JP6636800B2 - ビカルバゾール化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、および有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

ビカルバゾール化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、および有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDF

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Description

本発明は、ビカルバゾール化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、および有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
近年、自発光型の発光素子である有機EL素子(Organic ElectroLuminessennce Diode:OLED)を用いた表示装置および照明機器の開発が活発に行われている。
一般的に、有機EL素子は、例えば、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層および陰極を順に積層した構造を有する。有機EL素子では、陽極および陰極から注入された正孔および電子が発光層中にて再結合することにより励起子を生成する。また、生成された励起子が基底状態に遷移することにより発光が行われる。
このような有機EL素子の発光特性を向上させるために、有機EL素子の各層に用いられる材料の開発が進められている。
例えば、下記の特許文献1および2には、有機EL素子の正孔輸送層に用いられる含窒素縮合環を有する化合物が開示されている。また、下記の特許文献3には、発光層のホスト材料として用いられる複素縮合環を有する化合物が開示されている。
一方、有機EL素子では、より低コスト(cost)にて大面積の素子を製造するために、真空蒸着法に替えて、溶液塗布法を用いることが検討されている。溶液塗布法は、真空蒸着法と比較して、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料の利用効率が高く、容易に大面積を成膜することができ、かつ高価な真空装置が不必要であるため、より効率的な有機EL素子の製造方法として期待されている。
国際公開第2011/107186号 国際公開第2012/118164号 国際公開第2015/102118号
ここで、上記の特許文献1〜3では、開示された化合物をいずれも蒸着法によって成膜している。すなわち、上記の特許文献1〜3に開示された化合物は、溶液塗布法には適していなかった。そのため、溶液塗布法に適しており、かつ発光寿命および発光効率を向上させることが可能な有機EL素子用材料が求められていた。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、発光寿命および発光効率を向上させることが可能な、新規かつ改良されたビカルバゾール(bicarbazole)化合物、該化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、および該材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、下記一般式(1)で表される構造Aと、下記一般式(2)で表される構造Bと、を構造中にそれぞれ少なくとも1つ以上含む、ビカルバゾール化合物が提供される。
上記一般式(1)において、AおよびAは、互いに独立して、単結合、置換もしくは無置換の炭素数1〜10のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリーレン基、または置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリーレン基、ケイ素原子、酸素原子、または硫黄原子である。ただし、AおよびAのいずれか一方は単結合ではない。Aは、置換もしくは無置換の炭素数1〜10の3価アルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の3価アリール基、または置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の3価ヘテロアリール基である。AおよびAは、互いに独立して、置換もしくは無置換の炭素数1〜10のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリーレン基、または置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリーレン基であり、AとAとの間は、単結合、酸素原子、硫黄原子、または互いを架橋する置換基で結合されていてもよい。
上記一般式(2)において、X〜X16は、互いに独立して、窒素原子またはCRである。Rは、水素原子、重水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜10のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基、または隣接する置換基と結合した縮合環基である。Lは、単結合、または置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリーレン基である。ArおよびArは、互いに独立して、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、または置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基である。
上記のビカルバゾール化合物を含む有機層を用いることにより、有機EL素子の発光寿命および発光効率を向上させることができる。
具体的には、前記構造Aは、下記一般式(3)で表される構造であってもよい。
上記一般式(3)において、AおよびAは、互いに独立して、単結合、置換もしくは無置換の炭素数1〜10のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリーレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリーレン基、ケイ素原子、酸素原子、または硫黄原子である。ただし、AおよびAのいずれか一方は単結合ではない。W〜W11は、互いに独立して、窒素原子またはCRであり、Rは、水素原子、重水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜10のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基、または隣接する置換基と結合した縮合環基である。なお、W〜Wは、互いに非結合であってもよく、単結合、酸素原子もしくは硫黄原子を介して結合していてもよい。
より具体的には、前記AおよびAは、互いに独立して、単結合、置換もしくは無置換の炭素数1〜5のアルキレン基、ケイ素原子、酸素原子または硫黄原子であってもよい。ただし、前記AおよびAのいずれか一方は単結合ではない。
より具体的には、前記W〜W、および前記W〜W11は、CRであり、Rは、互いに独立して、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜15のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜15のヘテロアリール基、または隣接する置換基と結合した縮合環基である。また、前記W〜Wは、CRであり、Rは、互いに独立して、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜15のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜15のヘテロアリール基であってもよく、前記W〜Wを結合する単結合、酸素原子もしくは硫黄原子であってもよい。
より具体的には、前記X〜X16は、CRであり、Rは、互いに独立して、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、または置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基であってもよい。
より具体的には、前記Lは、単結合であり、前記XおよびX11を結合してもよい。
前記構造Aは、前記W、W、またはW10の少なくともいずれかの位置にて、前記構造Bと結合してもよい。
ビカルバゾール化合物は、構造Aと構造Bとが上記の位置で結合していることにより、合成を容易に行うことができる。
前記構造Bは、前記Ar、Ar、X、X、X11、またはX14の少なくともいずれかの位置にて、前記構造Aと結合してもよい。
ビカルバゾール化合物は、構造Aと構造Bとが上記の位置で結合していることにより、合成を容易に行うことができる。
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、上記のいずれかのビカルバゾール化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料が提供される。
上記の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を有機層に用いることにより、有機EL素子は、発光寿命および発光効率を向上させることができる。
有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、溶媒をさらに含んでもよい。
このような有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、溶液塗布法に用いることが可能であり、有機エレクトロルミネッセンス素子を大面積で製造することを容易にすることができる。
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、一対の電極と、前記一対の電極の間に配置された、少なくとも1層以上の有機層と、を備え、前記有機層の少なくとも1層は、上記のいずれかのビカルバゾール化合物を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
本発明によれば、発光寿命および発光効率が向上した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。
前記ビカルバゾール化合物を含む有機層は、三重項励起子からの発光が可能な発光材料をさらに含んでもよい。
このような発光材料を有機層に含む場合、上記のビカルバゾール化合物は、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光寿命および発光効率をさらに向上させることができる。
以上説明したように本発明によれば、発光寿命および発光効率が向上した有機EL素子を提供することが可能である。
本発明の一実施形態に係る有機EL素子の一例を示す模式図である。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
<1.ビカルバゾール化合物>
まず、本発明の一実施形態に係るビカルバゾール化合物について説明する。
本実施形態に係るビカルバゾール化合物は、有機EL素子の一対の電極の間に配置された有機層に含まれ、溶液塗布法により成膜可能な有機EL素子用材料である。具体的には、本実施形態に係るビカルバゾール化合物は、発光層における正孔輸送性ホスト(HT−Host)材料として好適な有機EL素子用材料である。
本実施形態に係るビカルバゾール化合物は、構造中に下記一般式(1)で表される構造Aと、下記一般式(2)で表される構造Bと、をそれぞれ少なくとも1つ以上含む。
本実施形態に係るビカルバゾール化合物は、構造中に下記の構造A、および構造Bを含むことにより、HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital)準位が浅くなるため、正孔輸送層のHOMO準位との差が小さくなる。したがって、本実施形態に係るビカルバゾール化合物を正孔輸送性ホスト材料として用いることによって、正孔輸送層から発光層への正孔移動効率を向上させ、有機EL素子の発光寿命および発光効率を向上させることができる。
なお、上記の構造A、および構造Bを含むビカルバゾール化合物に対して、好適なHOMO準位を有する正孔輸送層の材料としては、例えば、アミン基を有する化合物を例示することができる。
また、上記の構造A、および構造Bを含むビカルバゾール化合物は、有機溶媒(例えば、トルエンなど)に対する溶解性が高いため、溶液塗布法によって安定な塗布膜を形成することができる。したがって、本実施形態に係るビカルバゾール化合物によれば、発光寿命および発光効率が向上した有機EL素子を溶液塗布法によって製造することができる。
本実施形態に係るビカルバゾール化合物が含む構造Aは、具体的には、下記一般式(1)で表される構造である。
上記一般式(1)において、AおよびAは、互いに独立して、単結合、置換もしくは無置換の炭素数1〜10のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリーレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリーレン基、ケイ素原子、酸素原子、または硫黄原子である。
ただし、上記一般式(1)において、AおよびAのいずれか一方は単結合ではない。AおよびAの双方が単結合である場合、ビカルバゾール化合物の分子内に存在するアミン基のアミン性が弱くなり、正孔輸送性ホスト材料としての特性が低下するため好ましくない。
上記一般式(1)において、Aは、置換もしくは無置換の炭素数1〜10の3価アルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の3価アリール基、または置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の3価ヘテロアリール基である。
上記一般式(1)において、AおよびAは、互いに独立して、置換もしくは無置換の炭素数1〜10のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリーレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリーレン基である。また、AおよびAは、単結合、酸素原子、硫黄原子または互いを架橋する置換基にて結合されていてもよい。
具体的には、上述した構造Aは、下記一般式(3)で表される構造であってもよい。
上記一般式(3)において、AおよびAは、互いに独立して、単結合、置換もしくは無置換の炭素数1〜10のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリーレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリーレン基、ケイ素原子、酸素原子、または硫黄原子である。ただし、上述したようにAおよびAのいずれか一方は単結合ではない。
より具体的には、上記一般式(3)において、AおよびAは、互いに独立して、単結合、置換もしくは無置換の炭素数1〜5のアルキレン基、ケイ素原子、酸素原子または硫黄原子である。例えば、AおよびAは、互いに独立して、単結合、ケイ素原子、酸素原子、硫黄原子、または置換もしくは無置換のメチレン基、置換もしくは無置換のエチレン基などであってもよい。ただし、上述したようにAおよびAのいずれか一方は単結合ではない。
上記一般式(3)において、W〜W11は、互いに独立して、窒素原子またはCR(置換基Rにて置換された炭素原子)であり、Rは、水素原子、重水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜10のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基、または隣接する置換基と結合した縮合環基である。
より具体的には、W〜W11は、CRであり、Rは、互いに独立して、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜15のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜15のヘテロアリール基、または隣接する置換基と結合した縮合環基である。
例えば、Rは、互いに独立して、水素原子、フェニル基、ナフチル基、ビフェニルイル基、ターフェニル基、フルオレニル基、ピロリル基、ピリジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリニル)基、カルバゾリル基、フラザニル基、チエニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、隣接する置換基と結合したフェニレン基、または後述する構造Bで表される置換基であってもよい。
また、上記一般式(3)において、W〜Wは、互いに非結合であってもよく、または単結合、酸素原子もしくは硫黄原子を介して結合していてもよい。
より具体的には、W〜Wは、CRであり、Rは、互いに独立して、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜15のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜15のヘテロアリール基、またはW〜Wを結合する単結合、酸素原子もしくは硫黄原子であってもよい。例えば、Rは、互いに独立して、水素原子、フェニル基、ナフチル基、ビフェニルイル基、ターフェニル基、フルオレニル基、ピロリル基、ピリジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリニル)基、カルバゾリル基、フラザニル基、チエニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、または互いを結合する単結合、酸素原子もしくは硫黄原子であってもよい。
また、構造Aは、構造Bといずれの位置で結合してもよいが、一般式(3)のW、W、またはW10のいずれかの位置にて構造Bと結合した場合、構造Aと構造Bとの立体障害が生じにくいため、本実施形態に係るビカルバゾール化合物をより容易に合成することができる。
このような構造を有する構造Aとしては、以下で構造を示す置換基群を例示することができる。ただし、本実施形態に係るビカルバゾール化合物が含む構造Aは、以下に例示する置換基群に限定されるわけではない。
また、本実施形態に係るビカルバゾール化合物が含む構造Bは、具体的には、下記一般式(2)で表されるビカルバゾール構造(アザカルバゾール構造も含む)である。
上記一般式(2)において、X〜X16は、互いに独立して、窒素原子またはCRであり、Rは、水素原子、重水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜10のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基、または隣接する置換基と結合した縮合環基である。
より具体的には、X〜X16は、CR(置換基Rにて置換された炭素原子)であり、Rは、互いに独立して、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、または置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基であってもよい。例えば、Rは、水素原子、フェニル基、ナフチル基、ビフェニルイル基、ターフェニル基、フルオレニル基、ピロリル基、ピリジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリニル)基、カルバゾリル基、フラザニル基、チエニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、または構造Aで表される置換基であってもよい。
上記一般式(2)において、Lは、単結合、または置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリーレン基である。例えば、Lは、単結合であってもよく、XおよびX11の位置で2つのカルバゾール構造を結合してもよい。
上記一般式(2)において、ArおよびArは、互いに独立して、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、または置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基である。例えば、ArおよびArは、互いに独立して、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ビフェニルイル基、ターフェニル基、フルオランテニル基、フルオレニル基、ピロリル基、ピリジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリニル基、カルバゾリル基、フラザニル基、チエニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、または構造Aで表される置換基であってもよい。
また、構造Bは、構造Aといずれの位置で結合してもよいが、一般式(2)のAr、Ar、X、X、X11、またはX14のいずれかの位置にて構造Aと結合した場合構造Aと構造Bとの立体障害が生じにくいため、本実施形態に係るビカルバゾール化合物をより容易に合成することができる。
このような構造Aおよび構造Bを有する本実施形態に係るビカルバゾール化合物としては、以下で構造を示す化合物群を例示することができる。ただし、本実施形態に係るビカルバゾール化合物は、以下に例示する化合物群に限定されるわけではない。
ここで、本実施形態に係るビカルバゾール化合物は、構造中に上述した構造Aおよび構造Bをそれぞれ少なくとも1つ以上含んでいればよく、含まれる構造Aおよび構造Bの数の上限は特に限定されない。ただし、本実施形態に係るビカルバゾール化合物の分子量が過度に大きくなる場合、ビカルバゾール化合物の合成および取り扱いが煩雑になる。そのため、本実施形態に係るビカルバゾール化合物の構造中に含まれる構造Aおよび構造Bの数は、例えば、20以下としてもよい。
また、本実施形態に係るビカルバゾール化合物の構造中に、構造Aまたは構造Bの少なくともいずれかが複数含まれる場合、複数含まれる構造Aまたは構造Bの構造は、互いに異なっていてもよく、互いに同一であってもよい。
構造Aおよび構造Bを複数有するビカルバゾール化合物としては、例えば、以下で構造式を示す化合物群を例示することができる。ただし、本実施形態に係るビカルバゾール化合物は、以下の例示に限定されるものではない。
以上にて説明したように、本実施形態に係るビカルバゾール化合物は、構造中に構造A、および構造Bをそれぞれ少なくとも1つ以上含む。これにより、本実施形態に係るビカルバゾール化合物は、HOMO準位を正孔輸送層のHOMO準位に近づけることができるため、正孔輸送層から発光層への正孔移動効率を向上させ、有機EL素子の発光寿命および発光効率を向上させることができる。したがって、本実施形態に係るビカルバゾール化合物は、発光層中の正孔輸送性ホスト材料として好適である。
また、上記の構造A、および構造Bを含むビカルバゾール化合物は、有機溶媒(例えば、トルエン(toluene)など)に対する溶解性が高い。これにより、本実施形態に係るビカルバゾール化合物は、溶液塗布法によって安定な塗布膜を形成することができる。したがって、本実施形態に係るビカルバゾール化合物によれば、溶液塗布法によって形成された有機EL素子の発光特性および安定性を向上させることができる。
なお、本実施形態に係るビカルバゾール化合物は、公知の有機合成方法を用いることで合成することが可能である。本実施形態に係る重合体の具体的な合成方法は、後述する実施例を参照した当業者であれば、容易に理解することが可能である。
なお、本明細書において、アルキル基とは、例えば、メチル(methyl)基、エチル(ethyl)基、プロピル(propyl)基、イソプロピル(isopropyl)基、n−ブチル(n−butyl)基、s−ブチル(s−butyl)基、イソブチル(isobutyl)基、t−ブチル(t−butyl)基、n−ペンチル(n−pentyl)基、n−ヘキシル(n−hexyl)基、n−ヘプチル(n−heptyl)基、n−オクチル(n−octyl)基を表す。
本明細書において、アリール基とは、例えば、フェニル(phenyl)基、ナフチル(naphthyl)基、アントリル(anthryl)基、フェナントリル(phenantyryl)基、ナフタセニル(naphthacenyl)基、ピレニル(pyrenyl)基、ビフェニルイル(biphenylyl)基、ターフェニル(terphenyl)基、トリル(tolyl)基、フルオランテニル(fluoranrhenyl)基、フルオレニル(fluorenyl)基を表す。
本明細書において、ヘテロアリール基とは、例えば、ピロリル(pyrrolyl)基、ピリジニル(pyridinyl)基、ピラジニル(pyrazinyl)基、インドリル(indolyl)基、イソインドリル(isoindolyl)基、トリアジニル(triazinyl)基、フリル(furyl)基、ベンゾフラニル(benzofuranyl)基、イソベンゾフラニル(isobenzofuranyl)基、キノリル(quinolyl)基、イソキノリル(isoquinolyl)基、キノキサリニル(quinoxalinyl)基、カルバゾリル(carbazolyl)基、フェナンスリジニル(phenanthridinyl)基、アクリジニル(acridinyl)基、フェナジニル(phenazinyl)基、フェノチアジニル(phenothiazzinyl)基、フェノキサジニル(phenoxazinyl)基、オキサゾリル(oxazolyl)基、オキサジアゾリル(oxadiazolyl)基、フラザニル(furazanyl)基、チエニル(thienyl)基、ジベンゾフラニル(dibenzofuranyl)基、ジベンゾチエニル(dibenzothienyl)基を表す。
また、本明細書において、アルキレン基、アリーレン基、およびヘテロアリーレン基とは、上記で例示したアルキル基、アリール基、およびヘテロアリール基のそれぞれから水素を1つ除去した2価の置換基を表す。さらに、3価アルキル基、3価アリール基、および3価ヘテロアリール基とは、上記で例示したアルキル基、アリール基、およびヘテロアリール基のそれぞれから水素を2つ除去した3価の置換基を表す。
さらに、本明細書において、「置換された」とは、任意の置換基にて置換されていることを表すが、具体的には、上述したアルキル基、アリール基、またはヘテロアリール基にて置換されていることを表してもよい。
<2.有機EL素子>
続いて、図1を参照して、本発明の一実施形態に係る有機EL素子について、詳細に説明する。図1は、本実施形態に係る有機EL素子の一例を示す模式図である。
図1に示すように、本実施形態に係る有機EL素子100は、基板110と、基板110上に配置された第1電極120と、第1電極120上に配置された正孔注入層130と、正孔注入層130上に配置された正孔輸送層140と、正孔輸送層140上に配置された発光層150と、発光層150上に配置された電子輸送層160と、電子輸送層160上に配置された電子注入層170と、電子注入層170上に配置された第2電極180とを備える。
ここで、本実施形態に係るビカルバゾール化合物は、例えば、第1電極120と第2電極180との間に配置されたいずれかの有機層中に含まれる。具体的には、本実施形態に係るビカルバゾール化合物は、正孔輸送性ホスト材料としてとして発光層150に含まれることが好ましい。また、本実施形態に係るビカルバゾール化合物は、発光層150以外の有機層に含まれていてもよい。例えば、本実施形態に係るビカルバゾール化合物は、電荷輸送材料として、正孔注入層130または正孔輸送層140等に含まれていてもよい。
また、本実施形態に係るビカルバゾール化合物を含む有機層は、例えば溶液塗布法によって形成される。具体的には、本実施形態に係る重合体を含む有機層は、スピンコート(spin coat)法、キャスティング(casting)法、マイクログラビアコート(micro gravure coat)法、グラビアコート(gravure coat)法、バーコート(bar coat)法、ロールコート(roll coat)法、ワイアーバーコード(wire bar coat)法、ディップコート(dip coat)法、スプレーコート(spry coat)法、スクリーン(screen)印刷法、フレキソ(flexographic)印刷法、オフセット(offset)印刷法、インクジェット(ink jet)印刷法等の溶液塗布法を用いて成膜される。
上記溶液塗付法によれば、本実施形態に係るビカルバゾール化合物を含む有機EL素子用材料を塗布することで有機層を形成することができる。なお、溶液塗付法にて用いられる場合、有機EL素子用材料はさらに溶媒を含んでもよい。このような溶媒を含む有機EL素子用材料としては、例えば、インクジェット印刷法等にて用いられるインク組成物、およびスピンコート法等に使用する成膜用組成液等を例示することができる。有機EL素子用材料に含まれる溶媒は、本実施形態に係るビカルバゾール化合物を溶解することができるものであれば、どのような溶媒でも使用することができる。このような溶媒としては、例えば、トルエンなどを例示することができる。
なお、本実施形態に係るビカルバゾール化合物を含む有機層は、分子量によっては真空蒸着法で製膜されてもよいことは自明である。また、本実施形態に係る有機EL素子100の他の周辺層の成膜方法については、特に限定されず、例えば、真空蒸着法にて成膜されてもよく、溶液塗布法にて成膜されてもよい。
基板110は、一般的な有機EL素子で使用される基板を使用することができる。例えば、基板110は、ガラス(glass)基板、シリコン(silicon)基板などの半導体基板、または透明なプラスチック(plastic)基板等であってもよい。
基板110上には、第1電極120が形成される。第1電極120は、具体的には、陽極であり、金属、合金、または導電性化合物等のうち仕事関数が大きいものによって形成される。例えば、第1電極120は、透明性および導電性に優れる酸化インジウムスズ(In−SnO:ITO)、酸化インジウム亜鉛(In−ZnO)、酸化スズ(SnO)、酸化亜鉛(ZnO)等によって透過型電極として形成されてもよい。また、第1電極120は、上記透明導電膜に対して、マグネシウム(Mg)、アルミニウム(Al)などを積層することによって反射型電極として形成されてもよい。
第1電極120上には、正孔注入層130が形成される。正孔注入層130は、第1電極120からの正孔の注入を容易にする層であり、具体的には、約10nm〜約1000nm、より具体的には、約10nm〜約100nmの厚さにて形成されてもよい。
正孔注入層130は、公知の正孔注入材料にて形成することができる。正孔注入層130を形成する公知の正孔注入材料としては、例えば、トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン(poly(ether ketone)−containg triphenylamine:TPAPEK)、4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート(4−isopropyl−4’−methyldiphenyliodonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate:PPBI)、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス−[4−(フェニル−m−トリル−アミノ)−フェニル]−ビフェニル−4,4’−ジアミン(N,N’−diphenyl−N,N’−bis−[4−(phenyl−m−tolyl−amino)−phenyl]−biphenyl−4,4’−diamine:DNTPD)、銅フタロシアニン(copper phthalocyanine)、4,4’,4”−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(4,4’,4”−tris(3−methylphenylphenylamino)triphenylamine:m−MTDATA)、N,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニルベンジジン(N,N’−di(1−naphthyl)−N,N’−diphenylbenzidine:NPB)、4,4’,4”−トリス(ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(4,4’,4”−tris(diphenylamino)triphenylamine:TDATA)、4,4’,4”−トリス(N,N−2−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(4,4’,4”−tris(N,N−2−naphthylphenylamino)triphenylamine:2−TNATA)、ポリアニリン/ドデシルベンゼンスルホン酸(polyaniline/dodecylbenzenesulphonic acid)、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(4−スチレンスルホネート)(poly(3,4−ethylenedioxythiophene)/poly(4−styrenesulfonate))、およびポリアニリン/10−カンファースルホン酸(polyaniline/10−camphorsulfonic acid)等を挙げることができる。
正孔注入層130上には、正孔輸送層140が形成される。正孔輸送層140は、正孔を輸送する機能を備えた層であり、例えば、約10nm〜約150nmの厚さにて形成されてもよい。なお、正孔輸送層140は、本実施形態に係るビカルバゾール化合物にて形成されてもよい。
正孔輸送層140は、公知の正孔輸送材料にて形成することができる。公知の正孔輸送材料としては、例えば、1,1−ビス[(ジ−4−トリルアミノ)フェニル]シクロヘキサン(1,1−bis[(di−4−tolylamino)phenyl]cyclohexane:TAPC)、N−フェニルカルバゾール(N−phenylcarbazole)およびポリビニルカルバゾール(polyvinylcarbazole)などのカルバゾール(carbazole)誘導体、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(N,N’−bis(3−methylphenyl)−N,N’−diphenyl−[1,1−biphenyl]−4,4’−diamine:TPD)、4,4’,4”−トリス(N−カルバゾリル)トリフェニルアミン(4,4’,4”−tris(N−carbazolyl)triphenylamine:TCTA)、ならびにN,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニルベンジジン(N,N’−di(1−naphthyl)−N,N’−diphenylbenzidine:NPB)等を挙げることができる。
正孔輸送層140上には、発光層150が形成される。発光層150は、蛍光、りん光等によって光を発する層である。発光層150は、本実施形態に係るビカルバゾール化合物を含み、スピンコーティング法、インクジェット法などの溶液塗布法によって形成される。発光層150は、例えば、約10nm〜約60nmの厚さにて形成されてもよい。なお、発光層150に用いられる電子輸送性ホスト(ET−Host)材料、およびドーパント(dopant)材料には、公知の材料を用いることができる。
本実施形態に係る有機EL素子において、発光層150に含まれる発光材料は、三重項励起子からの発光(すなわち、りん光による発光)が可能な発光材料であることが好ましい。このような場合、有機EL素子100の発光寿命をさらに向上させることができる。
発光層150は、本実施形態に係るビカルバゾール化合物以外の正孔輸送性ホスト(HT−Host)材料または電子輸送性ホスト(ET−Host)材料として、例えば、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(tris(8−quinolinato)aluminium:Alq)、4,4’−ビス(カルバゾール−9−イル)ビフェニル(4,4’−bis(carbazol−9−yl)biphenyl:CBP)、ポリ(n−ビニルカルバゾール)(poly(n−vinyl carbazole):PVK)、9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン(9,10−di(naphthalene)anthracene:ADN)、4,4’,4”−トリス(N−カルバゾリル)トリフェニルアミン(4,4’,4”−tris(N−carbazolyl)triphenylamine:TCTA)、1,3,5−トリス(N−フェニルベンズイミダゾール−2−イル)ベンゼン(1,3,5−tris(N−phenyl−benzimidazol−2−yl)benzene:TPBI)、3−tert−ブチル−9,10−ジ(ナフト−2−イル)アントラセン(3−tert−butyl−9,10−di(naphth−2−yl)anthracene:TBADN)、ジスチリルアリーレン(distyrylarylene:DSA)、4,4’−ビス(9−カルバゾール)−2,2’−ジメチル−ビフェニル(4,4’−bis(9−carbazole)2,2’−dimethyl−bipheny:dmCBP)などを含んでもよい。
また、発光層150は、ドーパント材料として、例えば、ペリレン(perlene)およびその誘導体、ルブレン(rubrene)およびその誘導体、クマリン(coumarin)およびその誘導体、4−ジシアノメチレン−2−(p−ジメチルアミノスチリル)−6−メチル−4H−ピラン(4−dicyanomethylene−2−(p−dimethylaminostyryl)−6−methyl−4H−pyran:DCM)およびその誘導体、ビス[2−(4,6−ジフルオロフェニル)ピリジネート]ピコリネートイリジウム(III)(bis[2−(4,6−difluorophenyl)pyridinate]picolinate iridium(III):FIrpic)、ビス(1‐フェニルイソキノリン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)(bis(1−phenylisoquinoline)(acetylacetonate)iridium(III):Ir(piq)(acac))、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(III)(tris(2−phenylpyridine)iridium(III):Ir(ppy))などイリジウム(Ir)錯体、オスミウム(Os)錯体、白金錯体などを含んでもよい。
発光層150上には、電子輸送層160が形成される。電子輸送層160は、電子を輸送する機能を備えた層であり、真空蒸着法、スピンコーティング法、インクジェット法などを用いて形成される。電子輸送層160は、例えば、約15nm〜約50nmの厚さにて形成されてもよい。
電子輸送層160は、公知の電子輸送材料にて形成されてもよい。公知の電子輸送材料としては、例えば、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(tris(8−quinolinato)aluminium:Alq)、および含窒素芳香環を有する化合物等を挙げることができる。含窒素芳香環を有する化合物の具体例としては、例えば、1,3,5−トリ[(3−ピリジル)−フェン−3−イル]ベンゼン(1,3,5−tri[(3−pyridyl)−phen−3−yl]benzene)のようなピリジン(pyridine)環を含む化合物、2,4,6−トリス(3’−(ピリジン−3−イル)ビフェニル−3−イル)−1,3,5−トリアジン(2,4,6−tris(3’−(pyridin−3−yl)biphenyl−3−yl)−1,3,5−triazine)のようなトリアジン(triazine)環を含む化合物、2−(4−(N−フェニルベンゾイニダゾリル−1−イル−フェニル)−9,10−ジナフチルアントラセン(2−(4−(N−phenylbenzoimidazolyl−1−yl−phenyl)−9,10−dinaphthylanthracene)のようなイミダゾール(imidazole)環を含む化合物等を挙げることができる。
電子輸送層160上には、電子注入層170が形成される。電子注入層170は、第2電極180からの電子の注入を容易にする機能を備えた層であり、真空蒸着法などを用いて形成される。電子注入層170は、約0.3nm〜約9nmの厚さにて形成されてもよい。電子注入層170は、電子注入層170を形成する材料として公知の材料ならば、いずれも使用することができる。例えば、電子注入層170は、(8−ヒドロキシキノリノラト)リチウム((8−hydroxyquinolinato)lithium:Liq)およびフッ化リチウム(LiF)等のリチウム(lithium)化合物、塩化ナトリウム(NaCl)、フッ化セシウム(CsF)、酸化リチウム(LiO)、または酸化バリウム(BaO)等にて形成されてもよい。
電子注入層170上には、第2電極180が形成される。第2電極180は、具体的には、陰極であり、金属、合金、または導電性化合物等のうち仕事関数が小さいものによって形成される。例えば、第2電極180は、リチウム(Li)、マグネシウム(Mg)、アルミニウム(Al)、カルシウム(Ca)等の金属、またはアルミニウム−リチウム(Al−Li)、マグネシウム−インジウム(Mg−In)、マグネシウム−銀(Mg−Ag)等の合金で反射型電極として形成されてもよい。また、第2電極180は、上記金属材料の20nm以下の薄膜、酸化インジウムスズ(In−SnO)および酸化インジウム亜鉛(In−ZnO)などの透明導電性膜によって透過型電極として形成されてもよい。
以上、本実施形態に係る有機EL素子100の一例について説明した。本実施形態に係る有機EL素子100は、本実施形態に係る重合体を含む有機層を有することにより、発光効率および発光寿命をより向上させることができる。
なお、本実施形態に係る有機EL素子100の積層構造は、上記例示に限定されない。本実施形態に係る有機EL素子100は、他の公知の積層構造にて形成されてもよい。例えば、有機EL素子100は、正孔注入層130、正孔輸送層140、電子輸送層160および電子注入層170のうちの1層以上が省略されてもよく、また、追加で他の層を備えていてもよい。また、有機EL素子100の各層は、それぞれ単層で形成されてもよく、複数層で形成されてもよい。
例えば、有機EL素子100は、励起子または正孔が電子輸送層160に拡散することを防止するために、正孔輸送層140と発光層150との間に正孔阻止層をさらに備えていてもよい。なお、正孔阻止層は、例えば、オキサジアゾール(oxadiazole)誘導体、トリアゾール(triazole)誘導体、または、フェナントロリン(phenanthroline)誘導体等によって形成することができる。
以下では、実施例および比較例を参照しながら、本実施形態に係るビカルバゾール化合物、および該ビカルバゾール化合物を含む有機EL素子について具体的に説明する。なお、以下に示す実施例は、あくまでも一例であって、本実施形態に係るビカルバゾール化合物および有機EL素子が下記の例に限定されるものではない。
<ビカルバゾール化合物の合成>
まず、本実施形態に係るビカルバゾール化合物の合成方法について、以下の化合物H−1を例示して具体的に説明する。なお、以下に述べる合成方法はあくまでも一例であって、本実施形態に係るビカルバゾール化合物の合成方法が下記の例に限定されるものではない。
(化合物H−1の合成)
以下の各反応式に従って、本実施形態に係るビカルバゾール化合物である化合物H−1を合成した。
まず、上記の反応式1に従って、化合物3を合成した。
アルゴン(argon)雰囲気下において、2L四つ口フラスコ(flask)に、2−ヨードアニソール(2−iodoanisole)(40.0g、192.3mmol)、4−ブロモ−2.6−ジフルオロアニリン(4−bromo−2,6−difluoroaniline)(100.0g、427.3mmol)、炭酸カリウム(KCO)(111.0g、803.2mmol)、銅(Cu)(15.6g、246.0mmol)、o−ジクロロベンゼン(o−dichlorobenzene)520mlを加え、180℃で80時間、混合物を撹拌した。反応終了後、混合物を室温まで放冷した後、セライト(celite)(登録商標)を用いて不純物をろ別した。溶媒除去後、ヘキサン(hexane)300mlで3回洗浄することにより白色粉末の化合物1を得た(48.0g、114.2mmol、収率26.7%)。
次に、アルゴン雰囲気下において、3L四つ口フラスコに、化合物1(47.00g、111.84mmol)、脱水ジクロロメタン(dichloromethane)1800mlを加え、−75℃で15分撹拌した。その後、1.0Mのトリブロモホウ酸ジクロロメタン溶液(tribromoboric acid dichloromethane solution)を230ml滴下し、ゆっくりと室温まで昇温した後、5時間撹拌した。その後、反応溶液に1000mlの水に加え、ジクロロメタンで3回抽出を行った。有機層を濃縮後、カラムクロマトグラム(column chromatogram)を用いて精製し、化合物2を得た(38.0g、96.9mmol、収率86.6%)。
続いて、アルゴン雰囲気下において、2L四つ口フラスコに、化合物2(37.00g、94.35mmol)、炭酸カリウム(39.00g、283.00mmol)、ジメチルホルムアミド(dimethylformamide)500mlを加え、110℃で10時間、混合物を撹拌した。混合物を室温に放冷した後、1000mlの水を加えて白色固体を析出させ、ろ過した。得られた固体をクロロホルム(chloroform)およびヘキサンの混合溶媒を用いた再結晶により精製し、化合物3を得た(26.3g、74.7mmol、収率79.1%)。
次に、上記の反応式2に従って、化合物4を合成した。
アルゴン雰囲気下において、200ml三口フラスコに、3−ブロモ−6,9−ジフェニルカルバゾール(3−bromo−6,9−diphenylcarbazole)(4.52g、11.4mmol)、3−(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボラン−2−イル)カルバゾール(3−(4,4,5,5−tetramethyl−1,3,2−dioxaborolan−2−yl)carbazole)(3.50g、11.9mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(tetrakis(triphenylphosphine)palladium)(0.394g、0.340mmol)、1,2−ジメトキシエタン(1,2−demethoxyethane)30ml、2M炭酸ナトリウム水溶液(NaCOaq)17mlを加え、80℃で8時間、混合物を撹拌した。混合物を室温に放冷した後、セライトを用いて不純物をろ別した。有機層を濃縮後、カラムクロマトグラムを用いて精製し、化合物4を得た。
続いて、上記の反応式3に従って、化合物H−1を合成した。
アルゴン雰囲気下において、100ml三口フラスコに、化合物3(1.38g、3.92mmol)、化合物4(2.00g、4.13mmol)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(tris(dibenzylideneacetone)dipalladium)(0.0760g、0.0800mmol)、テトラフルオロホウ酸トリ−t−ブチルホスフィン(tetrafluoroboric acid tri−t−btylphosphine)(0.0960g、0.330mmol)、ナトリウム−t−ブトキシド(sodium−t−butoxide)(0.595g、6.19mmol)、脱水キシレン(xylene)20mlを加え、120℃で4時間、混合物を撹拌した。混合物を室温で放冷した後、セライトを用いて不純物をろ別した。有機層を濃縮後、カラムクロマトグラムを用いて精製し、H−1を得た(2.27g、収率76.5%)。なお、化合物H−1は、LC−MS(liquid chromatography−mass spectrometry)を用いて構造を同定した。具体的には、LC−MSにて測定された化合物H−1の分子量(m/z値)は、756(M)であり、化合物H−1(C5433)の分子量の計算値である756と一致することを確認した。
(化合物H−2、H−3の合成)
上記の化合物H−1の合成方法を基にして、出発物質を変更することによって、以下で構造式を示す化合物H−2、およびH−3を合成した。なお、化合物H−2、およびH−3もLC−MSを用いて構造を同定した。具体的には、LC−MSにて測定された化合物H−2の分子量(m/z値)は、740(M)であり、化合物H−2(C5433O)の分子量の計算値である740と一致することを確認した。また、LC−MSにて測定された化合物H−3の分子量(m/z値)は、908(M)であり、化合物H−3(C6641)の分子量の計算値である908と一致することを確認した。
<有機EL素子の製造>
次に、以下の工程によって、本実施形態に係るビカルバゾール化合物を含む有機EL素子を製造した。
陽極としてストライプ(stripe)状のITO(酸化インジウムスズ)を備えたガラス基板上に、PEDOT/PSS(poly(3,4−ethylene dioxythiophene)/poly(4−styrene sulfonate)(Sigma−Aldrich製)を乾燥膜厚が30nmになるようにスピンコート法にて塗布し、正孔注入層を形成した。
次に、TFB(poly(9,9−dioctyl−fluorene−co−N−(4−butylphenyl)−diphenylamine))をキシレンに溶解し、正孔輸送層塗布液を調製した。正孔注入層上に、正孔輸送層塗布液を乾燥膜厚が30nmになるようにスピンコート法にて塗布し、正孔輸送層を形成した。
続いて、ホスト材料と、ドーパント材料であるトリス(2−(3−p−キシイル)フェニル)ピリジン イリジウム(III)(tris(2−(3−p−xylyl)phenyl)pyridine iridium(III))とを含むトルエン溶液を調整した。ドーパント材料のドープ量は、発光層の総質量に対して10質量%とした。正孔輸送層上に、調整したトルエン溶液を乾燥膜厚が30nmになるようにスピンコート法で塗布し、発光層を形成した。
次に、発光層上に、真空蒸着装置にて、8−ヒドロキシキノリノラートリチウム(Liq)およびKLET−03(ケミプロ化成製)を共蒸着し、膜厚50nmの電子輸送層を形成した。また、電子輸送層上に、フッ化リチウム(LiF)を蒸着し、膜厚1nmの電子注入層を形成した。さらに、電子注入層上に、アルミニウム(Al)を蒸着し、膜厚100nmの陰極を形成した。以上の方法により有機EL素子を製造した。
なお、TFBは、以下で構造式を示す高分子化合物である。
<評価結果>
上記で製造した有機EL素子の電流効率および発光寿命を以下の方法にて評価した。なお、各有機EL素子にて、ホスト材料は、それぞれ以下の表1で示す化合物を用いた。
直流定電圧電源(KEYENCE製ソースメータ(source meter))を用いて、各有機EL素子に対して所定の電圧を加え、有機EL素子を発光させた。有機EL素子の発光を輝度測定装置(Topcom製SR−3)にて測定しつつ、徐々に電流を増加させ、輝度が6000cd/mになったところで電流を一定にし、放置した。この時の電圧を「駆動電圧(V)」とした。
ここで、有機EL素子の面積から単位面積あたりの電流値(電流密度)を計算し、輝度(cd/m)を電流密度(A/m)にて除算することで、「電流効率(cd/A)」を算出した。また、輝度測定装置で測定した輝度の値が徐々に低下し、初期輝度の80%になるまでの時間を「発光寿命(LT80、hrs)」とした。
評価結果を以下の表1に示す。表1では、駆動電圧、電流効率および発光寿命は、比較例1における測定値を100としたときの相対値として示す。
また、表1の各化合物の構造式を下記に示す。
表1の結果を参照すると、本実施形態に係るビカルバゾール化合物を正孔輸送性ホスト材料として用いた実施例1〜3は、比較例1に対して、駆動電流が低下し、かつ電流効率および発光寿命が向上していることがわかる。
<まとめ>
以上にて説明したように、本発明の一実施形態によれば、特定の構造Aと、特定の構造Bとをそれぞれ少なくとも1つ以上含むビカルバゾール化合物が提供される。本実施形態に係るビカルバゾール化合物は、正孔輸送性ホスト材料として用いることにより、有機EL素子の駆動電圧の低電圧化を可能にし、さらに発光寿命および発光効率を向上させることができる。また、本実施形態に係るビカルバゾール化合物は、溶媒に対して優れた溶解性を有し、塗布成膜性に優れるため、高効率な有機EL素子を溶液塗布法によって製造することを可能にする。
なお、本実施形態に係るビカルバゾール化合物の適用範囲は、正孔輸送性ホスト材料に限定されない。本実施形態に係るビカルバゾール化合物は、例えば、電荷輸送材料としても使用することが可能であり、電荷輸送層に用いられてもよく、置換基の変更により、バイポーラ(bipolar)型のホスト材料、または電子輸送性ホスト材料として用いることも可能である。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
100 有機EL素子
110 基板
120 第1電極
130 正孔注入層
140 正孔輸送層
150 発光層
160 電子輸送層
170 電子注入層
180 第2電極

Claims (6)

  1. 以下の化合物群;
    以下の化合物群;
    以下の化合物群;
    以下の化合物群;
    以下の化合物群;
    以下の化合物群;
    から選ばれるビカルバゾール化合物。
  2. 以下の化合物群から選ばれるビカルバゾール化合物。
  3. 請求項1または2に記載のビカルバゾール化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
  4. 溶媒をさらに含む、請求項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
  5. 一対の電極と、
    前記一対の電極の間に配置された、少なくとも1層以上の有機層と、
    を備え、
    前記有機層の少なくとも1層は、請求項1または2に記載のビカルバゾール化合物を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子。
  6. 前記ビカルバゾール化合物を含む有機層は、三重項励起子からの発光が可能な発光材料をさらに含む、請求項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
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