JP6638152B2 - 蛍光体組成物の製造方法および発光装置 - Google Patents
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Description
また、本発明者らは、上記知見を得た後、さらに検討を重ねて本発明を完成させるに至った。
[1] 原料溶液を熱反応させて蛍光体を含む蛍光体組成物を製造する方法において、前記原料溶液を霧化または液滴化して生成されるミストまたは液滴を、キャリアガスでもって基体まで搬送し、ついで該基体上で該ミストまたは該液滴を加熱により熱反応させることを特徴とする蛍光体組成物の製造方法。
[2] 基体が結晶基板であり、結晶基板の結晶成長面上に、直接または他の層を介して、凹部または凸部からなる凹凸部を形成し、前記凹凸部上で、前記ミストまたは前記液滴を加熱により熱反応させる前記[1]記載の製造方法。
[3] 前記凹凸部を複数かつ周期的に形成する前記[2]記載の製造方法。
[4] 前記凹凸部の形成を、ストライプ状またはドット状に凹部または凸部を形成することにより行う前記[2]または[3]に記載の製造方法。
[5] 前記基体が、サファイア基板である前記[1]〜[4]のいずれかに記載の製造方法。
[6] 蛍光体を含む蛍光体組成物であって、前記蛍光体が、コランダム構造を有しており、少なくともガリウムを含有する酸化物半導体であり、薄膜であることを特徴とする蛍光体組成物。
[7] 光源と蛍光体組成物とを少なくとも含む発光装置であって、蛍光体組成物が、前記[6]記載の蛍光体組成物であることを特徴とする発光装置。
[8] [7]記載の発光装置を含む表示装置。
[9] [7]記載の発光装置を含む照明装置。
本発明においては、前記蛍光体が酸化物半導体であるのが好ましい。また、前記酸化物半導体は、アルミニウム、ガリウムおよびインジウムから選ばれる1種または2種以上を少なくとも含むのが好ましく、少なくともガリウムを含むのがより好ましい。
前記原料溶液は、特に限定されず、通常、前記蛍光体によって適宜選択される。例えば、蛍光体が、アルミニウム、ガリウムおよびインジウムからなる1種または2種以上を少なくとも含む酸化物半導体である場合には、原料溶液としては、例えば、ガリウム化合物及び所望によりインジウム化合物またはアルミニウム化合物等の金属化合物などが挙げられる。ガリウム化合物としては、ガリウム金属を出発材料として成膜直前にガリウム化合物に変化させたものであってもよい。ガリウム化合物としては、ガリウムの有機金属錯体(例:アセチルアセトナート錯体)やハロゲン化物(フッ化物、塩化物、臭化物、又はヨウ化物)などが挙げられるが、本発明においては、ハロゲン化物(フッ化物、塩化物、臭化物、又はヨウ化物)を用いることが好ましい。
前記基体は、前記膜を支持できるものであれば特に限定されない。前記基体の材料も、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されず、公知の基体であってよく、有機化合物であってもよいし、無機化合物であってもよい。前記基体の形状としては、どのような形状のものであってもよく、あらゆる形状に対して有効であり、例えば、平板や円板等の板状、繊維状、棒状、円柱状、角柱状、筒状、螺旋状、球状、リング状などが挙げられるが、本発明においては、基板が好ましい。基板の厚さは、本発明においては特に限定されない。
なお、前記結晶基板の厚さは、特に限定されないが、好ましくは、50〜2000μmであり、より好ましくは200〜800μmである。
前記凹凸部は、凸部または凹部からなるものであれば特に限定されず、凸部からなる凹凸部であってもよいし、凹部からなる凹凸部であってもよいし、凸部および凹部からなる凹凸部であってもよい。また、前記凹凸部は、規則的な凸部または凹部から形成されていてもよいし、不規則な凸部または凹部から形成されていてもよい。本発明においては、前記凹凸部が周期的に形成されているのが好ましく、周期的かつ規則的にパターン化されているのがより好ましい。前記凹凸部の形状としては、特に限定されず、例えば、ストライプ状、ドット状、メッシュ状またはランダム状などが挙げられるが、本発明においては、ストライプ状またはドット状が好ましい。なお、ドット状に凹凸部を形成する場合には、例えば正方格子、斜方格子、三角格子、六角格子などの格子位置に、周期的かつ規則的に、三角形、四角形(例えば正方形、長方形若しくは台形等)、五角形若しくは六角形等の多角形状、円状、楕円状などの凹凸部を配置することができる。前記凹凸部の凹部または凸部の断面形状としては、特に限定されないが、例えば、コの字型、U字型、逆U字型、波型、または三角形、四角形(例えば正方形、長方形若しくは台形等)、五角形若しくは六角形等の多角形等が挙げられる。
図1は、本発明における結晶基板の結晶成長面上に設けられた凹凸部の一態様を示す。図1の凹凸部は、結晶基板1と、結晶成長面1a上の凸部2aとから形成されている。凸部2aはストライプ状であり、結晶基板1の結晶成長面1a上には、ストライプ状の凸部2aが周期的に配列されている。なお、凸部2aは、SiO2等のシリコン含有化合物からなり、フォトリソグラフィー等の公知の手段を用いて形成することができる。
本発明では、好適には、前記原料溶液を霧化または液滴化し(霧化・液滴化工程)、生成されるミストまたは液滴をキャリアガスによって前記基体に供給し(ミスト・液滴供給工程)、供給されたミストまたは液滴を加熱により熱反応させて成膜する(成膜工程)。
まず、図9を用いて、本実施例で用いたミストCVD装置19を説明する。ミストCVD装置19は、下地基板等の被成膜試料20を載置する試料台21と、キャリアガスを供給するキャリアガス源22と、キャリアガス源22から送り出されるキャリアガスの流量を調節するための流量調節弁23と、原料溶液24aが収容されるミスト発生源24と、水25aが入れられる容器25と、容器25の底面に取り付けられた超音波振動子26と、内径40mmの石英管からなる成膜室27と、成膜室27の周辺部に設置されたヒータ28を備えている。試料台21は、石英からなり、被成膜試料20を載置する面が水平面から傾斜している。成膜室27と試料台21をどちらも石英で作製することにより、被成膜試料20上に形成される薄膜内に装置由来の不純物が混入することを抑制している。
結晶基板として、c面サファイア基板を用いた。SOGをスピンコーターで塗布し、フォトリソグラフィー法を用いて、c面サファイア基板上に、SiO2のストライプ(m軸と平行)を形成した。
臭化ガリウム0.1mol/Lの水溶液を調整し、この際、さらに48%臭化水素酸溶液を体積比で10%となるように含有させ、これを原料溶液とした。
上記3.で得られた原料溶液24aをミスト発生源24内に収容した。次に、被成膜試料20として、1辺が10mmの正方形の結晶成長用基板を試料台21上に設置させ、ヒータ28を作動させて成膜室27内の温度を580℃にまで昇温させた。次に、流量調節弁23を開いてキャリアガス源22からキャリアガスを成膜室27内に供給し、成膜室27の雰囲気をキャリアガスで十分に置換した後、キャリアガスの流量を5L/minに調節した。なお、キャリアガスとして酸素を用いた。
次に、超音波振動子26を2.4MHzで振動させ、その振動を、水25aを通じて原料溶液24aに伝播させることによって、原料溶液24aを微粒子化させて原料微粒子を生成した。この原料微粒子が、キャリアガスによって成膜室27内に導入され、580℃にて、成膜室27内で反応して、被成膜試料20上に薄膜を形成した。なお、成膜時間は4時間であった。
上記5.にて得られたα−Ga2O3薄膜の相の同定をした。同定は、薄膜用XRD回折装置を用いて、15度から95度の角度で2θ/ωスキャンを行うことによって行った。測定は、CuKα線を用いて行った。その結果、α−Ga2O3であった。
1a 結晶成長面
2a 凸部
2b 凹部
3 エピタキシャル層
4 マスク層
5 バッファ層
19 ミストCVD装置
20 被成膜試料
21 試料台
22 キャリアガス源
23 流量調節弁
24 ミスト発生源
24a 原料溶液
25 容器
25a 水
26 超音波振動子
27 成膜室
28 ヒータ
Claims (4)
- 結晶基板の結晶成長面上に、直接または他の層を介して、凹部または凸部からなる凹凸部が形成されており、前記凹凸部上に、コランダム構造を有しており、少なくともガリウムを含有する酸化物半導体であり、薄膜である蛍光体が形成されており、前記蛍光体が、ガリウム化合物を含む原料溶液を霧化または液滴化して生成されるミストまたは液滴を、キャリアガスでもって前記結晶基板まで搬送し、ついで、前記凹凸部上で該ミストまたは該液滴を加熱により熱反応させてなることを特徴とする蛍光体組成物。
- 光源と蛍光体組成物とを少なくとも含む発光装置であって、蛍光体組成物が、請求項1記載の蛍光体組成物であることを特徴とする発光装置。
- 請求項2記載の発光装置を含む表示装置。
- 請求項2記載の発光装置を含む照明装置。
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