び／又は光電子部品４２８の一部分の気密封止に寄与し得る。

図示されているように、ヘッダサブアセンブリ４２０は四角形又は矩形構成を含んでもよい。ヘッダサブアセンブリ４２０は、円形、丸隅若しくは切隅を有する四角形、又は任意の他の適切な構成などの、他の構成を含んでもよい。ハウジング頂部４１６は、フェルールアセンブリ又はレセプタクルと接続するように構成されていてもよい。図示されているように、光学部品４００は実質的に円形又は環状であってもよいが、他の構成では、光学部品４００は矩形などの任意の適切な構成であってもよい。このような構成では、ヘッダサブアセンブリ４２０、フェルールアセンブリ及び／又はレセプタクルは、光学部品４００と接続するための対応する構成を含んでもよく、逆の場合も同様である。図示されているように、ハウジング頂部４１６は、フェルールアセンブリ及び／又はレセプタクルの円形構成に対応する円形構成を含んでもよい。別の構成では、ハウジング頂部４１６及びハウジング底部４１８は、矩形又は他の適切な構成を含んでもよい。

ハウジング４０６は部分的に又は全体的に、任意の適切な材料、例えば、金属、プラスチックポリマー、ガラス又はセラミックで形成してもよい。ハウジング４０６は成形、機械加工、スタンピング、堆積、印刷又は任意の適切な技法によって形成してもよい。窓４０２は、部分的に又は全体的に光透過性材料で形成してもよい。例えば、窓４０２は、部分的に又は全体的にガラス、プラスチックポリマー、シリコン化合物又は他の適切な材料で形成してもよい。窓４０２は成形、機械加工、スタンピング、堆積又は他の適切なプロセスによって形成してもよい。いくつかの構成では、窓４０２はハウジング４０６と一体形成してもよい。このような構成では、窓４０２及びハウジング４０６はプラスチックポリマー、ガラス又は他の適切な材料で形成してもよい。

図示されているように、レンズ４０４は窓４０２の両面に光透過性凸面で形成されていてもよい。レンズ４０４は光ファイバ、ヘッダサブアセンブリ４２０及び／又は他の部品間で光信号を集束する及び／又は送信するように構成されていてもよい。図示されているように、レンズ４０４は、円形構成を含んでもよい。不図示の構成において、レンズ４０４は楕円形、半円形、ドーム形、球形又は任意の他の実施可能な構成などの任意の適切な構成を含んでもよい。いくつかの構成では、レンズ４０４は窓４０２の面のいずれか１つに１つの凸面で形成されていてもよい。

レンズ４０４は窓４０２と一体形成されてもよく、レンズ４０４の製造中又は製造後に窓４０２に結合されてもよい。窓４０２とレンズ４０４とは成形、機械加工、スタンピング、堆積又は他の適切なプロセスによって一体形成してもよい。いくつかの状況において、窓４０２とレンズ４０４とを一体成形することで、光学部品４００の費用対効果の高い製造に寄与し得る。

レンズ４０４が窓４０２と一体形成されない場合、レンズ４０４は、成形、機械加工、スタンピング、堆積、任意の他の適切なプロセス、又はこのようなプロセスの組み合わせによって個々に形成してもよい。その後、レンズ４０４は窓４０２に融着、はんだ付け、接着剤又は任意の他の適切な結合技術によって結合してもよい。あるいは、レンズ４０４が窓４０２と一体形成されない場合、レンズ４０４は窓４０２上に堆積、印刷、機械加工又は他の適切なプロセスによって形成してもよい。

いくつかの構成では、ヘッダサブアセンブリは、ボトム層と、頂部薄膜信号線を有するトップ層と、トップ層とボトム層との間にある、厚膜トレースを有する１つ以上の中間層と、を有する多層基板を含む。厚膜トレースは頂部薄膜信号線に電気的に結合することができ、光電子部品は多層基板上に配置され、信号線と電気的に結合することができる。

ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、頂部薄膜信号線は第１の寸法公差を有することができ、厚膜トレースは第１の寸法公差よりも大きな第２の寸法公差を有することができる。ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、頂部薄膜信号線の第１の寸法公差は約０．０１ミリメートルとすることができ、厚膜トレースの第２の寸法公差は約０．１５ミリメートルとすることができる。ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、厚膜トレースの幅の公差は頂部薄膜信号線の幅の公差よりも大きくすることができる。ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、トレース間の間隔の公差は頂部薄膜信号線間の間隔の公差よりも大きくすることができる。ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、厚膜トレースの位置決めの公差は、頂部薄膜信号線の位置決めの公差よりも大きくすることができる。ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、厚膜トレースの高さの公差は頂部薄膜信号線の高さの公差よりも大きくすることができる。

ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、頂部薄膜信号線は第１の寸法を有することができ、厚膜トレースは第１の寸法よりも大きな第２の寸法を有することができる。ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、頂部薄膜信号線は、厚膜トレースの幅又は間隔よりも小さな幅又は間隔を有することができる。ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、頂部薄膜信号線は、０．０３〜０．０５ミリメートルの幅を含むことができ、厚膜トレースは、０．１０〜０．２０ミリメートルの幅を含むことができる。ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、頂部薄膜信号線は０．０３〜０．０５ミリメートルの間隔を含むことができ、厚膜トレースは０．１５〜０．２０ミリメートルの間隔を含むことができる。ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、頂部薄膜信号線は、０．０１ミリメートルの公差を有する約０．０３ミリメートルの幅を含むことができる。

ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、頂部薄膜信号線又は厚膜トレースは、金属、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）又はタングステン−モリブデン（ＷＭｏ）で形成することができる。ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、頂部薄膜信号線は、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）又は金（Ａｕ）で形成することができる。

ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、頂部薄膜信号線は、０．０５マイクロメートルの公差を有する約０．１マイクロメートルの高さを有するチタンで形成することができる。ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、頂部薄膜信号線は、０．０５〜０．１５マイクロメートルの高さを有するチタンで形成することができる。ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、頂部薄膜信号線は、０．０５マイクロメートルの公差を有する約０．２マイクロメートルの高さを有するパラジウムで形成することができる。ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、頂部薄膜信号線は０．１〜０．３マイクロメートルの高さを有するパラジウムで形成することができる。ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、頂部薄膜信号線は２マイクロメートルの公差を有する約３マイクロメートルの高さを有する金で形成することができる。ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、頂部薄膜信号線は０〜６マイクロメートル、１〜５マイクロメートル、２〜４マイクロメートル及び約３マイクロメートルの高さを有する金で形成することができる。ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、頂部薄膜信号線は、０．０１ミリメートルの公差を有する０．０３ミリメートルの信号線間の間隔を含むことができる。ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、頂部薄膜信号線は、０．０１ミリメートルの公差を有する０．０３ミリメートルの幅を含むことができる。

ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、厚膜トレースは、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）又は金（Ａｕ）で形成することができる。ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、厚膜トレースは、タングステンで形成することができ、１〜１６マイクロメートル、４〜１２マイクロメートル、６〜１０マイクロメートル、７〜９マイクロメートル又は約８マイクロメートルの高さを含むことができる。ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、厚膜トレースは、ニッケルで形成することができ、０〜６マイクロメートル、０．１〜５マイクロメートル、１〜３マイクロメートル又は約２マイクロメートルの高さを含むことができる。ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、厚膜トレースは、０．１３ミリメートル以上の公差を有する約０．１５ミリメートルの幅を含むことができる。ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、厚膜トレースは、０〜０．１５ミリメートル又は０．０５〜０．２ミリメートルの幅を含むことができる。ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、厚膜トレースは、０．１３ミリメートル以上の公差を有する約０．１５ミリメートルの間隔を含むことができる。ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、厚膜トレースは、０〜０．３ミリメートル、０．０５〜０．２５ミリメートル又は０．１０〜０．２０ミリメートルのトレース間の間隔を含むことができる。

ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、多層基板の少なくとも１つの層はセラミック材料、シリコン、二酸化ケイ素、アルミナ、硝酸アルミニウム、酸化アルミニウム、サファイア、ゲルマニウム、ガリウムヒ素、シリコンとゲルマニウムとの合金、又はリン化インジウムで形成することができる。ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、光電子部品は、少なくとも１つの受信器、少なくとも１つの送信器、マルチチャンネル受信器アレイ及びマルチチャンネルレーザアレイ、ドライバ、モニタフォトダイオード、集積回路、インダクタ、コンデンサ、制御回路、レンズ、プリズム、ミラー及びフィルタの１つ以上を含むことができる。ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、ボトム層は底部薄膜信号線を含むことができる。ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、頂部薄膜信号線の少なくとも１つはＲＦ線である。いくつかの構成では、ヘッダサブアセンブリは多層基板の少なくとも一部分内に延びるビアを含むことができる。

ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、ビアは金属、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）又はタングステン−モリブデン（ＷＭｏ）で形成することができる。ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、ビアは信号線に電気的に結合される。いくつかの構成では、ヘッダサブアセンブリは、ボトム層上にコンタクトパッドを含むことができ、コンタクトパッドは、ビアに電気的に結合されている。ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、コンタクトパッドは薄膜コンタクトパッド又は厚膜コンタクトパッドである。ヘッダサブアセンブリのいくつかの構成では、コンタクトパッドは金属、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）又はタングステン−モリブデン（ＷＭｏ）で形成することができる。

いくつかの態様では、方法は、トップ材料層と、ボトム材料層と、中間材料層と、を含む材料層を形成するステップと、材料層の少なくとも１つに、厚膜メタライゼーションによって厚膜トレースを形成するステップと、材料層の少なくとも１つに、薄膜メタライゼーションによって薄膜信号線を形成するステップと、を含む。

いくつかの態様では、方法は、材料層の少なくとも１つにメタライジング組成物を堆積させるステップを含む。方法のいくつかの態様では、メタライジング組成物を堆積させるステップは、コーティング、印刷、スクリーン印刷、輪転印刷、プレス印刷及びインクジェット印刷の１つ以上を含む。

方法のいくつかの態様では、メタライジング組成物を堆積させるステップは、材料層の少なくとも１つ上にステンシルを位置決めするステップと、ステンシル及び材料層の少なくとも１つにわたって充填ブレードを移動させるステップと、材料層の少なくとも１つの非被覆部分にメタライジング組成物を堆積させるステップと、材料層の少なくとも１つの被覆部分上のステンシル上にメタライジング組成物を堆積させるステップと、の１つ以上を含む。

方法のいくつかの態様では、メタライジング組成物は導電又は半導電材料を含む。方法のいくつかの態様では、メタライジング組成物は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）及びタングステン−モリブデン（ＷＭｏ）の１つ以上を含む。

いくつかの態様では、方法は、材料層の少なくとも１つを乾燥又は硬化するステップを含む。いくつかの態様では、方法は、メタライジング組成物をある時間にわたり安定させるステップと、メタライジング組成物の液体成分を蒸発させるステップと、メタライジング組成物を有する材料層の少なくとも１つを加熱するステップと、メタライジング組成物を放射に曝露するステップと、メタライジング組成物を有する材料層の少なくとも１つを焼成するステップと、の１つ以上を含み得る。いくつかの態様では、方法は、メタライジング組成物を有する材料層を焼結するステップ、接着するステップ及びアニーリングするステップの１つ以上を含み得る。

方法のいくつかの態様では、薄膜信号線又は厚膜トレースは、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）及びタングステン−モリブデン（ＷＭｏ）の１つ以上を含む。

いくつかの態様では、方法は、材料層の少なくとも１つに薄膜材料を堆積させるステップを含む。方法のいくつかの態様では、薄膜材料は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）及びタングステン−モリブデン（ＷＭｏ）の１つ以上を含む。

方法のいくつかの態様では、薄膜材料を堆積させるステップは、めっき、化学溶液堆積、スピンコーティング、化学気相成長（「ＣＶＤ」）、プラズマＣＶＤ、原子層堆積、熱蒸着及びスパッタリングの１つ以上を含む。いくつかの態様では、方法は、材料層の少なくとも１つを前駆体ガスに曝露するステップを含む。いくつかの態様では、方法は、材料層の少なくとも１つを前駆体ガスの温度を超える温度に加熱するステップを含む。いくつかの態様では、方法は、前駆体ガスが材料層の少なくとも１つに固相堆積物を形成後、乾燥、硬化、焼成するステップを含む。

いくつかの態様では、方法は、トップ材料層上に薄膜信号線を形成するステップを含む。いくつかの態様では、方法は、中間材料層の少なくとも１つ上に厚膜トレースを形成するステップを含む。いくつかの態様では、方法は、ボトム材料層上に薄膜信号線を形成するステップを含む。いくつかの態様では、方法は、薄膜メタライゼーション又は厚膜メタライゼーションによってボトム材料層上にコンタクトパッドを形成するステップを含む。

方法のいくつかの態様では、材料層は、レーザ切断、機械加工、スクライビング、機械的な切断、プラズマ切断、ダイヤモンド切断、ソーイング及びダイシングの１つ以上によって形成することができる。方法のいくつかの態様では、材料層の少なくとも１つは、シリコン、二酸化ケイ素、アルミナ、硝酸アルミニウム、酸化アルミニウム、サファイア、ゲルマニウム、ガリウムヒ素、シリコンとゲルマニウムとの合金及びリン化インジウムの１つ以上で形成することができる。いくつかの態様では、方法は、材料層、厚膜トレース及び薄膜信号線の１つ以上の一部分を除去するステップを含むことができる。

いくつかの態様では、方法は、１つ以上の材料層を位置合わせするステップと、位置合わせされた材料層を互いに結合するステップと、を含むことができる。方法のいくつかの態様では、材料層は熱接着、溶接、接着剤及び機械的固定の１つ以上によって結合することができる。いくつかの態様では、方法は、結合された材料層を複数の多層基板に切り離すステップを含む。方法のいくつかの態様では、結合された材料層は、機械的な切断、レーザ切断、プラズマ切断、スクライビング、プロファイリング、ドリル加工及び機械加工の１つ以上によって切り離すことができる。

いくつかの態様では、方法は、少なくとも１つの光電子部品を材料層の少なくとも１つに結合するステップと、少なくとも１つの光電子部品を材料層の少なくとも１つに形成するステップと、の１つ以上を含む。方法のいくつかの態様では、少なくとも１つの光電子部品は、受信器、送信器、マルチチャンネル受信器アレイ及びマルチチャンネルレーザアレイの１つ以上である。

いくつかの構成では、光電子サブアセンブリは、上記の任意の適切な態様を含むヘッダサブアセンブリと、ハウジング頂部とハウジング底部との間に延びるハウジングを含む光学部品であって、光学部品は、少なくとも部分的に光透過性であり得る窓と、ハウジングによって画定され、光信号が窓へと移動することができる開口と、光信号を集束することが可能なレンズと、ハウジング底部のハウジングフランジと、ハウジングによって画定されるハウジングキャビティと、のいずれか１つ以上を含むことができ、光学部品は、ヘッダサブアセンブリに結合することができ、光電子部品の少なくとも１つを少なくとも部分的にキャビティ内に気密的に封止する、光学部品と、を含む。

いくつかの構成では、ヘッダサブアセンブリは、ボトム層と、第１の寸法公差を有する頂部薄膜信号線を有するトップ層と、トップ層とボトム層との間にある、厚膜トレースを有する１つ以上の中間層と、を有し、厚膜トレースは頂部薄膜信号線に電気的に結合することができ、厚膜トレースは、第１の寸法公差よりも大きな第２の寸法公差を有することができる多層基板を含むことができ、光電子部品は多層基板上に配置することができ、信号線と電気的に結合することができる。いくつかの構成では、このヘッダサブアセンブリは上述の任意の適切な態様を含む。

いくつかの態様では、方法は、ボトム層と、トップ層と、中間層と、を形成することによって多層基板を形成するステップと、厚膜メタライゼーションによって厚膜トレースを中間層の少なくとも１つに形成するステップと、薄膜メタライゼーションによってトップ層に薄膜信号線を形成するステップと、１つ以上の光電子部品を多層基板に結合するステップと、を含むことができ、光電子部品は、光学信号を送信する又は受信するように構成され得る。いくつかの態様では、この方法は上述の任意の適切な態様を含み得る。

本開示の態様はその趣旨又は必須の特性から逸脱することなく他の形態で具現化してもよい。記載した態様はあらゆる点において例示であり、限定ではないとみなされる。請求する対象は前述の記載よりもむしろ添付の特許請求の範囲によって示される。特許請求の範囲と等価の意味及び範囲内のあらゆる変更はその範囲内に包含されるものとする。

Claims (19)

1. ヘッダサブアセンブリであって、
   多層基板であって、
   ボトム層と、
   頂部薄膜信号線を有するトップ層と、
   前記トップ層と前記ボトム層との間にある、厚膜トレースを有する１つ以上の中間層であって、前記厚膜トレースは前記頂部薄膜信号線に電気的に結合されている、中間層と、
   を含む多層基板と、
   前記多層基板上に配置され、前記頂部薄膜信号線と電気的に結合されている光電子部品と、
   を含んでおり、前記頂部薄膜信号線を有するトップ層は、前記光電子部品と前記厚膜トレースを有する中間層との間において薄膜信号線を有する唯一の層である、ヘッダサブアセンブリ。
2. 前記頂部薄膜信号線は第１の寸法公差を有し、前記厚膜トレースは前記第１の寸法公差よりも大きな第２の寸法公差を有する、請求項１に記載のヘッダサブアセンブリ。
3. 前記頂部薄膜信号線は、前記厚膜トレースの幅又は間隔よりも小さな幅又は間隔を有する、請求項１に記載のヘッダサブアセンブリ。
4. 前記頂部薄膜信号線は、
   ０．０５マイクロメートルの公差を有する約０．１マイクロメートルの高さを有するチタン（Ｔｉ）、
   ０．０５マイクロメートルの公差を有する約０．２マイクロメートルの高さを有するパラジウム（Ｐｄ）、又は
   ２マイクロメートルの公差を有する約３マイクロメートルの高さを有する金（Ａｕ）、の１つ以上で形成されている、請求項２に記載のヘッダサブアセンブリ。
5. 前記頂部薄膜信号線は、
   ０．０１ミリメートルの公差を有する０．０３ミリメートルの前記薄膜信号線間の間隔、又は
   ０．０２ミリメートルの公差を有する０．０３ミリメートルの幅、
   の１つ以上を含む、請求項２に記載のヘッダサブアセンブリ。
6. 前記厚膜トレースは、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）又は金（Ａｕ）で形成されており、
   ０〜６マイクロメートルの高さ、又は
   ０〜０．３ミリメートルの間隔、
   の１つ以上を含む、請求項２に記載のヘッダサブアセンブリ。
7. 前記光電子部品は、少なくとも１つの受信器、少なくとも１つの送信器、マルチチャンネル受信器アレイ及びマルチチャンネルレーザアレイ、ドライバ、モニタフォトダイオード、集積回路、インダクタ、コンデンサ、制御回路、レンズ、プリズム、ミラー又はフィルタの１つ以上を含む、請求項１に記載のヘッダサブアセンブリ。
8. 前記頂部薄膜信号線の少なくとも１つがＲＦ線である、請求項１に記載のヘッダサブアセンブリ。
9. 前記ボトム層上にコンタクトパッドを更に含み、前記コンタクトパッドは、前記多層基板の少なくとも一部分内に延びるビアに電気的に結合されており、前記ビアは、前記頂部薄膜信号線に電気的に結合されている、請求項１に記載のヘッダサブアセンブリ。
10. トップ材料層と、ボトム材料層と、中間材料層と、を含む材料層を形成するステップと、
    前記材料層の少なくとも１つに、厚膜メタライゼーションによって厚膜トレースを形成するステップと、
    前記トップ材料層に、薄膜メタライゼーションによって薄膜信号線を形成するステップと、
    １つ以上の光電子部品を前記トップ材料層に結合するステップであって、前記光電子部品は、前記薄膜信号線と電子的に結合されており、光学信号を送信する又は受信するように構成されている、ステップと、
    を含み、前記薄膜信号線を有するトップ材料層は、前記光電子部品と前記厚膜トレースを有する中間材料層との間において薄膜信号線を有する唯一の層である、方法。
11. 前記薄膜信号線を形成するために前記トップ材料層に薄膜材料を堆積させるステップを更に含む、請求項１０に記載の方法。
12. 前記薄膜材料は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）又はタングステン−モリブデン（ＷＭｏ）の１つ以上を含む、請求項１１に記載の方法。
13. 前記薄膜材料を堆積させるステップは、めっき、化学溶液堆積、スピンコーティング、化学気相成長（「ＣＶＤ」）、プラズマＣＶＤ、原子層堆積、熱蒸着又はスパッタリングの１つ以上を含む、請求項１１に記載の方法。
14. 薄膜材料を堆積させるステップは、
    前記材料層の前記少なくとも１つを前駆体ガスに曝露するステップと、
    前記材料層の前記少なくとも１つを前記前駆体ガスの温度を超える温度に加熱するステップと、
    前記前駆体ガスが前記材料層の少なくとも１つに固相堆積物を形成後、硬化するステップと、
    を含む、請求項１１に記載の方法。
15. 前記中間材料層の少なくとも１つ上に前記厚膜トレースを形成するステップを更に含む、請求項１０に記載の方法。
16. 薄膜メタライゼーション又は厚膜メタライゼーションによって前記ボトム材料層上にコンタクトパッドを形成するステップを更に含む、請求項１０に記載の方法。
17. 少なくとも１つの光電子部品を前記材料層の少なくとも１つに結合する又は形成するステップを更に含み、前記少なくとも１つの光電子部品は、受信器、送信器、マルチチャンネル受信器アレイ又はマルチチャンネルレーザアレイの１つ以上である、請求項１０に記載の方法。
18. 光電子サブアセンブリであって、
    多層基板を含むヘッダサブアセンブリであって、前記多層基板が、
    ボトム層と、
    第１の寸法公差を有する頂部薄膜信号線を有するトップ層と、
    前記トップ層と前記ボトム層との間にある、厚膜トレースを有する１つ以上の中間層であって、前記厚膜トレースは前記頂部薄膜信号線に電気的に結合されており、前記厚膜トレースは前記第１の寸法公差よりも大きな第２の寸法公差を有する１つ以上の中間層と、
    前記多層基板上に配置され、前記頂部薄膜信号線と電気的に結合された光電子部品と、を含み、前記頂部薄膜信号線を有するトップ層は、前記光電子部品と前記厚膜トレースを有する中間層との間において薄膜信号線を有する唯一の層である、ヘッダサブアセンブリと、
    ハウジング頂部とハウジング底部との間に延びるハウジングを含む光学部品であって、
    少なくとも部分的に光透過性である窓と、
    光学信号を集束することが可能なレンズであって、前記窓上に配置されているレンズと、
    前記ハウジングによって画定されるハウジングキャビティと、を含む、光学部品と、を備え、
    前記光学部品は、前記ヘッダサブアセンブリに結合されており、前記光電子部品の少なくとも１つを少なくとも部分的に前記ハウジングキャビティ内に気密的に封止する、光電子サブアセンブリ。
19. 前記光電子部品は、少なくとも１つの受信器、少なくとも１つの送信器、マルチチャンネル受信器アレイ及びマルチチャンネルレーザアレイ、ドライバ、モニタフォトダイオード、集積回路、インダクタ、コンデンサ、制御回路、レンズ、プリズム、ミラー又はフィルタの１つ以上を含む、請求項１８に記載の光電子サブアセンブリ。

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