JP6628976B2 - 走査タイミング検出装置、光走査装置及び画像形成装置 - Google Patents

走査タイミング検出装置、光走査装置及び画像形成装置 Download PDF

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Description

この発明は、例えば被走査体上での光ビームの往復走査のタイミングを検出する走査タイミング検出装置、往復走査を制御する光走査装置及びこれを備える画像形成装置に関する。
複写機、プリンタ、ファクシミリ及びこれらの複合機といった画像形成装置に備えられる光走査装置には、感光体ドラム等の被走査体を往復走査するものが知られている。光走査装置では、光源から出射された光ビームが、走査運動する走査体で反射されることで被走査体上を往復走査する。このような光走査装置では、周囲温度の変化等によって走査体の運動特性に変化が生じ、走査範囲等が変化することがある。走査範囲等が変化すると、潜像の書き込み位置にずれが生じて画質が低下するという問題が生じる。このため、走査範囲の両端部にBD(Beam Detect)センサを備え、BDセンサが光ビームを検出したタイミングに基づいて走査体の動作を制御する技術が知られている。
BDセンサは2個又は3個の光検出素子を備えたもので、各光検出素子の検出値に基づいて走査体の動作を制御するようにした光走査装置が知られている(例えば、特許文献1〜5)。また、かかる光走査装置では、装置の小型化、コストダウン、消費電力・発熱・騒音の低減化、並びに1枚目の画像形成までに要する時間を短縮化するために、走査体の駆動装置としてMEMS(Micro Electro Mechanical System)が用いられている。かかる光走査装置は電磁形のMEMSであり、巻線に双方向の電流を流すバイポーラ駆動であるため、MEMSの駆動電圧の極性に基づいて走査方向を識別している。
特開2011−7840号公報 特開平5−323220号公報 特開平4−247761号公報 特開平5−167792号公報 特開2005−123872号公報
しかしながら、光走査装置に静電形のMEMSを用いた場合、MEMSは、電極に対して常に一定方向の電圧を加えるユニポーラ駆動され、MEMSの駆動電圧の極性が一定であるため、従来の光走査装置における識別方法では、走査方向を識別することができない。BDセンサが走査された時の走査方向が識別できなければ、走査体の動作を正確に制御することができないことから、従来、静電形のMEMSは用いられていなかった。また、特許文献2は、フォトダイオードを3個使用したタイプであるため、コストアップとなっており、しかも走査方向に応じて検出位置が異なるためMEMS走査の何れかの方向でBD信号のジッタが相対的に悪くなってしまう問題があった。また、特許文献3〜5は、一方向の走査しか高精度に同期位置を検出することができないという問題があった。さらに、本出願人は、光ビームの走査範囲内の両側にBDセンサを備え、各BDセンサの検出信号をインターフェースを介して制御装置側に送信し、それらの検出信号の検出回数情報から走査方向を識別するという技術を提案した(特願2014−223936)が、BDセンサと制御装置との間にインターフェースを備えた構成である。
本発明は、上記に鑑みてなされたもので、より簡易な構成で、往復走査において高精度に同期タイミングを検出することができる走査タイミング検出装置、光走査装置及びこれを備える画像形成装置を提供するものである。
本発明は、往復走査する光ビームの走査タイミングを検出する走査タイミング検出装置において、前記光ビームの走査範囲内の所定位置であって走査方向に沿って互いに隣接配置され、受光量に応じたレベルの検出信号を出力する第1、第2光検出素子を有するBDセンサと、前記第1、第2の光検出素子によって検出された前記光ビームの検出信号がそれぞれレベル変化しながら大小関係が入れ替わるタイミングを立ち上がりエッジとするパルス信号と立ち下がりエッジとするパルス信号とを往復方向それぞれについて生成するパルス信号生成回路と、前記第1、第2の光検出素子によって検出された前記光ビームの検出信号から走査方向に対応した識別信号を作成すると共に、前記識別信号から前記立ち上がりエッジのパルス信号と立ち下がりエッジのパルス信号のうち、走査方向に対応したエッジのパルス信号を選択するパルス信号選択回路とを備えたものである。
この発明によれば、隣接配置された第1、第2光検出素子が往復走査中の光ビームで走査されると、それぞれ検出信号が出力される。第1、第2の光検出素子によって検出された検出信号は、パルス信号生成回路によって、それぞれレベル変化しながら大小関係が入れ替わるタイミングを立ち上がりエッジとするパルス信号と立ち下がりエッジとするパルス信号とが生成される。パルス信号は、往走査時、復走査時において逆のエッジを有するパルス信号として選出する必要がある。そこで、パルス信号選択回路によって、検出信号から走査方向に対応した識別信号を作成し、そして、識別信号から走査方向に対応した所定のエッジを有するパルス信号を選択するようにした。これによって、往復の各走査において、同じ検出位置での検出タイミングの信号が得られる。また、単一極性でのユニポーラ駆動のMEMSミラーにも適用可能となる。
また、前記パルス信号生成回路は、前記立ち上がりエッジのパルス信号及び立ち下がりエッジのパルス信号を、前記第1の光検出素子及び前記第2の光検出素子の検出信号のレベルが共に所定レベル以上の期間だけ出力するゲート回路を備えたことを特徴とするものである。この構成により、前記パルス信号選択回路の出力が切り換わる際に不要な信号が発生するのを防止する。
また、前記パルス信号選択回路は、前記第1、第2の光検出素子のうち、先に前記検出信号を出力した光検出素子に対応した極性の順序信号を前記識別信号として作成するものである。この構成によれば、走査方向に対応する極性の順序信号を利用することで目的のパルス信号を選出することが可能となる。
また、前記BDセンサ、前記パルス信号生成回路及び前記パルス信号選択回路は、パッケージ化されていることを特徴とするものである。この構成によれば、BDセンサと一体で構成されるので、インターフェース構成を不要とし、その分、構成が簡易となる。
また、前記光ビームの走査範囲には、被走査体の潜像形成領域を含み、前記BDセンサは、前記潜像形成領域の少なくとも一方側の外側領域に配置されていることを特徴とするものである。この構成によれば、画像形成のための各ライン毎の光ビームの走査が精度良く行われる。なお、BDセンサは往復走査方向の一方側に配置した態様でもよいが、両側に配置し、走査方向毎にパルス信号を選出するようにした態様の方が好ましい。
また、前記した走査タイミング検出装置と、選択されたパルス信号間の時間間隔から前記光ビームの走査を制御する走査制御部と備えることで、光ビームの往復走査を精度良く制御することが可能な光走査装置が提供できる。また、かかる光走査装置を備えることで、光ビームの走査を高精度で制御し、画像品質を良好に維持する画像形成装置が提供できる。
この発明によれば、簡易な構成で、往復走査において高精度に同期タイミングを検出することができる。
本発明の第1実施形態に係る光走査装置を備える画像形成装置の概略の構成を示す図である。 光源の定常APCへの移行シーケンスを示す図である。 MEMSミラーの振れ角による走査位置と時間との関係を示すタイムチャートである。 光走査装置の概略構成を示すブロック図である。 BD信号生成回路の一例を示す回路図である。 (A)は走査方向を示す図で、(B)は走査方向と各コンパレータの入出力信号を示す図で、(a)はA方向走査時の第1コンパレータの入力電圧・出力信号の波形を示す図、(b)はA方向走査時の第2コンパレータの入力電圧・出力信号の波形を示す図、(c)はB方向走査時の第1コンパレータの入力電圧・出力信号の波形を示す図、(d)はB方向走査時の第2コンパレータの入力電圧・出力信号の波形を示す図である。 BD信号選択回路の一例を示す回路図である。 BD信号選択回路の動作を示すタイムチャートで、(A)はA方向走査の場合、(B)はB方向走査の場合の図である。 画像形性装置の印刷処理を説明するためのフローチャートである。 画像形性装置の印刷処理を説明するためのフローチャートである。 BD信号選択回路の第2の実施形態を示す回路図である。 図11のBD信号選択回路の動作を示すタイムチャートで、(A)はA方向走査の場合、(B)はB方向走査の場合の図である。 図7のBD信号選択回路の一部をソフトウェアで実現するための制御部によって実行されるフローチャートである。 図5に示すBD信号生成回路の他の実施形態を示す回路図である。 図6に対応する図で、(A)は走査方向を示す図であり、(B)は走査方向とアンプとOR回路の入出力信号を示す図である。(B)のうち、(a)はA方向走査時の各アンプとOR回路158の出力信号の波形を示す図、(b)はA方向走査時の各アンプとOR回路159の出力信号の波形を示す図、(c)はB方向走査時の各アンプとOR回路158の出力信号の波形を示す図、(d)はB方向走査時の各アンプとOR回路159の出力信号の波形を示す図である。
図1に示すように、第1実施形態に係る光走査装置10を備える画像形成装置1は、光走査装置10の他に、被走査体としての感光体ドラム2、及び図示しない帯電装置、現像装置、転写装置、及び定着装置を有する像形成部3を備えている。感光体ドラム2は、所定長を有し、図略の駆動部によって軸周りに回転駆動される。帯電装置は、感光体ドラム2の周面を所定電位に帯電させる。光走査装置10は、回転中の感光体ドラム2の周面を、画像データで光変調されたレーザ光で露光することで、感光体ドラム2の周面の潜像形成領域に静電潜像を形成する。現像装置は、感光体ドラム2の周面にトナーを供給することで、静電潜像をトナー像に顕像化する。転写装置は、感光体ドラム2の周面上のトナー像を用紙へ転写する。定着装置は、トナー像を用紙に固着させる。
光走査装置10は、光源11、MEMSミラー12、BDセンサ13,14、MEMS駆動部20及び走査制御部21を備えている。光源11は、走査体としてのMEMSミラー12へ向けて光ビームとしてのレーザ光を出射する。
MEMSミラー12は、例えば静電形のユニポーラ駆動であり、電極間に所定の極性の駆動電圧を印加することで、感光体ドラム2に対してミラー面が偏向するように振動動作を行わせ、光源11から出射されたレーザ光をミラー面で反射して感光体ドラム2の軸方向に振る、すなわち往復走査させる。より詳細には、MEMSミラー12が偏向振動することで、光源11から出射されたレーザ光の反射方向が偏向されて、感光体ドラム2の潜像形成領域E1を含む走査範囲E2が往復走査される。
BDセンサ13,14は、各々チップ化され、図4に示すように各基板13A,14Aに搭載されたもので、感光体ドラム2の潜像形成領域E1の外側で、かつ走査範囲E2内の適所に配置されている。MEMSミラー12から感光体ドラム2を見る方向において、左側のBDセンサ13は、走査範囲E2の左端部に配置され、右側のBDセンサ14は、走査範囲E2の右端部に配置されている。基板13Aには、BD信号生成回路15、BD信号選択回路16が搭載され、基板14Aには、BD信号生成回路17、BD信号選択回路18が搭載されている。BD信号生成回路15とBD信号生成回路17、またBD信号選択回路16とBD信号選択回路18とは、それぞれ同一の回路構成である。詳細な回路構成は後述する。なお、基板13A,14Aは、それぞれパッケージ化された機能部品とされたものでもよい。これによれば、BDセンサとの信号の授受のためのインターフェース構成が不要となり、その分、構成が簡易となる。また、説明の便宜上、BDセンサ13からBDセンサ14へ向かう走査方向をA方向と呼び、BDセンサ14からBDセンサ13へ向かう走査方向をB方向と呼ぶ。
BDセンサ13は、フォトダイオード(PD)131,132を有し、BDセンサ14は、フォトダイオード141,142を有している。フォトダイオード131とフォトダイオード132とは、走査方向に沿って互いに隣接配置され、A方向においてフォトダイオード131はフォトダイオード132の上流側に配置されている。同様に、フォトダイオード141とフォトダイオード142とは、走査方向に沿って互いに隣接配置され、B方向においてフォトダイオード141はフォトダイオード142の上流側に配置されている。フォトダイオード131,132,141,142のそれぞれは、検出したレーザ光の光量に応じたレベルの検出信号を出力する光検出素子である。
MEMS駆動部20は、MEMSミラー12の偏向動作を制御する。走査制御部21は、MEMS駆動部20を含む光走査装置10の各部機器を統括的に制御する。走査制御部21は、BDセンサ13,14からの検出信号に基づいて、後述するように走査範囲E2の振り角が所定角度となるようにPWM信号を生成し、MEMS駆動部20へ出力する。MEMS駆動部20は、PWM信号に基づいてMEMSミラー12の偏向動作を制御する。
図2に示すように、光走査装置10が駆動すると、定常APC(Automatic Power Control)への移行シーケンスにおいて、光源11が発光し、BDセンサ13とBDセンサ14とで合計4回、レーザ光が検出されるまで発光し続ける。左側のBDセンサ13で2回、右側のBDセンサ14で2回、レーザ光が検出されるようになると、定常APCへ移行し、BDセンサ13,14によってレーザ光が検出されるであろうタイミングの直前に光源11が発光する。そして、BDセンサ13,14によってレーザ光が検出される毎に、光源11は消灯される。
MEMSミラー12の振れ角による走査位置と時間との関係は、図3に示すように、往復走査において、走査範囲E2内の左端部のBDセンサ13でB方向の走査が検出され、次いで、光ビームの走査方向がA方向に切り替わった後、BDセンサ13でA方向の走査が検出される。次いで、右端部のBDセンサ14でA方向の走査が検出され、さらに、光ビームの走査方向がB方向に切り替わった後、BDセンサ14でB方向の走査が検出される。走査制御部21は、MEMSミラー12に対して、かかる光ビームの往復走査動作を繰り返し行わせる。
図4において、光走査装置10は、基板13A,14Aと信号線で接続された走査制御部21を備えている。走査制御部21は、計時部22、比較部23、記憶部24及びPMW制御部25を備えている。PMW制御部25は、メモリ251を有している。
基板13Aは、BDセンサ13、BD信号生成回路15及びBD信号選択回路16によって、走査方向に応じたBD信号を出力する。同様に、基板14Aは、BDセンサ14、BD信号生成回路17及びBD信号選択回路18によって、走査方向に応じたBD信号を出力する。走査制御部21は、BD信号選択回路16,18からの各BD信号が出力されたタイミングに基づいてMEMSミラー12の偏向動作を制御する。
図5に示すように、BD信号生成回路15は、フォトダイオード131に接続されたアンプ151と、フォトダイオード132に接続されたアンプ152と、アンプ151の出力側に接続された下限クランプ回路153と、アンプ152の出力側に接続された下限クランプ回路154とを備えている。また、BD信号生成回路15は、+入力端子が下限クランプ回路153に接続され、−入力端子がアンプ152に接続されたコンパレータ155と、−入力端子がアンプ151に接続され、+入力端子が下限クランプ回路154に接続されたコンパレータ156とを備えている。さらに、BD信号生成回路15は、入力端子がアンプ151,152の出力側に接続され、出力端子がコンパレータ155,156のゲート端子に接続されたAND回路157を備えている。
アンプ151,152は、フォトダイオード131,132からの検出信号を増幅して電気信号V1,V2として出力する。下限クランプ回路153,154は、入力される検出信号V1,V2に所定の基準バイアス電圧VSを重畳して出力する。
コンパレータ155は、検出信号V1に基準バイアス電圧VSが重畳されたレベルが検出信号V2のレベルより高い間、High信号を出力する。また、コンパレータ155は、検出信号V1に基準バイアス電圧VSが重畳されたレベルが検出信号V2のレベルより低い間、Low信号を出力する。コンパレータ156は、検出信号V2に基準バイアス電圧VSが重畳されたレベルが検出信号V1のレベルより高い間、High信号を出力する。また、コンパレータ156は、検出信号V2に基準バイアス電圧VSが重畳されたレベルが検出信号V1のレベルより低い間、Low信号を出力する。AND回路157は、アンプ151,152の検出信号がレベルVg(図6(B)の(a)参照)以上の間、High信号をコンパレータ155,156のゲート端子に出力する。コンパレータ155,156は、ゲート端子にHigh信号が出力される期間Tg(図6(B)の(a)参照)、動作する。
図6(B)の(a)〜(d)に示すように、コンパレータ155,156への入力電圧信号が縦軸に、時間が横軸に示されている。
図6(B)の(a)(b)に示すように、A方向走査時には、フォトダイオード131の検出信号V1がフォトダイオード132の検出信号V2よりも先に入力され、一旦上昇した後に低下している。検出信号V2も、検出信号V1に遅れて同様の波形を表している。コンパレータ155は、検出信号V1+Vsが検出信号V2より高い間、High信号を出力し、低いときにLow信号を出力する。コンパレータ156は、検出信号V2+Vsが検出信号V1より高い間、High信号を出力し、低いときにLow信号を出力する。
コンパレータ155,156で検出したいタイミングは、コンパレータ155の入力信号とコンパレータ156の入力信号とが共にレベル変化しながら、2つの入力電圧の大小関係が入れ替わるタイミングである。このタイミングは、フォトダイオード131とフォトダイオード132との間のいずれかの位置をレーザ光が走査するタイミングであり、図6(B)の(a)では交点C1で示され、図6(B)の(b)では交点C2で示されている。同様に、図6(B)の(c)では交点C3で示され、図6(B)の(d)では交点C4で示されている。
コンパレータ155の入力信号とコンパレータ156の入力信号との大小関係が入れ替わるタイミングが複数ある場合に、2つの入力信号が共にレベル変化しながら大小関係が入れ替わるタイミングを検出する理由は、以下の通りである。すなわち、図6(B)の(a)の交点C5、図6(B)の(b)の交点C6、図6(B)の(c)の交点C7、図6(B)の(d)の交点C8のように、検出信号V1,V2のいずれかのレベルが変化せずに大小関係が入れ替わるタイミングでは、検出信号V1の波形及び検出信号V2の波形の立ち上がり又は立ち下がり近辺の急峻ではない鈍った波形と基準バイアス電圧VSとを比較することになること、このため光量が変動したときには両者の波形の交点のずれも大きくなってしまうこと、及びコンパレータの出力がオープンコレクタ方式の場合に検出信号V1の波形及び検出信号V2の波形の立ち上がり角度が鈍くなることから、ジッタが大きくなるためである。このように、コンパレータ155,156の入力信号が共にレベル変化しながら、2つの入力信号の大小関係が入れ替わるタイミングは、ずれが小さいので、このタイミングを検出することで正確なタイミングでBD信号が出力される。
コンパレータ155,156の出力信号は、2つの入力信号のレベルの大小関係が入れ替わるときに、HighからLow、またはLowからHighへ切り替わる。このため、上述の交点C1〜C4では、コンパレータ155,156の出力信号は、立ち下がるか、又は立ち上がる。コンパレータ155,156の出力信号が立ち下がるタイミングをBD信号のアクティブエッジとした場合、図6(B)の(a),(d)の交点C1、交点C4が、出力信号が立ち下がるタイミングでジッタが小さくなる。また、アンプ151,152からの検出信号V1,V2がAND回路157の閾値Vgを超える間、図6(B)の(a)に示すようにゲート期間Tgが生成され、この間に、nBD1信号とnBD2信号とが出力信号として生成される。
BD信号選択回路16は、図7に示すように、フォトダイオード131に接続されたアンプ161と、フォトダイオード132に接続されたアンプ162とを備えると共に、アンプ161の出力を入力する入力端子とアンプ162の出力を反転して入力する入力端子とを有するAND回路163と、アンプ161の出力を反転して入力する入力端子とアンプ162の出力を入力する入力端子とを有するAND回路164とを備えている。AND回路163,164はラッチ用信号を生成する回路として機能する。
また、BD信号選択回路16は、RS−FF回路165,166を有する。RS−FF回路165は、AND回路163の出力側がセットS端子に、AND回路164の出力側がリセットR端子に接続され、Qバーを出力する。RS−FF回路166は、AND回路163の出力側がリセットR端子に、AND回路164の出力側がセットS端子に接続され、Qバーを出力する。さらに、BD信号選択回路16は、RS−FF回路165のQバー出力とnBD1信号とが入力されるOR回路167と、RS−FF回路166のQバー出力とnBD2信号とが入力されるOR回路168と、OR回路167,168の出力が入力されるAND回路169とを備えている。
図8のタイムチャートに示すように、A方向走査の場合と、B方向走査の場合とで選択されるBD信号が異なる。まず、図8(a)に示すように、光ビームがA方向走査中にBDセンサ13を走査した場合、まずAND回路163が検出信号V1のLATCH_A信号を出力し、次いで、AND回路164が検出信号V2のLATCH_B信号を出力する。かかるLATCH_A信号とLATCH_B信号とから、RS−FF回路165,166からLレベルのSEL_A信号と、HレベルのSEL_B信号とが出力される。次いで、nBD1,nBD2の入力タイミングで、SEL_A信号、SEL_B信号と論理和が取られて、nBD_Aが抽出され、AND回路169で選択されて出力される。
一方、図8(b)に示すように、光ビームがB方向走査中にBDセンサ13を走査した場合、まずAND回路164が検出信号V2のLATCH_B信号を出力し、次いで、AND回路163が検出信号V2のLATCH_A信号を出力する。かかるLATCH_B信号とLATCH_A信号とから、RS−FF回路165,166からHレベルのSEL_A信号と、LレベルのSEL_B信号とが出力される。次いで、nBD1,nBD2の入力タイミングで、SEL_A信号、SEL_B信号と論理和が取られて、nBD_Bが抽出され、AND回路169で選択されて出力される。BD信号選択回路16を採用することで、検出信号の順序が識別でき、この順序から走査方向が判断され、それに対応してnBD1信号かnBD2信号かが選択される。BD信号選択回路16から出力されたBD信号は、計時部22に入力される。なお、BDセンサ14に対応するBD信号生成回路17、BD信号選択回路18からも選択されたBD信号が計時部22に出力される。
計時部22は、入力されたBD信号間の時間間隔を計測し、計測結果を比較部23へ出力する。比較部23は、予め設定されている基準時間間隔を記憶部24から読み出す。比較部23は、計時部22で計測された時間間隔を、予め設定されている基準時間間隔と比較し、MEMSミラー12の走査運動の範囲が予め設定された基準範囲となるように補正値を算出し、補正値をPWM制御部25へ出力する。
PWM制御部25は、メモリ251に格納されているルックアップテーブルを参照し、比較部23から入力された補正値に応じて、PWM信号のデューティ比を調整するPWM制御値を取得する。PWM制御部25は、PWM制御値をメモリ251に一時的に記憶する。PWM制御部25は、コンピュータで構成される制御部9(図4参照)から制御信号を受け取ると、メモリ251からPWM制御値を読み出して、デューティ比を調整してPWM信号を出力する。これによって、走査範囲E2の走査角度が所定角度に一定化するように補正される。
本光走査装置10では、走査方向の識別にMEMSミラー12の駆動電圧の極性を利用していないので、電磁形及び静電形のいずれのMEMSを用いた場合でも、走査方向を識別でき、MEMSミラー12の走査運動の範囲を正確に制御することができる。
次に、印刷中における画像形成装置1における光走査装置10の制御処理を説明する。図9に示すように、画像形成装置1では、図4に示す制御部9が、操作部(図示せず)で受け付けた印刷指示を検出すると、光走査装置10に制御信号を出力して、次の走査方向がA走査方向か否かを確認する(ステップS1)。制御部9は、次の走査方向がA走査方向の場合にはステップS3に移行し、そうでない場合には、図10のステップS27に移行する。ステップS3では、制御部9は、PWM制御部25へ制御信号を出力してPWM制御を開始する。すなわち、PWM制御部25は、直前に得たPWM制御値に応じたデューティ比のクロックをMEMS駆動部20に出力する。
次いで、左側のBDセンサ13が走査されたか否かが判断され(ステップS5)、BDセンサ13が走査されたと判断されると、指標時間の計測が開始される(ステップS7)。すなわち、計時部22は、BDセンサ13のフォトダイオード131,132で光ビームを検知してBD信号選択回路16から出力されたnBD信号を検出して計時動作を開始する。なお、この計時動作は、ステップS17のように、右側のBDセンサ14のフォトダイオード141,142で光ビームが検知されると、BD信号選択回路18から出力されるnBD信号を検出して計測を完了する(ステップS19)。
一方、制御部9は、ステップS5のタイミングで画像の書き出しタイミングを設定し、ステップS9で書き出しタイミングになると、画像データに対応する光ビームを射出し、感光体ドラム2上に1ライン分の画像の書き出しを開始する(ステップS11)。次いで、1ラインの画像の書き出しが終了すると(ステップS13)、制御部9は、画像の書き出しを終了する(ステップS15)。
次いで、前述の指標時間の計測完了(ステップS19)を受けて、A方向走査側のPWM制御値の算出と記憶が行われる(ステップS21)。そして、A方向走査が終了するのを待って(ステップS23)、1ページ分の印刷および印刷ジョブが終了したか否かが判断される(ステップS25)。制御部9は、印刷および印刷ジョブが終了していなければ、図10のステップS27に移行する。一方、制御部9は、印刷および印刷ジョブが終了していれば、印刷処理を終了する。
ステップS27では、制御部9は、PWM制御部25へ制御信号を出力して、B走査方向でのPWM制御を開始する。すなわち、PWM制御部25は、直前に得たPWM制御値に応じたデューティ比のクロックをMEMS駆動部20に出力する。
次いで、右側のBDセンサ14が走査されたか否かが判断され(ステップS29)、BDセンサ14が走査されたと判断されると、指標時間の計測が開始される(ステップS31)。すなわち、計時部22は、BDセンサ14のフォトダイオード141,142で光ビームを検知してBD信号選択回路18から出力されたnBD信号を検出して計時動作を開始する。なお、この計時動作は、ステップS41のように、左側のBDセンサ13のフォトダイオード131,132で光ビームが検知されると、BD信号選択回路16から出力されるnBD信号を検出して計測を完了する(ステップS43)。
一方、制御部9は、ステップS29のタイミングで画像の書き出しタイミングを設定し、ステップS33で書き出しタイミングになると、画像データに対応する光ビームを射出し、感光体ドラム2上に1ライン分の画像の書き出しを開始する(ステップS35)。次いで、1ラインの画像の書き出しが終了すると(ステップS37)、制御部9は、画像の書き出しを終了する(ステップS39)。
次いで、前述の指標時間の計測完了(ステップS43)を受けて、B方向走査側のPWM制御値の算出と記憶が行われる(ステップS45)。そして、B方向走査が終了するのを待って(ステップS47)、1ページ分の印刷および印刷ジョブが終了したか否かが判断される(ステップS49)。制御部9は、印刷および印刷ジョブが終了していなければ、図9のステップS3に移行する。一方、制御部9は、印刷および印刷ジョブが終了していれば、印刷処理を終了する。
次に、図11、図12を用いて、図7、図8に示したBD信号選択回路16の第2実施形態を説明する。図11は、BD信号選択回路16aがRS−FF回路165a,166aで構成されている点で図7と異なる。RS−FF回路165a,166aは、同期型RSフリップフロップで、CLKの立ち上がりタイミングの時のR,Sの入力状態によってQバーが決まる。BD信号選択回路16aでは、図12のタイムチャートに示すように、CLKのタイミングでQバーの状態(SEL_A、SEL_B)が設定されるので、信号の出力タイミングが安定化する。
次に、図13を用いてBD信号選択回路の第3実施形態を説明する。第3実施形態では、図7、図8に示すアンプ161,162、AND回路163,164の回路部を利用すると共に、AND回路163,164の出力状態から、例えば制御部9によってソフトウェア的にnBD信号の設定を行うものである。図13において、まず、LATCH_AがHレベルか否かが判断される(ステップS101)。LATCH_AがHレベルであれば、nBD1信号がnBD信号として設定される(ステップS103)。一方、ステップS101で、LATCH_AがHレベルでなく、LATCH_BがHレベルであれば(ステップS105)、nBD2信号がnBD信号として設定される(ステップS107)。
また、LATCH_A及びLATCH_BのいずれもHレベルでなければ、印字終了か否かが判断される、印字終了であれば、本フローを終了する。一方、印字終了でなければ、ステップS101に戻る。
図14は、図5に示すBD信号生成回路15の他の実施形態を示すBD信号生成回路15aである。BD信号生成回路15aは、図5と相違する構成として、下限クランプ回路153,154を備えず、アンプ151,152の出力を直接、コンパレータ155,156に入力すると共に、コンパレータ155,156の各出力とNAND回路157aの出力との論理和を得るOR回路158,159を備えている。
コンパレータ155は、検出信号V1が検出信号V2のレベルより高い間、High信号を出力する。また、コンパレータ155は、検出信号V1が検出信号V2のレベルより低い間、Low信号を出力する。コンパレータ156は、検出信号V2が検出信号V1のレベルより高い間、High信号を出力する。また、コンパレータ156は、検出信号V2が検出信号V1のレベルより低い間、Low信号を出力する。コンパレータ155,156の出力は、OR回路158,159の一方入力端に出力される。さらに、NAND回路157aは、アンプ151,152の検出信号がレベルVg(図15(B)の(a)参照)以上の期間Tg(図15(B)の(a)参照)、LOW信号をゲート信号としてOR回路158,159の他方入力端に出力する。
図15(B)の(a)(b)に示すように、A方向走査時には、コンパレータ155は、検出信号V1が検出信号V2より低く、かつゲート信号がLOW信号を出力しているときにLOW信号を出力し、それ以外のときにHIGH信号を出力する。コンパレータ156は、検出信号V2が検出信号V1より低く、かつゲート信号がLOW信号を出力しているときにLOW信号を出力し、それ以外のときにHIGH信号を出力する。
前述したように、コンパレータ155,156で検出したいタイミングは、コンパレータ155の入力信号とコンパレータ156の入力信号とが共にレベル変化しながら、2つの入力電圧の大小関係が入れ替わるタイミングである。このタイミングは、前述した理由により、コンパレータ155,156の出力信号が立ち下がるタイミングをBD信号のアクティブエッジとした場合、図15(B)の(a),(d)の交点C1、交点C4を出力信号が立ち下がるタイミングとすることでジッタが小さくなる。そこで、OR回路158,159によって、図15(B)の(a),(d)に示すようにnBD1信号とnBD2信号とを出力信号として取り出すようにした。
なお、本実施形態では、RS−FFを使用したが、これに限らず、2個の入力を受けて出力状態が決まるフリップフロップ乃至は論理回路を採用してもよい。また、図7、図11では、最終段にAND回路169を採用したが、nBD1,nBD2信号がHレベルで出力される態様では、選択処理としてOR回路が採用される。また、本実施形態では、BDセンサ13,14を往復走査方向の両端側に配置したが、一方端にのみ配置し、この一方端側での検出内容から他方への走査を制御する態様としてもよい。
上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
1 画像形成装置
2 感光体ドラム(被走査体)
10 光走査装置
12 MEMSミラー(走査体)
13,14 BDセンサ
131,132,141,142 フォトダイオード(光検出素子)
15,15a,17 BD信号生成回路(パルス信号生成回路)
16,18 BD信号選択回路(パルス信号選択回路)
21 走査制御部
157 AND回路(ゲート回路)
157a NAND回路(ゲート回路)

Claims (6)

  1. 往復走査する光ビームの走査タイミングを検出する走査タイミング検出装置において、
    前記光ビームの走査範囲内の所定位置であって走査方向に沿って互いに隣接配置され、受光量に応じたレベルの検出信号を出力する第1、第2光検出素子を有するBDセンサと、
    前記第1、第2の光検出素子によって検出された前記光ビームの検出信号がそれぞれレベル変化しながら大小関係が入れ替わるタイミングを立ち上がりエッジとするパルス信号と立ち下がりエッジとするパルス信号とを往復方向それぞれについて生成するパルス信号生成回路と、
    前記第1、第2の光検出素子によって検出された前記光ビームの検出信号のそれぞれから走査方向に対応して互いに極性の異なる識別信号を作成すると共に、前記識別信号から前記立ち上がりエッジのパルス信号と立ち下がりエッジのパルス信号のうち、走査方向に関わらず前記立ち下がりエッジのパルス信号を選択するパルス信号選択回路とを備え
    前記互いに極性の異なる識別信号は、前記第1、第2の光検出素子によって検出された両検出信号の検出期間内で、かつ同一期間を有するパルス信号であることを特徴とする走査タイミング検出装置。
  2. 前記パルス信号生成回路は、前記立ち上がりエッジのパルス信号及び立ち下がりエッジのパルス信号を、前記第1の光検出素子及び前記第2の光検出素子の検出信号のレベルが共に所定レベル以上の期間だけ出力するゲート回路を備えたことを特徴とする請求項1に記載の走査タイミング検出装置。
  3. 前記BDセンサ、前記パルス信号生成回路及び前記パルス信号選択回路は、パッケージ化されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の走査タイミング検出装置。
  4. 前記光ビームの走査範囲には、被走査体の潜像形成領域を含み、
    前記BDセンサは、前記潜像形成領域の少なくとも一方側の外側領域に配置されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の走査タイミング検出装置。
  5. 請求項1〜4のいずれかに記載の走査タイミング検出装置と、選択されたパルス信号間の時間間隔から前記光ビームの走査を制御する走査制御部とを備えた光走査装置。
  6. 請求項5に記載の光走査装置を備えた画像形成装置。
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