JP6634277B2 - 位置検出装置 - Google Patents
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Description
図2は磁気スケール2に設けられた磁気トラック4および磁気抵抗素子37、38、45、46の説明図である。図2に示すように、磁気トラック4は、磁気スケール2と磁気センサ装置3の相対移動方向Xに延びる第1インクリメンタルトラック21、第2インクリメンタルトラック22、および、アブソリュートトラック23を有する。第1インクリメンタルトラック21、第2インクリメンタルトラック22、および、アブソリュートトラック23は平行である。アブソリュートトラック23は相対移動方向Xに延びる第1トラック24と第2トラック25を備える。第1トラック24と第2トラック25は直交方向Yで隙間なく設けられている。第1トラック24と第2トラック25は平行である。
図3は磁気式エンコーダ装置1の制御系を示す概略ブロック図である。図4は磁気スケール2の読み取りにより磁気センサ装置3が取得する各信号の説明図である。図4ではアブソリュート値検出用磁気抵抗素子45、46の配置を模式的に記載している。図5は第1信号出力部から出力される第1信号、第2信号出力部から出力される第2信号および第1信号と第2信号の差動信号の説明図である。図5(a)は、アブソリュートトラック23と第1信号出力部および第2信号出力部を模式的に示す説明図である。図5(b)は第1信号出力部から出力される第1信号のグラフであり、図5(c)は第2信号出力部から出力される第2信号のグラフであり、図5(d)は差動信号のグラフであり、図5(e)はアブソリュート値である。なお、図5(a)では、着磁領域の磁界を説明するために第1トラック24と第2トラック25の間に隙間を設けて示す。図6(a)はアブソリュー
トパターンにおける着磁領域と無着磁領域の境界部分における磁界の説明図であり、図6(b)は、着磁領域と無着磁領域の境界部分における第1信号のグラフである。
トパターン24aの複数の領域のそれぞれの磁界を検出して第1信号E1を出力する。図4に示すように、本例では、6ビットのアブソリュート値ABSを取得するために、第1信号出力部41は6つのアブソリュート値検出用第1磁気抵抗素子45を備える。図5(b)は、図5(a)に示すアブソリュートトラック23の6ピッチ分の領域の磁界を検出した場合の第1信号E1のグラフである。
部分で第1信号E1が出力される。すなわち、図6に示すように、着磁領域R1と無着磁領域R0の境界位置Rでは、着磁領域R1から無着磁領域R0にオーバーシュートして着磁領域R1に戻る磁界Fが発生しているので、アブソリュート値検出用第1磁気抵抗素子45はこの磁界Fを検出して第1信号E1を出力する。従って、アブソリュート値ABSを取得するための閾値を適切に設定しなければ、無着磁領域R0においても出力が閾値を超える場合が発生してしまい、アブソリュート値ABSを正確に取得できない場合が発生する。
子(アブソリュート値検出用第1磁気抵抗素子45)と比較して温度が上昇する。また、この温度の上昇に変化に起因して、一方の磁気抵抗素子(アブソリュート値検出用第2磁気抵抗素子46)の抵抗値は他方の磁気抵抗素子(アブソリュート値検出用第1磁気抵抗素子45)の抵抗値と比較して増大する。この結果、アブソリュート値検出用第1磁気抵抗素子45から出力される第1信号E1とアブソリュート値検出用第2磁気抵抗素子46から出力される第2信号E2との差動信号Dは上方或いは下方にオフセットする。例えば、アブソリュート値検出用第2磁気抵抗素子46の抵抗値がアブソリュート値検出用第1磁気抵抗素子45の抵抗値と比較して増大すると、図5(d)に点線で示すように、差動信号Dはオフセット量Oだけ上方にオフセットする。
磁気スケール2が移動すると、図4に示すように、第1インクリメンタル信号出力部31は第1波長λ1(80μm)の第1インクリメンタル信号θAを出力し、第2インクリメンタル信号出力部32は第2波長λ2(100μm)の第2インクリメンタル信号θBを出力する。これに並行して、インクリメンタル信号算出部33は、第1インクリメンタル信号θAおよび第2インクリメンタル信号θ2に基づいて第3波長λ3(400μm)の第3インクリメンタル信号θCを取得する。
アブソリュート値検出用第1磁気抵抗素子45およびアブソリュート値検出用第2磁気抵抗素子46と同じ材料から形成されている。従って、温度変化に起因するアブソリュート値検出用磁気抵抗素子45、46の抵抗値の変化と、温度変化に起因する温度補正用磁気抵抗素子51、52の抵抗変化が対応するものとなる。従って、アブソリュート値検出用磁気抵抗素子45、46からの信号を、温度補正用磁気抵抗素子51、52からの信号を利用して補正すれば、アブソリュート値検出用磁気抵抗素子45、46からの信号について温度変化に起因する信号のシフトを抑制できる
2…磁気スケール
3…磁気センサ装置
12…センサ基板
21…第1インクリメンタルトラック
21a…第1インクリメンタルパターン
22…第2インクリメンタルトラック
22a…第2インクリメンタルパターン
23…アブソリュートトラック
24…第1トラック
24a…アブソリュートパターン
25…第2トラック
25a…着磁パターン
31…第1インクリメンタル信号出力部
32…第2インクリメンタル信号出力部
33…演算処理部
34…アブソリュート信号出力部
45…アブソリュート値検出用第1磁気抵抗素子(磁界検出用第1磁気抵抗素子)
46…アブソリュート値検出用第2磁気抵抗素子(磁界検出用第2磁気抵抗素子)
47…ブリッジ回路(第1ブリッジ回路)
51…温度補正用第1磁気抵抗素子
52…温度補正用第2磁気抵抗素子
53…温度補正用ブリッジ回路(第2ブリッジ回路)
ABS…アブソリュート信号
D…差動信号(第1中点電圧)
E1…第1信号
E2…第2信号
GND…グランド端子
P1…第1ピッチ
P2…第2ピッチ
P3…第3ピッチ
T…温度補正用中点電圧(第2中点電圧)
Vcc…電圧入力端子
Y…直交方向
Z…相対移動方向
λ1…第1波長
λ2…第2波長
λ3…第3波長
Claims (6)
- 磁気スケールと、
相対移動する前記磁気スケールの位置を検出する磁気センサ装置と、を有し、
前記磁気センサ装置は、センサ基板と、前記センサ基板上で相対移動方向に感磁方向を向け前記磁気スケールを読み取って信号を出力する磁界検出用磁気抵抗素子と、前記センサ基板上で前記相対移動方向と直交する直交方向に感磁方向を向ける温度補正用磁気抵抗素子と、を備え、
前記温度補正用磁気抵抗素子の抵抗値は、前記磁界検出用磁気抵抗素子の抵抗値よりも大きいことを特徴とする位置検出装置。 - 請求項1において、
前記磁気センサ装置は、前記磁界検出用磁気抵抗素子からの前記信号を、前記温度補正用磁気抵抗素子からの信号によって補正することを特徴とする位置検出装置。 - 請求項1または2において、
前記磁界検出用磁気抵抗素子と、前記温度補正用磁気抵抗素子とは、同一の材料からなることを特徴とする位置検出装置。 - 請求項1ないし3のうちのいずれかの項において、
前記磁気スケールは、第1トラックと、前記第1トラックに並列に配置された第2トラックとを備え、
前記磁界検出用磁気抵抗素子として、前記第1トラックを読み取って第1信号を出力する磁界検出用第1磁気抵抗素子と、前記第2トラックを読み取って第2信号を出力する磁界検出用第2磁気抵抗素子と、を備え、
前記温度補正用磁気抵抗素子として、前記センサ基板上で前記磁界検出用第2磁気抵抗素子よりも前記磁界検出用第1磁気抵抗素子に近い位置に配置された温度補正用第1磁気抵抗素子と、前記センサ基板上で前記磁界検出用第1磁気抵抗素子よりも前記磁界検出用第2磁気抵抗素子に近い位置に配置された温度補正用第2磁気抵抗素子と、を備えることを特徴とする位置検出装置。 - 請求項4において、
前記磁気スケールは、着磁領域と無着磁領域とが一定のピッチで配列されたアブソリュートパターンを有するアブソリュートトラックを有し、
前記磁気センサ装置は、相対移動する前記磁気スケールの前記アブソリュートトラックを読み取ってアブソリュート信号を出力するアブソリュート信号出力部を有し、
前記アブソリュートトラックは、前記第1トラックと、前記第2トラックと、を備え、
前記第1トラックは、前記アブソリュートパターンを有し、
前記第2トラックは、着磁領域および無着磁領域が前記ピッチで前記アブソリュートパターンと反対に配列された着磁パターンを備え、
前記アブソリュート信号出力部は、電圧入力端子とグランド端子との間に前記磁界検出用第1磁気抵抗素子と前記磁界検出用第2磁気抵抗素子とを直列に接続した第1ブリッジ回路と、前記電圧入力端子と前記グランド端子との間に前記温度補正用第1磁気抵抗素子と前記温度補正用第2磁気抵抗素子とを直列に接続した第2ブリッジ回路と、を備え、
前記磁界検出用第1磁気抵抗素子と前記磁界検出用第2磁気抵抗素子との間から出力される第1中点電圧および前記温度補正用第1磁気抵抗素子と前記温度補正用第2磁気抵抗素子との間から出力される第2中点電圧の差に基づいて前記アブソリュート信号を出力することを特徴とする位置検出装置。 - 請求項5において、
前記磁気スケールは、第1ピッチで形成された第1インクリメンタルパターンを有する第1インクリメンタルトラックと、前記第1ピッチよりも長い第2ピッチで形成された第2インクリメンタルパターンを有する第2インクリメンタルトラックを備え、
前記磁気センサ装置は、相対移動する前記磁気スケールの前記第1インクリメンタルトラックを読み取って前記第1ピッチに対応する長さの第1波長の第1インクリメンタル信号を出力する第1インクリメンタル信号出力部と、相対移動する前記磁気スケールの前記第2インクリメンタルトラックを読み取って前記第2ピッチに対応する長さの第2波長の第2インクリメンタル信号を出力する第2インクリメンタル信号出力部と、前記第1インクリメンタル信号および前記第2インクリメンタル信号に基づいて前記第1波長および前記第2波長の整数倍となる第3波長の第3インクリメンタル信号を取得する演算処理部と、を備え、
前記アブソリュートトラックの前記アブソリュートパターンは、前記第2ピッチよりも長い第3ピッチで形成されており、
前記アブソリュート信号出力部は、前記第3ピッチに対応する前記第3波長のアブソリュート信号を出力することを特徴とする位置検出装置。
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