JP6630460B1 - 蒸着材料 - Google Patents
蒸着材料 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6630460B1 JP6630460B1 JP2019137775A JP2019137775A JP6630460B1 JP 6630460 B1 JP6630460 B1 JP 6630460B1 JP 2019137775 A JP2019137775 A JP 2019137775A JP 2019137775 A JP2019137775 A JP 2019137775A JP 6630460 B1 JP6630460 B1 JP 6630460B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- micropores
- bumping phenomenon
- result
- pellet
- vapor deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
蒸着部材の表面にマイクロポアを有し、前記マイクロポアの円相当径０．１μｍ以上１０．０μｍ以下の数が５００μｍ２あたり１個以上であることを特徴とする蒸着部材。本発明は、真空蒸着法で用いる蒸着材料であって、蒸着材料の溶解の際に突沸現象を抑制することができる蒸着材料を提供することを課題とする。【選択図】図３
Description
本発明は、真空蒸着法で用いられる蒸着材料に関する。
真空蒸着法とは、成膜技術の一つであり、真空中で蒸発材料を加熱して、気体分子となった蒸着材料が基板に付着することによって薄膜を形成する技術である。真空蒸着法は、電子部品、半導体デバイス、光学薄膜、磁気デバイス、ＬＥＤ、有機ＥＬ、ＬＣＤ等における素子の形成に広く利用されている。また、真空蒸着法は、金属だけでなく、酸化物等の非金属の成膜も可能である。
従来、蒸着材料を坩堝に充填し、電子ビーム等を用いて溶解する際、蒸発材料に含まれる不純物等が揮発して、突沸現象が発生し、基板上にパーティクルが付着するという問題が生じていた。この突沸現象の問題に関して、特許文献１には、不純物を低減する方法が提案されている。また、特許文献２には、添加金属を添加する方法が、さらに、特許文献３は、最表面の酸素量を制御する方法が提案されている。
本発明は、真空蒸着法で用いる蒸着材料であって、蒸着材料の溶解の際に突沸現象を抑制することができる蒸着材料を提供することを課題とする。
上記課題を解決することができる本発明の実施形態は、真空蒸着法で用いられる蒸着材料であって、マイクロポアを有し、円相当径が０．１μｍ以上１０．０μｍ以下のマイクロポアの数が５００μｍ２あたり１個以上であることを特徴とする蒸着材料である。
本発明によれば、蒸着材料の溶解の際に突沸現象を抑制することができ、これにより基板上に付着するパーティクルを低減することができる。したがって、製品の歩留まり改善に寄与することができる。
真空蒸着法で用いられる蒸着材料は、通常、原料をアルミナ等のセラミック坩堝やカーボン坩堝等で溶解し、溶湯を鋳型に流し込んでインゴットを作製し、得られたインゴットを適当な形状（ペレット状）に機械加工した後、表面を酸や有機溶媒で洗浄して、作製する。原料として、純度３Ｎ（９９．９ｗｔ％）以上のものを使用し、また、機械加工後は、表面を化学的に洗浄して、付着物を除去する。
ところが、このように洗浄された蒸着材料を用いた場合であっても、蒸着（溶解）時に突沸現象が発生して、基板上にパーティクルが付着するという問題が発生した。このような問題について検討したところ、蒸着材料の内部において、原料や製造過程で混入した蒸気圧の高い不純物（揮発性元素）が溶解時にガス化して、突沸現象を生じさせていることが考えられた。
そこで、本発明者は鋭意研究したところ、蒸着材料の表面にマイクロポアを形成することで、蒸着材料の内部に存在する揮発性元素を揮発し易くし、これにより、突沸現象を抑制することができるとの知見が得られた。この知見に基づき、本発明の実施の形態に係る蒸着材料は、マイクロポアを有し、円相当径０．１μｍ以上１０．０μｍ以下のマイクロポアの数が５００μｍ２あたり１個以上であることを特徴とするものである。
蒸着材料の表面において、円相当径０．１μｍ以上１０．０μｍ以下のマイクロポアの数を５００μｍ２あたり１個以上とすることで、蒸着材料の内部に存在する蒸気圧の高い不純物を揮発し易くし、突沸現象を効果的に抑制することができる。好ましくは、円相当径が０．１μｍ以上、１０．０μｍ以下のマイクロポアの数が５００μｍ２あたり５個以上、さらに好ましくは１０個以上、さらには２０個以上が望ましい。マイクロポアの数が多いほど、蒸着材料の表面積が大きくなり、内部に存在する揮発性元素のガスがマイクロポアから抜け易くなり、より効果的に突沸現象は抑制することが可能となる。
本開示において、円相当径０．１μｍ以上１０．０μｍ以下のマイクロポアの個数は、次のようにして測定する。まず、蒸着材料の代表的な表面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって倍率：５０００倍で観察し、面積（５００μｍ２）の範囲に存在するマイクロポア（円相当径０．１μｍ以上１０．０μｍ以下）の数を数える。
本実施形態に係る蒸着材料は、主に貴金属材料、特にＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄに適用することが好ましく、また、これらとＧｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ａｓ、Ｓｂとの合金（例えば、Ａｕ−Ｓｎ、Ａｕ−Ｇｅ）にも適用できる。これらの材料は電子部品、半導体デバイス、光学薄膜、磁気デバイス、ＬＥＤ、有機ＥＬ、ＬＣＤ等において、比較的広く使用されている材料である。特に貴金属材料は高価なため、突沸現象による不必要な飛散を防止することで、コスト的なメリットを享受することができる。
本実施形態に係る蒸着材料は、純度が３Ｎ（９９．９ｗｔ％）以上であることが好ましく、好ましくは４Ｎ （９９．９９ｗｔ%）以上である。不純物量を低減することで、それに伴う突沸現象を抑制することができる。但し、本発明は、主として、内部に存在するＡｓ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎａ、Ｋなどの揮発性元素(蒸着材料の蒸気圧より蒸気圧が高い元素)に起因する突沸現象を防止するものであるので、純度さえ高ければ、突沸現象を抑制できるというものではない。なお、純度の算出の際、不純物から後述する添加物（Ｃ、Ｓ、Ｐ）及びガス成分は除かれる。
本実施形態に係る蒸着材料は、たとえば、以下のようにして作製することができる。
純度３Ｎ（９９．９ｗｔ％）以上の金属原料に、微量のカーボン（Ｃ）、硫黄（Ｓ）、燐（Ｐ）のいずれか一種類以上を添加し、大気中、真空中又は不活性ガス雰囲気中で、溶解した後、これを鋳造して、インゴットを作製する。その後、得られたインゴットを切削等して、ペレット状に機械加工した後、酸や有機溶媒等を用いて表面を洗浄する。
次に、上記カーボンなどを添加したペレット（蒸着材料）を、酸素、水素又は水蒸気を含有する雰囲気下、４００℃以上蒸着材料の融点以下の温度で熱処理する。このとき添加したカーボンなどが、酸素や水素等と反応してＣＯ２、ＣＨ４などのガスとなって、脱離する際、蒸着材料の表面にマイクロポアを形成することができる。なお、カーボンは化合物のガスとなって抜けるため、最終的な蒸着材料中にはほとんど残らない。また、カーボンの他、硫黄や燐についても同様の効果があることを確認している。
純度３Ｎ（９９．９ｗｔ％）以上の金属原料に、微量のカーボン（Ｃ）、硫黄（Ｓ）、燐（Ｐ）のいずれか一種類以上を添加し、大気中、真空中又は不活性ガス雰囲気中で、溶解した後、これを鋳造して、インゴットを作製する。その後、得られたインゴットを切削等して、ペレット状に機械加工した後、酸や有機溶媒等を用いて表面を洗浄する。
次に、上記カーボンなどを添加したペレット（蒸着材料）を、酸素、水素又は水蒸気を含有する雰囲気下、４００℃以上蒸着材料の融点以下の温度で熱処理する。このとき添加したカーボンなどが、酸素や水素等と反応してＣＯ２、ＣＨ４などのガスとなって、脱離する際、蒸着材料の表面にマイクロポアを形成することができる。なお、カーボンは化合物のガスとなって抜けるため、最終的な蒸着材料中にはほとんど残らない。また、カーボンの他、硫黄や燐についても同様の効果があることを確認している。
次に、本発明の実施例等について説明する。なお、以下の実施例は、あくまで代表的な例を示しているもので、本発明はこれらの実施例に制限される必要はなく、明細書の記載される技術思想の範囲で解釈されるべきものである。
（従来例）
純度４Ｎ（９９．９９ｗｔ％）のＡｕ原料を大気中で溶解し、これを鋳造してインゴットを作製し、得られたインゴットを伸線化等によりペレット状に機械加工し、その後、洗浄して、純度４ＮのＡｕペレットを作製した。
このＡｕペレットについて、その表面をＳＥＭで観察した結果、マイクロポアの数は０個であった。従来例のＳＥＭによる観察写真を図１に示す。なお、従来例及び以下の実施例は、観察面積（５００μｍ２）に存在する円相当径０．１μｍ以上１０．０μｍ以下のマイクロポアの数を計数するものである。
次に、このＡｕペレット（蒸着材料）を真空蒸着装置の坩堝内に充填し、電子ビームで予備加熱後、溶融させて突沸現象を観察した。その結果、突沸現象に起因するウエハー上の欠陥（パーティクル）は５００個以上であった。以上の結果を表１に示す。
純度４Ｎ（９９．９９ｗｔ％）のＡｕ原料を大気中で溶解し、これを鋳造してインゴットを作製し、得られたインゴットを伸線化等によりペレット状に機械加工し、その後、洗浄して、純度４ＮのＡｕペレットを作製した。
このＡｕペレットについて、その表面をＳＥＭで観察した結果、マイクロポアの数は０個であった。従来例のＳＥＭによる観察写真を図１に示す。なお、従来例及び以下の実施例は、観察面積（５００μｍ２）に存在する円相当径０．１μｍ以上１０．０μｍ以下のマイクロポアの数を計数するものである。
次に、このＡｕペレット（蒸着材料）を真空蒸着装置の坩堝内に充填し、電子ビームで予備加熱後、溶融させて突沸現象を観察した。その結果、突沸現象に起因するウエハー上の欠陥（パーティクル）は５００個以上であった。以上の結果を表１に示す。
（実施例１）
カーボンを１０ｗｔｐｐｍ添加して作製した純度４ＮのＡｕペレットを酸素含有雰囲気中、９００℃で加熱した。熱処理後のＡｕペレットについて、その表面をＳＥＭで観察した結果、マイクロポアの数は２０〜１００個であった。実施例１のＳＥＭによる観察写真を図２に示す。
次に、このＡｕペレット（蒸着材料）を真空蒸着装置の坩堝内に充填し、電子ビームで予備加熱後、溶融させて突沸現象を観察した。その結果、突沸現象に起因するウエハー上の欠陥(パーティクル)は０個であった。
カーボンを１０ｗｔｐｐｍ添加して作製した純度４ＮのＡｕペレットを酸素含有雰囲気中、９００℃で加熱した。熱処理後のＡｕペレットについて、その表面をＳＥＭで観察した結果、マイクロポアの数は２０〜１００個であった。実施例１のＳＥＭによる観察写真を図２に示す。
次に、このＡｕペレット（蒸着材料）を真空蒸着装置の坩堝内に充填し、電子ビームで予備加熱後、溶融させて突沸現象を観察した。その結果、突沸現象に起因するウエハー上の欠陥(パーティクル)は０個であった。
（実施例２）
カーボンを５ｗｔｐｐｍ添加して作製した純度４ＮのＡｕペレットを水素含有雰囲気中、６００℃で加熱した。熱処理後のＡｕペレットについて、その表面をＳＥＭで観察した結果、マイクロポアの数が１０〜３０個であった。
次に、このＡｕペレット（蒸着材料）を真空蒸着装置の坩堝内に充填し、電子ビームで予備加熱後、溶融させて突沸現象を観察した。その結果、突沸現象に起因するウエハー上の欠陥（パーティクル）は１〜５個であった。
カーボンを５ｗｔｐｐｍ添加して作製した純度４ＮのＡｕペレットを水素含有雰囲気中、６００℃で加熱した。熱処理後のＡｕペレットについて、その表面をＳＥＭで観察した結果、マイクロポアの数が１０〜３０個であった。
次に、このＡｕペレット（蒸着材料）を真空蒸着装置の坩堝内に充填し、電子ビームで予備加熱後、溶融させて突沸現象を観察した。その結果、突沸現象に起因するウエハー上の欠陥（パーティクル）は１〜５個であった。
（実施例３）
カーボンを１ｗｔｐｐｍ添加して作製した純度５ＮのＡｕペレットを水蒸気含有雰囲気中、４００℃で加熱した。熱処理後のＡｕペレットについて、その表面をＳＥＭで観察した結果、マイクロポアの数が１〜１０個であった。
次に、このＡｕペレット（蒸着材料）を真空蒸着装置の坩堝内に充填し、電子ビームで予備加熱後、溶融させて突沸現象を観察した。その結果、突沸現象に起因するウエハー上の欠陥（パーティクル）は２０〜３０個であった。
カーボンを１ｗｔｐｐｍ添加して作製した純度５ＮのＡｕペレットを水蒸気含有雰囲気中、４００℃で加熱した。熱処理後のＡｕペレットについて、その表面をＳＥＭで観察した結果、マイクロポアの数が１〜１０個であった。
次に、このＡｕペレット（蒸着材料）を真空蒸着装置の坩堝内に充填し、電子ビームで予備加熱後、溶融させて突沸現象を観察した。その結果、突沸現象に起因するウエハー上の欠陥（パーティクル）は２０〜３０個であった。
（実施例４）
硫黄を５ｗｔｐｐｍ添加して作製した純度４ＮのＡｕペレットを大気中、１０５０℃で加熱した。熱処理後のＡｕペレットについて、その表面をＳＥＭで観察した結果、マイクロポアの数が２０〜５０個であった。
次に、このＡｕペレット（蒸着材料）を真空蒸着装置の坩堝内に充填し、電子ビームで予備加熱後、溶融させて突沸現象を観察した。その結果、突沸現象に起因するウエハー上の欠陥（パーティクル）は１〜１０個であった。
硫黄を５ｗｔｐｐｍ添加して作製した純度４ＮのＡｕペレットを大気中、１０５０℃で加熱した。熱処理後のＡｕペレットについて、その表面をＳＥＭで観察した結果、マイクロポアの数が２０〜５０個であった。
次に、このＡｕペレット（蒸着材料）を真空蒸着装置の坩堝内に充填し、電子ビームで予備加熱後、溶融させて突沸現象を観察した。その結果、突沸現象に起因するウエハー上の欠陥（パーティクル）は１〜１０個であった。
（実施例５）
燐を５ｗｔｐｐｍ添加して作製した純度４ＮのＡｕペレットを大気中、７００℃で加熱した。熱処理後のＡｕペレットについて、その表面をＳＥＭで観察した結果、マイクロポアの数が２０〜５０個であった。
次に、このＡｕペレット（蒸着材料）を真空蒸着装置の坩堝内に充填し、電子ビームで予備加熱後、溶融させて突沸現象を観察した。その結果、突沸現象に起因するウエハー上の欠陥（パーティクル）は１〜１０個であった。
燐を５ｗｔｐｐｍ添加して作製した純度４ＮのＡｕペレットを大気中、７００℃で加熱した。熱処理後のＡｕペレットについて、その表面をＳＥＭで観察した結果、マイクロポアの数が２０〜５０個であった。
次に、このＡｕペレット（蒸着材料）を真空蒸着装置の坩堝内に充填し、電子ビームで予備加熱後、溶融させて突沸現象を観察した。その結果、突沸現象に起因するウエハー上の欠陥（パーティクル）は１〜１０個であった。
（実施例６）
カーボンを３ｗｔｐｐｍ添加して作製した純度３Ｎ５のＰｔペレットを水素含有雰囲気中、１５５０℃で加熱した。熱処理後のＰｔペレットについて、その表面をＳＥＭで観察した結果、マイクロポアの数が２０〜５０個であった。
次に、このＰｔペレット（蒸着材料）を真空蒸着装置の坩堝内に充填し、電子ビームで予備加熱後、溶融させて突沸現象を観察した。その結果、突沸現象に起因するウエハー上の欠陥（パーティクル）は０個であった。
カーボンを３ｗｔｐｐｍ添加して作製した純度３Ｎ５のＰｔペレットを水素含有雰囲気中、１５５０℃で加熱した。熱処理後のＰｔペレットについて、その表面をＳＥＭで観察した結果、マイクロポアの数が２０〜５０個であった。
次に、このＰｔペレット（蒸着材料）を真空蒸着装置の坩堝内に充填し、電子ビームで予備加熱後、溶融させて突沸現象を観察した。その結果、突沸現象に起因するウエハー上の欠陥（パーティクル）は０個であった。
（実施例７）
カーボンを３ｗｔｐｐｍ添加して作製した純度４ＮのＰｔペレットを水蒸気含有雰囲気中、１０００℃で加熱した。熱処理後のＰｔペレットについて、その表面をＳＥＭで観察した結果、マイクロポアの数が５〜１０個であった。実施例７のＳＥＭによる観察写真を図３に示す。
次に、このＰｔペレット（蒸着材料）を真空蒸着装置の坩堝内に充填し、電子ビームで予備加熱後、溶融させて突沸現象を観察した。その結果、突沸現象に起因するウエハー上の欠陥（パーティクル）は５〜１０個であった。
カーボンを３ｗｔｐｐｍ添加して作製した純度４ＮのＰｔペレットを水蒸気含有雰囲気中、１０００℃で加熱した。熱処理後のＰｔペレットについて、その表面をＳＥＭで観察した結果、マイクロポアの数が５〜１０個であった。実施例７のＳＥＭによる観察写真を図３に示す。
次に、このＰｔペレット（蒸着材料）を真空蒸着装置の坩堝内に充填し、電子ビームで予備加熱後、溶融させて突沸現象を観察した。その結果、突沸現象に起因するウエハー上の欠陥（パーティクル）は５〜１０個であった。
（実施例８）
カーボンを１ｗｔｐｐｍ添加して作製した純度４ＮのＡｇペレットを酸素含有雰囲気中、４００℃で加熱した。熱処理後のＡｇペレットについて、その表面をＳＥＭで観察した結果、マイクロポアの数が１〜５個であった。
次に、このＡｇペレット（蒸着材料）を真空蒸着装置の坩堝内に充填し、電子ビームで予備加熱後、溶融させて突沸現象を観察した。その結果、突沸現象に起因するウエハー上の欠陥（パーティクル）は１０〜３０個であった。
カーボンを１ｗｔｐｐｍ添加して作製した純度４ＮのＡｇペレットを酸素含有雰囲気中、４００℃で加熱した。熱処理後のＡｇペレットについて、その表面をＳＥＭで観察した結果、マイクロポアの数が１〜５個であった。
次に、このＡｇペレット（蒸着材料）を真空蒸着装置の坩堝内に充填し、電子ビームで予備加熱後、溶融させて突沸現象を観察した。その結果、突沸現象に起因するウエハー上の欠陥（パーティクル）は１０〜３０個であった。
（実施例９）
カーボンを３ｗｔｐｐｍ添加して作製した純度４ＮのＡｇペレットを水蒸気含有雰囲気中、９００℃で加熱した。熱処理後のＡｇペレットについて、その表面をＳＥＭで観察した結果、マイクロポアの数が２０〜５０個であった。
次に、このＡｇペレット（蒸着材料）を真空蒸着装置の坩堝内に充填し、電子ビームで予備加熱後、溶融させて突沸現象を観察した。その結果、突沸現象に起因するウエハー上の欠陥（パーティクル）は０個であった。
カーボンを３ｗｔｐｐｍ添加して作製した純度４ＮのＡｇペレットを水蒸気含有雰囲気中、９００℃で加熱した。熱処理後のＡｇペレットについて、その表面をＳＥＭで観察した結果、マイクロポアの数が２０〜５０個であった。
次に、このＡｇペレット（蒸着材料）を真空蒸着装置の坩堝内に充填し、電子ビームで予備加熱後、溶融させて突沸現象を観察した。その結果、突沸現象に起因するウエハー上の欠陥（パーティクル）は０個であった。
（実施例１０）
カーボンを３ｗｔｐｐｍ添加して作製した純度３ＮのＰｄペレットを水素含有雰囲気中、１３００℃で加熱した。熱処理後のＰｄペレットについて、その表面をＳＥＭで観察した結果、マイクロポアの数が２０〜５０個であった。
次に、このＰｄペレット（蒸着材料）を真空蒸着装置の坩堝内に充填し、電子ビームで予備加熱後、溶融させて突沸現象を観察した。その結果、突沸現象に起因するウエハー上の欠陥（パーティクル）は１〜５個であった。
カーボンを３ｗｔｐｐｍ添加して作製した純度３ＮのＰｄペレットを水素含有雰囲気中、１３００℃で加熱した。熱処理後のＰｄペレットについて、その表面をＳＥＭで観察した結果、マイクロポアの数が２０〜５０個であった。
次に、このＰｄペレット（蒸着材料）を真空蒸着装置の坩堝内に充填し、電子ビームで予備加熱後、溶融させて突沸現象を観察した。その結果、突沸現象に起因するウエハー上の欠陥（パーティクル）は１〜５個であった。
（実施例１１）
カーボンを５ｗｔｐｐｍ添加して作製した純度３ＮのＡｕ−Ｓｂペレットを水素含有雰囲気中、８００℃で加熱した。熱処理後のＡｕ−Ｓｂペレットについて、その表面をＳＥＭで観察した結果、マイクロポアの数が５〜１０個であった。
次に、このＡｕ−Ｓｂペレット（蒸着材料）を真空蒸着装置の坩堝内に充填し、電子ビームで予備加熱後、溶融させて突沸現象を観察した。その結果、突沸現象に起因するウエハー上の欠陥（パーティクル）は１〜１０個であった。
カーボンを５ｗｔｐｐｍ添加して作製した純度３ＮのＡｕ−Ｓｂペレットを水素含有雰囲気中、８００℃で加熱した。熱処理後のＡｕ−Ｓｂペレットについて、その表面をＳＥＭで観察した結果、マイクロポアの数が５〜１０個であった。
次に、このＡｕ−Ｓｂペレット（蒸着材料）を真空蒸着装置の坩堝内に充填し、電子ビームで予備加熱後、溶融させて突沸現象を観察した。その結果、突沸現象に起因するウエハー上の欠陥（パーティクル）は１〜１０個であった。
（実施例１１）
カーボンを５ｗｔｐｐｍ添加して作製した純度３ＮのＡｕ−Ａｓペレットを水素含有雰囲気中、８００℃で加熱した。熱処理後のＡｕ−Ａｓペレットについて、その表面をＳＥＭで観察した結果、マイクロポアの数が１〜１０個であった。
次に、このＡｕ−Ａｓペレット（蒸着材料）を真空蒸着装置の坩堝内に充填し、電子ビームで予備加熱後、溶融させて突沸現象を観察した。その結果、突沸現象に起因するウエハー上の欠陥（パーティクル）は１〜１０個であった。
カーボンを５ｗｔｐｐｍ添加して作製した純度３ＮのＡｕ−Ａｓペレットを水素含有雰囲気中、８００℃で加熱した。熱処理後のＡｕ−Ａｓペレットについて、その表面をＳＥＭで観察した結果、マイクロポアの数が１〜１０個であった。
次に、このＡｕ−Ａｓペレット（蒸着材料）を真空蒸着装置の坩堝内に充填し、電子ビームで予備加熱後、溶融させて突沸現象を観察した。その結果、突沸現象に起因するウエハー上の欠陥（パーティクル）は１〜１０個であった。
本発明によれば、蒸着材料の溶解の際に突沸現象を抑制することができ、これにより基板上に付着するパーティクルを低減することができる。本実施形態に係る蒸着材料は真空蒸着法を用いた、電子部品、半導体デバイス、光学薄膜、磁気デバイス、ＬＥＤ、有機ＥＬ、ＬＣＤ等における素子の形成に広く利用することができる。
Claims (2)
- 蒸着部材の表面にマイクロポアを有し、前記マイクロポアの円相当径０．１μｍ以上１０．０μｍ以下の数が５００μｍ２あたり１個以上であり、前記蒸着部材がＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ及びこれらの合金のいずれか一種以上からなることを特徴とする蒸着部材。
- 純度が３Ｎ（９９．９ｗｔ％）以上であることを特徴とする請求項１に記載の蒸着部材。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019137775A JP6630460B1 (ja) | 2019-07-26 | 2019-07-26 | 蒸着材料 |
| TW109111031A TWI714491B (zh) | 2019-07-26 | 2020-03-31 | 蒸鍍材料 |
| PCT/JP2020/028192 WO2021020223A1 (ja) | 2019-07-26 | 2020-07-21 | 蒸着材料及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019137775A JP6630460B1 (ja) | 2019-07-26 | 2019-07-26 | 蒸着材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP6630460B1 true JP6630460B1 (ja) | 2020-01-15 |
| JP2021021109A JP2021021109A (ja) | 2021-02-18 |
Family
ID=69146586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019137775A Active JP6630460B1 (ja) | 2019-07-26 | 2019-07-26 | 蒸着材料 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6630460B1 (ja) |
| TW (1) | TWI714491B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7021448B1 (ja) | 2020-10-01 | 2022-02-17 | 松田産業株式会社 | 金の蒸着材料 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7499370B1 (ja) | 2023-03-13 | 2024-06-13 | 松田産業株式会社 | 貴金属蒸着材料 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2607039B2 (ja) * | 1993-06-28 | 1997-05-07 | 品川白煉瓦株式会社 | 耐熱被覆用蒸着材及びその製造方法 |
| FR2860790B1 (fr) * | 2003-10-09 | 2006-07-28 | Snecma Moteurs | Cible destinee a etre evaporee sous faisceau d'electrons, son procede de fabrication, barriere thermique et revetement obtenus a partir d'une cible, et piece mecanique comportant un tel revetement |
| JP5249600B2 (ja) * | 2008-02-21 | 2013-07-31 | 三井金属鉱業株式会社 | ピンホールの占有割合を調整したスパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| WO2009116213A1 (ja) * | 2008-03-17 | 2009-09-24 | 日鉱金属株式会社 | 焼結体ターゲット及び焼結体の製造方法 |
-
2019
- 2019-07-26 JP JP2019137775A patent/JP6630460B1/ja active Active
-
2020
- 2020-03-31 TW TW109111031A patent/TWI714491B/zh active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7021448B1 (ja) | 2020-10-01 | 2022-02-17 | 松田産業株式会社 | 金の蒸着材料 |
| JP2022059549A (ja) * | 2020-10-01 | 2022-04-13 | 松田産業株式会社 | 金の蒸着材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202104620A (zh) | 2021-02-01 |
| JP2021021109A (ja) | 2021-02-18 |
| TWI714491B (zh) | 2020-12-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6630460B1 (ja) | 蒸着材料 | |
| KR20160021648A (ko) | 무연 솔더 합금 조성물 및 무연 솔더 합금의 제조 방법 | |
| TWI452161B (zh) | 含氧之銅合金膜的製造方法 | |
| JP2015061943A (ja) | 高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット | |
| TW202122610A (zh) | 蒸鍍材料及其製造方法 | |
| JP2019173058A (ja) | 被膜が形成された金属粉及びその製造方法並びに該金属粉を用いた積層造形物 | |
| JP5263665B2 (ja) | 配線膜用Ｃｕ合金膜および配線膜形成用スパッタリングターゲット材 | |
| JP2005171378A (ja) | 配線膜用Ａｌ合金膜および配線膜形成用スパッタリングターゲット材 | |
| JP6697073B2 (ja) | 金属蒸発材料 | |
| JP2005330591A (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JP6829340B1 (ja) | 金の蒸着材料 | |
| JP6213684B2 (ja) | 銅合金ターゲット | |
| WO2012124840A1 (ko) | 산화물 분산강화형 백금 재료 제조용 백금 분말 제조 방법 | |
| WO2021020223A1 (ja) | 蒸着材料及びその製造方法 | |
| JP2011084754A (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| TWI807395B (zh) | 金之蒸鍍材料 | |
| JP7021448B1 (ja) | 金の蒸着材料 | |
| TWI846534B (zh) | 金之蒸鍍材料 | |
| TWI565813B (zh) | Cu-Ga alloy sputtering target | |
| JPWO2008117706A1 (ja) | Ａｌ−Ｎｉ−Ｂ系合金スパッタリングターゲット | |
| JP2018145518A (ja) | Ｃｕ−Ｎｉ合金スパッタリングターゲット | |
| JP2017190508A (ja) | スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JP5510812B2 (ja) | 配線膜用Ｃｕ合金膜および配線膜形成用スパッタリングターゲット材 | |
| JP2005232509A (ja) | Ｍｎ合金スパッタリングターゲットの製造方法及びその製法によるＭｎ合金スパッタリングターゲット | |
| JP2022105150A (ja) | 被膜が形成された金属粉及びその製造方法並びに該金属粉を用いた積層造形物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190731 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190805 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20190805 |
|
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20190918 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191001 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191001 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191015 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191112 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191206 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6630460 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |