JP6634276B2 - 位置検出装置 - Google Patents
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Description
置を提供することにある。
図2は磁気スケール2に設けられた磁気トラック4および磁気抵抗素子37、38、45、46の説明図である。図2に示すように、磁気トラック4は、磁気スケール2と磁気センサ装置3の相対移動方向Xに延びる第1インクリメンタルトラック21、第2インクリメンタルトラック22、および、アブソリュートトラック23を有する。第1インクリメンタルトラック21、第2インクリメンタルトラック22、および、アブソリュートトラック23は平行である。アブソリュートトラック23は相対移動方向Xに延びる第1トラック24と第2トラック25を備える。第1トラック24と第2トラック25は直交方向Yで隙間なく設けられている。第1トラック24と第2トラック25は平行である。
対向させている。
図3は磁気式エンコーダ装置1の制御系を示す概略ブロック図である。図4は磁気スケール2の読み取りにより磁気センサ装置3が取得する各信号の説明図である。図4ではアブソリュート値検出用磁気抵抗素子45、46の配置を模式的に記載している。図5は第1信号出力部から出力される第1信号、第2信号出力部から出力される第2信号および第1信号と第2信号の差動信号の説明図である。図5(a)は、アブソリュートトラック23と第1信号出力部および第2信号出力部を模式的に示す説明図である。図5(b)は第1信号出力部から出力される第1信号のグラフであり、図5(c)は第2信号出力部から出力される第2信号のグラフであり、図5(d)は差動信号のグラフであり、図5(e)はアブソリュート値である。なお、図5(a)では、着磁領域の磁界を説明するために第1トラック24と第2トラック25の間に隙間を設けて示す。図6(a)はアブソリュートパターンにおける着磁領域と無着磁領域の境界部分における磁界の説明図であり、図6(b)は、着磁領域と無着磁領域の境界部分における第1信号のグラフである。
界を検出した場合の差動信号D(中点電圧)のグラフである。図5(d)に示すように、ブリッジ回路47の中点48からは、第1信号E1と第2信号E2の差動が差動信号D(中点電圧)として出力される。従って、アブソリュート値検出用第1磁気抵抗素子45が着磁領域の磁界を検出し、アブソリュート値検出用第2磁気抵抗素子46が無着磁領域の磁界を検出している場合には、差動信号Dとして中点電位E0以上の電圧信号が出力される。一方、アブソリュート値検出用第1磁気抵抗素子45が無着磁領域の磁界を検出し、アブソリュート値検出用第2磁気抵抗素子46が着磁領域の磁界を検出している場合には、差動信号Dとして中点電位E0よりも低い電圧信号が出力される。
列しておけば、各ピッチ内の相対移動方向Xにおける着磁部分の長さは一定でなくても第3ピッチP3に対応する第3波長λ3で、6ビットのアブソリュート値ABSを正確に取得できる。従って、着磁領域に対する着磁の自由度が増加する。
磁気スケール2が移動すると、図4に示すように、第1インクリメンタル信号出力部31は第1波長λ1(80μm)の第1インクリメンタル信号θAを出力し、第2インクリメンタル信号出力部32は第2波長λ2(100μm)の第2インクリメンタル信号θBを出力する。これに並行して、インクリメンタル信号算出部33は、第1インクリメンタル信号θAおよび第2インクリメンタル信号θ2に基づいて第3波長λ3(400μm)の第3インクリメンタル信号θCを取得する。
上記の例では、アブソリュートトラック23の第1トラック24において、相対移動方向Xで隣り合う着磁領域は、互いに同一の極を対向させている。また、アブソリュートトラック23の第2トラック25において、相対移動方向Xで隣り合う着磁領域は、互いに同一の極を対向させている。しかし、着磁領域の極の方向は、これに限られるものではない。
24と第2トラック25を相対移動方向Xと直交する直行方向において隙間なく形成するので、磁気スケール2を幅方向に小型化できる。
域25R(2)と第1の着磁領域25R(1)の反対側で隣り合う第3の着磁領域25R(3)とは、S極とS極とを対向させている。従って、第2トラック25の隣り合う着磁領域についてS極とN極が向く方向に規則性はない。また、相対移動方向Xで隣り合う第1トラック24の着磁領域と第2トラック25の着磁領域に着目した場合には、第1トラック24の着磁領域と第2トラック25の着磁領域は互いに同一の極を対向させている箇所と、互いに異なる極を対向させている箇所とがある。従って、アブソシュートトラック23´´の隣り合う着磁領域についてS極とN極が向く方向に規則性はない。
0以下の場合に1、中点電位E0よりも高い場合に0としてアブソリュート値ABSを出力してもよい。
上記の例では、アブソリュートトラック23は第1トラック24と第2トラック25の2本のトラックを備えるものであるが、アブソリュートトラック23が3本以上のトラックを備えてもよい。図8はアブソリュートトラック23が3本以上のトラックを備える本発明を適用した磁気式エンコーダ装置の説明図、および、参考例の磁気式エンコーダ装置の説明図である。
部53は、第3ピッチP3で第3トラック50に対向配置した複数のアブソリュート値検出用第3磁気抵抗素子55を備える。第4信号出力部54は、第3ピッチP3で第3トラック50に対向配置した複数のアブソリュート値検出用第4磁気抵抗素子56を備える。かかる構成は、磁気式エンコーダ装置1におけるアブソリュート値検出用第1磁気抵抗素子45とアブソリュート値検出用第2磁気抵抗素子46と同様である。また、第3信号出力部53からは第1信号E1と同様の第3信号E3が出力され、第4信号出力部54からは第2信号E2と同様の第4信号E4が出力される。
ラック23は4本のトラックを備える。
5とアブソリュート値検出用第2磁気抵抗素子46の組と、この組に対して相対移動方向Xで同一の位置(直交方向Yから見た場合に重なる位置)に配置されているアブソリュート値検出用第3磁気抵抗素子65と第アブソリュート値検出用第4磁気抵抗素子66の組をセットとして、第1ブリッジ回路47の中点48から出力される第1差動信号D1と、第2ブリッジ回路68中点69から出力される第2差動信号D2に基づいて、アブソリュート値ABSを出力する。
2…磁気スケール
23…アブソリュートトラック
24a…アブソリュートパターン
24…第1トラック
25…第2トラック
25a…着磁パターン
26…第1トラックと第2トラックの間の隙間
34…アブソリュート値出力部
41…第1信号出力部
42…第2信号出力部
45…アブソリュート値検出用第1磁気抵抗素子(第1磁気検出素子)
46…アブソリュート値検出用第2磁気抵抗素子(第2磁気検出素子)
47…ブリッジ回路
50…第3トラック
51…第1差動信号出力部
52…第2差動信号出力部
53…第3信号出力部
54…第4信号出力部
61…差動信号出力部
63…第3信号出力部
64…第4信号出力部
E…中点電圧
E0…中点電位
E1…第1信号
E2…第2信号
E3…第3信号
E4…第4信号
P3…第3ピッチ(一定のピッチ)
D…差動信号
D1…第1差動信号
D2…第2差動信号
ABS…アブソリュート値
GND…グランド端子
Vcc…電圧入力端子
X…相対移動方向
Claims (3)
- 着磁領域と無着磁領域とが一定のピッチで配列されたアブソリュートパターンを有するアブソリュートトラックを備える磁気スケールと、
相対移動する前記磁気スケールの前記アブソリュートトラックを読み取ってアブソリュート値を出力するアブソリュート値出力部と、を有し、
前記アブソリュートトラックは、前記アブソリュートパターンを有する第1トラックと、前記第1トラックと並列に相対移動方向に延びる第2トラックと、を備え、
前記第2トラックは、着磁領域および無着磁領域が前記ピッチで前記アブソリュートパターンと反対に配列された着磁パターンを備え、
前記アブソリュートトラックは、前記第1トラックの前記第2トラックとは反対側に当該第1トラックに沿って相対移動方向に延びる第3トラック、を備え、
前記第3トラックは、前記着磁パターンを備え、
前記アブソリュート値出力部は、前記第1トラックの前記アブソリュートパターンを読み取って第1信号を出力する第1信号出力部と前記第2トラックの前記着磁パターンを読み取って第2信号を出力する第2信号出力部とを有し、前記第1信号および前記第2信号の差動である第1差動信号を出力する第1差動信号出力部、および、前記第1トラックの前記アブソリュートパターンを読み取って第3信号を出力する第3信号出力部と前記第3トラックの前記着磁パターンを読み取って第4信号を出力する第4信号出力部とを有し、前記第3信号および前記第4信号の差動である第2差動信号を出力する第2差動信号出力部を備え、前記第1差動信号と前記第2差動信号に基づいてアブソリュート値を出力することを特徴とする位置検出装置。 - 請求項1において、
前記第1信号出力部は、前記アブソリュートパターンを検出する第1磁気検出素子を備え、
前記第2信号出力部は、前記第2トラックの前記着磁パターンを検出する第2磁気検出素子を備え、
前記第3信号出力部は、前記アブソリュートパターンを検出する第3磁気検出素子を備え、
前記第4信号出力部は、前記第3トラックの前記着磁パターンを検出する第4磁気検出素子を備え、
前記アブソリュート値出力部は、電圧入力端子とグランド端子との間に前記第1磁気検出素子と前記第2磁気検出素子とを直列に接続した第1ブリッジ回路と、前記電圧入力端子と前記グランド端子との間に前記第3磁気検出素子と前記第4磁気検出素子とを直列に接続した第2ブリッジ回路とを備え、
前記第1差動信号は、前記第1磁気検出素子と前記第2磁気検出素子との間から出力される中点電圧であり、
前記第2差動信号は、前記第3磁気検出素子と前記第4磁気検出素子との間から出力される中点電圧であることを特徴とする位置検出装置。 - 請求項2において、
前記アブソリュート値出力部は、前記第1磁気検出素子と前記第2磁気検出素子との間の中点電位と、前記第3磁気検出素子と前記第4磁気検出素子との間の中点電位とを平均した平均電圧を閾値として前記アブソリュート値を出力することを特徴とする位置検出装置。
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